KR20230036135A - Euv 복사선을 안내하기 위한 광학 조명 시스템 - Google Patents

Euv 복사선을 안내하기 위한 광학 조명 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20230036135A
KR20230036135A KR1020237004521A KR20237004521A KR20230036135A KR 20230036135 A KR20230036135 A KR 20230036135A KR 1020237004521 A KR1020237004521 A KR 1020237004521A KR 20237004521 A KR20237004521 A KR 20237004521A KR 20230036135 A KR20230036135 A KR 20230036135A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical
mirror
incidence
facet
euv
Prior art date
Application number
KR1020237004521A
Other languages
English (en)
Inventor
미카엘 파트라
Original Assignee
칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 filed Critical 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
Publication of KR20230036135A publication Critical patent/KR20230036135A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1838—Diffraction gratings for use with ultraviolet radiation or X-rays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70158—Diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70941—Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/062—Devices having a multilayer structure
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/067—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators using surface reflection, e.g. grazing incidence mirrors, gratings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

광학 조명 시스템이, EUV 광원의 소스 영역과, 이미징될 오브젝트가 배치될 수 있는 오브젝트 필드 사이에서 EUV 복사선(3i)을 안내하는데 사용된다. 이 조명 시스템은, 소스 영역과 오브젝트 필드 사이에서 EUV 복사선(3i)을 순차적으로 안내하는 EUV 미러 소자를 갖는다. EUV 미러 소자 중 하나의 소자의 적어도 하나의 반사 섹션(8, 15)이 최소 입사각과 최대 입사각 사이의 입사각 범위(Δα)의 복사선에 의해 EUV 복사선(3i)이 빔 경로 내에서 충돌할 수 있는 것이 가능하다. 빔 경로를 통해 전달되는 외래 광 복사선(36i)을 억압하기 위한 광학 회절 소자가 반사 섹션(8, 15) 상에 배치된다. 광학 회절 소자는, 전체 입사각 범위(Δα)에서, 외래 광 복사선(36i)이 반사 섹션(8, 15) 상에 입사하는 외래 광(36i)의 세기와 빔 경로의 방향에서 반사 섹션(8, 15)에 의해 반사되는 외래 광(36i)의 세기 사이의 1,000보다 양호한 억압비로 억압되도록 구현된다. 결과는 외래 광의 개선된 억압이다.

Description

EUV 복사선을 안내하기 위한 광학 조명 시스템
다음의 특허 출원의 내용은 본 명세서에서 참조로서 인용된다:
DE 10 2020 208 665.6, DE 10 2019 212 017.2, DE 10 2019 210 450.9 및 PCT/EP2020/050809.
본 발명은 EUV 복사선을 안내하기 위한 광학 조명 시스템에 관한 것이다. 본 발명은 또한 그러한 조명 시스템 및 투영 광학 유닛을 갖는 광학 시스템, 그러한 조명 시스템 및 EUV 광원을 갖는 광학 시스템, 그러한 조명 시스템을 갖는 투영 노광 장치, 그러한 투영 노광 장치로 마이크로 구조 또는 나노 구조 소자를 제조하기 위한 방법, 및 그러한 제조 방법으로 제조된 구조 소자 요소에 관한 것이다.
EUV 복사선을 안내하기 위한 광학 시스템은 DE 10 2009 044 462 A1, DE 10 2011 082 065 A1, DE 10 2017 217 867 A1, US 2015/0049321 A1, 및 US 2019/0033723 A1으로부터 알려져 있다. 문헌 10 2019 200 698 A1은 투영 노광 장치에서 사용하기 위한 EUV 집광기를 개시한다. 10.6㎛의 영역에서 CO2 레이저 파장을 회절하며, 1064㎛의 영역에서 YAG 레이저 파장을 회절하기 위한 격자 설계를 가진 집광기가 극자외선 리소그라피에 관한 2014 국제 심포지엄의 일부로서의 프리젠테이션에 관한 T. Feigl 등의 프리젠테이션, "EUV 집광기 미러에 대한 이중-파장 스펙트럼 퓨리티 필터"(미국, 워싱턴 디시, 2014년 10월 27일)로부터 알려져 있다. 문헌 10 2012 010 093 A1은 투영 리소그라피를 위한 퍼싯 미러를 개시한다.
본 발명의 목적은 배경기술에서 언급한 타입의 광학 조명 시스템에서 외래 광 억압(extraneous light suppression)을 개선하는 것이다.
이 목적은 청구항 1에 명시한 특성을 갖는 광학 조명 시스템에 의해 본 발명에 따라 달성된다.
본 발명에 따르면, 외래 광 억압을 최적화하기 위해, 억압에 사용된 광학 회절 소자를 각 경우에 갖는 EUV 미러 소자의 반사 섹션 상의 외래 광의 각각의 입사각이 또한 고려되어야 함을 알게 되었다. 외래 광 억압에 사용되는 각각의 회절 소자 상의 입사각 범위나 입사각 변경은 이 경우 외래 광의 파장 변경에 필적할 만한 효과를 갖는다. 광학 회절 소자의 대응 설계로, 특히 회절 소자의 포지티브 구조와 네거티브 구조 사이의 각각의 구조 깊이 차이를 적응시킴으로써, 대응 입사각 변경이나 입사 외래 광의 입사각 대역폭을 고려할 수 있다. 결과는 1,000(천)보다 양호한 세기 억압비를 갖는 전체 입사각 범위의 개선된 외래 광 억압이다. 이 억압비는 104보다 양호할 수 있거나, 105보다 더 양호할 수 있다. 억압되는 외래 광의 입사각 범위는 적어도 2°일 수 있고, 적어도 5°일 수 있으며, 심지어 10°보다 클 수 있다. 억압되는 외래 광 입사각 범위는 대체로 30°보다 작다.
청구항 2에 따라 적어도 3개의 회절 구조 레벨을 갖는 회절 격자로서나 광학 격자로서의 광학 회절 소자의 설계가 입사각 범위의 확대를 가능케 하며, 이 범위 동안 입사 외래 광 복사선은 1,000보다 양호한 억압비로 억압될 수 있다. 2개보다 많은 회절 구조 레벨이, 결과적인 상이한 구조 깊이의 상호동작에 의해, 대응하여 상이한 입사각이 1,000보다 양호한 고 억압비로 억압되도록 이때 설계된다.
청구항 3에 따른 입사각 범위는 기대되는 외래 광의 빔 경로에 대해 특히 효과적임이 입증되었다. 억압되는 이 입사각 범위, 즉 억압되는 외래 광 복사선의 입사각 범위의 최대 입사각과 최소 입사각 사이의 차이는 1°와 20° 사이의 범위, 1°와 15° 사이의 범위, 1°와 10° 사이의 범위, 1°와 7° 사이의 범위, 1°와 5° 사이의 범위, 1°와 4° 사이의 범위 또는 1°와 3° 사이의 범위에 있을 수 있다. 최소 입사각과 최대 입사각 사이의 이러한 타입의 최소 입사각 범위는 또한 1°보다 클 수 있으며 2°, 3° 또는 4°일 수 있다.
1,000보다 양호한 억압비로 억압되는 외래 광의 입사각 범위는 예컨대 7°의 최소 입사각과 9°의 최대 입사각 사이에 있을 수 있다. 이 입사각 범위는 또한 4°의 최소 입사각과 20°의 최대 입사각 사이에 있을 수 있다. 더 큰 최대 입사각을 갖는 입사각 범위, 예컨대 적어도 5°, 적어도 10° 또는 심지어 적어도 15°인 최소 입사각을 갖는 입사각 범위도 가능하다. 입사각 범위는 19°의 최소 입사각과 21°의 최대 입사각 사이에 있을 수 있다. 이 입사각 범위는 예컨대 9°의 최소 입사각과 14°의 최대 입사각 사이의 범위를 커버할 수 있다. 입사각 범위는 대안적으로는 또한 3°의 최소 입사각과 17°의 최대 입사각 사이의 범위를 커버할 수 있다. 억압될 입사각 범위의 입사각은 또한 상당히 더 클 수 있으며 그레이징 입사(grazing incidence)의 영역에 있을 수 있다. 최소 입사각은 예컨대 65° 또는 70°에 있을 수 있다. 입사각 범위는 이때 예컨대 70°의 최소 입사각과 80° 또는 85°의 최대 입사각 사이에서 변할 수 있다. 청구항 2에 따른 그러한 광학 회절 소자를 갖는 반사 섹션으로서의 퍼싯 미러의 적어도 일부분의 설계로 인해, 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛의 퍼싯 미러의 퍼싯 상에서 효율적인 외래 광 억압을 위한 회절 소자를 수용할 수 있다. 그러한 퍼싯 미러 내의 빔 경로는 대체로 무시할 수 없는 입사각 대역폭을 가져서, 심지어 광학 회절 소자의 대응 설계로 인해서 우수한 외래 광 억압이 보장된다.
청구항 3에 따른 일 실시예는 퍼싯 미러의 제조를 간략화한다. 대안적으로, 또한, 적어도 하나의 퍼싯의 섹션만이 외래 광의 전체 입사각 대역폭 내에서 외래 광 억압을 위해 설계될 수 있다. 외래 광을 억압하는 광학 회절 소자를, 오직 이것이 효율적으로 가능한 경우에만, 즉 특정 퍼싯 또는 특정 퍼싯 섹션 상에서만 갖는 퍼싯 미러를 구비함으로써, 고 EUV 사용 광 처리율(throughput)을 갖는 퍼싯 미러를 보장한다.
청구항 4 및 청구항 5에 따른 실시예가 실제로 유용함이 입증되었다.
청구항 6에 따른 MEMS 실시예는 융통성있게 사용 가능한 광학 조명 시스템을 제공한다. MEMS 미러는 필드 퍼싯 미러 또는 퓨필 퍼싯 미러의 기능을 가질 수 있다. MEMS 미러는 또한 정반사기(specular reflector)의 일체부일 수 도 있다. 정반사기가 예컨대 US 8 934 085 B2, US 2006/0 132 747 A1, EP 1 614 008 B1 및 US 6 573 978에 기재되어 있다.
청구항 7에 따라, 입사각 범위 내에서 외래 광 억압을 위한 광학 회절 소자로 설계되는 개별 미러의 그룹화는, 투영 노광 장치 내에서 특정 조명 설정을 실현하는데 필요한 그룹화로 조정될 수 있다. 그러한 개별 미러 그룹은 예컨대 버츄얼 필드 퍼싯(virtual field facet)을 나타낼 수 있다.
청구항 8에 따른 그룹화는 그러한 개별 미러 모듈의 제조를 간략화한다.
청구항 9 또는 청구항 10에 기재된 광학 시스템, 청구항 11에 기재된 투영 노광 장치, 청구항 12에 기재된 제조 방법 또는 청구항 13에 기재된 마이크로 구조 또는 나노 구조 소자의 장점은 광학 조명 시스템을 참조하여 앞서 이미 논의한 것들에 대응한다.
소자는 반도체 칩, 특히 메모리 칩일 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예는 도면을 참조하여 이하에서 더 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 EUV 마이크로리소그라피를 위한 투영 노광 장치를 개략적으로 도시한다.
도 2는, 더 상세하게 도시한 조명 광학 유닛을 갖는 투영 노광 장치의 광학 시스템의 실시예를, 또한 개략적으로 및 자오단면에서 도시한다.
도 3은, "직사각형 필드" 실시예에서 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛의 필드 퍼싯 미러의 퍼싯 배치도를 도시한다.
도 4는, "호형 필드" 실시예에서 필드 퍼싯 미러의 추가 실시예의 퍼싯 배치를 도 3과 유사한 예시로 도시한다.
도 5는 퓨필 퍼싯 미러의 퍼싯 배치의 실시예를 도시한다.
도 6은, 회절, 외래-광-억압 효과를 위한 광학 격자의 실시예를 통한 단면을 도시하며, 단면 평면은 광학 격자의 회절 구조의 길이 방향 범위에 수직이며, 광학 격자는, 전체 입사각 범위에서 입사한 외래 광 복사선이 더 낮은 비의 스레시홀드 값보다 더 양호한 세기 억압비로 억압된다.
도 7은, 도 1에 따른 투영 노광 장치의 EUV 광원의 플라즈마 소스 영역 내외로의 광 경로를 자오단면에서 도시하며, 특히 EUV 집광기 미러 상의 도 6에 따른 실시예에서의 광학 격자의 회절, 외래-광-억압 효과가 도시되며, 이러한 집광기 미러는 EUV 소스 영역의 하류에서 EUV 사용 광을 안내하는 제1 소자를 나타낸다.
도 8은 2개의 퍼싯 미러를 갖는 조명 광학 유닛과 3개의 미러를 갖는 하류의 투과 광학 유닛의 추가 실시예를 도시한다.
도 9는, 도 6과 기본적으로는 유사한 예시로서, 더 낮은 비의 스레시홀드 값보다 양호한 세기 억압비로 전체 입사각 범위 내에서 외래 광 복사선을 억압하도록 구현되며 상이한 외래 광 파장을 억압하도록 구현되는, 회절, 외래-광-억압 효과를 위한 광학 회절 소자로서의 광학 격자의 추가 실시예를 통한 단면을 도시한다.
도 10은, 행과 열로 격자-타입 방식으로 배치되는 구조 섹션을 갖고 전체 입사각 범위 내에서 상이한 외래 광 파장을 억압하기 위한 광학 격자의 추가 실시예의 평면도를 도시하며, 구조 섹션의 구조 깊이는 대응 깊이 값의 표시에 의해 예시되어 있다.
도 11은 도 10에 따른 광학 회절 격자를 도시하며, 도 10의 깊이 값에 대응하는 에칭 깊이 영역은 상이한 타입의 사선으로 예시되어 있다.
도 12는, 도 9와 유사한 예시로, 외래 광, 특히 서로 상이한 3개의 회절 구조 레벨로 구현되는, 전체 입사각 범위 내의 상이한 외래 광 파장을 억압하기 위한 광학 회절 격자의 추가 실시예를 도시한다.
도 13은, EUV 광원의 플라즈마 소스 영역으로부터 시작하여, EUV 복사선의 빔 경로의 중간 초점에 집속하기 위한 EUV 집광기 상에 입사하는 상이한 개별 광선의 입사각을 예시하기 위한 도 7보다 더 추상적인 자오단면을 도시한다.
도 14는, 도 13과 유사한 예시로서, 플라즈마 소스 영역에서 주석 방울(tin droplet) 형태의 플라즈마-생성 매체 상의 펌프 광 프리펄스의 입사 동안의 커런트 상황을 도시한다.
도 15는, 도 14와 유사한 예시로서, 플라즈마 소스 영역에서 플라즈마-생성 매체 상의 펌프 광 메인 펄스의 입사 동안의 커런트 상황을 도시한다.
도 16은 도 4에 따른 필드 퍼싯 미러의 확대된 필드 퍼싯을 도시하며, 이때 조명 광학 유닛의 EUV 빔 경로 내에서 필드 퍼싯 상에 중앙에 입사하는 광선이 필드 퍼싯의 제1 경사 포지션에 대한 제1 입사각으로 입사한다.
도 17은, 도 16과 유사한 예시로서, 도 16과 비교하여 필드 퍼싯의 상이한 경사 포지션의 경우에 광선의 입사 동안의 입사각 비를 도시한다.
도 18은, 조명 광학 유닛의 필드 퍼싯 상의 기하학적 입사각 비를 예시하기 위한 개략적 예시를 도시한다.
도 19는, 최소 입사각과 최대 입사각 사이의 입사각 범위에서 외래 광을 억압하며 및/또는 상이한 외래 광 파장을 억압하기 위한 도 11의 타입의 광학 회절 격자를 갖는 필드 퍼싯 중 하나의 평면도를 도시한다.
도 20은, 도 6, 도 9 및 도 12와 유사한 예시로서, 바이너리 격자로서 구현되는 정확히 하나의 파장의 외래 광을 억압하기 위한 광학 회절 격자의 추가 실시예를 도시한다.
도 21은, 도 19와 유사한 예시로서, 도 20에 따른 광학 회절 격자를 갖는, 도 3에 따른 필드 퍼싯 미러의 필드 퍼싯을 도시한다.
도 22는, 도 15와 유사한 예시로서, 필드 퍼싯 미러의 배치 평면의 빔 경로에서 펌프 광 메인 펄스의 선택된 광선에 대한 광선 각도 비를 도시한다.
도 23은, 도 20에 따른 격자를 갖는, 조명 광학 유닛의 퓨필 퍼싯 미러의 추가 실시예의 퓨필 퍼싯의 평면도를 도시한다.
도 24는, 필드 퍼싯 중 하나와, 그에 할당된 퓨필 퍼싯 사이에서의, 퓨필 퍼싯 상의 입사각 범위를 예시하기 위한, 조명 광학 유닛의 완전 조명 또는 복사 채널의 빔 경로를 개략적으로 도시한다.
도 25는, 도 23과 유사한 예시로서, 최소 입사각과 최대 입사각 사이의 입사각 범위에서 외래 광을 억압하며 및/또는 상이한 외래 광 파장을 억압하기 위한 도 11에 따른 광학 회절 격자를 갖는 퓨필 퍼싯을 도시한다.
도 26은, 도 24와 유사한 예시로서, 제1 필드 퍼싯이 퓨필 퍼싯의 제1 경사 포지션에서 이 퓨필 퍼싯에 할당될 때의 이 퓨필 퍼싯 상의 입사각 비를 도시한다.
도 27은, 다른 필드 퍼싯이 퓨필 퍼싯에 할당되며 퓨필 퍼싯이 상이한 경사 포지션을 갖는, 도 26에 따른 퍼싯 배치를 도시한다.
도 28은, 상이한 경사 포지션으로 인한 및 필드 퍼싯의 확장으로 인한 퓨필 퍼싯 상의 전체 입사각 범위를 예시하기 위한 도 26 및 도 27에 따른 경사 포지션에서의 퓨필 퍼싯 상의 광선 충돌을 확대한 상세도로 도시한다.
도 29는, 도 22와 유사한 예시로서, 필드 퍼싯과 퓨필 퍼싯을 갖는 조명 광학 유닛의 실시예를 도시하며, 필드 퍼싯 중 일부와 퓨필 퍼싯 중 일부는 펌프 광 메인-펄스 파장의 외래 광을 억엡하도록 구현된다.
도 30은, 집광기 미러 상의 빔 경로 내의 입사각을 예시하기 위한 조명 광학 유닛의 집광기 미러와 투영 노광 장치의 투영 광학 유닛의 진입 퓨필 사이의 빔 경로의 예시를 개략적으로 도시한다.
도 31은, 격자로 배치되며 모듈로 나눠지는 많은 수의 MEMS 개별 미러로 구성되는 필드 퍼싯 미러의 추가 실시예의 섹션을 도시하며, 추가로 도시되는 것은 필드 퍼싯 미러의 이 실시예에서 MEMS 개별 미러의 대응 그룹화에 의해 형성될 수 있으며 그 기능 면에서 앞서 도시한 필드 퍼싯에 대응할 수 있는 3개의 필드 퍼싯의 주변 윤곽이다.
도 32는, 도 31과 유사한 예시로서, 퓨필 퍼싯 미러의 추가 실시예의 섹션을 도시하며, 그 퓨필 퍼싯은 이제 대응 그룹화를 갖는 MEMS 개별 미러로 형성되며, 그룹화로 인해 발생하는 다수의 이들 퓨필 퍼싯의 주변 윤곽을 예를 들어 도시하고 있다.
마이크로리소그라픽 투영 노광 장치(1)는 마이크로 구조 또는 나노 구조 전자 반도체 디바이스를 제조하는데 사용된다. 광원(2)은, 예컨대 5nm와 30nm 사이의 파장 범위에서 EUV 복사선을 방출하며, 이 파장 범위는 조명에 사용된다. 광원(2)은 GDPP(Gas Discharge Produced Plasma) 소스 또는 LPP(Laser Produced Plasma) 소스일 수 있다. 조명 광 빔 또는 이미징 광 빔(3) 형태의 EUV 조명 광 또는 조명 복사선은 투영 노광 장치(1) 내에서 조명 및 이미징하는데 사용된다. EUV 조명 광은 또한 UEV 사용 광으로서 지칭된다. EUV 사용 광을 위한 예시적인 파장은 13nm, 13.5nm, 6.7nm, 6.9nm 또는 7nm이다.
이미징 광 빔(3)은 광원(2)의 소스 영역(4)으로부터 방사되며, 먼저 집광기(5)에 입사되며, 집광기(5)는 예컨대 EUV 사용 광의 그레이징 입사 하에서 동작하는 미러를 가진 종래 기술로부터 알려진 멀티-쉘 구조를 가진 네스팅된 집광기(nested collector)(도 2에 따른 개략적 예시와 비교) 또는 대안적으로는 광원(2) 뒤에 배치되는 타원 형상의 집광기(도 1에 따른 개략적 예시 및 도 7에 따른 예시와 비교)일 수 있다. 집광기(5) 이후, EUV 조명 광(3)은 먼저 중간 초점 평면(6)을 통과하며, 이 평면(6)은 이미징 광 빔(3)을 원치 않는 복사선 또는 입자 성분으로부터 분리하며, 특히 이미징 광 빔(3)을 외래 광으로부터 분리하는데 사용된다. 이 분리는 이하에서 도 7과 연계하여 예를 들어 설명할 것이다.
중간 초점 평면(6)을 통과한 후, 이미징 광 빔(3)은 필드 퍼싯 미러(7) 상에 먼저 입사한다. 필드 퍼싯 미러(7)는 투영 노광 장치(1)의 제1 퍼싯 미러를 나타내며, 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(9)의 일부이다. 필드 퍼싯 미러(7)는, 제1 미러 캐리어(7a) 상에 배치되는 다수의 필드 퍼싯(8)을 갖는다(도 3 및 도 4와 또한 비교).
위치 관계의 설명을 간략화하기 위해, 직교 범용 xyz-좌표계가 도면에서 각 경우에 도시된다. 도 1 및 도 2에서 x-축은 도면의 평면에 수직으로 그 외부로 연장한다. y-축은 도 1 및 도 2에서 오른쪽으로 연장한다. z-축은 도 1 및 도 2에서 윗쪽으로 연장한다.
투영 노광 장치(1)의 개별 광학 소자의 경우에 위치 관계의 설명을 간략화하기 위해, 직교 국부적 xyz- 또는 xy-좌표계가 다음의 도면 각각에서 사용된다. 달리 기재하지 않는다면, 각각의 국부 xy 좌표계는 광학 소자의 각각의 주 배치 평면, 예컨대 반사 평면에 걸쳐져 있다. 범용 xyz-좌표계와 국부 xyz- 또는 xy-좌표계의 x-축은 서로 평행하게 연장한다. 국부 xyz- 또는 xy-좌표계의 각각의 y-축은, x-축을 중심으로 한 각 광학 소자의 경사각에 대응하는 범용 xyz-좌표계의 y-축에 대한 각도를 갖는다.
도 3은, "직사각형 필드" 실시예에서 필드 퍼싯 미러(7)의 필드 퍼싯(8)의 퍼싯 배치를 예를 들어 도시한다. 필드 퍼싯(8)은 직사각형이며, 각각 동일한 x/y 종횡비를 갖는다. x/y 종횡비는 2보다 크다. x/y 종횡비는 예컨대 12/5일 수 있고, 25/4일 수 있고, 104/8일 수 있고, 20/1일 수 있거나, 30/1일 수 있다.
필드 퍼싯(8)은 필드 퍼싯 미러(7)의 반사면을 규정하며, 6 내지 8개의 필드 퍼싯 그룹(10a, 10b) 각각의 4개의 열로 그룹화된다. 필드 퍼싯 그룹(10a)은 각각 7개의 필드 퍼싯(8)을 갖는다. 2개의 중간 필드 퍼싯 열의 2개의 추가 주변 필드 퍼싯 그룹(10b)은 각각 4개의 필드 퍼싯(8)을 갖는다. 2개의 중간 퍼싯 열 사이와 제3 퍼싯 행과 제4 퍼싯 행 사이에서, 필드 퍼싯 미러(7)의 퍼싯 배치는 중간 공간(11)을 가지며, 이 공간(11)에서, 필드 퍼싯 미러(7)는 집광기(5)의 스포크(spokes)를 보관함으로써 쉐이딩된다(shaded). LPP 소스가 광원(2)으로서 사용된다면, 대응하는 쉐이딩은 또한 주석 방울 생성기로 인해 야기될 수 도 있으며, 이러한 주석 방울 생성기는 집광기(5)에 인접하게 배치되며 도면에 도시하지는 않는다.
필드 퍼싯(8)은 각 경우에 다수의 상이한 경사 포지션 사이에서 전환될 수 있다. 예컨대, 3개의 경사 포지션 사이에서 전환될 수 있다. 필드 퍼싯 미러(7)의 실시예에 의존하여, 필드 퍼싯(8) 모두나 그 중 일부가 또한 2개의 상이한 경사 포지션 사이 또는 3개보다 많은 상이한 경사 포지션 사이에서 전환될 수 도 있다. 이를 위해, 필드 퍼싯 각각은 각각의 작동기(12)에 연결되며, 작동기(12)는 도 3에서 매우 개략적으로 도시되어 있다. 모든 경사 가능한 필드 퍼싯(8)의 작동기(12)는 중앙 제어 디바이스(13)를 통해 제어될 수 있으며, 이러한 중앙 제어 디바이스(13)는 또한 도 3에 개략적으로 예시되어 있다.
작동기(12)는, 이들이 필드 퍼싯(8)을 별도의 경사 기여로 경사지게 하도록 설계될 수 있다. 이점은 예컨대 2개의 단부 조리개(stop) 사이를 경사지게 함으로써 보장될 수 있다. 연속적인 경사짐 또는 막대한 수의 이산 경사 포지션 사이의 경사짐이 또한 가능하다.
필드 퍼싯 미러(7)에서의 반사 후, 개별 필드 퍼싯(8)에 할당된 이미징 광 부분 빔으로 나눠지는 이미징 광 빔(3)이 조명 광학 유닛(9)의 퓨필 퍼싯 미러(14) 상에 입사된다. 전체 이미징 광 빔(3)의 각각의 이미징 광 부분 빔은 각 경우에 하나의 이미징 광 채널을 따라 안내되며, 이러한 이미징 광 채널은 또한 복사선 채널로서, 완전 조명 채널로서 또는 필드 퍼싯 이미징 채널로서 지칭된다.
도 4는 필드 퍼싯 미러(7)의 추가 실시예인 "호형 필드"를 도시한다. 도 3에 따른 필드 퍼싯 미러(7)를 참조하여 앞서 설명한 것들에 대응한 소자는 동일한 참조번호를 가지며, 도 3에 따른 필드 퍼싯 미러(7)의 소자와 상이한 경우에만 설명한다.
도 4에 따른 필드 퍼싯 미러(7)는 만곡된 필드 퍼싯(8)을 갖는 필드 퍼싯 배치를 갖는다. 이들 필드 퍼싯(8)은 총 5개의 열로 배치되며, 각각의 열은 다수의 필드 퍼싯 그룹(10)을 갖는다. 필드 퍼싯 배치는 필드 퍼싯 미러(7)의 미러 캐리어(7a)의 원형 경계에 내접하고 있다(inscribed).
도 4에 따른 실시예의 필드 퍼싯(8)은 모두 동일한 면적과 x-방향에서의 폭과 y-방향에서의 높이의 동일한 비를 가지며, 이 비는 도 3에 따른 실시예의 필드 퍼싯(8)의 x/y 종횡비에 대응한다.
도 5는 퓨필 퍼싯 미러(14)의 퓨필 퍼싯(15)의 예시적인 퍼싯 미러를 매우 개략적으로 도시한다. 퓨필 퍼싯 미러(14)는 투영 노광 장치(1)의 제2 퍼싯 미러를 나타낸다. 퓨필 퍼싯 미러(14)는 조명 광학 유닛(9)의 퓨필 평면(16)에 배치된다. 퓨필 퍼싯(15)은, 도 5에서 둘레 섹션에만 나타낸 동공 퍼싯 미러(14)의 캐리어 플레이트(17) 상에 배치된다. 퓨필 퍼싯(11)은 퓨필 퍼싯 미러 캐리어(17) 상에서 퍼싯 배치 중심(Z) 주위에 배치된다.
퓨필 퍼싯(15)은, 필드 퍼싯(8) 중 하나에 의해 반사되는 EUV 조명 광(3)의 각각의 이미징 광 부분 빔에 할당되어, 각 경우에 필드 퍼싯(8) 중 정확히 하나와 퓨필 퍼싯(15) 중 정확히 하나를 갖는 충돌된 퍼싯 쌍이 EUV 조명 광(3)의 연관된 이미징 광 부분 빔에 대한 이미징 광 채널을 규정한다.
퓨필 퍼싯(15)의 필드 퍼싯(8)으로의 채널-방식 할당은 투영 노광 장치(1)에 의한 원하는 조명에 의존하여 발생한다. 필드 퍼싯(8) 각각은 상이한 가능 필드 퍼싯 경사 포지션에 의해 상이한 이미징 광 채널을 규정할 수 있다. 조명 광 부분 빔은, 서로 중첩되어 그에 따라 규정되는 필드 퍼싯 이미징 채널을 통해 투영 노광 장치(1)의 오브젝트 필드(18)에 안내된다.
필드 퍼싯(8)은 투영 노광 장치(1)의 오브젝트 평면(21)에 이미징되며, 집광기 미러(19)를 갖는 후속한 투과 광학 유닛(20)과 퓨필 퍼싯 미러(14)를 통해 오브젝트 필드(18)에서 중첩된다. 대안적으로, 투과 광학 유닛(20)은 집광기 미러(19) 외에 추가 EUV 미러를, 예컨대 2개, 3개 또는 3개보다 많은 미러를 가질 수 도 있다(이 점에서 또한 도 8과 비교).
도 1에서, 집광기 미러(19)는 그레이징 입사를 위한 미러로서 나타내어져 있다. 도 2에 따른 실시예는 45°보다 작은 입사각을 갖는 미러로서 집광기 미러(19)를 도시한다.
오직 각각의 퓨필 퍼싯(15)이 할당된 필드 퍼싯(8)의 오브젝트 필드(18)로의 이미징을 보장하는 투과 광학 유닛(20)의 변형이 또한 가능하다. 투과 광학 유닛의 추가 소자는, 퓨필 퍼싯 미러(14)가 후속한 투영 광학 유닛(22)의 진입 퓨필에 바로 배치된다면, 필요 없을 수 있다. 투과 광학 유닛(20)은 다수의 미러를 또한 가질 수 있다.
오브젝트 평면(21)에서, 리소그라피 마스크나 레티클(23) 형태의 오브젝트가 배치되며, 그 중, 완전 조명 영역은 EUV 조명 광(3)으로 완전히 조명되며, 여기서, 투영 노광 장치(1)의 하류 투영 광학 유닛(22)의 오브젝트 필드(18)가 위치한다. 완전 조명 영역은 또한 조명 필드로서 지칭된다. 오브젝트 필드(18)는 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(9)의 특정 실시예에 의존하여 직사각형 또는 호형이다. 필드 퍼싯 이미징 채널의 필드 퍼싯 이미지는 오브젝트 필드(18)에서 중첩된다.
EUV 조명 광(3)은 레티클(23)에 의해 반사된다. 레티클(23)은 오브젝트 홀더(24)에 의해 유지되며, 오브젝트 홀더(24)는 개략적으로 나타낸 오브젝트 변위 드라이브(25)를 이용하여 변위 방향(y)을 따라 구동되는 방식으로 변위될 수 있다.
투영 광학 유닛(22)은 오브젝트 평면(21)에서의 오브젝트 필드(18)를 이미지 평면(27)에서의 이미지 필드(26)에 이미징한다. 이 이미지 평면(27)에서, 투영 노광 동안 투영 노광 장치(1)로 노광되는 감광 층을 운반하는 웨이퍼(28)가 배치된다. 웨이퍼(28), 즉 이미지가 이미징되고 있는 기판은 웨이퍼 또는 기판 홀더(29)에 의해 유지되며, 이 홀더(29)는, 오브젝트 홀더(24)의 변위와 동기적으로, 또한 개략적으로 나타내는 웨이퍼 변위 드라이브(30)를 이용하여 변위 방향(y)을 따라 변위할 수 있다. 투영 노광 동안, 레티클(23)과 웨이퍼(28) 모두는 y-방향으로 동기화된 방식으로 주사된다. 투영 노광 장치(1)는 스캐너로서 구현된다. 주사 방향(y)은 오브젝트 변위 방향이다.
투과 광학 유닛(20)의 필드 퍼싯 미러(7), 퓨필 퍼싯 미러(14) 및 집광기 미러(19)는 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(9)의 일체형 부분이다. 투영 광학 유닛(22)과 함께, 조명 광학 유닛(9)은 투영 노광 장치(1)의 조명 시스템을 형성한다.
완전 조명 채널에 할당된 대응 필드 퍼싯(8)을 통해 조명 광(3)에 의해 충돌되는 퓨필 퍼싯(15)의 각 그룹은 각각의 조명 설정, 즉 오브젝트 필드(18)의 조명 동안 조명각 분포 - 투영 노광 장치(1)를 통해 명시될 수 있음 - 를 규정한다. 필드 퍼싯(8)의 경사 포지션을 전환함으로써, 상이한 그러한 조명 설정 사이에서 전환할 수 있다. 그러한 조명 설정의 예가 WO 2014/075902 A1 및 WO 2011/154244 A1에서 기재되어 있다.
각 경우에, EUV 사용 광(3)으로부터 벗어난 파장을 갖는 외래 광 복사선을 억제하기 위해, 광학 격자로서 구현되는 광학 회절 소자(31)가, EUV 사용 광에 반사성이도록 구현되며 후속하여 소스 영역(4)과 오브젝트 필드(18) 사이에서 EUV 사용 광을 안내하며 또한 EUV 미러 소자로서 지칭되는 소자 중 적어도 2개의 소자 상에 배치된다. 특히 반사 섹션 상에 충돌하는 외래 광 복사선의 최소 입사각과 최대 입사각 사이의 전체 입사각 범위에서 외래 광 복사선을 억압하기 위한 광학 회절 소자(31)가 각각의 EUV 미러 소자의 반사 섹션 상에서, 즉 EUV 미러 소자의 전체 반사면 상에서 또는 EUV 미러 소자의 반사면의 일 섹션 또는 복수 섹션 상에서 구현될 수 있다. 전체 입사각 범위에서, 광학 회절 소자(31)는 외래 광 복사선을 반사 섹션 상에 입사하는 외래 광의 세기 대 EUV 빔 경로의 방향으로 반사 섹션에 의해 반사되는 외래 광의 세기의 억압비 - 1,000보다 양호함 - 로 외래 광 복사선을 억압할 수 있다. 광학 회절 소자(31)로 반사 섹션에 의해 보장되는 세기 억압비는 104보다 양호할 수 있거나 105보다 더 양호할 수 있다. 반사 섹션 상에서 광학 회절 소자(31)에 의한 전체 입사각 범위에서의 외래 광 복사선의 억압에 관한 상세는 광학 회절 소자의 추가 예시적인 실시예와 연계하여 이하에서 더 상세하게 설명될 것이다.
광학 회절 소자(31)의 배치에 이용 가능한, 소스 영역(4)과 오브젝트 필드(18) 사이의 EUV 미러 소자로는 EUV 집광기(5), 필드 퍼싯 미러(7), 퓨필 퍼싯 미러(14) 및 집광기(19)가 있다.
도 6은, 포지티브 회절 구조(32)(피크)와 네거티브 회절 구조(33)(밸리)를 갖는 바이너리 격자로서 구현되는 광학 회절 소자(31)의 측면도를 도시한다. 광학 회절 소자(31)의 격자 기간(P)과 바이너리 격자의 구조 깊이(d)는, 외래 광이 예컨대 EUV 사용 광의 빔 경로 외부로 +/- 제1 차 회절로 회절될 수 있으며, 예컨대 외래 광 반사기를 통해 및/또는 빔 범프, 즉 외래 광 트랩을 통해 멀리 안내될 수 있는 방식으로 억압되는 외래 광 파장에 매칭된다.
도 6은, 예컨대 EUV 집광기(5)에 사용될 수 있는 광학 격자(31)의 실시예의 회절 구조(32, 33)의 주기성을 단면으로 도시한다. 도 6에 따른 단면 평면은 도시한 좌표계의 xz-평면으로 연장한다. 광학 격자의 격자면은 도 6에서 xy 평면에 평행하게 연장한다.
회절 구조(32, 33)는 도 6에서 그 길이 방향 범위(y)에 수직인 단면에 있다. 즉, 이들은 도 6에서 도면 평면에 수직으로 연장한다.
광학 회절 소자(31)의 회절 구조(32, 33)는 EUV 사용 광에 비효율적이다.
광학 회절 소자(31)는 EUV 사용 광에 매우 반사성이다. 이를 위해, 광학 회절 소자(31)의 바이너리 격자 구조는 다층 코팅(34)을 가지며, 이러한 다층 코팅(34)은, 그 굴절률과 층 두께가 반사될 EUV 사용 광의 구조적 간섭에 매칭하는 상이한 소재의 다수의 또는 복수의 교대되는 개별 층으로서 구현될 수 있다.
도 2는, 2개의 퍼싯 미러(7, 14) 각각이 광학 회절 소자(31)를 운반하는 경우를 나타낸다. 이들 2개의 광학 회절 소자의 격자 기간은 상이한 외래 광 목표 파장에의 적응으로 인해 상이하다.
도 7은, 외래 광을 억압하기 위한 도 6의 회절 구조의 방식으로 집광기(5) 상에 장착된 광학 회절 소자(31)의 효과를 예를 들어 도시한다. 도시된 것은 EUV 광원(2)의 소스 영역(4) 내외로의 빔 경로이며, 특히 도 7에서는 실제 축적대로 도시되지는 않은 광학 회절 소자(31)가 구비되는 EUV 집광기(5)의 외래-광-억압 효과이다.
펌프 광(35), 예컨대 CO2 레이저의 방출광은 소스 영역(4)에 집속되며 목표 매체(더 상세하게는 도시되지 않음)와 상호동작하며, 이러한 목표 매체는 EUV 사용 파장, 예컨대 6.9nm 또는 13nm를 갖는 EUV 사용 광(3)과, EUV 사용 파장과는 벗어나 있는 파장을 갖는 외래 광(36)을 방출한다. 외래 광(36)의 상당한 부분은 펌프 광(35)의 파장을 갖는다. 펌프 광(35)은 집광기(5)에서 관통 개구(35a)를 통과한다.
EUV 사용 광(3)과 외래 광(36) 모두는 EUV 집광기(5)의 미러면에 의해 반사되며, 이 미러면은, 도시한 실시예에서는 광학 회절 소자(31)를 지니고 있다.
회절 구조(32, 33)는 도 7에서는 실제 축적대로 도시되어 있지는 않다.
광학 격자(31)는 외래 광(36)의 회절 편향에 역할을 하여, EUV 사용 광(3)만이 중간 초점 조리개(stop)(37)를 통과하며, 이 조리개(37)는 중간 초점 평면(6)에 배치되어 있다. 중간 초점 평면(6)은 소스 영역(4)의 이미지 평면을 나타낸다. 대응하여, EUV 집광기(5)의 미러면은 원뿔 섹션면(conic section surface)의 기본 형상을 갖는다. 도 7에 도시한 실시예에서, 미러면은 타원체면(ellipsoidal surface)의 기본 형상을 가지며, 그 하나의 초점에서, 소스 영역(4)이 배치되며, 다른 초점에서, 중간 초점(IF)(38)이 중간 초점 평면(6)에 있다.
도 7과 연계하여 기재한 실시예에서, 집광기(5) 외에, 추가 EUV 미러 소자가 외래 광을 억압하기 위해 도 6에 따른 대응 광학 회절 소자(31)를 지닌다. 예컨대, 필드 퍼싯 미러(7)의 필드 퍼싯(8)에는 대응 회절 구조(32, 33)가 구비될 수 있다. 대안적으로 또는 추가로, 퓨필 퍼싯 미러(14)의 퓨필 퍼싯(15)은 외래 광을 억압하기 위한 대응 회절 구조(32, 33)가 구비될 수 있다. 대안적으로 또는 추가로, 집광기 미러(19)는, 도 1에 따른 그레이징 입사의 실시예에서나, 도 2에 따른 더 작은 입사각을 가진 반사에 대한 실시예에서 중 어느 하나에서, 외래 광을 억압하기 위한 대응 회절 구조(32, 33)를 지닐 수 있다. EUV 미러 소자(5(집광기), 7(필드 퍼싯 미러), 14(퓨필 퍼싯 미러) 및 19(집광기)) 중 적어도 2개에는 외래 광을 억압하기 위한 대응 회절 구조를 가진 광학 회절 소자(31)가 구비된다. 필드 퍼싯 미러(7) 및/또는 퓨필 퍼싯 미러(14) 및/또는 집광기 미러(19) 상의 광학 회절 소자(31)의 효과는, 상이한 외래 광 파장에 대해 후술될 설계와는 달리, 도 7 및 집광기(5)와 연계하여 앞서 기재했던 효과에 대응한다. 심지어 다른 EUV 미러 소자(7, 14 또는 19) 중 하나에 적용될 때도, 거기 장착된 광학 회절 소자(31)는 EUV 사용 광의 빔 경로 외부로 EUV 사용 광으로부터 벗어난 파장을 갖는 외래 광을 회절시킨다.
상이한 EUV 미러 소자(5, 7, 14, 19) 중 적어도 2개 상에 장착되는 광학 회절 소자(31)는 상이한 외래 광 파장을 억압하도록 설계된다. 예컨대, 광학 회절 소자(31)는, EUV 플라즈마 소스로서 구현되는 광원(2)의 메인 펄스의 파장을 갖는 외래 광을 억압하도록 설계될 수 있다. 적어도 하나의 추가 EUV 미러 소자 상의, 예컨대 필더 퍼싯 미러(7) 상의 광학 회절 소자(31)는 이때 다른 외래 광 파장, 예컨대 EUV 플라즈마 소스의 프리펄스의 파장을 억압하도록 구현될 수 있다. 메인 펄스의 파장은 예컨대 10.6㎛일 수 있다. 프리펄스의 파장은 예컨대 10.2㎛일 수 있다.
상이한 EUV 미러 소자(5, 7, 14, 19) 상의 광학 회절 소자(31) 각각은 외래 광을 억압하기 위해 정확히 하나의 특정 목표 파장을 가질 수 있다.
대안적으로, 상이한 EUV 미러 소자(5, 7, 14, 19) 상의 이들 광학 회절 소자(31) 각각은 그 자신의 메인 목표 파장을 가질 수 있지만, 또한 추가 2차 파장을 추가로 억압할 수 있다.
외래 광을 억압하기 위한 광학 회절 소자(31)를 각각 갖는 2개의 EUV 미러 소자와 달리, 소스 영역(4)과 오브젝트 필드(18) 사이의 빔 경로에서의 EUV 미러 소자 중 다른 소자들은 그러한 광학 회절 소자 없이 구현될 수 있다.
집광기 미러(19)가 여러 EUV 목표 파장을 억압하기 위한 또는 외래 광의 입사각 범위에서 외래 광을 억압하기 위한 광학 회절 소자로 구성되는 한, 광학 회절 소자는, 억압이 10°보다 큰, 15°보다 큰 및 예컨대 19°의 영역에서의 최소 입사각과, 30°보다 작은, 25°보다 작은 및 예컨대 21°의 영역에서의 최대 입사각 사이에서 1,000보다 양호한 억압비로 실행된다. 최대 외래 광 입사각과 최소 외래 광 입사각 사이의 입사각 범위는 광학 회절 소자가 집광기 미러(19)에 대해 설계될 때 1° 또는 2°의 영역에 있을 수 있다.
투영 노광 장치(1)의 추가 실시예는, 다시 조명 광학 유닛을 갖고, 도 8을 참조하여 이하에서 기재된다. 도 1 내지 도 7을 참조하여 앞서 이미 설명했던 것들에 대응하는 소자와 기능은 동일한 참조번호를 가지며 다시 상세하게 논의하지 않을 것이다.
단일 집광기 미러 대신, 도 8에 따른 투과 광학 유닛(20)은 필드 퍼싯 미러(7)의 필드 퍼싯을 오브젝트 평면(21)에 이미징하기 위해 총 3개의 EUV 미러(19a, 19b 및 19c)를 갖는다. 2개의 EUV 미러(19a, 19b)는, 45° 미만인 조명 광(3)의 입사각을 갖는 NI(Normal Incidence) 미러로서 구현된다. EUV 미러(19c)는 45°보다 큰 조명 광(3)의 입사각을 갖는 GI(Grazig Incidence) 미러로서 구현된다. 미러(19a, 19b 및 19c)를 갖는 투과 광학 유닛(20)은 퓨필 퍼싯 미러(14)의 배치 평면의 영역에서의 조명 퓨필 평면을 투영 광학 유닛(22)의 진입 퓨필로의 이미징을 또한 보장할 수 있다. 조명 광학 유닛의 그러한 구조는 DE 10 2015 208 571 A1으로부터 기본적으로 알려져 있다.
도 8에 따른 조명 광학 유닛(9)의 실시예에서, 2개의 EUV 미러(19a 및 19b)는 각각 상이한 EUV 목표 파장을 억압하기 위한, 즉 외래 광을 억압하기 위한 광학 회절 소자(31) 중 하나를 지닌다. 도 8에 따른 이 조명 광학 유닛(9)의 다른 변형에서, EUV 미러 소자(7, 14, 19a, 19b 및 19c) 중 2개의 다른 소자가 또한 대응 광학 회절 소자(31)를 지닐 수 있다. EUV 미러 소자(7, 14, 19a, 19b 및 19c) 중 2개 보다 많은 소자나 모두가 대응 광학 회절 소자(31) - 이들 소자 중, 적어도 2개는 외래 광을 억압하기 위한 그 자신의 목표 파장을 가짐 - 를 지니는 변형이 또한 가능하다. 도 1 내지 도 7에 따른 실시예에 관해 앞서 이미 설명했던 점이 여기서 그에 따라 적용된다.
EUV 미러(19c), 즉 GI 미러가 여러 EUV 목표 파장을 억압하기 위한 또는 외래-광 입사각 범위에서 외래 광을 억압하기 위한 광학 회절 소자로 구현된다면, 광학 회절 소자는, 65°의 영역에서의 최소 입사각과 85°의 영역에서의 최대 입사각 사이의 억압이 1,000보다 양호한 억압비로 억압되도록 설계될 수 있다. 이 입사각 범위는 또한 70°의 최소 입사각과 80°의 최대 입사각 사이에 있을 수 있다. 광학 회절 소자가 그러한 GI 미러를 위해 설계된다면, 최대 외래-광 입사각과 최소 외래-광 입사각 사이의 입사각 범위는 1°와 5°사이에 있을 수 있다. 집광기(5)에서의 반사 후 조명 광(3)의 제1 입사 방향은, 도 1에 따른 실시예에서 도시된 바와 같이, 상방(above)으로부터 경사져 있을 수 도 있거나, 도 8에 도시된 바와 같이, 하방(below)으로부터 경사져 있을 수 있다. 예컨대 상방으로부터 수직이거나 하방으로부터 수직인 입사 방향도 가능하며, 이것은 그 후 대응하여 각각의 조명 광학 유닛(9)에 의해 오브젝트 필드(18)를 조명하기 위한 입사 방향으로 옮겨진다.
도 9는, 도 6에 따른 것과 필적할 수 있는 광학 회절 소자(40)의 추가 실시예를 단면 예시로 도시한다. 회절 격자(40)는 x-방향에 평행하게 연장하는 기간 크기 방향(R)을 따라 격자 기간(P) 내에서 연속적인 회절 구조 레벨을 갖는다: 구조 깊이 0을 갖는 N1, 구조 깊이 dv를 갖는 N2, 구조 깊이 dh를 갖는 N3 및 구조 깊이 dv+dh를 갖는 N4. 다음이 적용된다: dh<dv. 다음이 적용된다: dv+dh>dh, dv. 동일한 구조 깊이 차 dv가 그러므로 레벨(N1과 N2) 사이와 레벨(N3과 N4) 사이에 존재한다. 각 경우에, 동일한 구조 깊이 차 dh가 레벨(N1과 N3) 사이와 레벨(N2와 N4) 사이에 존재한다. 회절 격자(40)는 그러므로 총 4개의 회절 구조 레벨(N1 내지 N4)을 가지며, 이들 레벨은 그 구조 깊이 면에서 상이하다.
레벨(N1 내지 N4)은 회절 격자(40)의 구조 세션을 나타내며, 크기 방향(R)을 따른 그 크기는 각 경우에 P/4이다.
구조 깊이 dv 및 dh를 적절히 설계함으로써, 회절 격자(40)는 상이한 외래 광 파장(λ1, λ2)을 억압하는데, 예컨대 10.2㎛인 플라즈마 광원(2)의 펌프 광 프리펄스의 파장(λ1) 및 예컨대 10.6㎛인 광원(2)의 펌프 광 메인 펄스의 파장(λ2)을 억압하는데 사용될 수 있다.
회절 격자(40)는 EUV 미러 소자(5, 7, 14, 19) 중 적어도 하나의 반사 섹션에 다시 적용될 수 있다. 회절 격자(40)는, 1,000보다 양호한 세기 억압비로 입사 외래 광 복사선의 최소 입사각과 최대 입사각 사이의 전체 입사각 범위 내에서 외래 광 복사선(36)을 억압하도록 구성될 수 있다. 이 경우에, 도 6의 광학 회절 소자(31)에 관해 앞서 언급했던 것이 그에 따라 적용된다.
도 9에 따른 회절 격자(40)에서, 상이한 회절 구조 레벨(N1 내지 N4)은 크기 방향(R)을 따라 서로 옆에 있다.
회절 격자(40)는 앞서 논의했던 광학 회절 소자 중 하나 대신 사용될 수 있다. 게다가, 회절 격자(40)는 추가 소자와 기능, 예컨대 다른 회절 격자에 관해 앞서 이미 설명했던 것에 따른 다층 코팅을 구비할 수 있다. 이점은 또한 후술될 회절 격자 실시예에 그에 따라 적용된다.
도 10은, 특히 도 9에 따른 회절 격자(40) 대신 사용될 수 있는 회절 격자(41) 형태의 광학 회절 소자의 추가 실시예를 도시한다.
회절 격자(41)는 회절 구조 레벨(N1, N4)을 갖는 구조 섹션으로 나눠지며, 그 구조 깊이는 도 9와 연계하여 앞서 이미 설명한 것들에 대응한다.
회절 격자(41)에서, x-방향(격자 기간(P1))과 y-방향(격자 기간(P2))으로 크기 방향을 갖는 기간(P1 및 P2)을 갖는 2개의 격자가 중첩된다. 결과는, 함께 결합되는 여러 2×2 격자 셀로서 이해될 수 있는 회절 구조 레벨(N1 내지 N4)의 격자 타입 또는 체스판-타입 배치이며, 이때 이들 격자 셀(42) 중 하나가 도 10에 점선으로 강조되어 있다. 이 격자 셀(42)은 제1 행에서 왼쪽 상에서 구조 깊이 0을 갖는 다음의 구조 레벨(N1)과, 오른쪽 상에서 구조 깊이 dv를 갖는 회절 구조 레벨(N2)을 가지며, 제2 행에서 왼쪽 상에서 구조 깊이 dh를 갖는 회절 구조 레벨(N3)과, 오른쪽 상에서 구조 깊이 dh+dv를 갖는 회절 구조 레벨(N4)을 갖는다.
회절 격자(41)의 회절 효과는 이제 다수의 상이한 외래 광 파장으로부터 외래 광을 억압하는데 사용될 수 있다. 회절 격자(41)의 회절 효과는, 회절 격자(41)가 구비되는 각각의 EUV 미러 소자(5, 7, 14, 19)의 반사 섹션 상에서 외래 광 복사선(36)의 전체 입사각 범위 내에서 외래 광을 억압하는데 또한 사용될 수 있다.
도 11은, 상이한 회절 구조 레벨(N1 내지 N4)의 격자 배치를 예시하기 위한 회절 격자(41)의 대안적인 예시를 도시한다.
회절 격자(40, 41)는 2개의 순차적인 에칭 공정에 의해 제조될 수 있다. 회절 구조 레벨(N1)의 위치에서, 적절한 마스크를 사용하여, 에칭은 실행되지 않으며, 구조 깊이 dv를 갖는 회절 구조 레벨(N2 및 N4)의 위치에서 및 구조 깊이 dh를 갖는 회절 구조 레벨(N3 및 N4)의 위치에서, 에칭은 실행되며, 이제 대응하는 마스크가 사용되며, 회절 구조 레벨(N4)만이 에칭 단계를 모두 겪어서, 총 구조 깊이 dh+dv가 여기서 생성된다.
dv는 2.65㎛의 영역에 있을 수 있다. dh는 2.55㎛의 영역에 있을 수 있다. 구조 깊이 차 dv를 갖는 부분 격자는 그에 따라 10.6㎛의 외래 광 파장을 억압하는데 사용될 수 있으며, 구조 깊이 차 dh를 갖는 부분 격자는 10.2㎛의 외래 광 파장을 억압하는데 사용될 수 있다.
입사 외래 광 복사선의 입사각에 관한 구조 깊이 dv 및 dh의 추가 의존성을 포함하기 위해, 회절 격자, 특히 회절 격자(41)는 각각의 EUV 미러 소자의 에어리어 위에서 변하는 구조 깊이로 구현될 수 있다. 이 구조 깊이 변경은 그라데이션 형태로 또는 연속해서 발생할 수 있다.
도 9와 유사한 예시에서, 도 12는, 회절 격자(40) 또는 앞서 설명한 다른 회절 격자에 대안으로서나 그에 추가하여 사용될 수 있는 회절 격자(40a) 형태의 광학 회절 소자의 추가 실시예를 도시한다.
회절 격자(40a)는 격자 기간(P) 내에서 총 3개의 타입의 회절 구조 레벨(N1, N2 및 N3)을 가지며, 이들 타입 각각은 크기 방향(R)을 따라서 격자 기간(P) 내에서 P/4의 구조 섹션 길이를 갖는다. 회절 구조 레벨(N1)은 중립 구조 섹션으로서 구현된다. 회절 구조 레벨(N2)은 포지티브 구조 섹션으로서 구현되며, 그 구조 깊이는 중립 구조 섹션(N1)으로부터 값 d1만큼 상이하다. 회절 구조 레벨(N3)은 네거티브 구조 섹션으로서 구현되며, 그 구조 깊이는 중립 구조 섹션(N1)의 구조 깊이로부터 값 d2만큼 상이하다. 구조 깊이 d1 및 d2는 상이할 수 있지만 또한 동일할 수 도 있다. 회절 격자(40)의 구조 깊이 dv, dh에 대해서 앞서 언급한 것은 구조 깊이 d1, d2의 절대값에 적용될 수 있다. 격자 기간(P) 내에서, 회절 구조 레벨의 시퀀스는 도 12에서처럼 N1, N2, N1 및 N3일 수 있다. 회절 구조 레벨의 다른 시퀀스도 가능하며, 중립 구조 섹션(N1)은 총 2배의 길이, 즉 P/2를 갖는다.
2개 보다 많은 회절 구조 레벨을 갖는 회절 격자가 사용된다면, 상이한 구조 깊이가 외래 광의 전체 억압을 최적화하기 위해 상이하며 가깝게 위치한 파장을 억압하도록 구현될 수 있다.
10.6㎛의 파장을 갖는 펌프 광을 억압하기 위해, 2개의 구조 깊이 dv, dh 또는 d1, d2를 갖는 회절 격자가 사용될 수 있으며, 파장 10.59㎛ 및 10.61㎛에 대해서 설계되며 예컨대 2.6475㎛ 및 2.6525㎛일 수 있다.
2개 보다 많은 회절 구조 레벨을 갖는 회절 격자가, 단 하나의 목표 파장이 입사각 공차를 개선하기 위해 억압된다면, 또한 억압 대역폭을 개선하는데 사용될 수 있다. 2개보다 많은 회절 구조 레벨을 갖는 그러한 회절 격자는, 회절 격자(40, 40a, 41)에 입사한 외래 광의 입사각 대역폭 내에서 억압을 개선하는데 또한 사용될 수 있다. 입사각 공차를 갖는 외래 광 억압을 위한 광학 회절 소자가 이런 방식으로 구현될 수 있다. 이 점에서의 상세는 다음의 예시적인 실시예와 연계하여 설명될 것이다.
격자(40, 40a, 41)의 에칭 깊이(dv, dh 또는 d1, d2)가 억압될 외래 광 파장의 1/4일 수 있다.
집광기(5)에 입사되는 EUV 및 외래 광 복사선의 입사각 의존성을 도 13을 참조하여 예시한다. 여기서, 2개의 상이한 외래 광 광선(361, 362), 예컨대 펌프 광 프리펄스의 빔 경로를 도시한다. 집광기(5)에서 관통 개구(도 13에서는 도시하지 않음)(도 7에서 관통 개구(35a)와 비교)를 통한 펌프 광의 진입이 도 13에 도시되어 있지 않다.
외래 광 광선(361)은 집광기(5)의 반사면을 향한 펌프 광 프리펄스의 역반사의 결과이며, 역반사는 소스 영역(4)에서 발생한다. 역반사된 외래 광 광선(361)은 집광기(5)의 반사면 상에 수직으로, 즉 0°의 입사각으로 입사되며, 거기서부터, 중간 초점(38)을 향해, 외래 광 억압이 발생하지 않는다면, 반사되며, 이 경우, 소스 영역(4)을 통과한다. 도 13에 도시한 추가 외래 광 광선(362)은 집광기(5)의 반사면에 거의 90°의 편향각으로 소스 영역(4)으로부터 편향되며, 대략 30°의 입사각(α)으로 집광기(5)의 반사면 상에 입사된다.
집광기(5)가 외래 광을 억압하기 위한 광학 회절 소자를 구비할 때, 예컨대 각각의 입사각(α)에 적응되는 구조 깊이 dv, dh를 갖는 회절 격자(41)가 중앙의 회전 대칭 축(43)을 중심으로 집광기(5)의 동심 표면 섹션에 그에 따라 있다. 에칭 깊이 dh, dv는 입사각 코사인에 따라 증가해야 한다.
도 14는, 펌프 광 프리펄스(351)가 주석 방울(44) 형태의 플라즈마-생성 매체에 입사할 때 플라즈마 광원(2) 내에서 조사 상태를 예시한다. 펌프 광 프리펄스(351)는 집광기(5)의 관통 개구(35a)를 통과하여, 회전 대칭 축(43)을 따라 이동하며, 주석 방울(44) 상에서 소스 영역(4)에 입사하며, 주석 방울(44)은 회전 대칭 축(43)에 수직인 움직임 방향(45)으로 움직이고 있다.
도 15는, 주석 방울(44)이 프리펄스에 의해 증기화한 후 소스 영역(4)에 도달한 펌프 광 메인 펄스(352)의 조사 상태를 도시한다. 펌프 광 메인 펄스(352)는 주석 방울(44)에 대해 주석 방울(44) 상에 편심적으로 입사하며, 그 결과로, 펌프 광 메인 펄스(352)는 주로 집광기(5)의 편심 집광기 섹션(46)의 방향으로 주석 방울(44)에 의해 반사된다. 집광기 섹션(46)은, 예컨대 집광기(5)의 총 반사면의 1/10보다 더 작은 에어리어를 갖는다. 집광기 섹션(46)은 자오평면 내에서, 즉 도 15의 도면의 평면 내에서와 회전 대칭 축(43)을 중심으로 둘레 방향에서 경계가 정해진다.
집광기(5)는, 광학 회절 소자의 제1 타입, 예컨대 제1 격자 타입이 집광기 섹션(46)에 존재하며, 집광기(5)의 나머지 반사면은 광학 회절 소자의 제2 타입, 예컨대 제2 격자 타입이 구비되는 방식으로 구현될 수 있다. 대안적으로, 집광기(5)의 나머지 반사면은 또한 외래 광을 억압하기 위한 회절 소자 없이 구비될 수 있다.
제1 격자 타입은 프리펄스 파장과 메인 펄스 파장 모두에 대해 회절 격자(40, 40a, 41)의 방식으로 복수의 격자로서 구현될 수 있다. 대안적으로, 제1 격자 타입은 오로지 메인 펄스 파장을 억압하도록 구현될 수 있다.
집광기 섹션(46) 외부의 제2 격자 타입은 프리펄스 파장을 억압하는데만 사용될 수 있으며, 마찬가지로 두 파장 모두에 대해 복수의 격자로서 구현될 수 있다. 집광기 섹션(46)과 집광기(5)의 나머지 반사면 영역에서 이들 두 타입의 격자의 임의의 원하는 변형이 가능하다.
두 타입의 격자 중 하나가 정확히 하나의 펌프 광 파장에 대해서만 설계된다면, 이 격자는 특히 광학 회절 소자(31)의 방식으로 바이너리 격자로서 구현될 수 있다.
집광기(5)의 반사면의 상이한 표면 섹션에서 사용될 수 있는 상이한 타입의 격자가 기대되는 입사 외래 광에 의존하여, 이 입사 외래 광의 억압 및/또는 EUV 사용 광에 대한 반사도에 최적화될 수 있다.
외래 광 억압에 관한 입사각에 조정된 회절 격자는, 도 13과 연계하여 앞서 언급한 바와 같이, 외래 광 복사선이 최소 입사각(αmin)과 최대 입사각(αmax) 사이의 전체 입사각 범위에서 억압되도록 광학 회절 소자의 설계의 예이다. 입사각 범위는 여기서, 각각의 EUV 미러 소자의 반사면의 상이한 섹션이 억압될 외래 광 복사선의 상이한 입사각에 의해 충돌된다는 사실에 의해 획득될 수 있다. 대안적으로 도는 추가로, 반사면의 하나의 동일한 섹션은 또한 입사각 범위 내에서 상이한 입사각을 갖는 외래 광 복사선에 의해 충돌할 수 있다. 각각의 광학 회절 소자는, 이들 상이한 경우가 전체 입사각 범위에서 외래 광 억압에서 고려되도록 설계된다. 회절 격자에 입사하는 외래 광의 세기와 EUV 사용 복사선에 대한 빔 경로 방향으로 나타나는 외래 광의 세기 사이의 억압비는 1,000보다 양호할 수 있으며, 특히 104 또는 105보다 양호할 수 있다.
다음에서, 광학 회절 소자의 변경의 추가 실시예를 설명할 것이며, 이들 실시예는 최소 입사각과 최대 입사각 사이의 입사각 범위에서 외래 광을 억압하도록 설계된다. 이들 광학 회절 소자는 EUV 미러 소자의 반사 섹션 상에서 구현될 수 있다. 그에 따라 설계된 광학 회절 소자를 갖는 각각의 반사 섹션은 필드 퍼싯(8) 또는 그 섹션 중 적어도 하나일 수 있으며, 퓨필 퍼싯(15) 또는 그 섹션 중 적어도 하나일 수 있거나, 또한 집광기(5) 또는 집광기 미러(19)의 반사면의 섹션 또는 그 각각의 전체 반사면일 수 있다.
도 16은 도 4에 따른 필드 퍼싯 미러(7)의 필드 퍼싯(8) 중 하나를 도시한다. 조명 광(3i) 및/또는 외래 광(16i)일 수 있으며 조명 광학 유닛(9)의 빔 경로를 따라 안내되는 입사 광선이 중심(8z)의 영역에서 필드 퍼싯(8)의 반사면에 법선(N)에 관한 입사각(α1)으로 필드 퍼싯(8)의 중심(8z)에 입사된다.
도 17은 도 16과 비교하여 경사져 있는 경사 포지션에서 필드 퍼싯(8)을 도시하며, 이 경사 포지션으로, 필드 퍼싯은 그에 할당된 작동기(12)의 작동에 의해 경사져 있다. 도 17에 따른 이 경사 포지션에서, 광선(3i, 16i)이, 도 16에 따른 입사각(α1)과 비교하여 더 큰 입사각(α2)으로 필드 퍼싯(8)의 반사면에 입사한다.
입사각(α1, α2)은 도 16 및 도 17에서 매우 과장되어 도시되어 있다. 입사각(α1)은 예컨대 8°일 수 있으며, 입사각(α2)은 12°일 수 있다.
최소 입사각(α1)은 또한 8°보다 작을 수 있으며 예컨대 7°일 수 있다. 최대 입사각(α2)은 12°보다 작을 수 있으며 예컨대 9°일 수 있다.
최소 입사각(α1)은 또한 9°일 수 있으며, 최대 입사각(α2)은 14°일 수 있다.
입사각 범위, 즉 최대 입사각과 최소 입사각 사이의 차이는 상대적으로 작을 수 있으며, 1°과 5° 사이 또는 그렇지 않으면 2°와 4° 사이 또는 3°과 4° 사이일 수 있다.
이들 입사각에 의존하여, 입사각을 고려하여 효과적으로 억압되는 파장은 이때, 10.2㎛의 실제 파장(λ1)과 10.6㎛의 실제 파장(λ2)보다는, 도 16에 따른 경사 포지션(입사각(α1))에서:
- 10.2㎛/(cos 8°) = 10.3㎛,
- 10.6㎛/(cos 8°) = 10.7㎛이며,
도 17에 따른 경사 포지션(입사각(α2))에서:
- 10.2㎛/(cos 12°) = 10.43㎛,
- 10.6㎛/(cos 12°) = 10.84㎛이다.
10.3㎛과 10.84㎛ 사이의 범위에 있는 이들 유효 파장을 억압하기 위해, 필드 퍼싯(8)은 다수의 외래 광 파장을 억압하기 위한 2개보다 많은 회절 구조 레벨을 갖는 도 9 내지 도 12의 타입에 따른 회절 격자(40, 40a, 41)로 구현될 수 있으며, 예컨대, 설계는, 억압될 외래 광 파장 중 제1 파장이 10.30㎛이며, 억압될 2개의 외래 광 파장 중 제2 파장이 보통은 10.84㎛이도록 이뤄질 수 도 있다. 에칭 깊이 dh, dv 또는 d1, d2는 이때 2.575㎛ 및 2.709㎛일 수 있다. 이 설계에 사용되는 유효 파장은 그에 따라 최소 입사각을 갖는 최소 실제 파장일 수 있으며, 최대 입사각을 갖는 최대 실제 파장일 수 있다.
대안적으로, 적어도 3개의 회절 구조 레벨(Ni)을 갖는 격자는 또한, 상기 예에서는 결국 10.6㎛/(cos 8°) = 10.7㎛이며 10.6㎛/(cos 12°) = 10.84㎛인 구조 깊이와 2.676㎛ 및 2.709㎛인 대응 에칭 깊이 di를 야기하는 펌프 광 메인 펄스의 파장에 대한 입사각 범위만을 억압하도록 또한 설계될 수 있다.
입사각(α)에 관한 필드 퍼싯 경사각의 영향 외에, 필드 퍼싯(8) 상의 각각의 광선(3i, 16i)의 입사 지점도 입사각에 영향을 미친다. 도 18은 여기서 고려될 차원을 예시한다. 중간 초점(38)과, 단일 필드 퍼싯(8)에 의해 예시되는 필드 퍼싯 미러(7)의 배치 평면 사이의 거리는 1,500mm인 영역에 있을 수 있다. 각각의 필드 퍼싯의 x-연장 b은 75mm일 수 있다.
각각의 필드 퍼싯(8) 상의 광선의 입사 지점에 의존하여, 50mrad의 범위에서, 즉 3°바로 아래의 범위에서, 입사각의 변경이 있다. 이 입사각 변경은 또한, 회절 격자의 구조 깊이 d 또는 di를 설계할 때 고려될 수 있다. 회절 격자는 특히, 에칭 깊이 di가 필드 퍼싯(8)의 반사면 위에서 변하는 방식으로 설계될 수 있다.
도 19는 회절 격자(41)의 타입의 회절 격자를 갖는 필드 퍼싯 중 하나를 도시한다. 회절 격자(41)의 구조 섹션의 격자 배치의 행과 열을 따른 기간 크기 방향(R1, R2)은 xy-평면(y= 주사 방향)에서 대략 30°의 배향각(O)으로 x, y-좌표계로 연장한다. 이점은, 회절 격자(41)의 회절 효과가 오브젝트 필드를 통한 오브젝트 지점의 주사 동안 평균화되며, 원치 않는 체계적 회절 구조 효과가 x 오브젝트 좌표 위에서 결국 야기되지 않음을 보장한다.
회절 격자(41)의 격자 기간(P1, P2)은 x- 및 y-방향으로 필드 퍼싯(8)의 크기(x0, y0)보다 작다. 이점은, 파괴 간섭으로 인한 외래 광 억압의 경우에 필드 퍼싯(8) 상의 회절 격자(41)의 충분한 회절 효과를 보장한다.
기간 크기 방향(R1, R2)과 필드 퍼싯(8)의 좌표(x, y) 사이의 배향각(O)은 10°와 80°사이의 범위, 특히 20°와 70° 사이의 범위 및 예컨대 30°또는 60°일 수 있다. 기간 크기 방향을 갖는 회절 격자를 사용할 때, 주사 방향(y)에 관한 기간 크기 방향의 배향은 각 경우에 90°와 상이하며 및/또는 0°와 상이한 배향각으로 연장해야 한다.
2-스테이지 격자, 특히 바이너리 격자 형태의 격자가 오로지 하나의 외래 광 파장, 특히 펌프 광 메인 펄스의 파장을 억압하는데 사용될 수 있다. 그러한 바이너리 격자의 실시예는 도 6과 연계하여 앞서 이미 설명되었다.
도 20은, 바이너리 격자로서 구현되는 회절 격자(47) 형태의 외래 광을 억압하기 위한 광학 회절 소자의 추가 실시예를 도시한다. 구조 깊이나 에칭 깊이 d는 포지티브 회절 구조(32)와 네거티브 회절 구조(33) 사이에 존재한다. 10.6㎛의 외래 광 파장을 억압하기 위해, 구조 깊이 d는, 10°, d=λeff/4(λeff = 10.6㎛/(cos 10°))의 회절 격자(47)가 구비된 EUV 미러 소자 상의 외래 광의 평균 입사각에 있다. 결과는 2.691㎛의 구조 깊이 d이다.
도 21은, 도 20에 따른 회절 격자(47)가 구비된 도 3에 따른 필드 퍼싯 미러의 필드 퍼싯의 방식으로 필드 퍼싯(8)을 도시한다. 회절 격자(47)의 기간 크기 방향(R)은 다시 필드 퍼싯(8)의 x-좌표와 대략 30°의 배향각(O)을 포함한다.
필드 퍼싯(8)의 x-크기(x0)와 회절 격자(47)의 기간(P) 사이의 비(x0/P)는 대략 5/1이다.
필드 퍼싯 미러(7)의 모든 필드 퍼싯이 외래 광을 억압하기 위한 광학 회절 소자가 동일한 방식으로 구비되어야 하는 것은 아니다. 예컨대, 필드 퍼싯 미러(7)의 필드 퍼싯(8)의 배치 서브영역(48) 내에서 모든 필드 퍼싯(8)의 서브그룹만이 펌프 광 파장을 억압하기 위한 회절 격자가 구비될 수 있다.
도 22는, 필드 퍼싯 미러(7)의 전체 퍼싯 배치 영역 내에서 배치 서브영역(48)의 선택을 예시한다. 배치 서브영역(48)은, 펌프 광 메인 펄스(352)의 빔 경로의 영역에 있는 이들 필드 퍼싯(8)을 커버하도록 명시되어 있다. 배치 서브영역(48)에 있는 필드 퍼싯은 이제 광학 회절 소자, 예컨대 도 20에 따른 회절 격자(47)가 구비되어, 펌프 광 메인 펄스의 파장을 억압한다. 배치 서브영역(48) 외부의 다른 필드 퍼싯에는 다른 타입의 필드 퍼싯이 구비될 수 있으며, 이러한 필드 퍼싯은 외래 광을 억압하기 위한 광학 회절 소자를 갖지 않거나, 특히 EUV 사용 광(3)에 대해 더 높은 반사도를 갖는 다른 타입의 광학 회절 소자를 갖거나 중 어느 하나이다.
도 23은, 도 5에 따른 퓨필 퍼싯 미러(14)에서 원형 퓨필 퍼싯 대신 사용될 수 있는 퓨필 퍼싯(15)을 도시한다. 도 23에 따른 퓨필 퍼싯(15)은, 이제 외래 광을 억압하기 위한 광학 회절 소자를 지닌다. 도 23에 따른 실시예에서, 이것은 도 20 및 도 21과 연계하여 앞서 이미 기재된 바이너리 회절 격자(47)이다. 퓨필 퍼싯(15)에 대한 회절 격자(47)의 경우에, 또한, 기간 크기 방향(R)은, 예컨대 x-좌표에 관해 30°일 수 있는 배향각(O)으로 연장한다.
퓨필 퍼싯(15)의 통상 직경은 회절 격자(47)의 격자 기간(P)의 크기의 대략 5배 내지 10배이다.
퓨필 퍼싯(15)은 또한 회절 격자 형태의 광학 회절 소자가 구비될 수 있으며, 여기서 입사 복사선의 최소 입사각과 최대 입사각 사이의 입사각 범위가 고려된다.
도 24는, 필드 퍼싯(8) 중 하나와, 그에 할당되는 퓨필 퍼싯(15) 사이의 조명 또는 완전 조명 채널의 빔 경로의 일부를 도시한다. 필드 퍼싯(8)의 반대편 주변 영역으로부터 방사되는 2개의 개별 광선(3i, 16i 및 3j, 16j)이 예를 들어 도시되어 있다. 이들 개별 광선은 퓨필 퍼싯(15) 상의 입사각 범위의 주변 또는 입사각의 입사각 인터벌(Δα)을 표시한다(mark). 필드 퍼싯(8)의 반사면의 각각의 크기와 필드 퍼싯(8)과 연관된 퓨필 퍼싯(15) 사이의 거리를 고려하면, 이 입사각 인터벌(Δα)은 30mrad와 50mrad 사이의 범위에, 즉 대략 2°의 범위에 있다. 이 입사각 인터벌(Δα)과, 퓨필 퍼싯(15) 상의 최소 입사각과 최대 입사각 사이의 결과적인 입사각 범위는 퓨필 퍼싯(15)이 구비하는 광학 회절 소자, 예컨대, 필드 퍼싯(8)의 장비와 연계하여 앞서 이미 설명한 바와 같이, 앞서 기재한 변형에 따른 회절 격자의 실시예를 설계할 때 고려될 수 있다.
도 25는, 도 10 및 도 11과 연계하여 앞서 설명한 타입의 회절 격자(41)를 갖는 퓨필 퍼싯(15) 중 하나를 도시한다. 크기 방향(R1, R2)은 다시, 도 19에서 필드 퍼싯(8)과 연계하여 앞서 이미 설명한 바와 같이, 퓨필 퍼싯(15)의 x- 및 y-좌표에 관해 경사져 있다. 기간(P1, P2)과 퓨필 퍼싯(15)의 통상 직경 사이의 비는 1/5와 1/15 사이의 범위에 있을 수 있다.
가능한 퓨필 퍼싯(15)의 경사성(tiltability)은 원칙적으로, 도 26 내지 도 28을 참조하여 이하에서 설명될 바와 같이, 외래 광을 억압하기 위한 각각의 광학 회절 소자를 설계하기 위해 퓨필 퍼싯(15) 상의 입사각 인터벌(Δα)에 추가로 영향을 미칠 수 있다. 경사 가능한 필드 퍼싯(8)과 필적하게, 도 26에 따른 경사 가능한 퓨필 퍼싯(15)은 각각의 퓨필 퍼싯(15)에 동작적으로 연결되는 경사 작동기(49)를 갖는다.
도 26은 필드 퍼싯 미러(7)의 필드 퍼싯(81)과 퓨필 퍼싯(15) 사이의 제1 완전 조명 채널 할당을 도시한다. 퓨필 퍼싯(15)은, 이 완전 조명 채널을 통해 안내되는 조명 광(3)을 반사하기 위해 제1 경사 포지션에 있다. 제1 입사각 인터벌은, 도 24와 연계하여 앞서 이미 설명한 것에 대응하는 필드 퍼싯(81)의 확장으로 인한 결과이다.
도 27은, 퓨필 퍼싯(15)이 조명 광(3)을 안내하기 위해 완전 조명 채널을 통해 상이한 필드 퍼싯(82)이 할당되는 다른 퍼싯 할당을 도시한다. 퓨필 퍼싯(15)은 이 때 도 26과 비교하여 상이한 경사 포지션에 있으며, 이점은 퓨필 퍼싯(15)에 입사한 조명 광(3) 및 그에 따라 전해질 수 도 있는 외래 광의 상이한 입사각 인터벌을 야기한다.
도 28은, 도 26 및 도 27에 따른 경사 포지션으로 인한 전환 가능한 또는 경사 가능한 퓨필 퍼싯(15)을 설계할 때 고려되어야 하는 결과적인 총 입사각 인터벌(ΔαG)을 도시한다. 이 총 입사각 인터벌은 4°와 15° 사이의 범위에 있을 수 있다. 즉, 최소 입각은 4°이며, 최대 입사각은 15°이다.
최소 입사각은 또한 더 작을 수 있으며, 예컨대 2° 또는 3°일 수 있다. 최소 입사각은 또한 4°보다 클 수 있으며 예컨대 5° 또는 8°일 수 있다. 최대 입사각은 15°보다 클 수 있으며 예컨대 20°일 수 있다. 억압되는 총 입사각 범위, 즉 각 퓨필 퍼싯 상의 최대 입사각과 최소 입사각 사이의 차이는 상대적으로 작을 수 있으며, 예컨대 1°일 수 있다. 예컨대 2° 또는 3°인 더 큰 입사각 범위도 가능하다.
최소 입사각은 또한 3°의 범위에 있을 수 있으며, 최대 입사각은 17°의 범위에 있을 수 있다. 억압될 입사각 범위, 즉 최대 입사각과 최소 입사각 사이의 차이는 1°와 3° 사이의 범위에 있을 수 있다.
10.2㎛와 10.6㎛의 2개의 외래 광 파장을 억압하기 위해, 1/4×10.2㎛/(cos 4°) = 10.225㎛/4인 제1 구조 깊이 dh 또는 dl과 1/4×10.6㎛/(cos 15°) = 10.974㎛/4의 구조 깊이 dv 또는 d2가 이때 선택될 수 있다.
도 29는, 도 22와 연계하여 앞서 설명한 개념 "상이한 회절 격자 타입을 갖는 퍼싯"의 확장을 도시한다. 2개의 상이한 회절 억압 타입 i 및 j의 필드 퍼싯(8i, 8j)의 사용 외에, 대응하여 할당된 퓨필 퍼싯 타입(15i, 15j)이 사용될 수 있으며, 이점은 마찬가지로 회절 억압 타입 면에서 상이하다. 도 29에 따른 예에서 필드 퍼싯 미러(7)의 배치 서브영역(48) 내에 배치되는 필드 퍼싯(8i)이 대응 완전 조명 채널(3i)을 통해 퓨필 퍼싯(15)이 할당될 수 있으며, 그 광학 회절 소자는 펌프 광 메인 펄스 파장을 억압하도록 설계된다. 격자 타입(i, j)의 할당을 위해, 도 15에 따른 반사기(5)의 회절 격자의 격자 타입(1 및 2)(제1 및 제2 격자 타입)과 연계하여 앞서 언급했던 것이 적용될 수 도 있다.
집광기 미러(19)는 또한 회절 격자의 형태로 광학 회절 소자가 구비될 수 있으며, 회절 소자의 억압 효과는 최소 입사각과 최대 입사각 사이에서의 입사 복사선의 입사각 범위를 위해 설계된다.
도 30은 EUV 복사선뿐만 아니라 집광기 미러(19)와 투영 광학 유닛(22)의 진입 퓨필(50) 사이를 따라서 전달될 수 도 있는 외래 광 복사선의 빔 경로의 일부의 기하학적 예시를 도시한다. 레티클(23)은 집광기 미러(19)와 진입 퓨필(50) 사이에 있다. 진입 퓨필(50)은 또한 도 30에 도시한 것과 레티클(23) 및 집광기 미러(19)에 대해 상이한 포지션을 가질 수 있다.
EUV 빔 경로의 주변 광선(3RS)은 도 30에서 점선으로 도시되며, 도 30에 도시한 자오단면에서 진입 퓨필(50) 및 레티클(23)의 주변 지점 쌍을 통과한다. 도 30에서, 예시적인 개별 광선(3i)은 실선으로 도시되며, 집광기 미러 상의 정확히 하나의 특정 지점(19i)으로부터 방사되며 EUV 빔 경로의 일부이며 집광기 미러(19) 상의 최소 입사각과 최대 입사각을 나타낸다. 2개의 광선(3i)은 그러므로 광학 회절 소자, 특히 앞서 논의된 외래 광 억압을 위한 광학 회절 격자의 변형 중 하나에 의해 외래 광 억압을 위해 커버되어야 하는 입사각 범위의 측정이다.
도 31은, 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(9) 내에서 앞서 설명한 필드 퍼싯 미러(7) 대신 사용될 수 있는 필드 퍼싯 미러(51)의 섹션을 도시한다. 필드 퍼싯 미러(51)의 퍼싯 배치의 예시한 섹션은 총 6개의 개별 미러 모듈(521 1 내지 522 3)로 나눠지며, 참조번호(52i j)는 i-행 및 j-열 내에서 개별 미러 모듈(52i j)의 포지션을 나타낸다. 개별 미러 모듈(52) 각각은 이제 MEMS 개별 미러로서 구현될 수 있는 개별 미러(53)의 10×10 격자를 갖는다. 각각의 개별 미러 모듈(52)은 개별 미러(53)의 그룹을 나타낸다.
필드 퍼싯 미러(51)의 예시한 섹션을 통해, 버추얼 필드 퍼싯으로도 알려져 있는 3개의 필드 퍼싯(81, 82 및 83)(8i)이, 적어도 대부분, 여러 개별 미러 모듈(52i j)의 개별 미러(53)의 대응하는 그룹화 및 상호연결에 의해 생성될 수 있다. 이들 필드 퍼싯(8i) 각각은 개별 미러(53)의 그룹을 나타낸다.
개별 미러 모듈(52) 각각은, 다른 필드 퍼싯 변형과 연계하여 앞서 이미 설명한 것에 따라 외래 광을 억압하기 위한 그 자신의 광학 회절 소자가 구비될 수 있다. 이를 위해, 각각의 개별 미러 모듈(52i j) 상의 외래 광의 입사각 범위는 미리 추정되거나 계산될 수 있다. 여기서 획득한 입사각 범위를 사용하여, 각각의 모듈(52i j)의 개별 미러의 섹션 상에서, 각각의 모듈(52i j)의 전체 개별 미러(53) 상에서 또는 전체 개별 미러 모듈(52i j) 상에서 광학 회절 소자를 설계할 수 있다.
도 3과 유사한 예시에서, 도 32는 다시, 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(9)에서 퓨필 퍼싯 미러(14) 대신 사용될 수 있는 퓨필 퍼싯 미러(54)의 6개의 개별 미러 모듈(52i j)을 도시한다.
개별 미러 모듈(52i j)의 그룹화된 개별 미러(53)를 할당하며 상호연결함으로써, 육각형 배치에 의해 도 32에서 나타낸 퓨필 퍼싯(15i)이 다시 생성될 수 있다. 이들 퓨필 퍼싯(15i) 각각은 개별 미러(53)의 그룹을 나타낸다. 심지어 퓨필 퍼싯 미러(54)의 일체형 부분으로서 개별 미러 모듈(52i j)을 사용할 때, 이들 개별 미러 모듈(52i j)은 외래 광을 억압하기 위한 앞서 설명한 회절 격자의 방식으로 광학 회절 소자가 다시 구비될 수 있다.
필드 퍼싯 미러와 퓨필 퍼싯 미러를 갖는 조명 광학 유닛 대신에, 정반사기가 또한 사용될 수 있으며, 여기서, 필드 퍼싯 미러 방식으로 퍼싯 요소 이후 사용되는 제2 퍼싯 요소가 특히 조명 광학 유닛의 퓨필 평면의 영역에 배치되지 않는다. 정반사기는 예컨대 US 8,934,085 B2, US 2006/0132747 A1, EP 1 614 008 B1 및 US 6,573,978에 기재되어 있다. 그러한 정반사기를 사용할 때, 외래 광을 억압하기 위해 앞서 설명한 회절 격자 중 하나의 방식으로 광학 회절 소자를 구비한 제2 퍼싯이 또한 사용될 수 있다.
앞서 기재한 EUV 미러 소자의 전체 표면이나, 대안적으로는 그 각각의 반사면의 섹션들에만 외래 광을 억압하기 위한 적어도 하나의 광학 회절 소자가 구비될 수 도 있다. 예컨대, 퍼싯 미러가 광학 회절 소자가 구비될 때, 모든 퍼싯을 동일한 방식으로 구비하지 않을 수 도 있거나 일부 퍼싯을 광학 회절 소자를 갖게 구비하지 않을 수 있다. EUV 미러 소자나 개별 또는 모든 퍼싯은 오직 섹션들에서만 광학 회절 소자가 또한 구비될 수 도 있다.
마이크로 구조 또는 나노 구조 소자를 제조하기 위해, 투영 노광 장치(1)는 다음과 같이 사용된다: 먼저, 반사 마스크(23) 또는 레티클과 기판 또는 웨이퍼(28)가 구비된다. 레티클(23) 상의 구조는 이후 투영 노광 장치(1)를 이용하여 웨이퍼(28)의 감광 층 상에 투영된다. 감광 층을 현상함으로써, 마이크로 구조 또는 나노 구조가 그 후 웨이퍼(28) 상에 제조되며 그에 따라 마이크로 구조 소자가 제조된다.

Claims (15)

  1. EUV 광원(2)의 소스 영역(4)과, 이미징될 오브젝트(23)가 배치될 수 있는 오브젝트 필드(18) 사이에서 EUV 복사선(3)을 안내하기 위한 광학 조명 시스템으로서,
    - 상기 소스 영역(4)과 상기 오브젝트 필드(18) 사이에서 상기 EUV 복사선(3)을 순차적으로 안내하는 EUV 미러 소자(5, 7, 14, 19; 51; 54)를 가지며,
    - 상기 EUV 복사선(3)의 빔 경로 내에서 상기 EUV 미러 소자(5, 7, 14, 19; 51; 54) 중 하나의 소자의 적어도 하나의 반사 섹션(8, 15)이 최소 입사각(αmin)과 최대 입사각(αmax) 사이의 입사각 범위(Δα)에서 복사선과 충돌할 수 있고,
    - 상기 빔 경로를 따라 안내되는 외래 광 복사선(36)을 억압하기 위한 광학 회절 소자(31; 40; 40a; 41; 47)가 상기 반사 섹션(8, 15) 상에 배치되며;
    - 상기 광학 회절 소자(31; 40; 40a; 41; 47)가, 상기 외래 광 복사선(36)이 상기 반사 섹션(8, 15) 상에 입사하는 외래 광(36)의 세기와 상기 빔 경로의 방향에서 상기 반사 섹션(8, 15)에 의해 반사되는 외래 광(36)의 세기 사이의 1,000보다 양호한 억압비로 전체 입사각 범위(Δα)에서 억압되도록 구성되는, 광학 조명 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 광학 회절 소자(31; 40; 40a; 41; 47)가, 상기 외래 광 복사선의 억압의 입사각 공차를 상기 전체 입사각 범위(Δα)에 걸쳐서 개선하기 위해 2개보다 많은 회절 구조 레벨(N1, N2, N3, N4; N1, N2, N3)을 갖는 회절 격자 형태로 구현되는 것을 특징으로 하는, 광학 조명 시스템.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 1°의 최소 입사각(αmin)과 21°의 최대 입사각(αmax) 사이의 입사각 범위(Δα)에서 상기 외래 광 복사선을 억압하기 위한 광학 회절 소자(31; 40; 40a; 41; 47)가 1,000보다 양호한 억압비로 억압되는 것을 특징으로 하는, 광학 조명 시스템.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 퍼싯 미러(7; 14; 51; 54)를 EUV 미러 소자로서 가지며, 상기 광학 회절 소자(40; 40a; 41; 47)를 갖는 반사 섹션(8, 15)이 상기 퍼싯 미러(7, 14; 50; 54)의 일부인 것을 특징으로 하는, 광학 조명 시스템.
  5. 청구항 4에 있어서,
    - 상기 광학 회절 소자(40; 40a; 41; 47)를 갖는 반사 섹션이 상기 퍼싯 미러(7, 14; 50; 54)의 적어도 하나의 전체 퍼싯(8; 15) 상에 형성되는 것을 특징으로 하는, 광학 조명 시스템.
  6. 청구항 4에 있어서, 상기 퍼싯 미러가 필드 퍼싯 미러(7; 51)의 형태로 구현되며, 상기 광학 회절 소자(40; 40a; 41; 47)를 갖는 반사 섹션이 상기 필드 퍼싯 미러(7)의 적어도 하나의 필드 퍼싯(8) 상에 또는 상기 필드 퍼싯(8)의 섹션(53) 상에 형성되는 것을 특징으로 하는, 광학 조명 시스템.
  7. 청구항 4 또는 청구항 6에 있어서, 상기 퍼싯 미러가 퓨필 퍼싯 미러(15; 54)의 형태로 구현되며, 상기 광학 회절 소자(40; 40a; 41; 47)를 갖는 반사 섹션이 상기 퓨필 퍼싯 미러(14)의 적어도 하나의 퓨필 퍼싯(15) 상에 또는 상기 퓨필 퍼싯(15)의 섹션(53) 상에 형성되는 것을 특징으로 하는, 광학 조명 시스템.
  8. 청구항 4에 있어서, 상기 퍼싯 미러(51; 54)가 복수의 개별 미러(53)를 갖는 MEMS 미러 형태로 구현되며, 상기 광학 회절 소자(40; 40a; 41; 47)를 갖는 반사 섹션이 상기 퍼싯 미러(51; 54)의 개별 미러(53) 중 적어도 하나 상에 또는 상기 개별 미러(53)의 섹션 상에 형성되는 것을 특징으로 하는, 광학 조명 시스템.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 광학 회절 소자(40; 40a; 41; 47)를 갖는 반사 섹션이 인접한 개별 미러(53)의 그룹(52; 8i; 15i) 상에 형성되는 것을 특징으로 하는, 광학 조명 시스템.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 인접한 개별 미러(53)의 그룹이 개별-미러 모듈(52)의 형태로 구현되는 것을 특징으로 하는, 광학 조명 시스템.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 조명 시스템과, 오브젝트 필드(18)를 기판(28)이 배치될 수 있는 이미지 필드(26)에 이미징하기 위한 투영 광학 유닛(22)을 갖는 광학 시스템.
  12. 청구항 11에 있어서, EUV 광원(2)을 갖는, 광학 시스템.
  13. 청구항 12에 기재된 광학 시스템을 갖는 투영 노광 장치(1).
  14. 구조 소자 요소를 제조하기 위한 방법으로서, 다음의 단계
    - 적어도 부분적으로 감광 소재 층이 그 위에 도포되는 웨이퍼(28)를 제공하는 단계,
    - 이미징될 구조를 갖는 레티클을 오브젝트(23)로서 제공하는 단계,
    - 청구항 13에 기재된 투영 노광 장치(1)를 제공하는 단계,
    - 상기 투영 노광 장치(1)를 이용하여 상기 레티클(23)의 적어도 일부를 상기 웨이퍼(28)의 층의 영역에 투영하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 청구항 14에 기재된 방법에 의해 제조되는 구조 소자 요소.
KR1020237004521A 2020-07-10 2021-02-05 Euv 복사선을 안내하기 위한 광학 조명 시스템 KR20230036135A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020208665.6A DE102020208665A1 (de) 2020-07-10 2020-07-10 Optisches Beleuchtungssystem zur Führung von EUV-Strahlung
DE102020208665.6 2020-07-10
PCT/EP2021/052823 WO2022008102A1 (de) 2020-07-10 2021-02-05 Optisches beleuchtungssystem zur führung von euv-strahlung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230036135A true KR20230036135A (ko) 2023-03-14

Family

ID=74561898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237004521A KR20230036135A (ko) 2020-07-10 2021-02-05 Euv 복사선을 안내하기 위한 광학 조명 시스템

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP4179388A1 (ko)
KR (1) KR20230036135A (ko)
DE (1) DE102020208665A1 (ko)
WO (1) WO2022008102A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102023200603A1 (de) 2023-01-26 2024-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Spiegelanordnung, sowie Beschichtungsanlage
DE102023201315A1 (de) 2023-02-16 2024-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Mechatronisches Element, Spiegel, Spiegelanordnung sowie Verfahren zu deren Herstellung

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573978B1 (en) 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
DE10317667A1 (de) 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
DE102007045396A1 (de) 2007-09-21 2009-04-23 Carl Zeiss Smt Ag Bündelführender optischer Kollektor zur Erfassung der Emission einer Strahlungsquelle
DE102009044462A1 (de) 2009-11-06 2011-01-05 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element, Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage
DE102010029765A1 (de) 2010-06-08 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102011082065A1 (de) 2011-09-02 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Array
DE102012010093A1 (de) 2012-05-23 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel
DE102012220597A1 (de) 2012-11-13 2014-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012220596A1 (de) * 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
US10216093B2 (en) * 2013-01-28 2019-02-26 Asml Netherlands B.V. Projection system and minor and radiation source for a lithographic apparatus
DE102015208571A1 (de) 2015-05-08 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102016205893A1 (de) 2016-04-08 2017-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102017217867A1 (de) 2017-10-09 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Facettenspiegel für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102019210450A1 (de) 2019-07-16 2021-01-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Beugungskomponente zur Unterdrückung mindestens einer Ziel-Wellenlänge durch destruktive Interferenz
DE102019200698A1 (de) 2019-01-21 2019-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102019212017A1 (de) 2019-08-09 2021-02-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Beleuchtungssystem zur Führung von EUV-Strahlung

Also Published As

Publication number Publication date
EP4179388A1 (de) 2023-05-17
WO2022008102A1 (de) 2022-01-13
DE102020208665A1 (de) 2022-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6504506B2 (ja) ファセットミラー
US8817233B2 (en) Illumination optical system for projection lithography
KR101470769B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
EP2243047B1 (en) Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
TWI397786B (zh) 用於投影微影之照明光學單元
EP2146248B1 (en) Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
KR101813307B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
US20060175556A1 (en) Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI610140B (zh) 用於投射曝光裝置的照射光學單元
JP2015519009A5 (ko)
WO2007128407A1 (en) Illumination system for euv lithography as well as a first and second optical element for use in an illumination system of this type
US9964856B2 (en) Illumination optical unit for projection lithography
US20220163897A1 (en) Optical illumination system for guiding euv radiation
US20230221649A1 (en) Digital micromirror device for an illumination optical component of a projection exposure system
KR20230036135A (ko) Euv 복사선을 안내하기 위한 광학 조명 시스템
JP2006253487A (ja) 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
US9897923B2 (en) Micromirror array
JP6332758B2 (ja) Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明光学ユニット
CN111656245B (zh) 投射光刻的照明光学单元
CN111936933A (zh) 投射光刻系统的光瞳分面反射镜、照明光学单元及光学系统
JP6691105B2 (ja) Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP2017526969A5 (ko)
WO2016078964A1 (en) Illumination optical unit for illuminating an illumination field and projection exposure apparatus comprising such an illumination optical unit