JP6530603B2 - 光学コンポーネント - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、ドイツ特許出願第１０２０１２２０２５０１．４号の内容を参照として援用する。
本発明は光学コンポーネントに関する。本発明は更にこのタイプのコンポーネント及び光学アセンブリを備えるミラー系に関する。更に、本発明はミラー系の複数のミラー素子の位置決めを行う方法に関する。最後に本発明は、このタイプのミラー系を備える投影露光装置の光学ユニット、このタイプの光学ユニットを備えるＥＵＶ投影露光装置用照明系、及び対応する投影露光装置に関する。また本発明は、微細構造又はナノ構造のコンポーネントを製造する方法、及びこの方法に従って製造されたコンポーネントに関する。
複数の個々のミラーから構成されるミラーを備える光学コンポーネントは従来技術から既知である。特許文献１（国際公開第２０１０／０４９０７６Ａ２号パンフレット）は、例えば、複数の変位可能な個々のミラーを有するミラーアレイを開示している。
国際公開第２０１０／０４９０７６Ａ２号パンフレット
本発明の目的は、このタイプの光学コンポーネントを改善することである。
この目的は請求項１の特徴によって達成される。本発明の核心は、ミラーアレイにおける複数のミラー素子の位置決めを行う、２つの少なくとも部分的に異なる制御／調整系を使用することにある。
本発明によれば、ミラー素子の位置決めに必要なデータフローを、光学コンポーネント又はその担持体に組み込まれたミラー素子の位置決め調整を行う複数のローカル調整デバイスにより、著しく削減することが可能であることが認識された。特に、調整デバイスは、光学コンポーネント又はその担持体に完全に組み込まれる。これは、調整デバイスの全ての構成部品が光学コンポーネント又はその担持体に組み込まれることを意味していると理解されたい。これらのローカル調整デバイスは、特に、常に存在する基準点の励起のために決して完璧に回避することのできないミラー素子の振動の減衰のために使用される。これらのデバイスはいずれにおいてもフィードバック系を形成する。ローカル調整デバイスは、以下において帯域幅と称する特定の周波数範囲において、ミラー素子の効果的な振動減衰をもたらす。これらのデバイスはミラー素子の固有周波数の範囲又はその倍の帯域幅を有する。調整デバイスの帯域幅は、特に少なくとも５００Ｈｚ、特に少なくとも１ｋＨｚ、特に少なくとも２ｋＨｚ、特に少なくとも５ｋＨｚ、特に少なくとも１０ｋＨｚである。各調整デバイスは特に少なくとも１つの速度センサを備える。位置センサもセンサとして設けることができる。更にミラー素子の速度は、同様に、位置センサによって測定することができる。よってフィードバック信号はそれぞれのミラー素子の速度である。この信号はローカルセンサ、すなわちコンポーネントに組み込まれたセンサによって読み取られる。各調整デバイスのレギュレータも局所的に、つまり、コンポーネントに組み込まれて具現化される。ローカル調整デバイスは、ミラー素子の担持体に対する位置決めの調整、特に、その様な動きの減衰又は抑制のためのみに特に使用される。
ミラー素子の絶対位置決めのため、光学コンポーネントは、アクチュエータのグローバル制御／調整系への信号送信接続のための複数の信号線を有している。ミラー素子は特に、光学コンポーネントから離して配置することができ、ミラー素子の一部ではない、外部制御／調整デバイスを備える。グローバル制御／調整デバイスによって、ミラーアレイにおける複数のミラー素子の絶対位置、特にミラーアレイにおける全てのミラー素子の絶対位置を事前に定めることが可能である。信号線の少なくとも一部を、ローカル制御ループの少なくとも一部において使用することもできる。原理上、ローカル制御ループとグローバル信号線とを相互に完全に分離し、それぞれに完全に別個の信号経路を設けることも考えられる。
更に、ローカル制御／調整系及びグローバル制御／調整系は、特に、ミラー素子のアクチュエータを起動させるために、同じドライバ段にアクセスすることができる。換言すれば、ドライバ段は、ローカル制御ループ及びグローバル制御／調整系の一部とすることができる。
更に、ミラー素子の各々を位置決めするローカル制御／調整系及びグローバル制御／調整系に、それぞれ１つ又は複数の同じアクチュエータを使用することができる、つまり、アクチュエータはグローバル制御／調整系及びローカル制御／調整系の双方によって起動可能である。この場合、グローバル制御／調整デバイスによって生成された位置決め信号を補正するための補正信号を、ローカル調整デバイスによって生成することができる。この代替として、ローカル制御ループを閉ループ制御系、特に別個のアクチュエータを有する閉ループ制御系として具現化することもできる。
更なる態様によれば、本発明は、
ａ．複数のミラー素子を有するミラーアレイであって、
ｉ．各ミラー素子が変位の少なくとも１つの自由度を有し、
ｉｉ．各ミラー素子が変位のために少なくとも１つのアクチュエータに接続された
ミラーアレイと、
ｂ．ミラーアレイに機械的に接続された担持体と、
ｃ．個々のミラー素子の絶対位置を事前に定めるために、アクチュエータを外部のグローバル制御／調整デバイスへ信号送信接続するための複数の信号線と、
ｄ．ミラー素子の位置決めを調整するための複数のローカル調整デバイスと
を備え、
ｅ．それぞれの調整デバイスがコンポーネントに組み込まれる、
光学コンポーネントに関する。
請求項２によれば、ミラー素子の各々には、好適には、個別の調整デバイスが割り当てられる。これにより、ミラー素子の各々の位置を、その他のミラー素子の位置から独立して確実に調整することができる。
ローカル調整デバイスは、特に、振動の抑制、及び／又は、ミラー素子の、外部の制御／調整デバイスによって事前に定められることのできるその全体位置に対する微細な位置決めのために使用される。
請求項３によれば、ローカル調整デバイスはそれぞれ、関連するミラー素子の平行投影によって画定される容積内において完全に配置される。これにより、ミラーアレイは、原理上、任意の数のミラー素子を有することができる。更に、複数のミラーアレイを実質的に隙間なく並置することができる。
ローカル調整デバイスの小さな構造空間は、特に請求項４による前記各ローカル調整デバイスは少なくとも１つの電子回路を有するという事実によって可能となる。これらのデバイスは、特に少なくとも２つ、特に少なくとも３つの電子回路を備えている。調整デバイスは電子回路として構成することもできる。
請求項５によれば、電子回路は特に、いわゆる特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として具現化される。ＡＳＩＣは担持体に一体化することができる、すなわち、担持体に配置することができる。このような電子変位回路(ＡＳＵＣ)は費用効果的に製造することができる。更にこのような回路はそれぞれの要求事項に大変柔軟に適合させることができる。
請求項６によれば、ローカル調整デバイスはそれぞれ、振動を能動的に減衰する能動減衰デバイスとして具現化される。これらのデバイスは、少なくとも１Ｈｚ、特に少なくとも１０Ｈｚ、特に少なくとも１００Ｈｚの下限周波数を有している。下限周波数は、本明細書において、その周波数よりも上で、振動の振幅が多くて７０％以下、特に多くて５０％低減される周波数を意味すると理解されよう。ローカル調整デバイスは、ミラー素子の位置決め、特に微細な位置決めにも使用することができる。これらのデバイスは少なくとも１つ、特に少なくとも２つ、特に少なくとも３つ、特に少なくとも４つのアクチュエータを備える。
請求項７によれば、光学コンポーネントは、好適には、信号線の外部のグローバル制御／調整デバイスへの信号送信接続のためのインターフェースを備える。これにより、グローバル制御／調整デバイスをローカル調整デバイスから分離することが可能となる。そうすることにより、光学コンポーネントのモジュラー構成が更に可能になる。インターフェースは、特に、光学コンポーネントの各々のミラー素子から少なくとも１つのアクチュエータへの信号線を備える。原理上、光学コンポーネントにつき、複数のインターフェースを備えることも可能である。
本発明の更なる目的はミラー系の改善である。
この目的は請求項８の特徴によって達成される。
ミラー系の利点は上述の通りである。ミラー系は、本発明による少なくとも１つの光学コンポーネントの横に、ミラー素子を変位させるグローバル制御／調整デバイスを備える。この場合、グローバル制御／調整デバイスは、ミラーアレイの複数のミラー素子、特に全てのミラーアレイにおけるミラー素子の絶対位置の事前設定を行う。これにより、特に、複数のミラー素子の検出及び／又は制御及び／又は調整が可能となる。グローバル制御／調整デバイスによって位置決めすることのできるミラー素子の数は、特に少なくとも１０００、特に少なくとも１０，０００、特に少なくとも１００，０００、特に少なくとも１，０００，０００である。
グローバル制御／調整デバイスは、特に最大限で１０Ｈｚの低帯域幅を持つ位置レギュレータとして具現化させることができる。このデバイスは、特に定期的に再較正が行われる、純粋な駆動要素として具現化させることもできる。
請求項９によれば、グローバル制御／調整デバイス及びローカル調整デバイスは、特に、その比率が最大で１：１０、特に最大で１：１００、特に最大で１：１０００の帯域幅を有している。その結果、ミラー素子の位置決めのために必要なデータフローを著しく削減することができる。
請求項１０によれば、グローバル制御／調整デバイスは、ミラー素子の変位のための補正値を決定するためのルックアップテーブルを有することができる。これにより、ミラー素子の位置決めの制御／調整が簡素化される。
本発明の更なる目的は光学アセンブリの改善である。
この目的は請求項１１の特徴によって達成される。
光学アセンブリはベースプレートに配置された複数の光学コンポーネントを含む。この場合、光学アセンブリのこのような複数の光学コンポーネントのミラー素子は、単一のグローバル制御／調整デバイスによって位置決めすることができる。
本発明の更なる目的は、ミラー系の複数のミラー素子の位置決めを行う方法を改善することである。
この目的は、請求項１２の特徴によって達成される。本発明の核心は、グローバル制御／調整デバイスによる、ミラー素子の各々を位置決めするための位置データを事前に定めることと、複数のローカル調整デバイスによってミラー素子の位置決めの外乱を低減させることとから成る。これらの利点は上述のものに実質的に対応する。位置決め系をグローバル制御／調整系と複数のローカル調整デバイスを有するローカル調整系とに分けることにより、本方法は著しく簡素化される。特に、ミラー素子の位置決めに必要なデータフローは著しく削減される。
本発明の更なる目的は、光学ユニット、特に投影露光装置用の照明及び／又は投影光学ユニット、ＥＵＶ投影露光装置用の照明系及びこのタイプの投影露光装置を改善することである。これらの目的は請求項１３〜１５の特徴によって達成される。利点はすでに説明した利点に対応する。
本発明の更なる態様は、微細構造又はナノ構造のコンポーネントを製造する方法の改善、及びこの方法に従って製造されたコンポーネントの改善から成る。これらの目的は請求項１６及び１７の特徴によって達成される。利点は同様に、すでに説明した利点に対応する。
本発明の更なる詳細及び利点は、複数の例示的実施形態の説明に基づき、以下の図面を参照して明らかとなるだろう。
照明系及び投影光学ユニットを有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置の子午断面における概略図である。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する投影露光装置の照明系及び照明系によって照明される瞳ファセットミラーの実施形態を示す図である。 照明設定に対応する瞳ファセット照明を有する、図２に示す瞳ファセットミラーの例示的平面の概略図である。 ミラー素子の変位によって発生させることのできる、ミラーアレイの瞳ファセットミラーに対するチャネル割り当てを示す、図２による照明系を概略的に示したものである。 輪帯照明設定に対応する瞳ファセット照明を行う、図３による瞳ファセットミラーの略平面図である。 図２及び図４によるミラーアレイの、相互に並んだ２つのミラー素子の概略図である。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する光学コンポーネントの実施形態の略断面図である。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する光学コンポーネントの更なる実施形態の略断面図である。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する光学コンポーネントの更なる実施形態の略断面図である。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する光学コンポーネントの更なる実施形態の略断面図である。 個々の細部を説明する、光学コンポーネントにおける担持体の概略図である。 個々の細部を説明する、光学コンポーネントにおける担持体の概略図である。 個々の細部を説明する、光学コンポーネントにおける担持体の概略図である。 個々の細部を説明する、光学コンポーネントにおける担持体の概略図である。 個々の細部を説明する、光学コンポーネントにおける担持体の概略図である。 ベースプレートに配置されたミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する４つの光学コンポーネントを備えた光学アセンブリを例示的に示したものである。 ベースプレートの実施形態の断面図である。 ベースプレートに組み込まれたコンタクトピンと磁石の配置を示す、個々の細部を説明するための、図１７に示すベースプレートの略平面図である。 ベースプレートにおけるばね式コンタクトピンとベースプレートの後側に配置された回路基板との配置の代替実施形態を示す図である。 ベースプレートにおけるばね式コンタクトピンとベースプレートの後側に配置された回路基板との配置の代替実施形態を示す図である。 冷却系の実施形態を説明するための、ベースプレートの概略図である。 冷却系の実施形態を説明するための、ベースプレートの概略図である。 冷却系の実施形態を説明するための、ベースプレートの概略図である。 ベースプレートに配置されたコンポーネントを備える光学アセンブリの断面図である。 本発明の更なる態様を説明する、ベースプレート上におけるコンポーネントの配置の概略図である。 光学コンポーネント製造中の中間製品を示す図である。 光学コンポーネント製造中の中間製品を示す図である。 光学コンポーネント製造中の中間製品を示す図である。 光学コンポーネント製造中の中間製品を示す図である。 光学コンポーネント製造中の中間製品を示す図である。 光学コンポーネント製造中の中間製品を示す図である。 光学コンポーネント製造中の中間製品を示す図である。 光学コンポーネント製造中の中間製品を示す図である。 光学コンポーネント製造中の中間製品を示す図である。 光学コンポーネントを製造する方法シーケンスの方法ステップを概略的に示したものである。 光学コンポーネントを取り扱うためのツールの概略図である。 図２４に従ってアセンブリを製造するため、ベースプレートにコンポーネントを配置する方法を概略的に示したものである。 図２４に従ってアセンブリを製造する方法シーケンスの方法ステップを概略的に示したものである。 ２つの別個のループを有するコンポーネントの概略図である。 ２つの別個のループを有するコンポーネントの更なる概略図である。 図３９及び図４０に示す、２つの制御ループの周波数範囲の概要を示す図である。 ミラーアレイ（ＭＭＡ）を有する光学コンポーネントの更なる実施形態の略断面図である。 ａは、図４２に示すコンポーネントにおいて、ミラー素子の傾斜位置が異なる場合の概略図であり、ｂは図４３ａに対応するミラー素子の傾斜位置に、可動剛体電極を重ねて示した図である。 ａは、図４２に示すコンポーネントにおいて、ミラー素子の傾斜位置が異なる場合の概略図であり、ｂは図４４ａに対応するミラー素子の傾斜位置に、可動剛体電極を重ねて示した図である。 ａは、図４２に示すコンポーネントにおいて、ミラー素子の傾斜位置が異なる場合の概略図であり、ｂは図４５ａに対応するミラー素子の傾斜位置に、可動剛体電極を重ねて示した図である。 フィードバックループの例示的実施形態を詳しく説明するための回路図である。 測定電子装置の簡単な回路図である。 更なる実施形態による光学コンポーネントの略断面図である。 光学コンポーネントの更なる実施形態の概略図である。
先ず、投影露光装置１の基本構造を図を参照して以下に説明する。
図１はマイクロリソグラフィの投影露光装置１の子午断面における概略図である。投影露光装置１の照明系２は、放射線源３に加えて、物体面６の物体視野５を露光する照明光学ユニット４を有する。物体視野５は、例えば１３／１のｘ／ｙアスペクト比で、矩形状又は円弧状に形成することができる。この場合、物体視野５に配置された反射レチクル（図１に示さず）を露光させ、このレチクルは、微細構造又はナノ構造の半導体コンポーネントの製造用の投影露光装置１によって投影される構造を有する。投影光学ユニット７は、像面９の像視野８に物体視野５を結像するために使用される。レチクルの構造は、像面９の像視野８の領域に配置された、図示しないウエハの感光層に結像される。
レチクルホルダ（図示せず）によって保持されるレチクル及びウエハホルダ（図示せず）によって保持されるウエハは、投影露光装置１の動作中、ｙ方向に同期走査される。投影光学ユニット７の結像スケールに応じて、レチクルをウエハに対して反対方向に走査することもできる。
投影露光装置１を用いて、レチクルの少なくとも一部分を、特に半導体コンポーネントの、例えばマイクロチップの微細構造又はナノ構造コンポーネントのリソグラフィ製造のために、ウエハの感光層の領域に結像させる。スキャナ又はステッパとしての投影露光装置１の実施形態に応じて、レチクル及びウエハをスキャナ動作において連続的にｙ方向に時間同期して、又はステッパ動作で段階的に移動させる。
放射線源３は、５ｎｍ〜３０ｎｍの放出使用放射線を有するＥＵＶ放射線源である。これには、例えばＧＤＰＰ源（ガス放電型プラズマ）又はＬＰＰ源（レーザ生成ラズマ）などのプラズマ源を含むことができる。例えばシンクロトロン又は自由電子レーザ（ＦＥＬ）に基づくものなどの、他のＥＵＶ放射線源も使用可能である。
放射線源３から出るＥＵＶ放射線１０は、集光器１１によって集光される。対応する集光器は、例えば、欧州特許第１２２５４８１号明細書より既知である。集光器１１の下流で、ＥＵＶ放射線１０は、複数の視野ファセット１３ａを有する視野ファセットミラー１３に当たる前に、中間焦点面１２を伝播する。視野ファセットミラー１３は、物体面６に対して光学的に共役な照明光学ユニット４の平面に配置される。
以下において、ＥＵＶ放射線１０を、使用放射線、照明光又は結像光とも称する。
視野ファセットミラー１３の下流において、ＥＵＶ放射線１０は複数の瞳ファセット１４ａを有する瞳ファセットミラー１４によって反射される。瞳ファセットミラー１４は、照明光学ユニット７の入射瞳面又はそれに対して光学的に共役な平面にある。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４は、以下に更に詳しく説明する複数の個別ミラーよって構成される。この場合、視野ファセットミラー１３の個々のミラーへの細分は、それぞれで物体視野５を照明する視野ファセット１３ａの各々が、個々のミラーの中の厳密に１つのミラーによって表されるように行うことができる。代替的に、視野ファセット１３ａの内の少なくともいくつか又は全てを、このような複数の個別ミラーによって構成することも可能である。同様のことが、視野ファセット１３ａにそれぞれ割り当てられた瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット１４ａの構成にも当てはまり、これらの瞳ファセットはそれぞれ、単一の個別ミラー又は複数のこのような個別ミラーによって形成することができる。
ＥＵＶ放射線１０は、ミラー面に対する垂直入射で測定した２５°以下の入射角で２つのファセットミラー１３及び１４に当たる。従って、ＥＵＶ放射線１０は、垂直入射運転範囲において２つのファセットミラー１３及び１４に照射される。斜入射による照射も可能である。瞳ファセットミラー１４は、投影光学ユニット７の瞳面を構成するか、又は投影光学ユニット７の瞳面に対して光学的に共役な、照明光学ユニット４の平面に配置される。瞳ファセットミラー１４と、ＥＵＶ放射線１０のビーム経路の順にミラー１６、１７及び１８を有する透過光学ユニット１５の形態の結像光学アセンブリとを用いて、視野ファセットミラー１３の視野ファセットを互いに重畳して物体視野５に結像させる。透過光学ユニット１５の最終ミラー１８は、斜入射用のミラー（「斜入射ミラー」）である。透過光学ユニット１５は、瞳ファセットミラー１４と共に、ＥＵＶ放射線１０を視野ファセットミラー１３から物体視野５へ伝達する、後続光学ユニットとも称する。照明光１０は、複数の照明チャネルによって放射線源３から物体視野５へと導かれる。照明チャネルの各々は、視野ファセットミラー１３の視野ファセット１３ａ及びその下流に配置された瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット１４ａに割り当てられる。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４の個別ミラーは、アクチュエータ系によって傾斜可能であり、その結果、瞳ファセット１４ａの視野ファセット１３ａへの割り当ての変化と、それによる照明チャネルの構成の変化を達成することができる。これにより物体視野５にわたる照明光１０の照明角度における分布の異なる、種々の照明設定がもたらされる。
位置関係の説明を容易にするために、特に、以下において、全体直交ｘｙｚ座標系を用いる。図１において、ｘ軸は図１において図面の平面に対して垂直に、観測者に向かって延びている。ｙ軸は図１において右に延びている。ｚ軸は図１において上に延びている。
局所直交ｘｙｚ座標系はこれ以降に続く図面の中から選択した図に示し、ｘ軸は図１に示すｘ軸と平行に延び、ｙ軸はｘ軸と共に各光学素子の光学面に延びている。
図２は投影露光装置１における照明系１９の代替的な構成を示す。図１を参照してすでに説明したものに相当するコンポーネントには同じ参照符号を付し、再び詳述はしない。
ＬＰＰ源として同様に具現化することのできる、放射線源３から出射した使用放射線１０は、最初に第１集光器２０によって集光される。集光器２０は、放射線源３を中間焦点面１２に結像するか、又は放射線源３からの光を中間焦点面１２の中間焦点に集束させる放物面鏡であってもよい。集光器２０は、使用放射線１０が集光器に０°に近い入射角で照射されるように動作させることができる。そして集光器２０は垂直入射に近い角度で動作するため、垂直入射（ＮＩ）ミラーとも称する。斜入射で動作する集光器を集光器２０の代わりに用いることもできる。
中間焦点面１２の下流には、使用放射線１０、すなわちＥＵＶ放射線ビームを導く光学アセンブリの例として、マルチミラーアレイ又はマイクロミラーアレイ（ＭＭＡ）の形態の視野ファセットミラー２１が配置される。マルチミラーアレイ又はマイクロミラーアレイ（ＭＭＡ）は以下において、単にミラーアレイ２２とも称する。視野ファセットミラー２１は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）として具現化される。これは、行列状の配列でマトリクス状に配置された複数の個別ミラーを有する。個別ミラーは、以下において、ミラー素子２３とも称する。ミラー素子２３は以下でも説明するように、アクチュエータシステムによって傾斜できるように設計される。全体として、視野ファセットミラー２１は、約１００，０００個のミラー素子２３を有する。ミラー素子２３のサイズに応じて、視野ファセットミラー２１は、例えば、１０００個、５０００個、７０００個、又は例えば５００，０００個など何十万ものミラー素子２３を有することもできる。
視野ファセットミラー２１の上流に分光フィルタを配置することができ、この分光フィルタは、放射線源３から放出される、投影露光に使用することのできないその他の波長成分から使用放射線１０を分離する。この分光フィルタは図示しない。
８４０Ｗの出力と６．５ｋＷ／ｍ２の出力密度とを有する使用放射線１０が視野ファセットミラー２１に照射される。使用放射線１０は異なる出力及び／又は出力密度を有することもできる。
ファセットミラー２１の個別ミラーアレイ全体の直径は５００ｍｍであり、ミラー素子２３が密集された状態に設計される。充填度又は集積密度とも称する、ミラー素子２３による完全な視野ファセットアレイの面積占有率は、少なくとも７０％である。ミラー素子２３は、視野ファセット２１ａがそれぞれ１つのミラー素子２３のみによって実現される限り、倍率は別として、物体視野５の形態を表す。ファセットミラー２１は、それぞれが視野ファセット２１ａを表し、かつｙ方向が約５ｍｍ、ｘ方向が約１００ｍｍである、５００個のミラー素子２３から形成することができる。各視野ファセット２１ａを１つのみのミラー素子２３から実現させる代替形態として、視野ファセット２１ａの各々を、より小さなミラー素子２３の群で形成することができる。ｙ方向に約５ｍｍ、ｘ方向に約１００ｍｍの寸法を有する視野ファセット２１ａは、例えば、５ｍｍ×５ｍｍの寸法を有するミラー素子２３の１×２０のアレイから、０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有するミラー素子２３の１０×２００のアレイによって構成することができる。本発明によれば、ミラー素子２３の視野ファセット２１ａへの割り当てはフレキシブルである。視野ファセット２１ａは、特に最初にミラー素子２３の適切な駆動によって規定される。ミラー素子２３の形状は、特に、巨視的な視野ファセットの形状とは無関係であり得る。
使用光１０は、ファセットミラー２１のミラー素子２３から瞳ファセットミラー１４に反射される。瞳ファセットミラー１４は約２，０００個の固定瞳ファセット１４ａを有する。瞳ファセット１４ａが相互に並んだ複数の同心円状のリングとして配置されることで、最も内側のリングの瞳ファセット１４ａは扇形に構成され、それに直接隣接するリングの瞳ファセット１４ａは、リング弧状に構成される。瞳ファセットミラー１４の象限内において、瞳ファセット１４ａはリング１２のそれぞれに相互に並んで存在し得る。瞳ファセット１４ａの各々はミラーアレイ２２として具現化させることができる。
使用光１０は、瞳ファセット１４ａから物体面６に配置された反射レチクル２４に反射される。図１に示す投影露光装置に関して上記に説明した様に、投影光学ユニット７が次に来る。
図１に示す照明光学ユニット４に関連して説明した様に、透過光学ユニット１５をファセットミラー１４とレチクル２４との間に再度設けることができる。
図３は、図２に示す従来の照明設定をほぼ達成できる瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット１４ａの照明を例として示す。瞳ファセットミラー１４の２つの内側瞳ファセットリングにおいて、瞳ファセット１４ａの内の１つを１つおきに円周方向に照らす。図３のこの交互的な照明図は、この照明設定の場合に実現される充填密度が輪帯照明設定の場合の２分の１であるということを表すことを意図したものである。均一な照度分布も同様に２つの内側瞳ファセットリングにおいて求められるが、占有密度は２分の１である。図３に示す２つの外側瞳ファセットリングは照らされない。
図４は、輪帯照明設定が行われている場合に限られる照明光学ユニット４の状態を概略的に示す。視野ファセットミラー２１のミラー素子２３は、瞳ファセットミラー１４において、リング弧状の瞳ファセット１４ａが使用光１０で照らされるように、アクチュエータを用いたアクチュエータシステムによって傾斜される（以下に説明する）。瞳ファセットミラー１４のこの例示的な照明を図５に示す。この照明を発生させるためのミラー素子２３の傾斜を、ミラー素子２３の内の１つを例として、図４に示す。
図２〜図５に示す照明設定を切り替えるために、ミラー素子２３を傾斜角度で枢動させることができる。ミラー素子２３は特に少なくとも±５０ｍｒａｄ、特に少なくとも±８０ｍｒａｄ、特に±１００ｍｒａｄの範囲の傾斜角で枢動可能である。それぞれの傾斜位置は、この場合、少なくとも０．２ｍｒａｄ、特に少なくとも０．１ｍｒａｄ、特に少なくとも０．０５ｍｒａｄの精度で満たすことができる。
ミラー素子２３は、使用放射線１０の波長におけるそれらの反射率を最適化するために、多層コーティングを有する。多層コーティングの温度は、投影露光装置１の動作中、４２５ｋを超えてはならない。これは以下に例として説明するミラー素子２３の構成によって達成される。照明光学ユニット４のミラー素子２３は、図２に概略的に示すように、真空排気可能チャンバ２５に収容される。図２は真空排気可能チャンバ２５の境界壁２６を概略的に示しているだけである。チャンバ２５はその中に遮断弁２８を収容した流体線２７を介して真空ポンプ２９と連通する。真空排気可能チャンバ２５内の作動圧力は数Ｐａ（分圧Ｈ２）である。その他の分圧は１０−７ｍｂａｒを明らかに下回る。
ミラー素子２３は基板３０に配置される。基板３０は熱伝導部３１を介してミラー体３２に機械的に接続される。熱伝導部３１の一部は関節体３３であり、これによりミラー体３２を基板３０に対して傾斜させることができる。関節体３３は固体関節として具現化させることができるが、ミラー体３２が、規定された傾斜自由度で、例えば１つ又は２つの特に相互に垂直に配置された傾斜軸を中心に傾斜できるようにする。関節体３３は基板３０に固定された外側保持リング３４を有する。更に、関節体３３は外側保持リング３４に関節式に接続される内側保持体３５を有する。この保持体はミラー素子２３の反射面３６の中央の下に配置される。スペーサ３７は中央保持体３５と反射面３６との間に配置される。
ミラー体３２内の熱、特に入射使用放射線１０の吸収によって発生した熱は、熱伝導部３１を介して、すなわちスペーサ３７、中央保持体３５、関節体３３及び外側保持リング３４を介して、基板３０に放散される。少なくとも１０ｋＷ／ｍ２、特に少なくとも３０ｋＷ／ｍ２、特に少なくとも５０ｋＷ／ｍ２の熱出力密度を、熱伝導部３１を介して基板３０に放散させることができる。基板３０に放散される熱出力は、ミラー素子２３に応じて、少なくとも２．５ｍＷ、特に少なくとも７．５ｍＷ、特に少なくとも１２．５ｍＷとすることができる。代替的に、熱伝導部３１は、少なくとも１ｋＷ／ｍ２の熱出力密度又はミラー体３２が吸収した少なくとも０．２５ｍＷの出力を基板３０に放出するように設計してもよい。吸収出力は、放射線源３からの使用放射線１０の吸収出力に加えて、例えば吸収電力であってもよい。
保持体３５におけるスペーサ３７に対する反対側に、アクチュエータピン３８が当該保持体３５に配置される。このアクチュエータピン３８の外径はスペーサ３７より小さくてもよい。また、アクチュエータピン３８の直径は、スペーサ３７と同じ又はスペーサより大きくてもよい。
基板３０は、アクチュエータピン３８を囲むスリーブを形成する。いずれの場合においても、全部で３個の電極５４がスリーブに組み込まれ、スリーブにおいてこれらの電極は相互に電気的に絶縁され、それぞれ円周方向におよそ１２０°を僅かに下回る角度で延在するように配置される。電極５４は本実施形態において電極ピンとして具現化されるアクチュエータピン３８に対して対電極を構成する。この場合、アクチュエータピン３８は、特に中空シリンダとして具現化させることができる。原理上、アクチュエータピン３８につき、異なる数の電極５４を設けることも可能である。特に、アクチュエータピン３８につき、４個以上の電極４を設けてもよい。１つ又は複数の電極５４とアクチュエータピン３８との間に電位差を発生させることにより、アクチュエータピン３８に静電力を発生させることが可能であり、この力は、図６の右側半分に例として示す様に、ミラー素子２３の偏向をもたらし得る。
基板３０は特に、その上にミラー素子２３のアレイ全体が配置された、シリコンウエハで形成することができる。
アクチュエータピン３８はローレンツアクチュエータの一部であってもよい。この場合、アクチュエータピン３８の自由端に永久磁石が配置される。永久磁石は、そのＮ極とＳ極とがアクチュエータピン３８に沿って相互に並んで配置されるように配向させることができる。このタイプのローレンツアクチュエータは、例えば米国特許第７，１４５，２６９号明細書から既知である。これは、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）としてバッチプロセスで製造することができる。２０ｋＰａの力密度をこのタイプのローレンツアクチュエータを使って達成させることができる。力密度は、アクチュエータ力の、そのアクチュエータ力が作用するアクチュエータの面積に対する割合と定義される。アクチュエータピン３８の断面は、アクチュエータの力が作用し、固有に考慮される、アクチュエータの側面の基準として使用することができる。
本実施形態のローレンツアクチュエータの代替として、ミラー素子２３を傾斜させるアクチュエータを、例えば国際公開第２００７／１３４５７４Ａ号パンフレットに記載の様なリラクタンスアクチュエータ、又はピエゾアクチュエータとして具現化させることができる。５０ｋＰａの力密度はリラクタンスアクチュエータによって達成することができる。構成に応じて、５０ｋＰａ〜１ＭＰａの力密度をピエゾアクチュエータで達成することができる。
特に基板３０における個別ミラー２３の配置及びアクチュエータによるそれらの枢動性と、関節体及び熱伝導部３１の実施形態の詳細に関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６Ａ２号パンフレットを参照されたい。
ミラーアレイ２２を有する光学コンポーネント４０の更なる態様及び詳細を、図７〜図１５を参照して以下に説明する。ミラー素子２３と基板３０とを有するミラーアレイ２２は、表面法線４１に対して垂直に延在する全体面を有する。ミラーアレイ２２は複数のミラー素子２３を備え、ミラー素子の各々は反射面３６と２つの変位自由度とを有する。概してミラー素子２３は少なくとも１つの変位自由度を有する。ミラー素子はまた、３つ以上の変位自由度を有することもできる。ミラー素子２３は特に少なくとも１つの傾斜自由度を持つ。好適には、少なくとも２つの傾斜自由度を持つ。ミラー素子３２は特に並進自由度も有し得る。アクチュエータを用いて達成される変位は、ペアの線形独立であり得る。しかしながらこれらは必ずしも線形独立でなくてもよい。例えば上述の様に、３つ以上の電極５４をアクチュエータピン３８の周囲の平面において等距離に配置してもよい。
反射面３６は、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、１ｍｍ×１ｍｍ、４ｍｍ×４ｍｍ、８ｍｍ×８ｍｍ又は１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさを有し得る。反射面は正方形から逸脱することもできる。反射面３６の他の寸法も同様に可能である。
ミラーアレイ２２は、特に少なくとも４個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも６４個、特に少なくとも２５６個、特に少なくとも１０２４個のミラー素子２３を有する。ミラー素子２３は、好適には、矩形、特に正方形のマトリクス状に配置される。ミラー素子２３は正方形の断面を有する。ミラー素子はまた、原理上、三角形、矩形又は六角形の形状に具現化させることができる。ミラー素子２３は寄せ木張り要素として具現化される。ミラー素子２３全体は、ミラーアレイ２２の全反射面の寄せ木張りを形成する。寄せ木張りは特に碁盤目状配列である。ミラー素子２３は特に密集して配置される。ミラーアレイは、特に少なくとも０．８５、特に少なくとも０．９、特に少なくとも０．９５の充填度を有する。この場合、場合によっては集積密度とも称する充填度は、全反射面、すなわち、ミラーアレイ２２の全ミラー素子２３の反射面３６の和の、アレイ２２の全表面に対する比を示す。
ミラー素子２３の反射面３６は平面として具現化される。原理上、これは凹状又は凸状面、又は自由面として具現化させることもできる。
ミラー素子２３の反射面３６には、特に、使用放射線１０の波長でその反射率が最適化される（多層）コーティングが設けられる。多層コーティングは、特に、ＥＵＶ領域の、特に５ｎｍ〜３０ｎｍの波長を有する使用放射線１０の反射を可能にする。
ミラーアレイ２２はモジュール式に具現化される。ミラーアレイ２２は、特に、ミラーアレイ２２の全反射面の寄せ木張りをこのタイプの、すなわち複数の同一に具現化されたミラーアレイ２２の複数のタイル要素のタイル張りによって任意の所望の方法で拡張させることができるように、タイル要素として具現化される。この場合、「寄せ木張り」及び「タイル張り」という異なる用語は、ミラー素子２３による個々のミラーアレイ２２の全反射面の寄せ木張りと、複数のミラーアレイ２２によるマルチミラーアレイのそれとを区別するためだけに用いられる。これらはいずれも、１つの平面内で単純に接続された領域の、隙間のない重ならない被覆を示す。全反射面の被覆が、この場合に完全に隙間のない状態ではなく、充填度＜１に反映されるようなものであっても、充填度が上記の値、特に少なくとも０．８５を有する場合には、寄せ木張り又はタイル張りという用語を以下において用いる。
ミラー素子２３は基板３０によって保持される。基板３０は、表面法線４１に対して垂直な方向に延在する縁部領域４２を有する。縁部領域４２は、特に、ミラー素子２３の周りに円周方向に配置される。縁部領域４２は、表面法線４１に対して垂直な方向に、５ｍｍ以下、特に３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下、特に０．２ｍｍ以下の幅ｂ、特に最大幅ｂを有する。従って、ミラーアレイ２２の全表面は、全反射面、すなわちその外縁部よりも５ｍｍ以下、特に３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下、特に０．２ｍｍ以下、表面法線４１に対して垂直な方向に突出している。
ミラーアレイ２２の全表面積は、１ｍｍ×１ｍｍ〜５０ｍｍ×５０ｍｍ、特に１０ｍｍ×１０ｍｍ〜２５ｍｍ×２５ｍｍの範囲である。他の寸法も原理上同様に可能である。これは、特に正方形から逸脱することもできる。ミラーアレイ２２の全反射面を超えたその全表面のオーバーハング（張り出し）は、横方向オーバーヘッドとも称する。同じ方向の全範囲に対する横方向オーバーヘッドの比は、０．１以下、特に０．０５以下、特に０．０３以下、特に０．０２以下、特に０．０１以下である。従って、横方向オーバーハングは、ミラーアレイ２２の全反射面の全範囲よりも少なくとも１桁小さい。
光学コンポーネント４０は、ミラーアレイ２２に加えて担持体４３を備える。担持体４３は、表面法線４１の方向にミラーアレイ２２に対してオフセットして、特に隣接して配置される。担持体４３は、ミラーアレイ２２の基板３０の断面と同一の断面を有することが好ましい。担持体４３は、概して基板３０よりも、従ってミラーアレイ２２の全表面よりも表面法線４１に対して垂直な方向に５ｍｍ以下、特に３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下、特に０．１ｍｍ以下、特に０．０５ｍｍ以下突出し、特に全く突出しない。このタイプの配置を、「シャドウキャスティング（影付け）原理」に従った配置とも称する。これは、特に、担持体４３が表面法線４１の方向でミラーアレイ２２の全表面の平行投影内に完全に配置されることを意味すると理解される。
担持体４３は、セラミック及び／又はケイ素含有及び／又はアルミニウム含有材料から構成される。これは、高い機械的安定性と共にミラーアレイ２２からの放熱を可能にする。担持体４３の材料の例として、セラミック材料、ケイ素、二酸化ケイ素、亜硝酸アルミニウム及び酸化アルミニウム、例えばＡｌ２Ｏ３セラミックが挙げられる。担持体４３は、特にウエハから製造することができる。担持体４３は、いわゆるサーマルビアを設けた石英又はガラスウエハから製造することもできる。
担持体４３は、片側に開いた切欠部４４を有する。切欠部４４は、更に他の機能構成部品を収納するために片側に開いた収容空間を形成する。切欠部４４は、ミラーアレイ２２の反対側で、表面法線４１の方向に担持体のベース４５によって境界が定められる。切欠部４４は、横方向に、すなわち表面法線４１に対して垂直な方向に、担持体４３の縁部領域４６によって境界が定められる。縁部領域４６は、表面法線４１に対して垂直な方向に幅ｂｃを有する。この場合、０．５×ｂ≦ｂｃ≦２×ｂと言える。担持体４３の縁部領域４６は、特に、基板３０の縁部領域４２と全く同じくらいの幅ｂ＝ｂｃであり得る。
担持体４３は、上記縁部領域４６のみにおいてミラーアレイ２２に機械的に接続される。シール要素６１が担持体４３とミラーアレイ２２との間に配置される。シール要素６１は、ミラーアレイ２２の基板３０の後側４８における金属化部（metallization）に組み込まれる。シール要素６１は、担持体４の縁部領域４６に配置されたシールリングとして具現化させることもできる。その結果、切欠部４４によって形成された収容空間が、少なくともコンポーネント４０の製造中、液密に、特に気密に密閉、すなわち閉鎖される。原理上、ＡＳＩＣ５２を封入、すなわち液密又は気密に閉鎖して配置させることが可能である。これは、ミラーアレイ２２とＡＳＩＣ５２との間の連続中間層（図示せず）も必要とする。
複数の信号線４７を担持体４３に組み込む。信号線４７は、電気めっき貫通孔、いわゆる「ビア」として具現化される。信号線４７は、ミラーアレイ２２における、反射面３６の反対側である後側４８に直接結合される。信号線４７には、ミラーアレイ２２の反対側、すなわち担持体５４の後側４９に接触素子５０が更に設けられる。各コンポーネント４０は、３１個以上、特に５１個以上、特に７１個以上の信号線４７を有し得る。信号線４７は、特に、ミラー素子２３における変位用の変位デバイス５１のドライバ段における電力供給として機能する。ドライバ段は担持体４３に組み込まれる。これは、特に特定用途向け集積回路５２（ＡＳＩＣ）として具現化される。コンポーネント４０は、複数のＡＳＩＣ５２を有し得る。コンポーネント４０は、少なくとも１個のＡＳＩＣ５２、特に少なくとも２個、特に少なくとも４個、特に少なくとも９個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも２５個、特に少なくとも１００個のＡＳＩＣ５２を備える。この場合、ＡＳＩＣ５２の各々を少なくとも１つのミラー素子２３、特に複数のミラー素子２３、すなわち特に少なくとも２個、特に少なくとも４個、特に少なくとも８個のミラー素子２３に信号接続させる。ミラー素子２３を変位させるアクチュエータの制御の詳細に関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６Ａ２号パンフレットを参照されたい。
ＡＳＩＣ５２への信号線４７は、担持体４３の後側４９から担持体４３を通してミラーアレイ２２の後側４８へ延在し、そこからミラーアレイ２２の後側４８に沿ってフリップチップ接点５３を介してＡＳＩＣ５２へと延びる。フリップチップ技術の説明は、文献「Baugruppentechnologie der Electronik-Montage」［"Technology for Assemblies in Electric Mounting"］（Wolfgang Scheel編、第２版、Verlag Technik、ベルリン、１９９９年）で見ることができる。従って、集積又はローカルドライバ電子装置（integrated or local driver electronics）への信号線は、ミラーアレイ２２の後側４８に導かれる。ＡＳＩＣ５２で発生させたミラー素子２３の内の１つの変位を制御する制御電圧は、ミラーアレイ２２の後側４８の更に別のフリップチップ接点５３を介して対応する電極５４に印加される。結果として、ＡＳＩＣ５２の内の１つの電気接点接続の全部がＡＳＩＣ５２の同じ側に位置付けられる。これらは、特に、ＡＳＩＣ５２における、ミラーアレイ２２に面する側に位置付けられる。原理上同様に可能であるＡＳＩＣ５２の両面接点接続及びスルーホールめっきがそれによって回避される。信号線４７のこのような配置のさらなる利点は、信号線４７の全部を単一の金属層におけるミラーアレイ２２の後側に配設できることである。これは製造プロセスの単純化、よって製造費の削減につながる。
更に、信号線４７は、特定の信号線４７がミラーアレイ２２に面する担持体４３の前側４３ａ及び／又は上記担持体の後側４９に配設されるように具現化及び配置される。例として、ＡＳＩＣ５２の供給電圧用の信号線４７を相互に接続させる。これは、担持体４３の領域における信号低減をもたらす。担持体４３の領域における信号低減は、特に少なくとも１０：１である。
担持体４３の後側４９において、コンポーネント４０は電気インターフェース５５を有する。インターフェース５５は、特に、担持体４３における、ミラーアレイ２２に対して反対側である後側４９に完全に配置される。原理上可能である横方向接点を完全に省くことができる。従って、信号が流れる間に「シャドウキャスティング原理」も満たされる（図２５参照）。その結果、コンポーネント４０のコンポーネント部品及びコンポーネント４０における信号及び熱の流れの両方が、表面法線４１の方向に向けられる。従って、コンポーネント４０は垂直方向の集積を有する。
図７に示す実施形態の場合、電気インターフェース５５は、担持体４３の後側４９に設けられる複数のコンタクトピン５６を有する。その代替形態として、図９に例として示すように、電気インターフェース５５の接触素子５０を平面状に具現化することもできる。
その代替形態として、電気インターフェース５５の接触素子５０を担持体４３における一体型ピンとして具現化させることもできる。この場合、例えば金を充填した貫通孔として具現化される担持体４３のめっき貫通孔（ビア）を、担持体の後側４９の領域で部分的に露出させる。これは特に、めっき貫通孔を囲む担持体４３の材料の一部をエッチング除去することによって達成することができる。めっき貫通孔の露出部分が、続いて接触素子５０を形成する。
更に、担持体４３は強磁性体５７を備える。担持体４３は特に少なくとも１つの強磁性体５７を有する。複数の強磁性体５７を設けることもできる。強磁性体５７は、金属板又は金属箔として具現化される。強磁性体５７は、永久磁石素子として具現化させることもできる。図７及び図９に例として示す実施形態によれば、金属箔５７は担持体４３の切欠部４４内に配置される。特に、この金属箔は担持体４３に接続固定される。金属箔は、例えば担持体に結合させることができる。金属箔は、接着結合させることもできる。強磁性体５７として担持体４３に強磁性金属層を直接電着させることも同様に可能である。金属箔５７は、図１０に例として示すように、担持体４３の後側４９に配置することもできる。原理上、切欠部４４内及び担持体４３の後側４９において金属箔の配置を組み合わせることも可能である。
金属箔５７は、特にＡＳＩＣ５２と担持体４３のベース４５との間に配置させることができる。この場合、上記金属箔は、ＡＳＩＣ５２と担持体４３との間のサーマルインターフェースを形成することもできる。この場合、金属箔５７を軟質の波形金属箔、すなわちいわゆるスプリングフォイルとして具現化させることが有利である。
更に、付加的な熱伝導要素７８をＡＳＩＣ５２と担持体４３のベース４５との間、特にＡＳＩＣ５２と金属箔５７との間に配置させることができる。複数の熱伝導要素７８を設けることもできる。ＡＳＩＣ５２は、特に、切欠部４４内の熱伝導要素７８に少なくとも部分的に埋め込むことができる。ＡＳＩＣ５２と担持体４３のベース４５との間のこのようなサーマルインターフェースは、コンポーネント４０を通る熱流の垂直方向の集積を改善する。ミラーアレイ２２からの、特にＡＳＩＣ５２からの熱は、この場合、担持体４３のベース４５へ直接、すなわち実質的に表面法線４１の方向に、及び担持体４３を通して放散させることができる。
更に、コンポーネント４０は、配向要素（orienting elements）５８を有する。配向要素５８は、第１にコンポーネント４０の把持及び取り扱いを、第２により詳細に後述するベースプレート５９上でのその配置及び配向を容易にする配向デバイスの一部であり得る。配向要素５８は、特に光学的、機械的、又は電気的に具現化することができる。配向要素５８は、特にミラーアレイ２２の基板３０の縁部領域４２に配置される。従って、配向要素５８は、コンポーネント４０の前側６０に配置される。配向要素５８は、対応して担持要素４３の後側４９に設けることもできる。担持体４３の後側４９の配向要素５８は、特に、ベースプレート５９の対応要素との相互作用の結果として、ベースプレート５９上でコンポーネント４０の自己位置合わせをもたらすよう具現化させることができる。配向要素５８は、更に、ベースプレート５９上におけるコンポーネント４０の滑動を防止する。従って、配向要素５８は、コンポーネント４０の所定の配置及び向きをもたらして確保することができる。
コンポーネント４０の更に別の実施形態の態様を、図８を参照して以下で説明する。同一の部品には上述の例示的な実施形態と同じ参照符号を付し、その説明をここで参照する。
図８は、主にコンポーネント４０ａを通る電気接点及び信号線４７の細部を概略的に示す。本実施形態では、信号線４７は、ＡＳＩＣ５２ａを通って延在する。この目的で、ＡＳＩＣ５２ａにはいわゆるめっき貫通孔、特にシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）が設けられる。ＡＳＩＣ５２ａは両面接点接続を有する。その結果、コンポーネント４０ａを通る信号経路は更に短縮される。結果として短絡の危険が減る。更に、熱抵抗が減る。これは、垂直方向の集積と横方向オーバーヘッドのさらなる低減とに寄与する。
担持体４３の更に他の態様を、図１１〜図１４を参照して以下で説明する。めっき貫通孔（スルービア）として具現化された信号線４７が、特に図１１及び図１３において識別可能である。信号線は、特に、相互に向かい合って２列に配置される。原理上、信号線４７を１列又は２列以上、特に少なくとも３列、特に少なくとも４列以上で配置することも可能である。信号線４７は、特に、切欠部４４の４辺全てに配置することもできる。信号線４７は、例えば、複列で、特にオフセットした複列で配置することもできる。
図１１〜図１４に示す実施形態では、強磁性金属箔５７を担持体４３の後側４９に施す。これは、接触素子５０と接触するための２つのストリップ状の、特に矩形の開口６２を有する。ミラーアレイ２２と接触するための接触素子６３が、図１１及び図１２において更に強調されている。接触素子６３も同様に、相互に向かい合って２列に配置される。代替的な配置も同様に考えられる。更に、担持体６３内の信号低減用の接続線６４を例として図示する。図は、複数の接触素子６３がこのタイプの接続線６４によって同じ信号線４７に通じる、すなわち同じ信号線４７に電気的に接続される様子を例として示す。信号線４７、特に担持体４３の接触素子６３の実際の数は、図１１〜図１４に示すものよりも大幅に多くすることができる。担持体４３の後側４９の接触素子５０の数は、特に１０個〜２００個の範囲、特に４０個〜１５０個の範囲である。担持体４３を通る信号線４７の数は、特に、担持体４３の後側４９の接触素子５０の数と少なくとも同じである。担持体４３を通る信号線４７の数は、特に１０個〜３００個の範囲、特に３０個〜２００個の範囲である。この数は、特に少なくとも５０個、特に少なくとも１００個である。ミラーアレイ２２と接触するための接触素子６３の数は、特に、信号線４７の数と少なくとも同じである。原理上、複数の信号線４７を個々の接触素子６３に接続させることも可能である。この場合、接触素子６３の数を信号線４７の数よりも少なくすることもできる。接触素子６３の数は、原理上は１０個〜１，０００個の範囲である。この数は、特に少なくとも５０個、特に少なくとも１００個である。
図１５は、ミラーアレイ２２の後側４８における接点を例として示す。この場合、その下に位置する４個のＡＳＩＣ５２の位置を、説明の目的、例として破線で示す。本実施形態では、シールリング６１がミラーアレイ２２の基板３０の金属化した後側４８に組み込まれる。ＡＳＩＣ５２の各々に対して、マトリックス状に配置されたフリップチップ接点５３の群がミラーアレイ２２の後側４８に設けられる。更に、それぞれに４個の信号線４７が例として図示されており、これらは、電力供給及び、ＡＳＩＣ５２への入力信号、特にデジタル入力信号の供給に使用される。従って、信号線４７は、特にＡＳＩＣ５２を制御するための供給電圧リード及び／又はデータラインである。この場合、一群の信号線４７を、複数のＡＳＩＣ５２への供給のために使用することができる。従って、信号低減が生じる。フリップチップ接点５３は、同様に信号線４７をＡＳＩＣ５２に接続するために設けられる。接点５３及び信号線４７の全てが、ミラーアレイ２２の後側４８で単一の金属層に構造化すなわち一体化され得る。ミラーアレイ２２の後側４８における金属化の多層実施形態も同様に原理上可能である。ＡＳＩＣ５２の電圧及び信号供給と、ＡＳＩＣ５２によるミラーアレイ２２のアクチュエータの制御との例示的な詳細に関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６Ａ２号パンフレットを参照されたい。
コンポーネント４０は自立型の機能ユニットを形成する。
光学アセンブリ６５の細部及び詳細を、図１６〜図２４を参照して以下に説明する。アセンブリ６５は、例えば投影露光装置１の照明光学ユニット４のファセットミラー１３、１４として使用することができる。原理上、アセンブリ６５は、投影露光装置１の投影光学ユニット７の一部でもあり得る。図１６に非常に概略的に示すように、アセンブリ６５は、ベースプレート５９及び上述の複数の光学コンポーネント４０、４０ａを備える。ベースプレート５９は、光学コンポーネント４０のための機械的支持要素を形成する。これは、ベースプレート５９の材料の材料加工、特に金属加工の可能性の範囲内で自由に選択できるサイズ及び形態を有する。更に、ベースプレート５９は、光学コンポーネント４０の冷却に使用される。コンポーネント４０、４０ａはベースプレート５９上に配置される。これらは、より詳細に後述する固定デバイス６６によってベースプレート５９に固定される。コンポーネント４０のモジュール構成により、原理上は任意の所望の数のコンポーネント４０をベースプレート５９に配置させることが可能である。コンポーネント４０の数及び配置は、ベースプレート５９の寸法によってのみ制限される。概して、アセンブリ６５のコンポーネント４０の数は、少なくとも１個、特に少なくとも５個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも６４個、特に少なくとも２５６個である。コンポーネント４０は、特に、実質的に隙間なくベースプレート５９の所定の領域に寄せ木張りされるようベースプレート５９上に配置される。コンポーネント４０は、特にベースプレート５９に密集して配置される。隣接するコンポーネント４０は、ベースプレート５９上で相互に距離ｄを置いて配置される。隣接して配置されるコンポーネント４０間の距離ｄは、特に１ｍｍ以下、特に５００μｍ以下、特に３００μｍ以下、特に２００μｍ以下、特に１００μｍ以下、特に５０μｍ以下である。２つの隣接して配置されたコンポーネント４０間の距離ｄは、特に個々のコンポーネント４０の横方向オーバーヘッドと最大でも同じ大きさである。従って、個々のコンポーネント４０の垂直方向の集積により、実質的に任意の形状の、特に任意のサイズの全ミラー面をベースプレート５９上のコンポーネント４０の配置によって作製することが可能である。
有利な一実施形態によれば、コンポーネント４０は、ベースプレート５９上に交換可能に、特に非破壊的に交換可能に配置される。その代替形態として、コンポーネント４０をベースプレート５９に接続固定させることが可能である。コンポーネント４０は、例えば接着剤層（図示せず）によってベースプレート５９に接続させることができる。特に、コンポーネント４０とベースプレート５９との間の熱伝導をそれにより更に改善することができる。
コンポーネント４０とベースプレート５９との間の熱抵抗は、好適には１Ｋ／Ｗ未満である。ベースプレート５９は、良好な熱伝導率を有する材料から構成される。ベースプレート５９は、特に金属、例えば銅、アルミニウム、又は上記元素の化合物から構成される。ベースプレート５９は、コンポーネント４０に面した前側６７に研磨面を有する。これにより、コンポーネント４０とベースプレート５９との間の機械的及び／又は熱的及び／又は電気的接触が改善される。特に、コンポーネント４０からベースプレート５９への伝熱抵抗を、表面の研磨の結果として低減することができる。
アセンブリ６５の、特に光学コンポーネント４０の冷却を改善するために、アセンブリ６５は冷却システム６８を有する。冷却システム６８は、冷却流体６９を投入することができる１つ又は複数の冷却ライン７０を備えることができる。各冷却ライン７０は、供給ライン７１、ベースプレート５９に組み込んだ冷却セクション７２、及び排出ライン７４を含む。供給ライン７１及び排出ライン７３はいずれも、ベースプレート５９における、光学コンポーネント４０の反対側である後側７４に配置される。特に、ガス又は液体が冷却流体６９に適している。
冷却システム６８は、１つ又は複数の冷却ライン７０を有することができる。冷却ライン７０は、ベースプレート５９の周囲に分配されるよう配置させることができる。冷却ライン７０をベースプレート５９の特定の周囲領域のみに、特にベースプレート５９の一辺のみに配置させることも可能である。冷却セクション７２は、図２１に示すように、ベースプレート５９の縁部領域のみに配置させることができる。この場合、上記冷却セクションは特に蛇行状に具現化される。
図２２は、冷却システム６８の代替的な実施形態を示す。本実施形態では、冷却ライン７０、特に冷却セクション７２は、ベースプレート５９の範囲と平行に、すなわち特に表面法線４１に対して垂直に延在するように配置される。冷却セクション７２は、本実施形態においてもベースプレート５９に組み込まれる。冷却ライン７０の、特に冷却セクション７２のこのような配置は、ベースプレート５９における横方向温度勾配を低減、特に回避することを可能にする。
図２３は、冷却システム６８の更に別の代替的又は付加的な実施形態を示す。本実施形態では、冷却ライン７０が別個の冷却板７５に配置される。冷却板７５は、ベースプレート５９から離れて配置される。これは特に、ベースプレート５９から機械的に分離される。冷却板７５は、特に、表面法線４１の方向にベースプレート５９に対してオフセットするよう配置させることができる。ベースプレート５９から冷却板７５への十分な熱流を確保するために、複数の熱伝導要素７６が設けられる。熱伝導要素７６は、高い熱伝導率を有する機械的に柔軟な要素である。例として、銅ケーブル、銅箔、又は熱伝導に特化した他の機械的に柔軟な要素がこれらに適している。特に有利な一実施形態では、熱伝導要素７６をカプセル化した高配向グラファイト（ＨＯＰＧ）から作製することができる。
原理上、冷却板７５からのベースプレート５９の機械的分離は、ベースプレート５９と冷却板７５との間に配置された付加的な機械的制動要素７７によって更に改善することができる。冷却システム６５の本実施形態では、ベースプレートへの、特にその上に配置されたコンポーネント４０への、特にミラー素子２３への冷却流体流れによって励起された振動の伝達を、少なくとも９０％程度まで減らす、特に回避することができる。これにより、ミラー素子２３の位置安定性、従ってアセンブリ６５のコンポーネント４０におけるミラーアレイ２２の光学的品質が向上する。
原理上、冷却板７５の配置を、異なる様に、例えばベースプレート５９に対して横方向にオフセットして配置することも可能である。更に、冷却板７５は、電気信号線を通してベースプレート５９に通じる導出開口（図２３には図示せず）を有し得る。
従って、冷却システム６８をベースプレート５９に直接的又は間接的に連結することができる。冷却システム６８は、特に、上記ベースプレートと一体的に又はベースプレートとは別個に具現化させて、熱伝導要素７６によってベースプレートに接続させることができる。
固定デバイス６６をより詳細に説明する。固定デバイス６６は、少なくとも１つの、特に複数の磁気手段を含む。従って、固定デバイス６６は、磁気固定デバイス６６とも称する。これは、特に複数の永久磁石７９の配置を含む。永久磁石７９は、そのＮ極及びＳ極が表面法線４１の方向にそれぞれ相互に並んで配置されるよう配置される。ベースプレート５９に配置される各コンポーネント４０に対して、相互に逆の極性を有する２つの永久磁石７９が表面法線４１に対して垂直な方向に相互に並べて配置される。１つのコンポーネント４０につき異なる数の永久磁石７９も同様に可能である。特に、１つのコンポーネント４０につき１個、４個、又は８個の永久磁石７９を設けることが可能である。永久磁石７９の配置は、コンポーネント４０に加えられる永久磁石７９の保持力が最適化されるよう選択される。
固定デバイス６６、特に永久磁石７９は、ベースプレート５９に組み込まれる。
固定デバイス６６は、強磁性体８０を更に備える。付加的な強磁性体８０も同様にベースプレート５９に組み込まれる。これは、永久磁石７９が発生させた磁束の増幅に使用される。
固定デバイス６６により、磁気保持力を光学コンポーネント４０に、特にその強磁性体５７に加えることができる。固定デバイス６６の永久磁石７９がコンポーネント４０にそれぞれ加える保持力は、特に少なくとも１０Ｎである。これは調節可能とすることができる。これは、例えば、固定デバイス６６の永久磁石７９とコンポーネント４０の強磁性体５７との間の距離を調節することによって達成することができる。
永久磁石７９と強磁性体５７との間の距離は、最大で１ｃｍ、特に１００μｍ〜１ｍｍの範囲である。
永久磁石７９は、有利には、コンポーネント４０の強磁性体との相互作用時に、ベースプレート５９上のコンポーネント４０の向きが自己位置合わせされるようにベースプレート５９に配置され得る。
有利な一実施形態（図３７を参照）では、固定デバイス６６は付加的な電磁石８１を有することができる。この場合、電磁石８１は、好適には、永久磁石７９における、コンポーネント４０の反対側、特にベースプレート５９の後側４７に配置される。電磁石８１は、特に、ベースプレート５９の後側４７に解除可能に配置させることができる。付加的な一時的磁場を電磁石によって発生させることができる。特に、永久磁石７９が光学コンポーネント４０に加える保持力の一時的な補償がそれにより可能である。従って、電磁石８１により、特に取り付け／取り外しプロセスにおけるベースプレート５９と光学コンポーネント４０の１つとの間の機械的接続がいわゆるゼロ挿入力インターフェース（ＺＩＦ）を形成するように、固定デバイス６６を具現化させることが可能である。
更に、ベースプレート５９は、光学コンポーネント４０のインターフェース５５との電気接触をもたらす手段を備える。これらはコンタクトピン８２として具現化される。コンタクトピン８２は、ベースプレート５９の切欠部８３に組み込まれる。コンタクトピン８２は、列状に配置される。これらは特に、固定デバイス６６における永久磁石７９の２つの相互に反対の側にそれぞれ配置される（図１８を参照）。これらは、隣接するコンポーネントを固定するために使用される永久磁石７９の間に、特に複列で配置される。コンタクトピン８２の配置は、特に、光学コンポーネント４０の後側４９におけるインターフェース５５の接触素子５０の配置に厳密に対応する。コンタクトピン８２は、各コンタクトピン７２が、ベースプレート５９上におけるコンポーネント４０の配置時に、当該コンポーネントのインターフェース５５の接触素子５０と電気的接点を形成するよう配置される。コンタクトピン８２と接触素子５０との間の接触抵抗は、いずれの場合も特に１００ｍΩ以下である。有利な一実施形態では、両側に開いた格子状のチャネル８９がベースプレート５９に配置される。チャネル８９は、ベースプレート５９の前側６７からその後側７４まで延在する。チャネル８９は、特に固定デバイス６６における２つの永久磁石７９間にそれぞれ配置される。従って、チャネル８９は、それぞれが光学コンポーネント４０に対して中央にくるように配置される。コンポーネント４０の取り外しを容易にするために、圧縮空気をチャネル８９に投入することができる。
コンタクトピン８２と、コンポーネント４０におけるインターフェース５５の関連する接触素子５０との間の電気接点の形成を容易にするために、コンタクトピン８２はそれぞればね式に、すなわち、スプリングコンタクトピン、略してスプリングピンとして具現化される。これは、特に両側がばね式のものとして具現化され得る。コンタクトピン８２は、群別に組み合わせて、特に、例えばセラミック、ガラス、又はテフロンから構成された電気絶縁基板８４に鋳込むことができる。基板８４は、全体としてベースプレート５９に組み込むことができる。このタイプの実施形態は、ベースプレート５９におけるコンタクトピン８２の特に単純な配置を可能にし、従ってコンタクトピン８２の製造方法を容易にする。
ベースプレート５９の後側７４において、コンタクトピン８２をそれぞれ回路板８５と電気接触させる。回路板８５は、特にセラミック又は金属材料から構成される。回路板８５は、特にプリント回路板（ＰＣＢ）であり得る。これは、ＡＳＩＣ５２によって個々のミラー２３を制御するための信号を取り込んで伝導するために使用される。特に、個々の光学コンポーネント４０の較正データを、回路板８５に施した付加的なマイクロチップ／ＡＳＩＣに記憶させることができる。アセンブリ６５は、特に複数の回路板８５を備える。回路板８５は、ストリップ状の実施形態である。これらは、インターフェース５５の接触素子５０の配置に対応して、ベースプレート５９の後側７４に平行ストリップとして配置される。コンタクトピン８２の複列にそれぞれ１つの回路板８５を設けることが可能である。回路板８５は、ベースプレート５９に接続固定される。回路板８５は、ベースプレート５９に解除可能に接続させることができる。回路板８５は、特にベースプレート５９に螺着される。いずれの場合も、この目的には、１つの回路板８５に対して複数の接続ねじ８６が使用される。回路板８５がベースプレート５９に螺着されると、回路板８５の接触領域８７がコンタクトピン８２と電気接触する。代替的な実施形態では、コンタクトピン８２を回路板８５に直接接続、特にはんだ付け又は溶接する。この場合、コンタクトピン８２は、ベースプレート５９の切欠部８３に導入されることで、回路板８５の螺着時、ベースプレート５９に一体化される。
コンタクトピン８２は、ベースプレート５９上のコンポーネント４０の方向付けのための光学的及び／又は機械的補助部として使用される。このタイプの付加的な光学的及び機械的補助部８８を、ベースプレート５９の前面６７に配置させることもできる。このタイプの補助部８８を、図１６に非常に単純化して概略的に示す。補助部８８は、特に、ベースプレート５９にコンポーネント４０を自動的に設けることを可能にする。これにより、アセンブリ６５の製造が容易になる。機械的補助部８８は、好適には、ベースプレート５９上での光学コンポーネント４０の受動的な自己位置合わせをもたらすよう具現化される。
光学コンポーネント４０を製造する方法を、図３５を参照して以下に説明する。本方法を説明するために、この場合に得られる中間製品を図２６〜図３４に概略的に示す。第１に、予備工程１２３においてミラーアレイ２２を事前加工する。予備工程は、提供ステップ、研磨ステップ、及びコーティングステップを含み得る。これらの事前加工ステップの詳細に関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６Ａ２号パンフレット、特に図１７及び関連の説明を参照されたい。
接合ステップ９０において、事前加工したミラーアレイ２２及び担持基板９２を備えたミラーアレイウエハスタック９１を製造する。担持基板９２は、「ミラーハンドルウエハ」とも称する。これは第１に、ミラーアレイ２２のミラー素子２３を保護するために使用し、第２に、ミラーアレイウエハスタック９１の機械的安定性に決定的に寄与する。担持基板９２は、１つ又は特に複数の事前加工したミラーアレイ２２に接続させることができる。担持基板９２はすでに、事前加工したミラーアレイ２２の一部でもあり得る。特に、担持基板９２はすでに、国際公開第２０１０／０４９０７６Ａ２号パンフレットに記載の極めて滑らかな表面を有するマイクロミラーを製造する方法の一部であり得る。
連結ステップ９３において、ＡＳＩＣ５２を次にミラーアレイ２２の後側４８に結合する。これは、フリップチップ法で行うことができる。このようにして製造した中間製品を、図２７に概略的に示す。
提供ステップ９４は、担持構造４３を製造するための基板９５を設けるステップを含む。基板９５はウエハ、特にシリコンウエハ、特にいわゆるシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）ウエハである。ウエハはすでに、特に信号線４７用のめっき貫通孔９６を有する。上記基板には、接触素子５０を予め設けておくこともできる。
塗布ステップ９７は、強磁性金属箔５７をＴＳＶウエハ９５に塗布するステップを含む。この場合、金属箔５７はすでに予め構造化されている（prestructured）。これは予め、特にインターフェース５５への、特に接触素子５０へのアクセス用の開口６２を設ける。適切な場合、別個の構造化ステップをこの目的のために設ける。金属箔５７は、特にＴＳＶウエハ９５の後側４９に結合させる。その代替形態として、ＴＳＶウエハ９５の後側４９への強磁性金属層の電着が可能である。
エッチングステップ９８において、ＴＳＶウエハ９５に切欠部４４を設ける。図３０に示す中間製品の場合、切欠部４４をＴＳＶウエハ９５における、金属箔５７の反対側に配置する。
例として、シリコンディープエッチング法をエッチングステップ９８のために行う。原理上、切欠部４４は、何らかの他の方法で、例えば機械的方法によってＴＳＶウエハ９５に導入することもできる。
複数のコンポーネント４０を並行して製造するために、複数の切欠部４４をＴＳＶウエハ９５に導入することができる。切欠部４４は、特に同時に、単一の方法ステップでＴＳＶウエハ９５に導入することができる。
上述のように、金属箔５７の異なる配置を有する様々な実施形態が可能である。切欠部４４内に金属箔５７を配置させる場合、エッチングステップ９８は、当然ながら塗布ステップ９７の前に行う。
塗布ステップ９７及びエッチングステップ９８は、共にＴＳＶウエハ９５の前処理ステップ１０５を形成する。ＴＳＶウエハ９５は、担持体４３をその後形成する。
接続ステップ９９において、切欠部４４の設けられたＴＳＶウエハ９５をミラーアレイウエハスタック９１に接続させる。ＴＳＶウエハ９５は、特に、ミラーアレイウエハスタック９１の後側に結合される。これにより、ＴＳＶウエハ９５のめっき貫通孔９６とそれに対応するミラーアレイ２２の基板３０の後側４８における関連するフリップチップ接点５３との間の電気接点の形成が得られる。
鋸引きステップ１００において、ウエハ９５及びミラーアレイウエハスタック９１を表面法線４１の方向に鋸引きする。この場合、鋸引き切断部をコンポーネント４０の外形寸法に対応して配置する。鋸引きステップ１００中、ＴＳＶウエハ９５及びミラーアレイ２２の基板３０を完全に分断する。鋸引きステップ１００の切断深さは、ミラーアレイウエハスタック９１の最上層を形成する担持基板９３の分断が部分的なものにすぎず、特に無傷のままであるよう選択する。従って、鋸引きステップ１００の後、その後のコンポーネント４０は担持基板９２のみによって繋ぎ合わせる。
後続の個片化ステップ１０１において、担持基板９２をコンポーネント４０の個片化の目的で取り除く。好適には、この目的をエッチング法で行う。担持基板９２の除去後、保護層１０２が依然としてミラーアレイ２２上に位置する。保護層１０２は、例えば酸化ケイ素から構成される。
更なるエッチングステップ１０３において、保護層１０２を除去する。特に、フッ酸ガスによるエッチングをこの目的で行う。エッチングステップ１０３は、特に、ミラー素子２３の反射面３６の再酸化を防止するために非酸化性雰囲気中で行うことができる。保護層１０２の除去まで、ミラー素子２３は保護層１０２により保護される。従って、ミラー素子２３は、特に連結ステップ９３中、保護層１２及び担持基板９２により保護される。ＡＳＩＣ５２の連結及びミラーアレイウエハスタック９１へのＴＳＶウエハ９５の接続は、特に個片化ステップ１０１前に行われる。
続いて、ミラー素子２３に、特にその反射面３６にコーティングを設けるために、コーティングステップ１０４を行うことができる。コーティングは、特にＥＵＶ反射コーティングであり得る。特に多層コーティングが含まれ得る。
コンポーネント４０を製造する上記方法の１つの本質的な利点は、コンポーネント４０の製造がバッチプロセス、すなわちウエハレベルで連続的に行われることである。チップレベルで実行されるプロセスステップを回避することができる。本方法は、結果として大幅に単純化される。コンポーネント４０の製造費をそれにより削減することができる。
光学コンポーネント４０を取り扱う、特に変位させるツール１０６を、図３６を参照して以下に説明する。ツール１０６はベース体１０７を備える。ベース体１０７は、光学コンポーネント４０の寸法に適合させた寸法を有する。複数の電磁石１０８、１０９をベース体１０７に配置し、電磁石の２つをそれぞれ例として図３６に示す。概して、ツール１０６は少なくとも１つの電磁石１０８を備える。電磁石１０８は個別に駆動させることができる。このため、ツール１０６は制御デバイス１１０を有する。電磁石１０９も、制御デバイス１１０により個別に駆動させることができる。コンポーネント４０を保持する磁気保持力を、電磁石１０８によって発生させることができる。保持力は、制御デバイス１１０によって柔軟に制御することができる。電磁石１０９は、ベースプレート５９において固定デバイス６６がコンポーネント４０に加える保持力を補償するために使用される。上記保持力は、特に、コンポーネント４０とベースプレート５９との間の距離に応じて変化する。制御デバイス１１０によって電磁石１０９が発生させた磁力を制御することにより、固定デバイス６６がコンポーネント４０に加える力の補償を非常に厳密に行うことができる。
原理上、コンポーネント４０をツール１０６によって所定の保持力で保持することができれば十分である。この目的で、電磁石１０８が発生させる磁力を適切に制御する必要があるにすぎない。原理上、磁石１０９を不要にすることができる。
コンポーネント４０に作用する保持力、特にコンポーネント４０とツール１０６との間の印加圧力を測定するために、ツール１０６は感圧センサ１１１のアレイを有する。感圧センサ１１１は、制御デバイス１１０に信号接続される。感圧センサ１１１は、特に、スペーサ要素１１２とベース体１０７との間にそれぞれ配置される。スペーサ要素１１２は、ミラーアレイ２２の基板３０の縁部領域４２に従って具現化される。スペーサ要素１１２は、特に、縁部領域４２の幅ｂよりも小さな幅ｂｓを有する。スペーサ要素１１２により、光学コンポーネント４０とツール１０６との間の接触が縁部領域４２のみで生じてミラー素子２３の領域では生じないことが確実になり得る。
原理上、感圧センサ１１１をスペーサ要素１１２に組み込むことができる。
光学的な、特に透過性の構造１１３をスペーサ要素１１２に導入し、この構造は、ツール１０６を光学コンポーネント４０に対して正確な向きにすることを可能にする。コンポーネント４０に対するツール１０６の向きを監視及び／又は制御するために、光学センサ１１４、例えば小型カメラが更に設けられる。光学センサ１１４はベース体１０７に組み込むことができる。光学センサ１１４は、特に配向要素５８と相互作用するよう配向要素５８に適合させることができる。
更に、ツール１０６と光学コンポーネント４０との間の距離を測定するための中央距離センサ１１５が設けられる。距離センサ１１５は、コンポーネント４０に面するベース体１０７の前面１１６の特に中心に、すなわち中央に配置される。原理上、複数の、特に少なくとも４個の距離センサ１１５を設けることもできる。距離センサ１１５は、制御デバイス１１０に信号接続される。
更に、ベースプレート５９に対するツール１０６の、特にツール１０６が保持する光学コンポーネント４０の距離及び／又は向きを測定するために、距離センサ１１７が設けられる。距離センサ１１７は、制御デバイス１１０に信号接続される。ツール１０６は、好適には、少なくとも３個、特に少なくとも４個の距離センサ１１７を有する。
更に、ベースプレート５９に対するツール１０６又はツール１０６が保持するコンポーネント４０の向きを監視及び／又は制御するために、１つ又は複数の光学基準１１８をベース体１０７に横方向に設けることができる。
光学コンポーネント４０の特に有利な取り扱いのために、上述の機能的構成部品を有するベース体１０７を、配置システム、特にピックアンドプレースロボット１１９に接続させる。ツール１０６を用いて、ベースプレート５９に光学コンポーネント４０を自動的に、特に全自動で設けることが可能である。
光学アセンブリ６５を製造する方法の態様を、図３７及び図３８を参照して以下に説明する。提供ステップ１２０は、ベースプレート５９に固定デバイス６６を設けるステップを含む。原理上、コンポーネント４０をベースプレート５９に配置するために、ベースプレート５９の後側７４に配置された１つ又は複数の電磁石８１によって、固定デバイス６６の永久磁石７９が発生させる磁場を補償、特に中和することが可能である。永久磁石７９が発生させた磁場の磁石８１による部分的補償も可能である。この場合、電磁石８１をアセンブリ６５の、特にベースプレート５９の一部として設けることができ、ベースプレート５９に接続固定する、又は解除可能に接続することができる。その代替形態として、電磁石８１を別個の補助ツールの一部とすることもできる。原理上、電磁石８１の代わりに永久磁石を設けることもできる。
磁石７９が発生させた磁場の磁石８１による少なくとも部分的な補償は、任意の補償ステップ１２１として指定される。
１つ又は複数の配置ステップ１２２において、コンポーネント４０はベースプレート５９に配置される。これは、特にツール１０６を用いて行われる。本発明によれば、コンポーネント４０をベースプレート５９に配置する目的で、固定デバイス６６の永久磁石７９がそれぞれ配置されるコンポーネント４０に加える磁場が付加的な磁場によって補償されるようにする。付加的な磁場は、磁石８１によって、及び／又はツール１０６上でコンポーネント４０を保持するための電磁石１０８によって、及び／又は特に電磁石１０９によって加えることができる。補償は特に、配置されるコンポーネント４０に作用する力のみが補償される一方で、適切な場合はベースプレート５９にすでに配置されているコンポーネントがそれによる影響を受けないように行われる。これは、磁石８１及び／又は１０８及び／又は特に１０９の適切な配置及び／又は駆動の結果として可能である。永久磁石７９がコンポーネント４０に加える保持力の補償の結果として、ベースプレート５９は、配置されるコンポーネント４０に対するゼロ挿入力インターフェース（ＺＩＦ）を形成する。これにより、ベースプレート５９上でのコンポーネント４０の特に柔軟で静かな、特に無振動の配置が可能となる。特に、コンポーネント４０は、ベースプレート５９への接近時に突然弾け飛ぶ（snap away）ことができないようになる。
取り扱いの目的、特にベースプレート５９における配置の目的、又はベースプレート５９からの取り外しの目的で、コンポーネント４０において、ツール１０６はミラーアレイ２２の基板３０の縁部領域４２のみに接触する。特に、横方向の接触を省くことができる。この場合、ツール１０６がコンポーネント４０に加える保持力、特に印加圧力が、センサ１１１を用いて測定される。保持力は、特に制御デバイス１１０によって制御、特に自動制御され得る。
ベースプレート５９へのコンポーネント４０の接近、特に相互に平行なその向きは、距離センサ１１７によって監視される。
ベースプレート５９に対するコンポーネント４０の向きは、光学基準１１８によって監視される。
圧力センサ１１１及び／又は距離センサ１１７は、コンポーネント４０がベースプレート５９に接触しているか否かを示す。
コンポーネント４０がベースプレート５９上のその所定の位置に達した場合、永久磁石７９がコンポーネント４０に加えることができる保持力の補償をゼロに減らすことができる。補償は、好ましくは徐々に、特に連続的に低減される。
コンポーネント４０を取り外すために、永久磁石７９が上記コンポーネント４０に加える保持力を、磁石８１によって、及び／又は特にツール１０６の電磁石１０８、１０９によって更に補償することができる。コンポーネント４０の取り外しは、対応のチャネル８９に圧縮空気を投入することによって更に支持することができる。
ミラーアレイ２２のミラー素子２３の変位、すなわち位置決めの更なる詳細を以下に説明する。アクチュエータピン３８は電極５４と共に、個々のミラー素子２３を位置決めするためのアクチュエータ１３１を形成する。
図３９に概略的に示す様に、本発明は、ミラーアレイ２２のミラー素子２３を位置決めするための２つの異なる位置決めシステム１３２及び１３３、すなわち、ミラー素子２３をそれぞれ位置決めするための絶対位置データを予め定めるための全体位置決めシステム１３２と、ミラー素子２３の位置決めの瞬間的な外乱を抑制する、特にその高周波数振動を減衰させるローカル位置決めシステム１３３とを提供する。
全体位置決めシステム１３２はグローバル制御／調整デバイス１３４を備える。個々のミラー素子２３の絶対位置はグローバル制御／調整デバイス１３４を用いて予め定めることができる、グローバル制御／調整デバイス１３４は、光学コンポーネント４０、４０ａの外部に配置させることができる。全体位置決めシステム１３２は更に、好適には、ミラー素子２３の絶対位置を監視するグローバルセンサデバイス１３５を備える。グローバルセンサデバイス１３５は位相測定デフレクトメトリ（phase-measuring deflectometry）のためのカメラシステムを有することができる。詳細に関しては、国際公開第２０１０／０９４６５８Ａ１号パンフレットを参照されたい。
グローバル制御／調整デバイス１３４は、ミラー素子２３の変位のための補正値を決定するためのルックアップテーブルを有することができる。ミラー素子２３の変位、特にミラー素子２３の変位を制御する方法の詳細に関しては、米国出願公開特許第２０１１／０１８８０１７号の特に段落［００６７］〜［０１１１］を参照されたい。
図４０に概略的に示す様に、アクチュエータ１３１は、コンポーネント４０、４０ａ内の信号線４７を介して、信号送信のため、グローバル制御／調整デバイス１３４に接続される。コンポーネント４０、４０ａは、特にグローバル制御／調整デバイス１３４への接続のためにインターフェース５５を備える。
グローバル位置決めシステム１３２をローカル位置決めシステム１３３から分離するために、低帯域幅、特に２０Ｈｚ以下の帯域幅、特に１０Ｈｚ以下の帯域幅のグローバル位置決めシステム１３２、特にグローバル制御／調整デバイス１３４及び／又はグローバルセンサデバイス１３５を具現化することが可能であり、これで十分である。原理上、グローバル位置決めシステム１３２はまた、純粋な駆動素子として具現化することもできる。この場合、グローバル位置決めシステム１３２の再較正を定期的に行うよう、規定される。
ローカル位置決めシステム１３３は、ミラー素子２３の位置決めを調整するための複数のローカル調整デバイス１３６を備える。ローカル調整デバイス１３６はそれぞれ、コンポーネント４０、４０ａに完全に組み込まれる。特にミラー素子２３はそれぞれ調整デバイス１３６の内の１つに割り当てられる。調整デバイス１３６はそれぞれ、特に、関連するミラー素子２３の平行投影によって画定される容積内に完全に配置される。これらはそれぞれ少なくとも１つの、特に少なくとも２つ、特に少なくとも３つ又はそれ以上の電子回路１３７を有する。調整デバイス１３６は特に少なくとも１つ、特に少なくとも２つ、特に少なくとも３つ、特に少なくとも４つの制御ループを備える。制御ループはそれぞれ少なくとも１つのアクチュエータ、１つのセンサ及び１つのコントローラを備える。これらはそれぞれミラー素子２３に接続されて調整される。制御ループの内の１つの回路１３７の内の１つの可能な一実施形態を例として図４６に示す。これは３つの、特に直列接続された、演算増幅器１３８、１３９、１４０を備える。演算増幅器１４０の出力側は差動増幅器１４７の入力側に接続される。差動増幅器１４７は、演算増幅器１３８、１３９、１４０によって増幅された駆動信号１４８及びフィードバック信号１４９を加える。出力側において、差動増幅器１４７は出力ドライバ段１５０に接続される。出力ドライバ段１５０は、特に、高電圧出力ドライバ段である。出力ドライバ段１５０は信号線４７を介して電極５４の内の少なくとも１つに接続される。
電子回路１３７は担持体４３に配置される。これらは特にＡＳＩＣ５２上に具現化される。
ローカル調整デバイス１３６はそれぞれ振動を能動的に減衰する能動減衰デバイスである。この場合、特に、ミラー素子２３の変位速度はフィードバック信号として使用される。この速度はセンサ、特にコンポーネント４０に組み込まれた、以下に詳述する速度センサ１５１によって読み出される。原理上、位置センサを速度センサとして設けることもできる。速度信号はそのデータから簡単に得ることができる。
減衰デバイスは、少なくとも１Ｈｚ、特に少なくとも１０Ｈｚ，特に少なくとも１００Ｈｚの下限周波数を有することができる。減衰デバイスは、好適には、少なくとも５００Ｈｚ，特に少なくとも１ｋＨｚ、特に少なくとも２ｋＨｚ、特に少なくとも５ｋＨｚ、特に少なくとも１０ｋＨｚの帯域幅を有する。この場合、減衰デバイスの帯域幅は、このデバイスが能動的な周波数範囲であると理解されたい。
一般に、ミラー素子２３の減衰及び位置決めを行う減衰デバイスは、励起及び／又は外乱の予想される全周波数範囲が減衰デバイスによってカバーされるように設計される。外乱が特定の周波数範囲において発生し得ない場合、その範囲での振動減衰は、原理上行わなくてもよい。
グローバル位置決めシステム１３２又はその構成要素１３４、１３５及びローカル位置決めシステム１３３又はその構成要素１３６の周波数範囲又は帯域幅を、ミラー素子２３の典型的な外乱の周波数範囲と共に図４１に示す。典型的な外乱には、光学コンポーネント４０の寿命全体にわたって発生する低周波数効果、特に変化１５２と、ミラー素子２３の静電帯電によって発生する効果１５３、及び熱的効果１５４がある。外乱は更に、いわゆる基準点の励起、例えば冷却、特に水冷却の効果１５６によって特に励起される、ミラー素子２３における固有振動の共鳴のピーク１５５を含む。
本発明は、その比率が最大で１：１０、特に最大で１：３０、特に最大で１：５０の帯域幅を有するグローバル位置決めシステム１３２及びローカル位置決めシステム１３３を提供する。グローバル位置決めシステム１３２の帯域幅を低減することにより、その複雑さ、特に関連するデータフローを著しく削減することができる。
グローバル位置決めシステム１３２、特にグローバル制御／調整デバイス１３４は、それに信号接続されるコンポーネント４０と共にミラー系１５７を形成する。ミラー系１５７は、コンポーネント４０、４１ａの内の少なくとも１つを備える。
ミラーアレイ２２におけるミラー素子２３の位置決めのために、ミラー素子２３それぞれの位置決めのための絶対位置データがグローバル制御／調整デバイス１３４によって予め定められる。ミラー素子２３の位置決めにおける外乱はローカル調整デバイス１３６によって減衰される。高帯域幅を有するミラー素子２３の絶対位置の測定は、このようにして回避することができる。ローカル位置決めシステム１３３は高帯域幅で動作するが、ミラー素子２３の絶対位置を検出する必要はない。対照的に、ミラー素子の絶対位置は、グローバル位置決めシステム１３２により、しかも低帯域幅によってのみ検出される。全体として、ミラー素子の位置決め又はミラー素子の評価のためのデータ転送速度は、これによって大幅に低減される。
ローカル位置決めシステム１３３はコンポーネント４０，４０ａに完全に組み込むことが可能であるが、グローバル位置決めシステム１３２はコンポーネント４０，４０ａとは別に具現化させ、インターフェース５５を介して信号送信できるようにコンポーネント４０，４０ａに接続させることができる。
ローカル位置決めシステム１３３、特に速度センサ１５１を有するローカル調整デバイス１３６の構造を、以下に詳しく説明する。調整デバイス１３６はそれぞれ、少なくとも１つの速度センサ１５１を有する、少なくとも１つの、特に少なくとも２つの、特に少なくとも３つの、特に少なくとも４つの制御ループを備える。速度センサは、担持体４３に固定的に配置された少なくとも１つの可動電極と少なくとも１つの電極１５８とを有する静電容量センサとして具現化される。特に３つの速度センサ１５１を各ミラー素子２３に設けることができる。速度センサ１５１は、特に関連するミラー素子２３の変位の各自由度のそれぞれに関して、担持体４３に固定的に配置された少なくとも１つの電極１５８を有する。好適には、いずれの場合においても、変位自由度につき、少なくとも２つの固定電極１５８を有する。これらは特に差動的に相互接続される。特に、速度センサ１５１の電極１５８がアクチュエータの電極５４に対応して配置されていれば有利である。この場合、駆動電極５４につき１つの固定的に配置された電極１５８、有利には、駆動電極５４につき２つの電極１５８を設けることが可能である。差動的な相互接続は再び有利である。専用のセンサ１５１を対応するアクチュエータに割り当てることも有利である。アクチュエータピン３８は特に可動電極として使用される。一般的に、特定のミラー素子２３に関連する速度センサ１５１の可動電極は、ミラー素子２３に機械的かつ固定的に接続される。アクチュエータピン３８は、特に関連するミラー素子２３から絶縁される、すなわち電気的に遮断される。これはスペーサ３７及び／又は内側保持体３５の対応する実施形態によって達成することができる。更に、ミラー素子２３とアクチュエータピン３８との間に特定の絶縁素子１６１を配置することが可能である。特に製造の簡単な代替的実施形態においては、アクチュエータピン３８の関連ミラー素子２３からの絶縁を省くことができる。
可動電極としてアクチュエータピン３８を使用する場合、可動電極は円筒状に構成される。アクチュエータピン３８は特に円形の断面を有する。原理上、アクチュエータピン３８のその他の断面形状も可能である。アクチュエータピンは、例えば、楕円形又は多角形、特に、長方形の、好適には正方形の断面を有する。三角形又は十字状の断面も有利である。この場合、円筒形の外面又は円筒形の１つ又は複数の部分領域は、ミラー素子２３を駆動するための、１つ又は複数の対電極として使用される。この場合、可動電極は中央電極とも称される。これに関する詳細と、アクチュエータピン３８及び電極５４によるミラー素子２３の駆動に関する詳細とに関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６Ａ２号パンフレットを参照されたい。
固定電極１５８は測定電極とも称する。これらは平面的な形状に具現化される。固定電極１５８は特にＡＳＩＣ５２の金属層１５９、特に最上金属層１５９に組み込まれる。固定電極１５８はそれぞれ、アクチュエータピン３８の延長上に、アクチュエータピン３８から離れて配置される。
速度センサ１５１は可動電極、すなわちアクチュエータピン３８の基面１６０とリジッド測定電極又は電極１５８との間の静電容量を測定する。
速度センサ１５１の基本的な機能を、図４３ａ〜４５ｂを参照して以下に説明する。この場合、図４３ａ及び４３ｂは、以下において開始位置と称するミラー素子２３の位置を示し、この位置においてミラー素子は傾斜していない。この位置において、ミラー体３２及と、平坦に具現化された場合の反射面３６とは、ＡＳＩＣ５２及び担持体４３の向きに並行している。この位置において、ミラー素子２３は、特にミラー体３２と、特にその反射面３６とがミラーアレイ２２の表面法線４１に垂直となる様に配向される。傾斜軸１６２の位置から測定した基面１６０に対するアクチュエータピン３８の長さを長さ１とし、ミラー素子２３が傾斜軸１６２を中心に±α傾斜する場合、可動電極、すなわちアクチュエータピン３８の、ＡＳＩＣ５２上の固定電極に対する位置の変化がある。ミラー素子２３の角度±αの傾斜は、特に第１次近似で、リジッド測定電極１５８に対する基面１６０の絶対値±αの横方向におけるズレとなる。これは、基面１６０、すなわち可動電極と、固定電極１５８との間の有効重なり領域の変化となる。これを図４３ｂ、４４ｂ及び４５ｂに例として示す。このような重なりの変化は、静電容量の変化として測定することができる。従って、可動電極３８の固定電極１５８に対する横ズレは第１次近似で測定される。ミラー素子２３の傾斜がアクチュエータピン３８と測定電極１５８との間の距離の変化も生じさせることは言うまでもない。これは静電容量の変化ももたらし、結果としてセンサ１５１によって測定することのできる信号に影響を与える。本発明によれば、このことを、センサ１５１の形状特徴が固定電極１５８の設計によって予め簡単に定められるという効果に利用することが可能であることが認識されている。
センサ１５１の形状特徴は、アクチュエータピン３８の、可動電極として機能する基面１６０のターゲットデザイン(targeted design)にも影響され得る。アクチュエータピン３８の基面１６０は、例えば、断面形状で具現化させることができ、この場合、周縁はそれぞれ傾斜方向、特にミラー素子２３の変位の自由度に正確に従って配向される。
本発明では、固定的に配置された少なくとも１つの電極１５８のそれぞれが、センサ１５１が所定の形状特徴を持つように具現化された所定の形状を有するようにする。センサ１５１の形状特徴は、特に、固定電極１５８のターゲットデザインによって直線化することができる、すなわち、速度センサ１５１は直線的な形状特徴を有することができる。これに対する代替実施形態として、センサ１５１の形状特徴を、個々のミラー素子２３を変位させるために、アクチュエータ１３１の形状特徴に適合させると有利である。これは、アクチュエータの形状特徴がミラー素子２３の傾斜角度αによって異なる場合には、特に有利である。センサ１５１の形状特徴がアクチュエータ１３１の形状特徴に比例する固定電極１５８の実施形態により、フィードバック電子装置、特に回路１３７において必要とされる複雑さを著しく削減することが可能となる。
ミラー素子２３の傾斜方向につき２つ以上の固定電極１５８を使用する場合、好適には、全ての固定電極１５８は対応する形状で具現化する。
ＡＳＩＣ５２における最上金属層１５９内の固定電極１５８の実施形態のおかげで、その形状に大きな柔軟性を持たせることができる。コンポーネント４０、４０ａの製造中、特にリソグラフィステップを固定電極１５８形成のために設ける。固定電極１５８はＡＳＩＣ５２の製造中又はその製造後に製造することができる。従って、好適には、電極１５８の製造に追加のステップは必要ない。エンジニアリングの方法に関しても、速度センサ１５１は、従って、一体化センサである、つまり、速度センサ１５１を製造する方法のステップは、ＡＳＩＣ５２を製造する方法のステップに完全に統合させることができる。
固定電極１５８をＡＳＩＣ５２の最上金属層１５９に配置させることにより、例えば基板３０のめっき貫通孔の場合、寄生静電容量の発生が防止される。更に、これによって信号経路が最小化され、干渉信号の結合も低減される。これにより、特に高い分解能と制御品質がもたらされる。
固定電極１５８の下に位置する付加的なブートストラップ電極（図示せず）により、その固定電極１５８との適切な相互接続によって、常に存在する寄生静電容量が更に最小化される。
センサ１５１によって実行される測定の態様を以下に説明する。すでに説明した様に、ミラー素子２３の傾斜軸１６２を中心とする傾斜は、可動電極の固定電極１５８に対するずれをもたらす。第１次近似で、可動電極の基面１６０と固定電極１５８との間の静電容量ＣSensは重なり領域Ａに比例する。これは、図４３ｂ、図４４ｂ及び図４５ｂに例として示されており、それぞれ固定電極１５８は左に示されている。固定電極１５８は、結果として生じる重なり領域Ａが、可動電極の基面１６０における位置の所定の関数、よって個々の傾斜軸１６２に対するその偏向／傾斜角度αの関数となるように具現化され、配置される。固定電極１５８の形状はそれぞれ特に、重なり領域Ａの変化が傾斜角度αの変化に比例するように構成することができる。従って、測定可能な静電容量ＣSensはミラー素子２３の傾斜角度αに比例する。
好適には、固定電極１５８はこの場合、各固定電極が、ミラー素子２３の傾斜方向、特に変位の１つの自由度に対する変位に反応し、他の傾斜方向の変位に関してできる限り無反応であるように具現化される。固定電極１５８は特に、ミラー素子の傾斜を駆動するために、電極５４に対応するように配置される。変位の自由度の異なる電極１５８間における交差結合のこのような回避により、フィードバック電子装置及び調整電子装置が更に簡素化される。換言すれば、センサ１５１の各電極１５８を特定の駆動方向、特に特定の変位の自由度に割り当てる。各電極１５８は他の変位方向に対して最小限の感度を有する。変位方向につき少なくとも２つの固定電極１５８が設けられる場合、これは固定電極１５８の差動相互接続によって更に改善することができる。固定電極１５８の差動相互接続により、ミラー素子２３の傾斜に直接関連する影響、例えば、ミラー素子２３の昇降移動による、静電容量測定への影響を取り除くことが可能になる。
ミラー素子２３の特定の変位方向と関連する固定電極１５８を、対応するアクチュエータ１３１の電極５４へ相互接続させる方法は柔軟性がある。特に、センサ１５１の電極１５８を同じ側のアクチュエータ１３１の電極５４へ相互接続することが可能である。電極１５８は、フィードバックループにおけるサインの変更のみを必要とする、鏡反転式で相互接続することもできる。
更に、特に励起振動抑制のためのミラー素子２３の能動的減衰は、その速度、すなわち、コントローラ入力のためのミラー素子２３の傾斜角度αの時間微分のみを必要とすることが認識された。絶対静電容量値の検出は必要ない。これにより、特に、センサ１５１の必要とされる複雑さが低減せれる。これにより、必要空間が著しく削減される。
本発明によれば、可動電極を一定電圧Ｕbiasに維持することができる。傾斜軸１６２を中心としたミラー素子２３の傾斜は、固定電極１５８から又は固定電極１５８への下記による電荷移動を導く。
電荷移動は、原理上、抵抗ＲSensを介在させた後、測定電圧として測定することができる。
対応する基本回路図を図４７に示す。この場合、測定電圧ＵSensは、好適には、ミラー素子２３の傾斜角度αの時間微分、すなわち、ミラー素子２３の速度（角速度）に比例する。この測定信号は、増幅後、適切であれば、電圧制御アクチュエータ１３１にフィードバックすることができる。
センサ１５１及びアクチュエータ１３１の実装、つまりフィードバックは、好適には、図４６に例として示す演算増幅器を有する制御ループによって実現される。この場合、電流ｄＱ／ｄｔは演算増幅器回路によって増幅され、電圧信号ＵSensに変換される。この電圧信号は、制御されるシステムへの入力信号として機能し、アクチュエータ１３１の対応する駆動電極５４にフィードバックされる。コンポーネント４０ｂの代替的実施形態を、図４８を参照して以下に説明する。同じ部分には上述の実施形態と同じ参照符号を付し、その説明をここで参照する。本実施形態において、中間層１６３（インターポーザ）がミラーアレイ２２とＡＳＩＣ５２との間に配置される。特に、めっき貫通孔１６４を有するシリコンウエハ（スルーシリコンビアウエハ）は、中間層１６３として機能する。この例示的実施形態において、固定電極１５８は中間層１６３に配置される。固定電極１５８はめっき貫通孔１６４を介してＡＳＩＣ５２に導電的に接続される。特にフリップチップ接点１６５をこのために設けることができる。
固定電極１５８と隣接させて、シールド電極１６６をそれぞれ中間層１６３に配置することができる。このようなシールド電極１６６は上述の例示的実施形態にも設けることができる。
コンポーネント４０ｃの更なる実施形態を図４９に示す。同じ部分には上述の実施形態の様に、同じ参照符号を付し、その説明をここで参照する。この例示的実施形態において、固定電極１５８はミラー素子２３に面した基板３０の側面に配置される。従ってそれらはミラー素子２３のミラー体３２の真下に配置される。この例示的実施形態において、ミラー体３２は速度センサ１５１の可動電極を形成する。この例示的実施形態において、固定電極１５８は、基板３０を通るめっきスルーホール１６７により、フリップチップ接点１６８を介してＡＳＩＣ５２に接続される。
上述の集光器の変形例の内の１つを有する投影露光装置１を使用する場合、レチクル２４及び照明光１０に反応するコーティングを有するウエハが設けられる。その後、レチクル２４の少なくとも１つの部分が、投影露光装置１を用いてウエハ上に投影される。レチクル２４のウエハへの投影中、レチクルホルダ及び／又はウエハホルダは、物体面６及び／又は像面９に平行な方向に変位させることができる。レチクル２４及びウエハの変位は、好適には、相互に同期して実現することができる。最後に、照明光１０に曝される感光層がウエハ上に現像される。微細構造又はナノ構造のコンポーネント、特に半導体チップはこの様にして製造される。

Claims (15)

  1. 光学コンポーネント（４０；４０ａ）であって、
    ａ．複数のミラー素子（２３）を有するミラーアレイ（２２）であって、該ミラー素子の各々が
    ｉ．変位の少なくとも１つの自由度を有し、
    ｉｉ．変位のために少なくとも１つのアクチュエータ（１３１）に接続されるミラーアレイと、
    ｂ．前記ミラーアレイ（２２）と機械的に接続される担持体（４３）と、
    ｃ．前記個々のミラー素子（２３）の絶対位置を予め定めるために、前記アクチュエータ（１３１）を外部のグローバル制御／調整デバイス（１３４）と信号送信接続させるための複数の信号線（４７）と、
    ｄ．前記個々のミラー素子（２３）において、前記アクチュエータ（１３１）と同一のアクチュエータを使用することにより基準点の励起に起因する前記ミラー素子（２３）の振動を減衰させるための複数のローカル調整デバイス（１３６）と
    を備え、
    ｅ．前記ミラー素子（２３）全体で前記ミラーアレイ（２２）の全反射面の寄せ木張りを形成し、
    ｆ．前記ミラーアレイ（２２）は表面法線（４１）に垂直に延在する全表面を有し、
    ｇ．前記担持体（４３）は前記ミラーアレイ（２２）の前記全表面から前記表面法線（４１）に垂直な方向に最大で５ｍｍ突出し、
    ｈ．前記ローカル調整デバイス（１３６）はそれぞれ前記光学コンポーネント（４０；４０ａ）に完全に組み込まれ、
    ｉ．前記ローカル調整デバイス（１３６）のそれぞれは、少なくとも５００Ｈｚの帯域幅を有する
    光学コンポーネント。
  2. 請求項１に記載の光学コンポーネント（４０；４０ａ）において、前記ミラー素子（２３）の各々に、前記ローカル調整デバイス（１３６）がそれぞれが割り当てられることを特徴とする光学コンポーネント。
  3. 請求項２に記載の光学コンポーネント（４０；４０ａ）において、前記ローカル調整デバイス（１３６）がそれぞれ、関連する前記ミラー素子（２３）の平行投影によって画定される容積内に完全に配置されることを特徴とする光学コンポーネント。
  4. 請求項１〜３の何れか一項に記載の光学コンポーネント（４０；４０ａ）において、前記ローカル調整デバイス（１３６）がそれぞれ少なくとも１つの電子回路（１３７）を有することを特徴とする光学コンポーネント。
  5. 請求項４に記載の光学コンポーネント（４０；４０ａ）において、前記電子回路（１３７）が前記担持体（４３）に配置されることを特徴とする光学コンポーネント。
  6. 請求項１〜５の何れか一項に記載の光学コンポーネント（４０；４０ａ）において、前記ローカル調整デバイス（１３６）がそれぞれ、前記ミラー素子（２３）の能動的振動減衰及び／又は微細な位置決めのための能動減衰デバイスとして具現化されることを特徴とする光学コンポーネント。
  7. 請求項１〜６の何れか一項に記載の光学コンポーネント（４０；４０ａ）において、前記信号線（４７）を外部のグローバル制御／調整デバイス（１３４）へ信号送信接続するためのインターフェース（５５）を特徴とする光学コンポーネント。
  8. ミラー系（１５７）であって、
    ａ．請求項１〜７の何れか一項に記載の少なくとも１つの光学コンポーネント（４０：４０ａ）と、
    ｂ．前記ミラー素子（２３）を変位させるグローバル制御／調整デバイス（１３２、１３４）と
    を備え、
    ｃ．前記グローバル制御／調整デバイス（１３４）及び前記ローカル調整デバイス（１３６）は、その比率が最大で１：１０００の帯域幅を有するミラー系。
  9. 請求項８に記載のミラー系（１５７）において、前記グローバル制御／調整デバイス（１３４）及び前記ローカル調整デバイス（１３６）が、最大で１：１０の比率の帯域幅を有することを特徴とするミラー系。
  10. 請求項８又は請求項９に記載のミラー系（１５７）において、前記グローバル制御／調整デバイス（１３４）が、前記ミラー素子（２３）の変位の補正値を決定するためのルックアップテーブルを有することを特徴とするミラー系。
  11. 光学アセンブリ（６５）であって、
    ａ．光学コンポーネント（４０：４０ａ）を配置するベースプレート（５９）と、
    ｂ．請求項１〜７の何れか一項に記載の少なくとも１つの光学コンポーネント（４０：４０ａ）とを備え、
    ｃ．前記少なくとも１つの光学コンポーネント（４０：４０ａ）が固定デバイス（６６）によって前記ベースプレートに固定される光学アセンブリ。
  12. 請求項８〜１０の何れか一項によるミラー系（１５７）を備える投影露光装置（１）用の光学ユニット（４、７）。
  13. ＥＵＶ投影露光装置（１）用の照明系であって、
    ａ．請求項１２による光学ユニット（４）と、
    ｂ．ＥＵＶ放射線源（３）と
    を備える照明系。
  14. 請求項１２に記載の光学ユニット（４、７）を備えるＥＵＶマイクロリソグラフィ用の投影露光装置（１）。
  15. 微細構造又はナノ構造コンポーネントを製造する方法であって、
    ・感光材料からなる層が少なくとも部分的に塗布された基板を提供するステップと、
    ・結像構造を有するレチクル（２４）を提供するステップと、
    ・請求項１４に記載の投影露光装置（１）を提供するステップと、
    ・前記投影露光装置（１）を用いて、前記レチクル（２４）の少なくとも一部を、前記基板の前記感光層の領域に投影するステップと
    を含む方法。
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