JP6252137B2 - 成膜シミュレーション装置及び成膜シミュレーション方法 - Google Patents
成膜シミュレーション装置及び成膜シミュレーション方法 Download PDFInfo
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Description
前記成膜粒子が前記ガス粒子と衝突するまでの自由工程中の前記成膜粒子の飛行距離の平均値を設定する手段を含み、
前記飛行距離の平均値λは、nを前記ガス粒子の密度、σを前記成膜粒子の散乱断面積、εを前記ガス粒子のエネルギ、mを前記ガス粒子の質量、Eを前記成膜粒子のエネルギ、Mを前記成膜粒子の質量としたとき、数1の式(後述)に基づいて設定され、前記密度nは、前記成膜装置内の温度分布に基づいて、ソース付近の空間に係る温度を、その周辺の空間よりも高く設定することを特徴とする、成膜シミュレーション装置が提供される。
ガス粒子の運動エネルギεは、次式となる。
ε=1/2mvt 2 式(1)
また、成膜粒子の運動エネルギEは、次式となる。
E=1/2MVi 2 式(2)
成膜粒子の平均自由行程λは、以下の式で定められる。尚、平均自由行程λとは、概念的には、成膜粒子が次の衝突散乱までの間に飛行する距離の平均値である。
λ=粒子速度/衝突回数 式(3)
衝突回数は、単位時間当たりの成膜粒子のガス粒子との衝突回数である。従って、衝突回数は、次式となる。
衝突回数=nσ×(相対速度) 式(4)
ここで、nは、ガス粒子の密度であり、σは、散乱断面積であり、成膜粒子の断面積に相当する。尚、σには、成膜粒子がガス粒子と接触する態様の衝突を考慮して、ガス粒子の断面積が付加されてもよい。
相対速度は、次式となる。
相対速度=(Vi−vt) 式(5)
ここで、相対速度の平均を取るため、以下のように相対速度の自乗平均の平方を取る。
相対速度=√<(Vi−vt)2> 式(6)
ここで、<>は平均を表し、以下通りである。
<(Vi−vt)2>=<Vi>2−2<Vi><vt>+<vt>2 式(7)
<vt>は、ガス粒子の速度の平均値であるので、0である。よって、
<(Vi−vt)2>=<Vi>2+<vt>2 式(8)
となるので、式(4)、以下のように表せる。
衝突回数=nσ×√(<Vi>2+<vt>2) 式(9)
これを、式(3)に代入すると、
λ=粒子速度/{nσ×√(<Vi>2+<vt>2)} 式(10)
ここで、粒子速度を自乗平均の平方を取って、同様に√<Vi>2とすると、
λ=√<Vi>2/{nσ×√(<Vi>2+<vt>2)} 式(11)
式(11)に式(1)及び式(2)の関係を代入すると、λは、以下の通りである。
10 成膜シミュレータ
20 入力ファイル
30 出力ファイル
100 成膜装置
102 ソース
120 テーブル
200 成膜対象物
Claims (4)
- 成膜装置内でソースから放出する成膜粒子が、雰囲気ガス中のガス粒子と衝突しながら、成膜対象物の表面に付着する成膜工程をシミュレーションする成膜シミュレーション装置であって、
前記成膜粒子が前記ガス粒子と衝突するまでの自由工程中の前記成膜粒子の飛行距離の平均値を設定する手段を含み、
前記飛行距離の平均値λは、nを前記ガス粒子の密度、σを前記成膜粒子の散乱断面積、εを前記ガス粒子のエネルギ、mを前記ガス粒子の質量、Eを前記成膜粒子のエネルギ、Mを前記成膜粒子の質量としたとき、以下の式
に基づいて設定され、
前記密度nは、前記成膜装置内の温度分布に基づいて、ソース付近の空間に係る温度を、その周辺の空間よりも高く設定することを特徴とする、成膜シミュレーション装置。 - 前記成膜粒子が前記ガス粒子と衝突した際の散乱方向を、確率分布に基づいて決定する手段を含む、請求項1に記載の成膜シミュレーション装置。
- 前記自由工程に前記成膜粒子が受ける電磁界の影響を設定する手段を含む、請求項1又は2に記載の成膜シミュレーション装置。
- 成膜装置内でソースから放出する成膜粒子が、雰囲気ガス中のガス粒子と衝突しながら、成膜対象物の表面に付着する成膜工程をシミュレーションする成膜シミュレーション方法であって、
前記成膜粒子が前記ガス粒子と衝突するまでの自由工程中の前記成膜粒子の飛行距離の平均値を設定する工程を含み、
前記飛行距離の平均値λは、nを前記ガス粒子の密度、σを前記成膜粒子の散乱断面積、εを前記ガス粒子のエネルギ、mを前記ガス粒子の質量、Eを前記成膜粒子のエネルギ、Mを前記成膜粒子の質量としたとき、以下の式
前記密度nは、前記成膜装置内の温度分布に基づいて、ソース付近の空間に係る温度を、その周辺の空間よりも高く設定することを特徴とする、成膜シミュレーション方法。
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JP2013246523A JP6252137B2 (ja) | 2013-11-28 | 2013-11-28 | 成膜シミュレーション装置及び成膜シミュレーション方法 |
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JP3147090B2 (ja) * | 1998-07-03 | 2001-03-19 | 日本電気株式会社 | イオン注入シミュレーション方法 |
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