JP2005045246A - リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれにより製造したデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】生産にリソグラフィ装置の使用を必要とするデバイスの製造業者に予想される要件に関して、さらに汎用性があるリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、パターン化手段を支持する支持構造とを備え、パターン化は、所望のパターンに従い投影ビームにパターン化する働きをし、さらに、基板を保持する基板テーブルと、パターン化したビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを備え、
装置がさらに、リソグラフィ装置の少なくとも２つの異なる動作モードから１つを選択する選択システムを備え、少なくとも２つの動作モードのうち第一動作モードでは、第一期間に第一レベルの精度でプロセスが実行され、少なくとも２つの動作モードのうち第二動作モードでは、第二期間に第二レベルの精度でプロセスが実行され、第一期間は第二期間より短く、第一レベルの精度が第二レベルの精度より低いことを特徴とするリソグラフィ装置。
【選択図】図１

Description

本発明はリソグラフィ投影装置で、
− 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
− パターン化手段を支持する支持構造とを備え、パターン化手段は、所望の模様に従い投影ビームをパターン化する働きをし、さらに、
− 基板を保持する基板テーブルと、
− パターン化したビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを備えるリソグラフィ投影装置に関する。

本明細書において使用する「パターン化手段」なる用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分に作り出されるべきパターンと一致するパターン断面を与えるために使用し得る手段に当たるものとして広義に解釈されるべきであり、「ライトバルブ」なる用語もこうした状況において使用される。一般的に、上記のパターンは、集積回路や他のデバイス（以下を参照）などを含む、デバイスの目標部分に作り出される特別な機能層に相当する。そのようなパターン化手段には以下が含まれる。すなわち、
− マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、各種のハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。放射線ビームにこのようなマスクを配置することにより、マスクに照射する放射線の、マスクパターンに従う選択的透過（透過性マスクの場合）や選択的反射（反射性マスクの場合）を可能にする。マスクの場合、支持構造は一般的にマスクテーブルであり、これは入射する放射線ビームの所望する位置にマスクを保持できることを保証し、かつ、必要な場合、ビームに対して運動させることが可能である。
− プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面があげられる。こうした装置の基本的原理は、（例えば）反射面のアドレスされた領域は入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して上記非回折光を反射ビームからフィルタすることが可能である。この方法において、ビームはマトリクスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン化される。プログラマブルミラーアレイの代替実施形態では小さな複数のミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、適した局部電界を適用することによって、もしくは圧電作動手段を用いることによって、軸を中心に個々に傾けられている。もう一度言うと、ミラーはマトリクスアドレス可能であり、それによりアドレスされたミラーはアドレスされていないミラーとは異なる方向に入射の放射線ビームを反射する。このようにして、反射されたビームはマトリクスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従いパターン化される。必要とされるマトリクスアドレッシングは適切な電子手段を用いて実行される。前述の両方の状況において、パターン化手段は１つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ミラーアレイは、例えば、米国特許第ＵＳ５，２９６，８９１号および同第ＵＳ５，５２３，１９３号、並びに、ＰＣＴ特許種出願第ＷＯ９８／３８５９７および同ＷＯ９８／３３０９６に開示されている。プログラマブルミラーアレイの場合、上記基板ホルダは、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。
− プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構成の例が米国特許第ＵＳ５，２２９，８７２号に開示されている。上記同様、この場合における基板ホルダも、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これも必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。

簡潔化の目的で、本文の残りを、特定の箇所において、マスクおよびマスクテーブルを必要とする例に限定して説明することとする。しかし、こうした例において論じられる一般的な原理は、既に述べたようなパターン化手段のより広範な状況において理解されるべきである。

リソグラフィ投影装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。この場合、パターン化手段はＩＣの個々の層に対応する回路パターンを含むことができ、このパターンを、放射線感光原料（レジスト）の層が塗布された基板（シリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイから成る）に描像することができる。一般的に、シングルウェハは、投影システムを介して１つずつ順次照射される近接目標部分の全体ネットワークを含んでいる。この装置では、マスクテーブル上のマスクによるパターン化は、２つの異なるタイプの機械で行われる。１つのタイプのリソグラフィ投影装置では、全体マスク模様を目標部分に１回の作動にて露光することによって各目標部分が照射される。こうした装置は一般的にウェハステッパまたはステップアンドリピート装置と称されている。一般に走査ステップ式装置と称される別の装置では、所定の基準方向（「走査」方向）にマスク模様を投影ビームで徐々に走査し、これと同時に基板テーブルをこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影システムは倍率係数Ｍ（一般的に、＜１）を有することから、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスクテーブルが走査される速度の係数Ｍ倍となる。ここに記載を行ったリソグラフィデバイス情報は、例えば、米国特許第ＵＳ６，０４６，７９２号に記載されており、詳細は当該文献を参照されたい。

リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスにおいて、パターン（例えばマスクにおける）は少なくとも部分的に放射線感光材料（レジスト）の層で覆われた基板上に描像される。この描像ステップに先立ち、基板は、プライミング、レジスト塗布、およびソフトベークといったような各種のプロセスを経る。露光後、基板は、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、および描像形態の測定／検査といったような他の工程を通る。この一連のプロセスにより、例えばＩＣといったような素子の個々の層をパターン化するための基準として使用される。このようなパターン化された層は、それから、全て個々の層を仕上げる目的である、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械的研磨等といった種々のプロセスを経る。これらは全て個々の層を仕上げるためのものである。数枚の層が必要とされる場合には、全体プロセス、もしくはその変形をそれぞれの新しい層に繰り返す必要がある。最終的に、素子のアレイが基板（ウェハ）上に形成される。次に、これらの素子はダイシングやソーイングといったような技法で相互より分離される。それから個々の素子は、キャリアに装着されたり、ピンに接続されたりし得る。こうしたプロセスに関するさらなる情報は、１９９７年にマグローヒル出版会社より刊行された、Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ著、「マイクロチップ製造：半導体処理に対する実用ガイド」という名称の書籍（“Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ”）の第３版、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４に記載されており、詳細は当該文献を参照されたい。

簡潔化の目的で、これより投影システムを「レンズ」と称するものとする。しかし、この用語は、例えば屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。放射線システムはまた、放射線の投影ビームの誘導、成形、あるいは制御を行う、こうした設計タイプのいずれかに応じて稼動する構成要素も備えることが出来る。こうした構成要素もまた以降において集約的に、あるいは単独的に「レンズ」と称する。さらに、リソグラフィ装置は２つあるいはそれ以上の基板テーブル（および、あるいは２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」デバイスにおいては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。デュアルステージリソグラフィ装置については、例えば米国特許第ＵＳ５，９６９，４４１号および国際特許出願第ＷＯ９８／４０７９１号に記載がなされており、詳細は両文献を参照されたい。

リソグラフィ装置は、生産にこの専用装置を必要とするデバイスの製造業者の特定の仕様に適合するよう設計、製造される。仕様は通常、リソグラフィ装置で実行すべきプロセスの正確さに関する詳細、さらには１つのリソグラフィ装置で単位時間当たりに作成できるデバイス数、つまり１つの装置のスループットを備える。プロセスを実行する正確さは、リソグラフィ装置を使用して基板上に作成することができる機能形態の最小サイズに影響を及ぼす。装置は通常、特定のスループットを達成しながら、特定の正確さでプロセスを実行するよう設計される。特定の装置の生産に、より高い正確さが必要である場合、通常はデバイスの製造業者が別の装置を使用しなければならない。その他の装置のスループットは、一般にこれより低い正確さでプロセスを実行する装置より低い。同様に、スループット（正確さより重要度が高くなる傾向は低い）の向上が必要である場合、通常は、デバイスの製造業者が別の装置を使用しなければならない。別の装置の正確さは、一般にこれよりスループットが低い装置より低い。いかなる場合でも、異なる正確さおよび／または異なるスループットが要求される場合、２つの異なる装置が必要である。

生産にリソグラフィ装置の使用を必要とするデバイスの製造業者が予想する要件に対して、かなり汎用性があるリソグラフィ装置を提供することが、本発明の目的である。

以上および他の目的は、冒頭のパラグラフで指定されているようなリソグラフィ装置で、装置がさらに、リソグラフィ装置の少なくとも２つの異なる動作モードから１つを選択する選択システムを備え、少なくとも２つの動作モードのうち第一動作モードでは、第一期間に第一レベルの正確さでプロセスが実行され、少なくとも２つの動作モードのうち第二動作モードでは、第二期間に第二レベルの正確さでプロセスが実行され、第一期間は第二期間より短く、第一レベルの正確さが第二レベルの正確さより低いことを特徴とするリソグラフィ装置にて本発明により達成される。

このような装置の１つのみで、デバイスの製造業者は例えば第一期間に比較的低い精度の仕様に適合するだけでよい幾つかのデバイスを製造し、選択システムを使用した後、第二期間では比較的高い精度の要件に適合する必要がある幾つかのデバイスを製造することができる。第一期間および第二期間が等しい長さである場合、第一期間に生産されるデバイスの数は、第二期間で生産されるデバイスの数より大きくなる。しかし、第二期間の方がスループットは低いが、製造業者は、装置が本発明による装置に関するものであるなら、１つのリソグラフィ装置を購入するだけでよいので、費用が節約される。その結果、比較的低いコストでデバイスを生産することができる。

これらの動作モードは、それぞれ静止マスクテーブルおよび可動マスクテーブルに言及するステップモードおよび走査モードなどのモードとは異なることに留意されたい。

異なる動作モードは、プロセスを実行する期間、および関連する精度のレベルのみが異なることが可能である。つまり、デバイス上の形態のスループットと精度が結合される。したがって、動作モードを選択することにより、生産されるデバイスの特定のスループットおよび精度を選択することができる。

本発明によるリソグラフィ装置の実施形態では、選択システムはユーザが制御するよう構成される。これにより、少なくとも２つの異なる動作モードから１つを選択するよう装置を適合させるために、リソグラフィ装置の製造業者の技術者を要求する必要がないことが保証される。装置は、装置の製造業者またはサービスセンターへ戻す必要もない。つまり、選択システムに対するユーザの可制御性により、装置の使用に融通性を持たせ、最終的に装置で生産するデバイスのコストを抑制することができる。

選択システムは、ユーザインタフェースを介して制御可能である。この場合、装置および選択システムはユーザフレンドリである。ユーザインタフェースは、タッチスクリーンまたはキーボードを有するディスプレイを備え、選択システムを都合良く制御することができる。ユーザ側には特別な技術が必要とされない。

本発明の特定の実施形態では、２つより多い幾つかの動作モードから１つを選択できるよう選択システムが構成される。この実施形態では、リソグラフィ装置が実行すべき特定のプロセスの時間と、このプロセスを実行すべき正確さとの多数の組合せが選択可能であり、例えばニーズなどに応じて装置のさらに汎用性のある使用が可能になる。

グラフで線として視覚化できる所定の関係に従い、幾つかの動作モードを相互に関連させることが可能である。

線が連続的および／または無段階であることも可能であり、これにより特定数のデバイスを生産するために装置が使用する時間に多少関連して、生産されるデバイスの価格を決定することができる。潜在的顧客が相互に異なるニーズを有する場合も、例えばある期間にわたって装置を賃貸しすることが可能である。

本発明による装置の実施形態では、プロセスは、基板および／または基板テーブルを搬送するステップと、搬送後に基板を据え付けるステップと、放射線システムを位置合わせするステップと、位置合わせ後に放射線システムを据え付けるステップと、支持構造を位置合わせするステップと、位置合わせ後に支持構造を据え付けるステップと、パターン化手段を位置合わせするステップと、位置合わせ後にパターン化手段を据え付けるステップと、投影システムを位置合わせするステップと、位置合わせ後にパターン化手段を据え付けるステップと、基板を傾斜するステップと、傾斜後に据え付けるステップと、投影システムを集束するステップと、パターン化したビームで基板を露光するステップと、そのいずれかの組合せとで構成されたグループから選択した少なくとも１つのプロセスステップを備える。したがって、選択した動作モードの結果、基板および／または基板テーブルの搬送のために特定の速度および／または異なる加速または減速にすることが可能である。位置合わせ手順の特定のステップを短縮したり、完全に取り消したりすることが、特にこれらの手順が選択された動作モードに必要とされない精度の達成に関係する場合、可能である。選択された動作モードに応じて、反復的手順を延長または短縮することができる。また、据え付け時間、つまり運動および／または熱の不安定性による乱れが許容レベルまで減衰する時間を短縮または延長することができる。というのは、許容レベルは、必要な正確さに、したがって選択された動作モードに関連するからである。

本発明による装置の実施形態では、装置は、各動作モードで特定の動作設定を選択するよう構成され、各動作設定は、リソグラフィ装置が特定のプロセスを実行する所定の期間と、そのプロセスを実行する所定の精度のレベルとの組合せを備える。これにより、所定の設定で１組の組合せを選択することができ、ユーザに便宜を提供し、装置の運転準備が高速になる。

実施形態では、装置は制御ユニットを備え、これはプロセスの少なくとも１つのプロセスステップ、必要な正確さを獲得するためのプロセス時間、または必要なプロセス時間を獲得するためのプロセスの正確さを決定するよう構成される。この実施形態は、この最適化のために専門家システムを使用してよい。

本発明のさらなる態様によると、デバイス製造方法で、
− 少なくとも部分的に放射線感光材料の層で覆われた基板を設けるステップと、
− 放射線システムを使用して、放射線の投影ビームを設けるステップと、
− 投影ビームの断面にパターンを与えるため、パターン化手段を使用するステップと、
パターン化した放射線のビームを放射線感光材料の層の目標部分に投影するステップとを含み、
方法がさらに、少なくとも２つの異なる動作モードから１つを選択することを含み、少なくとも２つの動作モードのうち第一動作モードでは、第一期間に第一レベルの正確さでプロセスが実行され、少なくとも２つの動作モードのうち第二動作モードでは、第二期間に第二レベルの正確さでプロセスが実行され、第一期間は第二期間より短く、第一レベルの正確さが第二レベルの正確さより低いことを特徴とする方法が提供される。

本発明による装置の使用法に関して、本文ではＩＣの製造について詳細なる説明を行うものであるが、こうした装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「レチクル」、「ウェハ」、「ダイ」といった用語は、それぞれ「マスク」、「基板」、「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることは当業者にとって明らかである。

本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）および超紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。

本発明の実施形態を添付の略図を参照に、例示の方法においてのみ説明する。全図面において対応する参照記号は対応する部品を示すものとする。

図１は、本発明の独自の実施形態に基づくリソグラフィ投影装置１を概略的に示したものである。この装置は、
− この特別なケースでは放射線ソースＬＡも備えた、放射線の投影ビームＰＢ（例えばＥＵＲ放射線）を供給する放射線ソースＥｘ、ＩＬと、
− マスクＭＡ（例えばレクチル）を保持するマスクホルダを備え、かつ、品目ＰＬに対して正確にマスクの位置決めを行う第一位置決め手段ＰＭに連結を行った第一オブジェクトテーブル（マスクテーブル）ＭＴと、
− 基板Ｗを保持する基板ホルダを備え、かつ、品目ＰＬに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め手段ＰＷに連結を行った第二オブジェクトテーブル（基板テーブル）ＷＴと、
− マスクＭＡの照射部分を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に描像する投影システム（「レンズ」）ＰＬとを備える。

ここで示しているように、本装置は透過タイプである（すなわち透過マスクを有する）。しかし、一般的には、例えば（反射マスクを有する）反射タイプのものも可能である。あるいは、本装置は、上記に関連するタイプであるプログラマブルミラーアレイといったような、他の種類の模様付け手段も使用可能である。

ソースＬＡは放射線のビームを作り出す。このビームは、直接的に、あるいは、例えばビームエキスパンダＥｘといったような調整手段を横断した後に、照明システム（照明装置）ＩＬに供給される。照明装置ＩＬは、ビームにおける強度分布の外部および／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定する調整手段ＡＭを備える。さらに、これは一般的に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯといったような、他のさまざまな構成要素を備える。このようにして、マスクＭＡに照射するビームＰＢは、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。

図１に関して、ソースＬＡはリソグラフィ投影装置のハウジング内にある（これは例えばソースＬＡが水銀ランプである場合に多い）が、リソグラフィ投影装置から離して配置することも可能であることを注記する。この場合、ソースＬＡが作り出す放射線ビームは（例えば適切な案内ミラーにより）装置内に導かれる。この後者のシナリオでは、ソースＬＡがエキシマレーザである場合が多い。本発明および請求の範囲はこれら両方のシナリオを網羅するものである。

続いてビームＰＢはマスクテーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。ビームＰＢはマスクＭＡを横断して、基板３の目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わせるレンズＰＬを通過する。第二位置決め手段ＰＷ（および干渉計測手段ＩＦ）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるよう、正確に運動可能である。同様に、第一位置決め手段ＰＭは、例えばマスクライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするように使用可能である。一般的に、オブジェクトテーブルＭＴ、ＷＴの運動はロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。これについては図１に明示を行っていない。しかし、ウェハステッパの場合（走査ステップ式装置とは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置を合わせることができる。

ここに表した装置は２つの異なるモードにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が１回の作動（すなわち１回の「フラッシュ」）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／またはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分ＣがビームＰＢにより照射され得る。
２．走査モードにおいては、基本的に同一シナリオが適用されるが、但し、ここでは、所定の目標部分Ｃは１回の「フラッシュ」では露光されない。代わって、マスクテーブルＭＴが、速度ｖにて所定方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に運動可能であり、それによってビームＰＢがマスクの像を走査する。これと同時に、基板テーブルＷＴが速度Ｖ＝Ｍｖで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率（一般的にＭ＝１／４あるいは１／５）である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きな目標部分Ｃを露光することが可能となる。

図１に示す実施形態はさらに、リソグラフィ装置の少なくとも２つの異なる動作モードから１つを選択する選択システムＳＳを備える。少なくとも２つの動作モードのうち第一動作モードでは、第一期間に第一レベルの精度でプロセスが実行される。少なくとも２つの動作モードのうち第二動作モードでは、第二期間に第二レベルの精度でプロセスが実行される。第一期間は第二期間より短く、第一レベルの精度が第二レベルの精度より低い。図１に示す選択システムＳＳは、放射線システム制御ユニットＲＳＣ、パターン化手段制御ユニットＰＭＣ、投影システム制御ユニットＰＳＣ、および基板またはウェハテーブル制御ユニットＷＴＣを備える。ＰＭＣはこの例では第一位置決め手段ＰＭに接続される。ＷＴＣはこの例では第二位置決め手段ＰＷに接続される。選択システムは、これらの制御ユニットのうち１つのみ、または幾つかを備えることが可能である。各制御ユニットで、例えばアライメント手順の精度および／または装置内における可動部品の搬送の精度を変更することが可能である。アライメント手順の精度は、遮断値を変更することによって変更することができ、この遮断値はアライメントの反復的プロセスが停止される値である。あるいは、特定のプロセスを実行する時間の長さを変更することが可能である。精度を設定すると、その結果、個々のプロセスの時間が精度として設定され、精度が高くなるほど、プロセスの実行に必要な長さが長くなるという意味で、時間が関連付けられる。精度に関係なく時間を設定する可能性は低いが、時間を設定すると、その結果、精度と時間とは関係があることから、個々のプロセスを実行する際の精度が設定されることもあり得る。

図１に示したような装置では、選択システムはユーザが制御するよう構成される。しかし、ユーザは、各制御ユニットに別個に対応する必要がある。多数の動作設定から１つを選択できるよう、選択システムを構成することが可能である。

図２は、本発明によるリソグラフィ投影装置の代替実施形態を示す。この実施形態は第一実施形態と同様であり、第一実施形態に関して述べた全ての形体を備えることができる。しかしこの場合、装置は、追加的にユーザインタフェースを備える。選択システムは、ユーザインタフェースＵＩを介して制御可能である。これには、いかなるユーザも選択システムを都合良く操作できるという利点がある。選択システムは、例えば上述した制御ユニットＲＳＣ、ＰＭＣ、ＰＣＳおよびＷＴＣのうち１つまたは複数を備えてもよい。所定の関係に従い、幾つかの動作設定は相互に関連する。ユーザインタフェースＵＩは、関係を好ましくはグラフで、好ましくは連続的な線として視覚化できるディスプレイを備えてよい。この線はさらに無段階でよい。

いずれかの図により上述したような装置は、各動作モードで特定の動作設定を選択するよう構成することができる。各動作設定は、リソグラフィが特定のプロセスを実行する所定の期間と、プロセスを実行する際の所定の正確さのレベルとの組合せを備える。

さらに実施形態では、装置は、プロセスの少なくとも１つのプロセスステップ、必要な正確さを獲得するためのプロセス時間、または必要なプロセス時間を獲得するためのプロセスの正確さを決定するよう構成された制御ユニットを備えることが可能である。

この実施形態は、所望の正確さ、所望のスループット、または両方に応じて、デバイスの製造を最適化するための専門家システムを使用することができる。

図１または図２に示す装置を使用して、デバイス製造方法を実行することが可能であり、方法は、
− 少なくとも部分的に放射線感光材料の層で覆われた基板を設けるステップと、
− 放射線システムを使用して放射線の投影ビームを設けるステップと、
− 投影ビームの断面にパターンを与えるため、パターン化手段を使用するステップと、
− 放射線のパターン化したビームを放射線感光材料の層の目標部分に投影するステップとを含み、方法がさらに、
− 少なくとも２つの異なる動作モードから１つを選択することを含み、少なくとも２つの動作モードのうち第一動作モードでは、第一期間に第一レベルの精度でプロセスが実行され、少なくとも２つの動作モードのうち第二動作モードでは、第二期間に第二レベルの精度でプロセスが実行され、第一期間は第二期間より短く、第一レベルの精度が第二レベルの正確さより低い。

本明細書で言及するようなプロセスは、基板および／または基板テーブルを搬送するステップと、搬送後に基板を据え付けるステップと、放射線システムを位置合わせするステップと、位置合わせ後に放射線システムを据え付けるステップと、支持構造を位置合わせするステップと、位置合わせ後に支持構造を据え付けるステップと、パターン化手段を位置合わせするステップと、位置合わせ後にパターン化手段を据え付けるステップと、投影システムを位置合わせするステップと、位置合わせ後に模様付け手段を据え付けるステップと、基板を傾斜するステップと、傾斜後に据え付けるステップと、投影システムを集束するステップと、パターン化したビームに基板を露光するステップと、そのいずれかの組合せとで構成されたグループから選択した少なくとも１つのプロセスステップを備える。

各プロセスステップは、言うまでもなく部分プロセスステップにさらに分割することができる。例えば、パターン化したビームに基板を露光することは、ビームが点滅する回数と、各点滅の強度とを含む。回数と強度とは両方とも、本発明の目的のために変更することができる。

図２のユーザインタフェースは、ＲＳＣ、ＰＭＣ、ＰＳＣおよびＷＴＣに接続するよう図示されているが、ユーザインタフェースが選択システムを無線制御可能であることも可能である。

以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。本説明は本発明を制限する意図ではない。

本発明の第一実施形態によるリソグラフィ投影装置を示したものである。 本発明の第二実施形態によるリソグラフィ投影装置を示したものである。

Claims (12)

1. リソグラフィ投影装置で、
   − 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、
   − パターン化手段を支持する支持構造とを備え、パターン化手段は、所望のパターンに従い投影ビームにパターン化する働きをし、さらに、
   − 基板を保持する基板テーブルと、
   − パターン化したビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを備え、
   装置がさらに、
   − リソグラフィ装置の少なくとも２つの異なる動作モードから１つを選択する選択システムを備え、少なくとも２つの動作モードのうち第一動作モードでは、第一期間に第一レベルの精度でプロセスが実行され、少なくとも２つの動作モードのうち第二動作モードでは、第二期間に第二レベルの正確さでプロセスが実行され、第一期間は第二期間より短く、第一レベルの精度が第二レベルの精度より低いことを特徴とするリソグラフィ装置。
2. 選択システムをユーザによって制御されるよう構成することを特徴とする、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
3. 選択システムがユーザインタフェースを介して制御可能であることを特徴とする、請求項１または２に記載のリソグラフィ投影装置。
4. 選択システムが、２つより大きい幾つかの数の動作モードから１つを選択できるよう構成されることを特徴とする、請求項１から３いずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
5. 幾つかの動作モードが、グラフで線として視覚化できる所定の関係に従い、相互に関連付けられることを特徴とする、請求項４に記載のリソグラフィ投影装置。
6. 線が連続的であることを特徴とする、請求項５に記載のリソグラフィ投影装置。
7. 線が無段階であることを特徴とする、請求項５または６に記載のリソグラフィ投影装置。
8. プロセスが、基板および／または基板テーブルを搬送するステップと、搬送後に基板を据え付けるステップと、放射線システムを位置合わせするステップと、位置合わせ後に放射線システムを据え付けるステップと、支持構造を位置合わせするステップと、位置合わせ後に支持構造を据え付けるステップと、パターン化手段を位置合わせするステップと、位置合わせ後にパターン化手段を据え付けるステップと、投影システムを位置合わせするステップと、位置合わせ後にパターン化手段を据え付けるステップと、基板を傾斜するステップと、傾斜後に据え付けるステップと、投影システムを集束するステップと、パターン化したビームで基板を露光するステップと、そのいずれかの組合せとで構成されたグループから選択した少なくとも１つのプロセスステップを備えることを特徴とする、請求項１から７いずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
9. 装置が、各動作モードで特定の動作設定を選択するよう構成され、各動作設定が、リソグラフィ装置によって特定のプロセスを実行する所定の期間と、プロセスを実行する際の特定の精度のレベルとの組合せを備えることを特徴とする、請求項１から８いずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
10. 装置が、プロセスの少なくとも１つのプロセスステップから、必要な精度を獲得するためのプロセス時間、または必要なプロセス時間を獲得するためのプロセスの精度を決定するよう構成された制御ユニットを備えることを特徴とする、請求項１から９いずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
11. デバイス製造方法で、
    − 少なくとも部分的に放射線感光材料の層で覆われた基板を設けるステップと、
    − 放射線システムを使用して放射線の投影ビームを設けるステップと、
    − 投影ビームの断面にパターンを与えるため、パターン化手段を使用するステップと、
    − 放射線のパターン化したビームを放射線感光材料の層の目標部分に投影するステップとを含む方法で、方法がさらに、
    − 少なくとも２つの異なる動作モードから１つを選択することを含み、少なくとも２つの動作モードのうち第一動作モードでは、第一期間に第一レベルの精度でプロセスが実行され、少なくとも２つの動作モードのうち第二動作モードでは、第二期間に第二レベルの精度でプロセスが実行され、第一期間は第二期間より短く、第一レベルの精度が第二レベルの精度より低いことを特徴とする方法。
12. 方法が、ユーザにより動作モードの選択を制御することを含むことを特徴とする、請求項１１に記載のデバイス製造方法。

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