JP6889103B2 - 投影リソグラフィのための照明光学ユニットのためのファセットミラー - Google Patents

投影リソグラフィのための照明光学ユニットのためのファセットミラー Download PDF

Info

Publication number
JP6889103B2
JP6889103B2 JP2017510867A JP2017510867A JP6889103B2 JP 6889103 B2 JP6889103 B2 JP 6889103B2 JP 2017510867 A JP2017510867 A JP 2017510867A JP 2017510867 A JP2017510867 A JP 2017510867A JP 6889103 B2 JP6889103 B2 JP 6889103B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
facet
mirror
modified
facets
illumination
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017510867A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017526968A (ja
Inventor
マルクス デギュンター
マルクス デギュンター
ミヒャエル パトラ
ミヒャエル パトラ
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2017526968A publication Critical patent/JP2017526968A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6889103B2 publication Critical patent/JP6889103B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/08Mirrors
    • G02B5/0891Ultraviolet [UV] mirrors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/08Mirrors
    • G02B5/09Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/067Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators using surface reflection, e.g. grazing incidence mirrors, gratings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Description

本特許出願は、ドイツ特許出願DE 10 2014 216 801.5の優先権を主張するものであり、その内容は、引用によって本明細書に組み込まれている。
本発明は、投影リソグラフィのための照明光学ユニットのためのファセットミラーに関する。更に、本発明は、そのようなファセットミラーを含む照明光学ユニット、そのような照明光学ユニットを含む光学系及び同じく照明系、そのような光学系を含む投影露光装置、微細又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及び同じくそのような方法によって生成された微細又はナノ構造化構成要素に関する。
投影リソグラフィのための照明光学ユニットのためのファセットミラーは、EP 1 927 892 A1、US 7,858,957 B2、US 2012/0 293 785 A1、US 6,658,084 B2、DE 10 2006 014 380 A1、DE 103 17 667 A1、DE 10 2013 212 363 A1、及びDE 10 2012 207 048 A1から公知である。
EP 1 927 892 A1 US 7,858,957 B2 US 2012/0 293 785 A1 US 6,658,084 B2 DE 10 2006 014 380 A1 DE 103 17 667 A1 DE 10 2013 212 363 A1 DE 10 2012 207 048 A1 US 2010/0231882 A1
本発明の目的は、異なる照明幾何学形状又は照明設定を作動的に確実かつ安定に設定することができるような冒頭に言及したタイプのファセットミラーを開発することである。
この目的は、請求項1に指定の特徴を含むファセットミラーを用いて本発明によって達成される。
本発明により、複数の変更サブユニットを変更サブユニットの共通ファセット担体上に収容することが、それぞれの使用ファセットの安定で作動的に確実な位置決めを実現する可能性をもたらすことが認識された。EP 1 927 892 A1に解説されているような様々な変更サブユニット間の交換は不要になる。使用ファセットは、それらの結像特性に関して、及び/又はそれらの方向影響特性に関して、及び/又は他のパラメータに関して異なる可能性がある。その結果は、特に、熱負荷可能なファセットミラーである。変更サブユニットの個数は、使用ファセット配置の行数に正確に等しいとすることができる。これに代えて、使用ファセット配置の単にセクションに変更可能使用ファセットが装備されるように意図される場合に、より少ない個数の変更サブユニットも設けることができる。変更サブユニットは、個々に割り当てられた変位アクチュエータを有することができる。変更サブユニットの変位は、使用ファセットのうちの正確に1つが当該変更サブユニットの変更ファセットに変更され、これが次に代わりの使用ファセットになることを保証する。全ての他の使用ファセットの位置決めは、当該変更サブユニットの変位とは独立して無変化に留まる。
変更サブユニットを用いて変更可能である使用ファセットとこの変更サブユニットに属さない隣接使用ファセットとの間の距離は、最大で2mmとすることができる。変更サブユニットを用いて変更可能である使用ファセットとこの変更サブユニットに属さない使用ファセットとの間のそのような距離の方向に、隣接使用ファセットは、この距離が従ってこの使用ファセット広がりの最大で20%であるように、この距離の少なくとも5倍である広がりを有することができる。これは、ファセットミラーの全ての使用ファセットの実質的に切れ目のない充填を可能にする。
請求項2による実施形態は、変更サブユニットのファセット行に沿って実質的に制限されない個数の変更ファセットを設けることを可能にする。各場合に異なる使用ファセットが使用される事前定義可能な照明設定の数は、相応に多い可能性がある。ファセット行に沿って、変更サブユニットは、直線的に変位可能な様式で具現化することができる。
請求項3に記載のピボット回転可能変更サブユニットは、ファセットミラーの構成において、変更サブユニットの安定なかつ同時にコンパクトな全体配置をもたらす。ピボット回転可能変更サブユニットはまた、360°を超えて回転可能である変更サブユニットとすることができる。ピボット回転可能様式で具現化された正確に1つの変更サブユニットは、2、3、4、5、6、又は更により多い変更ファセットを有することができる。
請求項4に記載の実施形態は、特に安定である。ファセット担体は、特に、球面壁を有することができる。壁セクションの回転対称軸は、それぞれの変更サブユニットのピボット軸又は回転軸に一致することができる。これに代えてかつ特に矩形使用ファセットを含むファセットミラーの構成において、ファセット担体はまた、平面壁を有することができ、それを通じて隣接変更サブユニットを互いに対して置くことができる。
請求項5に記載の構成は、2次元アレイに配置された視野ファセットを有する従来の視野ファセットミラーを置換するのに使用することができる。この場合に、視野ファセットは、矩形又は湾曲反射面を有することができる。
ファセットミラーは、請求項7に記載の照明光学ユニットにおいて伝達ファセットミラーとして又は鏡面ファセットミラーとして、又は請求項8に記載の照明光学ユニットにおいて視野ファセットミラーとして使用することができる。
請求項9に記載の光学系、請求項10に記載の照明系、請求項11に記載の投影露光装置、請求項12に記載の生成方法、及び同じく請求項13に記載の微細又はナノ構造化構成要素の利点は、本発明によるファセットミラー及び/又は本発明による照明光学ユニットに関して上述したものに対応する。微細又はナノ構造化構成要素は、半導体構成要素、特にマイクロチップ、例えばメモリチップとすることができる。
図面を参照して本発明の例示的実施形態を下記でより詳細に説明する。
複数の変更ファセットを含む図示の変更サブユニットを各場合に含む伝達ファセットミラーと鏡面ファセットミラーとを含む照明光学ユニットを含むEUV投影露光装置のEUV照明系を示す非常に概略的な図である。 各々が複数の変更ファセットを含む合計で3つの変更サブユニットのセクションを示すファセットミラーのうちの1つからの抜粋の斜視図である。 投影露光装置のための照明光学ユニットに使用することができるファセットミラーの変更サブユニットに関する更に別の実施形態の斜視図である。 投影露光装置のための照明光学ユニットに使用することができるファセットミラーの変更サブユニットに関する更に別の実施形態の斜視図である。 投影露光装置のための照明光学ユニットに使用することができるファセットミラーの変更サブユニットに関する更に別の実施形態の斜視図である。 変更サブユニットの更に別の実施形態のこのタイプの2つの変更サブユニットを互いに横並びで例示する側面図である。 図6に記載の変更サブユニットから構成されたファセットミラーのセクションの平面図である。 視野ファセットミラーと瞳ファセットミラーとを含むEUV投影露光装置のEUV照明系の更に別の実施形態を同じく非常に概略的に示す図である。
EUV照明系1を図1のEUV光源又はEUV放射線源2と照明視野又は物体視野3の間に略示している。EUV照明系1は、高集積半導体構成要素、特にナノメートル範囲の構造を含むメモリチップを生成するためのEUV投影露光装置4の一部である。
照明系1は、照明視野の定められた照明のために寄与する。照明視野は、その中に実際の物体視野3が配置されるようにこの物体視野3よりも大きくすることができる。これに代えて、照明視野は、物体視野3に一致することができる。更に別の変形では、照明視野は、物体又はレチクルの変位方向に沿って物体視野3よりも小さくすることができる。照明視野は、物体変位方向と垂直に物体視野3よりも大きくすることができる。
図1に記載の実施形態において、放射線源は図2に記載のものであり、自由電子レーザ(FEL)である。光源又は放射線源2は、5nmと30nmの間の範囲に放出使用放射線を有するEUV(極紫外)光源である。EUV投影露光に使用される波長帯域又はEUV放射線のターゲット波長範囲は、例えば、13.5nm±1nmである。以下では、EUV放射線を照明光及び結像光とも呼ぶ。例えば、5nmと17nmの間の異なるターゲット波長範囲も可能である。使用EUV波長帯域の帯域幅は、0.1nmと2nmの間にあるとすることができる。光源2は、シンクロトロン光源又は自由電子レーザ(FEL)に基づく光源である。光源2は、10-72rad2よりも小さいエタンデュを有する。エタンデュは、光エネルギの90%を閉じ込める位相空間の最小体積である。
物体視野3は矩形である。これに代えて、物体視野3はまた、リング形状様式又は円弧様式に具現化することができる。
物体視野3には、照明されて結像される物体として、リソグラフィマスクとも呼ぶ反射レチクル5が配置される。レチクル5は、レチクルホルダ5aによって担持され、これは、次に、レチクル変位デバイス5bに機械的かつ作動的に接続される。
物体視野3は、投影レンズ6を用いて像視野7に結像される。物体視野3の下流のビーム経路には、投影光学ユニット6の入射瞳を置くことができる。放射線源2によって生成されたEUV照明光9に対して感光性を有する層を有するウェーハ8のセクションは、像視野7に配置される。物体視野3に位置するレチクル5のセクションは、ウェーハ8の上に結像される。ウェーハ8を基板とも呼ぶ。ウェーハ8は、ウェーハ変位デバイス8bに機械的に接続されたウェーハホルダ8aによって担持される。
EUV投影露光装置4は、中央制御デバイス4aを有し、かつスキャナの方式に具現化される。この場合に、走査方向は、物体視野3及び照明視野7の短辺と平行に延びる。
図1の平面図には、投影露光装置4の構成要素を全て概略的に例示している。この平面図では、物体視野3及び像視野7は、直交座標系の座標x、yによって張られる。x方向は、図1の右に向けて延びる。y方向は図1の上方に延びる。放射線源2によって生成された照明光9の実際の主ビーム方向は、投影露光装置4内でxy平面に対して実質的に垂直に延びる。
放射線源2によって放出された照明光9は、最初にビーム成形デバイス10によって成形される。ビーム成形デバイス10は、放射線源2によって低い発散で放出された照明ビームをx方向とy方向の両方に広げるxyスキャナを含むことができる。ビーム成形デバイス10は、照明光9のビームがビーム成形デバイス10の下流でどの程度の有効x広がり及び有効y広がりを有するかを個々に選択することを可能にする。ビーム成形デバイス10の駆動は、照明光9のビーム経路内で続く光学要素のうちの1つ、特にビーム経路内の次の光学要素及び/又は物体視野5が照明光9によって均一に照明されるように選択することができる。
代替の実施形態において、ビーム成形デバイス10は、照明光9を広げる少なくとも1つの静止ミラーを含む。この広がりは、照明光9のビーム経路内で続く光学要素のうちの1つ、特にビーム経路内の次の光学要素及び/又は物体視野5が照明光9によって均一に照明されるように選択することができる。
ビーム成形デバイス10がxyスキャナとして具現化される限り、この実施形態は、照明光9のビーム経路内でビーム成形デバイス10に続く光学要素のうちの1つの小さい領域のみが一時点で照明されるようなものとすることができる。その結果、非常にコヒーレントな光源が使用される時に、特にFELが使用される時に、スペックルを低減することができる。
照明光9のビーム経路内でビーム成形デバイス10の下流には、伝達ファセット12を含む伝達ファセットミラー11が配置される。伝達ファセットミラー11は、物体視野3の物体平面に対して光学的に共役な照明系1の視野平面に配置される。伝達ファセット12は矩形である。物体視野3の境界形状は、伝達ファセット12の境界形状に対応する必要はない。伝達ファセット12のx/yアスペクト比は、物体視野3のx/yアスペクト比に対応する必要はない。
伝達ファセット12のそれぞれのものによって反射された照明光部分ビーム9iは、伝達ファセットミラー11の下流の照明光9のビーム経路に配置された鏡面ファセットミラー14の鏡面ファセット13上に入射する。鏡面ファセットミラー14は、照明系1の鏡面反射器を構成する。伝達ファセットミラー11及び鏡面ファセットミラー14は、物体視野又は照明視野3を照明するための照明系1の照明光学ユニットの一部である。照明光学ユニット及び投影光学ユニット6は、投影露光装置4の光学系の一部である。
投影露光中にそれぞれ使用される鏡面ファセット13は、鏡面ファセットミラー14のxy配置平面内で互いにy方向に横並びで配置される。鏡面ファセット13は、照明光9のビーム全体のうちの部分ビーム9iの物体視野3に向けた反射性重ね合わせ案内のために寄与する。照明チャネルが、伝達ファセット12と照明部分ビーム9iの反射性ビーム案内を通じて割り当てられた下流鏡面ファセット13とを通じて各場合に予め定められる。これらの照明チャネルを通じて、物体視野3全体は、照明光9によって各場合に照明可能である。物体視野照明チャネルのそれぞれのものには、各場合に正確に1つの伝達ファセット12と、各場合に正確に1つの鏡面ファセット13とが割り当てられる。これに代えて、伝達ファセットのそれぞれを複数の照明チャネル、従って、複数の鏡面ファセット13に割り当てることができる。
鏡面反射器に関する文献、例えば、DE 103 17 667 A1又はUS 2010/0231882 A1から一般に知られているように、鏡面ファセットミラー14は、鏡面ファセットミラー14上のそれぞれの鏡面ファセット13の位置と、鏡面ファセットミラー14のそれぞれの鏡面ファセット13上への照明光部分ビーム9iの入射場所とが物体視野3の視野点に対する照明方向を予め定めるように配置される。
同時に、鏡面ファセットミラー14のそれぞれの鏡面ファセット13上の照明光部分ビーム9iの入射領域の縁部輪郭、すなわち、鏡面ファセット13上への全体入射の場合は鏡面ファセット13自体の縁部輪郭は、物体視野3の視野形状を予め定めることができる。従って、鏡面ファセットミラー14上の鏡面ファセット13の輪郭構成及び同じく配置は、物体視野3の照明に関する「照明角度」情報と「視野形状」情報との両方を含むことができる。
鏡面ファセット13の各々は、連続静的反射面15を有する。鏡面ファセット13自体は、複数の個々のミラーに再分割されず、むしろ各場合に単一モノリシックミラーを構成する。
鏡面ファセットミラー14は、投影露光装置4の瞳内又は投影露光装置4の視野平面内のいずれにも配置されない。
鏡面ファセット13は、小さい角度帯域幅を有する入射角による入射を受ける。この角度帯域幅は、2°よりも小さいとすることができる。この角度帯域幅は、照明光部分ビーム9iがそれぞれの鏡面ファセット13上で有する入射角の合計角度帯域幅の半分に等しい。一例として、照明光部分ビーム9iが鏡面ファセット13のうちの1つの上に3°と7°の間の入射角で入射する場合に、合計角度帯域幅は4°であり、この場合に、この鏡面ファセット13上の角度帯域幅は2°である。
鏡面ファセット13上への入射角の角度帯域幅は、局所入射角に関連付けることができる。鏡面ファセット13のうちのそれぞれのものの上の各場所に対して、照明光9の最大入射角及び最小入射角が次に決定される。2°と4°の間の入射角を有する照明光部分ビーム9iが、鏡面ファセット13のうちの1つの上の1つの場所に入射し、10°と12°の間の入射角を有する照明光部分ビーム9iが、同じ鏡面ファセット13上の別の場所に入射する場合に、この鏡面ファセット13上の局所合計角度帯域幅は2°であり、局所角度帯域幅は、次に、1°である。これらの局所帯域幅値は、鏡面ファセット13上の他の非隣接場所における角度帯域幅の大きさに対しては何も語らない。鏡面ファセット上の何らかの他の角度帯域幅が、この鏡面ファセットの特定の場所に存在する角度帯域幅よりも有意に大きい場合に、この鏡面ファセット13の高反射コーティングの特性は、この鏡面ファセット13上の場所に依存する方式で選択することができる。この場合に、鏡面ファセット13全体にわたって決定された角度帯域幅ではなく、局所角度帯域幅に依存する鏡面ファセット反射率を達成することが可能である。
図1に記載の照明系1の実施形態の場合に、鏡面ファセットミラー14は、照明光9を物体視野3の上流の照明系1内で案内する最後の光学構成要素である。照明系1の他の実施形態(例示していない)の場合に、鏡面ファセットミラー14と物体視野の間の照明光9のビーム経路には、伝達光学ユニット、例えば、かすめ入射ミラーが置かれる。このかすめ入射ミラーは、屈折力を持たない平面ミラーとして具現化することができるが、これに代えて、凸又は凹湾曲ミラーとしても具現化することができる。
図1は、照明部分ビーム9iを用いてそれぞれの伝達ファセット12によって照明される鏡面ファセットミラー14の鏡面ファセット13への伝達ファセットミラー11の伝達ファセット12の割り当てを対応するハッチング記号を用いて示している。図1には4つの伝達ファセット12を示すので、図1に示す合計で8つの鏡面ファセット13のうちの4つは、これらを照明している伝達ファセット12と同じ手法でハッチングしている。他の鏡面ファセット13は、他の伝達ファセット12(例示していない)によって照明されていないか又は照明されているかのいずれかである。各場合に照明光9による入射の結果として使用される伝達ファセット12及び鏡面ファセット13は、それぞれ以下では使用ファセットとも呼ぶ。
実際には、投影露光中に各場合に使用される伝達ファセット12の個数及び投影露光中に各場合に使用される鏡面ファセット13の個数は、図1に記載の概略図における個数よりも有意に多い。
ファセットミラー11及び14は、各場合に全体的に又は少なくとも区分的に変更サブユニット16から構成され、これらの変更サブユニットの基本構成は同一である。そのような変更サブユニット16の例示的実施形態を図2から図6を参照してファセットミラー11の例に基づいて下記でより詳細に説明する。それぞれの使用ファセットの寸法決定に関して、それぞれの変更サブユニット16は、照明系1内におけるその使用場所に適応される。
図2は、各場合に3つの変更サブユニット161、162、及び163を含むファセットミラー11のうちの1つからの抜粋を示している。図2には、これらの変更サブユニット16の配置を図1に記載の伝達ファセットミラー11の例に基づいて表しており、このファセットミラーの使用ファセット12の列毎のファセット配置17も同じく例示している。これらの使用ファセット12の各々には、変更サブユニット161、162、163のタイプに従って変更サブユニット16iが割り当てられる。変更サブユニット16iの各々は、複数の変更ファセット、すなわち、伝達ファセットミラー11のための使用例では複数の伝達ファセット12iを有し、これらの伝達ファセット12iは、これに代えて、正確に1つの使用ファセット12の使用場所、すなわち、この変更サブユニット16iに割り当てられたファセット配置17の行に配置することができる。図2に示す変更サブユニット161から163の配置の場合に、図2の左端に示す変更サブユニット161、162のファセット12、及び右端に示す変更サブユニット163のファセット12が使用ファセット配置17に配置され、照明光9のそれぞれの部分ビーム9iによる入射の結果として使用される。
変更サブユニット16iのうちの1つの中にあるファセット12の各々は、その傾斜角又はその結像面形状、特にその曲率半径に関して異なる反射面構成を有する。従って、ファセット12は、様々な面トポグラフィを有する。従って、変更サブユニット16iのうちの1つのもののファセット12の各々は、個々の割り当て反射幾何学形状に向けて設計され、従って、特定の照明設定に向けて設計される。
使用ファセット12は、ファセット配置17内で行毎にy方向に沿って延びる正確に1つのファセット列内に配置される。変更サブユニット16iの各々は、正確に1つのファセット行を含む。変更サブユニット16iの各々の変更ファセット12は、このファセット行に沿って配置され、すなわち、互いにx方向に横並びで配置される。変更サブユニット16iの各々は、2個、3個、4個、5個、6個、7個、8個、9個、10個、又は更に多くの変更ファセット12を有することができる。変更サブユニット16iのファセット12は、共通のファセット担体上に配置される。
y方向には、2つの隣接使用ファセット12の間の距離は最大で2mmである。この距離は、2mmよりも短いとすることができ、1.5mmよりも短いとすることができ、1mmよりも短いとすることができ、更に0.5mmよりも短いとすることができる。隣接使用ファセット12の間のこのy方向距離は、使用ファセットのy広がりの最大で20%である。隣接使用ファセット12の間のy距離は、それぞれの使用ファセット12のy広がりの20%末端とすることができ、このy広がりの15%末端とすることができ、10%末端とすることができ、又は5%末端とすることができる。
変更サブユニット16iの各々は、図2に双方向矢印18に示すようにx方向と平行な変位方向に沿って個々に他の変更サブユニット16jとは独立して変位可能である。この変位に関して、変更サブユニット16iの各々の共通ファセット担体は、図2に略示するように、専用変位アクチュエータ19に接続される。変位方向18に沿ったそれぞれの変更サブユニット16iの変位は、対応する直線ガイド(具体的な詳細は例示していない)を用いて案内される。
図2に記載の位置では、変更サブユニット161の使用ファセット12は、照明光9を例えば図1の鏡面ファセット131の方向に反射する。伝達ファセット12のxファセット広がりだけの変更サブユニット161のx方向変位の後に、この変位に従って使用ファセット配置17内に移され、図2の右に示す伝達ファセット121’は、今度は、例えば、鏡面ファセットミラー14の鏡面ファセット131’の方向に照明光9による入射を受ける。
代替の実施形態において、変更サブユニット16のそれぞれは、複数のファセット行、例えば、2本、3本、4本、5本、又は更により多くの本数のファセット行を含む。
鏡面ファセットミラー14の場合に、図1から明らかなように、使用ファセット配置は、y方向に厳密に列で配置されるわけではない。鏡面ファセットミラー14の場合に、変更サブユニット16の配置は、図1に示すように、x方向に互いに対してオフセットされた使用ファセット13の配置が維持されるようなものである。鏡面ファセットミラー14の場合にも、使用ファセット13は、行毎に配置された変更ファセット13の行方向xに対して横向きに、すなわち、y方向に配置される。
湾曲の、すなわち、円弧のファセット12及びそれぞれ13を含むファセットミラーの場合に、変更サブユニットの概念を同じく使用することができる。これを図3を参照して下記で説明する。この説明をここでもまた伝達ファセットミラー11の例に基づいて与える。図1及び図2を参照して上述したものに対応する構成要素及び機能は同じ参照番号を伴い、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
図3に記載のファセットミラー11は、図1及び図2に記載の変更サブユニット16の代わりに使用することができる複数の変更サブユニット20から構成される。図3は、これらの変更サブユニット20のうちの正確に1つを示している。変更サブユニット20は、ピボット軸又は回転軸21の周りにピボット回転可能又は回転可能である。円弧変更ファセット12は、軸21の周りで周方向に配置され、かつ球面壁セクション23、24を有するファセット担体22の周辺横壁セクションを形成する。全ての変更サブユニット20の使用ファセット12が、ここでもまた使用ファセット配置17に位置付けられるように、隣接変更サブユニット20は、この球面壁セクション23,24を通じて互いに対して配置することができる。この配置は、それ以外は例示していない隣接変更サブユニット20の別の2つの使用ファセット12に関して示している。使用ファセット配置内にあるこれら2つの更に別の使用ファセット12は、破線及び一点鎖線で略示している。球面構成に対する代替として、縁部セクション23、24は、何らかの他の方法で軸21に関して回転対称なものとして具現化することもできる。
変更サブユニット20の各々は、ここでもまた、図3にピボット回転矢印25に示すように、軸21の周りにこの変更サブユニット20をピボット回転又は回転させるための個々の変位アクチュエータ19を有する。変更サブユニット20の各々は、2個、3個、4個、5個、6個、7個、8個、又は更に多くの変更ファセット12を有することができる。
ここでもまた、変更サブユニット20のうちの1つの異なる変更ファセット12は、互いに異なる面トポグラフィ、すなわち特に、反射面の異なる傾斜角及び曲率半径を有する。
図4は、図3に記載のタイプの変更サブユニット20による合計で3つの変更サブユニット201から203を含む伝達ファセットミラー11からの抜粋の変形を示している。図1から図3、特に図3を参照して上述したものに対応する構成要素及び機能は同じ参照番号を有し、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
図4は、互いに対面する球面壁面セクション23、24を通じた隣接変更サブユニット20iの実質的に切れ目のない支持を示している。
図4では、ファセット担体22は、依然として空所として、すなわち、その横壁面セクションに変更ファセットが実施されずに例示されている。
図5は、図3及び図4のタイプの変更サブユニット20の更に別の実施形態を示している。図1から図4、特に図3及び図4を参照して上述したものに対応する構成要素及び機能は同じ参照番号を伴い、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
図5は、2つの変更サブユニット121、121’がファセット担体22の横壁内に組み込まれた後に、オリジナルの生の横壁の対応する突起26が依然として残っている場合を示している。
図6は、図7に4×3アレイの例に基づいて略示する使用ファセット配置27内に伝達ファセット12を有する伝達ファセットミラー11の更に別の変形を示している。実際には、そのようなx/yアレイ内の使用ファセット12の個数は極めて多い。そのような視野ファセットアレイ配置の例は、US 6,658,084 B2(矩形視野ファセット)及びUS 2012/0 293 785 A1(円弧視野ファセット)に見出される。図6及び図7では、図1から図5を参照して上述したものに対応する構成要素及び機能は同じ参照番号を伴い、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
図6は、各場合に専用ピボット軸又は回転軸21の周りに個々に回転可能であり、同じくこの図に示すように、この目的のためにここでもまた各場合に変位アクチュエータ19に接続された2つの変更サブユニット28の側面図を示している。変更サブユニット28の各々は、そのそれぞれのピボット軸21の周りで周方向に配置され、図6の概略図にある正三角形の辺の位置を占有する3つのファセット12を有する。それぞれの使用ファセット12を図6の上部に例示しており、これらのファセットは、図6の作図面に対して垂直な伝達ファセットミラー11の面配置平面29内に一緒に位置する。一方で図6は、実際に使用されるファセット12の面トポグラフィを示しておらず、平面の生のトポグラフィを略示している。
変更サブユニット28は、x方向とy方向に同時に沿って互いに横並びで実質的に連続方式で配置することができる。図7に記載の図は、配置平面29内の使用ファセット12の4×3アレイ配置を示している。図7に記載のこの使用ファセット配置27は、対応する4×3アレイ配置からなる合計で12個の変更サブユニット28によって形成される。
変更サブユニット28の場合にも、それぞれのファセット担体22の回転軸又はピボット軸21の周りのこのファセット担体22のピボット回転又は回転により、使用ファセットの変更が発生する。図6には、ファセット担体22の最外側コーナの移動経路を破線に示している。2つのファセット担体22の一方が、図6に示す使用位置に静止状態に留まる限り、2つのファセット担体22のうちの他方は、移動中に2つのファセット担体が互いを妨害することなく回転させることができる。このようにして、例えば、図6の右にあるファセット担体22の時計方向(矢印25)のピボット回転を用いて、図6の上部の使用ファセット12を図6の左下に示す異なる面トポグラフィを有するファセット12’と交換することができる。
図6に記載の実施形態のファセット担体22は、平面端部側横壁31を有することができ、その上で、y方向に互いに隣接する変更サブユニット28が互いに対して支持している。これに代えて、特に、湾曲ファセット12を含む変更サブユニット28の変形の場合に、ファセット担体22は、ここでもまた、球面壁セクション31又は何らかの他の方法で軸21に関して回転対称に湾曲した壁セクション31を有することができる。
例示していない実施形態において、鏡面ファセットミラーではなく伝達ファセットミラーのみが、少なくとも1つの変更サブユニット16、20、28を用いて構成される。
伝達ファセットミラー11のファセットの起動可能性は、鏡面ファセットミラーの機械的に単純な実施形態を維持すると同時に物体視野3上に入射する照明光9の方向分布を変更することを可能にする。
上述の変更サブユニット16、20、28の概念はまた、視野ファセットミラーと瞳ファセットミラーとを有するフライアイコンデンサーの方式に構成することができる照明系に使用することができる。特に変更サブユニット28のこのタイプに則して相応に設計された変更サブユニットは、視野ファセットに関してそこに使用することができる。そのようなフライアイコンデンサーの例は、US 2012/0 293 785 A1及びUS 6,658,084 B2に見出される。
そのようなフライアイコンデンサー構成の場合にも、伝達ファセット12のこのタイプに則したものであってy方向に上下に重なって位置する視野ファセットの単一列を含む視野ファセットミラーを使用することができる。これを図8を参照して下記で説明する。図8は、微細構造又はナノ構造化半導体構成要素を生成するために投影露光装置4の代わりに使用することができる投影露光装置の更に別の実施形態32を示している。図1から図7に記載の投影露光装置4及びその構成要素を参照して上述したものに対応する構成要素は同じ参照番号を伴い、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
図8に記載の例示的実施形態の場合に示すように、ビーム成形デバイス10は、反射ミラーを有することができる。ビーム成形デバイス10のビーム成形面、特に反射ミラーは、自由曲面として具現化することができる。
照明系1の代わりに使用することができる投影露光装置32の照明系33は、視野ファセットミラー34と瞳ファセットミラー35とを有する。
視野ファセットミラー34は、互いの上に重なる方式で物体視野3に結像される複数の視野ファセット12を有する。
投影露光装置32の瞳平面の領域に配置された瞳ファセットミラー35は、複数の瞳ファセット36を有する。これらの瞳ファセット36は、視野ファセット12の対応する傾斜調節を用いて形成することができる対応する物体視野照明チャネルに沿って放射線源2の像として生じる可能な瞳スポットの場所に配置される。各場合に照明光部分ビーム9iで照明される瞳ファセット36の場所分布は、物体視野3内の照明光9の照明角度分布を予め定める。図1に記載の照明系1とは対照的に、図8に記載の照明系33の場合に、反射光学構成要素、すなわち、瞳ファセットミラー35が瞳平面に配置される。
物体視野3内の視野ファセット12の重ね合わせ結像は、瞳ファセット36を通じて実施される。
ナノ構造化又は微細構造化構成要素、例えば、半導体メモリチップを生成するために、レチクル5と、照明光9に対して感光性を有するコーティングを有するウェーハ8とが最初に与えられる。次に、投影露光装置4を用いてレチクル5のうちの少なくとも1つのセクションがウェーハ8上に投影される。その後に、照明光9で露光されたウェーハ8上の感光層が現像される。
レチクル5上の構造配置に依存して又は要求される分解能機能に依存して、対応する照明設定は、照明される鏡面ファセット13又は瞳ファセット25の対応する選択によって選択される。これは、変更サブユニット16又は20又は28の使用ファセットの対応する位置決めにより、すなわち、中央制御デバイス4aを用いた変位アクチュエータ19の対応する駆動によって実施される。
11 伝達ファセットミラー
12 伝達ファセット
17 使用ファセット配置
18 変位方向
19 変位アクチュエータ

Claims (11)

  1. 投影リソグラフィのための照明光学ユニットのためのファセットミラー(11;14;34)であって、
    照明光部分ビーム(9i)を各場合に反射する複数の使用ファセット(12)を含み、 変更ファセットを前記使用ファセット(12;12,13)のうちの正確に1つのものの使用の場所に交替的に位置決めすることができるファセット担体(22)上に一緒に配置された複数の変更ファセット(12,12’;12i,12i’;13)を有する少なくとも1つの変更サブユニット(16;20;28)を含み、
    前記変更サブユニット(16;20;28)を通じて変更可能な第1の使用ファセット(12)に対し、
    ある方向に沿って、前記第1の使用ファセット(12)と、前記変更サブユニットを通じて変更可能ではない使用ファセットとの間に、距離が存在し、
    前記方向に沿って、前記第1の使用ファセット(12)に隣接する使用ファセットが、前記距離の少なくとも5倍であるを有する、
    ことを特徴とするファセットミラー(11;14;34)。
  2. 前記変更サブユニット(16)は、行方向(x)に少なくとも1つのファセット行を含み、前記変更ファセット(121,121’)は、該ファセット行に沿って配置され、ファセットミラー(11;14;34)の前記使用ファセット(12)は、該ファセット行の該行方向(x)に対して横断方向(y)に配置される、
    ことを特徴とする請求項1に記載のファセットミラー。
  3. 前記変更サブユニット(20;28)は、ピボット回転可能様式に具現化され、前記変更ファセット(12,12’)は、ピボット軸(21)の周りで周方向に配置されることを特徴とする請求項1に記載のファセットミラー。
  4. 前記変更サブユニットは、隣接変更サブユニット(20;28)をそれを通じて互いに対して置くことができる回転対称壁セクション(23,24)を有するファセット担体(22)を有することを特徴とする請求項3に記載のファセットミラー。
  5. 前記ピボット回転可能変更サブユニット(28)は、2次元アレイに配置されることを特徴とする請求項3及び請求項4のいずれか1項に記載のファセットミラー。
  6. 投影リソグラフィのための照明光学ユニットであって、
    請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のファセットミラー(11;14;34)、
    を含むことを特徴とする照明光学ユニット。
  7. 視野ファセットミラー(34)と、
    瞳ファセットミラー(35)と、
    を含むことを特徴とする請求項6に記載の照明光学ユニット。
  8. 投影リソグラフィのための光学系であって、
    照明される物体を配置することができる物体視野(3)を照明するための請求項6又は請求項に記載の照明光学ユニットを含み、
    前記物体視野(3)を像視野(7)内に結像するための投影光学ユニット(6)を含む、
    ことを特徴とする光学系。
  9. 請求項6又は請求項のいずれか1項に記載の照明光学ユニットを含み、
    EUV光源(2)を含む、
    ことを特徴とする照明系。
  10. 請求項に記載の光学系と、
    EUV光源(2)と、
    を含むことを特徴とする投影露光装置。
  11. 構造化構成要素を生成する方法であって、
    請求項10に記載の投影露光装置(4)を与える段階と、
    レチクル(5)を与える段階と、
    物体視野(3)に配置された前記レチクル(5)の面をウェーハ(8)の感光層の上に投影する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
JP2017510867A 2014-08-25 2015-08-19 投影リソグラフィのための照明光学ユニットのためのファセットミラー Active JP6889103B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014216801.5 2014-08-25
DE102014216801.5A DE102014216801A1 (de) 2014-08-25 2014-08-25 Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
PCT/EP2015/069020 WO2016030243A1 (en) 2014-08-25 2015-08-19 Facet mirror for an illumination optical unit for projection lithography

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017526968A JP2017526968A (ja) 2017-09-14
JP6889103B2 true JP6889103B2 (ja) 2021-06-18

Family

ID=54014788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017510867A Active JP6889103B2 (ja) 2014-08-25 2015-08-19 投影リソグラフィのための照明光学ユニットのためのファセットミラー

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10216091B2 (ja)
JP (1) JP6889103B2 (ja)
CN (1) CN106605175B (ja)
DE (1) DE102014216801A1 (ja)
TW (1) TWI676060B (ja)
WO (1) WO2016030243A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017210206A1 (de) 2017-06-19 2018-04-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102017210190A1 (de) 2017-06-19 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element
DE102018201457A1 (de) * 2018-01-31 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018207410A1 (de) 2018-05-14 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102019214269A1 (de) * 2019-09-19 2021-03-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
DE10317667A1 (de) 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
DE102006014380A1 (de) * 2006-03-27 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille
DE102006056035A1 (de) 2006-11-28 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Mikrolithographie, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
DE102007045396A1 (de) 2007-09-21 2009-04-23 Carl Zeiss Smt Ag Bündelführender optischer Kollektor zur Erfassung der Emission einer Strahlungsquelle
DE102008001511A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102008049586A1 (de) * 2008-09-30 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
JP2011077142A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及びデバイス製造方法
DE102009054888A1 (de) * 2009-12-17 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Optisches Element mit einer Mehrzahl von refletiven Facettenelementen
JP5644416B2 (ja) * 2010-11-24 2014-12-24 株式会社ニコン 光学ユニット、光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法
DE102011083888A1 (de) * 2011-09-30 2013-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende katoptrische EUV-Projektionsoptik
DE102012207048A1 (de) * 2012-04-27 2013-04-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optischen Baugruppe
DE102012223754A1 (de) * 2012-12-19 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur automatisierten Montage von Facettenspiegeln und entsprechend hergestellte Facettenspiegel
DE102013212363A1 (de) * 2013-06-27 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, insbesondere für die EUV-Projektionslithografie

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017526968A (ja) 2017-09-14
DE102014216801A1 (de) 2016-02-25
CN106605175A (zh) 2017-04-26
CN106605175B (zh) 2020-08-11
US10216091B2 (en) 2019-02-26
TW201614305A (en) 2016-04-16
WO2016030243A1 (en) 2016-03-03
TWI676060B (zh) 2019-11-01
US20170176865A1 (en) 2017-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5755295B2 (ja) マイクロリソグラフィ露光装置においてマスクを照明するための照明系
JP6280827B2 (ja) Euvマイクロリソグラフィ用の投影露光装置の照明光学系に使用するための視野ファセットミラー
JP6889103B2 (ja) 投影リソグラフィのための照明光学ユニットのためのファセットミラー
JP5543516B2 (ja) Euvリソグラフィ用照明システム及びこの種の照明システムに使用する第1及び第2の光学要素
TWI714524B (zh) 用於投影微影的照明光學單元、光瞳琢面反射鏡、光學系統、照明系統、投影曝光裝置、用以產生一微結構組件之方法以及微結構組件
KR101854465B1 (ko) 투영 리소그라피용 조명 광학 시스템
TWI497221B (zh) 微影投射曝光裝置
JP5509933B2 (ja) オプティカルインテグレータ、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP7071436B2 (ja) Euv投影リソグラフィのための照明光学系及び照明系
KR102344280B1 (ko) 조명 시스템
TW201621474A (zh) Euv投影微影的照明光學單元
US10488567B2 (en) Faceted mirror for EUV projection lithography and illumination optical unit with same
WO2016184743A1 (en) Pupil facet mirror
KR20230036135A (ko) Euv 복사선을 안내하기 위한 광학 조명 시스템
JP2016535313A5 (ja)
JP2015517733A (ja) Euv投影リソグラフィのための照明光学ユニット
US10018917B2 (en) Illumination optical unit for EUV projection lithography
JP2021510214A (ja) 投影リソグラフィシステムのための瞳ファセットミラー、照明光学部品、および光学システム
CN111656245A (zh) 投射光刻的照明光学单元
JP2017526969A5 (ja)
TWI687776B (zh) 用以照明一照明場的照明光學單元以及包含此類照明光學單元的投射曝光裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180820

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190813

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20191105

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20200204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200720

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20201005

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210322

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20210421

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210520

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6889103

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250