CN106605175B - 投射光刻的照明光学单元的分面反射镜 - Google Patents

投射光刻的照明光学单元的分面反射镜 Download PDF

Info

Publication number
CN106605175B
CN106605175B CN201580045812.0A CN201580045812A CN106605175B CN 106605175 B CN106605175 B CN 106605175B CN 201580045812 A CN201580045812 A CN 201580045812A CN 106605175 B CN106605175 B CN 106605175B
Authority
CN
China
Prior art keywords
facet
facets
mirror
illumination
facet mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580045812.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106605175A (zh
Inventor
M.德冈瑟
M.帕特拉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of CN106605175A publication Critical patent/CN106605175A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106605175B publication Critical patent/CN106605175B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/08Mirrors
    • G02B5/0891Ultraviolet [UV] mirrors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/08Mirrors
    • G02B5/09Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/067Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators using surface reflection, e.g. grazing incidence mirrors, gratings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)

Abstract

一种投射光刻的照明光学单元的分面反射镜(11),包含多个使用分面(12),其每个反射照明光部分光束。分面反射镜(11)具有至少一个变化子单元(161、162、163),其具有在分面承载件上共同布置的多个变化分面(12;121、121′),所述变化分面能够替代地位于精确的一个使用分面(12)的使用位置处。这导致分面反射镜能够用以在操作上可靠且稳定地设定不同的照明几何形状或照明设定。

Description

投射光刻的照明光学单元的分面反射镜
相关申请的交叉引用
本专利申请要去德国专利申请DE 10 2014 216 801.5的优先权,其内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明关于一种投射光刻的照明光学单元的分面反射镜(facet mirror)。此外,本发明关于包含这种分面反射镜的照明光学单元、包含这种照明光学单元的光学系统以及照明系统、包含这种光学系统的投射曝光装置、一种制造微结构或纳米结构组件的方法以及由此方法制造的微结构或纳米结构组件。
背景技术
从EP 1 927 892 A1、US 7,858,957 B2、US 2012/0 293 785 A1、US 6,658,084B2、DE 10 2006 014 380 A1、DE 103 17 667 A1、DE 10 2013 212 363 A1及DE 10 2012207 048 A1已知投射光刻的照明光学单元的分面反射镜。
发明内容
本发明的目的为发展引言中所述类型的分面反射镜,使得不同的照明几何形状或照明设定在操作上能够可靠且稳定地设定。
此目的根据本发明通过一种投射光刻的照明光学单元的分面反射镜实现。所述分面反射镜包含多个使用分面,其每个反射照明光部分光束;以及包含至少一个变化子单元,其具有共同布置于分面承载件上的多个变化分面,所述变化分面能够替代地位于所述使用分面中精确的一个使用分面的使用位置处。
根据本发明,已认识到于变化子单元(change subunit)的共同分面承载件(common facet carrier)上容纳多个变化子单元的结果为有可能实现各使用分面的稳定且操作上可靠的定位。不同变化子单元间的交换(如EP 1 927 892 A1中所讨论)将被排除。使用分面在其成像特性和/或其方向影响特性和/或其他参数上可不相同。特别地,结果为可热承载的分面反射镜(thermally loadable facet mirror)。变化子单元的数量可刚好等于使用分面布置的线数量。或者,若只有使用分面布置的一部分预期会配备有可变化的使用分面,则也可提供较小数量的变化子单元。变化子单元可具有单独分配的位移致动器。变化子单元的位移确保针对该变化子单元的变化分面,只有一个使用分面改变,其接着变成替代的使用分面。所有其他使用分面的定位维持不变,不受该变化子单元的位移的影响。
可通过变化子单元改变的使用分面与不属于此变化子单元的邻近使用分面之间的距离至多可为2毫米。在可通过变化子单元改变的使用分面与不属于此变化子单元的使用分面间的该距离的方向上,邻近使用分面可具有至少为此距离5倍的范围,使得该距离的最大值因此为此使用分面的范围的20%。这使得实现分面反射镜的所有使用分面实际上不间断的封装(uninterrupted packing)。
根据本发明,变化子单元在线方向上包含至少一个分面线,其中变化分面沿所述分面线布置,其中分面反射镜的使用分面关于所述分面线的线方向横向布置。这样,可沿变化子单元的分面线(facet line)提供实际上无限数量的变化分面。在各个情况下使用不同的使用分面的可预定义的照明设定的数量可相当大。沿着分面线,变化子单元可以可线性位移的方式实施。
根据本发明,变化子单元以可枢转的方式实施,其中变化分面布置在围绕枢转轴的圆周方向上。可枢转变化子单元导致分面反射镜的构造中的变化子单元的稳定且同时紧凑的整体布置。可枢转变化子单元也可为可旋转大于360°的变化子单元。以可枢转方式实施的正好一个变化子单元可具有二、三、四、五、六或更多的变化分面。
根据本发明,变化子单元包含具有旋转对称壁区段的分面承载件,邻近的变化子单元能够通过所述旋转对称壁区段而彼此抵靠。这样,分面反射镜特别地稳定。特别地,分面承载件可具有球形壁。壁区段(wall section)的旋转对称轴可与相应变化子单元的枢转或旋转轴重合。或者,特别地,在包含矩形使用分面的分面反射镜的构造中,分面承载件也可具有平面壁,邻近变化子单元可经由该平面壁而彼此抵靠。
可枢转的变化子单元布置为二维阵列的构造可用于取代常规的场分面反射镜(field facet mirror),其场分面布置为二维阵列(array)。在此情况中,场分面可具有矩形或弯曲的反射表面。
分面反射镜可用作包含布置在与光瞳平面相距一距离的转移分面反射镜和镜像分面反射镜的照明光学单元中的转移分面反射镜(transfer facet mirror)或镜像分面反射镜(specular facet mirror)、或用作包含场分面反射镜和光瞳分面反射镜的照明光学单元中的场分面反射镜。
一种投射光刻的光学系统,包含上述任一所述的照明光学单元,用于照明物场,其中要照明的物体能够布置于所述物场中;以及包含投射光学单元,用于将所述物场成像至像场中。一种照明系统,包含上述任一所述的照明光学单元且包含EUV光源。一种投射曝光装置,包含上述光学系统和EUV光源。一种制造结构化组件的方法,包含以下步骤:提供上述投射曝光装置;提供掩模母版;将布置在所述物场中的所述掩模母版的表面投射至晶片的光敏层上。一种由上述方法制造的组件。上述光学系统、上述照明系统、上述投射曝光装置、上述制造方法以及上述的微结构或纳米结构组件的优点对应于已在前文中参照根据本发明的分面反射镜和/或根据本发明的照明光学单元进行解释的优点。微结构或纳米结构的组件可为半导体组件,特别是微芯片,例如存储器芯片。
附图说明
下面参考附图更详细地解释本发明的示例实施例,其中:
图1高度示意地显示包含照明光学单元的EUV投射曝光装置的EUV照明系统,所述照明光学单元包含转移分面反射镜和镜像分面反射镜,其中镜像分面反射镜在各个情况下包含具有多个变化分面的指定变化子单元;
图2以透视图显示分面反射镜中的一个的部分,其中图解了总共三个变化子单元的区段,所述三个变化子单元各包含多个变化分面;
图3以透视图显示可用于投射曝光装置的照明光学单元中的分面反射镜的变化子单元的另一实施例;
图4以透视图显示可用于投射曝光装置的照明光学单元中的分面反射镜的变化子单元的另一实施例;
图5以透视图显示可用于投射曝光装置的照明光学单元中的分面反射镜的变化子单元的另一实施例;
图6以侧视图显示变化子单元的另一实施例,其中此类型的两个变化子单元显示为彼此并排;
图7显示由图6的变化子单元构造的分面反射镜的区段的平面图;以及
图8同样高度示意地显示包含场分面反射镜和光瞳分面反射镜(pupil facetmirror)的EUV投射曝光装置的EUV照明系统的另一实施例。
具体实施方式
图1示意性地描述在EUV光源或辐射源2与照明场或物场3之间的EUV照明系统1。EUV照明系统1为用于制造高度集成的半导体组件(特别是包含纳米范围结构的存储器芯片)的EUV投射曝光装置4的部分。
照明系统1用于照明场的限定照明(defined illumination)。照明场可大于实际的物场3,使得物场3布置于照明场中。或者,照明场可与物场3重合。在另一变型中,在沿物体或掩模母版位移方向上,照明场可小于物场3。在垂直物体位移方向上,照明场可大于物场3。
在图1的实施例中,图1所示的辐射源为自由电子激光器(free electron laser,FEL)。光源或辐射源2为EUV(极紫外)光源,其具有范围在5纳米与30纳米之间的发射的使用辐射。用于EUV投射曝光的波长带或EUV辐射的目标波长范围例如为13.5纳米±1纳米。EUV辐射在下文中也称作照明和成像光。不同的目标波长范围,例如在5纳米与17纳米之间,也是可能的。使用的EUV波长带的带宽可在0.1纳米与2纳米之间。光源2为同步加速器源或基于自由电子激光器(FEL)的源。光源2的光展量(etendue)小于10-7m2rad2。光展量为含有90%光能量的相空间(phase space)的最小体积。
物场3为矩形。或者,物场3也可以环形的方式或弓形的方式实施。
在物场3中,反射式掩模母版5(也称作光刻掩模)布置为要被照明且要被成像的物体。掩模母版5由掩模母版保持件5a承载,其进而机械操作地连接至掩模母版位移装置5b。
物场3通过投射镜头6成像至像场7。投射光学单元6的入射光瞳可位于物场3下游的光束路径中。晶片8(其具有对辐射源2所产生的EUV照明光9光敏感的层)的一区段布置在像场7中。位于物场3中的掩模母版5的区段成像在晶片8上。晶片8也称作基板。晶片8由晶片保持件8a承载,其进而机械地连接至晶片位移装置8b。
EUV投射曝光装置4具有中央控制装置4a且以扫描仪的方式实施。在此情况下,扫描方向平行于物场3和照明场7的短边行进。
投射曝光装置4的组件全部示意地绘示于图1的平面图中。在此平面图中,物场3和像场7跨越笛卡儿坐标系统的坐标x、y。x方向在图1中朝右方。y方向在图1中朝上方。由辐射源2产生的照明光9的实际主光束方向在投射曝光装置4中实质上垂直于xy平面。
由辐射源2发射的照明光9首先由光束成形装置10塑形。这可包含xy-扫描仪,其将由辐射源2所发射的具有低发散度的照明光束在x方向及y方向中散开。光束成形装置10使得有可能单独地选择照明光9的光束在光束成形装置10下游具有什么样的有效x范围及有效y范围。光束成形装置10的驱动可选择成使得在照明光9的光束路径中后续的光学元件之一(特别是光束路径中的下一个光学元件)和/或物场3由照明光9均匀地照明。
在替代实施例中,光束成形装置10包含至少一个固定反射镜,其将照明光9散开。所述散开可选择成使得在照明光9的光束路径中后续的光学元件之一(特别是光束路径中的下一个光学元件)和/或物场3由照明光9均匀地照明。
对于实施为xy-扫描仪的光束成形装置10,此实施例可使得在照明光9的光束路径中接续在光束成形装置10之后的光学组件之一的仅一小区域在某一时间点被照明。因此,当使用高度相干的光源时,特别是当使用FEL时,可减少斑点。
包含转移分面12的转移分面反射镜11在照明光9的光束路径中设置于光束成形装置10的下游。转移分面反射镜11布置于照明系统1与物场3的物平面光学共轭的场平面中。转移分面12为矩形。物场3的边界形状不需对应于转移分面12的边界形状。转移分面12的x/y纵横比(aspect ratio)不需对应于物场3的x/y纵横比。
由转移分面12中相应一个反射的照明光部分光束9i照在镜像分面反射镜14的镜像分面13上,镜像分面反射镜14布置于照明光9的在转移分面反射镜11下游的光束路径中。镜像分面反射镜14构成照明系统1的镜面反射体。转移分面反射镜11及镜像分面反射镜14为用于照明物场或照明场3的照明系统1的照明光学单元的部分。照明光学单元及投射光学单元6为投射曝光装置4的光学系统的部分。
在投射曝光期间相应使用的镜像分面13在镜像分面反射镜14的xy-配置平面中在y方向上彼此并排地布置。镜像分面13用于将照明光9的整体光束中的部分光束9i朝向物场3的反射的、迭加的引导。照明通道在各个情况下通过转移分面12以及由照明部分光束9i的反射光束引导分配的下游镜像分面13预定。通过该照明通道,整体物场3在各个情况下可由照明光9照明。物场照明通道中相应的一个在各个情况下分配有精确的一个转移分面12和精确的一个镜像分面13。或者,转移分面中相应的一个也可分配给多个照明通道并因此分配给多个镜像分面13。
从有关镜像反射体的文献(例如DE 103 17 667 A1或US 2010/0231882 A1)可知,镜像分面反射镜14设置为使得镜像分面反射镜14上的相应镜像分面13的位置及镜像分面反射镜14的相应镜像分面13上照明光部分光束9i的照射位置预定用于物场3的场点的照明方向。
同时,照明光部分光束9i在镜像分面反射镜14的相应镜像分面13上的照射区域的边缘轮廓(即,在镜像分面13上整体照射的情况下的镜像分面13本身的边缘轮廓)可预定物场3的场形状。镜像分面反射镜14上的镜像分面13的轮廓构造以及布置因此可包含有关物场3的照明的信息“照明角度”和信息“场形状”。
每一个镜像分面13具有连续的静态反射表面15。就镜像分面13而言,其并不细分为多个单独反射镜,而是在各个情况下构成单一、整体的反射镜。
镜像分面反射镜14既不布置在投射曝光装置4的光瞳中,也不布置在投射曝光装置4的场平面中。
镜像分面13以具有小角度带宽的入射角被照射。该角度带宽可小于2°。该角度带宽等于照明光部分光束9i在各镜像分面13上所具有的入射角的总角度带宽的一半。举例来说,若照明光部分光束9i以在3°与7°之间的入射角照在镜像分面13之一上,则在该镜像分面13上的角度带宽为2°,总角度带宽为4°。
镜像分面13上的入射角的角度带宽可涉及局部入射角。那么,针对在镜像分面13中相应一个上的每一位置,确定照明光9的最大入射角及最小入射角。若照明光部分光束9i以在2°与4°之间的入射角照在镜像分面13之一上的一个位置且照明光部分光束9i以在10°与12°之间的入射角照在相同镜像分面13上的另一位置,则在此镜像分面13上的局部总角度带宽为2°且局部角度带宽为1°。这些局部带宽值对在镜像分面13上其他、非邻近位置的角度带宽的数量不作任何陈述。若在镜像分面上的一些其他角度带宽显著大于在此镜像分面的特定位置所出现的局部角度带宽,则此镜像分面13的高度反射涂层的特性可以取决于镜像分面13上的位置的方式选择。在此情况中,可实现镜像分面的反射率取决于局部角度带宽但不取决于在整个镜像分面13上确定的角度带宽。
在图1的照明系统1的实施例的情况中,镜像分面反射镜14为照明系统1中在物场3上游引导照明光9的最后光学组件。在照明系统1的其他实施例(未示出)的情况中,传输光学单元(例如掠入射反射镜)位于照明光9的光束路径中的镜像分面反射镜14与物场之间。该掠入射反射镜可实施为无折射能力的平面反射镜,或者也可为凸或凹形弯曲反射镜。
图1通过对应的阴影线编码显示转移分面反射镜11的转移分面12对镜像分面反射镜14的镜像分面13(其通过相应转移分面12由照明部分光束9i所照明)的分配。由于图1以范例的方式显示四个转移分面12,图1所显示的总共八个镜像分面13中的四个以与将其照明的转移分面12相同的方式影线化。其他的镜像分面13未被照明或由其他转移分面12(未示出)照明。在各个情况下由于利用照明光9的照射而使用的转移分面12及对应的镜像分面13在下文中也称作使用分面(used facet)。
事实上,在投射曝光期间于各个情况下所使用的转移分面12的数量以及在投射曝光期间于各个情况下所使用的镜像分面13的数量远大于图1的示意图中的数量。
分面反射镜11及14在各个情况下整体或至少部分地从变化子单元16构造,该变化子单元的基本构造相同。这类变化子单元16的示例实施例于下文中基于参照图2至图6的分面反射镜11的范例作更详细的描述。关于各使用分面的尺寸,各变化子单元16适用于其在照明系统1内的使用位置。
图2显示分面反射镜11中的一个的部分,其在各个情况下包含三个变化分面161、162和163。这些变化子单元16的布置基于图1的转移分面反射镜11的范例而表示于图2中,也同样显示了使用分面12的逐列分面布置17。这些使用分面12的每一个根据变化子单元161、162、163的类型而分配有变化子单元16i。变化子单元16i的每一个具有多个变化分面,即(在用于转移分面反射镜11的范例中)多个转移分面12i,其可选择性地位于精确的一个使用分面12的使用位置,即在分配给此变化子单元16i的分面布置17的线内。在如图2所示的变化子单元161至163的布置的情况中,变化子单元161、162的显示于图2最左边的分面12以及变化子单元163的显示于最右边的分面12布置于使用分面布置17中且因照明光9的相应部分光束9i的照射而被使用。
在变化子单元16i中的一个内的各个分面12关于其倾斜角度或其成像表面形状、特别是其曲率半径具有不同构造的反射表面。因此,分面12具有不同的表面形貌。因此,变化子单元16i之一的各个分面12针对单独分配的反射几何形状而设计且因此针对特定的照明设定而设计。
使用分面12在沿y方向行进的精确的一个分面列内逐行地布置于分面布置17。每一个变化子单元16i包含精确的一个分面线。每一个变化子单元16i的变化分面12沿此分面线布置,即在x方向彼此并排布置。每一个变化子单元16i可具有二、三、四、五、六、七、八、九、十或甚至更多变化分面12。变化子单元16i的分面12布置于共同的分面承载件上。
在y方向上,两邻近使用分面12间的距离至多为2毫米。距离可小于2毫米、可小于1.5毫米、可小于1毫米以及还可小于0.5毫米。邻近使用分面12之间在y方向上的此距离至多为使用分面的y范围的20%。邻近使用分面12之间的y距离可小于相应使用分面12的y范围的20%、可小于该y范围的15%、可小于10%、或可小于5%。
变化子单元16i的每一个可沿平行于x方向的位移方向(如图2中的双箭头18所示)单独地且独立于其他变化子单元16j而位移。针对此位移,每一个变化子单元16i的共同分面承载件连接至专属位移致动器19,如图2中示意性表示。相应变化子单元16i沿位移方向18的位移由对应的线性引导件引导(未描述更具体的细节)。
在根据图2的位置,变化子单元161的使用分面12将照明光9反射至例如图1的镜像分面131的方向。在变化子单元161在x方向位移转移分面12的x分面范围后,因而转移至使用分面布置17且绘示于图2右方的转移分面121′接着在例如镜像分面反射镜14的镜像分面131′的方向由照明光9照射。
在另一实施例中,变化子单元16中的相应一个包含多个分面线,例如二、三、四、五或甚至更多分面线。
在镜像分面反射镜14的情况中,如从图1可见,使用分面布置并非严格地布置于y方向中的一列。在镜像分面反射镜14的情况中,变化子单元16的布置使得维持使用分面13在x方向相对彼此偏移的布置,如图1所示。同样,在镜像分面反射镜14的情况中,使用分面13横向于逐行布置的变化分面12的线方向(line direction)x布置(即在y方向)。
变化子单元的概念也可用于包含弯曲(即弓形)分面12及13的分面反射镜的情况。这将参照图3于下文中解释。将再次基于转移分面反射镜11的范例进行此解释。对应于在上文中参照图1及图2已进行描述的组件及功能的组件及功能具有相同的参考符号且不再详细讨论。
图3的分面反射镜11由多个变化子单元20构建,其可用以取代图1及图2的变化子单元16。图3示出这些变化子单元20中精确的一个。变化子单元20可绕枢转或旋转轴21而枢转或旋转。弓形变化分面12布置在绕轴21的圆周方向上且形成具有球形壁区段23、24的分面承载件22的边缘侧壁区段。邻近变化子单元20可通过该球形壁区段23、24彼此抵靠,使得所有变化子单元20的使用分面12再次变成位于使用分面布置17中。这说明了邻近变化子单元20的另外两个使用分面12,其并未示出。使用分面布置内的这两个另外的使用分面12由虚线及点划线示意地表示。作为球形构造的替代,边缘区段23、24也可以一些其他方式实施为关于轴21旋转对称。
变化子单元20的每一个同样具有单独的位移致动器,用于绕轴21枢转或旋转该变化子单元20,所述轴由图3的枢转箭头25表示。变化子单元20的每一个可具有二、三、四、五、六、七、八或甚至更多的变化分面12。
变化子单元20中的一个的不同变化分面12同样具有互不相同的表面形貌,即特别是不同的倾斜角及反射表面的曲率半径。
图4显示转移分面反射镜11的部分的变型,其包含根据图3的变化子单元20的类型的全部三个变化子单元201至203。对应于在前文中参照图1至图3(特别是参照图3)已进行解释的组件及功能的组件及功能具有相同的参考符号且不再详细讨论。
图4示出邻近变化子单元20i通过彼此面对的球形壁区段23、24的实际上不间断的支承(bearing)。
在图4中,分面承载件22仍表示为空白,即没有变化分面实施于其侧壁区段。
图5显示根据图3及图4中变化子单元20的类型的变化子单元20的另一实施例。对应于在前文中参照图1至图4(特别是参照图3及图4)已进行解释的组件及功能的组件及功能具有相同的参考符号且不再详细讨论。
图5示出的情况为在两个变化分面121、121′已并入分面承载件22的侧壁后,仍维持原始未加工的侧壁的对应凸出体(projection)26。
图6显示具有在使用分面布置27中的转移分面12的转移分面反射镜11的另一变型,其基于4x3阵列的示例而示意性地描述于图7中。事实上,在此x/y阵列内的使用分面12的数量实际上大得多。场分面的这类阵列布置的范例见于US 6,658,084 B2(矩形场分面)及US 2012/0 293 785 A1(弓形场分面)中。对应于在前文中参照图1至图5已进行解释的组件及功能的图6及图7中的组件及功能具有相同的参考符号且不再详细讨论。
图6显示两个变化子单元28的侧视图,其在各个情况下可绕专属的枢转或旋转轴21单独地旋转且为此目的而在各个情况下同样连接至位移致动器19,如图6所示。每一变化子单元28具有三个分面12,其绕变化子单元28的相应枢转轴21而布置于圆周方向且占据图6示意图中等边三角形的侧边的位置。各使用分面12绘示于图6的顶部且共同地位于转移分面反射镜11的分面布置平面29中,其垂直于图6的绘图平面。图6并未显示实际所使用的分面12的表面形貌,而是示意地显示平面原始形貌。
变化子单元28实际上可以不间断的方式彼此并排地同时沿x方向和y方向布置。图7的示图显示在布置平面29中的使用分面12的4x3阵列布置。图7的此使用分面布置27由以对应的4x3阵列布置构造的共十二个变化子单元28所形成。
在变化子单元28的情况中,同样地,使用分面的变化通过相应分面承载件22绕其旋转或枢转轴21的枢转或旋转而发生。分面承载件22的最外面角落的运动路径以虚线30表示于图6中。在两个分面承载件22之一在图6所示的使用位置保持静止的情况下,两个分面承载件22中的另一个可旋转,在此运动期间两个分面承载件不会干扰彼此。以此方式,举例来说,通过将图6中右侧的分面承载件22以顺时针方向枢转(箭头25),图6中顶部的使用分面12可由具有不同表面形貌的分面12′(其绘示于图6的左边底部)替换。
图6的实施例的分面承载件22可具有平面端侧壁区段31,在其上,y方向上彼此邻近的变化子单元28彼此相靠。或者,特别在包含弯曲分面12的变化子单元28的变型的情况下,分面承载件22同样可具有球形壁区段31或以一些其他方式关于轴21旋转对称地弯曲的壁区段31。
在未图解的实施例中,转移分面反射镜仅仅由至少一变化子单元16、20、28构造,而无镜像分面反射镜。
转移分面反射镜11的分面的制动性使得可改变照在物场3上的照明光9的方向分布,同时维持镜像分面反射镜的机械上简单的实施例。
前文所解释的变化子单元16、20、28的概念也可用于以具有场分面反射镜及光瞳分面反射镜的蝇眼聚光器的方式构造的照明系统。对应设计的变化子单元(特别是根据变化子单元28的类型)可用于场分面。这类蝇眼聚光器的范例见于US 2012/0 293 785 A1及US 6,658,084 B2中。
在这种蝇眼聚光器构造的情况中,同样地,可使用包含单行根据转移分面12类型的场分面的场分面反射镜,该场分面在y方向叠置。这将在下文中参照图8进行解释。图8显示投射曝光装置32的另一实施例,其可用以取代投射曝光装置4以制造微结构或纳米结构的半导体组件。与在前文中参照图1至图7的投射曝光装置4及其组件已进行解释的组件对应的组件具有相同的参考符号且不再详细讨论。
如在图8的示例实施例的情况中所示,光束成形装置10可具有反射镜。光束成形装置10的光束成形表面(特别是反射镜)可实施为自由形式曲面(freeform surface)。
可用以取代照明系统1的投射曝光装置32的照明系统33具有场分面反射镜34及光瞳分面反射镜35。
场分面反射镜34具有多个场分面12,其以彼此叠加的方式成像于物场3。
光瞳分面反射镜35布置在投射曝光装置32的光瞳平面区域中,且具有多个光瞳分面36。光瞳分面36沿由场分面12的对应倾斜调整而形成的对应物场照明通道而布置在可能的光瞳斑(其产生为辐射源2的像)的位置。在各个情况下以照明光部分光束9i照明的光瞳分面36的位置分布将预定照明光9在物场3中的照明角度分布。与图1的照明系统1相比,在图8的照明系统33的情况中,反射光学组件(即光瞳分面反射镜35)布置于光瞳平面中。
场分面12在物场3中的叠加成像通过光瞳分面36来实现。
为了制造纳米结构或微结构组件(例如半导体内存芯片),首先提供掩模母版5及具有对照明光9光敏感的涂层的晶片8。接着,在投射曝光装置4的协助下将掩模母版5的至少一个区段投射至晶片8上。之后,将已曝光于照明光9的晶片8上的光敏感层显影。
根据掩模母版5上的结构布置或根据所需的分辨能力,通过照明镜像分面13或光瞳分面36的对应选择而选择对应的照明设定。这通过变化子单元16或20或28的使用分面的对应定位来实现,即通过以中央控制装置4a对位移致动器19的对应驱动来实现。

Claims (12)

1.一种投射光刻的照明光学单元的分面反射镜(11; 14; 34),
- 包含多个使用分面(12),其每个反射照明光部分光束(9i);以及
- 包含至少一个变化子单元(16; 20; 28),其具有共同布置于分面承载件(22)上的多个变化分面(12, 12'; 12i, 12i'; 13),所述变化分面能够替代地位于所述使用分面(12;12, 13)中精确的一个使用分面的使用位置处,
其中在可通过变化子单元改变的使用分面与不属于此变化子单元的邻近使用分面间的距离的方向上,所述邻近使用分面能够具有至少为此距离5倍的范围。
2.如权利要求1所述的分面反射镜,其特征在于,所述变化子单元(20; 28)以可枢转的方式实施,其中所述变化分面(12, 12')布置在围绕枢转轴(21)的圆周方向上,并且形成分面承载件的圆周壁区段。
3.如权利要求1所述的分面反射镜,其特征在于,所述变化子单元包含具有旋转对称壁区段(23, 24)的分面承载件(22),邻近的变化子单元(20; 28)能够通过所述旋转对称壁区段而彼此抵靠。
4.如权利要求2所述的分面反射镜,其特征在于,所述可枢转的变化子单元(28)布置为二维阵列。
5.一种投射光刻的照明光学单元,包含如权利要求1至4中任一项所述的分面反射镜(11; 14; 34)。
6.如权利要求5所述的照明光学单元,包含布置在与光瞳平面相距一距离的转移分面反射镜(11)和镜像分面反射镜(14)。
7.如权利要求5所述的照明光学单元,包含场分面反射镜(34)和光瞳分面反射镜(35)。
8.一种投射光刻的光学系统,包含如权利要求5至7中任一项所述的照明光学单元,用于照明物场(3),其中要照明的物体能够布置于所述物场(3)中;以及包含投射光学单元(6),用于将所述物场(3)成像至像场(7)中。
9.一种照明系统,包含如权利要求5至7中任一项所述的照明光学单元且包含EUV光源(2)。
10.一种投射曝光装置,包含如权利要求8所述的光学系统和EUV光源(2)。
11.一种制造结构化组件的方法,包含以下步骤:
- 提供如权利要求10所述的投射曝光装置(4);
- 提供掩模母版(5);
- 将布置在所述物场(3)中的所述掩模母版(5)的表面投射至晶片(8)的光敏层上。
12.一种组件,由如权利要求11所述的方法制造。
CN201580045812.0A 2014-08-25 2015-08-19 投射光刻的照明光学单元的分面反射镜 Active CN106605175B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014216801.5 2014-08-25
DE102014216801.5A DE102014216801A1 (de) 2014-08-25 2014-08-25 Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
PCT/EP2015/069020 WO2016030243A1 (en) 2014-08-25 2015-08-19 Facet mirror for an illumination optical unit for projection lithography

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106605175A CN106605175A (zh) 2017-04-26
CN106605175B true CN106605175B (zh) 2020-08-11

Family

ID=54014788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580045812.0A Active CN106605175B (zh) 2014-08-25 2015-08-19 投射光刻的照明光学单元的分面反射镜

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10216091B2 (zh)
JP (1) JP6889103B2 (zh)
CN (1) CN106605175B (zh)
DE (1) DE102014216801A1 (zh)
TW (1) TWI676060B (zh)
WO (1) WO2016030243A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017210190A1 (de) 2017-06-19 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element
DE102017210206A1 (de) 2017-06-19 2018-04-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102018201457A1 (de) 2018-01-31 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018207410A1 (de) 2018-05-14 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102019214269A1 (de) * 2019-09-19 2021-03-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012223754A1 (de) * 2012-12-19 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur automatisierten Montage von Facettenspiegeln und entsprechend hergestellte Facettenspiegel
CN103842883A (zh) * 2011-09-30 2014-06-04 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv反射式成像投射光学单元

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
DE10317667A1 (de) 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
DE102006014380A1 (de) 2006-03-27 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille
DE102006056035A1 (de) 2006-11-28 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Mikrolithographie, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
DE102007045396A1 (de) 2007-09-21 2009-04-23 Carl Zeiss Smt Ag Bündelführender optischer Kollektor zur Erfassung der Emission einer Strahlungsquelle
DE102008001511A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102008049586A1 (de) * 2008-09-30 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
JP2011077142A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及びデバイス製造方法
DE102009054888A1 (de) * 2009-12-17 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Optisches Element mit einer Mehrzahl von refletiven Facettenelementen
JP5644416B2 (ja) * 2010-11-24 2014-12-24 株式会社ニコン 光学ユニット、光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法
DE102012207048A1 (de) * 2012-04-27 2013-04-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optischen Baugruppe
DE102013212363A1 (de) * 2013-06-27 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, insbesondere für die EUV-Projektionslithografie

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103842883A (zh) * 2011-09-30 2014-06-04 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv反射式成像投射光学单元
DE102012223754A1 (de) * 2012-12-19 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur automatisierten Montage von Facettenspiegeln und entsprechend hergestellte Facettenspiegel

Also Published As

Publication number Publication date
JP6889103B2 (ja) 2021-06-18
DE102014216801A1 (de) 2016-02-25
TW201614305A (en) 2016-04-16
WO2016030243A1 (en) 2016-03-03
TWI676060B (zh) 2019-11-01
CN106605175A (zh) 2017-04-26
US10216091B2 (en) 2019-02-26
JP2017526968A (ja) 2017-09-14
US20170176865A1 (en) 2017-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106605175B (zh) 投射光刻的照明光学单元的分面反射镜
JP5755295B2 (ja) マイクロリソグラフィ露光装置においてマスクを照明するための照明系
KR101854465B1 (ko) 투영 리소그라피용 조명 광학 시스템
TWI497221B (zh) 微影投射曝光裝置
EP1026547A2 (en) Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
JP5077724B2 (ja) マイクロリソグラフィツール用の反射照明システム
US9678439B2 (en) Mirror
US20100231880A1 (en) Optical integrator, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP7071436B2 (ja) Euv投影リソグラフィのための照明光学系及び照明系
US20230221649A1 (en) Digital micromirror device for an illumination optical component of a projection exposure system
US10488567B2 (en) Faceted mirror for EUV projection lithography and illumination optical unit with same
CN107567598B (zh) 光瞳分面反射镜
CN111656245B (zh) 投射光刻的照明光学单元
JP7316300B2 (ja) 投影リソグラフィシステムのための瞳ファセットミラー、照明光学部品、および光学システム
JP2016535313A5 (zh)
US10018917B2 (en) Illumination optical unit for EUV projection lithography
US11327403B2 (en) Illumination optical system for projection lithography
TWI825014B (zh) 在euv光譜區域中操作光學物鏡
JP2017526969A5 (zh)
TW201626111A (zh) 用以照明一照明場的照明光學單元以及包含此類照明光學單元的投射曝光裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant