KR20040057958A - 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 - Google Patents
리소그래피장치 및 디바이스제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040057958A KR20040057958A KR1020030094758A KR20030094758A KR20040057958A KR 20040057958 A KR20040057958 A KR 20040057958A KR 1020030094758 A KR1020030094758 A KR 1020030094758A KR 20030094758 A KR20030094758 A KR 20030094758A KR 20040057958 A KR20040057958 A KR 20040057958A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- optical element
- projection beam
- intensity distribution
- intensity
- optical elements
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 116
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 63
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 62
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70158—Diffractive optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
투영빔(PB)은 마스크(MA)를 거쳐 기판(W)상으로 투영된다. 기판(W)에서의 빔의 세기의 방향 종속성은 퓨필 평면(14) 앞에 있는 일련의 광학요소(120a, 120b)를 통하여 빔을 통과시킴으로써 제어된다. 퓨필평면(14)내의 위치의 함수로서 세기분포는 기판(W)에서의 각도종속성을 판정한다. 바람직하게는 마이크로렌즈의 어레이가 있는 광학요소(120a, 120b)(즉, 더욱 상세하게는 DOE:회절광학요소) 각각은 빔(PB)의 세기의 각도종속성을 한정한다. 광학요소(120a, 120b) 각각은 편향없이 빔(PB)의 주요부 및 편향 각도 종속성 세기를 가진 소수부분을 실질적으로 통과시키도록 구성된다. 빔의 주요부는 일련의 광학요소(120a, 120b) 뒤에서 빔으로부터 차단된다. 그 결과, 퓨필평면(14)내의 세기에 따른 효과가 추가로 실현된다.
Description
본 발명은,
- 방사선의 투영빔을 제공하는 조명시스템을 포함하되, 상기 조명시스템은 상기 방사선의 빔의 세기분포를 퓨필평면내에 한정하는 광학요소를 포함하며, 상기 광학요소는 소정 범위의 방향에 걸쳐 있는 빔을 상기 광학요소에 의하여 판정된 방향 종속적 세기분포로 편향시키고,
- 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을지지하는 지지구조체;
- 기판을 유지하는 기판테이블; 및
- 상기 기판의 타겟부상으로 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피장치에 관한 것이다.
여기서 사용되는 "패터닝수단(patterning means)" 이라는 용어는 기판의 타겟부에 생성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용될 수 있다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함된다. 방사선빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크상의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과마스크의 경우) 또는 반사(반사마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우, 상기 지지구조체는 일반적으로 마스크테이블이 될 것이며, 이것은 입사되는 투영빔 내의 소정위치에 마스크가 잡혀 있을 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크가 상기 빔에 대하여 이동될 수 있다.
- 프로그램가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성제어층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 적절히 국부화된 전기장을 가하거나 압전작동수단(piezoelectric actuation mean)을 채용하여 축을 중심으로 각각의 거울이 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용하는 것이다. 마찬가지로, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이며, 어드레스된 거울은 입사되는 방사선빔을 어드레스되지 않은 거울과는 다른 방향으로 반사한다. 이러한 방식으로, 상기 반사된 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적절한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상기에 서술된 두 가지 상황 모두에서, 패터닝수단은 1이상의 프로그래밍가능한 거울배열을 포함할 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호 및 PCT 특허출원 WO 98/38597호, WO 98/33096호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 프로그래밍가능한 거울배열의 경우, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
- 프로그래밍가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상기와 마찬가지로, 이 경우의 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 상기 패터닝수단은 IC의 개별층에 해당하는 회로패턴을 생성할 수 있으며, 상기 패턴은 한 층의 방사선감응재(레지스트)로 코팅된 기판(실리콘웨이퍼)상의 타겟부(예를 들면, 1이상의 다이로 구성되는)에 묘화될 수 있다. 일반적으로 한장의 웨이퍼에는 인접하여 있는 여러 개의 타겟부로 구성된 전체적인 네트워크를 포함하며, 이들 타겟부는 투영시스템을 통하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 서로 다른 형식의 기계로 구분될 수 있다. 한 가지 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체 마스크패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 투영빔하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 이 방향과 같은 방향 또는 반대방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영시스템은 배율인자 Ｍ(일반적으로 <1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피장치와 관련된 보다 많은 정보는 예를 들어, US 6,046,792호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서도 인용참조되고 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선감응재(레지스트)의 층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트도포 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 모두가 개별층을 마무르도록 하는 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는, 예를 들어, 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGrawHill출판사, 1997년, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학, 반사광학 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 상기 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어하기 위한 임의의 설계방식에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 더 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어 US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 듀얼스테이지 리소그래피장치가 개시되어 있으며, 본 명세서에서도 인용 참조되고 있다.
조명시스템은 빔에 걸친 위치의 함수로서 그리고 빔내의 상이한 광선들의 입사각의 함수로서 기판에서의 원하는 세기분포의 실현을 보장하여야 한다. 일반적으로, 마스크 생성 패턴들을 배제한 원하는 위치종속성은 기판상의 위치의 함수로서 일정한 세기로 균일하여야 하고, 원하는 각도종속성은 소정 각에서 피크가 되어야 한다. 원하는 각도종속성은 마스크상의 패턴의 성질에 따라 달라질 수 있다. 상이한 패턴들이 묘화될 필요가 있기 때문에, 마스크의 조명의 각도종속성을 변화시키는 것이 가능하여야 한다.
본 명세서에서 인용참조되고 있는 유럽특허출원 EP 1109067호는 이러한 조명시스템의 예시들을 개시한다. 이 명세서에서, 조명시스템은 레이저소스를 가지며, 잇따라 회절광학요소(DOE)와 같은 광학요소 및 렌즈를 가진다. 상기 렌즈 다음에는 빔을 마스크로 통과시키는 광학 서브시스템이 있다. 광학 서브시스템은 마스크를 조명시키는 퓨필평면으로서 DOE 및 렌즈 뒤에 있는 평면을 이용한다. 퓨필평면이 광학서브시스템의 포커스평면내에 있으므로, 상기 퓨필평면내의 빔의 공간 세기분포는 마스크 및 기판에서 빔의 각도세기분포를 판정한다(본 명세서에서의 "각도"는 빔의 주요 방향에 대한 각도 및 그 주요 방향을 중심으로 회전되는 각도를 칭할 수 있다). 완전성을 위해서, 조명시스템이 예를 들어, 빔이 다수의 반사를 거치도록 하는 쿼츠로드와 같은 반사 인티그레이터를 더 포함할 수 있어, 실제로, 반사 인티그레이터 이전에 초기 세기분포의 다수의 거울반사물(mirrored copies)의 오버랩에 의하여 마스크에서의 빔의 세기분포의 각도종속성이 판정된다.
EP 1109067호는 퓨필평면내에서 빔의 공간세기분포를 제어함에 따라, 기판에서의 각도세기분포를 제어하는 DOE를 이용한다. 예를 들어, (퓨필평면의 중심안에 있는 원안에 0의 세기를 제공하는) 액시콘의 함수가 DOE와 어떠한 방식으로 조합될 수 있는 지를 설명한다.
기본적으로, DOE는 그 각각이 빔의 방향에 대하여 가로질러 어떤 영역을 형성하는 마이크로렌즈들의 어레이를 포함하며, 그것을 통하여 빔으로부터 방사선이 통과된다. 종래에는, 각각의 마이크로렌즈의 영역이 퓨필평면내에서 원형 또는 육각형상의 세기분포를 초래하는 원형 또는 육각형상을 가진다. 하지만, 상이한 형상을 사용하면, 상이한 분포가 실현될 수 있다. 예를 들어, 파이(pie)형상의 마이크로렌즈를 사용하면, 원의 일부분만을 통하여 방사선을 통과시켜 파이형상 세기분포가 퓨필평면내에 실현될 수 있다. 유사하게, 렌즈의 중심으로부터 서로 반대 방향으로 발산하는 방사선을 통과시키는 로브(lobe)를 가진 쌍극(dipole)형 영역이 퓨필평면내에 실현될 수 있다. 빔에 걸쳐 동일한 마이크로렌즈의 어레이를 사용하면, 빔의 비균질성(inhomogeneity)이 퓨필평면내의 세기분포에 현저하게 영향을 주지 않는다.
프로세스하의 특정 집적회로 토폴로지, 또는 심지어 특정 프로세스 단계에 따라, 퓨필평면내의 세기분포의 상이한 위치 종속성이 요구될 수 있다. 이를 위해, EP 1109067호는 DOE 교환유닛을 제공하여, 원하는 세기분포를 생성하는 DOE가 필요에 따라 빔안으로 도입될 수 있다.
DOE가 퓨필평면내의 원하는 세기분포를 실현하는 데 있어서 중요한 역할을 하기 때문에, 일반적으로는 원하는 분포에 따라, 상이한 가능한 원하는 세기분포를 위해 DOE를 특별하게 디자인하고 DOE를 변경시킬 필요가 있다. 하지만, 특별한 DOE가 각각의 가능한 원하는 세기분포를 위해 디자인되고 만들어져야 하기 때문에, 새로운 세기분포가 요구되는 각 시간에, DOE를 디자인하고 제조하는 데 상당한 시간이 발생한다. 또한, 이 방식으로 매우 많은 수의 DOE가 필요하게 된다.
또한, EP 1109067호는 입사하는 빔내에 다수의 상이한 DOE를 평행하게 배치시키는 다양한 방식이 개시되어 있다. 각각의 DOE는, 퓨필평면에서의 세기가 상이한 DOE로부터의 기여(contributions)의 합(sum)일 수 있도록 빔단면의 일부를 재지향시킨다. 새로운 세기분포는 새로운 DOE를 제조하지 않고 DOE의 상이한 조합을 이용하여 생성될 수 있다.
물론, 이는 다양한 DOE에 걸쳐 입사빔의 균질한 세기분포를 요구한다. 따라서, DOE를 사용하는 주요 장점들 중의 하나는 어느 정도 희생되는 데, 그것은 바로 동일한 효과를 갖는 마이크로렌즈의 어레이가 평행하게 사용되어, 빔의 비균질성은 문제가 되지 않는다는 사실이다. 이 비균질성을 경감시키기 위해서, 다수의 평행한 DOE가 요구되고, 빔 영역에 걸쳐 무작위로 조립된다. 이는 조립체를 만들고 재사용을 복잡하게 한다.
더욱이, EP 1109067호는 빔의 경로내에 상이한 DOE의 연속 배치를 개시한다. 예를 들어, 하나의 DOE가 (액시콘에 의하여 통상적으로 행해지는) 링형 퓨필을 생성하는 한편, 또 다른(연속하여 배치된) DOE는 채워진 원형 퓨필을 생성한다. 연속 배치의 효과는 퓨필평면내의 세기분포에 대한 다양한 DOE에 의하여 부여된 위치종속성을 콘볼루션하는(convolute) 것이다. 제1 및 제2세기패턴의 콘볼루션은 제1세기패턴의 각각의 지점을 제2패턴에 의하여 판정된 분포로 퍼지게 하는 효과를 가진다. 따라서, 콘볼루션은, 예를 들어 세기가 퓨필평면내의 링형상영역으로 제한된 패턴내의 링을 넓게 하는 데 사용될 수 있다. 하지만, 특히 다수의 DOE가 연속하여 배치되는 경우, 콘볼루션은 일반적으로 세기분포에 걸친 개선된(refined) 제어를 제공하지 않는다. 따라서, EP 1109067호는 상기 언급된 링폭을 확장시키는 것과 마찬가지로(주움-광학기를 사용하는 대신에), 특정한 목적을 위해 연속 배치에서 상이한 DOE의 콘볼루션을 사용한다. 또 다른 예시는, 하나의 DOE가 x- 및 y-방향으로의 상이한 광학 손실로 인하여 레티클레벨에서 비원형(예를 들어, 타원형)을 가지게 되는 원형 퓨필을 생성한다는 것이다. 이는 웨이퍼상의 수직 라인들에 비하여 수평라인들의 상이한 폭을 초래할 수 있다. 이 타원형은 소정 방향으로 바람직하게 방사시키는 제2DOE를 연속하여 삽입함으로써 보상될 수 있으며, 제1DOE를 갖는 콘볼루션은 레티클레벨에서 원하는 원평 퓨필을 제공한다.
하지만, 여타의 형태의 조합을 위해, 콘볼루션이 적합하지 않을 수도 있다. 따라서, 퓨필평면내의 특정한 새로운 세기분포는, 예를 들어 DOE의 평행 배치 또는 오래 걸리고(lengthy) 고가인 새로운 DOE의 제조를 여전히 요구하는 것이 일반적이다.
본 발명의 목적은 퓨필평면내에서 빔의 세기분포가 빔의 균질성에 의존하지 않고 신속하게 구성되고 수정될 수 있는 리소그래피장치를 제공하는 것이다.
또 다른 목적은 이 방식으로 퓨필평면의 중심을 중심으로 회전각의 함수로서 세기를 제어하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 미리제조된 DOE가 연속하여 배치되는 경우, 퓨필 평면내의 세기분포에 걸쳐 보다 양호하고 보다 신속한 제어가 가능한 리소그래피장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피투영장치를 도시하는 도면;
도 2는 광학경로를 도시하는 도면;
도 3은 주요 빔 방향에 대한 방향들을 예시하는 도면;
도 4는 마이크로렌즈들의 어레이를 도시하는 도면;
도 5는 마이크로렌즈들의 일련의 부분단면도를 도시하는 도면;
도 6은 퓨필평면내의 일련의 링들을 도시하는 도면.
본 발명에 따르면, 상기 및 다른 목적들은 서두문에 서술된 바 있는 리소그래피투영장치에서 달성되며, 청구항 제1항의 특징부를 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 퓨필평면내의 세기분포는, 그 각각이 방향 종속성 세기분포로 소정 범위의 방향에 걸쳐 빔을 편향시키는 다수의 광학요소의 연속 배치에 의하여 구성된다. 광학요소들은, 각각이 편향없이 대부분의 빔을 통과시키고, 어떤 적은 부분만이 광학요소에 대하여 특별한 방향 종속성 세기분포로 편향되도록 디자인되었다. 대부분의 빔은 빔의 빔 출력(beam power)의 절반이상을 의미한다. 통과되는 빔 출력의 80%이상, 또는 심지어 90% 또는 98%는 편향되지 않은 채로 통과되는 것이 바람직하다. 방사선의 빔을 편향시키는 종래의 광학요소들은 100%, 즉, 실질적으로 0%의 빔이 편향되지 않은 채로 통과되는 효율을 목적으로 제조된다. 따라서, 본 발명에 따른 광학요소는 비교적 매우 낮은 효율성을 가지고 신중히 제조된다. 모든 광학요소에 의하여 편향되지 않은 채로 통과된 빔의 일부는 그것이 기판에 도달하기 이전에 차단된다. 그 결과, 퓨필평면내의 세기분포는 근사적으ㅗ 콘볼루션 대신에 개개의 광학요소에 의하여 부여된 패턴들의 합이다.
일 실시예에서, 광학구성요소들은 그것들에 의하여 퓨필평면내의 세기분포를 유도하는 1이상, 바람직하게는 2개이상의 광학요소를 포함하여, 주요 빔 방향을 중심으로 회전각의 함수로서 패턴을 변화시킨다. 이러한 광학요소들을 조합시킴으로써, 다양한 각도종속성 패턴이 구성될 수 있다.
연속 배치내의 각각의 광학요소는, 모두가 그 광학요소와 함께 편향되지 않은 빔의 부분으로 한정된 퓨필평면내에 원하는 세기의 패턴을 제공하도록 디자인된 마이크로렌즈의 어레이를 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 광학요소는 빔에 걸쳐 공간적으로 균질하며, 빔의 비균질성에 대하여는 민감하지 않다. 마이크로렌즈"평탄한" 광학부분에 점재된(interspersed) 미세 입자는 대부분의 빔을 편향되지 않은 채로 통과시키도록 어레이내에(바람직하게는 어레이너의 각각의 유닛셀내에) 포함될 수 있다.
일 실시예에서, 마이크로렌즈는 마이크로렌즈의 두께값의 범위를 제한시키고자, 마이크로렌즈의 두께에 있어서의 정해진 크기의 단차(step)들을 도입시킴으로써 굴절광학요소로서 디자인된다. 종래에는, 단차크기가 (단색) 방사선소스로부터의 방사선의 파장의 정수와 동일하기 때문에, 이러한 단차로 인하여 최적의 효율성이 발생된다. 본 발명에 따르면, 빔의 파장과 상이한 파장을 위해, 즉 상기 빔의 파장이 마이크로렌즈가 최적의 효율성을 갖는 파장과 상이하도록 디자인된 마이크로렌즈가 사용될 수 있다. 이 최적의 파장과의 차이가 크므로, 대부분의 투영빔이 편향되지 않은 채로 통과된다.
퓨필평면의 다수의 각각의 범위의 각각의 세기는 연속하여 배치된 광학요소 중 각각의 것에 의하여 주로 제어되는 것이 바람직하다. 따라서, 상이한 광학요소가 사용될 수 있으며, 그것들의 각각은 퓨필평면내의 각각의 링내의 세기의 회전각도 종속성을 제어한다(또는 적어도, 광학요소들 중 다른 것들보다 그 링에서의 세기에 더욱 결정적이다). 광학요소는 퓨필평면내의 회전각도 종속성의 오프셋을 제어하도록 선택가능한 각도로 회전되는 것이 바람직하다. 링형 범위내에 있는 대신에, 광학요소는 퓨필평면내의 여타의 형상, 예를 들어, 직사각형 "픽셀"의 범위내에서 세기분포를 제어할 수 있다. 각각의 범위를 위해 한 세트의 광학요소가 제공되어, 퓨필평면내의 각각의 범위내의 세기분포가 다른 범위내의 그것으로부터 실질적으로 독립적으로 선택될 수 있는 것이 바람직하다.
상기 언급된 광학요소들은 광학축선을 따라 그것들을 연속적으로, 매우 근접하여 나란히 위치시킴으로써 연속하여 배치될 수 있다. 대안적으로, 그것들은 예를 들어, 2개의 연속하는 광학요소 사이에 1:1 릴레이 광학기를 제공함으로써 달성되는 광학적으로 켤레 평면(conjugate plane)에 위치될 수 있다. 이는 두개의 광학요소 모두가 포커스 평면내에 정확히 놓일 수 있다는 장점을 보여주는 반면에, 연속 배치에서는, 광학요소들 중 하나만이 포커스평면내에 정확히 위치된다. 1:1 릴레이 광학기의 대안례로서, 1이외의 배율인자를 갖는 이미징시스템이 사용될 수 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 자외(UV)방사선(예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인) 및 극자외(EUV)방사선(예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위인)를 포함한 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라 이온빔이나 전자빔과 같은 입자빔까지도 포괄하여 사용된다.
대응하는 참조부호가 대응하는 부분을 나타내는 첨부된 도면을 참조하여, 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예를 서술한다.
제1실시예
도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
- 방사선 소스(LA) 및 빔 익스팬더(EX);
- 방사선(예를 들어, UV 방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 조명시스템(IL);
- 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단(PM)에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단(PW)에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (투과마스크를 구비한) 투과형이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (반사마스크를 구비한) 반사형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램 가능한 거울 배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
방사선소스(LA)(예를 들어, 레이저)는 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기분포의 외측반경 및/또는 내측반경(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 조정하는 수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사선소스(LA)는 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사선소스(LA)가 흔히 수은램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 흔히 방사선소스(LA)가 엑시머레이저인 경우이다. 본 발명과 청구범위는 이들 두 시나리오 모두를 포괄하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정모듈(long stroke module)(개략위치설정) 및 짧은 행정모듈(미세위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은 행정모듈에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크정렬마크(M1, M2) 및 기판정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔모드에서는, 소정타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2는 조명시스템을 포함하는 리소그래피장치의 광학경로의 일 실시예를 보다 상세히 도시한 개략도이다. 빔(PB)은 각도 종속성 형상화유닛(12), 로드(16),콘덴서광학기(18), 마스크(MA), 투영렌즈(PL)를 거쳐 방사선소스(LA)로부터 기판(W)상으로 통과한다. 여기서 그리고 이후에서 "렌즈"라는 용어는 단지 광학적으로 형상화된 유리로 된 단일 조각을 지칭하는 것이 아니라, 단일 요소로 또는 요소들의 조합으로 구성된, 굴절광학기, 반사광학기 및 카타디옵트릭 시스템을 포함하는 다양한 형태의 광학적으로 활성적인 시스템을 더욱 일반적으로 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 간단히 하기 위해서, 직선 광학경로가 도시되어 있지만, 본 발명을 벗어나지 않으면서, 실제로 광학경로내로 각도들을 도입시키기 위해서 다양한 거울들이 광학요소내에 포함될 수 있음을 이해하여야 한다.
각도 종속성 형상화유닛(12)은 투영빔(PB)의 경로내에 DOE(120a, 120b)(회절광학요소)의 연속 배치를 포함한다. 예시의 방식으로, 이러한 2개의 DOE(120a, 120b)는 연속하여 도시되어 있으나, 보다 많은 수의 이러한 요소들이 연속하여 사용될 수 있음을 이해하여야 한다. DOE의 연속 배치 다음에는 빔(PB)의 경로내에 주움렌즈(124), 차단요소(125), 액시콘(122) 및 커플링렌즈(126)가 있다. 광학경로는 마스크(MA)를 조명하는 퓨필평면(14)을 한정한다. 퓨필평면(14)은 주움렌즈(124)와 커플링렌즈(126) 사이에 놓인다. DOE 교환유닛(24)이 제공되며, 예를 들어 DOE(120a, 120b)를 교환유닛(24)으로부터 상이한 DOE로 교환시키는 한 쌍의 캐로셀(carrousel)로서 구현된다.
작동시에, 각도 종속성 형상화유닛(12)은 퓨필평면(14)내의 빔(PB)의 세기의 위치 종속성을 제어한다. 그 이후에, 위치 종속성은 마스크(MA)에서의 빔의 세기가 입사각에 따라 달라지는 방식을 판정한다. 본 명세서에서, "각도"라는 용어는빔(PB)의 주요 방향에 대한 방향들을 칭한다.
도 3은 2개의 각도값(세타, 파이)에 관한 방향을 예시한다. 세타는 빔(PB)의 주요 방향(32)으로부터 방사선의 방향(30)의 편향각을 나타내고, 파이는 기준방향(34)으로부터 빔의 주요방향(32)에 대한 회전각도를 나타낸다.
여타의 것들 중에서 반도체 처리를 위해서, 패터닝수단(MA)에서의 따라서 기판(W)에서의 세타와 파이의 함수로서 빔(PB)의 세기분포를 제어할 수 있는 것이 바람직하다. 액시콘(122)과 주움렌즈(124)는 조정가능한 링, 즉 세기가 기판(W)에서 제한되는 세타값의 범위를 선택하는 역할을 한다. 이는 퓨필평면(14)내에서 위치들의 링으로 제한된 세기에 대응한다. DOE(120a, 120b)는 예를 들어 쌍극 형상의 패턴을 제공하도록 적어도 파이 종속성을 선택하는 데 사용되며, 예를 들어, 플러스 45°와 마이너스 45°사이, 및 135°와 225°사이의 파이값의 범위내에 세기가 집중된다. 이는 퓨필평면(14)내의 이들 방향에서의 로브들 또는 위치들로 제한된 세기에 대응한다.
기판(W)을 조명하는 원하는 각도종속성 세기분포를 구성하기 위해서 2개의 DOE(120a, 120b)의 연속 배치가 제공된다. 각각의 DOE(120a, 120b)는, 사전설정된 각도종속성으로 빔의 방사선의 일부의 방향을 차단하면서 주로 영향받지 않은 채로 빔(PB)을 통과시키도록 디자인된다. 빔(PB)은, 빔의 제1부분이 제1DOE(120a)에 의하여 판정된 제1범위의 방향들 전역에 걸쳐 편향되도록 제1DOE(120a)에 주로 공선적으로(collinearly) 도달한다. 빔(PB)의 대부분은 제1DOE(120a)를 공선적으로 통과시키고, 빔(PB)의 제2부분이 제2DOE(120b)에 의하여 판정된 제2범위의 방향들 전역에 걸쳐 편향되는 제2DOE(120b)에 도달한다. 제1부분의 대부분은 제2DOE(120b)에 의하여 영향을 받지 않은 채로 통과된다. 제1부분의 또 다른 적은 부분은 다시 재지향된다. 그 결과, 빔(PB)은, 연속 배치를 부분적으로 영향받지 않고, 그리고 부분적으로 편향되어 DOE, 즉 제1DOE(120a)에 의하여 판정된 제1범위에 걸쳐 편향된 제1부분, 제2DOE(120b)에 의하여 판정된 제2범위에 걸쳐 편향된 제2부분 및 두 번 편향된 또 다른 부분을 남기도록 한다.
주움렌즈(124)는 링을 알맞게 크기를 맞추고(scale), 그것을 퓨필평면(14)상으로 묘화시킨다. 액시콘(122)은 DOE(120a, 120b)를 통과한 방사선을 반경 위치내에서 조정가능한 세기의 링이 남도록 조정가능한 거리 전역에 걸쳐 바깥쪽방향으로 바꾼다. 차단요소(125)는 빔(PB)의 편향되지 않은 부분을 차단한다. 그 결과, 퓨필평면(14)내의 위치의 함수로서의 세기는 제1 및 제2DOE(120a, 120b)에 의하여 각각 편향된 빔(PB)의 제1부분 및 제2부분 및 또 다른 부분의 합이지만, 후자는 단지 적은 부분일 뿐이다.
따라서, 제1 및 제2DOE(120a, 120b)의 상이한 조합을 선택함으로써, 상이한 세기분포가 퓨필평면내에 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 장치에는 퓨필평면내의 다수의 링들 각각을 위해 DOE의 세트가 제공될 수 있다. 도 6은 퓨필평면내에 중심 디스크를 포함하는 이러한 일련의 링(60a, 60b, 60c, 60d)을 예시한다. 1이상의 DOE(또는 여타의 광학요소)의 세트가 각각의 링(60a, 60b, 60c, 60d)을 위해 제공되고, 특정 링(60a, 60b, 60c, 60d)을 위한 세트의 DOE(또는 여타의 광학요소)의 각각의 것들이 특정 링(60a, 60b, 60c, 60d)으로 제한된 각각의 세기분포들을형성하며, 예를 들어 각각이 링의 중심을 중심으로 각도의 자체 범위 전역에 걸쳐서만 세기를 가지는 것이 바람직하다(예를 들어, 0 내지 22.5도, 90 내지 112.5도, 180 내지 202.5도, 279 내지 290.5도로부터 세기를 갖는 하나의 DOE 및 다른 범위를 갖는 여타의 것들). 본 발명을 벗어나지 않고, 1세트의 광학요소들이 또 다른 세트의 범위내에서 소정 세기를 기여할 수 있지만, 각각의 세트의 광학요소들은 여타의 세트의 광학요소보다 그 범위내의 위치 종속성에 더욱 기여한다는 것을 이해하여야 할 것이다. 각각의 링들을 위해 DOE를 선택하고, 상이한 링들을 위해 선택된 DOE를 연속하여 배치시킴으로써, 원하는 패턴이 구성될 수 있다. 선택적으로, 또한 각각의 DOE는 선택된 범위들을 회전시키도록 회전될 수 있다.
예를 들어, 퓨필평면내의 상이한 행 또는 열을 위해 그 각각이 각각의 세기분포를 가지는 여타의 세트의 DOE, 또는 DOE들의 각각이 퓨필평면(14)내의 격자 영역내의 각각의 영역에 세기를 제공하는 한 세트의 DOE가 사용될 수 있음은 분명하다.
또한, 퓨필평면내의 오버랩핑 영역들내에 세기를 제공하는 DOE를 연속하여 배치시킬 수 있다. 따라서, 0의 세기에 더하여 1보다 큰 값을 가정한 세기패턴이 실현될 수 있다.
DOE(120a, 120b)는, 그 각각이 주요빔에 수직인 평면에 동일한 형상을 갖는 마이크로렌즈의 어레이로서 배치되는 것이 바람직하다. 도 4는 쌍극 형상의 이러한 마이크로렌즈(40a, 40b, 40c, 40d, 40e, 40f, 40g, 40h, 40i, 40j)의 어레이의 일부를 도시한다. 모든 마이크로렌즈(40a, 40b, 40c, 40d, 40e, 40f, 40g, 40h,40i, 40j)는 (+자로 표시된) 광학중심을 중심으로 쌍극형상을 가진다. 물론, 도 4의 쌍극형상은 단지 예시일 뿐이다. 또 다른 실시예에서, 링 세크먼트 형상의 요소들이 사용될 수 있다. 광학중심(42)에서 빔(PB)이 편향없이 정확히 통과된다. 모든 광선이 공통의 포커스에서 수렴되도록, 통상적으로 마이크로렌즈(40a, 40b, 40c, 40d, 40e, 40f, 40g, 40h, 40i, 40j)의 중심축선을 향하여 광학중심(42)으로부터 증가된 거리에서 빔(PB)이 증가하여 편향된다. 빔(PB)의 방사선은, 90 내지 120도의 회전 범위와 270 내지 300도의 범위에 대응하는 선택된 영역내에서만 각각의 렌즈에 의하여 최소량보다 많이 편향된다. 이로 인해, 퓨필평면내의 위치들의 대응하는 범위내에 세기가 집중된다. 최소값보다 적게 편향된 부분의 발산을 최소화하기 위해서, 각각의 마이크로렌즈의 중심부분은 일정한 두께로 제조될 수 있다. 이 경우, 원형 중심부로 인한 모든 세기는 차단되는 퓨필평면(14)내의 한 지점에 실질적으로 집중된다.
일반적으로, DOE는 렌즈의 평면내의 위치 r의 함수로서 원하는 두께 프로파일 d(r)로부터 시작하여 실현된다. 하지만, 두께 변동의 범위를 제한하는 것이 바람직하다. 이를 위해, 두께 d(r)이 대략 빔(PB)내의 방사선의 파장에 관련된 기본 두께 d0를 법으로 하기(modulo) 때문에, DOE의 두께 d'(r)를 위치 r의 함수로서 변동시키는 방법, 다시 말해, d(r)로부터 기본 두께 d0의 정수에 종속된 위치 r을 뺌으로써 d'(r)을 구하여 d'가 제한된 범위(이 경우, 기본 두께 d0의 범위)내에 남아있도록 하는 방법이 알려져 있다. 따라서, d(r)이 계속 증가하는 경우, d(r)이 기본 두께의 정수를 교차하는 각 시간마다 하나의 기본 두께만큼 d'(r)이 다시 떨어진다. 최적의 효율성을 얻기 위해서, 기본 두께 d0는, 두께의 강하로 인한 회절격자영향이 기울기 d(r)이 방사선을 굴절시키는 방향으로 구조적 간섭을 유발하도록 선택되는 것이 바람직하다. d(r)의 기울기가 작은 경우, d0은 방사선의 파장과 실질적으로 같게 선택될 수 있다.
이러한 DOE의 필수 지점은, 어떤 원하는 범위내에 두께를 유지시키기 위해서, 두께의 하강의 연속적인 상승을 상쇄하도록 파장들의 정수에 관련된 두께 단차가 사용된다는 것이 실현되어야 한다는 것이다. 파장 관련 단차의 사용 및 d(r)이 기본 두께값들의 정수인 한 세트의 값으로부터 별개로 값들을 가정한 위치 r에 대한 단차의 제한은 두께 변동의 최소 범위를 보장하지만, 필수적인 것은 아니다. 상이한 실시예에서, 기본 두께값의 어떤 정수라도 단차에 사용될 수 있으므로, d'(r)은 기본 두께값들 중 임의의 수만큼 다시 강하된다. 또한, 상기 강하는 어느 곳에서도 생길 수 있다. 이는 렌즈의 작동에 현저한 영향을 주지 않는다.
(실질적으로 단색인) 방사선소스(LA)의 파장에 대한 최적의 효율을 위해 선택된 단차로 디자인된 경우, 하지만 빔의 대부분이 영향을 받지 않은 채로 통과시키기 때문에, 이러한 DOE는 본 발명에서 쓸모가 없다. 이 경우, 이러한 수개의 DOE를 연속하여 놓음으로써, 개개의 DOE에 의하여 부여된 퓨필평면(14)내의 세기의 위치종속성의 콘볼루션을 생기게 하고 이들 위치의 위치종속성이 추가되지 않는다.
본 발명에서 사용되는 DOE(120a, 120b)에서, 빔(PB)의 (단색) 방사선의 파장과 상이한 파장을 위해 디자인된 DOE가 사용되는 것이 바람직하다. DOE의 효율성, 특히, 렌즈효과에 대한 적절할 방향으로 편향된 방사선의 세기와 편향되지 않은 방사선의 세기 사이의 비율은 최적의 기본두께단차에 대한 최대값을 얻는다. 두께의 연속적인 상승 또는 강하를 체크하는 각 시간에 파장보다 실질적으로 작거나 실질적으로 큰 두께 단차가 만들어지는 경우에, 효율성이 보다 떨어진다. 이러한 "잘못된" 두께 단차를 가진 DOE(120a, 120b)는 렌즈로서 일부분만 작동하고, 빔(PB)의 대부분을 본질적으로 영향을 받지 않도록 통과시킨다. 이는 연속 배치에서 연속한 DOE(120a, 120b)의 효과의 합을 얻을 수 있게 한다. 633㎚의 '잘못된' 파장은 193㎚ DOE에 대하여 영향을 받지 않은 투과의 만족할만한 레벨을 이미 제공한다. 물론, 이 효과는 상기 파장보다 작은 단차로 제한되지 않는다. 또한, 보다 큰 단차를 사용할 수도 있다.
하지만, 보다 작은 파장에 대하여 디자인된 이러한 DOE의 사용이 바람직하다 하더라도, 부분적으로 빔(PB)에 영향을 주지 않고 통과시키고 부분적으로 빔(PB)을 편향시키는 것은 상이한 방식으로 실현될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 마이크로렌즈의 어레이가 사용될 수 있으며, 일정한 광학두께부가 예를 들어, 마이크로렌즈의 중간에 마이크로렌즈의 대부분을 커버하는 각각의 마이크로렌즈내에 포함된다. 대안적으로, 일정한 두께의 요소는 마이크로렌즈로 점재된 마이크로렌즈의 어레이내에 포함될 수 있다.
본 발명을 벗어나지 않고, 중심영역을 거쳐 빔(PB)의 대부분을 통과시키는 마이크로렌즈의 어레이를 이용할 수 있는 데, 이는 임계 레벨보다 낮게 방사선을 편향시키고, 빔(PB)의 적은 부분은 (예를 들면, 쌍극패턴에 따른) 각도 종속적 패턴내에서 더욱 편향된다. 연속 배치(120a, 120b)에서, 제1DOE(120a)에 의한 대부분의 작은 편향은 제2DOE(120b)에 의하여 생성된 패턴을 확장시키는 양을 생기게 하지만, 임계치 아래에서 유지되는 한, 이는 수용가능하다. 이 실시예에서, DOE의 조합은 빔(PB)의 확장된 중심부를 임계치로 증가되는 퓨필평면(14)으로 통과시킨다.
이 경우, 빔(PB)의 대부분의 빔을 통과시키는 것은 렌즈의 중심의 렌즈 영역에 대응하는 주요부분을 이용함으로써 실현될 수 있다. 이는 주요부분이 증가되는 경우, 퓨필평면의 더욱 큰 영역을 차단시킬 것을 요구한다. 이는 퓨필평면(14)의 중심영역내에 세기를 제공하는 것을 불가능하게 만든다. 이 "제외된" 영역을 감소시키기 위해서, 빔(PB)의 대부분이 최소 범위, 바람직하게는 렌즈의 영역의 대응하는 주요부분을 이용함으로써 얻어진 편향의 양보다 작게 편향되어 통과되는 것이 바람직하다. 이는, 예를 들어 렌즈영역의 주요부내에 일정한 두께영역을 이용함으로써, 또는 마이크로렌즈 사이의 일정한 두께영역(바람직하게는 마이크로렌즈의 어레이의 각각의 유닛셀)을 점재시킴으로써, 또는 방사선소스(LA)의 파장보다 작은 파장에 대하여 디자인된 DOE를 사용함으로써 실현된다.
더욱이, 바람직하게는 마이크로렌즈의 어레이들이 사용되며, 연속적으로 변하는 두께는, 예를 들어 최대 두께단차의 일부인 별개의 두께 단차에 의하여 근사화된다. 여기서, 연속적으로 변하는 프로파일은, 통상적으로 최대 두께 단차의 일부인 단차를 갖는 계단(staircase) 두께 프로파일에 의하여 근사화되며, 상기 계단은 별개의 두께 레벨의 수를 제한하도록 어떤 위치에서 최대 두께단차를 다시 강하시킨다. 이러한 프로파일은 반도체 제조기술로부터 친근한 리소그래피 공정 단계들을 이용하여 편리하게 제조될 수 있다. "잘못된" 파장에 대하여 설계된 것은 퓨필평면(14)내의 추가되는 위치 종속성을 얻는 데 사용될 수 있다.
도 5는 연속한 두께 프로파일(52), 마이크로렌즈의 두께값을 제한하는 크기 h로 단차를 갖는 법으로 한(modulo) 두께 프로파일(54), 및 일련의 별개 레벨들을 각각 사용하여 구현된 두께변동을 가진 정량화된 두께 프로파일(56)을 갖는 상이한 마이크로렌즈(50a, 50b, 50c)의 부분 단면도를 연속하여 도시한 것이다. DOE에 사용된 마이크로렌즈내의 단차 크기(h)는 방사선소스(LA)의 파장보다 작은 것이 바람직하다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 서술되었지만, 본 발명은 상술된 바와 다르게 실행될 수도 있다. 상기 서술은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 예를 들어, 보다 상세한 제어를 제공하기 위해, 2개의 DOE(120a, 120b)보다 많은 수의 DOE가 퓨필평면내의 세기 분포 전역에 걸쳐 순차적으로 사용될 수 있다. 또 다른 예시로서, 액시콘(122) 및 주움렌즈(124)가 도시되었지만, DOE의 수단에 의하여 이들 요소 중 어느 것의 기능이 구현될 수 있음은 물론이다.
또한, 액시콘(122) 앞에 차단요소(125)가 위치되어 도시되었지만, 실제로 DOE(120a, 120b)의 연속 배치가 편향되지 않은 채로 통과시킨 방사선을 기판에 도달하기 이전에 차단하는 경우라면, 차단요소는 여하한의 퓨필평면내에 또는 그 주변의 여하한의 편리한 위치에 포함될 수 있다. 대체로, 차단요소(12)의 직경은 매우 작을 수 있으며, 특히 차단요소가 퓨필평면내에 정확히 위치되는 경우, 퓨필평면의 한 지점에서만 방사선을 차단시킬 필요가 있기 때문에, 의도되지 않은 편향오차를 위해 공차에 대응하는 주변을 추가하여야 한다. 하지만, 렌즈의 중심부가 임계값보다 적게 편향된 빔을 통과시키는 데 사용되는 경우, 이에 대응하여 보다 큰 직경이 차단요소(125)에 사용되어야 한다.
본 발명에 따르면, 퓨필평면내의 빔의 세기분포가 빔의 균질성에 의존하지 않고 신속하게 구성되고 수정될 수 있는 리소그래피장치가 제공된다.
Claims (17)
- - 방사선의 투영빔을 제공하는 조명시스템을 포함하되, 상기 조명시스템은 퓨필평면내의 세기분포를 한정하며, 상기 조명시스템은 상기 투영빔을 광학요소에 의하여 판정된 방향 종속적 세기분포로 소정 범위의 방향에 걸쳐 편향시키는 상기 광학요소를 포함하고;- 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;- 기판을 유지하는 기판테이블; 및- 상기 기판의 타겟부상으로 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피장치에 있어서,- 상기 투영빔의 경로내에 상기 광학요소에 후속하는 또 다른 광학요소를 포함하되, 상기 광학요소 및 상기 또 다른 광학요소 각각은 편향없이 상기 투영빔의 대부분을 실질적으로 통과시키도록 구성되고, 상기 또 다른 광학요소는 방향 종속적 세기분포로 또 다른 범위의 방향들에 걸쳐 상기 광학요소에 의하여 통과된 상기 대부분을 편향시키며;- 상기 광학요소와 상기 또 다른 광학요소 둘 모두에 의하여 편향되지 않은 채로 통과된 상기 투영빔의 세기의 일부의 기판으로의 투과를 차단하는 차단요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
- 제1항에 있어서,상기 투영빔의 경로내에서 상기 광학요소에 연속하여 후속하는 복수의 또 다른 광학요소를 포함하며, 상기 또 다른 광학요소 각각은 편향없이 상기 투영빔의 대부분을 실질적으로 통과시키고, 각자의 또 다른 방향 종속적 세기분포로 각자의 범위의 방향들에 걸쳐 선행하는 광학요소로부터 수용된 상기 투영빔의 상기 주요부분의 편향을 제공하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 광학요소 및 상기 또 다른 광학요소는 법선(normal) 빔 방향을 중심으로 한 회전각도의 함수로서 서로 상이한 방향 종속적 세기분포를 제공하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
- 제3항에 있어서,상기 광학요소는 상기 법선 빔 방향을 중심으로 한 회전의 함수로서 제1세기레벨 또는 0의 세기레벨 중 어느 하나를 갖는 세기분포를 제공하고, 상기 또 다른 광학요소는 상기 법선 빔 방향을 중심으로 한 회전의 함수로서 상기 제1세기레벨과 상이한 제2세기레벨 또는 0의 세기레벨 중 어느 하나를 갖는 세기분포를 제공하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광학요소들의 각각은 상기 빔의 단면에 걸쳐 마이크로렌즈의 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
- 제5항에 있어서,방사선소스는 실질적으로 제1파장에서의 단색이고, 상기 마이크로렌즈 각각은 사전설정된 범위내에서 상기 마이크로렌즈의 두께값의 범위를 유지하고 제2파장에서 상기 마이크로렌즈의 효율성을 최적화하기 하기 위해서 두께단차들을 포함하며, 상기 제1파장에서의 효율성이 낮아 상기 투영빔의 상기 주요부분이 편향되지 않은 채로 통과되도록 하는 정도로 상기 제1파장은 상기 제2파장과 상이한 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,광학요소 교환유닛을 포함하며, 상기 교환유닛은 미리제조된 광학요소들에 대한 복수의 위치를 포함하고, 상기 광학요소들은 각각 각자의 방향 종속적 세기분포를 제공하며, 상기 교환유닛은 이용가능한 상기 광학요소들의 선택된 것들을 상기 또 다른 광학요소로서 기능하도록 상기 광학요소에 후속하는 위치로 이동시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
- 제7항에 있어서,복수의 각 세트들의 광학요소들을 포함하고, 상기 세트들 각각은 각자의 세트에 대하여 특정한 각자의 위치들의 범위내에서 상기 퓨필평면내의 세기를 판정하는 1이상의 광학요소들을 포함하며, 상기 교환유닛은 상기 세트들 각각의 광학 요소들의 독립적으로 선택가능한 것들을 상기 광학요소들의 연속 배치(series arrangement)내에서 연속적으로 상이한 위치들로 배치시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피장치.
- - 부분적 또는 전체적으로 방사선감응재층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;- 조명시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;- 광학요소에 의하여 판정된 방향 종속적 세기분포로 소정 범위의 방향들에 걸쳐 상기 빔을 편향시키는 상기 광학요소를 통하여 상기 투영빔을 통과시키는 단계;- 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계; 및- 상기 방사선감응재층의 타겟부상에 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스제조방법에 있어서,- 상기 투영빔의 경로내에 상기 광학요소에 후속하는 또 다른 광학요소를 통하여 상기 투영빔을 통과시키는 단계를 포함하되, 상기 광학요소 및 상기 또 다른 광학요소 각각은 편향없이 상기 투영빔의 대부분을 실질적으로 통과시키도록 구성되고, 상기 또 다른 광학요소는 상기 광학요소에 의하여 통과된 상기 주요부분을 방향 종속적 세기분포로 또 다른 범위의 방향들에 걸쳐 편향시키며; 및- 상기 광학요소와 상기 또 다른 광학요소 둘 모두에 의하여 편향되지 않은채로 통과된 상기 투영빔의 세기의 일부의 기판으로의 투과를 차단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 투영빔의 경로내에서 상기 광학요소에 연속하여 후속하는 복수의 또 다른 광학요소를 통하여 상기 투영빔을 통과시키는 단계를 더욱 포함하며, 상기 또 다른 광학요소 각각은 편향없이 상기 투영빔의 대부분을 실질적으로 통과시키고, 각자의 각각의 또 다른 방향 종속적 세기분포로 각자의 범위의 방향들에 걸쳐 선행하는 광학요소로부터 수용된 상기 투영빔의 상기 대부분의 편향을 제공하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
- 제9항 또는 제10항에 있어서,상기 광학요소 및 상기 또 다른 광학요소는 법선 빔 방향을 중심으로 한 회전각도의 함수로서 서로 상이한 방향 종속적 세기분포를 제공하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 광학요소는 상기 법선 빔 방향을 중심으로 한 회전의 함수로서 제1세기레벨 또는 0의 세기레벨 중 어느 하나를 갖는 세기분포를 제공하고, 상기 또 다른 광학요소는 상기 법선 빔 방향을 중심으로 한 회전의 함수로서 상기 제1세기레벨과상이한 제2세기레벨 또는 0의 세기레벨 중 어느 하나를 갖는 세기분포를 제공하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
- 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광학요소들의 각각은 상기 빔의 단면에 걸쳐 마이크로렌즈의 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
- 제13항에 있어서,방사선소스는 실질적으로 제1파장에서의 단색이고, 상기 마이크로렌즈 각각은 사전설정된 범위내에서 상기 마이크로렌즈의 두께값의 범위를 유지하고 제2파장에서 상기 마이크로렌즈의 효율성을 최적화하기 하기 위해서 두께단차들을 포함하며, 상기 제1파장에서의 효율성이 낮아 상기 투영빔의 대부분이 편향되지 않은 채로 통과되도록 하는 정도로 상기 제1파장은 상기 제2파장과 상이한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
- 제9항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,복수의 각 세트들의 광학요소들을 제공하는 단계를 포함하되, 상기 세트들 각각은 각자의 세트에 대하여 특정한 각자의 위치들의 범위내에서 상기 퓨필평면내의 세기를 판정하는 1이상의 광학요소들을 포함하며, 상기 각자의 세트로부터 그 각각이 선택되는 일련의 광학요소들을 선택하는 단계를 포함하고, 상기 투영빔내에상기 선택된 광학요소들을 연속하여 배치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
- 제9항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광학요소 및 상기 또 다른 광학요소는, 그 각각이 상기 투영빔의 대부분을 편향되지 않은 채로 통과시키는 일련의 광학요소들의 부분이며, 상기 일련의 광학요소들 각각은 상기 퓨필평면의 중심을 중심으로 한 각자의 링내에서의 회전 각도 종속적 세기분포를 판정하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
- 제16항에 있어서,상기 각각의 링내에서의 상기 회전 각도 종속적 세기분포를 회전시키도록 상기 일련의 광학요소를 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP02080456A EP1434092A1 (en) | 2002-12-23 | 2002-12-23 | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| EP02080456.3 | 2002-12-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040057958A true KR20040057958A (ko) | 2004-07-02 |
| KR100585463B1 KR100585463B1 (ko) | 2006-06-07 |
Family
ID=32405759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030094758A KR100585463B1 (ko) | 2002-12-23 | 2003-12-22 | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6924885B2 (ko) |
| EP (1) | EP1434092A1 (ko) |
| JP (1) | JP3905081B2 (ko) |
| KR (1) | KR100585463B1 (ko) |
| CN (1) | CN1510517A (ko) |
| SG (1) | SG119209A1 (ko) |
| TW (1) | TWI243289B (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7265366B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4535260B2 (ja) | 2004-10-19 | 2010-09-01 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
| DE102005004216A1 (de) * | 2005-01-29 | 2006-08-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem, insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage in der Halbleiterlithographie |
| FR2890461B1 (fr) * | 2005-09-05 | 2008-12-26 | Sagem Defense Securite | Obturateur et illuminateur d'un dispositif de photolithographie |
| CN101109903B (zh) * | 2006-07-18 | 2010-05-12 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 在线监控透镜散光的方法 |
| US20080259304A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| ATE532105T1 (de) | 2007-12-21 | 2011-11-15 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Beleuchtungsmethode |
| KR20100107345A (ko) | 2009-03-25 | 2010-10-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
| CN102929107B (zh) * | 2012-11-29 | 2014-10-15 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 光刻照明用光瞳整形装置 |
| CN103135219B (zh) * | 2013-03-19 | 2015-04-08 | 山东出入境检验检疫局检验检疫技术中心 | 一种复合显微物镜及其制作方法和应用 |
| US10741354B1 (en) | 2018-02-14 | 2020-08-11 | Kla-Tencor Corporation | Photocathode emitter system that generates multiple electron beams |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
| DE59105735D1 (de) * | 1990-05-02 | 1995-07-20 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
| DE69132120T2 (de) * | 1990-11-15 | 2000-09-21 | Nikon Corp., Tokio/Tokyo | Verfahren und Vorrichtung zur Projektionsbelichtung |
| US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
| US5696441A (en) * | 1994-05-13 | 1997-12-09 | Distribution Control Systems, Inc. | Linear alternating current interface for electronic meters |
| JP4075966B2 (ja) * | 1996-03-06 | 2008-04-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 差分干渉計システム及びこのシステムを具えたリソグラフステップアンドスキャン装置 |
| DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands B.V., Veldhoven | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
| JP4126096B2 (ja) | 1997-01-29 | 2008-07-30 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 感光性被覆を有する基板上に集束レーザ放射により構造物を製作する方法と装置 |
| SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
| DE69829614T2 (de) | 1997-03-10 | 2006-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern |
| JP3264224B2 (ja) * | 1997-08-04 | 2002-03-11 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
| DE69931690T2 (de) * | 1998-04-08 | 2007-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
| KR20000048227A (ko) * | 1998-12-17 | 2000-07-25 | 오노 시게오 | 이미지 투사 장치를 이용한 표면 조명 방법 및 조명 광학시스템 |
| US6671035B2 (en) * | 1999-09-29 | 2003-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus |
| EP1109067B1 (en) * | 1999-12-13 | 2006-05-24 | ASML Netherlands B.V. | Illuminator |
-
2002
- 2002-12-23 EP EP02080456A patent/EP1434092A1/en not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-12-15 US US10/734,639 patent/US6924885B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-17 TW TW092135750A patent/TWI243289B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-22 CN CNA2003101147537A patent/CN1510517A/zh active Pending
- 2003-12-22 JP JP2003424946A patent/JP3905081B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-22 KR KR1020030094758A patent/KR100585463B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-12-23 SG SG200307723A patent/SG119209A1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004207735A (ja) | 2004-07-22 |
| TW200422785A (en) | 2004-11-01 |
| EP1434092A1 (en) | 2004-06-30 |
| TWI243289B (en) | 2005-11-11 |
| KR100585463B1 (ko) | 2006-06-07 |
| SG119209A1 (en) | 2006-02-28 |
| US6924885B2 (en) | 2005-08-02 |
| CN1510517A (zh) | 2004-07-07 |
| US20040165168A1 (en) | 2004-08-26 |
| JP3905081B2 (ja) | 2007-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4099423B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造法 | |
| KR100576746B1 (ko) | 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,제어시스템, 컴퓨터프로그램, 및 컴퓨터프로그램물 | |
| JP5871216B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 | |
| US7015491B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system | |
| KR100554253B1 (ko) | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 그것에 의해제조된 디바이스 | |
| KR100554872B1 (ko) | 광학요소를 조립하기 위한 부품의 키트, 광학요소를조립하는 방법, 광학요소, 리소그래피장치 및디바이스제조방법 | |
| US20060181692A1 (en) | Method and apparatus for controlling radiation beam intensity directed to microlithograhic substrates | |
| US20070153249A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types | |
| KR20030022077A (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 | |
| JP4955028B2 (ja) | デバイス製造方法、リソグラフィ装置及びそれによって製造されたデバイス | |
| KR100585463B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
| KR20030006968A (ko) | 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,반사기제조방법, 그 반사기 및 위상반전마스크 | |
| KR100659256B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 | |
| JP5112662B2 (ja) | リソグラフィ装置及びレチクル誘導ｃｄｕを補償するデバイス製造方法 | |
| JP6114952B2 (ja) | リソグラフィによって感光性表面にパターンを転写する方法およびマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム | |
| KR20120031050A (ko) | 리소그래피 장치 및 방법 | |
| KR20040090734A (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
| EP1434097A2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP4791179B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
| JP5346356B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2005045246A (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれにより製造したデバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |