JP2015515148A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 荷電粒子ビームシミュレーションを伴う使用のためのマスクデータ準備（ＭＤＰ）またはマスクプロセス補正（ＭＰＣ）のための方法であって、
   荷電粒子ビームショットの組を決定するステップを含み、前記ショットの組は、荷電粒子ビームライタにおいて用いられたときに、レジストが被覆された表面に線量を生成し、前記レジストが被覆された表面の前記線量は、前記表面にパターンを形成し、製造ばらつきに起因する限界寸法均一性（ＣＤＵ）が、ショット形状、一次元または二次元のショットサイズ、ショット位置、ショット間の間隔、ショット重なり、近接効果補正前のショット線量、線量マージン、限界寸法分割、スライバ低減、ショット数および書込時間からなる群から選択された要素を変化させた時に前記表面に生成されるであろうパターンを計算することによって最適化され、前記決定するステップは、コンピューティングハードウェア装置を用いて実行される、方法。
2. 前記荷電粒子ビームショットの組におけるショットの構成を予め計算する、請求項１に記載の方法。
3. 前記ショットの構成はショット構成ライブラリに保存される、請求項２に記載の方法。
4. 前記パターンは複数の構成において多様な形状から構成され、前記ショット構成ライブラリは、所与のパターン形状および構成に対して使用するショットアスペクト比を指定する参照テーブルを含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記パターンは軌道を含み、前記軌道の対向する縁部は、前記軌道の長さの大部分に関しておおよそ平行である、請求項１に記載の方法。
6. 前記軌道は、少なくとも１つの幅および角度によって記述される、請求項５に記載の方法。
7. 前記ショットの構成は、ショット形状、一次元または二次元のショットサイズ、ショット位置、ショット間の間隔、ショット重なり、近接効果補正前のショット線量、線量マージン、限界寸法分割、スライバ低減、ショット数および書込時間からなる群から選択された複数の要素を変更するモンテカルロシミュレーションを用いて計算される、請求項２に記載の方法。
8. ショット形状を変更することは、直線および曲線の間で変化させることを含む、請求項７に記載の方法。
9. 荷電粒子ビームリソグラフィを伴う使用のためのマスクデータ準備（ＭＤＰ）のための方法であって、
   荷電粒子ビームショットの組を入力するステップと、
   コンピューティングハードウェア装置を用いて、前記荷電粒子ビームショットの組から表面上のパターンを計算するステップと、
   計算されたパターンについて、製造ばらつきによって起こされる限界寸法均一性（ＣＤＵ）を計算するステップと、
   荷電粒子ビームショットの組を変更して、ある位置に対するＣＤＵを、その位置に対する前記ＣＤＵが予め定められたＣＤＵ許容量を上回る場合に、改善するステップとを含み、前記変更するステップは、ｉ）ショット形状、ショットサイズ、ショット位置または近接効果補正前のショット線量を変更すること、またはｉｉ）ショットを加えることを含む、方法。
10. 前記修正するステップはモデルに基づく技術を用い、荷電粒子ビームショットの組を用いて前記表面に生成されるであろうパターンを計算することを含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記ＣＤＵを計算するステップは、線量マージンを計算するステップ、限界サイズ分割の影響を計算するステップ、およびスライバの影響を計算するステップの少なくとも１つを含む、請求項９に記載の方法。
12. 前記表面上の前記パターンを計算するステップは、荷電粒子ビームシミュレーションを含む、請求項９に記載の方法。
13. 前記表面上の前記パターンを計算するステップは、複数のレチクル製造条件の各々ごとに別個のパターンを計算するステップを含み、前記ＣＤＵを計算するステップは、前記複数の製造条件の各々ごとにＣＤＵを計算するステップを含む、請求項９に記載の方法。
14. 決定された荷電粒子ビームショットの組は、近接効果補正への入力として用いられ、近接効果補正において、ショット線量は、後方散乱、ローディング、フォギング、およびレジスト帯電からなる群から選択された長距離効果を明らかにするよう調整される、請求項１に記載の方法。