EP4179388A1

EP4179388A1 - Optisches beleuchtungssystem zur führung von euv-strahlung

Info

Publication number: EP4179388A1
Application number: EP21703905.6A
Authority: EP
Inventors: Michael Patra
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2020-07-10
Filing date: 2021-02-05
Publication date: 2023-05-17
Also published as: KR20230036135A; WO2022008102A1; DE102020208665A1

Abstract

Ein optisches Beleuchtungssystem dient zur Führung von EUV-Strahlung (3i) zwischen einem Quellbereich einer EUV-Lichtquelle und einem Objektfeld, in dem ein abzubildendes Objekt anordenbar ist. Das Beleuchtungssystem hat EUV-Spiegel-Komponenten, die sequentiell die EUV-Strahlung (3i) zwischen dem Quellbereich und dem Objektfeld führen. Mindestens ein Reflexionsabschnitt (8, 15) einer der EUV-Spiegelkomponenten ist innerhalb eines Strahlengangs der EUV-Strahlung (3i) mit Strahlung in einem Einfallswinkelbereich (Δα) zwischen einem minimalen Einfallswinkel und einem maximalen Einfallswinkel beaufschlagbar. Auf dem Reflexionsabschnitt (8, 15) ist eine optische Beugungskomponente zur Unterdrückung von im Strahlengang mitgeführter Falschlicht-Strahlung (36i) angeordnet. Die optische Beugungskomponente ist so ausgeführt, dass im gesamten Einfallswinkelbereich (Δα) die Falschlicht-Strahlung (36i) mit einem Unterdrückungsverhältnis zwischen einer Intensität des auf den Reflexionsabschnitt (8, 15) einfallenden Falschlichts (36i) und einer Intensität des vom Reflexionsabschnitt (8, 15) in Richtung des Strahlengangs ausfallenden Falschlichts (36i) unterdrückt ist, das besser ist als 1000. Es resultiert eine verbesserte Falschlichtunterdrückung.

Description

Optisches Beleuchtungssystem zur Führung von EUV-Strahlung Der Inhalt folgender Patentanmeldungen wird hierin durch Bezugnahme aufgenommen: DE 102020208665,6, DE 102019212017.2, DE 102019210450.9 und PCT/EP 2020/050809. Die Erfindung betrifft ein optisches Beleuchtungssystem zur Führung von EUV-Strahlung. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System mit ei- nem derartigen Beleuchtungssystem und einer Projektionsoptik, ein opti- sches System mit einem derartigen Beleuchtungssystem und einer EUV- Lichtquelle, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Be- leuchtungssystem, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nano- strukturierten Bauelements mit einer derartigen Projektionsbelichtungsan- lage sowie ein mit einem derartigen Herstellungsverfahren hergestelltes strukturiertes Bauelement. Optische Systeme zur Führung von EUV-Strahlung sind bekannt aus der DE 102009044462 A1, der DE 102011082065 A1, aus der DE 102017 217867 A1, aus der US 2015/0049321 A1 und aus der US 2019/0033723 A1. Die 102019200698 A1 offenbart einen EUV- Kollektor zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage. Aus einer Präsentation „Dual-Wavelength Spectral Purity Filter for EUV Collector Mirrors” von T. Feigl et al. zu einem Vortrag im Rahmen des 2014 Interna- tional Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography, Washington, D.C., USA, 27. Oktober 2014, sind Kollektoren mit Gittergestaltungen zur Beu- gung einerseits einer CO₂-Laserwellenlänge im Bereich von 10,6 µm und andererseits einer YAG-Laserwellenlänge im Bereich von 1,064 µm be- kannt. Die DE 102012010093 A1 offenbart einen Facettenspiegel für die Projektionslithografie. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Falschlichtunterdrü- ckung bei einem optischen Beleuchtungssystem der eingangs genannten Art zu verbessern. Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein optisches Beleuch- tungssystem mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen. Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass zur Optimierung einer Falschlicht- unterdrückung auch der jeweilige Einfallswinkel des Falschlichts auf ei- nem die zur Unterdrückung eingesetzte optische Beugungskomponente jeweils aufweisenden Reflexionsabschnitt der EUV-Spiegel-Komponente zu berücksichtigen ist. Ein Einfallswinkelbereich bzw. eine Einfallswinkel- variation auf der jeweiligen, zur Falschlicht-Unterdrückung genutzten Beugungskomponente hat dabei vergleichbare Effekte wie eine Wellenlän- genvariation des Falschlichts. Durch entsprechende Auslegung der opti- schen Beugungskomponente, insbesondere durch Anpassen der jeweiligen Strukturtiefen-Unterschiede zwischen Positiv- und Negativ-Strukturen der Beugungskomponente, kann einer entsprechenden Einfallswinkelvariation bzw. einer Einfallswinkel-Bandbreite des auftreffenden Falschlichts Rech- nung getragen werden. Es resultiert eine verbesserte Falschlicht-Unter- drückung des gesamten Einfallswinkelbereichs mit einem Intensitäts- Unterdrückungsverhältnis besser als 1000 (Tausend). Dieses Unterdrü- ckungsverhältnis kann besser sein als 10⁴ oder kann auch besser sein als 10⁵. Der zu unterdrückende Einfallswinkelbereich des Falschlichts kann mindestens 2° betragen, kann mindestens 5° betragen und kann auch grö- ßer sein als 10°. Der zu unterdrückende Falschlicht-Einfallswinkel-Bereich ist regelmäßig kleiner als 30°. Eine Auslegung der optischen Beugungskomponente als Beugungsgitter bzw. als optisches Gitter mit mindestens drei Beugungsstruktur-Niveaus nach Anspruch 2 ermöglicht eine Vergrößerung eines Einfallswinkelbe- reichs, über den die einfallende Falschlicht-Strahlung mit dem Unterdrü- ckungsverhältnis besser als 1000 unterdrückt werden kann. Die mehr als zwei Beugungsstruktur-Niveaus werden dann so ausgelegt, dass über das Zusammenspiel der entstehenden verschiedenen Strukturtiefen entspre- chend verschiedene Einfallswinkel mit dem hohen Unterdrückungsverhält- nis von besser als 1000 unterdrückt werden. Ein Einfallswinkelbereich nach Anspruch 3 hat sich für zu erwartende Strahlengänge des Falschlichts als besonders effektiv herausgestellt. Dieser zu unterdrückende Einfallswinkelbereich, also die Differenz zwischen dem maximalen und dem minimalen Einfallswinkel des zu unterdrückenden Einfallswinkelbereichs der Falschlicht-Strahlung, kann im Bereich zwi- schen 1° und 20°, im Bereich zwischen 1° und 15°, im Bereich zwischen 1° und 10°, im Bereich zwischen 1° und 7°, im Bereich zwischen 1° und 5°, im Bereich zwischen 1° und 4° oder auch im Bereich zwischen 1° und 3° liegen. Ein minimaler derartiger Einfallswinkelbereich zwischen dem mi- nimalen und dem maximalen Einfallswinkel kann auch größer sein als 1° und kann bei 2°, 3° oder 4° liegen. Der mit einem Unterdrückungsverhältnis besser als 1.000 zu unterdrücken- de Einfallswinkelbereich des Falschlichts kann beispielsweise zwischen einem minimalen Einfallswinkel von 7° und einem maximalen Einfalls- winkel von 9° liegen. Dieser Einfallswinkelbereich kann auch zwischen einem minimalen Einfallswinkel von 4° und einem maximalen Einfalls- winkel von 20° liegen. Auch ein Einfallswinkelbereich mit einem größeren minimalen Einfallswinkel ist möglich, beispielsweise ein Einfallswinkelbe- reich mit einem minimalen Einfallswinkel, der mindestens 5° beträgt, der mindestens 10° beträgt oder der auch mindestens 15° beträgt. Der Ein- fallswinkelbereich kann zwischen einem minimalen Einfallswinkels von 19° und einem maximalen Einfallswinkel von 21° liegen. Der Einfallswin- kelbereich kann beispielsweise auch einen Bereich zwischen einem mini- malen Einfallswinkel von 9° und einem maximalen Einfallswinkel von 14° abdecken. Der Einfallswinkelbereich kann alternativ auch einen Bereich zwischen einem minimalen Einfallswinkel von 3° und einem maximalen Einfallswinkel von 17° abdecken. Die Einfallswinkel des zu unterdrücken- den Einfallswinkelbereichs können auch deutlich größer sein und im Be- reich des streifenden Einfalls liegen. Ein minimaler Einfallswinkel kann beispielsweise bei 65° oder auch bei 70° liegen. Ein Einfallswinkelbereich kann dann beispielsweise zwischen einem minimalen Einfallswinkel von 70° und einem maximalen Einfallswinkel von 80° oder 85° variieren. Die Auslegung mindestens eines Teils eines Facettenspiegels als Reflexi- onsabschnitt mit einer derartigen optischen Beugungskomponente nach Anspruch 2 ermöglicht es, Beugungskomponenten zur effizienten Falsch- licht-Unterdrückung auf Facetten von Facettenspiegeln von Beleuchtungs- optiken von Projektionsbelichtungsanlagen unterzubringen. Ein Strahlen- gang innerhalb derartiger Facettenspiegel weist regelmäßig eine nicht ver- nachlässigbare Einfallswinkel-Bandbreite auf, so dass durch entsprechende Auslegung der optischen Beugungskomponente auch dann eine gute Falschlicht-Unterdrückung gewährleistet ist. Eine Ausführung nach Anspruch 3 vereinfacht eine Fertigung des Facetten- spiegels. Alternativ kann auch lediglich ein Abschnitt mindestens einer Facette zur Falschlichtunterdrückung innerhalb einer gesamten Einfalls- winkel-Bandbreite des Falschlichts ausgeführt sein. Eine Ausrüstung eines Facettenspiegels mit einer das Falschlicht unterdrückenden optischen Beu- gungskomponente nur dort, wo dies effizient möglich ist, also beispiels- weise auf bestimmten Facetten oder bestimmten Facetten-Abschnitten, ge- währleistet einen Facettenspiegel mit hohem EUV-Nutzlicht-Durchsatz. Ausführungen nach den Ansprüchen 4 und 5 haben sich in der Praxis be- währt. Eine MEMS-Ausführung nach Anspruch 6 ergibt ein flexibel einsetzbares optisches Beleuchtungssystem. Der MEMS-Spiegel kann die Funktion ei- nes Feldfacettenspiegels oder eines Pupillenfacettenspiegels haben. Der MEMS-Spiegel kann auch Bestandteil eines spekularen Reflektors sein. Ein spekularer Reflektor ist beschrieben beispielsweise in der US 8934 085 B2, in der US 2006/0132747 A1, in der EP 1614008 B1 und in der US 6573978. Eine Gruppierung von Einzelspiegeln, die mit der optischen Beugungs- komponente zur Falschlicht-Unterdrückung innerhalb eines Einfallswin- kelbereichs ausgeführt ist, nach Anspruch 7, kann der Gruppierung ange- passt sein, die zur Realisierung bestimmter Beleuchtungssettings innerhalb einer Projektionsbelichtungsanlage erforderlich ist. Eine derartige Einzel- spiegel-Gruppe kann beispielsweise eine virtuelle Feldfacette darstellen. Eine Gruppierung nach Anspruch 8 vereinfacht die Herstellung eines sol- chen Einzelspiegel-Moduls. Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 9 oder 10, einer Pro- jektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 12 oder eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 13 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das optische Beleuchtungssystem bereits erläutert wurden. Bei dem Bauteil kann es sich um einen Halbleiterchip, insbesondere um einen Speicherchip handeln. Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen: Fig.1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV- Mikrolithographie; Fig.2 ebenfalls schematisch und in einem Meridionalschnitt eine Ausführung eines optischen Systems der Projektionsbelich- tungsanlage mit einer detaillierter dargestellten Beleuchtungs- optik; Fig.3 eine Ansicht einer Facettenanordnung eines Feldfacettenspie- gels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage in der Ausführung „Rechteckfeld“; Fig.4 in einer zu Fig.3 ähnlichen Darstellung eine Facettenanord- nung einer weiteren Ausführung eines Feldfacettenspiegels in der Ausführung „Bogenfeld“; Fig.5 eine Ausführung einer Facettenanordnung eines Pupillenfacet- tenspiegels; Fig.6 einen Schnitt durch eine Ausführung eines optischen Gitters zur beugenden, Falschlicht unterdrückenden Wirkung, wobei eine Schnittebene senkrecht auf einer Längserstreckung von Beugungsstrukturen des optischen Gitters steht, wobei das op- tische Gitter eine Beugungskomponente darstellt, die so ausge- führt sein kann, dass in einem gesamten Einfallswinkelbereich auftreffende Falschlicht-Strahlung mit einem Intensitäts-Unter- drückungsverhältnis unterdrückt ist, das besser ist als ein unte- rer Verhältnis-Grenzwert; Fig.7 in einem Meridionalschnitt einen Lichtweg hin zu und von ei- nem Plasma-Quellbereich einer EUV-Lichtquelle der Projekti- onsbelichtungsanalage nach Fig. 1, wobei insbesondere eine beugende, Falschlicht unterdrückende Wirkung eines optischen Gitters in der Ausführung nach Fig.6 auf einem EUV-Kollek- torspiegel dargestellt ist, der eine erste, EUV-Nutzlicht führen- de Komponente nach dem EUV-Quellbereich darstellt; Fig.8 eine weitere Ausführung einer Beleuchtungsoptik mit zwei Facettenspiegeln und einer nachgeordneten Übertragungsoptik mit drei Spiegeln; Fig.9 in einer zu Fig.6 grundsätzlich ähnlichen Darstellung einen Schnitt durch eine weitere Ausführung eines optischen Gitters als optische Beugungskomponente zur beugenden, Falschlicht unterdrückenden Wirkung, ausgeführt zur Unterdrückung ver- schiedener Falschlicht-Wellenlängen und ausgeführt zur Un- terdrückung der Falschlicht-Strahlung innerhalb eines gesam- ten Einfallswinkelbereichs mit einem Intensitäts-Unter- drückungsverhältnis besser als ein unterer Verhältnis-Grenz- wert; Fig.10 eine Aufsicht auf eine weitere Ausführung eines optischen Git- ters zur Unterdrückung verschiedener Falschlicht-Wellen- längen innerhalb eines gesamten Einfallswinkelbereichs mit rasterartig, zeilen- und spaltenweise angeordneten Strukturab- schnitten, deren Strukturtiefen durch Angabe entsprechender Tiefenwerte veranschaulicht sind; Fig.11 das optische Beugungsgitter nach Fig.10, wobei den Tiefen- werten der Fig.10 entsprechende Ätztiefen-Bereiche durch verschiedene Schraffuren veranschaulicht sind; Fig.12 in einer zu Fig.9 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausfüh- rung eines optischen Beugungsgitters zur Falschlicht-Unter- drückung insbesondere verschiedener Falschlicht-Wellen- längen innerhalb eines gesamten Einfallswinkelbereichs, aus- geführt mit drei sich voneinander unterscheidenden Beugungs- struktur-Niveaus; Fig.13 im Vergleich zur Fig. 7 stärker abstrahiert einen Meridional- schnitt zur Verdeutlichung von Einfallswinkeln verschiedener Einzelstrahlen, die vom Plasma-Quellbereich der EUV-Licht- quelle ausgehend auf dem EUV-Kollektor zur Bündelung hin zu einem Zwischenfokus eines Strahlengangs der EUV- Strahlung auftreffen; Fig.14 in einer zu Fig.13 ähnlichen Darstellung eine Momentansitua- tion beim Auftreffen eines Pumplicht-Vorimpulses auf ein plasmagenerierendes Medium in Form eines Zinntröpfchens im Plasma-Quellbereich; Fig.15 in einer zu Fig.14 ähnlichen Darstellung eine Momentansitua- tion beim Auftreffen eines Pumplicht-Hauptimpulses auf das plasmagenerierende Medium im Plasma-Quellbereich; Fig.16 vergrößert eine Feldfacette des Feldfacettenspiegels nach Fig. 4 mit einem zentral auf die Feldfacette auftreffenden Strahl in- nerhalb eines EUV-Strahlengangs der Beleuchtungsoptik, auf- treffend unter einem ersten Einfallswinkel bei einer ersten Kippstellung der Feldfacette; Fig.17 in einer zu Fig.16 ähnlichen Darstellung Einfallswinkelver- hältnisse beim Auftreffen des Strahls bei einer im Vergleich zur Fig.16 anderen Kippstellung der Feldfacette; Fig.18 eine schematische Darstellung zur Verdeutlichung geometri- scher Einfallswinkel-Verhältnisse auf einer Feldfacette der Be- leuchtungsoptik; Fig.19 eine Aufsicht auf eine der Feldfacetten, aufweisend ein opti- sches Beugungsgitter nach Art der Fig.11 zur Unterdrückung verschiedener Falschlicht-Wellenlängen und/oder zur Falsch- licht-Unterdrückung in einem Einfallswinkelbereich zwischen einem minimalen Einfallswinkel und einem maximalen Ein- fallswinkel; Fig.20 in einer zu den Fig.6, 9 und 12 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung eines optischen Beugungsgitters zur Falschlicht-Unterdrückung genau einer Wellenlänge, ausge- führt als Binärgitter; Fig.21 in einer zu Fig.19 ähnlichen Darstellung eine Feldfacette des Feldfacettenspiegels nach Fig. 3, aufweisend ein optisches Beugungsgitter nach Fig.20; Fig.22 in einer zu Fig.15 ähnlichen Darstellung Strahlwinkel-Verhält- nisse für ausgewählte Strahlen des Pumplicht-Hauptimpulses im Strahlengang einer Anordnungsebene des Feldfacettenspie- gels; Fig.23 eine Aufsicht auf eine Pupillenfacette einer weiteren Ausfüh- rung eines Pupillenfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik, aufweisend ein Gitter nach Fig.20; Fig.24 schematisch einen Strahlengang eines Ausleuchtungs- bzw. Strahlungskanals der Beleuchtungsoptik zwischen einer der Feldfacetten und einer dieser zugeordneten Pupillenfacette zur Veranschaulichung eines Einfallswinkelbereichs auf der Pupil- lenfacette; Fig.25 in einer zu Fig.23 ähnlichen Darstellung eine Pupillenfacette, aufweisend ein optisches Beugungsgitter nach Fig.11 zur Un- terdrückung verschiedener Falschlicht-Wellenlängen und/oder zur Falschlicht-Unterdrückung in einem Einfallswinkelbereich zwischen einem minimalen Einfallswinkel und einem maxima- len Einfallswinkel; Fig.26 in einer zu Fig.24 ähnlichen Darstellung Einfallswinkel-Ver- hältnisse auf der Pupillenfacette bei Zuordnung einer ersten Feldfacette zu dieser Pupillenfacette in einer ersten Kippstel- lung dieser Pupillenfacette; Fig.27 die Facettenanordnung nach Fig.26, bei der eine andere Feld- facette der Pupillenfacette zugeordnet ist und die Pupillenfa- cette eine andere Kippstellung einnimmt; Fig.28 eine Ausschnittsvergrößerung der Strahlbeaufschlagung der Pupillenfacette in den Kipppositionen nach den Fig.26 und 27 zur Verdeutlichung eines gesamten Einfallswinkelbereiches auf der Pupillenfacette aufgrund der unterschiedlichen Kipp- stellungen und aufgrund einer Ausdehnung der Feldfacette; Fig.29 in einer zu Fig.22 ähnlichen Darstellung eine Ausführung der Beleuchtungsoptik mit Feldfacetten einerseits und Pupillenfa- cetten andererseits, wobei einige der Feldfacetten und einige der Pupillenfacetten zur Falschlicht-Unterdrückung einer Pumplicht-Hauptimpuls-Wellenlänge ausgeführt sind; Fig.30 schematisch eine Darstellung des Strahlengangs zwischen ei- nem Kondensorspiegel der Beleuchtungsoptik und einer Ein- trittspupille einer Projektionsoptik der Projektionsbelichtungs- anlage zur Verdeutlichung von Einfallswinkeln innerhalb des Strahlengangs auf dem Kondensorspiegel; Fig.31 einen Abschnitt einer weiteren Ausführung eines Feldfacetten- spiegels, aufgebaut aus einer Vielzahl von in einem Raster an- geordneten und in Module unterteilten MEMS-Einzelspiegeln, wobei Randkonturen dreier Feldfacetten zusätzlich dargestellt sind, die durch entsprechende Gruppierung der MEMS-Einzel- spiegel bei dieser Ausführung des Feldfacettenspiegels gebil- det werden können und in ihrer Funktion den vorstehend dar- gestellten Feldfacetten entsprechen; Fig.32 in einer zu Fig.31 ähnlichen Darstellung einen Abschnitt einer weiteren Ausführung eines Pupillenfacettenspiegels, dessen Pupillenfacetten wiederum aus MEMS-Einzelspiegeln mit ent- sprechender Gruppierung gebildet sind, wobei Randkonturen von mehreren dieser durch Gruppierung entstehenden Pupil- lenfacetten beispielhaft dargestellt sind. Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie dient zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten elektronischen Halblei- ter-Bauelements. Eine Lichtquelle 2 emittiert zur Beleuchtung genutzte EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gas discharge produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser produced plasma) handeln. Zur Beleuchtung und Abbildung innerhalb der Projekti- onsbelichtungsanlage 1 wird EUV-Beleuchtungslicht bzw. Beleuchtungs- strahlung in Form eines Beleuchtungslicht-Bündels bzw. Abbildungslicht- Bündels 3 genutzt. Das EUV-Beleuchtungslicht wird auch als EUV-Nutz- licht bezeichnet. Beispielhafte Wellenlängen für das EUV-Nutzlicht sind 13 nm, 13,5 nm, 6,7 nm, 6,9 nm oder 7 nm. Das Abbildungslicht-Bündel 3 geht von einem Quellbereich 4 der Licht- quelle 2 aus und trifft zunächst auf einen Kollektor 5, bei dem es sich bei- spielsweise um einen genesteten Kollektor mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Mehrschalen-Aufbau mit Spiegeln, die unter streifen- dem Einfall des EUV-Nutzlichts betrieben werden (vgl. die schematische Darstellung nach Fig.2), oder alternativ um einen, dann hinter der Licht- quelle 2 angeordneten ellipsoidal geformten Kollektor (vgl. die schemati- sche Darstellung nach Fig.1 sowie die Darstellung nach Fig.7), handeln kann. Nach dem Kollektor 5 durchtritt das EUV-Beleuchtungslicht 3 zu- nächst eine Zwischenfokusebene 6, was zur Trennung des Abbildungslicht- Bündels 3 von unerwünschten Strahlungs- oder Partikelanteilen und insbe- sondere zur Trennung des Abbildungslicht-Bündels 3 von Falschlicht ge- nutzt wird. Diese Trennung wird nachfolgend beispielhaft noch im Zu- sammenhang mit der Fig.7 erläutert. Nach Durchlaufen der Zwischenfokusebene 6 trifft das Abbildungslicht- Bündel 3 zunächst auf einen Feldfacettenspiegel 7. Der Feldfacettenspiegel 7 stellt einen ersten Facettenspiegel der Projektionsbelichtungsanlage 1 dar und ist Teil einer Beleuchtungsoptik 9 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Der Feldfacettenspiegel 7 hat eine Mehrzahl von Feldfacetten 8 (vgl. auch Fig.3 und 4), die auf einem ersten Spiegelträger 7a angeordnet sind. Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der Zeich- nung jeweils ein kartesisches globales xyz-Koordinatensystem eingezeich- net. Die x-Achse verläuft in der Fig.1 und 2 senkrecht zur Zeichenebene und aus dieser heraus. Die y-Achse verläuft in der Fig.1 und 2 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der Fig.1 und 2 nach oben. Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen bei einzelnen optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird in den nachfolgenden Figuren jeweils auch ein kartesisches lokales xyz- oder xy- Koordinatensystem verwendet. Die jeweiligen lokalen xy-Koordinaten spannen, soweit nichts anderes beschrieben ist, eine jeweilige Hauptanord- nungsebene der optischen Komponente, beispielsweise eine Reflexionse- bene, auf. Die x-Achsen des globalen xyz-Koordinatensystems und der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme verlaufen parallel zueinander. Die jeweiligen y-Achsen der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme haben einen Winkel zur y-Achse des globalen xyz-Koordinatensystems, die einem Kippwinkel der jeweiligen optischen Komponente um die x-Achse entspricht. Fig.3 zeigt beispielhaft eine Facettenanordnung von Feldfacetten 8 des Feldfacettenspiegels 7 in der Ausführung „Rechteckfeld“. Die Feldfacetten 8 sind rechteckig und haben jeweils das gleiche x/y-Aspektverhältnis. Das x/y-Aspektverhältnis ist größer als 2. Das x/y-Aspektverhältnis kann bei- spielsweise 12/5, kann 25/4, kann 104/8, kann 20/1 oder kann 30/1 betra- gen. Die Feldfacetten 8 geben eine Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 7 vor und sind in vier Spalten zu je sechs bis acht Feldfacettengruppen 10a, 10b gruppiert. Die Feldfacettengruppen 10a haben jeweils sieben Feldfa- cetten 8. Die beiden zusätzlichen randseitigen Feldfacettengruppen 10b der beiden mittleren Feldfacettenspalten haben jeweils vier Feldfacetten 8. Zwischen den beiden mittleren Facettenspalten und zwischen der dritten und vierten Facettenzeile weist die Facettenanordnung des Feldfacetten- spiegels 7 Zwischenräume 11 auf, in denen der Feldfacettenspiegel 7 durch Haltespeichen des Kollektors 5 abgeschattet ist. Soweit eine LPP-Quelle als die Lichtquelle 2 zum Einsatz kommt, kann sich eine entsprechende Abschattung auch durch einen Zinntröpfchen-Generator ergeben, der be- nachbart zum Kollektor 5 angeordnet und in der Zeichnung nicht darge- stellt ist. Die Feldfacetten 8 können umstellbar sein zwischen jeweils mehreren ver- schiedenen Kippstellungen, zum Beispiel umstellbar zwischen drei Kipp- stellungen. Je nach Ausführung des Feldfacettenspiegels 7 können alle oder auch einige der Feldfacetten 8 auch zwischen zwei oder zwischen mehr als drei verschiedenen Kippstellungen umstellbar sein. Hierzu ist jede der Feldfacetten jeweils mit einem Aktor 12 verbunden, was in der Fig. 3 äußerst schematisch dargestellt ist. Die Aktoren 12 aller verkippbaren Feld- facetten 8 können über eine zentrale Steuereinrichtung 13, die in der Fig. 3 ebenfalls schematisch dargestellt ist, angesteuert werden. Die Aktoren 12 können so gestaltet sein, dass sie die Feldfacetten 8 um diskrete Kippbeiträge verkippen. Dies kann beispielsweise durch Verkip- pung zwischen zwei Endanschlägen gewährleistet sein. Auch eine kontinu- ierliche Verkippung bzw. eine Verkippung zwischen einer größeren Anzahl von diskreten Kipppositionen ist möglich. Nach Reflexion am Feldfacettenspiegel 7 trifft das in Abbildungslicht-Teil- bündel, die den einzelnen Feldfacetten 8 zugeordnet sind, aufgeteilte Ab- bildungslicht-Bündel 3 auf einen Pupillenfacettenspiegel 14 der Beleuch- tungsoptik 9. Das jeweilige Abbildungslicht-Teilbündel des gesamten Ab- bildungslicht-Bündels 3 ist längs jeweils eines Abbildungslichtkanals ge- führt, der auch als Strahlungskanal, als Ausleuchtungskanal oder als Feld- facetten-Abbildungs-Kanal bezeichnet ist. Fig.4 zeigt eine weitere Ausführung „Bogenfeld“ eines Feldfacettenspie- gels 7. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den Feldfacettenspiegel 7 nach Fig. 3 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nur erläutert, soweit sie sich von den Komponenten des Feldfacettenspiegels 7 nach Fig. 3 unterschei- den. Der Feldfacettenspiegel 7 nach Fig. 4 hat eine Feldfacettenanordnung mit gebogenen Feldfacetten 8. Diese Feldfacetten 8 sind in insgesamt fünf Spalten mit jeweils einer Mehrzahl von Feldfacettengruppen 10 angeord- net. Die Feldfacettenanordnung ist in eine kreisförmige Begrenzung des Spiegelträgers 7a des Feldfacettenspiegels 7 einbeschrieben. Die Feldfacetten 8 der Ausführung nach Fig. 4 haben alle die gleiche Flä- che und das gleiche Verhältnis von Breite in x-Richtung und Höhe in y- Richtung, welches dem x/y-Aspektverhältnis der Feldfacetten 8 der Aus- führung nach Fig.3 entspricht. Fig.5 zeigt stark schematisch eine beispielhafte Facettenanordnung von Pupillenfacetten 15 des Pupillenfacettenspiegels 14. Der Pupillenfacetten- spiegel 14 stellt einen zweiten Facettenspiegel der Projektionsbelichtungs- anlage 1 dar. Der Pupillenfacettenspiegel 14 ist in einer Pupillenebene 16 der Beleuchtungsoptik 9 angeordnet. Die Pupillenfacetten 15 sind auf einer in der Fig.5 nur in einem Umfangsabschnitt angedeuteten Trägerplatte 17 des Pupillenfacettenspiegels 14 angeordnet. Die Pupillenfacetten 11 sind auf dem Pupillenfacetten-Spiegelträger 17 um ein Facetten-Anordnungs- zentrum Z angeordnet. Jedem Abbildungslicht-Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3, das von einer der Feldfacetten 8 reflektiert wird, ist eine Pupillenfacette 15 zuge- ordnet, so dass jeweils ein beaufschlagtes Facettenpaar mit genau einer der Feldfacetten 8 und genau einer der Pupillenfacetten 15 den Abbildungs- lichtkanal für das zugehörige Abbildungslicht-Teilbündel des EUV-Be- leuchtungslichts 3 vorgibt. Die kanalweise Zuordnung der Pupillenfacetten 15 zu den Feldfacetten 8 erfolgt abhängig von einer gewünschten Beleuchtung durch die Projekti- onsbelichtungsanlage 1. Durch verschiedene mögliche Feldfacetten-Kipp- stellungen kann jede der Feldfacetten 8 verschiedene Abbildungslichtkanä- le vorgeben. Über die so vorgegebenen Feldfacetten-Abbildungs-Kanäle werden die Beleuchtungslicht-Teilbündel einander überlagernd in ein Ob- jektfeld 18 der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführt. Über den Pupillenfacettenspiegel 14 und eine nachfolgende, einen Konden- sorspiegel 19 aufweisende Übertragungsoptik 20 werden die Feldfacetten 8 in eine Objektebene 21 der Projektionsbelichtungsanlage 1 abgebildet und im Objektfeld 18 überlagert. Alternativ kann die Übertragungsoptik 20 auch neben dem Kondensorspiegel 19 noch weitere EUV-Spiegel aufwei- sen, beispielsweise zwei, drei oder auch mehr als drei Spiegel (vgl. hierzu auch Fig.8). In der Fig.1 ist der Kondensorspiegel 19 als Spiegel für streifenden Einfall angedeutet. Die Ausführung nach Fig. 2 zeigt den Kondensorspiegel 19 als Spiegel mit einem Einfallswinkel, der kleiner ist als 45°. Auch eine Variante der Übertragungsoptik 20, bei der ausschließlich die jeweilige Pupillenfacette 15 für die Abbildung der zugeordneten Feldfacet- te 8 in das Objektfeld 18 sorgt, ist möglich. Auf weitere Komponenten ei- ner Übertragungsoptik kann verzichtet werden, sofern der Pupillenfacetten- spiegel 14 direkt in einer Eintrittspupille einer nachfolgenden Projektions- optik 22 angeordnet ist. Die Übertragungsoptik 20 kann auch mehrere Spiegel aufweisen. In der Objektebene 21 ist ein Objekt in Form einer Lithografiemaske bzw. eines Retikels 23 angeordnet, von dem mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 ein Ausleuchtungsbereich ausgeleuchtet wird, in dem das Objektfeld 18 der nachgelagerten Projektionsoptik 22 der Projektionsbelichtungsanlage 1 liegt. Der Ausleuchtungsbereich wird auch als Beleuchtungsfeld bezeich- net. Das Objektfeld 18 ist je nach der konkreten Ausführung der Beleuch- tungsoptik 9 der Projektionsbelichtungsanlage 1 rechteckig oder bogen- förmig. Feldfacettenbilder der Feldfacetten-Abbildungs-Kanäle werden im Objektfeld 18 überlagert. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 wird vom Retikel 23 reflektiert. Das Retikel 23 wird von einem Objekthalter 24 gehaltert, der längs der Verlagerungs- richtung y mit Hilfe eines schematisch angedeuteten Objektverlagerungs- antriebs 25 angetrieben verlagerbar ist. Die Projektionsoptik 22 bildet das Objektfeld 18 in der Objektebene 21 in ein Bildfeld 26 in einer Bildebene 27 ab. In dieser Bildebene 27 ist ein Wafer 28 angeordnet, der eine lichtempfindliche Schicht trägt, die während der Projektionsbelichtung mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 belichtet wird. Der Wafer 28, also das Substrat, auf welches abgebildet wird, wird von einem Wafer- bzw. Substrathalter 29 gehaltert, der längs der Verlage- rungsrichtung y mit Hilfe eines ebenfalls schematisch angedeuteten Wafer- verlagerungsantriebs 30 synchron zur Verlagerung des Objekthalters 24 verlagerbar ist. Bei der Projektionsbelichtung werden sowohl das Retikel 23 als auch der Wafer 28 in der y-Richtung synchronisiert gescannt. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist als Scanner ausgeführt. Die Scanrich- tung y ist die Objektverlagerungsrichtung. Der Feldfacettenspiegel 7, der Pupillenfacettenspiegel 14 und der Konden- sorspiegel 19 der Übertragungsoptik 20 sind Bestandteile der Beleuch- tungsoptik 9 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Gemeinsam mit der Pro- jektionsoptik 22 bildet die Beleuchtungsoptik 9 ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1. Eine jeweilige Gruppe von Pupillenfacetten 15, die über entsprechende Ausleuchtungskanäle zugeordnete Feldfacetten 8 mit dem Beleuchtungs- licht 3 beaufschlagt werden, definiert ein jeweiliges Beleuchtungssetting, also eine Beleuchtungswinkelverteilung bei der Beleuchtung des Objekt- feldes 18, die über die Projektionsbelichtungsanlage 1 vorgegeben werden kann. Durch Umstellung der Kippstellungen der Feldfacetten 8 kann zwi- schen verschiedenen derartigen Beleuchtungssettings gewechselt werden. Beispiele derartiger Beleuchtungssettings sind beschrieben in der WO 2014/075902 A1 und in der WO 2011/154244 A1. Auf mindestens zweien der für das EUV-Nutzlicht reflektierend ausgeführ- ten Komponenten, die das EUV-Nutzlicht sequentiell zwischen dem Quell- bereich 4 und dem Objektfeld 18 führen und auch als EUV-Spiegel-Kom- ponenten bezeichnet werden, ist jeweils eine als optisches Gitter ausgeführ- te optische Beugungskomponente 31 zur Unterdrückung von Falschlicht- Strahlung mit vom EUV-Nutzlicht 3 abweichender Wellenlänge angeord- net. Auf einem Reflexionsabschnitt der jeweiligen EUV-Spiegel-Kompo- nente, also auf einer gesamten Reflexionsfläche der EUV-Spiegel-Kompo- nente oder auf einem Abschnitt oder auf mehreren Abschnitten der Refle- xionsfläche der EUV-Spiegel-Komponente, kann die optische Beugungs- komponente 31 insbesondere zur Unterdrückung der Falschlicht-Strahlung in einem gesamten Einfallswinkelbereich zwischen einem minimalen Ein- fallswinkel und einem maximalen Einfallswinkel der auf den Reflexions- abschnitt auftreffenden Falschlicht-Strahlung ausgeführt sein. Im gesamten Einfallswinkelbereich kann die optische Beugungskomponente 31 die Falschlicht-Strahlung in einem Unterdrückungsverhältnis zwischen einer Intensität des auf den Reflexionsabschnitt einfallenden Falschlichts und einer Intensität des vom Reflexionsabschnitt in Richtung des EUV-Strah- lengangs ausfallenden Falschlichts unterdrückt ist, das besser ist als 1000. Das Intensität-Unterdrückungsverhältnis, das der Reflexionsabschnitt mit der optischen Beugungskomponente 31 gewährleistet, kann auch besser sein als 10⁴ oder auch besser sein als 10⁵. Details zur Unterdrückung der Falschlicht-Strahlung im gesamten Einfallswinkelbereich durch die opti- sche Beugungskomponenten 31 auf dem Reflexionsabschnitt werden nach- folgend noch im Zusammenhang mit den weiteren Ausführungsbeispielen optischer Beugungskomponenten erläutert. Die EUV-Spiegel-Komponenten zwischen dem Quellbereich 4 und dem Objektfeld 18, die für die Anordnung der optischen Beugungskomponente 31 zur Auswahl stehen, sind der EUV-Kollektor 5, der Feldfacettenspiegel 7, der Pupillenfacettenspiegel 14 und der Kondensor 19. Dargestellt ist in der Fig.6 eine Seitenansicht der optischen Beugungs- komponente 31, die als Binärgitter mit Positiv-Beugungsstrukturen 32 (Berge) und Negativ-Beugungsstrukturen 33 (Täler) ausgeführt ist. Eine Gitterperiode P der optischen Beugungskomponente 31 sowie eine Struk- turtiefe d des Binärgitters sind so auf zu unterdrückende Falschlicht-Wel- lenlängen abgestimmt, dass das Falschlicht beispielsweise in der +/- ersten Beugungsordnung aus dem Strahlengang des EUV-Nutzlichts herausge- beugt und beispielsweise über einen Falschlicht-Reflektor und/oder über einen Beam-Dump, also eine Falschlichtfalle, abgeführt werden kann. Fig.6 zeigt in einem Schnitt die Periodizität der Beugungsstrukturen 32, 33 einer Ausführung des optischen Gitters 31, welches z. B. bei dem EUV- Kollektor 5 zum Einsatz kommen kann. Eine Schnittebene nach Fig.6 ver- läuft in einer xz-Ebene des dargestellten Koordinatensystems. Eine Gitter- fläche des optischen Gitters erstreckt sich parallel zur xy-Ebene in der Fig. 6. Die Beugungsstrukturen 32, 33 sind in der Fig. 6 senkrecht zu deren Längserstreckung y geschnitten, erstrecken sich also senkrecht zur Zei- chenebene der Fig.6. Die Beugungsstrukturen 32, 33 der optischen Beugungskomponente 31 sind für das EUV-Nutzlicht unwirksam. Für das EUV-Nutzlicht ist die optische Beugungskomponente 31 hochre- flektierend. Hierzu trägt die Binärgitter-Struktur der optischen Beugungs- komponente 31 eine Mehrlagenbeschichtung 34, die als Mehrzahl bzw. Vielzahl alternierender Einzelschichten verschiedener Materialien ausge- führt sein kann, deren Brechungsindizes und Schichtdicken zur konstrukti- ven Interferenz des zu reflektierenden EUV-Nutzlichts abgestimmt sind. In der Fig.2 ist der Fall angedeutet, bei dem die beiden Facettenspiegel 7 und 14 jeweils eine optische Beugungskomponente 31 tragen. Die Gitter- perioden dieser beiden optischen Beugungskomponenten unterscheiden sich aufgrund der Anpassung an verschiedene Falschlicht-Zielwellenlän- gen. Fig.7 zeigt beispielhaft die Wirkung einer auf dem Kollektor 5 angebrach- ten optischen Beugungskomponente 31 nach Art derjenigen der Fig.6 zur Falschlichtunterdrückung. Gezeigt ist ein Strahlengang hin zum und vom Quellbereich 4 der EUV-Lichtquelle 2 und zeigt insbesondere die Falsch- licht unterdrückende Wirkung des EUV-Kollektors 5, der in diesem Fall mit der optischen Beugungskomponente 31 ausgerüstet ist, die in der Fig.7 nicht maßstäblich dargestellt ist. Pumplicht 35, zum Beispiel die Emission eines CO₂-Lasers, wird in den Quellbereich 4 fokussiert und interagiert mit einem nicht näher dargestell- ten Targetmedium, welches einerseits EUV-Nutzlicht 3 mit einer EUV- Nutzwellenlänge, zum Beispiel von 6,9 nm oder von 13 nm, und Falsch- licht 36 mit einer von der EUV-Nutzwellenlänge abweichenden Wellen- länge abstrahlt. Wesentliche Anteile des Falschlichts 36 haben die Wellen- länge des Pumplichts 35. Das Pumplicht 35 durchtritt eine Durchtrittsöff- nung 35a im Kollektor 5. Sowohl das EUV-Nutzlicht 3 als auch das Falschlicht 36 werden von einer Spiegelfläche des EUV-Kollektors 5 reflektiert, die bei der gezeigten Aus- führung die optische Beugungskomponente 31 trägt. Die Beugungsstrukturen 32, 33 sind in der Fig.7 nicht maßstäblich darge- stellt. Das optische Gitter 31 dient zur beugenden Ablenkung des Falschlichts 36, so dass ausschließlich das EUV-Nutzlicht 3 eine Zwischenfokusblende 37 passiert, die in der Zwischenfokusebene 6 angeordnet ist. Die Zwischenfo- kusebene 6 stellt eine Bildebene des Quellbereichs 4 dar. Entsprechend ist die Spiegelfläche des EUV-Kollektors 5 mit der Grundform einer Kegel- schnitt-Fläche ausgeführt. Bei der in der Fig.7 dargestellten Ausführung ist die Spiegelfläche mit der Grundform einer Ellipsoid-Fläche ausgeführt, in deren einem Brennpunkt der Quellbereich 4 angeordnet ist und in deren anderem Brennpunkt ein Zwischenfokus (IF, intermediate focus) 38 in der Zwischenfokusebene 6 liegt. Bei der Ausführung, die im Zusammenhang mit der Fig.7 beschrieben wurde, trägt zusätzlich zum Kollektor 5 noch eine weitere EUV-Spiegel- Komponente eine entsprechende optische Beugungskomponente 31 nach Fig.6 zur Falschlichtunterdrückung. Beispielhaft können die Feldfacetten 8 des Feldfacettenspiegels 7 mit entsprechenden Beugungsstrukturen 32, 33 versehen sein. Alternativ oder zusätzlich können die Pupillenfacetten 15 des Pupillenfacettenspiegels 14 mit entsprechenden Beugungsstrukturen 32, 33 zur Falschlichtunterdrückung versehen sein. Alternativ oder zusätz- lich kann der Kondensorspiegel 19 entweder in der Ausführung des strei- fenden Einfalls nach Fig.1 oder in der Ausführung zur Reflexion mit klei- nerem Einfallswinkel nach Fig.2 entsprechende Beugungsstrukturen 32, 33 zur Falschlichtunterdrückung tragen. Mindestens zwei der EUV-Spie- gelkomponenten 5 (Kollektor), 7 (Feldfacettenspiegel), 14 (Pupillenfacet- tenspiegel) und 19 (Kondensor) sind mit einer optischen Beugungskompo- nente 31 mit entsprechenden Beugungsstrukturen zur Falschlichtunterdrü- ckung versehen. Die Wirkung der optischen Beugungskomponente 31 auf dem Feldfacettenspiegel 7 und/oder auf dem Pupillenfacettenspiegel 14 und/oder auf dem Kondensorspiegel 19 entspricht, abgesehen von der nachfolgend noch erläuterten Auslegung auf eine andere Falschlicht-Wel- lenlänge, derjenigen, die vorstehend im Zusammenhang mit der Fig.7 und dem Kollektor 5 beschrieben wurde. Auch bei Aufbringung auf einer der anderen EUV-Spiegel-Komponenten 7, 14 oder 19 beugt die dort ange- brachte optische Beugungskomponente 31 Falschlicht mit einer vom EUV- Nutzlicht abweichenden Wellenlänge aus dem Strahlengang des EUV- Nutzlichts. Die optischen Beugungskomponenten 31, die auf mindestens zwei der ver- schiedenen EUV-Spiegel-Komponenten 5, 7, 14, 19 angebracht sind, sind zur Unterdrückung verschiedener Falschlicht-Wellenlängen ausgelegt. Bei- spielsweise kann die optische Beugungskomponente 31 zur Unterdrückung von Falschlicht einer Wellenlänge eines Hauptpulses der als EUV-Plasma- quelle ausgeführten Lichtquelle 2 ausgeführt sein. Die optische Beugungs- komponente 31 auf mindestens einer weiteren EUV-Spiegelkomponente, beispielsweise auf dem Feldfacettenspiegel 7, kann dann zur Unterdrü- ckung einer anderen Falschlichtwellenlänge, z. B. derjenigen eines Vorpul- ses der EUV-Plasmaquelle ausgeführt sein. Die Wellenlänge des Hauptpul- ses kann beispielsweise bei 10,6 µm liegen. Die Wellenlänge des Vorpul- ses kann beispielsweise bei 10,2 µm liegen. Jede der optischen Beugungskomponenten 31 auf den verschiedenen EUV- Spiegel-Komponenten 5, 7, 14, 19 kann genau eine eigene Zielwellenlänge zur Falschlichtunterdrückung haben. Alternativ kann jede dieser optischen Beugungskomponenten 31 auf den verschiedenen EUV-Spiegel-Kompo- nenten 5, 7, 14, 19 eine eigene Haupt-Zielwellenlänge haben, aber auch zusätzlich noch weitere Neben-Wellenlängen unterdrücken. Abgesehen von den beiden EUV-Spiegel-Komponenten, die jeweils die optische Beugungskomponente 31 zur Falschlichtunterdrückung aufwei- sen, können die anderen der EUV-Spiegel-Komponenten im Strahlengang zwischen dem Quellbereich 4 und dem Objektfeld 18 ohne derartige opti- sche Beugungskomponenten ausgeführt sein. Soweit der Kondensorspiegel 19 mit der optischen Beugungskomponente zur Unterdrückung der verschiedenen EUV-Zielwellenlängen beziehungs- weise zur Unterdrückung des Falschlichts in einem Falschlicht- Einfallswinkelbereich ausgeführt ist, kann die optische Beugungskompo- nente so ausgelegt sein, dass eine Unterdrückung zwischen einem minima- len Einfallswinkel größer als 10°, größer als 15° und beispielsweise im Be- reich von 19° und einem maximalen Einfallswinkel kleiner als 30°, kleiner als 25° und beispielsweise im Bereich von 21° mit einem Unterdrückungs- verhältnis von besser als 1.000 unterdrückt wird. Ein Einfallswinkelbereich zwischen dem maximalen Falschlicht-Einfallswinkel und dem minimalen Falschlicht-Einfallswinkel kann bei der Auslegung der optischen Beu- gungskomponente für den Kondensorspiegel 19 im Bereich von 1° oder 2° liegen. Anhand der Fig.8 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer Projek- tionsbelichtungsanlage 1, wiederum mit einer Beleuchtungsoptik beschrie- ben. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vor- stehend anhand der Fig.1 bis 7 bereits erläutert wurden, tragen die glei- chen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. Anstelle eines einzigen Kondensorspiegels hat die Übertragungsoptik 20 nach Fig.8 insgesamt drei EUV-Spiegel 19a, 19b und 19c zur Abbildung der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 7 in die Objektebene 21. Die bei- den EUV-Spiegel 19a, 19b sind als NI (Normal Incidence)-Spiegel mit ei- nem Einfallswinkel des Beleuchtungslichts 3 ausgeführt, der kleiner ist als 45°. Der EUV-Spiegel 19c ist als GI (Grazing Incidence)-Spiegel mit ei- nem Einfallswinkel des Beleuchtungslichts 3 größer als 45° ausgeführt. Die Übertragungsoptik 20 mit den Spiegeln 19a.19b und 19c kann zudem für eine Abbildung einer Beleuchtungs-Pupillenebene im Bereich einer An- ordnungsebene des Pupillenfacettenspiegels 14 in eine Eintrittspupille der Projektionsoptik 22 sorgen. Grundsätzlich ist ein derartiger Aufbau einer Beleuchtungsoptik bekannt aus der DE 102015208571 A1. Bei der Ausführung der Beleuchtungsoptik 9 nach Fig.8 tragen die beiden EUV-Spiegel 19a und 19b jeweils eine der optischen Beugungskomponen- ten 31 zur Unterdrückung der verschiedenen EUV-Zielwellenlängen, also zur Falschlichtunterdrückung. Auch zwei andere der EUV-Spiegel-Kompo- nenten 7, 14, 19a, 19b und 19c können bei anderen Varianten dieser Be- leuchtungsoptik 9 nach Fig.8 entsprechende optische Beugungskomponen- ten 31 tragen. Auch Varianten, bei denen mehr als zwei oder alle der EUV- Spiegelkomponenten 7, 14, 19a, 19b und 19c entsprechende optische Beu- gungskomponenten 31 tragen, von denen mindestens zwei eine eigene Zielwellenlänge zur Falschlichtunterdrückung haben, sind möglich. Hier gilt entsprechend, was vorstehend zu den Ausführungen nach den Fig.1 bis 7 bereits erläutert wurde. Soweit der EUV-Spiegel 19c, also der GI-Spiegel, mit der optischen Beu- gungskomponente zur Unterdrückung der verschiedenen EUV-Zielwellen- längen bzw. zur Unterdrückung des Falschlichts in einem Falschlicht-Ein- fallswinkelbereich ausgeführt ist, kann die optische Beugungskomponente so ausgelegt sein, dass eine Unterdrückung zwischen einem minimalen Einfallswinkel im Bereich von 65° und einem maximalen Einfallswinkel im Bereich von 85° mit einem Unterdrückungsverhältnis von besser als 1000 unterdrückt wird. Dieser Einfallswinkelbereich kann auch zwischen einem minimalen Einfallswinkel von 70° und einem maximalen Einfalls- winkel von 80° liegen. Ein Einfallswinkelbereich zwischen dem maxima- len Falschlicht-Einfallswinkel und dem minimalen Falschlicht-Einfalls- winkel kann bei einer Auslegung der optischen Beugungskomponente für einen solchen GI-Spiegel zwischen 1° und 5° liegen. Eine erste Einfallsrichtung des Beleuchtungslichts 3 nach Reflexion am Kollektor 5 kann, wie bei der Ausführung nach Fig.1 dargestellt, schräg von oben her erfolgen oder kann, wie in der Fig.8 dargestellt, schräg von unten her erfolgen. Auch eine Einfallsrichtung beispielsweise senkrecht von oben oder senkrecht von unten ist möglich, die von der jeweiligen Be- leuchtungsoptik 9 dann entsprechend in die Einfallsrichtung zur Beleuch- tung des Objektfeldes 18 überführt wird. Fig.9 zeigt eine weitere Ausführung einer optischen Beugungskomponente 40 in einer Schnittdarstellung, die mit derjenigen nach Fig.6 vergleichbar ist. Das Beugungsgitter 40 hat innerhalb einer Gitterperiode P längs einer Perioden-Laufrichtung R, die parallel zur x-Richtung verläuft, aufeinander folgende Beugungsstruktur-Niveaus: N1 mit Strukturtiefe 0, N2 mit Struk- turtiefe dv, N3 mit Strukturtiefe dh und N4 mit Strukturtiefe dv + dh. Es gilt: dh < dv. Es gilt: dv + dh > dh, dv. Zwischen den Niveaus N1 und N2 einerseits und N3 und N4 andererseits liegt also die gleiche Strukturtiefen- Differenz dv vor. Zwischen den Niveaus N1 und N3 einerseits sowie N2 und N4 andererseits liegt jeweils die gleiche Strukturtiefen-Differenz dh vor. Das Beugungsgitter 40 hat also insgesamt vier sich in ihrer Strukturtie- fe unterscheidende Beugungsstruktur-Niveaus N1 bis N4. Die Niveaus N1 bis N4 stellen Strukturabschnitte des Beugungsgitters 40 dar, deren Erstreckung längs der Laufrichtung R jeweils P/4 beträgt. Durch entsprechende Auslegung der Strukturtiefen dv und dh kann mit dem Beugungsgitter 40 eine Unterdrückung verschiedener Falschlicht- Wellenlängen λ1, λ2 erfolgen, beispielsweise eine Unterdrückung einer- seits einer Wellenlänge λ1 eines Pumplicht-Vorpulses der Plasma-Licht- quelle 2 von zum Beispiel 10,2 μm sowie andererseits der Wellenlänge λ2 eines Pumplicht-Hauptpulses der Lichtquelle 2, beispielsweise von 10,6 μm. Das Beugungsgitter 40 kann wiederum auf einem Reflexionsabschnitt mindestens einer der EUV-Spiegel-Komponenten 5, 7, 14, 19 aufgebracht sein. Das Beugungsgitter 40 kann so ausgeführt sein, dass es die Falsch- licht-Strahlung 36 innerhalb eines gesamten Einfallswinkelbereichs zwi- schen einem minimalen Einfallswinkel und einem maximalen Einfallswin- kel der auftreffenden Falschlicht-Strahlung mit einem Intensitäts-Unter- drückungsverhältnis unterdrückt, das besser ist als 1000. Hier gilt entspre- chend, was vorstehend zur optischen Beugungskomponente 31 nach Fig.6 bereits erläutert wurde. Beim Beugungsgitter 40 nach Fig. 9 liegen die verschiedenen Beugungs- struktur-Niveaus N1 bis N4 längs der Laufrichtung R jeweils nebeneinan- der. Das Beugungsgitter 40 kann anstelle einer der optischen Beugungskompo- nenten treten, die vorstehend erläutert wurden. Zudem kann das Beugungs- gitter 40 mit zusätzlichen Komponenten und Funktionen, beispielsweise mit einer Mehrlagen-Beschichtung entsprechend dem ausgerüstet sein, was vorstehend in Bezug auf die anderen Beugungsgitter bereits erläutert wur- de. Dies gilt entsprechend auch für die nachfolgend noch beschriebenen Beugungsgitter-Ausführungen. Fig.10 zeigt eine weitere Ausführung einer optischen Beugungskomponen- te in Form eines Beugungsgitters 41, das insbesondere anstelle des Beu- gungsgitters 40 nach Fig.9 zum Einsatz kommen kann. Das Beugungsgitter 41 ist in Strukturabschnitte mit Beugungsstruktur- Niveaus N1, N4 unterteilt, deren Strukturtiefen denen entsprechen, die vor- stehend in Zusammenhang mit der Fig.9 bereits erläutert wurden. Beim Beugungsgitter 41 überlagern sich zwei Gitter mit Perioden P1 und P2 mit Laufrichtungen in der x-Richtung (Gitterperiode P1) und der y- Richtung (Gitterperiode P2). Es ergibt sich eine raster- oder schachbrettar- tige Anordnung der Beugungsstruktur-Niveaus N1 bis N4, die als Anei- nanderstückelung von 2x2-Rasterzellen verstanden werden kann, von de- nen eine dieser Rasterzellen 42 in der Fig.10 gestrichelt hervorgehoben ist. Diese Rasterzelle 42 weist in der ersten Reihe links das folgende Struktur- Niveau N1 mit Strukturtiefe 0 und rechts das Beugungsstruktur-Niveau N2 mit Strukturtiefe dv auf und in der zweiten Reihe links das Beugungs- Struktur-Niveau N3 mit Strukturtiefe dh und rechts das Beugungsstruktur- Niveau N4 mit Strukturtiefe dh + dv. Eine Beugungswirkung des Beugungsgitters 41 kann wiederum zur Falsch- licht-Unterdrückung mehrerer unterschiedlicher Falschlicht-Wellenlängen herangezogen werden. Die Beugungswirkung des Beugungsgitters 41 kann zudem zur Falschlicht-Unterdrückung innerhalb eines gesamten Einfalls- winkelbereichs der Falschlichtstrahlung 36 auf einem Reflexionsabschnitt der jeweiligen EUV-Spiegel-Komponente (5, 7, 14, 19) herangezogen wer- den, die mit dem Beugungsgitter 41 ausgerüstet ist. Fig.11 zeigt eine alternative Darstellung des Beugungsgitters 41 zur Ver- deutlichung der Rasteranordnung der verschiedenen Beugungsstruktur- Niveaus N1 bis N4. Die Beugungsgitter 40 und 41 können durch zwei sequentielle Ätzprozesse hergestellt werden. Dabei wird am Ort der Beugungsstruktur-Niveaus N1 durch Einsatz entsprechender Masken nicht geätzt, am Ort der Beugungs- struktur-Niveaus N2 und N4 mit Strukturtiefe dv und am Ort der Beu- gungsstruktur-Niveaus N3 und N4 mit Strukturtiefe dh geätzt, wobei hier- bei wiederum entsprechende Masken zum Einsatz kommen und wobei aus- schließlich die Beugungsstruktur-Niveaus N4 beiden Ätzschritten unterzo- gen werden, so dass dort die Summen-Strukturtiefe dh + dv erzeugt wird. dv kann im Bereich von 2,65 μm liegen. dh kann im Bereich von 2,55 μm liegen. Das Teilgitter mit dem Strukturtiefen-Unterschied dv kann somit zur Unterdrückung der Falschlicht-Wellenlänge 10,6 μm und das Teilgitter mit dem Strukturtiefen-Unterschied dh zur Unterdrückung der Falschlicht- Wellenlänge 10,2 μm herangezogen werden. Zur Einbeziehung einer zusätzlichen Abhängigkeit der Strukturtiefen dv und dh vom Einfallswinkel der auftreffenden Falschlicht-Strahlung können die Beugungsgitter, insbesondere das Beugungsgitter 41, mit über einer Fläche der jeweiligen EUV-Spiegel-Komponente variierender Strukturtiefe ausgeführt sein. Diese Strukturtiefen-Variation kann in Form einer Abstu- fung oder auch kontinuierlich erfolgen. Fig.12 zeigt in einer zu Fig.9 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausfüh- rung einer optischen Beugungskomponente in Form eines Beugungsgitters 40a, die alternativ oder zusätzlich zum Beugungsgitter 40 oder den anderen vorstehend erläuterten Beugungsgittern zum Einsatz kommen kann. Das Beugungsgitter 40a weist insgesamt drei Typen von Beugungsstruktur- Niveaus N1, N2 und N3 innerhalb einer Gitterperiode P auf, die innerhalb der Gitterperiode P längs der Laufrichtung R jeweils eine Strukturab- schnitt-Länge von P/4 aufweisen. Das Beugungsstruktur-Niveau N1 ist als Neutral-Strukturabschnitt ausgeführt. Das Beugungsstruktur-Niveau N2 ist als Positiv-Strukturabschnitt ausgeführt, dessen Strukturtiefe sich vom Neutral-Strukturabschnitt N1 um einen Wert d1 unterscheidet. Das Beu- gungsstruktur-Niveau N3 ist als Negativ-Strukturabschnitt ausgeführt, des- sen Strukturtiefe sich von der des Neutral-Strukturabschnitts N1 um einen Wert d2 unterscheidet. Die Strukturtiefen d1 und d2 können sich unter- scheiden, können aber auch identisch sein. Für Absolutgrößen der Struktur- tiefen d1, d2 kann gelten, was vorstehend zu den Strukturtiefen dv, dh des Beugungsgitters 40 ausgeführt wurde. Innerhalb der Gitterperiode P kann die Abfolge der Beugungsstruktur-Niveaus wie in der Fig.12 N1, N2, N1 und N3 sein. Auch eine andere Abfolge der Beugungsstruktur-Niveaus ist möglich, wobei der Neutral-Strukturabschnitt N1 insgesamt die doppelte Länge, nämlich P/2 aufweist. Soweit ein Beugungsgitter mit mehr als zwei Beugungsstruktur-Niveaus zum Einsatz kommt, können die verschiedenen Strukturtiefen zur Unter- drückung von unterschiedlichen, nahe beieinander liegenden Wellenlängen ausgeführt sein, um eine gesamte Falschlicht-Unterdrückung zu optimie- ren. Um beispielsweise Pumplicht mit einer Wellenlänge von 10,60 μm zu un- terdrücken, kann ein Beugungsgitter mit zwei Strukturtiefen dv, dh bzw. d1, d2 zum Einsatz kommen, die für Wellenlängen 10,59 μm und 10,61 μm ausgelegt sind und die beispielsweise 2,6475 μm und 2,6525 μm betragen können. Ein Beugungsgitter mit mehr als zwei Beugungsstruktur-Niveaus kann auch dann zur Verbesserung einer Unterdrückungs-Bandbreite genutzt werden, wenn nur eine Zielwellenlänge unterdrückt werden soll, um eine Einfallswinkel-Toleranz zu verbessern. Ein derartiges Beugungsgitter mit mehr als zwei Beugungsstruktur-Niveaus kann auch zur Verbesserung der Unterdrückung innerhalb einer Einfallswinkel-Bandbreite des auf das Beu- gungsgitter 40, 40a, 41 auftreffenden Falschlichts genutzt werden. Es kann somit eine optische Beugungskomponente zur Falschlicht-Unterdrückung mit einer Einfallswinkeltoleranz realisiert werden. Details hierzu werden im Zusammenhang mit den folgenden Ausführungsbeispielen noch erläu- tert. Die Ätztiefen dv, dh bzw. d1, d2 der Gitter 40, 40a, 41 können bei einem Viertel der zu unterdrückenden Falschlicht-Wellenlänge liegen. Die Einfallswinkel-Abhängigkeit von auf den Kollektor 5 auftreffender EUV- und Falschlicht-Strahlung wird anhand der Fig.13 veranschaulicht. Dort ist ein Strahlweg zweier unterschiedlicher Falschlicht-Strahlen 36₁, 36₂, beispielsweise des Pumplicht-Vorpulses, gezeigt. Ein Eintritt des Pumplichts durch eine in der Fig.13 nicht dargestellte Durchtrittsöffnung (vgl. die Durchtrittsöffnung 35a in Fig.7) im Kollektor 5 ist in der Fig.13 nicht gezeigt. Der Falschlicht-Strahl 36₁ ergibt sich durch Rückreflexion des Pumplicht- Vorpulses hin zur Reflexionsfläche des Kollektors 5, wobei die Rückrefle- xion im Quellbereich 4 stattfindet. Der rückreflektierte Falschlicht-Strahl 36₁ trifft senkrecht, also unter einem Einfallswinkel von 0°, auf die Refle- xionsfläche des Kollektors 5 und wird von dort, falls keine Falschlicht- Unterdrückung stattfindet, hin zum Zwischenfokus 38 reflektiert, wobei er den Quellbereich 4 durchtritt. Der weitere Falschlicht-Strahl 36₂, der in der Fig.13 dargestellt ist, wird vom Quellbereich 4 unter einem Ablenkwinkel von nahezu 90° hin zur Reflexionsfläche des Kollektors 5 abgelenkt und trifft auf der Reflexionsfläche des Kollektors 5 unter einem Einfallswinkel α von etwa 30° auf. In konzentrischen Flächenabschnitten des Kollektors 5 um eine zentrale Rotationssymmetrieachse 43 liegt, bei Ausrüstung des Kollektors 5 mit einer optischen Beugungskomponente zur Falschlicht-Unterdrückung, also beispielsweise das Beugungsgitter 41 mit an den jeweiligen Einfallswinkel α angepassten Strukturtiefen dv, dh vor. Die Ätztiefen dh, dv müssen ent- sprechend Cosinus des Einfallswinkels vergrößert werden. Fig.14 verdeutlicht die Einstrahlverhältnisse innerhalb der Plasma-Licht- quelle 2 beim Auftreffen des Pumplicht-Vorimpulses 35₁ auf das Plasma erzeugende Medium in Form eines Zinntröpfchens 44. Der Pumplicht- Vorimpuls 35₁ durchtritt die Durchtrittsöffnung 35a des Kollektors 5, ver- läuft längs der Rotationssymmetrieachse 43 und trifft im Quellbereich 4 auf das Zinntröpfchen 44, das sich in einer Bewegungsrichtung 45 senk- recht zur Rotationssymmetrieachse 43 bewegt. Fig.15 zeigt die Einstrahlverhältnisse des Pumplicht-Hauptimpulses 352, der im Quellbereich 4 ankommt, nachdem das Zinntröpfchen 44 durch den Vorimpuls verdampft wurde. Relativ zum Zinntröpfchen 44 trifft der Pumplicht-Hauptimpuls 35₂ außermittig auf das Zinntröpfchen 44 auf, so dass der Pumplicht-Hauptimpuls 35₂ vom Zinntröpfchen 44 hauptsächlich in Richtung eines außermittigen Kollektorabschnitts 46 des Kollektors 5 reflektiert wird. Der Kollektorabschnitt 46 hat eine Fläche, die kleiner ist als beispielsweise ein Zehntel der gesamten Reflexionsfläche des Kollek- tors 5. Sowohl innerhalb der Meridionalebene, also der Zeichenebene der Fig.15, als auch in Umfangsrichtung um die Rotationssymmetrieachse 43 ist der Kollektorabschnitt 46 begrenzt. Der Kollektor 5 kann so ausgeführt sein, dass im Kollektorabschnitt 46 ein erster Typ einer optischen Beugungskomponente, zum Beispiel ein erster Gittertyp, vorliegt und die sonstige Reflexionsfläche des Kollektors 5 mit einem zweiten Typ einer optischen Beugungskomponente, zum Beispiel mit einem zweiten Gittertyp, ausgerüstet ist. Alternativ kann die sonstige Reflexionsfläche des Kollektors 5 auch ohne Beugungskomponente zur Falschlicht-Unterdrückung ausgerüstet sein. Der erste Gittertyp kann als Mehrfachgitter nach Art der Beugungsgitter 40, 40a, 41 sowohl für die Vorimpuls- als auch für die Hauptimpuls- Wellenlänge ausgeführt sein. Alternativ kann der erste Gittertyp aus- schließlich zur Unterdrückung der Hauptimpuls-Wellenlänge ausgeführt sein. Der zweite Gittertyp außerhalb des Kollektorabschnitts 46 kann ausschließ- lich zur Unterdrückung der Vorimpuls-Wellenlänge, kann ebenfalls als Mehrfachgitter für beide Wellenlängen ausgeführt sein. Beliebige Varian- ten dieser beiden Gittertypen einerseits im Kollektorabschnitt 46 und ande- rerseits im sonstigen Reflexionsflächenbereich des Kollektors 5 sind mög- lich. Soweit einer der beiden Gittertypen nur für genau eine Pumplicht-Wellen- länge ausgelegt ist, kann dieses Gitter insbesondere als Binärgitter nach Art der optischen Beugungskomponente 31 ausgeführt sein. Die verschiedenen Gittertypen, die in den unterschiedlichen Flächenab- schnitten der Reflexionsfläche des Kollektors 5 zum Einsatz kommen kön- nen, können je nach zu erwartendem auftreffenden Falschlicht zum einen auf dessen Unterdrückung optimiert sein und/oder auf eine Reflektivität für das EUV-Nutzlicht optimiert sein. Ein hinsichtlich der Falschlicht-Unterdrückung an die Einfallswinkel ange- passtes Beugungsgitter, wie vorstehend in Zusammenhang mit der Fig.13 ausgeführt, ist ein Beispiel für die Ausführung einer optischen Beugungs- komponente derart, dass in einem gesamten Einfallswinkelbereich zwi- schen einem minimalen Einfallswinkel α_min und einem maximalen Ein- fallswinkel α_max die Falschlicht-Strahlung unterdrückt ist. Der Einfallswin- kelbereich kann dabei dadurch entstehen, dass verschiedene Abschnitte einer Reflexionsfläche der jeweiligen EUV-Spiegel-Komponente mit un- terschiedlichen Einfallswinkeln der zu unterdrückenden Falschlicht-Strah- lung beaufschlagt werden. Alternativ oder zusätzlich kann auch ein und derselbe Abschnitt der Reflexionsfläche von der Falschlicht-Strahlung mit unterschiedlichen Einfallswinkeln innerhalb des Einfallswinkelbereichs beaufschlagt werden. Die jeweilige optische Beugungskomponente ist so ausgelegt, dass diese verschiedenen Fälle bei der Falschlicht-Unter- drückung im gesamten Einfallswinkelbereich berücksichtigt werden. Ein Unterdrückungsverhältnis zwischen einer Intensität des auf das Beugungs- gitter einfallenden Falschlichts und einer Intensität des in Richtung des Strahlengangs für die EUV-Nutzstrahlung ausfallenden Falschlichts kann besser sein als 1000 und kann insbesondere besser sein als 10⁴ oder 10⁵. Nachfolgend werden weitere Ausführungen von Varianten optischer Beu- gungskomponenten erläutert, die zur Falschlicht-Unterdrückung in einem Einfallswinkelbereich zwischen einem minimalen und einem maximalen Einfallswinkel ausgelegt sind. Diese optischen Beugungskomponenten können auf Reflexionsabschnitten der EUV-Spiegel-Komponenten ausge- führt sein. Der jeweilige Reflexionsabschnitt mit der so ausgelegten opti- schen Beugungskomponente kann mindestens eine der Feldfacetten 8 oder ein Abschnitt hiervor sein, kann mindestens eine der Pupillenfacetten 15 oder ein Abschnitt hiervon sein oder kann auch ein Abschnitt der Reflexi- onsfläche des Kollektors 5 oder des Kondensorspiegels 19 oder dessen je- weilige gesamte Reflexionsfläche sein. Fig.16 zeigt eine der Feldfacetten 8 des Feldfacettenspiegels 7 nach Fig.4. Ein einfallender Lichtstrahl, bei dem es sich um Beleuchtungslicht 3i und/oder um Falschlicht 16i handeln kann und der längs des Strahlengangs der Beleuchtungsoptik 9 geführt ist, trifft auf ein Zentrum 8_z der Feldfacet- te 8 unter einem Einfallswinkel α₁ zu einer Normalen N auf die Reflexions- fläche der Feldfacette 8 im Bereich des Zentrums 8_z auf. Fig.17 zeigt die Feldfacette 8 in einer im Vergleich zur Fig.16 verkippten Kippstellung, in die die Feldfacette durch Betätigung des ihr zugeordneten Aktors 12 gekippt wurde. In dieser Kippstellung nach Fig.17 trifft der Lichtstrahl 3i, 16i unter einem im Vergleich zum Einfallswinkel α₁ nach Fig.16 größeren Einfallswinkel α₂ auf die Reflexionsfläche der Feldfacette 8 auf. Die Einfallswinkel α₁, α₂ sind in den Fig.16 und 17 stark übertrieben dar- gestellt. Der Einfallswinkel α₁ kann beispielsweise bei 8° liegen und der Einfallswinkel α₂ bei 12°. Der minimale Einfallswinkel α₁ kann auch kleiner als 8° sein und bei- spielsweise bei 7° liegen. Der maximale Einfallswinkel α₂ kann kleiner sein als 12° und kann beispielsweise bei 9° liegen. Der minimale Einfallswinkel α₁ kann auch bei 9° und der maximale Ein- fallswinkel α₂ kann bei 14° liegen. Ein Einfallswinkelbereich, also eine Differenz zwischen dem maximalen Einfallswinkel und dem minimalen Einfallswinkel, kann relativ klein sein und kann zwischen 1° und 5° oder auch zwischen 2° und 4° oder zwischen 3° und 4° liegen. Abhängig von diesen Einfallswinkeln betragen dann effektiv unter Einbe- ziehung des Einfallswinkels zu unterdrückende Wellenlängen anstelle der tatsächlichen Wellenlängen λ1 von 10,2 μm und λ2 von 10,6 μm in der Kippstellung nach Fig.16 (Einfallswinkel α₁): - 10,2 μm/(cos 8°) = 10,3 μm, - 10,6 μm/(cos 8°) = 10,7 μm und in der Kippstellung nach Fig.17 (Einfallswinkel α₂): - 10,2 μm/(cos 12°) = 10,43 μm, - 10,6 μm/(cos 12°) = 10,84 μm. Die Feldfacette 8 kann zur Unterdrückung dieser effektiven Wellenlängen, die im Bereich zwischen 10,3 μm und 10,84 μm liegen, mit einem Beu- gungsgitter 40, 40a, 41 nach Art der Fig.9 bis 12 mit mehr als zwei Beu- gungsstruktur-Niveaus zur Unterdrückung mehrerer Falschlicht-Wellen- längen ausgeführt sein, wobei die Auslegung beispielsweise so sein kann, dass die erste der zu unterdrückenden Falschlicht-Wellenlängen nominal bei 10,30 μm und die zweite der beiden nominal zu unterdrückenden Falschlicht-Wellenlängen nominal bei 10,84 μm liegt. Ätztiefen dh, dv bzw. d1, d2 können dann bei 2,575 μm und bei 2,709 μm liegen. Die zur Auslegung benutzten effektiven Wellenlängen können also die kleinste reale Wellenlänge zusammen mit dem kleinsten Einfallswinkel sowie die größte reale Wellenlänge zusammen mit dem größten Einfallswinkel sein. Alternativ kann das mindestens drei Beugungsstruktur-Niveaus Ni aufwei- sende Gitter auch zur Unterdrückung ausschließlich des Einfallswinkelbe- reichs für die Wellenlänge des Pumplicht-Hauptimpulses ausgelegt sein, was im obigen Beispiel zu Strukturtiefen von 10,6 μm/(cos 8°) = 10,7 μm und 10,6 μm/(cos 12°) = 10,84 μm und entsprechenden Ätztiefen di von 2,676 μm und 2,709 μm führt. Zusätzlich zum Einfluss des Feldfacetten-Kippwinkels auf den Einfalls- winkel α ergibt sich auch ein Einfluss des Auftreffpunktes des jeweiligen Lichtstrahls 3i, 16i auf der Feldfacette 8 auf den Einfallswinkel. Fig.18 verdeutlicht die hierbei zu berücksichtigenden Dimensionen. Ein Abstand a zwischen dem Zwischenfokus 38 und einer Anordnungsebene des Feldfa- cettenspiegels 7, veranschaulicht durch eine einzelne Feldfacette 8, kann im Bereich von 1.500 mm liegen. Eine x-Erstreckung b der jeweiligen Feldfacette kann bei 75 mm liegen. Es ergibt sich eine Einfallswinkel-Variation, je nach Auftrittspunkt des Lichtstrahls auf der jeweiligen Feldfacette 8, im Bereich von 50 mrad, also im Bereich von knapp 3°. Auch diese Einfallswinkel-Variation kann bei der Auslegung der Strukturtiefen d bzw. di der Beugungsgitter berücksich- tigt werden. Das Beugungsgitter kann insbesondere so gestaltet sein, dass die Ätztiefen di über die Reflexionsfläche der Feldfacette 8 variieren. Fig.19 zeigt eine der Feldfacetten, aufweisend ein Beugungsgitter nach Art des Beugungsgitters 41. Perioden-Laufrichtungen R1, R2 längs der Zeilen und der Spalten der Rasteranordnung der Strukturabschnitte des Beugungs- gitters 41 laufen in der xy-Ebene (y=Scanrichtung) zu den x-,y-Koordina- tenrichtungen unter einem Orientierungswinkel O von etwa 30°. Dies ge- währleistet, dass sich Beugungseffekte des Beugungsgitters 41 während eines Scans eines Objektpunktes durch das Objektfeld herausmitteln und kein unerwünschter systematischer Beugungsstruktur-Effekt über die x- Objektfeldkoordinate resultiert. Die Gitterperioden P1, P2 des Beugungsgitters 41 sind kleiner als die Er- streckungen x₀, y₀ der Feldfacette 8 in der x- und y-Richtung. Dies gewähr- leistet eine ausreichende Beugungseffizienz des Beugungsgitters 41 auf der Feldfacette 8 bei der Falschlicht-Unterdrückung durch destruktive Interfe- renz. Ein Orientierungswinkel O zwischen den Perioden-Laufrichtungen R1, R2 und den Koordinaten x, y der Feldfacette 8 kann im Bereich zwischen 10° und 80° liegen, insbesondere im Bereich zwischen 20° und 70° und bei- spielsweise bei 30° oder 60°. Bei Einsatz eines Beugungsgitters mit einer Perioden-Laufrichtung sollte eine Orientierung der Perioden-Laufrichtung zur Scan-Richtung y jeweils unter einem von 90° und/oder unter einem von 0° verschiedenen Orientierungswinkel verlaufen. Zur Unterdrückung ausschließlich einer Falschlicht-Wellenlänge, insbe- sondere der Wellenlänge des Pumplicht-Hauptimpulses, kann ein Zweistu- fen-Gitter, insbesondere in Form eines Binärgitters, zum Einsatz kommen Eine Ausführung eines solchen Binärgitters ist vorstehend in Zusammen- hang mit der Fig.6 bereits erläutert worden. Fig.20 zeigt eine weitere Ausführung einer optischen Beugungskomponen- te zur Falschlicht-Unterdrückung in Form eines als Binärgitter ausgeführ- ten Beugungsgitters 47. Zwischen den Positiv-Beugungsstrukturen 32 und den Negativ-Beugungsstrukturen 33 liegt eine Strukturtiefe bzw. Ätztiefe d vor. Zur Unterdrückung einer Falschlicht-Wellenlänge von 10,6 μm liegt die Strukturtiefe d bei einem mittleren Einfallswinkel des Falschlichts auf einer EUV-Spiegelkomponente, die mit dem Beugungsgitter 47 ausgerüstet ist, von 10° bei d = λ_eff/4 mit λ_eff = 10,6 μm/(cos 10°). Es ergibt sich eine Strukturtiefe d von 2,691 μm. Fig.21 zeigt eine Feldfacette 8 nach Art der Feldfacetten des Feldfacetten- spiegels nach Fig.3, ausgerüstet mit dem Beugungsgitter 47 nach Fig.20. Die Perioden-Laufrichtung R des Beugungsgitters 47 schließt mit der x- Koordinate der Feldfacette 8 wiederum einen Orientierungswinkel O von etwa 30° ein. Das Verhältnis x0/P zwischen der x-Erstreckung x₀ der Feldfacette 8 und der Periode P des Beugungsgitters 47 beträgt etwa 5/1. Nicht alle Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 7 müssen in gleicher Wei- se mit optischen Beugungskomponenten zur Falschlicht-Unterdrückung ausgerüstet sein. Beispielsweise kann lediglich eine Untergruppe aller Feldfacetten 8 innerhalb eines Anordnungs-Unterbereichs 48 der Feldfacet- ten 8 des Feldfacettenspiegels 7 mit einem Beugungsgitter zur Unterdrü- ckung der Pumplicht-Wellenlänge ausgeführt sein. Fig.22 verdeutlicht die Auswahl des Anordnungs-Unterbereichs 48 inner- halb eines gesamten Facetten-Anordnungsbereichs des Feldfacettenspiegels 7. Der Anordnungs-Unterbereich 48 wird so vorgegeben, dass er diejenigen Feldfacetten 8 erfasst, die im Bereich des Strahlengangs des Pumplicht- Hauptimpulses 35₂ liegen. Die im Anordnungs-Unterbereich 48 liegenden Feldfacetten werden ihrerseits mit einer optischen Beugungskomponente, beispielsweise mit dem Beugungsgitter 47 nach Fig.20, zur Unterdrückung der Wellenlänge des Pumplicht-Hauptimpulses ausgerüstet. Andere Feldfa- cetten außerhalb des Anordnungs-Unterbereichs 48 können mit anderen Typen Feldfacetten bestückt sein, die entweder keine optische Beugungs- komponente zur Falschlicht-Unterdrückung tragen oder andere Typen von optischen Beugungskomponenten, die insbesondere eine höhere Reflektivi- tät für das EUV-Nutzlicht 3 aufweisen. Fig.23 zeigt eine Pupillenfacette 15, die anstelle der runden Pupillenfacet- ten beim Pupillenfacettenspiegel 14 nach Fig.5 zum Einsatz kommen kann. Die Pupillenfacette 15 nach Fig.23 trägt wiederum eine optische Beugungskomponente zur Falschlicht-Unterdrückung. Bei der Ausführung nach Fig.23 ist dies das binäre Beugungsgitter 47, das vorstehend im Zu- sammenhang mit den Fig.20 und 21 bereits beschrieben wurde. Auch bei dem Beugungsgitter 47 für die Pupillenfacette 15 läuft eine Perioden-Lauf- richtung R unter einem Orientierungswinkel O, der beispielsweise 30° be- tragen kann, zu der x-Koordinate. Ein typischer Durchmesser der Pupillenfacette 15 ist etwa fünf- bis zehn- mal so groß wie die Gitterperiode P des Beugungsgitters 47. Auch die Pupillenfacetten 15 können mit optischen Beugungskomponenten in Form von Beugungsgittern ausgerüstet sein, bei denen ein Einfallswin- kelbereich zwischen einem minimalen und einem maximalen Einfallswin- kel der auftreffenden Strahlung berücksichtigt wird. Fig.24 zeigt einen Teil eines Strahlengangs eines Beleuchtungs- bzw. Aus- leuchtungskanals zwischen einer der Feldfacetten 8 und einer dieser zuge- ordneten Pupillenfacette 15. Dargestellt sind beispielhaft zwei von gegen- über liegenden Randbereichen der Feldfacetten 8 ausgehende Einzelstrah- len 3i, 16i sowie 3j, 16j. Diese Einzelstrahlen markieren Ränder eines Ein- fallswinkelbereichs bzw. eines Einfallswinkelintervalls Δα von Einfalls- winkeln auf der Pupillenfacette 15. Dieses Einfallswinkelintervall Δα liegt, die jeweilige Ausdehnung der Reflexionsfläche der Feldfacette 8 einerseits sowie den Abstand zwischen der Feldfacette 8 und der zugeordneten Pupil- lenfacette 15 andererseits berücksichtigend, im Bereich zwischen 30 mrad und 50 mrad, also im Bereich von etwa 2°. Dieses Einfallswinkelintervall Δα und der daraus resultierende Einfallswinkelbereich zwischen einem mi- nimalen Einfallswinkel und einem maximalen Einfallswinkel auf der Pupil- lenfacette 15 kann bei der Auslegung einer optischen Beugungskomponen- te, mit der die Pupillenfacette 15 ausgerüstet wird, also beispielsweise einer Ausführung eines Beugungsgitters gemäß den vorstehend beschriebenen Varianten, Berücksichtigung finden, wie vorstehend in Zusammenhang mit der Ausrüstung der Feldfacetten 8 bereits erläutert. Fig.25 zeigt eine der Pupillenfacetten 15 mit einem Beugungsgitter 41 nach Art desjenigen, das vorstehend in Zusammenhang mit den Fig.10 und 11 erläutert wurde. Laufrichtungen R1, R2 sind wiederum gegenüber den x- und y-Koordinaten der Pupillenfacette 15 verkippt, wie vorstehend im Zusammenhang mit der Feldfacette 8 der Fig.19 bereits erläutert wurde. Ein Verhältnis zwischen einer Periode P1, P2 und einem typischen Durch- messer der Pupillenfacette 15 kann im Bereich zwischen 1/5 und 1/15 lie- gen. Zusätzlichen Einfluss auf ein Einfallswinkelintervall Δα auf der Pupillen- facette 15 zur Auslegung der jeweiligen optischen Beugungskomponente zur Falschlicht-Unterdrückung kann eine grundsätzlich mögliche Kippbar- keit der Pupillenfacetten 15 haben, wie nachfolgend anhand der Fig.26 bis 28 erläutert wird. Die verkippbare Pupillenfacette 15 nach Fig.26 hat, ver- gleichbar zu den verkippbaren Feldfacetten 8, einen Kippaktor 49, der mit der jeweiligen Pupillenfacette 15 in Wirkverbindung steht. Fig.26 zeigt eine erste Ausleuchtungskanal-Zuordnung zwischen einer Feldfacette 8₁ des Feldfacettenspiegels 7 und der Pupillenfacette 15. Die Pupillenfacette 15 ist zur Reflexion des Beleuchtungslichts 3, das über die- sen Ausleuchtungskanal geführt ist, in einer ersten Kippstellung. Es resul- tiert ein erstes Einfallswinkelintervall aufgrund der Ausdehnung der Feld- facette 8₁ entsprechend dem, was vorstehend im Zusammenhang mit der Fig.24 bereits erläutert wurde. Fig.27 zeigt eine andere Facetten-Zuordnung, bei der der Pupillenfacette 15 eine andere Feldfacette 8₂ über einen Ausleuchtungskanal zur Führung des Beleuchtungslichts 3 zugeordnet ist. Die Pupillenfacette 15 ist dann im Vergleich zur Fig.26 in einer anderen Kippstellung, was zu einem anderen Einfallswinkelintervall des auf die Pupillenfacette 15 einfallenden Beleuch- tungslichts 3 sowie des gegebenenfalls mitgeführten Falschlichts führt. Fig.28 zeigt das resultierende Gesamt-Einfallswinkelintervall Δα_G, das bei der Auslegung der schalt- bzw. kippbaren Pupillenfacette 15 aufgrund der Kippstellungen nach den Fig.26 und 27 berücksichtigt werden muss. Die- ses Gesamt-Einfallswinkelintervall kann im Bereich zwischen 4° und 15° liegen, d.h., der minimale Einfallswinkel beträgt 4° und der maximale Ein- fallswinkel beträgt 15°. Der minimale Einfallswinkel kann auch kleiner sein und beispielsweise bei 2° oder bei 3° liegen. Der minimale Einfallswinkel kann auch größer sein als 4° und beispielsweise bei 5° oder bei 8° liegen. Der maximale Einfalls- winkel kann größer sein als 15° und kann beispielsweise bei 20° liegen. Ein gesamter zu unterdrückender Einfallswinkelbereich, also eine Diffe- renz zwischen einem maximalen und einem minimalen Einfallswinkel auf der jeweiligen Pupillenfacette, kann relativ klein sein und kann beispiels- weise 1° betragen. Auch größere Einfallswinkelbereiche, beispielsweise von 2° oder 3° sind möglich. Ein minimaler Einfallswinkel kann auch im Bereich von 3° und ein maxi- maler Einfallswinkel kann im Bereich von 17° liegen. Ein zu unterdrü- ckender Einfallswinkelbereich, also eine Differenz zwischen einem maxi- malen und einem minimalen Einfallswinkel, kann im Bereich zwischen 1° und 3° liegen. Zur Unterdrückung der beiden Falschlicht-Wellenlängen von 10,2 μm und 10,6 μm kann dann eine erste Strukturtiefe dh bzw. d1 von 1/4 × 10,2 μm/(cos 4°) = 10,225 μm/4 und eine Strukturtiefe dv bzw. d2 von 1/4 × 10,6 μm/(cos 15°) = 10,974 μm/4 gewählt werden. Fig.29 zeigt eine Erweiterung des Konzeptes „Facetten mit unterschiedli- chen Beugungsgitter-Typen“, das vorstehend in Zusammenhang mit der Fig.22 erläutert wurde. Zusätzlich zum Einsatz von Feldfacetten 8i, 8j zweier unterschiedlicher Beugungs-Unterdrückungstypen i und j können entsprechend zugeordnete Pupillenfacetten-Typen 15i, 15j genutzt werden, die sich ebenfalls im Beugungs-Unterdrückungstyp unterscheiden. Den Feldfacetten 8i, die im Beispiel nach Fig.29 innerhalb des Anordnungs- Unterbereichs 48 des Feldfacettenspiegels 7 angeordnet sind, können über entsprechende Ausleuchtungskanäle 3i die Pupillenfacetten 15 zugeordnet sein, deren optische Beugungskomponenten zur Unterdrückung der Pump- licht-Hauptimpuls-Wellenlänge ausgelegt ist. Für die Zuordnung der Git- tertypen i, j kann gelten, was vorstehend im Zusammenhang mit den Gitter- typen 1 und 2 (erster und zweiter Gittertyp) der Beugungsgitter des Reflek- tors 5 nach Fig.15 ausgeführt wurde. Auch der Kondensorspiegel 19 kann mit einer optischen Beugungskompo- nente in Form eines Beugungsgitters versehen sein, dessen Unterdrü- ckungswirkung auf einen Einfallswinkelbereich der auftreffenden Strah- lung zwischen einem minimalen Einfallswinkel und einem maximalen Ein- fallswinkel ausgelegt ist. Fig.30 zeigt eine geometrische Darstellung eines Teils des Strahlengangs der EUV-Strahlung sowie der gegebenenfalls mitgeführten Falschlicht- Strahlung zwischen dem Kondensorspiegel 19 und einer Eintrittspupille 50 der Projektionsoptik 22. Zwischen dem Kondensorspiegel 19 und der Ein- trittspupille 50 liegt das Retikel 23. Die Eintrittspupille 50 kann auch eine andere relative Lage zum Kondensorspiegel 19 und zum Retikel 23 haben, als in der Fig.30 dargestellt. Gestrichelt sind in der Fig.30 Randstrahlen 3RS des EUV-Strahlengangs dargestellt, die Randpunkt-Paare des Retikels 23 und der Eintrittspupille 50 im in der Fig.30 gezeigten Meridionalschnitt durchtreten. Durchgezogen sind in der Fig.30 beispielhafte Einzelstrahlen 3i dargestellt, die von genau einem bestimmten Punkt 19i auf den Kondensorspiegel ausgehen und Teile des EUV-Strahlengangs sind sowie den minimalen Einfallswinkel und den maximalen Einfallswinkel auf dem Kondensorspiegel 19 repräsentieren. Die beiden Strahlen 3i sind also ein Maß für einen Einfallswinkelbereich, der zur Falschlicht-Unterdrückung durch eine optische Beugungskompo- nente, insbesondere eine der Varianten der optischen Beugungsgitter, die vorstehend diskutiert wurden, zur Falschlicht-Unterdrückung abgedeckt werden muss. Fig.31 zeigt einen Abschnitt eines Feldfacettenspiegels 51, der anstelle der vorstehend erläuterten Feldfacettenspiegel 7 innerhalb der Beleuchtungsop- tik 9 der Projektionsbelichtungsanlage 1 zum Einsatz kommen kann. Der dargestellte Abschnitt einer Facettenanordnung des Feldfacettenspiegels 51 ist unterteilt in insgesamt sechs Einzelspiegel-Module 52₁ ¹ bis 52₂ ³, wobei die Indizierung 52_i ^j die Position des Einzelspiegel-Moduls 52_i ^j innerhalb eines Rasters aus i-Zeilen und j-Spalten wiedergibt. Jedes der Einzelspie- gel-Module 52 hat wiederum ein 10x10-Raster aus Einzelspiegeln 53, die als MEMS-Einzelspiegel ausgeführt sein können. Das jeweilige Einzel- spiegel-Modul 52 stellt eine Gruppe von Einzelspiegeln 53 dar. Über den dargestellten Abschnitt des Feldfacettenspiegels 51 lassen sich, jedenfalls zum größten Teil, durch entsprechende Gruppierung und Zu- sammenschaltung der Einzelspiegel 53 der verschiedenen Einzelspiegel- Module 52_i ^j beispielsweise drei Feldfacetten 81, 82 und 83 (8i) generieren, die auch als virtuelle Feldfacetten bezeichnet werden. Jede dieser Feldfa- cetten 8i stellt eine Gruppe von Einzelspiegeln 53 dar. Jedes der Einzelspiegel-Module 52 kann mit einer eigenen optischen Beu- gungskomponente zur Falschlicht-Unterdrückung entsprechend dem ausge- rüstet sein, was vorstehend im Zusammenhang mit den anderen Feldfacet- ten-Varianten bereits erläutert wurde. Hierzu kann ein Einfallswinkelbe- reich des Falschlichts auf dem jeweiligen Einzelspiegel-Moduls 52_i ^j vorab abgeschätzt bzw. berechnet werden. Anhand des sich hierbei ergebenden Einfallswinkelbereichs kann dann eine Auslegung der optischen Beugungs- komponente auf Abschnitten einzelner Einzelspiegel des jeweiligen Mo- duls 52_i ^j, auf gesamten Einzelspiegeln 53 des jeweiligen Moduls 52_i ^j oder auch auf dem gesamten Einzelspiegel-Modul 52_i ^j erfolgen. Fig.32 zeigt in einer zur Fig.3 ähnlichen Darstellung wiederum sechs Ein- zelspiegel-Module 52_i ^j eines Pupillenfacettenspiegels 54, der anstelle des Pupillenfacettenspiegels 14 bei der Beleuchtungsoptik 9 der Projektionsbe- lichtungsanlage 1 zum Einsatz kommen kann. Wiederum können durch Zuordnung und Zusammenschaltung gruppierter Einzelspiegel 53 der Einzelspiegel-Module 52_i ^j Pupillenfacetten 15i gene- riert werden, die in der Fig.32 durch eine hexagonale Belegung angedeutet sind. Jede dieser Pupillenfacetten 15i stellt eine Gruppe von Einzelspiegeln 53 dar. Auch bei der Nutzung der Einzelspiegel.-Module 52_i ^j als Bestand- teile des Pupillenfacettenspiegels 54 können diese Einzelspiegel-Module 52_i ^j wiederum mit optischen Beugungskomponenten nach Art der vorste- hend erläuterten Beugungsgitter zur Falschlicht-Unterdrückung ausgerüstet werden. Anstelle einer Beleuchtungsoptik mit einem Feldfacettenspiegel und einem Pupillenfacettenspiegel kann auch ein spekularer Reflektor zum Einsatz kommen, bei dem insbesondere ein zweites Facettenelement, das nach ei- nem Facettenelement nach Art des Feldfacettenspiegels genutzt wird, nicht im Bereich einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik angeordnet ist. Ein spekularer Reflektor ist beispielsweise beschrieben in der US 8934085 B2, in der US 2006/0132747 A1, in der EP 1614008 B1 und in der US 6573978. Auch beim Einsatz eines derartigen spekularen Reflektors können zweite Facetten zum Einsatz kommen, die mit einer optischen Beugungskomponente nach Art eines der vorstehend erläuterten Beu- gungsgitter zur Falschlicht-Unterdrückung ausgerüstet sind. Die vorstehend beschriebenen EUV-Spiegel-Komponenten können vollflä- chig mit mindestens einer optischen Beugungskomponente zur Falschlicht- Unterdrückung versehen sein oder alternativ auch nur in Abschnitten ihrer jeweiligen Reflexionsfläche. Beispielsweise ist es möglich, bei einer Aus- rüstung der Facettenspiegel mit einer optischen Beugungskomponente nicht alle Facetten in gleicher Weise auszurüsten oder auch einige Facetten nicht mit einer optischen Beugungskomponente auszurüsten. Die EUV- Spiegel-Komponenten oder auch einzelne oder alle Facetten können auch lediglich abschnittsweise mit einer optischen Beugungskomponente verse- hen sein. Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Pro- jektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 23 bzw. das Retikel und das Substrat bzw. der Wafer 28 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 23 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 28 mithilfe der Projektionsbe- lichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 28 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.

Claims

Patentansprüche 1. Optisches Beleuchtungssystem zur Führung von EUV-Strahlung (3) zwischen einem Quellbereich (4) einer EUV-Lichtquelle (2) und einem Objektfeld (18), in dem ein abzubildendes Objekt (23) anordenbar ist, - mit EUV-Spiegel-Komponenten (5, 7, 14, 19; 51; 54), die sequen- tiell die EUV-Strahlung (3) zwischen dem Quellbereich (4) und dem Objektfeld (18) führen, - wobei mindestens ein Reflexionsabschnitt (8, 15) einer der EUV- Spiegelkomponenten (5, 7, 14, 19; 51; 54) innerhalb eines Strah- lengangs der EUV-Strahlung (3) mit Strahlung in einem Einfalls- winkelbereich (Δα) zwischen einem minimalen Einfallswinkel (αmin) und einem maximalen Einfallswinkel (α_max) beaufschlagbar ist, - wobei auf dem Reflexionsabschnitt (8, 15) eine optische Beu- gungskomponente (31; 40, 40a, 41; 47) zur Unterdrückung von im Strahlengang mitgeführter Falschlicht-Strahlung (36) angeordnet ist; - wobei die optische Beugungskomponente (31; 40; 40a; 41; 47) so ausgeführt ist, dass im gesamten Einfallswinkelbereich (Δα) die Falschlicht-Strahlung (36) mit einem Unterdrückungsverhältnis zwischen einer Intensität des auf den Reflexionsabschnitt (8, 15) einfallenden Falschlichts (36) und einer Intensität des vom Refle- xionsabschnitt (8, 15) in Richtung des Strahlengangs ausfallenden Falschlichts (36) unterdrückt ist, das besser ist als 1000.

2. Optisches Beleuchtungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekenn- zeichnet, dass die optische Beugungskomponente (31; 40; 40a; 41; 47) als Beugungsgitter mit mehr als zwei Beugungsstruktur-Niveaus (N1, N2, N3, N4; N1, N2, N3) zur Verbesserung einer Einfallswinkel- Toleranz einer Unterdrückung der Falschlicht-Strahlung über den ge- samten Einfallswinkelbereich (Δα) ausgeführt ist.

3. Optisches Beleuchtungssystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge- kennzeichnet, dass die optische Beugungskomponente (31; 40; 40a; 41; 47) zur Unterdrückung der Falschlicht-Strahlung im Einfallswin- kelbereich (Δα) zwischen einem minimalen Einfallswinkel (α_min) von 1° und einem maximalen Einfallswinkel (αmax) von 21° mit dem Unter- drückungsverhältnis besser als 1000 unterdrückt ist.

4. Optisches Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass es mindestens einen Facettenspiegel (7; 14; 51; 54) als EUV-Spiegel-Komponente aufweist, wobei der Re- flexionsabschnitt (8, 15) mit der optischen Beugungskomponente (40; 40a; 41; 47) Teil des Facettenspiegels (7, 14; 50; 54) ist.

5. Optisches Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekenn- zeichnet, dass - der Reflexionsabschnitt mit der optischen Beugungskomponente (40; 40a; 41; 47) auf mindestens einer gesamten Facette (8; 15) des Facettenspiegels (7, 14; 50; 54) ausgeführt ist.

6. Optisches Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekenn- zeichnet, dass der Facettenspiegel als Feldfacettenspiegel (7; 51) aus- geführt ist, wobei der Reflexionsabschnitt mit der optischen Beu- gungskomponente (40; 40a; 41; 47) auf mindestens einer Feldfacette (8) des Feldfacettenspiegels (7) oder auf einem Abschnitt (53) der Feldfacette (8) ausgeführt ist.

7. Optisches Beleuchtungssystem nach Anspruch 4 oder 6, dadurch ge- kennzeichnet, dass der Facettenspiegel als Pupillenfacettenspiegel (15; 54) ausgeführt ist, wobei der Reflexionsabschnitt mit der opti- schen Beugungskomponente (40; 40a; 41; 47) auf mindestens einer Pupillenfacette (15) des Pupillenfacettenspiegels (14) oder auf einem Abschnitt (53) der Pupillenfacette (15) ausgeführt ist.

8. Optisches Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekenn- zeichnet, dass der Facettenspiegel (51; 54) als MEMS-Spiegel mit ei- ner Vielzahl von Einzelspiegeln (53) ausgeführt ist, wobei der Reflexi- onsabschnitt mit der optischen Beugungskomponente (40; 40a; 41; 47) auf mindestens einem der Einzelspiegel (53) des Facettenspiegels (51; 54) oder auf einem Abschnitt des Einzelspiegels (53) ausgeführt ist.

9. Optisches Beleuchtungssystem nach Anspruch 8, dadurch gekenn- zeichnet, dass der Reflexionsabschnitt mit der optischen Beugungs- komponente (40; 40a; 41; 47) auf einer Gruppe (52; 8i; 15i) von be- nachbarten Einzelspiegeln (53) ausgeführt ist.

10. Optisches Beleuchtungssystem nach Anspruch 9, dadurch gekenn- zeichnet, dass die Gruppe benachbarter Einzelspiegel (53) als Einzel- spiegel-Modul (52) ausgeführt ist.

11. Optisches System mit einem Beleuchtungssystem nach einem der An- sprüche 1 bis 10 und einer Projektionsoptik (22) zur Abbildung des Objektfeldes (18) in ein Bildfeld (26), in dem ein Substrat (28) anordenbar ist.

12. Optisches System nach Anspruch 11 mit einer EUV-Lichtquelle (2).

13. Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem optischen System nach Anspruch 12.

14. Verfahren zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Wafers (28), auf dem zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, - Bereitstellen eines Retikels als Objekt (23), das abzubildende Strukturen aufweist, - Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 13, - Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (23) auf einen Be- reich der Schicht des Wafers (28) mit Hilfe der Projektionsbelich- tungsanlage (1).

15. Strukturiertes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach An- spruch 14.