JP3387888B2 - リソグラフ方法及び装置 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はデバイス製造のため
のリソグラフ方法に関する。更に詳細には、本発明は、
このようなリソグラフ方法の解像度を高める技術に関す
る。
のリソグラフ方法に関する。更に詳細には、本発明は、
このようなリソグラフ方法の解像度を高める技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】デバイス製造のためのリソグラフ方法で
は、一般的に、パターン付マスク（別名「レチクル」と
も呼ばれる）上から輻射線を照射し、更に、マスクを透
過した輻射線は、基板上に形成されたエネルギー感受性
物質上に照射される。パターン付マスクを通して輻射線
を透過させることにより、輻射線自体がパターン付けさ
れ、エネルギー感受性レジスト物質がパターン付輻射線
で露光されると、パターンの像（イメージ）がエネルギ
ー感受性物質中に導入される。その後、このエネルギー
感受性レジスト物質中の像を現像し、そして、下部の基
板内へ転写される。ＩＣ（集積回路）デバイスは、この
ような一連の露光処理を用いて、半導体基板上に形成さ
れたレジスト物質の様々な層をパターン付けすることに
より製造される。
は、一般的に、パターン付マスク（別名「レチクル」と
も呼ばれる）上から輻射線を照射し、更に、マスクを透
過した輻射線は、基板上に形成されたエネルギー感受性
物質上に照射される。パターン付マスクを通して輻射線
を透過させることにより、輻射線自体がパターン付けさ
れ、エネルギー感受性レジスト物質がパターン付輻射線
で露光されると、パターンの像（イメージ）がエネルギ
ー感受性物質中に導入される。その後、このエネルギー
感受性レジスト物質中の像を現像し、そして、下部の基
板内へ転写される。ＩＣ（集積回路）デバイスは、この
ような一連の露光処理を用いて、半導体基板上に形成さ
れたレジスト物質の様々な層をパターン付けすることに
より製造される。
【０００３】ＩＣデバイスは、極めて多数の個別デバイ
スと、これらデバイス間の相互接続からなる。形状及び
寸法は個々のデバイス毎に変化する。パターン密度（す
なわち、パターンの単位面積当たりのパターン形の個数
も変化する。従って、ＩＣデバイスを画成するパターン
は非常に複雑であり、かつ、均一ではない。
スと、これらデバイス間の相互接続からなる。形状及び
寸法は個々のデバイス毎に変化する。パターン密度（す
なわち、パターンの単位面積当たりのパターン形の個数
も変化する。従って、ＩＣデバイスを画成するパターン
は非常に複雑であり、かつ、均一ではない。
【０００４】パターンの複雑性及び密度が高まるにつれ
て、パターン生成に使用されるリソグラフツールの精度
を高めることが必要となる。リソグラフツールの精度
は、パターン解像度により示される。解像度が良くなる
ほど、マスクパターンと、リソグラフツールにより生成
されるパターンとの間の一致性が高まる。リソグラフツ
ールにより付与されるパターン解像度を高めるために多
くの方法が使用されている。最も一般的に行われている
方法は、短波長の輻射線を使用することである。しか
し、露光波長が遠紫外線領域（例えば、２４８ｎｍ、１
９３ｎｍ及び１５７ｎｍ）である場合、この方法はもは
や実現性が無い。解像度を高めるために、１９３ｎｍ未
満の波長を使用することは不可能である。なぜなら、光
リソグラフカメラのレンズに使用される物質は、この短
波長の輻射線を吸収するからである。
て、パターン生成に使用されるリソグラフツールの精度
を高めることが必要となる。リソグラフツールの精度
は、パターン解像度により示される。解像度が良くなる
ほど、マスクパターンと、リソグラフツールにより生成
されるパターンとの間の一致性が高まる。リソグラフツ
ールにより付与されるパターン解像度を高めるために多
くの方法が使用されている。最も一般的に行われている
方法は、短波長の輻射線を使用することである。しか
し、露光波長が遠紫外線領域（例えば、２４８ｎｍ、１
９３ｎｍ及び１５７ｎｍ）である場合、この方法はもは
や実現性が無い。解像度を高めるために、１９３ｎｍ未
満の波長を使用することは不可能である。なぜなら、光
リソグラフカメラのレンズに使用される物質は、この短
波長の輻射線を吸収するからである。
【０００５】単に短波長輻射線を使用すること以外の解
像度向上方法も提案されている。これらの解像度向上方
法は、コンデンサからのエキゾチック照射（例えば、４
極照射）、瞳孔フィルタ、位相マスク、光学的近接補正
及びこれらの技術を組み合わせて使用することにより、
現存のカメラでも高い解像度を得ることができる。しか
し、このような方法は一般的に、幾つかの個々のパター
ン形についてしか解像度を改善しない。解像度が高めら
れる形状は臨界形状として同定される。その他の多数の
形状の解像度は、このような解像度向上方法によっては
改善されず、むしろ、実際には劣化される。従って、現
在の解像度向上方法は、臨界形状の解像度向上と非臨界
形状の解像度劣化との間を折衷することが必要である。
このような折衷は通常、非臨界形状の照射における顕著
な劣化を避けるために、臨界形状の最適下限照射を必要
とする。
像度向上方法も提案されている。これらの解像度向上方
法は、コンデンサからのエキゾチック照射（例えば、４
極照射）、瞳孔フィルタ、位相マスク、光学的近接補正
及びこれらの技術を組み合わせて使用することにより、
現存のカメラでも高い解像度を得ることができる。しか
し、このような方法は一般的に、幾つかの個々のパター
ン形についてしか解像度を改善しない。解像度が高めら
れる形状は臨界形状として同定される。その他の多数の
形状の解像度は、このような解像度向上方法によっては
改善されず、むしろ、実際には劣化される。従って、現
在の解像度向上方法は、臨界形状の解像度向上と非臨界
形状の解像度劣化との間を折衷することが必要である。
このような折衷は通常、非臨界形状の照射における顕著
な劣化を避けるために、臨界形状の最適下限照射を必要
とする。
【０００６】マスク内の様々な異なる形状の投射リソグ
ラフィにおけるマスク形状照射をカスタマイズするため
の解像度向上方法が提案されている。このような方法は
例えば、K. Matsumotoらの“Innovative Image Formati
on: Coherency Controlled Imaging”,SPIE, Vol.2197,
p.844(1994)に記載されている。この方法は、各形状の
マスクへの輻射線入射をカスタマイズするために、追加
マスクと追加レンズを使用する。Matsumotoらの論文中
で提案された集成装置を模式的に図１に示す。集成装置
１０において、軸外れ光源１５からの光は第１のマスク
２０を照射する。Matsumotoらは、軸外れ照射に４極光
源１５の使用を記載している。４極光源１５では、光は
光源１１から放射され、コンデンサレンズ１３と、同一
サイズ及び同一形状の４個の開口１６（図２参照）を有
する要素１４を通過する。開口１６は、共通点（光学投
影カメラの光軸）から等間隔に離隔されている。更に、
２個の開口１６の中心と共通点は、第１のライン１７上
に存在し、他の２個の光源の中心と共通点は、第１のラ
インと直交する第２のライン１８上に存在する。
ラフィにおけるマスク形状照射をカスタマイズするため
の解像度向上方法が提案されている。このような方法は
例えば、K. Matsumotoらの“Innovative Image Formati
on: Coherency Controlled Imaging”,SPIE, Vol.2197,
p.844(1994)に記載されている。この方法は、各形状の
マスクへの輻射線入射をカスタマイズするために、追加
マスクと追加レンズを使用する。Matsumotoらの論文中
で提案された集成装置を模式的に図１に示す。集成装置
１０において、軸外れ光源１５からの光は第１のマスク
２０を照射する。Matsumotoらは、軸外れ照射に４極光
源１５の使用を記載している。４極光源１５では、光は
光源１１から放射され、コンデンサレンズ１３と、同一
サイズ及び同一形状の４個の開口１６（図２参照）を有
する要素１４を通過する。開口１６は、共通点（光学投
影カメラの光軸）から等間隔に離隔されている。更に、
２個の開口１６の中心と共通点は、第１のライン１７上
に存在し、他の２個の光源の中心と共通点は、第１のラ
インと直交する第２のライン１８上に存在する。
【０００７】第１のマスク２０からの像は、第１のレン
ズ２２を通して第２のマスク２５に投射される。第１の
レンズ２２は瞳孔フィルタ(pupil filter)２３を具備し
ている。第２のマスク２５からの像は第２のレンズ３０
を通して基板３５上に投射される。基板３５はその表面
に形成されたエネルギー感受性物質層を有する。同様な
システムが、Kamon, K., "Proposal of a Next-Generat
ion Super ResolutionTechnique," Jpn. J. Appl. Phy
s., Vol.33, Part 1, No. 12B, p.6848(1994)に記載さ
れている。
ズ２２を通して第２のマスク２５に投射される。第１の
レンズ２２は瞳孔フィルタ(pupil filter)２３を具備し
ている。第２のマスク２５からの像は第２のレンズ３０
を通して基板３５上に投射される。基板３５はその表面
に形成されたエネルギー感受性物質層を有する。同様な
システムが、Kamon, K., "Proposal of a Next-Generat
ion Super ResolutionTechnique," Jpn. J. Appl. Phy
s., Vol.33, Part 1, No. 12B, p.6848(1994)に記載さ
れている。
【０００８】Matsumotoら及びKamonらの論文に記載され
た解像度向上方法では、第１のマスクは第２のマスクの
フィーチャー(feature)と同じフィーチャーを有する。
第１のマスクのフィーチャーは、マスクに入射する輻射
線を回折し、回折された輻射線は第２のマスクの同じフ
ィーチャーを照明する。例えば、第１のマスクの格子パ
ターンを透過した輻射線は第２のマスクの同じ格子パタ
ーンに投射される。同様に、第１のマスクの分離ライン
を透過した輻射線は、第２のマスクの同じ分離ラインに
投射される。第１のマスクからの回折エネルギーが第２
のマスクの同じフィーチャーを照明する場合、得られる
像は、パターンの四極照明により得られる像よりも大抵
優れている。従って、この解像度向上方法により、四極
システムを用いる常用の軸外れ照明よりも優れた空中像
品質（即ち、投射レンズのフォーカルプレーン中の像）
がもたらされる。
た解像度向上方法では、第１のマスクは第２のマスクの
フィーチャー(feature)と同じフィーチャーを有する。
第１のマスクのフィーチャーは、マスクに入射する輻射
線を回折し、回折された輻射線は第２のマスクの同じフ
ィーチャーを照明する。例えば、第１のマスクの格子パ
ターンを透過した輻射線は第２のマスクの同じ格子パタ
ーンに投射される。同様に、第１のマスクの分離ライン
を透過した輻射線は、第２のマスクの同じ分離ラインに
投射される。第１のマスクからの回折エネルギーが第２
のマスクの同じフィーチャーを照明する場合、得られる
像は、パターンの四極照明により得られる像よりも大抵
優れている。従って、この解像度向上方法により、四極
システムを用いる常用の軸外れ照明よりも優れた空中像
品質（即ち、投射レンズのフォーカルプレーン中の像）
がもたらされる。
【０００９】前記の解像度向上方法は、四極照明よりも
一層複雑なフィーチャーについてカスタマイズされた照
明を行うことができる。しかし、前記の方法は、パター
ン中の全てのフィーチャーの解像度を改善することはで
きない。更に、この２枚マスクシステムは高価であるば
かりか、複雑である。特に、このシステムは、マスクの
代わりに、２枚の正確にパターン付されたマスクを必要
とする。第１及び第２のマスク上の対応するフィーチャ
ーは正確に整合していなければならない。第１及び第２
のマスクのアライメントも必須要件である。更に、第１
のマスクのフィーチャーが均一に照明されるので、この
方法は限られた用途にしか使用できない。従って、パタ
ーン付マスクの非カスタマイズ照明に伴う問題はこの方
法では解消されず、単にシステムの光学系へ更に後退す
るだけである。
一層複雑なフィーチャーについてカスタマイズされた照
明を行うことができる。しかし、前記の方法は、パター
ン中の全てのフィーチャーの解像度を改善することはで
きない。更に、この２枚マスクシステムは高価であるば
かりか、複雑である。特に、このシステムは、マスクの
代わりに、２枚の正確にパターン付されたマスクを必要
とする。第１及び第２のマスク上の対応するフィーチャ
ーは正確に整合していなければならない。第１及び第２
のマスクのアライメントも必須要件である。更に、第１
のマスクのフィーチャーが均一に照明されるので、この
方法は限られた用途にしか使用できない。従って、パタ
ーン付マスクの非カスタマイズ照明に伴う問題はこの方
法では解消されず、単にシステムの光学系へ更に後退す
るだけである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、全てのフィーチャーの解像度を高め、かつ、安価で
簡単に実現することができる解像度向上方法を提供する
ことである。
は、全てのフィーチャーの解像度を高め、かつ、安価で
簡単に実現することができる解像度向上方法を提供する
ことである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題は、像の解像度
向上用の暗視野照明を使用するデバイス製造のためのリ
ソグラフ方法により解決される。この明細書で使用され
る「暗視野照射」という用語は、ゼロ次パワーから取り
出される輻射線を意味する。暗視野像は、透過領域が、
パターンが像を形成しないように選択されたサイズの非
常に微細なパターン（以下、「非描画マスクフィーチャ
ー」という）を包含する透過領域を有するマスクを用い
ることにより得られる。本発明の或る実施態様では、非
描画マスクフィーチャーは単一のマスク内のパターンフ
ィーチャーと併用される。別の実施態様では、非描画マ
スクフィーチャーは第１のマスクに形成され、パターン
フィーチャーは、第１のマスクと別の第２のマスクに形
成される。
向上用の暗視野照明を使用するデバイス製造のためのリ
ソグラフ方法により解決される。この明細書で使用され
る「暗視野照射」という用語は、ゼロ次パワーから取り
出される輻射線を意味する。暗視野像は、透過領域が、
パターンが像を形成しないように選択されたサイズの非
常に微細なパターン（以下、「非描画マスクフィーチャ
ー」という）を包含する透過領域を有するマスクを用い
ることにより得られる。本発明の或る実施態様では、非
描画マスクフィーチャーは単一のマスク内のパターンフ
ィーチャーと併用される。別の実施態様では、非描画マ
スクフィーチャーは第１のマスクに形成され、パターン
フィーチャーは、第１のマスクと別の第２のマスクに形
成される。
【００１２】本発明の方法では、軸外れ光源からの光
は、非描画マスクフィーチャーを包含するマスクに入射
される。軸外れ角（すなわち、軸外れ照明と光軸との間
の角度）は、マスクを透過したゼロ次光がシステムから
消失されるように選択される。本発明の方法では、シス
テムから消失する光は下流側のシステム光学系により捕
捉されない光である。この照明は暗視野である。なぜな
ら、この方法により照明されたマスク上の完全にクリア
なエリアは黒色だからである。非描画マスクフィーチャ
ーを包含するマスクから回折された輻射線だけが、下流
側のシステム光学系により捕捉される。
は、非描画マスクフィーチャーを包含するマスクに入射
される。軸外れ角（すなわち、軸外れ照明と光軸との間
の角度）は、マスクを透過したゼロ次光がシステムから
消失されるように選択される。本発明の方法では、シス
テムから消失する光は下流側のシステム光学系により捕
捉されない光である。この照明は暗視野である。なぜな
ら、この方法により照明されたマスク上の完全にクリア
なエリアは黒色だからである。非描画マスクフィーチャ
ーを包含するマスクから回折された輻射線だけが、下流
側のシステム光学系により捕捉される。
【００１３】本発明の方法は、特定のタイプのフィーチ
ャーではなく、全てのマスクパターンフィーチャーの照
明を改善するために、目的に合った非描画マスクフィー
チャーを生成するための柔軟性を与える。マスクパター
ンフィーチャー及び非描画マスクフィーチャーが単一の
マスク内に存在する本発明の実施態様では、非描画マス
クフィーチャーは一般的に、像に対して追加鮮明度を与
える格子である。これらは微細フィーチャーと呼ばれ、
一般的に、マスクのパターンフィーチャーの領域内に配
置される。マスクパターンフィーチャーは、微細フィー
チャーから回折される輻射線を変調するために形成され
る。この変調は、微細フィーチャーから回折されるビー
ムの周囲に微小角を形成する光線の二次回折を生成す
る。マスクパターンフィーチャーは微細フィーチャーよ
りも粗大である。従って、マスクパターンフィーチャー
から回折された光はパターン情報を帯有し、微細フィー
チャーから回折された光は、所望の方向（即ち、マスク
よりも下流側の光学系）に光を配向させるキャリアであ
る。サイドバンドパターン情報と微細フィーチャーキャ
リアとの間の相互作用は、エネルギー感受性レジスト物
質内に干渉パターンを導入する。
ャーではなく、全てのマスクパターンフィーチャーの照
明を改善するために、目的に合った非描画マスクフィー
チャーを生成するための柔軟性を与える。マスクパター
ンフィーチャー及び非描画マスクフィーチャーが単一の
マスク内に存在する本発明の実施態様では、非描画マス
クフィーチャーは一般的に、像に対して追加鮮明度を与
える格子である。これらは微細フィーチャーと呼ばれ、
一般的に、マスクのパターンフィーチャーの領域内に配
置される。マスクパターンフィーチャーは、微細フィー
チャーから回折される輻射線を変調するために形成され
る。この変調は、微細フィーチャーから回折されるビー
ムの周囲に微小角を形成する光線の二次回折を生成す
る。マスクパターンフィーチャーは微細フィーチャーよ
りも粗大である。従って、マスクパターンフィーチャー
から回折された光はパターン情報を帯有し、微細フィー
チャーから回折された光は、所望の方向（即ち、マスク
よりも下流側の光学系）に光を配向させるキャリアであ
る。サイドバンドパターン情報と微細フィーチャーキャ
リアとの間の相互作用は、エネルギー感受性レジスト物
質内に干渉パターンを導入する。
【００１４】２枚のマスクを使用する本発明の実施態様
では、第１のマスクは、非描画フィーチャーを包含する
不透明領域とクリア領域を有する。非描画フィーチャー
から回折された入射光は、レンズを通して、マスクパタ
ーンフィーチャーを有する第２のマスクに投射される。
コンデンサからのゼロ次輻射線はレンズを通して投射さ
れない。なぜなら、軸外れ照明の入射角は、ゼロ次光が
レンズから第２のマスクに絶対に透過されないように選
択されるからである。低解像度サイズフィーチャーを有
するマスクの使用により、第２のマスクの各フィーチャ
ーの照明のカスタマイズ化が可能になる。例えば、最適
角で、照明を第２のマスク上の或るフィーチャー（例え
ば、格子）を透過させる第１の低解像度フィーチャーが
配設されている。別のフィーチャーに対して光軸の周囲
に錐体角（しばしば、トップハットと呼ばれる）で透過
する第２の低解像度フィーチャーが配設されている。第
２のマスク上にフィーチャーをパターン付けするカスタ
マイズ化された照明をもたらすために、低解像度フィー
チャーが要求通りに作製される。
では、第１のマスクは、非描画フィーチャーを包含する
不透明領域とクリア領域を有する。非描画フィーチャー
から回折された入射光は、レンズを通して、マスクパタ
ーンフィーチャーを有する第２のマスクに投射される。
コンデンサからのゼロ次輻射線はレンズを通して投射さ
れない。なぜなら、軸外れ照明の入射角は、ゼロ次光が
レンズから第２のマスクに絶対に透過されないように選
択されるからである。低解像度サイズフィーチャーを有
するマスクの使用により、第２のマスクの各フィーチャ
ーの照明のカスタマイズ化が可能になる。例えば、最適
角で、照明を第２のマスク上の或るフィーチャー（例え
ば、格子）を透過させる第１の低解像度フィーチャーが
配設されている。別のフィーチャーに対して光軸の周囲
に錐体角（しばしば、トップハットと呼ばれる）で透過
する第２の低解像度フィーチャーが配設されている。第
２のマスク上にフィーチャーをパターン付けするカスタ
マイズ化された照明をもたらすために、低解像度フィー
チャーが要求通りに作製される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明は、光源からの輻射線が少
なくとも１枚のパターン付マスクと通して透過されるこ
とからなる、デバイス製造のためのリソグラフィ方法で
ある。透明及び不透明領域はマスク内のパターンを画成
する。輻射線はマスク内のパターン像を基板上に形成さ
れたエネルギー感受性物質層に転写する。像は、マスク
とエネルギー感受性物質との間に間挿された描画光学系
を介してエネルギー感受性物質内に転写される。本発明
は、像を生成するために暗視野解像度向上を使用する。
暗視野解像度向上は、光源からの輻射線をパターン付マ
スクに導入することにより得られる。マスクにより透過
された輻射線はゼロ次（回折されていない）又はｎ次
（ここで、ｎは正又は負の整数である）の何れかであ
る。マスクにより透過されたゼロ次輻射線はマスク下流
側の描画光学系により捕捉されない。従って、マスクに
より透過されたゼロ次輻射線は、像をエネルギー感受性
物質層へ透過するために使用されない。
なくとも１枚のパターン付マスクと通して透過されるこ
とからなる、デバイス製造のためのリソグラフィ方法で
ある。透明及び不透明領域はマスク内のパターンを画成
する。輻射線はマスク内のパターン像を基板上に形成さ
れたエネルギー感受性物質層に転写する。像は、マスク
とエネルギー感受性物質との間に間挿された描画光学系
を介してエネルギー感受性物質内に転写される。本発明
は、像を生成するために暗視野解像度向上を使用する。
暗視野解像度向上は、光源からの輻射線をパターン付マ
スクに導入することにより得られる。マスクにより透過
された輻射線はゼロ次（回折されていない）又はｎ次
（ここで、ｎは正又は負の整数である）の何れかであ
る。マスクにより透過されたゼロ次輻射線はマスク下流
側の描画光学系により捕捉されない。従って、マスクに
より透過されたゼロ次輻射線は、像をエネルギー感受性
物質層へ透過するために使用されない。
【００１６】本発明の或る実施態様を図３に模式的に示
す。描画装置１００はマスク１１０を有する。輻射線１
１１は、角度θcでマスク１１０へ入射する。角度θ
cは、マスク１１０により透過された光１１２がマスク
１１０の下流側の光学系１２０により捕捉されないよう
に選択される。しかし、マスクにより回折された光１１
３は下流側の描画光学系１２０により捕捉される。描画
光学系はこの像を合焦し、そして、これをエネルギー感
受性物質層へ転写する。幾つかの回折次（１１４）は故
意に捕捉されない。
す。描画装置１００はマスク１１０を有する。輻射線１
１１は、角度θcでマスク１１０へ入射する。角度θ
cは、マスク１１０により透過された光１１２がマスク
１１０の下流側の光学系１２０により捕捉されないよう
に選択される。しかし、マスクにより回折された光１１
３は下流側の描画光学系１２０により捕捉される。描画
光学系はこの像を合焦し、そして、これをエネルギー感
受性物質層へ転写する。幾つかの回折次（１１４）は故
意に捕捉されない。
【００１７】図３に示された実施態様では、マスク１１
０はパターン情報と、描画光学系により解像するには小
さすぎる微細フィーチャーとの両方を包含する。本発明
において、解像するには小さすぎるフィーチャー（すな
わち、低解像度フィーチャー）とは、エネルギー感受性
物質内に現像可能な像を導入するには小さすぎるフィー
チャーのことである。しかし、本発明の低解像度（すな
わち、非描画）フィーチャーは低解像度フィーチャーの
下流側の描画光学系（すなわち、カメラ）への光を回折
するように設計されている。次いで、低解像度フイーチ
ャーから回折され、カメラに入射する光を使用し、解像
可能なフィーチャーの像をエネルギー感受性物質に導入
する。
０はパターン情報と、描画光学系により解像するには小
さすぎる微細フィーチャーとの両方を包含する。本発明
において、解像するには小さすぎるフィーチャー（すな
わち、低解像度フィーチャー）とは、エネルギー感受性
物質内に現像可能な像を導入するには小さすぎるフィー
チャーのことである。しかし、本発明の低解像度（すな
わち、非描画）フィーチャーは低解像度フィーチャーの
下流側の描画光学系（すなわち、カメラ）への光を回折
するように設計されている。次いで、低解像度フイーチ
ャーから回折され、カメラに入射する光を使用し、解像
可能なフィーチャーの像をエネルギー感受性物質に導入
する。
【００１８】これらの非描画フィーチャーを以下「暗視
野フィーチャー」と呼ぶ。なぜなら、これらのフィーチ
ャーは軸外れコンデンサビームからカメラレンズへの光
を回折又は散乱するからである。エネルギー感受性物質
内へ現像可能な像を形成するフィーチャーは以下「リソ
グラフフィーチャー」と呼ぶ。
野フィーチャー」と呼ぶ。なぜなら、これらのフィーチ
ャーは軸外れコンデンサビームからカメラレンズへの光
を回折又は散乱するからである。エネルギー感受性物質
内へ現像可能な像を形成するフィーチャーは以下「リソ
グラフフィーチャー」と呼ぶ。
【００１９】解像するには小さすぎるフィーチャーは、
解像可能なフィーチャーに必要な強度未満の強度を有す
るぼけた像を形成する。例えば、解像するには小さすぎ
るフィーチャーは、ぼけた概ね円形の像を形成するフィ
ーチャーである。概ね円形の像は約０．２５λ／ＮＡ〜
約０．５λ／ＮＡ（ここで、λは露光輻射線の波長であ
り、ＮＡは下流側レンズの開口数である）の範囲内の直
径を有する。ぼけた像のサイズは照明のタイプにより決
定される。
解像可能なフィーチャーに必要な強度未満の強度を有す
るぼけた像を形成する。例えば、解像するには小さすぎ
るフィーチャーは、ぼけた概ね円形の像を形成するフィ
ーチャーである。概ね円形の像は約０．２５λ／ＮＡ〜
約０．５λ／ＮＡ（ここで、λは露光輻射線の波長であ
り、ＮＡは下流側レンズの開口数である）の範囲内の直
径を有する。ぼけた像のサイズは照明のタイプにより決
定される。
【００２０】パターン情報はリソグラフフィーチャーで
ある。光は、暗視野フィーチャー及びリソグラフフィー
チャーの両方により回折される。暗視野フィーチャーが
第１のマスクに存在し、リソグラフフィーチャーが第２
のマスクに存在する本発明の実施態様では、第２のマス
クにより透過された各種ビームは２つの数により特徴付
けられる。第１の数は、暗視野フィーチャーにより回折
されたビームの次数である。ゼロ次光はシステムにより
消失されるので、第１の数は＋１又は−１の何れかであ
るが、大抵の場合、−１である。第２の数は、暗視野ビ
ームにより照明されたときに、リソグラフフィーチャー
により透過されたビームの次数である。第２の数は、−
１，０又は＋１である。従って、（−１，＋１）と呼ば
れる輻射線のビームは、−１次の第１の暗視野はリソグ
ラフフィーチャーにより更に回折され、そして、＋１次
だけが、この更なる回折の結果として残ることを意味す
る。リソグラフフィーチャーにより更に回折される輻射
線のビームは、サテライトビームと呼ばれる。（−１，
０）と呼ばれる輻射線のビームは、リソグラフフィーチ
ャーにより更に回折されない。
ある。光は、暗視野フィーチャー及びリソグラフフィー
チャーの両方により回折される。暗視野フィーチャーが
第１のマスクに存在し、リソグラフフィーチャーが第２
のマスクに存在する本発明の実施態様では、第２のマス
クにより透過された各種ビームは２つの数により特徴付
けられる。第１の数は、暗視野フィーチャーにより回折
されたビームの次数である。ゼロ次光はシステムにより
消失されるので、第１の数は＋１又は−１の何れかであ
るが、大抵の場合、−１である。第２の数は、暗視野ビ
ームにより照明されたときに、リソグラフフィーチャー
により透過されたビームの次数である。第２の数は、−
１，０又は＋１である。従って、（−１，＋１）と呼ば
れる輻射線のビームは、−１次の第１の暗視野はリソグ
ラフフィーチャーにより更に回折され、そして、＋１次
だけが、この更なる回折の結果として残ることを意味す
る。リソグラフフィーチャーにより更に回折される輻射
線のビームは、サテライトビームと呼ばれる。（−１，
０）と呼ばれる輻射線のビームは、リソグラフフィーチ
ャーにより更に回折されない。
【００２１】暗視野フィーチャーはリソグラフフィーチ
ャーの解像度を高めるために使用される。暗視野フィー
チャーは、特定の角度でエネルギーをレンズに入射させ
ることにより、リソグラフフィーチャーの解像度を高め
る。暗視野フィーチャーの一例は、λ／ｓｉｎθ（ここ
で、λは露光輻射線の波長であり、ｓｉｎθは露光装置
の光軸に対するコンデンサレンズからの輻射線の角度で
ある）に概ね等しい周期を有する格子である。
ャーの解像度を高めるために使用される。暗視野フィー
チャーは、特定の角度でエネルギーをレンズに入射させ
ることにより、リソグラフフィーチャーの解像度を高め
る。暗視野フィーチャーの一例は、λ／ｓｉｎθ（ここ
で、λは露光輻射線の波長であり、ｓｉｎθは露光装置
の光軸に対するコンデンサレンズからの輻射線の角度で
ある）に概ね等しい周期を有する格子である。
【００２２】暗視野フィーチャーは、マスク上の輻射入
射線を所望の方向に回折するマスク配向を有する。例え
ば、入射輻射線がｘ及びｙ軸に沿った４極である場合、
暗視野格子はｘ又はｙ軸の何れか一方に対して概ね平行
であり、そして、２つの軸のうちの他方に対して概ね垂
直である。４極ビームがｘ及びｙ軸に対して４５度の角
度で入射する場合、暗視野格子は、ｘ又はｙ軸の何れか
一方に対して４５度の角度である。従って、下流側の描
画光学系に向かって回折される大抵のエネルギーは、４
つの４極ビームのうちの２つのビームからもたらされ
る。格子は、マスクから下流側の描画光学系のレンズ瞳
孔に向かってエネルギーを回折する。格子間隔及び格子
配向は回折角度をコントロールする。
射線を所望の方向に回折するマスク配向を有する。例え
ば、入射輻射線がｘ及びｙ軸に沿った４極である場合、
暗視野格子はｘ又はｙ軸の何れか一方に対して概ね平行
であり、そして、２つの軸のうちの他方に対して概ね垂
直である。４極ビームがｘ及びｙ軸に対して４５度の角
度で入射する場合、暗視野格子は、ｘ又はｙ軸の何れか
一方に対して４５度の角度である。従って、下流側の描
画光学系に向かって回折される大抵のエネルギーは、４
つの４極ビームのうちの２つのビームからもたらされ
る。格子は、マスクから下流側の描画光学系のレンズ瞳
孔に向かってエネルギーを回折する。格子間隔及び格子
配向は回折角度をコントロールする。
【００２３】暗視野フィーチャーは、同様に、リソグラ
フフィーチャーに対しても、マスク配向を有する。例え
ば、暗視野フィーチャーが格子であり、リソグラフフィ
ーチャーがラインである場合、暗視野格子ラインの配向
はリソグラフフィーチャーラインに対して、平行又は垂
直の何れかである。
フフィーチャーに対しても、マスク配向を有する。例え
ば、暗視野フィーチャーが格子であり、リソグラフフィ
ーチャーがラインである場合、暗視野格子ラインの配向
はリソグラフフィーチャーラインに対して、平行又は垂
直の何れかである。
【００２４】本発明の２番目の実施態様を図４に示す。
描画装置２００は第１のマスク２１０を有する。輻射線
２１１は、角度θcでマスク２１０に入射する。角度θc
はマスク２１０により透過される光（すなわち、ゼロ次
光）２１２が、マスク２１０から下流側の光学系２２０
により捕捉されないように選択される。しかし、マスク
２１０により回折される光（すなわち、ｎ次光、ここ
で、ｎはゼロよりも大きな正又は負の整数である）２１
３は、下流側の描画光学系２２０により捕捉される。描
画光学系２２０は、マスク２１０から回折された光を第
２のマスク２３０に合焦する。マスク２３０からの像は
光学系２４０により透過され、そして、像は基板２６０
上に形成されたエネルギー感受性物質層２５０に転写さ
れる。
描画装置２００は第１のマスク２１０を有する。輻射線
２１１は、角度θcでマスク２１０に入射する。角度θc
はマスク２１０により透過される光（すなわち、ゼロ次
光）２１２が、マスク２１０から下流側の光学系２２０
により捕捉されないように選択される。しかし、マスク
２１０により回折される光（すなわち、ｎ次光、ここ
で、ｎはゼロよりも大きな正又は負の整数である）２１
３は、下流側の描画光学系２２０により捕捉される。描
画光学系２２０は、マスク２１０から回折された光を第
２のマスク２３０に合焦する。マスク２３０からの像は
光学系２４０により透過され、そして、像は基板２６０
上に形成されたエネルギー感受性物質層２５０に転写さ
れる。
【００２５】本発明の方法は像をエネルギー感受性物質
内に導入するために回折輻射線を使用するので、暗視野
フィーチャーが格子（非描画格子を暗視野格子と呼ぶ）
である場合に好都合である。格子により、格子が生成す
る回折パターンを高度に制御することが可能である。格
子は、一般的に一連の線と空間として表現される周期的
構造物である。本発明における暗視野格子は一連の透明
領域と不透明領域とが交互に存在する格子である。
内に導入するために回折輻射線を使用するので、暗視野
フィーチャーが格子（非描画格子を暗視野格子と呼ぶ）
である場合に好都合である。格子により、格子が生成す
る回折パターンを高度に制御することが可能である。格
子は、一般的に一連の線と空間として表現される周期的
構造物である。本発明における暗視野格子は一連の透明
領域と不透明領域とが交互に存在する格子である。
【００２６】格子間隔（格子構造中の隣接する２つのラ
イン間又は２つの空間間の中心線間距離）は、回折光の
角度をコントロールする。従って、格子間隔を選択する
ことにより、格子から回折される光の、格子から下流側
の構成部品（すなわち、光学部品、マスク又はエネルギ
ー感受性物質層）への入射角をコントロールする。一般
的に、格子内のラインはマスク平面への入射輻射線の方
向に対して垂直である。格子ラインが傾斜している場
合、回折輻射線の角度は変化される。従って、暗視野格
子間隔及びコンデンサ輻射線に対する格子ラインの傾斜
角を精密に制御することにより、格子を使用して２つの
直交方向（例えば、ｘ及びｙ軸）における輻射線を回折
することができる。
イン間又は２つの空間間の中心線間距離）は、回折光の
角度をコントロールする。従って、格子間隔を選択する
ことにより、格子から回折される光の、格子から下流側
の構成部品（すなわち、光学部品、マスク又はエネルギ
ー感受性物質層）への入射角をコントロールする。一般
的に、格子内のラインはマスク平面への入射輻射線の方
向に対して垂直である。格子ラインが傾斜している場
合、回折輻射線の角度は変化される。従って、暗視野格
子間隔及びコンデンサ輻射線に対する格子ラインの傾斜
角を精密に制御することにより、格子を使用して２つの
直交方向（例えば、ｘ及びｙ軸）における輻射線を回折
することができる。
【００２７】格子のデューティサイクルは格子間隔に対
する格子ライン幅の比である。格子のデューティサイク
ルが０．５（５０％）のときに、格子は最大効率で回折
する。従って、格子のデューティサイクルは回折輻射線
の強度をコントロールする。
する格子ライン幅の比である。格子のデューティサイク
ルが０．５（５０％）のときに、格子は最大効率で回折
する。従って、格子のデューティサイクルは回折輻射線
の強度をコントロールする。
【００２８】本発明では、像全体を改善するために個々
のフィーチャーの明るさをコントロールし、像全体を改
善するために格子を使用する。例えば、リソグラフフィ
ーチャーラインの像は、リソグラフフィーチャーホール
の像よりも明るい。本発明では、５０％未満のデューテ
ィサイクルを有する暗視野格子により、ライン自体の寸
法を縮小することなく、フィーチャーホールの明るさに
対して、フィーチャーラインの明るさを低下することが
できる。
のフィーチャーの明るさをコントロールし、像全体を改
善するために格子を使用する。例えば、リソグラフフィ
ーチャーラインの像は、リソグラフフィーチャーホール
の像よりも明るい。本発明では、５０％未満のデューテ
ィサイクルを有する暗視野格子により、ライン自体の寸
法を縮小することなく、フィーチャーホールの明るさに
対して、フィーチャーラインの明るさを低下することが
できる。
【００２９】格子の位相を使用することにより、格子に
より回折される輻射線の位相を制御することができる。
特に、マスク上に２個以上の格子が存在する場合、一方
の格子の最後のラインと、他方の格子の最初のラインと
の間の間隔が、格子間隔の正の自然数の整数倍であれ
ば、格子は位相内に存在する。一方の格子の最後のライ
ンと、他方の格子の最初のラインとの間の間隔が、格子
間隔の整数の１／２倍（例えば、１．５，２．５など）
であれば、格子は位相外の１８０度である。暗視野格子
が位相外の１８０度である場合、この格子は通常のリソ
グラフィにおける０−π位相マスクと非常に近似した挙
動を示す。従って、これは格子の位置であり、マスクの
位相シフト挙動を起こす格子形成材料ではない。
より回折される輻射線の位相を制御することができる。
特に、マスク上に２個以上の格子が存在する場合、一方
の格子の最後のラインと、他方の格子の最初のラインと
の間の間隔が、格子間隔の正の自然数の整数倍であれ
ば、格子は位相内に存在する。一方の格子の最後のライ
ンと、他方の格子の最初のラインとの間の間隔が、格子
間隔の整数の１／２倍（例えば、１．５，２．５など）
であれば、格子は位相外の１８０度である。暗視野格子
が位相外の１８０度である場合、この格子は通常のリソ
グラフィにおける０−π位相マスクと非常に近似した挙
動を示す。従って、これは格子の位置であり、マスクの
位相シフト挙動を起こす格子形成材料ではない。
【００３０】従って、暗視野格子は、格子により回折さ
れた輻射線の方向及び強度を制御するための大幅な柔軟
性を与える。特に、回折輻射線のｘ及びｙ方向は、格子
間隔及び格子ラインの傾斜角により制御される。回折輻
射線の強度は、格子のデューティサイクルにより制御さ
れる。回折輻射線の位相はマスク上の格子の位相により
制御される。従って、暗視野格子は、格子に入射する光
を回折するためばかりでなく、特定のリソグラフ用途に
合致するように回折光を仕立て上げるようにも設計され
る。
れた輻射線の方向及び強度を制御するための大幅な柔軟
性を与える。特に、回折輻射線のｘ及びｙ方向は、格子
間隔及び格子ラインの傾斜角により制御される。回折輻
射線の強度は、格子のデューティサイクルにより制御さ
れる。回折輻射線の位相はマスク上の格子の位相により
制御される。従って、暗視野格子は、格子に入射する光
を回折するためばかりでなく、特定のリソグラフ用途に
合致するように回折光を仕立て上げるようにも設計され
る。
【００３１】本発明は、暗視野格子が位相シフト材料を
用いて形成される場合にも適用される。位相シフト材料
は格子の効率を改善するが、それ以外の点で格子性能に
影響を与えることはない。例えば、０度又は１８０度位
相シフト材料を使用して暗視野格子を形成する場合、格
子効率は向上される。しかし、それ以外の点では、格子
は、透明及び不透明材料により形成された格子と同じ挙
動を示す。特に、透明／不透明格子の最大効率は約１０
％である。０−１８０度位相シフト格子の効率は約４０
％である。位相シフトマスクに付随する問題（ゼロ次輻
射線が消光されなければならないという要件）は本発明
では避けられる。なぜなら、ゼロ次光はシステムから消
失されるからである。従って、本発明における位相シフ
トマスクのデザイン及び形状は非常に単純である。なぜ
なら、ゼロ次光を消光するために必要なデザイン及び形
状に関する制約が存在しないからである。
用いて形成される場合にも適用される。位相シフト材料
は格子の効率を改善するが、それ以外の点で格子性能に
影響を与えることはない。例えば、０度又は１８０度位
相シフト材料を使用して暗視野格子を形成する場合、格
子効率は向上される。しかし、それ以外の点では、格子
は、透明及び不透明材料により形成された格子と同じ挙
動を示す。特に、透明／不透明格子の最大効率は約１０
％である。０−１８０度位相シフト格子の効率は約４０
％である。位相シフトマスクに付随する問題（ゼロ次輻
射線が消光されなければならないという要件）は本発明
では避けられる。なぜなら、ゼロ次光はシステムから消
失されるからである。従って、本発明における位相シフ
トマスクのデザイン及び形状は非常に単純である。なぜ
なら、ゼロ次光を消光するために必要なデザイン及び形
状に関する制約が存在しないからである。
【００３２】レンズへ向かって回折される光の位相は暗
視野格子ラインの位置に応じて変化する。更に、マスク
書き込み処理中に、ラインの周期及び配向に関する制約
が仮想的に存在しない。従って、ラインの周期及び配向
は、単に０又はπだけでなく、広い位相範囲内の位相を
与えるように選択することができる。フィーチャーに位
相を調整するこの能力により、非描画フィーチャーを有
するマスクを用いて描画されたフィーチャーを優美に終
端させることができる。優美なフィーチャー終端は、常
用の位相マスクが使用されるときの問題点である。
視野格子ラインの位置に応じて変化する。更に、マスク
書き込み処理中に、ラインの周期及び配向に関する制約
が仮想的に存在しない。従って、ラインの周期及び配向
は、単に０又はπだけでなく、広い位相範囲内の位相を
与えるように選択することができる。フィーチャーに位
相を調整するこの能力により、非描画フィーチャーを有
するマスクを用いて描画されたフィーチャーを優美に終
端させることができる。優美なフィーチャー終端は、常
用の位相マスクが使用されるときの問題点である。
【００３３】暗視野フィーチャーは例えば、本発明の１
枚マスク実施態様又は２枚マスク実施態様の何れかで使
用される下記の事例で詳細に説明する。リソグラフフィ
ーチャーは、１枚マスク実施態様における、単一マスク
の暗視野フィーチャーと物理的に併用される。２枚マス
ク実施態様では、暗視野フィーチャーは第１のマスクに
存在し、リソグラフフィーチャーは第２のマスクに存在
する。従って、１枚マスク実施態様では、ターゲットに
投射された像内のリソグラフフィーチャーは、単一マス
クにおいて明確に同一になる。２枚マスク実施態様で
は、リソグラフフィーチャーは第２のマスク内で明確に
同一になる。２枚マスク実施態様における第１のマスク
は暗視野フィーチャーを有する。この暗視野フィーチャ
ーは、これらの全般的領域及びマスク上の配置位置にお
いてのみこれらの付随リソグラフフィーチャーと対応す
るが、これらの付随リソグラフフィーチャーの細部で対
応する必要はない。
枚マスク実施態様又は２枚マスク実施態様の何れかで使
用される下記の事例で詳細に説明する。リソグラフフィ
ーチャーは、１枚マスク実施態様における、単一マスク
の暗視野フィーチャーと物理的に併用される。２枚マス
ク実施態様では、暗視野フィーチャーは第１のマスクに
存在し、リソグラフフィーチャーは第２のマスクに存在
する。従って、１枚マスク実施態様では、ターゲットに
投射された像内のリソグラフフィーチャーは、単一マス
クにおいて明確に同一になる。２枚マスク実施態様で
は、リソグラフフィーチャーは第２のマスク内で明確に
同一になる。２枚マスク実施態様における第１のマスク
は暗視野フィーチャーを有する。この暗視野フィーチャ
ーは、これらの全般的領域及びマスク上の配置位置にお
いてのみこれらの付随リソグラフフィーチャーと対応す
るが、これらの付随リソグラフフィーチャーの細部で対
応する必要はない。
【００３４】特定のタイプのフィーチャーに暗視野照明
を当てるように設計された格子の具体例を下記に説明す
る。言うまでもなく、下記の格子の具体例以外の多くの
異なる格子も同じ目的を達することができる。従って、
下記の具体例は、特定のタイプのフィーチャーの暗視野
描画に好適な格子設計だけとして解釈されるべきではな
い。また、下記の具体例において、暗視野フィーチャー
は明るい（透明な）背景上の暗部（不透明）として図示
され、リソグラフフィーチャーは暗い（不透明な）背景
上の明部（透明）として図示されている。像は暗い像平
面上に明部として図示されている。各図において、暗部
又は不透明部は斜線のハッチングにより示されている。
を当てるように設計された格子の具体例を下記に説明す
る。言うまでもなく、下記の格子の具体例以外の多くの
異なる格子も同じ目的を達することができる。従って、
下記の具体例は、特定のタイプのフィーチャーの暗視野
描画に好適な格子設計だけとして解釈されるべきではな
い。また、下記の具体例において、暗視野フィーチャー
は明るい（透明な）背景上の暗部（不透明）として図示
され、リソグラフフィーチャーは暗い（不透明な）背景
上の明部（透明）として図示されている。像は暗い像平
面上に明部として図示されている。各図において、暗部
又は不透明部は斜線のハッチングにより示されている。
【００３５】第１の具体例では、印刷されたフィーチャ
ーは幅が０．４μｍの矩形の接点パッドである。カメラ
が４倍縮小倍率を有する場合、マスク上のフィーチャー
の幅は１．６μｍである。露光輻射線の波長は１９３ｎ
ｍである。（図３に示された単一マスクシステム１００
を使用する）このようなフィーチャーの暗視野描画に好
適なマスクを図５に示す。マスク３００は透明基板３１
５上に形成された、４本の格子ライン３１０を有する。
格子間隔３２０は０．５５μｍである。回折輻射線の角
度は、角度θc（入射輻射線及び描画システムの光軸と
の間に形成される角度）と格子間隔とにより決定され
る。格子内の各個別ラインのライン幅を正確にコントロ
ールするよりも、格子間隔をコントロールするほうが簡
単である。格子間隔に基づけば、マスクに入射される軸
外れ照明のθcが２０度である場合、格子により回折さ
れる輻射線はマスク３００から下流側の描画光学系（例
えば、図３のレンズ１２０）の光軸の約１度以内に入
る。
ーは幅が０．４μｍの矩形の接点パッドである。カメラ
が４倍縮小倍率を有する場合、マスク上のフィーチャー
の幅は１．６μｍである。露光輻射線の波長は１９３ｎ
ｍである。（図３に示された単一マスクシステム１００
を使用する）このようなフィーチャーの暗視野描画に好
適なマスクを図５に示す。マスク３００は透明基板３１
５上に形成された、４本の格子ライン３１０を有する。
格子間隔３２０は０．５５μｍである。回折輻射線の角
度は、角度θc（入射輻射線及び描画システムの光軸と
の間に形成される角度）と格子間隔とにより決定され
る。格子内の各個別ラインのライン幅を正確にコントロ
ールするよりも、格子間隔をコントロールするほうが簡
単である。格子間隔に基づけば、マスクに入射される軸
外れ照明のθcが２０度である場合、格子により回折さ
れる輻射線はマスク３００から下流側の描画光学系（例
えば、図３のレンズ１２０）の光軸の約１度以内に入
る。
【００３６】格子間隔を変更すると、輻射線がエネルギ
ー感受性物質に入射する角度が変化する。輻射線は軸外
れ照明（例えば、４極照明、環状照明）においてゼロ以
外の角度でエネルギー感受性レジスト物質に入射する。
従って、格子間隔は、所望の暗視野描画を与えるのと同
様に、照明の所望の角度を与えるように選択される。
ー感受性物質に入射する角度が変化する。輻射線は軸外
れ照明（例えば、４極照明、環状照明）においてゼロ以
外の角度でエネルギー感受性レジスト物質に入射する。
従って、格子間隔は、所望の暗視野描画を与えるのと同
様に、照明の所望の角度を与えるように選択される。
【００３７】図５に示された格子の個々のライン３１０
の幅は約０．２５μｍである。このような格子から回折
された輻射線の角度拡散は約±３度未満である。このよ
うな拡散角を有する回折輻射線は、約０．３のフィリン
グ係数（σ）を有するトップハット照明に対応する。図
５に示されたマスク格子から得られる像４００を図６に
示す。格子により回折されない光はゼロ次光であり、描
画装置から消失される。従って、図６における像４００
は、像平面を示す暗部背景４１０により包囲されたパッ
ド４０５の像である。
の幅は約０．２５μｍである。このような格子から回折
された輻射線の角度拡散は約±３度未満である。このよ
うな拡散角を有する回折輻射線は、約０．３のフィリン
グ係数（σ）を有するトップハット照明に対応する。図
５に示されたマスク格子から得られる像４００を図６に
示す。格子により回折されない光はゼロ次光であり、描
画装置から消失される。従って、図６における像４００
は、像平面を示す暗部背景４１０により包囲されたパッ
ド４０５の像である。
【００３８】本発明で使用される暗視野フィーチャーは
格子に限定されない。例えば、矩形又はスポットの２次
元アレーは好適な暗視野パターンである。矩形アレーを
図７に示す。このようなアレーは、ｘ及びｙ方向に対し
て４５度の角度で光を回折するのと同様に、ｘ及びｙの
両方向にも光を回折する。このようなパターンは、適当
に配向された格子よりも非常に多数の方向に光を回折す
る。従って、適当に配向された格子から捕捉された光に
比べて、このようなパターンからの回折光の極く一部分
が捕捉される。しかし、このようなパターンが４極照明
により照明される場合、４方向全てからの入射光がこの
ようなパターンにより回折される。前記のように、格子
パターンが４極照明により照明される場合、４方向のう
ちの２方向だけからの光が回折される。従って、このよ
うなパターンにより回折された光の下流側出力は、格子
により回折された光の下流側出力と概ね同一である。
格子に限定されない。例えば、矩形又はスポットの２次
元アレーは好適な暗視野パターンである。矩形アレーを
図７に示す。このようなアレーは、ｘ及びｙ方向に対し
て４５度の角度で光を回折するのと同様に、ｘ及びｙの
両方向にも光を回折する。このようなパターンは、適当
に配向された格子よりも非常に多数の方向に光を回折す
る。従って、適当に配向された格子から捕捉された光に
比べて、このようなパターンからの回折光の極く一部分
が捕捉される。しかし、このようなパターンが４極照明
により照明される場合、４方向全てからの入射光がこの
ようなパターンにより回折される。前記のように、格子
パターンが４極照明により照明される場合、４方向のう
ちの２方向だけからの光が回折される。従って、このよ
うなパターンにより回折された光の下流側出力は、格子
により回折された光の下流側出力と概ね同一である。
【００３９】幾つかのパターンは、暗視野格子によるよ
りも、暗視野アレーによるほうが一層正確に描画され
る。例えば、狭いラインは、暗視野格子を用いて一層効
率的に描画される。図７に示されたＬ字形のパターンの
場合、暗視野フィーチャーのアレーが好都合である。パ
ターン４５０は実際に２つの格子４５１と４５２との交
差である。格子４５１は垂直方向であり、格子４５２は
水平方向である。これらの格子の間隔は２つの正方形４
５３の中心間距離である。パターン４５０から得られる
像４５５を図７に示す。
りも、暗視野アレーによるほうが一層正確に描画され
る。例えば、狭いラインは、暗視野格子を用いて一層効
率的に描画される。図７に示されたＬ字形のパターンの
場合、暗視野フィーチャーのアレーが好都合である。パ
ターン４５０は実際に２つの格子４５１と４５２との交
差である。格子４５１は垂直方向であり、格子４５２は
水平方向である。これらの格子の間隔は２つの正方形４
５３の中心間距離である。パターン４５０から得られる
像４５５を図７に示す。
【００４０】前記のように、本発明の暗視野描画システ
ムは１枚又は２枚の何れかのマスクを使用することがで
きる。前記の接点パッドを描画するために２枚のマスク
が使用される場合、暗視野描画マスクはウエハにより正
確に印刷された接点パッドを画成するために不要であ
る。接点パッドの暗視野像を生成するために使用される
２枚の例示的マスクを図８に示す。第１のマスク５００
は、暗視野輻射線だけを第２のマスク５２０へ確実に入
射させる。第１のマスク５００は、透明基板５２０上に
印刷されたライン５１５からなる格子５１０を有する。
格子５１０は、マスク５２１上の接点パッド５２５より
も大きな面積を満たす。接点パッドパターン５２５は、
これを取り囲む薄い明瞭なライン５３０を有する。薄い
明瞭なラインは、パターンのエッジをシャープにするた
めに使用される。マスク５００及び５２１を用いて生成
された接点パターン５４０は、マスク５２１上の接点パ
ッドパターン５２５に対応する。
ムは１枚又は２枚の何れかのマスクを使用することがで
きる。前記の接点パッドを描画するために２枚のマスク
が使用される場合、暗視野描画マスクはウエハにより正
確に印刷された接点パッドを画成するために不要であ
る。接点パッドの暗視野像を生成するために使用される
２枚の例示的マスクを図８に示す。第１のマスク５００
は、暗視野輻射線だけを第２のマスク５２０へ確実に入
射させる。第１のマスク５００は、透明基板５２０上に
印刷されたライン５１５からなる格子５１０を有する。
格子５１０は、マスク５２１上の接点パッド５２５より
も大きな面積を満たす。接点パッドパターン５２５は、
これを取り囲む薄い明瞭なライン５３０を有する。薄い
明瞭なラインは、パターンのエッジをシャープにするた
めに使用される。マスク５００及び５２１を用いて生成
された接点パターン５４０は、マスク５２１上の接点パ
ッドパターン５２５に対応する。
【００４１】独立したラインの暗視野像を形成するため
に使用される単一マスクを図９に示す。マスク６００は
透明な基板上に形成された２本のライン６１１と６１２
からなる格子である。独立したラインを印刷するため
に、パターン付けされた輻射線が描画装置の光軸の周囲
に集中された円錐形であると好都合である。軸外れ輻射
線は所望の角度分布を与えないような角度でマスクに入
射されるので、マスクは、高次光だけを下流側描画光学
系に回折するためと、所望の角度分布を与えるための両
方のために必要である。これらの２つの機能は図９に示
された格子形状により遂行される。特に、暗視野マスク
６００は、ライン６１１及び６１２からなる暗視野格子
６１５を有する。ラインの本数は像平面６１７内のリソ
グラフライン６１９の幅に応じて変化する。リソグラフ
ライン６１９の幅が広くなればなるほど、暗視野格子に
おけるラインの本数も増大する。
に使用される単一マスクを図９に示す。マスク６００は
透明な基板上に形成された２本のライン６１１と６１２
からなる格子である。独立したラインを印刷するため
に、パターン付けされた輻射線が描画装置の光軸の周囲
に集中された円錐形であると好都合である。軸外れ輻射
線は所望の角度分布を与えないような角度でマスクに入
射されるので、マスクは、高次光だけを下流側描画光学
系に回折するためと、所望の角度分布を与えるための両
方のために必要である。これらの２つの機能は図９に示
された格子形状により遂行される。特に、暗視野マスク
６００は、ライン６１１及び６１２からなる暗視野格子
６１５を有する。ラインの本数は像平面６１７内のリソ
グラフライン６１９の幅に応じて変化する。リソグラフ
ライン６１９の幅が広くなればなるほど、暗視野格子に
おけるラインの本数も増大する。
【００４２】輻射線が像平面に対して垂直な角度（すな
わち、入射角は垂直から０度である）で、像平面内のエ
ネルギー感受性物質に入射することが好ましい。所望の
入射角をもたらすために、ｐｄｆ（暗視野格子の間隔）
はλ／ｓｉｎθc（ここで、θcは、コンデンサからの輻
射線が暗視野格子に入射する角度である）に等しい。リ
ソグラフライン幅は暗視野間隔の整数倍である必要が無
いので、所望の結果を与えるｐｄｆを選択しなければな
らない。
わち、入射角は垂直から０度である）で、像平面内のエ
ネルギー感受性物質に入射することが好ましい。所望の
入射角をもたらすために、ｐｄｆ（暗視野格子の間隔）
はλ／ｓｉｎθc（ここで、θcは、コンデンサからの輻
射線が暗視野格子に入射する角度である）に等しい。リ
ソグラフライン幅は暗視野間隔の整数倍である必要が無
いので、所望の結果を与えるｐｄｆを選択しなければな
らない。
【００４３】所望の像を得るために、コントロールする
ことができる暗視野格子の多数の側面が存在する。例え
ば、格子の間隔がリソグラフライン幅の整数倍でない場
合、リソグラフフィーチャーの所望の焦点深度を得るた
めに、ｐｄｆを選択することができる。像の焦点深度は
リソグラフライン幅に悪影響を及ぼす。また、低強度像
を生成するために、格子のデューティーサイクルを選択
することができる。像の強度が低下すればするほど、ポ
ジレジスト内のリソグラフラインの幅が小さくなる。リ
ソグラフライン幅を制御する別の方法は、格子の最外側
ラインの幅を低下させることである。更に別の方法は、
ｐｄｆの１．５整数倍（例えば、３／２倍）である隣接
ラインから少し離して格子内の外側ラインを配置するこ
とである。このように配置されたラインから回折された
輻射線は、格子内の他のラインから回折された輻射線と
共に位相外に存在する。このような格子は漏洩位相格子
として機能し、そして、リソグラフラインのエッジを一
層急峻にする。
ことができる暗視野格子の多数の側面が存在する。例え
ば、格子の間隔がリソグラフライン幅の整数倍でない場
合、リソグラフフィーチャーの所望の焦点深度を得るた
めに、ｐｄｆを選択することができる。像の焦点深度は
リソグラフライン幅に悪影響を及ぼす。また、低強度像
を生成するために、格子のデューティーサイクルを選択
することができる。像の強度が低下すればするほど、ポ
ジレジスト内のリソグラフラインの幅が小さくなる。リ
ソグラフライン幅を制御する別の方法は、格子の最外側
ラインの幅を低下させることである。更に別の方法は、
ｐｄｆの１．５整数倍（例えば、３／２倍）である隣接
ラインから少し離して格子内の外側ラインを配置するこ
とである。このように配置されたラインから回折された
輻射線は、格子内の他のラインから回折された輻射線と
共に位相外に存在する。このような格子は漏洩位相格子
として機能し、そして、リソグラフラインのエッジを一
層急峻にする。
【００４４】図１０は別の暗視野格子マスク６２０を示
す。この暗視野格子マスクは像平面６３０内に独立した
ライン６３１の像を与える。マスク６２０において、格
子ライン６２３の長さ６２１はリソグラフライン６３１
のライン幅に等しい。従って、マスク６２０において、
格子は、独立したリソグラフライン６３１の長さ方向と
直交する配向を有する。暗視野格子の間隔６２２はλ／
ｓｉｎθcに等しい。ここで、λはマスク６２０に入射
する輻射線の波長であり、θcは露光装置（図示されて
いない）の光軸に対する、輻射線源（図示されていな
い）からのビームの角度である。リソグラフライン６３
１は格子間隔６２２よりも何倍も長いので、ライン幅
（図９）の境界内に格子ラインを配置することに付随す
る問題は避けられる。
す。この暗視野格子マスクは像平面６３０内に独立した
ライン６３１の像を与える。マスク６２０において、格
子ライン６２３の長さ６２１はリソグラフライン６３１
のライン幅に等しい。従って、マスク６２０において、
格子は、独立したリソグラフライン６３１の長さ方向と
直交する配向を有する。暗視野格子の間隔６２２はλ／
ｓｉｎθcに等しい。ここで、λはマスク６２０に入射
する輻射線の波長であり、θcは露光装置（図示されて
いない）の光軸に対する、輻射線源（図示されていな
い）からのビームの角度である。リソグラフライン６３
１は格子間隔６２２よりも何倍も長いので、ライン幅
（図９）の境界内に格子ラインを配置することに付随す
る問題は避けられる。
【００４５】本発明の２枚マスク実施態様では、格子は
フィーチャーよりも大きな面積を占めることができる
（例えば、格子ラインの長さはリソグラフライン幅より
も長くすることができる）。このような暗視野格子が第
２のマスク上の対応するリソグラフフィーチャー上に描
画される場合、照明輻射線のビームはリソグラフライン
自体よりも広い。第２のマスクの対応フィーチャーが第
１のマスク上の暗視野フィーチャーから回折される輻射
線により照明される面積内に包含される限り、２つのマ
スクを正確に位置合わせすることが不要なので、照明輻
射線のビームがリソグラフライン自体よりも広いことは
好都合である。本発明の２枚マスク実施態様では、図１
１に示されたマスクと同様なマスクから回折された輻射
線を使用して第２のマスクを照明する。次いで、第２の
マスクからの輻射線をエネルギー感受性物質上に合焦さ
せる。
フィーチャーよりも大きな面積を占めることができる
（例えば、格子ラインの長さはリソグラフライン幅より
も長くすることができる）。このような暗視野格子が第
２のマスク上の対応するリソグラフフィーチャー上に描
画される場合、照明輻射線のビームはリソグラフライン
自体よりも広い。第２のマスクの対応フィーチャーが第
１のマスク上の暗視野フィーチャーから回折される輻射
線により照明される面積内に包含される限り、２つのマ
スクを正確に位置合わせすることが不要なので、照明輻
射線のビームがリソグラフライン自体よりも広いことは
好都合である。本発明の２枚マスク実施態様では、図１
１に示されたマスクと同様なマスクから回折された輻射
線を使用して第２のマスクを照明する。次いで、第２の
マスクからの輻射線をエネルギー感受性物質上に合焦さ
せる。
【００４６】所望のパターンが格子である場合、一連の
格子を使用し、格子内の各ラインの像を形成することが
できる。本発明の単一マスク実施態様では、マスク７０
０（図１１）を使用し、５本の平行線７３５からなる像
７３０を形成することができる。マスク７００は５本対
の線（すなわち、格子）７１５を有する。各線対７１５
は像平面７３０内に１本の線７３５の像を形成する。各
格子７１５の間隔７１６は描画するには小さすぎる。従
って、マスクパターンには２つの基本的な間隔が存在す
る。第１の間隔７３５は像平面７３０内のリソグラフパ
ターン７３５の間隔である。第２の間隔は、暗視野格子
パターン７１５の間隔７１６である。間隔７３１は７１
６の整数倍であることが好ましい。
格子を使用し、格子内の各ラインの像を形成することが
できる。本発明の単一マスク実施態様では、マスク７０
０（図１１）を使用し、５本の平行線７３５からなる像
７３０を形成することができる。マスク７００は５本対
の線（すなわち、格子）７１５を有する。各線対７１５
は像平面７３０内に１本の線７３５の像を形成する。各
格子７１５の間隔７１６は描画するには小さすぎる。従
って、マスクパターンには２つの基本的な間隔が存在す
る。第１の間隔７３５は像平面７３０内のリソグラフパ
ターン７３５の間隔である。第２の間隔は、暗視野格子
パターン７１５の間隔７１６である。間隔７３１は７１
６の整数倍であることが好ましい。
【００４７】パターン７００への輻射線の入射角は、下
流側レンズが暗視野格子７１５により回折された光を捕
集するように選択される。回折光は幾つかの次数の光を
含有する。このうち、（−１，０）次の光はレンズに進
入する。リソグラフ間隔７３１を有する格子により回折
された光から生じるサテライト次数の輻射線は概ね（−
１，０）次である。これらのサテライト次数のうち、レ
ンズは（−１，−１）次を捕捉する。間隔７１６は、格
子７１５により回折される（−１，０）次及び（−１，
−１）次が概ね等しいが、回折輻射線が下流側レンズを
通過するに応じて、システムの光学アクセスに対して反
対角を形成するように選択される。これら２つの回折次
数間の関係は、最大焦点深度を有する像を形成する。
流側レンズが暗視野格子７１５により回折された光を捕
集するように選択される。回折光は幾つかの次数の光を
含有する。このうち、（−１，０）次の光はレンズに進
入する。リソグラフ間隔７３１を有する格子により回折
された光から生じるサテライト次数の輻射線は概ね（−
１，０）次である。これらのサテライト次数のうち、レ
ンズは（−１，−１）次を捕捉する。間隔７１６は、格
子７１５により回折される（−１，０）次及び（−１，
−１）次が概ね等しいが、回折輻射線が下流側レンズを
通過するに応じて、システムの光学アクセスに対して反
対角を形成するように選択される。これら２つの回折次
数間の関係は、最大焦点深度を有する像を形成する。
【００４８】格子の像を生成するために使用される単一
暗視野マスクの別の具体例を図１２に示す。図１２は、
像平面７５０内の３本線格子７５１の像を生成するため
に使用される暗視野マスク７４０を示す。従って、マス
ク内には２つの格子が存在する。第１の格子は暗視野間
隔７４２を有する小さなライン７４１の格子である。第
２の格子は、リソグラフフィーチャー間隔７５２を有す
る３本線格子パターン７５１である。
暗視野マスクの別の具体例を図１２に示す。図１２は、
像平面７５０内の３本線格子７５１の像を生成するため
に使用される暗視野マスク７４０を示す。従って、マス
ク内には２つの格子が存在する。第１の格子は暗視野間
隔７４２を有する小さなライン７４１の格子である。第
２の格子は、リソグラフフィーチャー間隔７５２を有す
る３本線格子パターン７５１である。
【００４９】暗視野格子マスク７４０内のライン７４１
は僅かに傾斜している。格子ラインはマスクにより回折
される輻射線を更にコントロールするために傾斜されて
いる。前記のように、暗視野マスクの目的は、マスクに
より透過されるゼロ次輻射線が下流側描画光学系により
捕捉されないように、入射輻射線を方向付けることであ
る。更に別の目的は、マスクにより透過されるゼロ次輻
射線が下流側描画光学系により捕捉されるように、マス
クパターンの暗視野像を透過させることである。この暗
視野像は＋１次回折及び−１次回折の両方からなる。ま
た、３本線格子パターン７５１からの二次回折も存在す
る。
は僅かに傾斜している。格子ラインはマスクにより回折
される輻射線を更にコントロールするために傾斜されて
いる。前記のように、暗視野マスクの目的は、マスクに
より透過されるゼロ次輻射線が下流側描画光学系により
捕捉されないように、入射輻射線を方向付けることであ
る。更に別の目的は、マスクにより透過されるゼロ次輻
射線が下流側描画光学系により捕捉されるように、マス
クパターンの暗視野像を透過させることである。この暗
視野像は＋１次回折及び−１次回折の両方からなる。ま
た、３本線格子パターン７５１からの二次回折も存在す
る。
【００５０】大きな焦点深度を得るために、スロープを
使用し、暗視野間隔７４２を有する格子とリソグラフフ
ィーチャー間隔７５２を有する格子の両方から回折され
る輻射線の干渉をコントロールする。特に、暗視野格子
から回折された（−１，０）次輻射線がリソグラフ格子
から回折された（−１，−１）次輻射線と干渉すること
が好ましい。この目的は暗視野格子ライン７４１のスロ
ープを制御することにより遂行される。スロープ（垂直
ラインからのラジアン）はλ／（ｓｉｎθc×２×ｐｇ
ｒａｔ）に等しい。ここで、λは入射輻射線の波長であ
り、θcは輻射線の入射角であり、ｐｇｒａｔはリソグ
ラフ格子の間隔７５２である。
使用し、暗視野間隔７４２を有する格子とリソグラフフ
ィーチャー間隔７５２を有する格子の両方から回折され
る輻射線の干渉をコントロールする。特に、暗視野格子
から回折された（−１，０）次輻射線がリソグラフ格子
から回折された（−１，−１）次輻射線と干渉すること
が好ましい。この目的は暗視野格子ライン７４１のスロ
ープを制御することにより遂行される。スロープ（垂直
ラインからのラジアン）はλ／（ｓｉｎθc×２×ｐｇ
ｒａｔ）に等しい。ここで、λは入射輻射線の波長であ
り、θcは輻射線の入射角であり、ｐｇｒａｔはリソグ
ラフ格子の間隔７５２である。
【００５１】本発明の２枚マスク実施態様では、第１の
マスク内の格子間隔は、格子パターンを画成する通常の
格子である第２のマスクに対して概ね等しく、かつ、反
対の両入射角を有する輻射線の２本のビームを与えるよ
うに選択される。暗視野格子ラインが傾斜されていない
場合、（−１，０）次はｘ軸上にあり、（−１，＋１）
次及び（−１，−１）次は、（−１，０）次以上及び以
下のｙ軸上に存在する。ｘ軸及びｙ軸は光軸に対して垂
直な平面内に存在する。特定の次数の回折輻射線が下流
側の光学系により捕捉されるか否かは、ｘ軸及びｙ軸の
交点からの回折次数の距離により決定される。
マスク内の格子間隔は、格子パターンを画成する通常の
格子である第２のマスクに対して概ね等しく、かつ、反
対の両入射角を有する輻射線の２本のビームを与えるよ
うに選択される。暗視野格子ラインが傾斜されていない
場合、（−１，０）次はｘ軸上にあり、（−１，＋１）
次及び（−１，−１）次は、（−１，０）次以上及び以
下のｙ軸上に存在する。ｘ軸及びｙ軸は光軸に対して垂
直な平面内に存在する。特定の次数の回折輻射線が下流
側の光学系により捕捉されるか否かは、ｘ軸及びｙ軸の
交点からの回折次数の距離により決定される。
【００５２】格子ラインを傾斜させると像の品質が改善
される。格子ラインを傾斜させると、（−１，０）次を
ｘ軸より上に移動させ、（−１，−１）次をｘ軸より下
の等角に移動させ、そして（−１，＋１）次をｘ軸より
遙か上に移動させる。（−１，＋１）次は描画光学系に
より捕捉されない。（−１，０）次及び（−１，−１）
次の２つはエネルギー感受性レジスト内で干渉し、大き
な焦点深度を有する像を形成する。
される。格子ラインを傾斜させると、（−１，０）次を
ｘ軸より上に移動させ、（−１，−１）次をｘ軸より下
の等角に移動させ、そして（−１，＋１）次をｘ軸より
遙か上に移動させる。（−１，＋１）次は描画光学系に
より捕捉されない。（−１，０）次及び（−１，−１）
次の２つはエネルギー感受性レジスト内で干渉し、大き
な焦点深度を有する像を形成する。
【００５３】格子ラインの傾斜角（垂直線からのラジア
ン単位で示される）は、格子のスロープを計算するため
の上記の数式を用いて計算される。図１２に示された格
子の別の利点は、リソグラフ格子７５１の間隔７５２は
暗視野格子の間隔７４２の倍数である必要はない。
ン単位で示される）は、格子のスロープを計算するため
の上記の数式を用いて計算される。図１２に示された格
子の別の利点は、リソグラフ格子７５１の間隔７５２は
暗視野格子の間隔７４２の倍数である必要はない。
【００５４】前記のように、２枚マスク実施態様では、
リソグラフフィーチャーを照明する暗視野ビームはこの
フィーチャーにより更に回折される。リソグラフフィー
チャーにより透過される各種のビームは前記のように２
つの数で指称される。２枚マスク実施態様では、リソグ
ラフフィーチャーが格子である場合、このフィーチャー
により透過される（−１，０）次ビームを、（−１，＋
１）次ビーム及び（−１，−１）次ビームの両方とでは
なく、どちらか一方と共に、下流側光学系に配向するこ
とが望ましい。大きな焦点深度を有する格子像が得られ
るので、ビームを併用することは好ましい。
リソグラフフィーチャーを照明する暗視野ビームはこの
フィーチャーにより更に回折される。リソグラフフィー
チャーにより透過される各種のビームは前記のように２
つの数で指称される。２枚マスク実施態様では、リソグ
ラフフィーチャーが格子である場合、このフィーチャー
により透過される（−１，０）次ビームを、（−１，＋
１）次ビーム及び（−１，−１）次ビームの両方とでは
なく、どちらか一方と共に、下流側光学系に配向するこ
とが望ましい。大きな焦点深度を有する格子像が得られ
るので、ビームを併用することは好ましい。
【００５５】第２のマスクが照明される角度で制御する
ために、傾斜された暗視野格子を使用する２枚マスク実
施態様の一例を図１３に示す。図１３において、暗視野
マスク７６０は一連の傾斜ライン７６１を有する。傾斜
格子ラインは、垂直ラインを有するマスクから回折され
たビームの位置に対して、像平面内のマスク７６０から
回折されたビームを移動させる。
ために、傾斜された暗視野格子を使用する２枚マスク実
施態様の一例を図１３に示す。図１３において、暗視野
マスク７６０は一連の傾斜ライン７６１を有する。傾斜
格子ラインは、垂直ラインを有するマスクから回折され
たビームの位置に対して、像平面内のマスク７６０から
回折されたビームを移動させる。
【００５６】第２のマスクに対する好都合な照明角度φ
は、φ＝ａｓｉｎ（λ／ｐｇｒａｔ）／２（ここで、ｐ
ｇｒａｔは第２のマスクのリソグラフ格子の間隔であ
る）である。コンデンサ照明が角度θcでマスク１に入
射される場合、マスク１の暗視野格子の間隔（ｐｄｆ）
は、λ／（ｓｉｎθc−ｓｉｎφ）に等しい。前記のよ
うに、スロープは輻射線を瞳孔フィルタ内の特定のポイ
ントに配向するために使用できるので、傾斜格子ライン
は特定の効果をもたらす。これにより、瞳孔フィルタに
より若干の輻射線を濾波することができ、その結果、生
成された像の焦点深度を改善することができる。一般的
に、望ましからざる回折次がレンズに入射しない短間隔
リソグラフ格子の像は格子ラインを傾斜させることによ
っては改善されない。大間隔格子の像焦点深度は、格子
ラインを傾斜させ、若干の透過輻射線を瞳孔フィルタに
配向させると改善される。これは、主要な（−１，０）
次に近いサテライト次は、大きな間隔を有するリソグラ
フ間隔により回折されるからである。望ましからざるサ
テライト次（例えば、（−１，＋１）次）がレンズを通
過すると、リソグラフ格子の焦点深度は低下する。瞳孔
フィルタを使用することにより及び暗視野格子ラインの
傾斜角と間隔を調整することにより、望ましからざる次
を遮断することができ、そして、大きな焦点深度を有す
る像を得ることができる。
は、φ＝ａｓｉｎ（λ／ｐｇｒａｔ）／２（ここで、ｐ
ｇｒａｔは第２のマスクのリソグラフ格子の間隔であ
る）である。コンデンサ照明が角度θcでマスク１に入
射される場合、マスク１の暗視野格子の間隔（ｐｄｆ）
は、λ／（ｓｉｎθc−ｓｉｎφ）に等しい。前記のよ
うに、スロープは輻射線を瞳孔フィルタ内の特定のポイ
ントに配向するために使用できるので、傾斜格子ライン
は特定の効果をもたらす。これにより、瞳孔フィルタに
より若干の輻射線を濾波することができ、その結果、生
成された像の焦点深度を改善することができる。一般的
に、望ましからざる回折次がレンズに入射しない短間隔
リソグラフ格子の像は格子ラインを傾斜させることによ
っては改善されない。大間隔格子の像焦点深度は、格子
ラインを傾斜させ、若干の透過輻射線を瞳孔フィルタに
配向させると改善される。これは、主要な（−１，０）
次に近いサテライト次は、大きな間隔を有するリソグラ
フ間隔により回折されるからである。望ましからざるサ
テライト次（例えば、（−１，＋１）次）がレンズを通
過すると、リソグラフ格子の焦点深度は低下する。瞳孔
フィルタを使用することにより及び暗視野格子ラインの
傾斜角と間隔を調整することにより、望ましからざる次
を遮断することができ、そして、大きな焦点深度を有す
る像を得ることができる。
【００５７】本発明をｘ軸及びｙ軸に沿ったマスクの４
極照明について説明したきた。ｘ軸及びｙ軸に対して４
５度の４極照明も実施できる。ｘ軸及びｙ軸に沿った４
極照明のためにｘ方向及びｙ方向に配置された暗視野格
子ラインは、後者の事例のように、これらの軸に対して
４５度の角度で配置される。
極照明について説明したきた。ｘ軸及びｙ軸に対して４
５度の４極照明も実施できる。ｘ軸及びｙ軸に沿った４
極照明のためにｘ方向及びｙ方向に配置された暗視野格
子ラインは、後者の事例のように、これらの軸に対して
４５度の角度で配置される。
【００５８】前記の全ての具体例において、暗視野フィ
ーチャーは格子である。これらの具体例において、４極
ビームのうちの２つのビームだけが、暗視野格子に入射
し、そして、格子により効率的に回折される。４極ビー
ムのうちの他方の２つのビームは最終の像に対して僅か
な強度を付加するだけである。４極ビームのうち２つの
ビームは効率的に使用されないので、２極照明により暗
視野格子を照明することもできる。例えば、ｘ軸及びｙ
軸から４５度の角度で入射する２極輻射線を使用し、ラ
インがｘ軸又はｙ軸から僅かに傾斜された暗視野格子を
照明することができる。傾斜ラインを使用することによ
り、格子により回折された輻射線をｘ軸又はｙ軸に沿っ
て配向させる。
ーチャーは格子である。これらの具体例において、４極
ビームのうちの２つのビームだけが、暗視野格子に入射
し、そして、格子により効率的に回折される。４極ビー
ムのうちの他方の２つのビームは最終の像に対して僅か
な強度を付加するだけである。４極ビームのうち２つの
ビームは効率的に使用されないので、２極照明により暗
視野格子を照明することもできる。例えば、ｘ軸及びｙ
軸から４５度の角度で入射する２極輻射線を使用し、ラ
インがｘ軸又はｙ軸から僅かに傾斜された暗視野格子を
照明することができる。傾斜ラインを使用することによ
り、格子により回折された輻射線をｘ軸又はｙ軸に沿っ
て配向させる。
【００５９】例えば、図１３を参照すれば、第１のマス
ク７６０は、上部右側及び下部左側（＋４５度及び＋２
３５度）から２極輻射線により照明される。格子ライン
７６１のスロープは、ｙ軸から４５度よりも僅かに低い
角度である。第１のマスクに入射する光はｙ軸に沿って
回折され、第２のマスク７７０を照明する。ｙ軸から４
５度よりも僅かに高い角度でライン７６１を傾斜させる
と、他の方向に配向されたマスク格子を照明することが
できる。
ク７６０は、上部右側及び下部左側（＋４５度及び＋２
３５度）から２極輻射線により照明される。格子ライン
７６１のスロープは、ｙ軸から４５度よりも僅かに低い
角度である。第１のマスクに入射する光はｙ軸に沿って
回折され、第２のマスク７７０を照明する。ｙ軸から４
５度よりも僅かに高い角度でライン７６１を傾斜させる
と、他の方向に配向されたマスク格子を照明することが
できる。
【００６０】第２のマスクから下流側の投影レンズ内に
瞳孔フィルタを配置させる。瞳孔フィルタ８５０を図１
４に示す。瞳孔フィルタは８個の不透明ストップ８５５
−８６２を有する。ストップ８５５−８６２の間の距離
は、瞳孔フィルタにより透過される暗視野描画輻射線の
環状分布の直径と少なくとも同じ程度の大きさである。
円環８６５はこの環状分布を示す。
瞳孔フィルタを配置させる。瞳孔フィルタ８５０を図１
４に示す。瞳孔フィルタは８個の不透明ストップ８５５
−８６２を有する。ストップ８５５−８６２の間の距離
は、瞳孔フィルタにより透過される暗視野描画輻射線の
環状分布の直径と少なくとも同じ程度の大きさである。
円環８６５はこの環状分布を示す。
【００６１】不透明ストップ８５５，８５７，８５９及
び８６１は第１の長さを有し、ストップ８５６，８５
８，８６０及び８６２は第１の長さよりも短い第２の長
さを有する。ストップ８５５−８６２は瞳孔フィルタ８
５０のｘ軸又はｙ軸上に配置されず、ｘ軸及びｙ軸の何
れかの側面に配置される。図１４において、照明角度が
ｙ軸に沿って配置されるので、暗視野描画輻射線は何れ
も遮断されない。図１５において、図示されているよう
に、描画輻射線８６５の位置をｙ軸に対して左側に配置
することにより、照明角度を変化させる。この位置シフ
トは、第１の暗視野マスク内の格子を傾斜させることに
より実施される。図１６において、格子を傾斜させるこ
とにより、照明角度をｙ軸の右側にシフトさせる。
び８６１は第１の長さを有し、ストップ８５６，８５
８，８６０及び８６２は第１の長さよりも短い第２の長
さを有する。ストップ８５５−８６２は瞳孔フィルタ８
５０のｘ軸又はｙ軸上に配置されず、ｘ軸及びｙ軸の何
れかの側面に配置される。図１４において、照明角度が
ｙ軸に沿って配置されるので、暗視野描画輻射線は何れ
も遮断されない。図１５において、図示されているよう
に、描画輻射線８６５の位置をｙ軸に対して左側に配置
することにより、照明角度を変化させる。この位置シフ
トは、第１の暗視野マスク内の格子を傾斜させることに
より実施される。図１６において、格子を傾斜させるこ
とにより、照明角度をｙ軸の右側にシフトさせる。
【００６２】瞳孔フィルタの別の実施態様を図１７に示
す。瞳孔フィルタ９００は４個のフィルタタブ９０５を
有する。各フィルタタブは瞳孔フィルタ９００の異なる
４分円９０６，９０７，９０８及び９０９に配置され
る。（−１，＋１），（−１，０）及び（−１，−１）
ビームは、ｘ軸９１０及びｙ軸９１１の何れかには存在
しない。前記のように、輻射線のビームは、傾斜ライン
を有する暗視野格子を使用することにより回折される。
ストップがレンズの性能に実質的な影響を及ぼさないよ
うに、ストップが配置されるので、瞳孔フィルタ９００
は好ましい。大抵のマスクからのエネルギーは一般的
に、ｘ軸９１０、ｙ軸９１１又は瞳孔フィルタ９００の
中心に沿って配向される。ストップ９０５は、ストップ
に特別に配向される輻射線を遮断するように、ｘ軸及び
ｙ軸から少し離して配置される。
す。瞳孔フィルタ９００は４個のフィルタタブ９０５を
有する。各フィルタタブは瞳孔フィルタ９００の異なる
４分円９０６，９０７，９０８及び９０９に配置され
る。（−１，＋１），（−１，０）及び（−１，−１）
ビームは、ｘ軸９１０及びｙ軸９１１の何れかには存在
しない。前記のように、輻射線のビームは、傾斜ライン
を有する暗視野格子を使用することにより回折される。
ストップがレンズの性能に実質的な影響を及ぼさないよ
うに、ストップが配置されるので、瞳孔フィルタ９００
は好ましい。大抵のマスクからのエネルギーは一般的
に、ｘ軸９１０、ｙ軸９１１又は瞳孔フィルタ９００の
中心に沿って配向される。ストップ９０５は、ストップ
に特別に配向される輻射線を遮断するように、ｘ軸及び
ｙ軸から少し離して配置される。
【００６３】図１４〜１６におけるフィルタ８５０に比
べて、図１７におけるフィルタの優れている点は、大き
なタブ９０５により、照明ビーム（−１，０）が、遮断
されることなく大きな直径を有することができることで
ある。従って、照明ビームは干渉性を小さくすることが
できる。部分的干渉を使用し、望ましからざる人為構造
を抑制することができる。人為構造はマスク上に存在し
ない、最終像に出現するフィーチャーである。人為構造
は通常、干渉作用によるものであり、高非干渉性照明を
使用することにより抑制又は不鮮明にすることができ
る。
べて、図１７におけるフィルタの優れている点は、大き
なタブ９０５により、照明ビーム（−１，０）が、遮断
されることなく大きな直径を有することができることで
ある。従って、照明ビームは干渉性を小さくすることが
できる。部分的干渉を使用し、望ましからざる人為構造
を抑制することができる。人為構造はマスク上に存在し
ない、最終像に出現するフィーチャーである。人為構造
は通常、干渉作用によるものであり、高非干渉性照明を
使用することにより抑制又は不鮮明にすることができ
る。
【００６４】フィルタは本発明の１枚マスク実施態様又
は２枚マスク実施態様の何れにおいても使用できる。１
枚マスク実施態様（例えば、図１２）では、暗視野格子
７４２の間隔を制御し、（−１，−１）次輻射線及び
（−１，０）次輻射線がフィルタのストップ又はタブの
間に存在するように、（−１，−１）次輻射線及び（−
１，０）次輻射線を配向させることができる。
は２枚マスク実施態様の何れにおいても使用できる。１
枚マスク実施態様（例えば、図１２）では、暗視野格子
７４２の間隔を制御し、（−１，−１）次輻射線及び
（−１，０）次輻射線がフィルタのストップ又はタブの
間に存在するように、（−１，−１）次輻射線及び（−
１，０）次輻射線を配向させることができる。
【００６５】図６に示される接点パッドの空間像はMATH
CADを用いてシミュレーションすることができる。MATHC
ADは米国、マサチューセッツ州ケンブリッジに所在する
MathSoft社から市販されている。図５に示された照明マ
スクの電界のフーリエ変換を使用する場合、プログラム
は、レンズ開口に対応するフィルタを変換に適用する。
次いで、プログラムは逆フーリエ変換を使用し、ウエア
上のエネルギー感受性膜（すなわち、ホトレジスト）上
に投影された空間像を演算する。
CADを用いてシミュレーションすることができる。MATHC
ADは米国、マサチューセッツ州ケンブリッジに所在する
MathSoft社から市販されている。図５に示された照明マ
スクの電界のフーリエ変換を使用する場合、プログラム
は、レンズ開口に対応するフィルタを変換に適用する。
次いで、プログラムは逆フーリエ変換を使用し、ウエア
上のエネルギー感受性膜（すなわち、ホトレジスト）上
に投影された空間像を演算する。
【００６６】図１８は図５の接点パッド格子のシミュレ
ーションされた空間像（位置の関数としての強度）を示
す。像は、トップハット照明を有する０．６ＮＡカメラ
（σ＝０．６及び角度拡散±６度）によりシミュレーシ
ョンした。露光輻射線の波長は１９３ｎｍであった。図
１８は幾つかの像を示す。各像は、０〜１．５μｍの範
囲内の様々な離焦点値を有する。
ーションされた空間像（位置の関数としての強度）を示
す。像は、トップハット照明を有する０．６ＮＡカメラ
（σ＝０．６及び角度拡散±６度）によりシミュレーシ
ョンした。露光輻射線の波長は１９３ｎｍであった。図
１８は幾つかの像を示す。各像は、０〜１．５μｍの範
囲内の様々な離焦点値を有する。
【００６７】図１９は本発明の暗視野描画方法を用いて
形成された接点パッドの空間像のシミュレーション結果
を示す。シミュレーションされた空間像は、暗視野マス
クが図５に示されたマスクである２枚マスク暗視野シス
テムによるものである。図１８及び図１９を比較すれば
明らかなように、図１９に示された空間像は、図１８に
示された空間像よりも優れた焦点深度を有する。これ
は、トップハット照明を有するカメラが、マスク上の微
細なフィーチャーを解像するために、大きな角度拡散
（σ＝０．６）を使用するためである。これに対して、
本発明の暗視野描画システムは、照明に、トップハット
照明以上の優れた焦点深度を与える小さな角度拡散（σ
＝０．２５，一層空間的に干渉性である）を与える。そ
の他のサイズのフィーチャーは、特定のフィーチャーに
とって殆ど最適な部分的干渉性（σ）の値を自動的に生
成する。
形成された接点パッドの空間像のシミュレーション結果
を示す。シミュレーションされた空間像は、暗視野マス
クが図５に示されたマスクである２枚マスク暗視野シス
テムによるものである。図１８及び図１９を比較すれば
明らかなように、図１９に示された空間像は、図１８に
示された空間像よりも優れた焦点深度を有する。これ
は、トップハット照明を有するカメラが、マスク上の微
細なフィーチャーを解像するために、大きな角度拡散
（σ＝０．６）を使用するためである。これに対して、
本発明の暗視野描画システムは、照明に、トップハット
照明以上の優れた焦点深度を与える小さな角度拡散（σ
＝０．２５，一層空間的に干渉性である）を与える。そ
の他のサイズのフィーチャーは、特定のフィーチャーに
とって殆ど最適な部分的干渉性（σ）の値を自動的に生
成する。
【００６８】２枚マスクシステムにより形成される格子
像は、空間像を計算するためにMATHCADを用いてシミュ
レーションした。米国テキサス州のオースチンに所在す
るFinle Technologies社から市販されているPROLITH/2
シミュレーションソフトウエアを使用し、このような２
枚システムを用いて生成されたレジストパターンを決定
した。
像は、空間像を計算するためにMATHCADを用いてシミュ
レーションした。米国テキサス州のオースチンに所在す
るFinle Technologies社から市販されているPROLITH/2
シミュレーションソフトウエアを使用し、このような２
枚システムを用いて生成されたレジストパターンを決定
した。
【００６９】シミュレーションは、波長１９３ｎｍで動
作する４倍縮小倍率を有する０．６ＮＭカメラにより行
った。エネルギー感受性物質は、膜厚０．２μｍ及びコ
ントラスト（γ）が５のものを選択した。像は、１枚マ
スク、１枚レンズシステムによる常用のトップハット照
明（σ＝０．７）により、及び、θｃ＝１１．５度、Ｌ
１開口（受光角＝８．２度）及びソース干渉性σa＝
０．０３３の４極暗視野照明によりシミュレーションし
た。シミュレーション結果を図２０に示す。図２０は、
瞳孔フィルタが無いとき（すなわち、輻射線の透過を遮
断する瞳孔フィルタ内の暗部スポット）は、格子線幅が
約０．２μｍを越える場合、追加回折次は投影レンズを
通過し始めることを示す。これは図２０における曲線８
００により示される。これらの追加回折次は、２枚マス
ク暗視野システムにより得られる描画改善について原因
となる２本のビームと干渉するので、望ましくない。像
の焦点深度に対する瞳孔フィルタの効果を図２０の曲線
８１０及び８１１により示す。曲線８１０は、図１５に
示された瞳孔フィルタを用いたときのライン幅の関数と
しての像の焦点深度を示す。曲線８１１は、図１６に示
された瞳孔フィルタを用いたときのライン幅の関数とし
ての像の焦点深度を示す。前記のように、瞳孔フィルタ
を使用し、特定の望ましからざる次数の輻射線を遮断す
ることにより、焦点深度を高めることができる。
作する４倍縮小倍率を有する０．６ＮＭカメラにより行
った。エネルギー感受性物質は、膜厚０．２μｍ及びコ
ントラスト（γ）が５のものを選択した。像は、１枚マ
スク、１枚レンズシステムによる常用のトップハット照
明（σ＝０．７）により、及び、θｃ＝１１．５度、Ｌ
１開口（受光角＝８．２度）及びソース干渉性σa＝
０．０３３の４極暗視野照明によりシミュレーションし
た。シミュレーション結果を図２０に示す。図２０は、
瞳孔フィルタが無いとき（すなわち、輻射線の透過を遮
断する瞳孔フィルタ内の暗部スポット）は、格子線幅が
約０．２μｍを越える場合、追加回折次は投影レンズを
通過し始めることを示す。これは図２０における曲線８
００により示される。これらの追加回折次は、２枚マス
ク暗視野システムにより得られる描画改善について原因
となる２本のビームと干渉するので、望ましくない。像
の焦点深度に対する瞳孔フィルタの効果を図２０の曲線
８１０及び８１１により示す。曲線８１０は、図１５に
示された瞳孔フィルタを用いたときのライン幅の関数と
しての像の焦点深度を示す。曲線８１１は、図１６に示
された瞳孔フィルタを用いたときのライン幅の関数とし
ての像の焦点深度を示す。前記のように、瞳孔フィルタ
を使用し、特定の望ましからざる次数の輻射線を遮断す
ることにより、焦点深度を高めることができる。
【００７０】描画輻射線が左側に回折され、そして、図
１５に示された瞳孔フィルタが使用される場合、０．２
μｍ〜０．４μｍの範囲内のライン幅について、像焦点
深度が高まる。焦点深度の増大は、ストップ８６０によ
る、瞳孔フィルタ上に入射した（−１，＋１）次の輻射
線の遮断に寄与する。図２０における曲線８１１により
示されるように、描画輻射線８６５をｙ軸の右側へ配置
するために照明角度を変化させた場合及び図１６の瞳孔
フィルタを使用した場合、大きなライン幅（０．４μｍ
〜０．８μｍ）について、焦点深度の更に一層大きな増
大が得られた。この具体例では、ストップ８６１は瞳孔
フィルタに入射する（−１，＋１）次の輻射線を遮断す
る。
１５に示された瞳孔フィルタが使用される場合、０．２
μｍ〜０．４μｍの範囲内のライン幅について、像焦点
深度が高まる。焦点深度の増大は、ストップ８６０によ
る、瞳孔フィルタ上に入射した（−１，＋１）次の輻射
線の遮断に寄与する。図２０における曲線８１１により
示されるように、描画輻射線８６５をｙ軸の右側へ配置
するために照明角度を変化させた場合及び図１６の瞳孔
フィルタを使用した場合、大きなライン幅（０．４μｍ
〜０．８μｍ）について、焦点深度の更に一層大きな増
大が得られた。この具体例では、ストップ８６１は瞳孔
フィルタに入射する（−１，＋１）次の輻射線を遮断す
る。
【００７１】所望のパターンが独立したスペースである
場合、暗視野像は２つの暗視野格子を有するマスクによ
り生成される。各格子はスペースを画成するマスク上の
透明領域に隣接する。スペースの側面に位置する格子の
間隔は、位相外の１８０度となるように調整される。独
立したスペースの像は、位相が０度〜１８０度まで転移
する場合に得られる。本発明の２枚マスク実施態様で
は、暗視野ラインの幅を画成するために、不透明フィー
チャー（例えば、透明基板上に形成されたクロムフィー
チャー）を使用する。このようなマスクを図２１に示
す。図２１において、マスク９１２は格子９１３及び９
１４を有する。２つの格子間のスペース９１５は、格子
９１３及び９１４が位相外の１８０度であるようなもの
である。これにより、マスク９１２は独立したスペース
の像を形成する。スペースの像９１６は、透過輻射線の
位相が０度から１８０度まで転移する場合に得られる。
格子９１３及び９１４の端部９１１において、位相外の
２つの格子は接近し、一つの均一な格子を形成する。位
相外の格子は所望の像を形成する。相転移は、望ましか
らざる人為構造無しに、像のシャープな終端をもたら
す。
場合、暗視野像は２つの暗視野格子を有するマスクによ
り生成される。各格子はスペースを画成するマスク上の
透明領域に隣接する。スペースの側面に位置する格子の
間隔は、位相外の１８０度となるように調整される。独
立したスペースの像は、位相が０度〜１８０度まで転移
する場合に得られる。本発明の２枚マスク実施態様で
は、暗視野ラインの幅を画成するために、不透明フィー
チャー（例えば、透明基板上に形成されたクロムフィー
チャー）を使用する。このようなマスクを図２１に示
す。図２１において、マスク９１２は格子９１３及び９
１４を有する。２つの格子間のスペース９１５は、格子
９１３及び９１４が位相外の１８０度であるようなもの
である。これにより、マスク９１２は独立したスペース
の像を形成する。スペースの像９１６は、透過輻射線の
位相が０度から１８０度まで転移する場合に得られる。
格子９１３及び９１４の端部９１１において、位相外の
２つの格子は接近し、一つの均一な格子を形成する。位
相外の格子は所望の像を形成する。相転移は、望ましか
らざる人為構造無しに、像のシャープな終端をもたら
す。
【００７２】本発明では、暗視野フィーチャーにより透
過される光の位相を変更するために、暗視野フィーチャ
ーも使用する。従って、暗視野フィーチャーは、得られ
た像の解像度を高めるために、位相シフトマスクとして
使用される。暗視野格子は、前記のように格子の位相を
移動させることにより任意の位相シフトを生成すること
ができるので、この点に関して、暗視野格子は大幅な柔
軟性を与える。また、格子の位相を幾つかの長い間隔の
領域にわたって変化させることにより、一方の格子の位
相を別の格子の位相に混合させることもできる。
過される光の位相を変更するために、暗視野フィーチャ
ーも使用する。従って、暗視野フィーチャーは、得られ
た像の解像度を高めるために、位相シフトマスクとして
使用される。暗視野格子は、前記のように格子の位相を
移動させることにより任意の位相シフトを生成すること
ができるので、この点に関して、暗視野格子は大幅な柔
軟性を与える。また、格子の位相を幾つかの長い間隔の
領域にわたって変化させることにより、一方の格子の位
相を別の格子の位相に混合させることもできる。
【００７３】暗視野格子位相シフトマスクの一例を図２
２に示す。図２２において、暗視野マスクは格子９２０
を有する。格子９２０の何れかの側面上に更に薄いライ
ンの第２の格子９２１も有する。第２の格子９２１の薄
いラインはエネルギー感受性物質相上に印刷すのに十分
なほどの光を回折しない。しかし、薄いラインの格子９
２１からの電界は、格子９２０により透過される電界を
有する位相外である。２つの格子９２０及び９２１の間
の干渉はフィーチャー（接点パッド９２３）のエッジを
鋭くする。
２に示す。図２２において、暗視野マスクは格子９２０
を有する。格子９２０の何れかの側面上に更に薄いライ
ンの第２の格子９２１も有する。第２の格子９２１の薄
いラインはエネルギー感受性物質相上に印刷すのに十分
なほどの光を回折しない。しかし、薄いラインの格子９
２１からの電界は、格子９２０により透過される電界を
有する位相外である。２つの格子９２０及び９２１の間
の干渉はフィーチャー（接点パッド９２３）のエッジを
鋭くする。
【００７４】特定のフィーチャーの暗視野像を生成する
ためのマスクパターンが決定されたら、このパターンを
単一マスク上の他のフィーチャーのパターンと併合させ
る。その後、このマスクをデバイス製造のためのリソグ
ラフィ方法で使用し、所望の暗視野パターンをエネルギ
ー感受性物質に導入する。次いで、この像をパターンに
現像し、当業者に周知の手段を用いて下部の基板中に転
写する。
ためのマスクパターンが決定されたら、このパターンを
単一マスク上の他のフィーチャーのパターンと併合させ
る。その後、このマスクをデバイス製造のためのリソグ
ラフィ方法で使用し、所望の暗視野パターンをエネルギ
ー感受性物質に導入する。次いで、この像をパターンに
現像し、当業者に周知の手段を用いて下部の基板中に転
写する。
【００７５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
全てのフィーチャーの解像度を高め、かつ、安価で簡単
に実現することができる解像度向上方法が得られる。
全てのフィーチャーの解像度を高め、かつ、安価で簡単
に実現することができる解像度向上方法が得られる。
【図１】従来技術による２枚マスク解像度向上方法の模
式図である。
式図である。
【図２】４極ソース開口の斜視図である。
【図３】パターンフィーチャーと非描画マスクフィーチ
ャーの両方を含む１枚のマスクを使用する本発明の実施
態様の模式図である。
ャーの両方を含む１枚のマスクを使用する本発明の実施
態様の模式図である。
【図４】第１のマスクが非描画マスクフィーチャーを有
し、第２のマスクがパターンフィーチャーを有する、２
枚のマスクを使用する、本発明の実施態様の模式図であ
る。
し、第２のマスクがパターンフィーチャーを有する、２
枚のマスクを使用する、本発明の実施態様の模式図であ
る。
【図５】接点パッドの暗視野像を形成するマスクの平面
図である。
図である。
【図６】図５に示されたマスクを用いて形成された像の
平面図である。
平面図である。
【図７】暗視野マスクと、暗視野フィーチャーがフィー
チャーの周期的アレーを有するマスクを使用して形成さ
れた像の平面図である。
チャーの周期的アレーを有するマスクを使用して形成さ
れた像の平面図である。
【図８】接点パッドの暗視野像を形成するのに使用され
る２枚のマスクと、この２枚のマスクを使用して形成さ
れた像の平面図である。
る２枚のマスクと、この２枚のマスクを使用して形成さ
れた像の平面図である。
【図９】暗視野マスクフィーチャーがラインの長さ方向
と平行に配向されている格子である、独立したラインの
暗視野像を形成するのに使用されるマスクと、このマス
クを使用して形成された独立したラインの平面図であ
る。
と平行に配向されている格子である、独立したラインの
暗視野像を形成するのに使用されるマスクと、このマス
クを使用して形成された独立したラインの平面図であ
る。
【図１０】暗視野マスクフィーチャーがラインの長さ方
向と垂直に配向されている格子である、独立したライン
の暗視野像を形成するのに使用されるマスクと、このマ
スクを使用して形成された独立したラインの平面図であ
る。
向と垂直に配向されている格子である、独立したライン
の暗視野像を形成するのに使用されるマスクと、このマ
スクを使用して形成された独立したラインの平面図であ
る。
【図１１】暗視野マスクフィーチャーが格子の長さ方向
と平行に配向されている格子である、格子の暗視野像を
形成するのに使用されるマスクと、このマスクを使用し
て形成された格子の平面図である。
と平行に配向されている格子である、格子の暗視野像を
形成するのに使用されるマスクと、このマスクを使用し
て形成された格子の平面図である。
【図１２】暗視野マスクフィーチャーが格子の長さ方向
と垂直な方向に配向されている格子である、格子の暗視
野像を形成するのに使用されるマスクと、このマスクを
使用して形成された格子の平面図である。
と垂直な方向に配向されている格子である、格子の暗視
野像を形成するのに使用されるマスクと、このマスクを
使用して形成された格子の平面図である。
【図１３】暗視野マスクフィーチャーが格子の長さ方向
と概ね垂直な方向に配向されている格子である、格子の
暗視野像を形成するのに使用されるマスクと、このマス
クを使用して形成された格子の平面図である。
と概ね垂直な方向に配向されている格子である、格子の
暗視野像を形成するのに使用されるマスクと、このマス
クを使用して形成された格子の平面図である。
【図１４】ｙ軸に沿ったビームが何れも遮断されない、
遮断領域を有する瞳孔フィルタの平面図である。
遮断領域を有する瞳孔フィルタの平面図である。
【図１５】輻射線の複数の入射ビームが予めｙ軸の左側
に偏向されており、一方のビームが瞳孔フィルタ内の遮
断領域により遮断される、遮断領域を有する瞳孔フィル
タの平面図である。
に偏向されており、一方のビームが瞳孔フィルタ内の遮
断領域により遮断される、遮断領域を有する瞳孔フィル
タの平面図である。
【図１６】輻射線の複数の入射ビームが予めｙ軸の右側
に偏向されており、一方のビームが瞳孔フィルタ内の遮
断領域により遮断される、遮断領域を有する瞳孔フィル
タの平面図である。
に偏向されており、一方のビームが瞳孔フィルタ内の遮
断領域により遮断される、遮断領域を有する瞳孔フィル
タの平面図である。
【図１７】輻射線を軸外れで瞳孔フィルタに配向させる
マスクと併用される入射輻射線の一部分を遮断する遮断
領域を有する瞳孔フィルタの平面図である。
マスクと併用される入射輻射線の一部分を遮断する遮断
領域を有する瞳孔フィルタの平面図である。
【図１８】トップハット照明を使用する、幾つかの異な
る離焦点度で形成された像の強度プロファイルを示す特
性図である。
る離焦点度で形成された像の強度プロファイルを示す特
性図である。
【図１９】或る範囲内の離焦点値と、本発明の暗視野照
明を用いて形成された像の強度プロファイルを示す特性
図である。
明を用いて形成された像の強度プロファイルを示す特性
図である。
【図２０】トップハット照明と、瞳孔フィルタ無しの暗
視野照明と、瞳孔フィルタ付きの暗視野照明を用いて形
成された様々な間隔を有する格子の像の焦点深度を示す
特性図である。
視野照明と、瞳孔フィルタ付きの暗視野照明を用いて形
成された様々な間隔を有する格子の像の焦点深度を示す
特性図である。
【図２１】独立したスペースを描画するための暗視野マ
スクと、このマスクを用いて形成された独立したスペー
スの平面図である。
スクと、このマスクを用いて形成された独立したスペー
スの平面図である。
【図２２】接点パッドを描画するための暗視野マスク
と、このマスクを用いて形成された像の平面図である。
と、このマスクを用いて形成された像の平面図である。
【符号の説明】
１０ 集成装置
１１ 光源
１３ コンデンサレンズ
１６ 開口
２０ 第１のマスク
２２ 第１のレンズ
２３ 瞳孔フィルタ
２５ 第２のマスク
３０ 第２のレンズ
１００ 描画装置
１１０ マスク
１１１ 輻射線
１１２ 光
１１３ 回折光
１２０ 描画光学系
２００ 描画装置
２１０ 第１のマスク
２１１ 輻射線
２１２，２１３ 回折光
２３０ 第２のマスク
２２０，２４０ 光学系
２５０ エネルギー感受性物質層
２６０ 基板
３００ マスク
３１５ 透明基板
３１０ 格子ライン
４００ 像
４０５ 接点パッド
４１０ 暗部背景
４５０ Ｌ字形パターン
４５１ 垂直格子
４５２ 水平格子
４５５ 像
５００ 第１のマスク
５２０ 透明基板
５１０ 格子
５１５ ライン
５２１ 第２のマスク
５２５ 接点パッドパターン
５４０ 接点パターン
６００，６２０ 暗視野マスク
６１１，６１２ ライン
６１５，６２２ 暗視野格子
６１６ 格子間隔
６１７，６３０ 像平面
６１９，６３１ リソグラフライン
７００，７４０ 暗視野マスク
７１５，７４１ 暗視野格子
７３０，７５０ 像
７６０ 第１のマスク
７７０ 第２のマスク
８５０ 瞳孔フィルタ
８５５−８６２ 不透明ストップ
８６５ 円環
９００ 瞳孔フィルタ
９０５ フィルタタブ
９０６−９０９ ４分円
９１０ ｘ軸
９１１ ｙ軸
９１２ マスク
９１３，９１４ 格子
９１６ 像
９２０ 第１の格子
９２１ 第２の格子
９２３ 接点パッド
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ドナルド ローレンス ホワイト
アメリカ合衆国、07950 ニュージャー
ジー、モーリス プレインズ、フォレス
ト コート 10
(56)参考文献 特開 平６−151269（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−132194（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−140639（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−160219（ＪＰ，Ａ)
米国特許6379868（ＵＳ，Ａ)
欧州特許出願公開1041443（ＥＰ，Ａ
２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 1/08
G03F 7/20
Claims (29)
- 【請求項１】 (a)少なくとも１つのパターン付きマス
クを配設するステップと、 ここで、該少なくとも１つのパターン付きマスクは、パ
ターンフィーチャーを画成するために、リソグラフフィ
ーチャーと協働する非描画フィーチャーを有する、 (b)非描画フィーチャーを有する前記少なくとも１つの
パターン付きマスクに輻射線ビームを透過するステップ
と、 ここで、該ビームは入射角で該マスクに透過され、そし
て、該非描画フィーチャーは、明視野輻射線が第１の角
度で非描画フィーチャーから透過され、かつ、暗視野輻
射線が第２の角度で非描画フィーチャーから透過される
ような形状を有する、 (c)非描画フィーチャーを有する前記少なくとも１つの
パターン付きマスクの下流側に描画光学系を配設するス
テップと、 ここで、該描画光学系は、第２の角度で透過される暗視
野輻射線が該描画光学系により捕捉され、そして、第１
の角度で透過される明視野輻射線が該描画光学系により
捕捉されないように配置される、 (d)エネルギー感受性フィーチャー内にパターンフィー
チャーの像を導入するために、基板上に形成されたエネ
ルギー感受性物質層上に暗視野輻射線を照射するステッ
プと、 (e)エネルギー感受性物質内にパターンフィーチャーを
生成するために、像を現像するステップと、からなるこ
とを特徴とするデバイス製造のためのリソグラフ方法。 - 【請求項２】 前記輻射線ビームは軸外れ角度でパター
ン付マスクに入射し、前記軸はパターン付マスクの表面
に対して垂直である光軸であることを特徴とする請求項
１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記非描画フィーチャー及びリソグラフ
フィーチャーは一つのパターン付マスク上に同一の広が
りを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記輻射線は非描画フィーチャーを有す
る第１のパターン付マスク上に透過され、次いで、非描
画フィーチャーから透過される暗視野輻射線を第２のマ
スク上のリソグラフフィーチャー上に透過され、エネル
ギー感受性物質内にパターン付フィーチャーの像を導入
するために、第２のマスク上のリソグラフフィーチャー
から透過された輻射線は描画光学系に入射されることを
特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 前記非描画フィーチャーは、描画光学系
により解像するには小さすぎる格子間隔を有する、周期
的な格子構造であることを特徴とする請求項３に記載の
方法。 - 【請求項６】 前記非描画フィーチャーは、描画光学系
により解像するには小さすぎる格子間隔を有する、周期
的な格子構造であることを特徴とする請求項４に記載の
方法。 - 【請求項７】 非描画フィーチャーから透過される暗視
野輻射線は、非描画フィーチャーにより回折された輻射
線であることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 前記第１のマスク上の非描画フィーチャ
ーにより回折された輻射線は、４極照明により、第２の
マスク上の協働的リソグラフフィーチャーを照明するこ
とを特徴とする請求項４に記載の方法。 - 【請求項９】 前記第１のマスク上の非描画フィーチャ
ーにより回折された輻射線は、トップハット照明によ
り、第２のマスク上の協働的リソグラフフィーチャーを
照明することを特徴とする請求項４に記載の方法。こと
を特徴とする請求項４に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記非描画フィーチャーは、垂線から
約４５度傾斜されているラインを有する格子であること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記非描画フィーチャーは２極照明に
より照明されることを特徴とする請求項１０に記載の方
法。 - 【請求項１２】 前記非描画フィーチャーは少なくとも
２つの格子からなり、一つの格子は少なくとも一つの他
の格子に対して位相外であることを特徴とする請求項６
に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記非描画フィーチャーは矩形の２次
元アレーであり、該２次元アレーは第１の方向に第１の
間隔と、該第１の方向と直交する第２の方向に第２の間
隔を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１４】 前記リソグラフフィーチャーはライン
であり、前記格子はこのラインに対して直交することを
特徴とする請求項６に記載の方法。 - 【請求項１５】 前記暗視野輻射線がエネルギー感受性
レジスト物質に入射される前に、暗視野輻射線を瞳孔フ
ィルタに入射させるステップを更に有し、該瞳孔フィル
タは少なくとも１つのストップを有し、瞳孔フィルタに
入射される輻射線の一部分は該少なくとも１つのストッ
プにより遮断されることを特徴とする請求項１に記載の
方法。 - 【請求項１６】 (イ)輻射線源と、(ロ)パターン付輻射線
を受光し、そして、パターン付輻射線内の像を描画面に
合焦するための描画光学系と、(ハ)輻射線源と描画光学
系との間に間挿された少なくとも１つのパターン付マス
クとからなり、該少なくとも１つのパターン付マスク
は、パターンフィーチャーを画成するために、リソグラ
フフィーチャーと協働する非描画フィーチャーを有し、
該非描画フィーチャーは、明視野輻射線が第１の角度で
非描画フィーチャーから透過され、かつ、暗視野輻射線
が第２の角度で非描画フィーチャーから透過されるよう
な形状を有し、非描画フィーチャーを有する少なくとも
１つのパターン付マスクの下流側の描画光学系は、第２
の角度で透過される暗視野輻射線が該描画光学系により
捕捉され、そして、第１の角度で透過される明視野輻射
線が該描画光学系により捕捉されないように配置されて
いる、ことを特徴とするリソグラフ方法で使用するため
の装置。 - 【請求項１７】 前記輻射線源は、軸外れ角度で少なく
とも１つのパターン付マスクに輻射線を入射させること
ができ、該軸はパターン付マスクの表面に対して垂直で
ある光軸であることを特徴とする請求項１６に記載の装
置。 - 【請求項１８】 前記非描画フィーチャー及びリソグラ
フフィーチャーは一つのパターン付マスク上に同一の広
がりを有することを特徴とする請求項１６に記載の装
置。 - 【請求項１９】 第１のパターン付マスクは該マスク上
に非描画フィーチャーを有し、第２のパターン付マスク
は該マスク上に協働的リソグラフフィーチャーを有する
ことを特徴とする請求項１６に記載の装置。 - 【請求項２０】 前記非描画フィーチャーは、描画光学
系により解像するには小さすぎる格子間隔を有する、周
期的な格子構造であることを特徴とする請求項１８に記
載の装置。 - 【請求項２１】 前記非描画フィーチャーは、描画光学
系により解像するには小さすぎる格子間隔を有する、周
期的な格子構造であることを特徴とする請求項１９に記
載の装置。 - 【請求項２２】 前記第１のマスク上の非描画フィーチ
ャーは、第２のマスク上の協働的リソグラフフィーチャ
ーが４極照明により照明されるように第１のマスク上の
入射輻射線を回折する形状を有することを特徴とする請
求項１９に記載の装置。 - 【請求項２３】 前記第１のマスク上の非描画フィーチ
ャーは、第２のマスク上の協働的リソグラフフィーチャ
ーがトップハット照明により照明されるように第１のマ
スク上の入射輻射線を回折する形状を有することを特徴
とする請求項１９に記載の装置。 - 【請求項２４】 前記非描画フィーチャーは、垂線から
約４５度傾斜されているラインを有する格子であること
を特徴とする請求項２１に記載の装置。 - 【請求項２５】 前記輻射線源は２極照明を用いて前記
非描画フィーチャーに輻射線を照射することを特徴とす
る請求項１６に記載の装置。 - 【請求項２６】 前記非描画フィーチャーは少なくとも
２つの格子からなり、一つの格子は少なくとも一つの他
の格子に対して位相外であることを特徴とする請求項２
１に記載の装置。 - 【請求項２７】 前記非描画フィーチャーは矩形の２次
元アレーであり、該２次元アレーは第１の方向に第１の
間隔と、該第１の方向と直交する第２の方向に第２の間
隔を有することを特徴とする請求項１９に記載の装置。 - 【請求項２８】 前記リソグラフフィーチャーはライン
であり、前記格子はこのラインに対して直交することを
特徴とする請求項２１に記載の装置。 - 【請求項２９】 前記描画光学系内に瞳孔フィルタを更
に有し、該瞳孔フィルタは少なくとも１つのストップを
有することを特徴とする請求項１６に記載の装置。
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Families Citing this family (24)
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|---|---|---|---|---|
| US7242464B2 (en) * | 1999-06-24 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | Method for characterizing optical systems using holographic reticles |
| KR100313280B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2001-11-07 | 한신혁 | 반도체 장치의 전도배선 마스크 제조방법 |
| US6388736B1 (en) * | 1999-11-15 | 2002-05-14 | Asm Lithography B.V. | Imaging method using phase boundary masking with modified illumination |
| US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR100956670B1 (ko) * | 2000-07-19 | 2010-05-10 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 홀로그래픽 레티클을 제조하는 방법 |
| JP4281041B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2009-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | 位相格子マスク |
| KR100614295B1 (ko) | 2001-12-21 | 2006-08-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 디바이스 제조방법, 그 디바이스 및 그를 위한 리소그래피장치 |
| US6929961B2 (en) * | 2003-12-10 | 2005-08-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B. V. | Dual function array feature for CMP process control and inspection |
| KR100574966B1 (ko) * | 2004-01-20 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크 및 이를 이용한 투과율 및 위상 조절 방법 |
| US7384725B2 (en) * | 2004-04-02 | 2008-06-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for fabricating contact holes |
| KR100614651B1 (ko) * | 2004-10-11 | 2006-08-22 | 삼성전자주식회사 | 회로 패턴의 노광을 위한 장치 및 방법, 사용되는포토마스크 및 그 설계 방법, 그리고 조명계 및 그 구현방법 |
| JP2006154757A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ |
| JP4425239B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2010-03-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| DE102005023714A1 (de) * | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsmikrolithographieanlage und Verfahren zur Erzielung eines verbesserten Auflösungsvermögens in einer Projektionsmikrolithographieanlage |
| US20070046917A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method that compensates for reticle induced CDU |
| US7371590B2 (en) * | 2005-11-21 | 2008-05-13 | General Electric Company | Integrated inspection system and defect correction method |
| US20070114693A1 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Buckley Paul W | Methods for improving mold quality for use in the manufacture of liquid crystal display components |
| US20070115464A1 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Harding Kevin G | System and method for inspection of films |
| US20070115460A1 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Capaldo Kevin P | Method for examining molds and apparatus for accomplishing the same |
| US20070116350A1 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Cheverton Mark A | Method for detecting the alignment of films for automated defect detection |
| EP1857879A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-21 | Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG | An illumination system and a photolithography apparatus |
| US7867912B2 (en) * | 2007-02-20 | 2011-01-11 | Qimonda Ag | Methods of manufacturing semiconductor structures |
| WO2009088879A1 (en) | 2008-01-04 | 2009-07-16 | Novus International Inc. | Combinations to improve animal health and performance |
| NL2009168A (en) * | 2011-08-19 | 2013-02-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS514867B2 (ja) * | 1971-07-28 | 1976-02-16 | ||
| US4947413A (en) * | 1988-07-26 | 1990-08-07 | At&T Bell Laboratories | Resolution doubling lithography technique |
| JP3033135B2 (ja) | 1990-06-13 | 2000-04-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
| US5343292A (en) * | 1990-10-19 | 1994-08-30 | University Of New Mexico | Method and apparatus for alignment of submicron lithographic features |
| EP0967524A3 (en) * | 1990-11-15 | 2000-01-05 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
| JPH0567557A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-19 | Nec Corp | 円弧状暗視野照明装置 |
| US5446587A (en) * | 1992-09-03 | 1995-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Projection method and projection system and mask therefor |
| JPH06333803A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-12-02 | Sharp Corp | 投影型露光装置用フィルター |
| JPH06161092A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-06-07 | Nippon Steel Corp | 露光用マスク |
| US5320918A (en) * | 1992-12-31 | 1994-06-14 | At&T Bell Laboratories | Optical lithographical imaging system including optical transmission diffraction devices |
| KR960011461B1 (ko) * | 1993-06-25 | 1996-08-22 | 현대전자산업 주식회사 | 회절빛 제어 마스크 |
| US5667918A (en) | 1993-09-27 | 1997-09-16 | Micron Technology, Inc. | Method of lithography using reticle pattern blinders |
| JP2870390B2 (ja) * | 1993-11-26 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 投影露光装置 |
| JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| US5717518A (en) | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Kla Instruments Corporation | Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system |
| US5807649A (en) | 1996-10-31 | 1998-09-15 | International Business Machines Corporation | Lithographic patterning method and mask set therefor with light field trim mask |
| JPH10233361A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-09-02 | Toshiba Corp | 露光方法と露光用マスク |
| JP3588212B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2004-11-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 露光用マスク及びその作製方法並びに半導体装置の製造方法 |
| US5821014A (en) | 1997-02-28 | 1998-10-13 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Optical proximity correction method for intermediate-pitch features using sub-resolution scattering bars on a mask |
| US5851701A (en) * | 1997-04-01 | 1998-12-22 | Micron Technology, Inc. | Atom lithographic mask having diffraction grating and attenuated phase shifters |
-
1999
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