JP2005518659A - 画像形成方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (59)
- 画像平面に配置され、電磁放射に敏感な層で少なくとも部分的に被覆された加工品をパターニングする装置であって、
対象物(object)平面上に電磁放射を放出する放射源(source)と、
複数のオン−オフ対象物画素を備えて、前記対象物平面において、前記電磁放射を受け取り、入力パターン描写に従って前記電磁放射を変調し、かつ、前記電磁放射を前記加工品に向けて中継するようになされたSLMと、
前記SLMから前記加工品上への中継されたパターン描写に対して前記加工品の移動を同期させる同期化器と、
前記SLM及び前記加工品の間に配置されており、前記中継されたパターン描写を偏向するようになされている画像偏向要素とを備える装置。 - 前記SLMは透過型画素を備える請求項1に記載の装置。
- 前記SLMは反射型画素を備える請求項1に記載の装置。
- 前記反射型画素は微小ミラーである請求項3に記載の装置。
- 前記同期化は、前記中継されたパターン描写を、長い期間にわたって前記加工品の一定エリア上に入射させるように行われる請求項1に記載の装置。
- 前記電磁放射源からの放射は、前記SLMに新しいパターン描写が再ロードされている間は、前記加工品上へ入射しないようにされる請求項1に記載の装置。
- 前記放射は、前記加工品上に入射しないように偏向される請求項6に記載の装置。
- 前記放射は、前記加工品上に入射しないように遮断される請求項6に記載の装置。
- 前記放射源は、前記放射が前記加工品上に入射しないようにオフされる請求項6に記載の装置。
- 前記SLM上の連続したパターン描写は、互いに隣接する前記加工品上で画像化される(imaged)請求項1に記載の装置。
- 前記SLM上の連続したパターン描写は、前記加工品上で少なくとも部分的に重なる請求項10に記載の装置。
- 前記SLM上の連続したパターン描写は、前記加工品上で重ならない請求項10に記載の装置。
- 前記SLM上の連続したパターン描写は、前記加工品上で互いに隣接しないで画像化される請求項1に記載の装置。
- 前記画像偏向要素は回転プリズムである請求項1に記載の装置。
- 前記画像偏向要素は回転反射型ポリゴンである請求項1に記載の装置。
- 前記回転反射型ポリゴンは少なくとも3つの反射平面を備える請求項15に記載の装置。
- 前記SLM上の前記パターン描写は、前記中継されたパターン描写を前記加工品上に偏向させる間に変えられる請求項1に記載の装置。
- 画像平面に配置され、電磁放射に敏感な層で少なくとも部分的に被覆された加工品をパターニングする方法であって、
対象物平面上に電磁放射を放出する工程と、
複数のオン−オフ対象物画素を備えるSLMによって、前記対象物平面において、前記電磁放射を受け取り、入力パターン描写に従って前記電磁放射を変調する工程と、
前記電磁放射を前記加工品に向けて中継する工程と、
前記SLMから前記加工品上へ中継されたパターン描写を偏向させる工程と、
前記SLMから前記加工品上への中継されたパターン描写に対して前記加工品の移動を同期させる工程とを含む方法。 - 前記SLMは透過型画素を備える請求項18に記載の方法。
- 前記SLMは反射型画素を備える請求項18に記載の方法。
- 前記反射型画素は微小ミラーである請求項20に記載の方法。
- 前記同期化は、前記SLMからの前記中継されたパターン描写を、長い期間にわたって前記加工品の一定エリア上に入射させるように行われる請求項18に記載の方法。
- 前記電磁放射源からの前記放射は、前記SLMに新しいパターン描写が再ロードされている間は、前記加工品上へ入射しないようにする工程をさらに含む請求項18に記載の方法。
- 前記放射は、前記加工品上へ入射しないように偏向される請求項23に記載の方法。
- 前記放射は、前記加工品上へ入射しないように遮断される請求項23に記載の方法。
- 前記放射源は、前記放射が前記加工品上へ入射しないようにオフされる請求項23に記載の方法。
- 連続したパターン描写を、前記加工品上で互いに隣接して画像化する工程をさらに含む請求項18に記載の方法。
- 連続したパターン描写は、前記加工品上で少なくとも部分的に重なる請求項27に記載の方法。
- 連続したパターン描写は、前記加工品上で重ならない請求項27に記載の方法。
- 連続したパターン描写を、前記加工品上で互いに隣接しないで画像化する工程をさらに含む請求項18に記載の方法。
- 前記画像偏向要素は回転プリズムである請求項18に記載の方法。
- 前記画像偏向要素は回転反射型ポリゴンである請求項18に記載の方法。
- 前記回転反射型ポリゴンは少なくとも3つの反射平面を備える請求項32に記載の方法。
- 前記対象物画素を時間多重することによってグレースケール印刷を行う工程をさらに含む請求項18に記載の方法。
- 前記同期化は、前記SLM上のパターン描写に対応するスタンプを、前記加工品上に書き込むように行われ、サブ画像を画定する前記スタンプは全体として(together)完全なパターンを形成する請求項18に記載の方法。
- 前記中継されたパターン描写を前記加工品上に偏向させる間に、前記SLM上の前記パターン描写を変える工程をさらに含む請求項18に記載の方法。
- 画像平面に配置され、電磁放射に敏感な層で被覆された加工品であって、前記層は、対象物平面に配置され、複数のオン−オフ対象画素を備えており、前記対象物平面において、前記電磁放射を受け取り、入力パターン描写に従って前記電磁放射を変調するようになされたSLMから中継された電磁放射によって照射され、前記加工品の移動は、前記コンピュータ制御レチクルから加工品上への前記中継されたパターン描写と同期化され、前記中継されたパターン描写は、前記SLMと前記加工品の間に配置された画像偏向要素によって偏向される加工品。
- 前記加工品はレチクル又はマスクである請求項37に記載の加工品。
- 前記加工品は半導電性ウェハである請求項37に記載の加工品。
- 画像を形成する方法であって、
レーザ源を設ける工程と、
加工品の上で前記レーザ源からの少なくとも1つのビームを走査する工程と、
入力パターン・データファイルに従って、走査中に前記少なくとも1つのビームを変調する工程であって、ビームの前記変調は、前記加工品上に可干渉性のサブ画像を作成し、いくつかのサブ画像は、非可干渉的に重ね合わされて、最終画像が作成される、変調する工程とを含む方法。 - 前記SLM上へ入射する前に、個々のビーム間の干渉を破壊する工程をさらに含む請求項40に記載の方法。
- 個々のビーム間の前記干渉は、周波数の偏移を加算又は減算することによって破壊される請求項41に記載の方法。
- 個々のビーム間の前記干渉は、経路長の一部を加算又は減算することによって破壊される請求項41に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのビームは、変換器のアレイを備える音響光学セルによって変調される請求項40に記載の方法。
- 前記変換器はアナログ信号によって乗算されたRF波によって駆動される請求項40に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのビームは、複数のオン−オフ画素を備えるSLMによって変調される請求項40に記載の方法。
- 加工品上に画像を形成する方法であって、
電磁放射源を設ける工程と、
空間光変調器の少なくとも一部の上で前記放射源からの少なくとも1つのビームを走査する工程と、
入力パターン・データファイルに従って前記少なくとも1つのビームを変調する工程であって、前記少なくとも1つのビームの前記変調は、前記加工品上に可干渉性のサブ画像を作成し、いくつかのサブ画像は、非可干渉的に重ね合わされて、最終画像が作成される、変調する工程とを含む方法。 - 前記少なくとも1つのビームによって、前記変調器の異なる部分を走査している間に、前記変調器の少なくとも一部に新しいパターン描写を再ロードする工程をさらに含む請求項47に記載の方法。
- 前記SLMは複数のオン−オフ画素を備える請求項47に記載の方法。
- 放射に敏感な材料の上にパターンを形成する装置であって、
放射ビームを形成する放射源と、
前記放射に敏感な材料の上で、前記放射源からの少なくとも1つのビームを走査する走査要素と、
入力パターン・データファイルに従って、走査中に前記少なくとも1つのビームを変調する変調器であって、ビームの前記変調は、前記加工品上に可干渉性のサブ画像を作成し、いくつかのサブ画像は、非可干渉的に重ね合わされて、最終画像が作成される、変調する変調器とを備える装置。 - 前記SLMへ入射する前に、個々のビーム間の干渉を破壊する要素をさらに備える請求項50に記載の装置。
- 前記干渉は、干渉可能なビームについて等しくない周波数の偏移を加算するか又は減算する要素によって破壊される請求項51に記載の装置。
- 前記干渉は、干渉可能なビームについて光学経路長の等しくない部分を加算するか又は減算する要素によって破壊される請求項51に記載の装置。
- 前記変調器は、変換器のアレイを備える音響光学セルである請求項51に記載の装置。
- 前記変換器はアナログ信号によって乗算されたRF波によって駆動される請求項54に記載の装置。
- 放射に敏感な材料の上にパターンを形成する装置であって、
放射ビームを形成する放射源と、
空間光変調器上で、前記放射源からの少なくとも1つのビームを走査する走査要素と、
入力パターン・データファイルに従って、前記少なくとも1つのビームを変調する変調器であって、ビームの前記変調は、前記加工品上に可干渉性のサブ画像を作成し、いくつかのサブ画像は、非可干渉的に重ね合わされて、最終画像が作成される、変調器とを備える装置。 - 新しいパターン描写は、前記少なくとも1つのビームによって、前記変調器の異なる部分を走査する間に、前記変調器の少なくとも一部に再ロードされる請求項56に記載の装置。
- 画像平面に配置され、電磁放射に敏感な層で少なくとも部分的に被覆された加工品をパターニングする装置であって、
対象物平面上に電磁放射を放出する供給源と、
前記対象物平面において、前記電磁放射を受け取り、入力パターン描写に従って前記電磁放射を変調し、かつ、前記電磁放射を前記加工品に向けて中継するようになされた複数の変調要素を備える変調器と、
前記加工品の移動を、前記SLMから前記加工品上への中継されたパターン描写及び前記入力パターン描写のローディングに対して同期させる同期化器と、
前記中継されたパターン描写を前記加工品上に偏向するようになされている画像偏向要素とを備える装置。 - 画像平面に配置され、電磁放射に敏感な層で少なくとも部分的に被覆された加工品をパターニングする方法であって、
対象物平面上に電磁放射を放出する工程と、
複数の変調要素を備える変調器によって、前記対象物平面において、前記電磁放射を受け取り、入力パターン描写に従って前記電磁放射を変調する工程と、
前記電磁放射を前記加工品に向けて中継する工程と、
前記変調器から前記加工品上へ中継されたパターン描写を偏向させる工程と、
前記加工品の移動を、前記変調器から前記加工品上への中継されたパターン描写及び前記入力パターン描写のローディングに対して同期させる工程とを含む方法。
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