JP5543516B2 - Euvリソグラフィ用照明システム及びこの種の照明システムに使用する第1及び第2の光学要素 - Google Patents
Euvリソグラフィ用照明システム及びこの種の照明システムに使用する第1及び第2の光学要素 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5543516B2 JP5543516B2 JP2012085160A JP2012085160A JP5543516B2 JP 5543516 B2 JP5543516 B2 JP 5543516B2 JP 2012085160 A JP2012085160 A JP 2012085160A JP 2012085160 A JP2012085160 A JP 2012085160A JP 5543516 B2 JP5543516 B2 JP 5543516B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- facet
- optical element
- facet elements
- illumination
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/09—Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Description
本発明はまた、この種の照明システムにおける使用のための第1及び第2光学要素に関する。
本発明によると、1つのかつ同じ結像領域に全ての第1ファセット要素を再現することは必ずしも必要ではなく、完全な照明視野を互いに構成する個々の部分視野のアセンブリとして構成することができることが判明した。これを行う上で、照明視野全体は、部分視野のいかなるものを通じても照らされない。この基本的な手法は、第2ファセット要素をより柔軟な方法で使用することを可能にする。これらの第2ファセット要素は、互いにある一定の空間距離に存在する複数の第1ファセット要素によって照射することができる。1つのかつ同じ第2ファセット要素に対して作用する様々な第1ファセット要素から発するEUV放射線の部分ビームは、次に、様々な部分視野内に結像される。これは、複数の第1ファセット要素に関連付けられたEUV放射線の部分ビームが、1つのかつ同じ第2ファセット要素によって結像することを可能にする。この柔軟性は、従来技術と比較して少数の第2ファセット要素を有する第2光学要素を様々な照明設定を生成するのに用いることを可能にする一方、第1ファセット要素と第2ファセット要素の1:1の割り当てが与えられる照明設定の生成をこの種の第2光学要素を用いて依然として可能にする。従って、光損失なしにかつ光学構成要素を交換することなく、異なる照明設定を生成することができる。第2光学要素を密に充填しながら、従来の設定、すなわち、第2光学要素の均一な照明を生成することができる。照明視野を少なくとも2つの部分視野に分割することにより、物体の変位方向のEUV強度プロフィールを予め設定することが可能になる。例えば、ガウス、ローレンツ、台形、又は他のプロフィールをデフォルトとして設定することができる。物体を変位させて物体表面を照明視野の部分視野分割に対して直角に予め設定することにより、各部分視野が所定の物体点を照らす役割を達成するように、物体が全ての部分視野にわたって照らされることを保証することができる。部分視野をわたる物体点のこの順次照明は、例えば、照明される物体表面の例である感光性ウェーハ層の望ましい活性化を達成するために利用することができる。
請求項3に記載の部分視野数は、同時に最小限必要とされる部分視野数でもある。この結果は、コンパクトな照明視野である。2つ、3つ、又はそれよりも多くの第1ファセット要素を第2ファセット要素に割り振ってそこに作用させることができる。
請求項5に記載の湾曲した第1ファセット要素又は部分視野は、光学配置に対して課せられる要件を低減する。
請求項7に記載のアクチュエータによって変位させることができる第2ファセット要素は、照明システムの柔軟性を高める。
請求項8に記載の照明システムは、低い損失を有する。
請求項10から15に記載の照明視野の部分視野間の交差部は、特に、物体表面に対する望ましい順次照明を予め設定するための照明システムの実際的な実現に有利であることが明らかにされている。
請求項16に記載の照明システムの利点は、請求項1に記載の照明システムのものと同じである。
この目的は、請求項17及び請求項18に記載の光学要素により、本発明によって達成される。
これらの光学要素の利点は、本発明による照明システムを参照して既に上述したものと同じである。
以下に本発明の実施形態を図面を参照してより詳細に説明する。
EUV放射線4の光源としてプラズマ光源が用いられる。EUV放射線の波長は、例えば、10nmと20nmの間にある。
図1及び2では、直交座標系(x、y、z)を用いており、以下では座標(x、y、z)で参照する。図1では、x方向は、投影図平面に対して直角に延び、y方向は右手側に、z方向は下向きに延びている。
瞳走査要素とも呼ぶ第2光学要素20は、第1光学要素7によって発生する2次光源の位置、すなわち、光源5に対する像平面内に配置される。この第2光学要素20は、第1光学要素7を通じてEUV放射線4によって衝撃を受ける。第2光学要素20の衝撃可能表面は、複数の第2ファセット要素に分割され、これらのうちの4つのファセット要素21から24を図1に例示的に示している。第2ファセット要素21から24の各々は、それぞれの2次光源が、それぞれに放射線が印加された第2ファセット要素21から24の位置で発生するように、第1ファセット要素8から11のうちの1つに割り当てられる。図1による具体例では、第2ファセット要素21は、第1ファセット要素8に割り当てられ、第2ファセット要素23は、第1ファセット要素9に割り当てられ、第2ファセット要素22は、第1ファセット要素10に割り当てられ、第2ファセット要素24は、第1ファセット要素11割り当てられる。
第2光学要素20は、複数の光学構成要素を含んで物体表面3によって所定の平面30内に第1光学要素7の像を形成する光学配置27の一部である。EUV放射線のための2つの反射要素28、29は、光学配置27に属し、第2光学要素20の下流にある反射要素28は、小さい入射角、例えば、入射角30°のEUV放射線を反射し、EUV放射線4のその後のビーム経路内に配置された反射要素29は、浅い入射によるEUV放射線を反射する。
2つの部分視野31、32への照明視野2の分割の結果、各部分視野において図2による照明設定内に存在する全ての照明角度のうちの選択された照明角度で照明が発生するように、あらゆる第2ファセット要素のうちの一部分が、部分視野31、32の各々において照らされる。両方の部分視野31、32の重ね合わせによってのみ、物体表面3が、照明設定の全ての照明角度で照らされる。この重ね合わせは、物体表面3をy方向に変位させることによって実施される。この変位は、連続的又は段階的に実施することができ、段階的な場合には、段階長は、部分視野のyの範囲よりも長くしてはならない。この方式で、両方の部分視野31、32を通過する物体表面3上の各点は、そこに放射されるEUV放射線の露光効果を集積し、それによってこの通過の後には、照明は、照明設定において可能な全ての照明角度から実施されたことになる。
図2に示すものと図3に示すものとの間で照明設定を変更する時には、第2ファセット要素22、23は、変位させる必要がない。
図3による環状設定では、照明角度は、ゼロとは異なる最小照明角度と最大照明角度との間で変化する。
図2の設定と比較すると、図4では、2つの第1ファセット要素9及び10は、それぞれx方向及びy方向において傾斜されている。ここでは、第1ファセット要素9は、第1ファセット要素8と共に、第2ファセット要素21に対して作用する。第1ファセット要素10は、第1ファセット要素11と共に、第2ファセット要素24に対して作用する。第2ファセット要素22、23に対しては、第1光学要素7は作用しない。
図2による設定と同様に、図4では、下側部分視野31は、第1ファセット要素8及び10からの放射線によって照射される。上側部分視野32は、第1ファセット要素9及び11からの放射線によって照射される。
図2及び4による照明設定の間で変更する時には、第2ファセット要素21、24は変位させる必要がない。
図2による照明設定と図5による照明設定の間の移行中には、第1ファセット要素8及び9から発する放射線が、実際に照明視野2内に正しく結像されることを保証するために、第2ファセット要素24を傾斜させる必要がある。
図6による設定では、第1ファセット要素8、9は、協働して第2ファセット要素23を照射し、第1ファセット要素10、11は、協働して第2ファセット要素21を照射する。
湾曲した第1ファセット要素8から11は、光学配置27によって湾曲した部分視野31、32内に結像される。
図1から7による実施形態とは対照的に、第2光学要素20と同様に要素28及び29(示していない)のような他の反射要素が属する図8及び9による実施形態の光学配置27は、正の倍率を有する。図8及び9による実施形態では、今度は第1ファセット要素9及び11が、照明視野2の下側部分視野31内に結像される結果になる。第1ファセット要素8及び10は、上側部分視野32内に結像される。
図9は、図8による配列において、図3の設定のような大きい環状設定が生成されるように、第1ファセット要素9及び11を傾斜させることによって生成される別の照明システムを示している。第2ファセット要素23に対しては、2つの第1ファセット要素8及び9が協働して作用する。第2ファセット要素22に対しては、2つの第1ファセット要素10及び11が協働して作用する。
第1光学要素7は、他の第1ファセット要素を静止させたままで、アクチュエータによって特定の第1ファセット要素のみを傾斜させることができるように構成することができる。また、第2光学要素20にも、相応に、傾斜可能第2ファセット要素及び静止第2ファセット要素を装備することができる。静止第2ファセット要素を一般的に有する第2光学要素20を装備し、言い換えれば、そこに傾斜オプションを設けないことも可能である。
上述の実施形態では、最大2つの第1ファセット要素8から11が、第2ファセット要素21から24と関連付けられる。各場合に、2つよりも多くの第1ファセット要素を第2ファセット要素と関連付けることも可能である。照明視野を構成する部分視野の最小数は、相応に増加する。
原理的には、照明システムの少なくとも個々の構成要素を透過性構成要素として構成することも可能である。
7 第1光学要素
8、9、10、11 第1ファセット要素
20 第2光学要素
21、22、23、24 第2ファセット要素
31、32 部分視野
Claims (12)
- a)aa)EUV放射線(4)による衝撃を受け、
ab)光学要素の前記衝撃を受けた表面が、前記EUV放射線(4)の部分ビーム(12から15)に各々割り当てられた複数の第1ファセット要素(8から11)に分割された、
第1光学要素(7)を有し、
b)ba)前記第1光学要素(7)を通じてEUV放射線(4)によって衝撃を受け、
bb)その衝撃可能表面が、複数の第2ファセット要素(21から24)に分割され、この各々が、前記第1ファセット要素(8から11)の少なくとも1つに割り当てられ、
bc)物体表面(3)によって予め定められた平面(30)に前記第1光学要素(8から11)を結像する光学配置(27)の少なくとも一部である、
第2光学要素(20)を有する、
EUV放射線(4)を用いて所定の照明視野(2)を照らすためのEUVリソグラフィのための照明システム(1)であって、
第1ファセット要素(8から11)のうちの少なくとも2つが、1つのかつ同じ第2ファセット要素(21から24)を通じて照明視野(2)に結像され、
前記第2ファセット要素(21から24)のうちの少なくとも1つは、各場合に該選択された第2ファセット要素(21から24)に関連付けられたアクチュエータ(25)を用いて様々な設定位置の間で変位させることができる、
ことを特徴とする照明システム(1)。 - 前記第1光学要素(7)が、前記照明システム(1)に2次光源を生成するように配置されている、請求項1に記載の照明システム。
- 前記第2光学要素(20)が、前記第1光学要素(7)によって発生した前記2次光源の位置に配置されている、請求項2に記載の照明システム。
- 前記第1ファセット要素(8から11)の少なくとも1つが、前記それぞれの第2ファセット要素(21から24)に作用して前記2次光源を発生させるように配置されている、請求項2又は請求項3に記載の照明システム。
- 予め定めることができる様々な照明設定から選択された設定においてEUV放射線(4)による所定の照明視野(2)の選択的照明に対して、
bd)前記第1ファセット要素(8から11)のうちの少なくとも選択されたものは、各場合に該選択された第1ファセット要素(8から11)に関連付けられたアクチュエータ(16)によって様々な設定位置の間で移動することができ、
be)前記可動第1ファセット要素(8から11)の各設定位置において、各場合にそれに関連付けられた前記部分ビーム(12から15)は、該可動第1ファセット要素(8から11)によって偏向されて前記所定の照明設定の1つを生成し、
e)前記第2ファセット要素(21から24)の少なくとも1つは、それに対して前記所定の照明設定の少なくとも1つにおいて少なくとも2つの異なる第1ファセット要素(8から11)が作用することができるような方法で位置決めされる、
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の照明システム。 - 前記第1及び/又は第2ファセット要素(8から11、21から24)は、反射要素として構成されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の照明システム。
- 前記第2光学要素のファセット要素の数は、前記第1光学要素のファセット要素の数よりも少ないことを特徴とする、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の照明システム。
- 2つよりも多くの第1ファセット要素が第2ファセット要素と関連付けられ、前記第1光学要素の像として前記照明視野を構成する部分視野の最小数が相応に増加することを特徴とする、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の照明システム。
- a)aa)EUV放射線(4)による衝撃を受け、
ab)光学要素の前記衝撃を受けた表面が、前記EUV放射線(4)の部分ビーム(12から15)に各々割り当てられた複数の第1ファセット要素(8から11)に分割された、
第1光学要素(7)を有し、
b)ba)前記第1光学要素(7)を通じてEUV放射線(4)によって衝撃を受け、
bb)その衝撃可能表面が、複数の第2ファセット要素(21から24)に分割され、この各々が、前記第1ファセット要素(8から11)の少なくとも1つに割り当てられ、
bc)物体表面(3)によって予め定められた平面(30)に前記第1光学要素(8から11)を結像する光学配置(27)の少なくとも一部である、
第2光学要素(20)を有する、
EUV放射線(4)を用いて所定の照明視野(2)を照らすためのEUVリソグラフィのための照明システム(1)であって、
第1ファセット要素(8から11)のうちの少なくとも2つが、1つのかつ同じ第2ファセット要素(21から24)を通じて照明視野(2)に結像され、
前記第2光学要素のファセット要素の数は、前記第1光学要素のファセット要素の数よりも少ない、
ことを特徴とする照明システム(1)。 - a)aa)EUV放射線(4)による衝撃を受け、
ab)光学要素の前記衝撃を受けた表面が、前記EUV放射線(4)の部分ビーム(12から15)に各々割り当てられた複数の第1ファセット要素(8から11)に分割された、
第1光学要素(7)を有し、
b)ba)前記第1光学要素(7)を通じてEUV放射線(4)によって衝撃を受け、
bb)その衝撃可能表面が、複数の第2ファセット要素(21から24)に分割され、この各々が、前記第1ファセット要素(8から11)の少なくとも1つに割り当てられ、
bc)物体表面(3)によって予め定められた平面(30)に前記第1光学要素(8から11)を結像する光学配置(27)の少なくとも一部である、
第2光学要素(20)を有する、
EUV放射線(4)を用いて所定の照明視野(2)を照らすためのEUVリソグラフィのための照明システム(1)であって、
第1ファセット要素(8から11)のうちの少なくとも2つが、1つのかつ同じ第2ファセット要素(21から24)を通じて照明視野(2)に結像され、
2つよりも多くの第1ファセット要素が第2ファセット要素と関連付けられ、前記第1光学要素の像として前記照明視野を構成する部分視野の最小数が相応に増加する、
ことを特徴とする照明システム(1)。 - 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の照明システム(1)で使用するための第1の光学要素(7)。
- 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の照明システム(1)で使用するための第2の光学要素(20)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006020734A DE102006020734A1 (de) | 2006-05-04 | 2006-05-04 | Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem |
DE102006020734.3 | 2006-05-04 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009508172A Division JP4970533B2 (ja) | 2006-05-04 | 2007-04-25 | Euvリソグラフィ用照明システム及びこの種の照明システムに使用する第1及び第2の光学要素 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012178573A JP2012178573A (ja) | 2012-09-13 |
JP5543516B2 true JP5543516B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=38231104
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009508172A Active JP4970533B2 (ja) | 2006-05-04 | 2007-04-25 | Euvリソグラフィ用照明システム及びこの種の照明システムに使用する第1及び第2の光学要素 |
JP2012085160A Expired - Fee Related JP5543516B2 (ja) | 2006-05-04 | 2012-04-04 | Euvリソグラフィ用照明システム及びこの種の照明システムに使用する第1及び第2の光学要素 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009508172A Active JP4970533B2 (ja) | 2006-05-04 | 2007-04-25 | Euvリソグラフィ用照明システム及びこの種の照明システムに使用する第1及び第2の光学要素 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20090041182A1 (ja) |
EP (1) | EP2013663A1 (ja) |
JP (2) | JP4970533B2 (ja) |
DE (1) | DE102006020734A1 (ja) |
TW (1) | TWI414896B (ja) |
WO (1) | WO2007128407A1 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006020734A1 (de) | 2006-05-04 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem |
DE102009000099A1 (de) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrospiegelarray mit Doppelbiegebalken Anordnung und elektronischer Aktorik |
DE102008001511A1 (de) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
DE102008049586A1 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie |
DE102008049585A1 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie |
DE102008042462B4 (de) | 2008-09-30 | 2010-11-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die EUV-Mikrolithographie |
DE102008050446B4 (de) * | 2008-10-08 | 2011-07-28 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Verfahren und Vorrichtungen zur Ansteuerung von Mikrospiegeln |
DE102009054869B4 (de) | 2009-04-09 | 2022-02-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel zur Führung eines Strahlungsbündels, Vorrichtungen mit einem derartigen Spiegel sowie Verfahren zur Herstellung mikro- oder nanostrukturierter Bauelemente |
DE102009030501A1 (de) | 2009-06-24 | 2011-01-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes |
DE102009054540B4 (de) * | 2009-12-11 | 2011-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie |
DE102009054888A1 (de) * | 2009-12-17 | 2011-06-22 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Optisches Element mit einer Mehrzahl von refletiven Facettenelementen |
DE102011004615A1 (de) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
DE102010003169A1 (de) | 2010-03-23 | 2011-02-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Feldfacettenspiegel zum Einsetzen einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektions-Lithografie |
NL2008083A (nl) * | 2011-03-02 | 2012-09-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
DE102012203950A1 (de) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012204273B4 (de) * | 2012-03-19 | 2015-08-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
DE102012208064A1 (de) * | 2012-05-15 | 2013-11-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102012221831A1 (de) | 2012-11-29 | 2014-06-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Anordnung zur Aktuierung wenigstens eines optischen Elementes in einem optischen System |
DE102013202948A1 (de) * | 2013-02-22 | 2014-09-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine EUV-Lithographievorrichtung und Facettenspiegel dafür |
DE102013203364A1 (de) | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektierende Beschichtung mit optimierter Dicke |
DE102013214242A1 (de) * | 2013-07-22 | 2014-08-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegelanordnung für ein Beleuchtungssystem einer Lithographie-Belichtungsanlage sowie Verfahren zum Betreiben der Spiegelanordnung |
DE102013218749A1 (de) * | 2013-09-18 | 2015-03-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
DE102014217612A1 (de) | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungoptik für die Projektonslithograpfie |
DE102015224597A1 (de) | 2015-12-08 | 2016-10-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Feldfacettenspiegel für die EUV-Projektionslithographie |
DE102017200658A1 (de) | 2017-01-17 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017202653A1 (de) | 2017-02-20 | 2018-08-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit verbessertem Wärmeübergang |
DE102017202799A1 (de) | 2017-02-21 | 2017-04-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit verbesserten Signalanschlüssen |
US10444645B1 (en) | 2018-07-10 | 2019-10-15 | Globalfoundries Inc. | Balancing collector contamination of a light source by selective deposition |
US10748671B2 (en) | 2018-07-10 | 2020-08-18 | Globalfoundries Inc. | Radial lithographic source homogenizer |
DE102021201016A1 (de) | 2020-03-26 | 2021-09-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Kalibrierung eines Moduls einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie |
DE102021205149B3 (de) | 2021-05-20 | 2022-07-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung eines Facettenspiegels |
KR20230037817A (ko) | 2021-09-10 | 2023-03-17 | 주식회사 이솔 | 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 euv용 조명 장치 및 그 제조방법 |
KR20230054027A (ko) | 2021-10-15 | 2023-04-24 | 주식회사 이솔 | Euv 마스크 및 euv 팰리클의 반사도와 투과도 측정장치 |
KR20230054028A (ko) * | 2021-10-15 | 2023-04-24 | 주식회사 이솔 | 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 euv 마스크 검사장치 |
KR20240007006A (ko) | 2022-07-07 | 2024-01-16 | 주식회사 이솔 | 프리폼 조명계가 구현된 고성능 euv 현미경 장치 |
DE102022210132A1 (de) | 2022-09-26 | 2022-12-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur Herstellung der Komponente |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5581605A (en) * | 1993-02-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
EP0955641B1 (de) * | 1998-05-05 | 2004-04-28 | Carl Zeiss | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
US7329886B2 (en) * | 1998-05-05 | 2008-02-12 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element |
US7006595B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-02-28 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Illumination system particularly for microlithography |
DE10053587A1 (de) * | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung |
US6195201B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-02-27 | Svg Lithography Systems, Inc. | Reflective fly's eye condenser for EUV lithography |
US7248667B2 (en) * | 1999-05-04 | 2007-07-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with a grating element |
US7015491B2 (en) * | 2001-06-01 | 2006-03-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system |
US6737662B2 (en) | 2001-06-01 | 2004-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product |
US7170587B2 (en) * | 2002-03-18 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10219514A1 (de) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie |
JP4356695B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2009-11-04 | 株式会社ニコン | 照明光学系、投影露光装置、マイクロデバイスの製造方法 |
US7911584B2 (en) * | 2003-07-30 | 2011-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for microlithography |
US7148952B2 (en) * | 2003-10-31 | 2006-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1814147A4 (en) * | 2004-11-17 | 2010-06-02 | Nikon Corp | LIGHTING APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING MICRO DEVICE |
US7277158B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006020734A1 (de) | 2006-05-04 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem |
DE102013202948A1 (de) * | 2013-02-22 | 2014-09-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine EUV-Lithographievorrichtung und Facettenspiegel dafür |
WO2014139872A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination optical unit for projection lithography |
-
2006
- 2006-05-04 DE DE102006020734A patent/DE102006020734A1/de not_active Ceased
-
2007
- 2007-04-25 EP EP07724539A patent/EP2013663A1/en not_active Withdrawn
- 2007-04-25 JP JP2009508172A patent/JP4970533B2/ja active Active
- 2007-04-25 WO PCT/EP2007/003609 patent/WO2007128407A1/en active Application Filing
- 2007-05-03 TW TW096115708A patent/TWI414896B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-09-22 US US12/235,277 patent/US20090041182A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-04-04 JP JP2012085160A patent/JP5543516B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-09-18 US US14/489,943 patent/US9671608B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4970533B2 (ja) | 2012-07-11 |
JP2012178573A (ja) | 2012-09-13 |
US20150002925A1 (en) | 2015-01-01 |
EP2013663A1 (en) | 2009-01-14 |
US20090041182A1 (en) | 2009-02-12 |
JP2009535827A (ja) | 2009-10-01 |
TWI414896B (zh) | 2013-11-11 |
TW200801843A (en) | 2008-01-01 |
WO2007128407A1 (en) | 2007-11-15 |
US9671608B2 (en) | 2017-06-06 |
DE102006020734A1 (de) | 2007-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5543516B2 (ja) | Euvリソグラフィ用照明システム及びこの種の照明システムに使用する第1及び第2の光学要素 | |
JP6121581B2 (ja) | マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー | |
KR101470769B1 (ko) | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템 | |
KR101188994B1 (ko) | 투영 리소그래피용 조명 광학 유닛 | |
CN101796460B (zh) | 微光刻投射曝光设备中用于照明掩模的照明系统 | |
KR101813307B1 (ko) | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템 | |
JP6348478B2 (ja) | Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット | |
EP2583141B1 (en) | Illumination optical system for microlithography and projection exposure system with an illumination optical system of this type | |
JP6423419B2 (ja) | 投影露光装置のためのファセットミラー | |
JP6889103B2 (ja) | 投影リソグラフィのための照明光学ユニットのためのファセットミラー | |
JP6806565B2 (ja) | 投影露光系の物体視野を照明する方法 | |
US10488567B2 (en) | Faceted mirror for EUV projection lithography and illumination optical unit with same | |
JP6332758B2 (ja) | Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット | |
KR20040057958A (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
TW201702637A (zh) | 光瞳琢面反射鏡 | |
KR20200105915A (ko) | 투영 리소그래피 시스템을 위한 동공 패싯 미러, 조명 광학 소자 및 광학 시스템 | |
JP2016535313A5 (ja) | ||
JP2016535313A (ja) | Euv投影リソグラフィのための照明光学系及び照明系 | |
JP6410741B2 (ja) | 投影リソグラフィのための照明光学ユニット | |
JP2016517026A5 (ja) | ||
KR20230036135A (ko) | Euv 복사선을 안내하기 위한 광학 조명 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140414 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140508 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5543516 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |