JP2014029982A5 - - Google Patents
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Description
(i)入射フラックスを用いた法線ベクトルの計算
図3に示したように、被加工体60の表面に配置されているあるVoxelに着目した場合、そのVoxelの重心(i,j)に入射してくるガスフラックスを考える。パターン直上から直接入射してくるフラックス成分のみを考えても良いし、それに加えて、例えばパターン側壁から再放出されて間接的に入射してくるフラックス成分まで考えても良い。さらに、ウェハ開口率、チップ内開口率、局所的なパターン構造の寄与までも考えても良い。この際、ある角度方向iで入射してきたフラックスベクトルΓ(i)を図3のような互いに直交する単位ベクトル成分exとey(なお、3次元であれば、ex,ey,ez)方向に分離する。その他の角度方向から入射してくるフラックスにもある角度ステップごとに同様な作業を行い、exとey成分ごとに足し合わせる。最後に、ex方向とey方向のフラックス成分の線形合成を行い(数式1)、その合成ベクトルΓavgの方向を法線方向と定義し、合成ベクトルΓ avg を法線ベクトルとする。また、絶対値|Γavg|をそのVoxelへの総フラックス量とする。
図3に示したように、被加工体60の表面に配置されているあるVoxelに着目した場合、そのVoxelの重心(i,j)に入射してくるガスフラックスを考える。パターン直上から直接入射してくるフラックス成分のみを考えても良いし、それに加えて、例えばパターン側壁から再放出されて間接的に入射してくるフラックス成分まで考えても良い。さらに、ウェハ開口率、チップ内開口率、局所的なパターン構造の寄与までも考えても良い。この際、ある角度方向iで入射してきたフラックスベクトルΓ(i)を図3のような互いに直交する単位ベクトル成分exとey(なお、3次元であれば、ex,ey,ez)方向に分離する。その他の角度方向から入射してくるフラックスにもある角度ステップごとに同様な作業を行い、exとey成分ごとに足し合わせる。最後に、ex方向とey方向のフラックス成分の線形合成を行い(数式1)、その合成ベクトルΓavgの方向を法線方向と定義し、合成ベクトルΓ avg を法線ベクトルとする。また、絶対値|Γavg|をそのVoxelへの総フラックス量とする。
上記の問題は、以下で述べるシミュレーション方法によって解決される。
図21は、本実施の形態に係るシミュレーション方法の一例を示している。図19は、比較例に係るシミュレーション方法による形状進展の概念を示している。図20は、本実施の形態に係るシミュレーション方法による形状進展の概念を示している。
図21は、本実施の形態に係るシミュレーション方法の一例を示している。図19は、比較例に係るシミュレーション方法による形状進展の概念を示している。図20は、本実施の形態に係るシミュレーション方法による形状進展の概念を示している。
表面反応モジュール63は、例えば上述の文献Aに記載されているような、深さ方向を考慮した表面反応モデル(スラブモデル)を解くことで、反応速度としてのエッチレートERiと、ダメージ量Daiとの計算を行うものである。形状・ダメージモジュール65は、例えば上述の第1の実施の形態と同様のVoxelモデルによる計算手法によって、各Voxelに対する形状進展(Voxelの除去)およびダメージの配分を行う。ただし、本実施の形態では、表面反応モジュール63から導出される各時間ステップでのLocalなエッチレートおよびダメージ量をそのまま形状・ダメージモジュール65に受け渡すのではなく、積算モジュール64に一旦引き渡し、そこでエッチング量とダメージ量を所定の配列に随時積算保持する。そして、エッチング量とVoxelサイズとを常に表面反応モジュール63側の時間ステップで比較しながら、形状・ダメージモジュール65で形状進展およびダメージの配分を実行していく。
なお、本実施の形態に係るシミュレーション方法の最大の特徴は、積算モジュール64でエッチング量およびダメージ量を随時積算保持していく計算部分を含むことにあり、表面反応モジュール63における表面反応モデルは上述のものに限定されない。また、形状・ダメージモジュール65におけるダメージの配分方法等の計算は上述のものに限定されない。以下で説明する表面反応モデルおよびダメージの配分方法等の計算も、あくまで一例である。
表面反応モジュール63では、小さな時間ステップdT(例えば、0.01s)で、表層にある各Voxel(i)でのエッチレートERiとダメージ量Daiとの計算を行う(ステップS24)。表面反応モジュール63は、各Voxel(i)のERi、Dai、dTを積算モジュール64に引き渡す。積算モジュールに64は、エッチング量ERi×dTおよびダメージ量Daiをそれぞれ配列S(i)およびD(i)に積算保持する(ステップS25)。積算モジュール64は、積算保持されたエッチング量:ΣERi×dTを形状・ダメージモジュール65に送り、以下の数式9の条件を満たす時に、対応するVoxel(i)を除去し、ダメージ量を周辺のVoxelに配分する(ステップS26,S27)。
以上説明したように、本実施の形態によるシミュレーション方法では、反応速度としてのエッチレートERiに基づく形状進展の量(エッチング量ERi×dT)とダメージ量Daiとを、積算モジュール64で複数の時間ステップ分、積算する。そして、積算された形状進展の量(ΣERi×dT)に基づいて、形状・ダメージモジュール65で形状進展およびダメージの割り当てがなされる。このような計算方法により、小さい時間ステップ内でエッチング量が積算されていき、被加工体60の表面において除去可能になったVoxelから順に除去されていく(例えば図20のt=3dt→4dt)。この場合において、時間ステップの制限は無い。一方、積算する処理を行わない比較例の計算モデル(図19)では、エッチレートの精度の問題で、除去されるべきVoxelが除去されない場合がある。
Claims (20)
- 所定の加工処理の対象となる被加工体の表面の任意の位置に入射する複数の入射フラックスをそれぞれ、互いに直交する複数の単位ベクトル方向に成分分解する処理と、
前記複数の入射フラックスについての前記複数の単位ベクトル方向のフラックス成分をすべて、前記各単位ベクトル方向ごとに足し合わせる処理と、
前記各単位ベクトル方向ごとに足し合わせられた互いに直交する複数のフラックス成分を、1つのベクトルとして合成することで、前記被加工体の表面の任意の位置における法線ベクトルを算出する処理と
を含む計算を情報処理装置によって行うシミュレーション方法。 - さらに、
Voxel空間を生成して前記被加工体の形状を複数のVoxelによって表す処理と、
前記法線ベクトルに基づいて、前記複数の入射フラックスによって前記被加工体に発生するダメージを求め、求められた前記ダメージを前記複数のVoxelに割り当てる処理と
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項1に記載のシミュレーション方法。 - さらに、
初期条件に基づいて前記各Voxelの初期のVoxelサイズを設定する処理と、
前記初期のVoxelサイズを、前記法線ベクトルを用いて算出された前記被加工体の表面の反応速度に応じて最適化する処理と
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項2に記載のシミュレーション方法。 - さらに、
前記法線ベクトルを、前記被加工体の表面の第1の位置と第2の位置とについて算出することで、前記第1の位置における第1の法線ベクトルと、前記第2の位置における第2の法線ベクトルとを算出する処理と、
前記第1の法線ベクトルに所定の幅を持たせた第1の範囲内にのみ存在するVoxelに前記第1の法線ベクトルに基づく第1のダメージを割り当てる処理と、
前記第2の法線ベクトルに前記所定の幅を持たせた第2の範囲内にのみ存在するVoxelに前記第2の法線ベクトルに基づく第2のダメージを割り当てる処理と
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項2または3に記載のシミュレーション方法。 - さらに、
前記第1の範囲と前記第2の範囲との双方に重複して存在するVoxelがある場合、前記重複して存在するVoxelに、前記第1のダメージと前記第2のダメージとを所定の割合で足し合わたダメージを割り当てる処理
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項4に記載のシミュレーション方法。 - さらに、
前記第1の範囲と前記第2の範囲との双方に重複して存在するVoxelがある場合、前記第1の法線ベクトルおよび前記第2の法線ベクトルのうち、前記重複して存在するVoxelまでの距離が近い方の一方の法線ベクトルに基づくダメージを前記重複して存在するVoxelに割り当てる処理
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項4に記載のシミュレーション方法。 - さらに、
前記第1の範囲と前記第2の範囲との双方の範囲外に存在するVoxelがある場合、前記範囲外に存在するVoxelに、補間演算によって前記第1のダメージと前記第2のダメージとに基づくダメージを割り当てる処理
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項4に記載のシミュレーション方法。 - さらに、
前記第1の範囲と前記第2の範囲との双方の範囲外に存在するVoxelがある場合、前記範囲外に存在するVoxelまでの距離が近い方の一方の法線ベクトルに基づくダメージを前記範囲外に存在するVoxelに割り当てる処理
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項4に記載のシミュレーション方法。 - 前記被加工体の表面の形状を複数の格子点を含むStringモデルを用いて表し、前記Stringモデルによって前記法線ベクトルに基づく形状進展を行う処理と、
前記Stringモデルによって表された前記被加工体の表面付近にVoxel空間を生成して複数のVoxelを配置する処理と、
前記法線ベクトルに基づいて、前記複数の入射フラックスによって前記被加工体に発生するダメージを求め、求められた前記ダメージを前記複数のVoxelに割り当てる処理と
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項1ないし8のいずれか1つに記載のシミュレーション方法。 - さらに、
前記法線ベクトルおよびその方向の総フラックス量とに基づいて、前記法線ベクトル方向を考慮した表面反応モデルを解くことで、前記所定の加工処理の反応速度または前記複数の入射フラックスによって前記被加工体に発生するダメージを計算する処理
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項1ないし9のいずれか1つに記載のシミュレーション方法。 - さらに、
Voxel空間を生成して前記被加工体の形状を複数のVoxelによって表す処理と、
前記法線ベクトルに基づいて、所定の表面反応モデルを解くことで、前記所定の加工処理による反応速度を所定の時間ステップで計算する処理と、
前記反応速度に基づく形状進展の量を、複数の前記時間ステップ分、積算する処理と、
積算された前記形状進展の量に基づいて前記複数のVoxelに対して形状進展を行う処理と
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項1ないし8のいずれか1つに記載のシミュレーション方法。 - さらに、
前記法線ベクトルに基づいて、前記所定の表面反応モデルを解くことで、前記被加工体に発生するダメージを前記所定の時間ステップで計算する処理と、
求められた前記ダメージを、複数の前記時間ステップ分、積算する処理と、
積算された前記ダメージを前記複数のVoxelに割り当てる処理と
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項11に記載のシミュレーション方法。 - 前記形状進展を行う処理では、積算された前記形状進展の量が、1つの前記Voxelのサイズに対して所定の条件を満たすか否かを判断し、前記所定の条件を満たした場合に前記形状進展を実行する
請求項11または12に記載のシミュレーション方法。 - 前記被加工体が材料の異なる複数の加工層からなり、
前記Voxelによって表す処理では、形状進展が2以上の前記加工層に亘るとみなせる領域に達した場合、2以上の前記加工層を表すVoxelのサイズを変更する
請求項11ないし13のいずれか1つに記載のシミュレーション方法。 - 前記被加工体が材料の異なる複数の加工層からなり、
前記形状進展を行う処理では、単一の加工層とみなせる領域では積算された前記形状進展の量ではなく、前記所定の時間ステップに対応する形状進展の量で形状進展を行い、形状進展が2以上の前記加工層に亘るとみなせる領域では、積算された前記形状進展の量に基づいて形状進展を行う
請求項11ないし14のいずれか1つに記載のシミュレーション方法。 - さらに、
前記被加工体の表面に形成されるデポジッション膜と前記デポジッション膜の下層に形成される前記被加工体の反応層とをイオンが通過する際の、イオンエネルギー分布の変動およびイオン角度分布の変動を計算する処理と、
前記イオンエネルギー分布の変動および前記イオン角度分布の変動を加味して、前記複数の入射フラックスを算出する処理と
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項1ないし10のいずれか1つに記載のシミュレーション方法。 - さらに、
前記法線ベクトルに基づいて、所定の表面反応モデルを解くことで、前記所定の加工処理による反応速度を計算する処理と、
前記反応速度に基づいて前記被加工体の形状進展の計算を行う処理と、
前記形状進展による前記デポジッション膜厚の変動を計算する処理と、
前記デポジッション膜厚の変動を指標として、前記イオンエネルギー分布の変動および前記イオン角度分布の変動を再計算する処理と
を含む計算を前記情報処理装置によって行う請求項16に記載のシミュレーション方法。 - 所定の加工処理の対象となる被加工体の表面の任意の位置に入射する複数の入射フラックスをそれぞれ、互いに直交する複数の単位ベクトル方向に成分分解する処理と、
前記複数の入射フラックスについての前記複数の単位ベクトル方向のフラックス成分をすべて、前記各単位ベクトル方向ごとに足し合わせる処理と、
前記各単位ベクトル方向ごとに足し合わせられた互いに直交する複数のフラックス成分を、1つのベクトルとして合成することで、前記被加工体の表面の任意の位置における法線ベクトルを算出する処理と
を含む計算を情報処理装置に実行させるシミュレーションプログラム。 - 被加工体に対して所定の加工処理を行う加工部と、
前記所定の加工処理をシミュレーションするシミュレータと
を備え、
前記シミュレータは、
前記被加工体の表面の任意の位置に入射する複数の入射フラックスをそれぞれ、互いに直交する複数の単位ベクトル方向に成分分解する処理と、
前記複数の入射フラックスについての前記複数の単位ベクトル方向のフラックス成分をすべて、前記各単位ベクトル方向ごとに足し合わせる処理と、
前記各単位ベクトル方向ごとに足し合わせられた互いに直交する複数のフラックス成分を、1つのベクトルとして合成することで、前記被加工体の表面の任意の位置における法線ベクトルを算出する処理と
を含む計算を行う
加工装置。 - 被加工体に対する所定の加工処理をシミュレーションする演算部を備え、
前記演算部は、
前記被加工体の表面の任意の位置に入射する複数の入射フラックスをそれぞれ、互いに直交する複数の単位ベクトル方向に成分分解する処理と、
前記複数の入射フラックスについての前記複数の単位ベクトル方向のフラックス成分をすべて、前記各単位ベクトル方向ごとに足し合わせる処理と、
前記各単位ベクトル方向ごとに足し合わせられた互いに直交する複数のフラックス成分を、1つのベクトルとして合成することで、前記被加工体の表面の任意の位置における法線ベクトルを算出する処理と
を含む計算を行う
シミュレータ。
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US7850338B1 (en) * | 2006-09-25 | 2010-12-14 | Microscan Systems, Inc. | Methods for directing light |
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