JPH11317352A - 荷電粒子線露光装置 - Google Patents
荷電粒子線露光装置Info
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- JPH11317352A JPH11317352A JP11000922A JP92299A JPH11317352A JP H11317352 A JPH11317352 A JP H11317352A JP 11000922 A JP11000922 A JP 11000922A JP 92299 A JP92299 A JP 92299A JP H11317352 A JPH11317352 A JP H11317352A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2037—Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステージ速度が不適当なことに起因する露光
不良を未然に防止すること、露光不良が行った場合に
は、露光不良部分を再露光することにより、不良チッ
プ、不良ウェハの発生を防止し、歩留を向上させる。 【解決手段】 露光の第1ステップとしてパターンデー
タが読み出される（S103）。次に、ステージ位置の読み
込みを行い（S104）、これからステージ速度を算出し(S
105)、ステージ速度が所定値以上であるかどうかを判断
する（S106）。ステージ速度が所定値以上である場合に
は、ステージ速度設定値を小さくする（S107）。これに
よりステージ速度が継続的に露光が不可能になる速度を
超える危険性が避けられる。次にパターン露光を行い
（S108)、全てのパターンの露光が完了したかどうか判
断し（S109）、完了している場合は処理を終了し、終了
していない場合は、ステップS103に戻って処理を繰り返
す。
不良を未然に防止すること、露光不良が行った場合に
は、露光不良部分を再露光することにより、不良チッ
プ、不良ウェハの発生を防止し、歩留を向上させる。 【解決手段】 露光の第1ステップとしてパターンデー
タが読み出される（S103）。次に、ステージ位置の読み
込みを行い（S104）、これからステージ速度を算出し(S
105)、ステージ速度が所定値以上であるかどうかを判断
する（S106）。ステージ速度が所定値以上である場合に
は、ステージ速度設定値を小さくする（S107）。これに
よりステージ速度が継続的に露光が不可能になる速度を
超える危険性が避けられる。次にパターン露光を行い
（S108)、全てのパターンの露光が完了したかどうか判
断し（S109）、完了している場合は処理を終了し、終了
していない場合は、ステップS103に戻って処理を繰り返
す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子線等の荷電粒子
線により、ウェハ等の試料上にLSIパターン等を描画す
る荷電粒子線露光装置（特にステージを連続移動させな
がら、同時にパターン露光を行う露光装置）に関するも
のであり、特に、異常によりパターン露光ができなくな
った場合にも、回復機能を有する荷電粒子線露光装置に
関するものである。
線により、ウェハ等の試料上にLSIパターン等を描画す
る荷電粒子線露光装置（特にステージを連続移動させな
がら、同時にパターン露光を行う露光装置）に関するも
のであり、特に、異常によりパターン露光ができなくな
った場合にも、回復機能を有する荷電粒子線露光装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子線露光装置の方式には、スポッ
トビーム露光方式、可変整形露光方式、ブロック露光方
式、分割投影転写方式等がある。これらの方式において
は、ステージ（ウェハステージ、またはウェハステージ
とレチクルステージの両方）を連続移動させながら、そ
の速度に同期させて、転写露光における荷電粒子線の走
査速度を決定し、描画やレチクルパターンのウェハへの
転写を行う方式が採用されている。
トビーム露光方式、可変整形露光方式、ブロック露光方
式、分割投影転写方式等がある。これらの方式において
は、ステージ（ウェハステージ、またはウェハステージ
とレチクルステージの両方）を連続移動させながら、そ
の速度に同期させて、転写露光における荷電粒子線の走
査速度を決定し、描画やレチクルパターンのウェハへの
転写を行う方式が採用されている。
【０００３】このように、ステージを連続移動させなが
ら、パターン露光を行う荷電粒子線露光装置において、
ステージの実速度が所定速度よりも速くなった場合に
は、パターン露光がステージ移動に追いつかず、あるパ
ターンから露光不可能となる。
ら、パターン露光を行う荷電粒子線露光装置において、
ステージの実速度が所定速度よりも速くなった場合に
は、パターン露光がステージ移動に追いつかず、あるパ
ターンから露光不可能となる。
【０００４】また、レチクルステージとウェハステージ
の同期誤差が大きくなった場合、露光パターンに応じて
荷電粒子線の線量が変化し、そのために、荷電粒子線の
走査速度を遅くしなければならない場合、サブフィール
ド露光時間に変調をかけたため、ステージ速度と露光の
同期関係がずれてしまった場合、ウェハ面又はレチクル
面の高さが大きく変動し、精度の高い露光が望めない場
合、ウェハステージ又はレチクルステージのヨーイング
量が大きく変動し、精度の高い露光が望めない場合等に
おいても、露光が不可能な場合が生じる。
の同期誤差が大きくなった場合、露光パターンに応じて
荷電粒子線の線量が変化し、そのために、荷電粒子線の
走査速度を遅くしなければならない場合、サブフィール
ド露光時間に変調をかけたため、ステージ速度と露光の
同期関係がずれてしまった場合、ウェハ面又はレチクル
面の高さが大きく変動し、精度の高い露光が望めない場
合、ウェハステージ又はレチクルステージのヨーイング
量が大きく変動し、精度の高い露光が望めない場合等に
おいても、露光が不可能な場合が生じる。
【０００５】従来の技術においては、このような露光不
能状態が発生した場合、そこで露光を打ち切り、次のチ
ップ、又は次のウェハから改めて露光を開始していた。
能状態が発生した場合、そこで露光を打ち切り、次のチ
ップ、又は次のウェハから改めて露光を開始していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では、エラーが発生すると、描画単位に応じ
て、１ウェハすべて又は１チップが不良となり、著しく
歩留まりを低下させるという問題があった。
うな方法では、エラーが発生すると、描画単位に応じ
て、１ウェハすべて又は１チップが不良となり、著しく
歩留まりを低下させるという問題があった。
【０００７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、ステージ速度とパターン露光の走査速度の同期
が不適当なことに起因する露光不良を未然に防止するこ
と、露光不良が発生した場合には、露光不良部分を再露
光することにより、不良チップ、不良ウェハの発生を防
止し、歩留を向上させることを課題とする。
もので、ステージ速度とパターン露光の走査速度の同期
が不適当なことに起因する露光不良を未然に防止するこ
と、露光不良が発生した場合には、露光不良部分を再露
光することにより、不良チップ、不良ウェハの発生を防
止し、歩留を向上させることを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第１の手段は、ステージを連続移動させながらパター
ン露光を行う荷電粒子線露光装置において、ステージ速
度が、継続的な露光が不可能になる速度より小さく、か
つ当該速度に近い所定速度を超えた場合、継続する露光
時のステージ速度設定値を減少させる機能を有すること
を特徴とする荷電粒子線露光装置（請求項１）である。
の第１の手段は、ステージを連続移動させながらパター
ン露光を行う荷電粒子線露光装置において、ステージ速
度が、継続的な露光が不可能になる速度より小さく、か
つ当該速度に近い所定速度を超えた場合、継続する露光
時のステージ速度設定値を減少させる機能を有すること
を特徴とする荷電粒子線露光装置（請求項１）である。
【０００９】パターン露光の走査速度は、ステージ（レ
チクルステージ、マスクステージ）の速度に同期するよ
うに設定されている。しかしながら、何らかの理由でス
テージ速度設定そのものが不良であったり、ステージの
実際の速度が設定速度に一致しなかったような場合に
は、ステージ速度が、パターン露光の走査が追いつける
速度を超えてしまう場合がある。あるいは、ステージ速
度が所定の値以下であっても、パターン露光の速度が露
光条件の違い（たとえば、ビーム電流値やサブフィール
ド毎の露光時間が異なるような場合）により、パターン
露光の走査可能最大速度そのものが低下し、ステージの
速度とパターン露光の走査速度の同期がとれなくなるこ
とが発生する。
チクルステージ、マスクステージ）の速度に同期するよ
うに設定されている。しかしながら、何らかの理由でス
テージ速度設定そのものが不良であったり、ステージの
実際の速度が設定速度に一致しなかったような場合に
は、ステージ速度が、パターン露光の走査が追いつける
速度を超えてしまう場合がある。あるいは、ステージ速
度が所定の値以下であっても、パターン露光の速度が露
光条件の違い（たとえば、ビーム電流値やサブフィール
ド毎の露光時間が異なるような場合）により、パターン
露光の走査可能最大速度そのものが低下し、ステージの
速度とパターン露光の走査速度の同期がとれなくなるこ
とが発生する。
【００１０】ステージ速度がパターン露光の走査速度に
対して遅くなった場合は、露光走査を遅らせれば良い
が、ステージ速度がパターン露光の走査の速度に対して
早すぎる場合（走査可能最大速度を超える場合）には、
露光しようとするウェハの位置が行き過ぎてしまってお
り、露光することができなくなる。
対して遅くなった場合は、露光走査を遅らせれば良い
が、ステージ速度がパターン露光の走査の速度に対して
早すぎる場合（走査可能最大速度を超える場合）には、
露光しようとするウェハの位置が行き過ぎてしまってお
り、露光することができなくなる。
【００１１】本手段においては、ステージ速度が、継続
的に露光が不可能になる速度より遅く、かつ当該速度に
近い近い所定速度を超えた場合、継続する露光時のステ
ージ速度設定値を減少させるので、ステージ速度が遅く
なる。よってステージ速度がパターン露光が不可能とな
る速度を超えることが無くなって、継続的な露光が可能
となる。ここに、「継続的に露光が不可能になる速度」
とは、必ずしも一定の速度でなく、そのときの露光条件
によって決定されるパターン露光の走査可能最大速度に
応じて変化させるようにしてもよい。また、「当該速度
に近い所定速度」は、速度設定値減少制御の遅れがあっ
ても、ステージ速度が「当該速度」を超えて継続的な露
光が不可能とならないように余裕を持たせるためのもの
であり、荷電粒子線露光装置の設計条件のひとつとして
決定するか、又は荷電粒子線露光装置の完成後に実験的
に決められる。なお、「当該速度に近い所定速度」につ
いても、「当該速度」が変化する場合には、それにつれ
て変化させるようにしてもよい。
的に露光が不可能になる速度より遅く、かつ当該速度に
近い近い所定速度を超えた場合、継続する露光時のステ
ージ速度設定値を減少させるので、ステージ速度が遅く
なる。よってステージ速度がパターン露光が不可能とな
る速度を超えることが無くなって、継続的な露光が可能
となる。ここに、「継続的に露光が不可能になる速度」
とは、必ずしも一定の速度でなく、そのときの露光条件
によって決定されるパターン露光の走査可能最大速度に
応じて変化させるようにしてもよい。また、「当該速度
に近い所定速度」は、速度設定値減少制御の遅れがあっ
ても、ステージ速度が「当該速度」を超えて継続的な露
光が不可能とならないように余裕を持たせるためのもの
であり、荷電粒子線露光装置の設計条件のひとつとして
決定するか、又は荷電粒子線露光装置の完成後に実験的
に決められる。なお、「当該速度に近い所定速度」につ
いても、「当該速度」が変化する場合には、それにつれ
て変化させるようにしてもよい。
【００１２】前記課題を解決するための第２の手段は、
ステージを連続移動させながらパターン露光を行う荷電
粒子線露光装置において、継続的に露光が不可能になっ
た場合、その時点で露光を打ち切り、露光を打ち切った
ストライプ、チップ、ウェハのいずれかの最後まで露光
を行わないで走査シーケンスを進行させ、それぞれ、次
のストライプ、次のチップ、次のウェハのいずれかの最
初の位置から、露光条件を変えて、露光を再開する機能
を有することを特徴とする荷電粒子露光装置（請求項
２）である。
ステージを連続移動させながらパターン露光を行う荷電
粒子線露光装置において、継続的に露光が不可能になっ
た場合、その時点で露光を打ち切り、露光を打ち切った
ストライプ、チップ、ウェハのいずれかの最後まで露光
を行わないで走査シーケンスを進行させ、それぞれ、次
のストライプ、次のチップ、次のウェハのいずれかの最
初の位置から、露光条件を変えて、露光を再開する機能
を有することを特徴とする荷電粒子露光装置（請求項
２）である。
【００１３】「継続的に露光が不可能になった場合」と
は、たとえば、従来の技術で述べたような理由に基づ
き，それ以上露光を続けても正常な露光が行われないよ
うな場合をいう（以下の各手段において同じ）。この手
段においては、次のストライプ、次のチップ、次のウェ
ハのいずれかの最初の位置から露光が開始されるとき、
正常なパターン露光が行われるように、露光条件を変え
てあるので、正常なパターン露光を再開することができ
る。露光されなかった部分については、再露光を行うこ
とにより、完全なチップ、完全なウェハを得ることがで
きる。特に、次のチップ又はストライプから正常な露光
が行われるように条件を変えた場合には、エラーが出た
チップ又はストライプが不良となっても、次のチップ又
はストライプは正常なものとなるので、エラーの後で全
てのチップが不良となることを防止することができ、歩
留を向上させることができる。露光条件の変更とは、ス
テージの移動速度の変更、パターン露光の走査速度の変
更（これに伴う、荷電粒子線ドーズ量の変更）等、レチ
クル・ウェハの移動と、パターン露光の走査の同期をと
れるようにするための何らかの変更をいう。
は、たとえば、従来の技術で述べたような理由に基づ
き，それ以上露光を続けても正常な露光が行われないよ
うな場合をいう（以下の各手段において同じ）。この手
段においては、次のストライプ、次のチップ、次のウェ
ハのいずれかの最初の位置から露光が開始されるとき、
正常なパターン露光が行われるように、露光条件を変え
てあるので、正常なパターン露光を再開することができ
る。露光されなかった部分については、再露光を行うこ
とにより、完全なチップ、完全なウェハを得ることがで
きる。特に、次のチップ又はストライプから正常な露光
が行われるように条件を変えた場合には、エラーが出た
チップ又はストライプが不良となっても、次のチップ又
はストライプは正常なものとなるので、エラーの後で全
てのチップが不良となることを防止することができ、歩
留を向上させることができる。露光条件の変更とは、ス
テージの移動速度の変更、パターン露光の走査速度の変
更（これに伴う、荷電粒子線ドーズ量の変更）等、レチ
クル・ウェハの移動と、パターン露光の走査の同期をと
れるようにするための何らかの変更をいう。
【００１４】これらの条件の内、何をどのように変更す
るかは、露光が不可能となった原因によって決められる
が、例えばステージ速度が速すぎた場合にはステージ速
度の設定を遅くし、ウェハ面、レチクル面の高さが変動
したような場合は、位置合わせ機構を操作することによ
り、像がウェハ面に正しく結像されるようにする。そし
て、次のストライプ、次のチップ、又は次のウェハ以降
の露光を、この新しい条件下で行う。
るかは、露光が不可能となった原因によって決められる
が、例えばステージ速度が速すぎた場合にはステージ速
度の設定を遅くし、ウェハ面、レチクル面の高さが変動
したような場合は、位置合わせ機構を操作することによ
り、像がウェハ面に正しく結像されるようにする。そし
て、次のストライプ、次のチップ、又は次のウェハ以降
の露光を、この新しい条件下で行う。
【００１５】前記課題を解決するための第３の手段は、
ステージを連続移動させながらパターン露光を行う荷電
粒子線露光装置において、継続的に露光が不可能になっ
た場合に、その時点で露光を打ち切り、露光を打ち切っ
たストライプ、チップ、ウェハのいずれかの最後まで露
光を行わないで走査シーケンスを進行させ、当該シーケ
ンスの終了後、露光条件を変えて、露光を打ち切った部
分以降の露光を行う機能を有することを特徴とする荷電
粒子線露光装置（請求項３）である。
ステージを連続移動させながらパターン露光を行う荷電
粒子線露光装置において、継続的に露光が不可能になっ
た場合に、その時点で露光を打ち切り、露光を打ち切っ
たストライプ、チップ、ウェハのいずれかの最後まで露
光を行わないで走査シーケンスを進行させ、当該シーケ
ンスの終了後、露光条件を変えて、露光を打ち切った部
分以降の露光を行う機能を有することを特徴とする荷電
粒子線露光装置（請求項３）である。
【００１６】継続的に露光が不可能となる理由には、前
記のようないろいろなものがあるが、露光が不可能とな
った場合には、その時点で露光を中止し、露光を中止し
た点が属するストライプ、チップ、ウェハのいずれかの
最後まで露光を行わないで走査シーケンスを進行のみを
進行（ダミー進行）させる。すなわち、荷電粒子を発生
させないでパターン露光の走査、ステージの移動を行
う。そして、それぞれ、当該ストライプ、当該チップ、
当該ウェハの最後まで走査シーケンスが終了したとき、
露光条件を変更する。そして、露光を打ち切った部分以
降の露光を、この新しい条件で行う。露光条件の変更に
ついては、前記第２の手段で述べた内容と同じである。
記のようないろいろなものがあるが、露光が不可能とな
った場合には、その時点で露光を中止し、露光を中止し
た点が属するストライプ、チップ、ウェハのいずれかの
最後まで露光を行わないで走査シーケンスを進行のみを
進行（ダミー進行）させる。すなわち、荷電粒子を発生
させないでパターン露光の走査、ステージの移動を行
う。そして、それぞれ、当該ストライプ、当該チップ、
当該ウェハの最後まで走査シーケンスが終了したとき、
露光条件を変更する。そして、露光を打ち切った部分以
降の露光を、この新しい条件で行う。露光条件の変更に
ついては、前記第２の手段で述べた内容と同じである。
【００１７】これにより、露光されなかった部分を露光
することができるので、露光不良に起因する不良チップ
をなくすことができ、歩留が向上する。
することができるので、露光不良に起因する不良チップ
をなくすことができ、歩留が向上する。
【００１８】前記課題を解決するための第４の手段は、
ステージを連続移動させながらパターン露光を行う荷電
粒子線露光装置において、継続的に露光が不可能になっ
た場合に、その時点で露光を打ち切り、直ちに露光条件
を変えて、露光を打ち切った部分以降の露光を行う機能
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置（請求項
４）である。
ステージを連続移動させながらパターン露光を行う荷電
粒子線露光装置において、継続的に露光が不可能になっ
た場合に、その時点で露光を打ち切り、直ちに露光条件
を変えて、露光を打ち切った部分以降の露光を行う機能
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置（請求項
４）である。
【００１９】この手段によれば、前記第３の手段に比し
て、エラー発生検出後の露光しない走査（ダミー走査）
が無くなるのでスループットが向上する。露光条件の変
更については、前記第２の手段で述べた内容と同じであ
る。
て、エラー発生検出後の露光しない走査（ダミー走査）
が無くなるのでスループットが向上する。露光条件の変
更については、前記第２の手段で述べた内容と同じであ
る。
【００２０】前記課題を解決するための第５の手段は、
前記第３の手段又は第４の手段であって、露光を打ち切
った部分以降の露光を行う際、当該部分の属するストラ
イプの最初から走査シーケンスを開始し、露光されなか
った部分に対してのみ露光を行うことを特徴とするもの
（請求項４）である。
前記第３の手段又は第４の手段であって、露光を打ち切
った部分以降の露光を行う際、当該部分の属するストラ
イプの最初から走査シーケンスを開始し、露光されなか
った部分に対してのみ露光を行うことを特徴とするもの
（請求項４）である。
【００２１】この手段においては、走査（パターン露光
の走査とステージの移動）の開始を、ストライプの最初
から行うので、シーケンスが簡単であるという特長を有
する。
の走査とステージの移動）の開始を、ストライプの最初
から行うので、シーケンスが簡単であるという特長を有
する。
【００２２】前記課題を解決するための第６の手段は、
前記第３の手段又は第４の手段であって、露光を打ち切
った部分以降の露光を行う際、走査シーケンスの開始点
を、露光されなかった部分の最初の部分として走査シー
ケンスを開始し、露光されなかった部分に対してのみ露
光を行うことを特徴とするもの（請求６）である。
前記第３の手段又は第４の手段であって、露光を打ち切
った部分以降の露光を行う際、走査シーケンスの開始点
を、露光されなかった部分の最初の部分として走査シー
ケンスを開始し、露光されなかった部分に対してのみ露
光を行うことを特徴とするもの（請求６）である。
【００２３】この手段においては、走査の開始を露光さ
れなかった部分の最初の部分から走査を開始するので、
シーケンスは複雑になる。しかし、前記第４の手段にお
けるようなダミー進行させる部分が無いのでスループッ
トが向上する。
れなかった部分の最初の部分から走査を開始するので、
シーケンスは複雑になる。しかし、前記第４の手段にお
けるようなダミー進行させる部分が無いのでスループッ
トが向上する。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例を
図を用いて説明する。本実施の形態の説明においては、
分割転写型の荷電粒子線露光装置を例として説明を行う
ので、まず、分割転写方式について図６により簡単に説
明する。
図を用いて説明する。本実施の形態の説明においては、
分割転写型の荷電粒子線露光装置を例として説明を行う
ので、まず、分割転写方式について図６により簡単に説
明する。
【００２５】分割転写型の荷電粒子露光装置では、レチ
クルの小領域をウェハの対応する位置に転写しながら、
順次露光を進めており、この小領域をサブフィールドと
呼んでいる。また、チップ内は図６に示すようにストラ
イプと呼ばれる領域に分割され、さらにストライプ内が
サブフィールドに分割されている。
クルの小領域をウェハの対応する位置に転写しながら、
順次露光を進めており、この小領域をサブフィールドと
呼んでいる。また、チップ内は図６に示すようにストラ
イプと呼ばれる領域に分割され、さらにストライプ内が
サブフィールドに分割されている。
【００２６】ストライプ内の露光は一般的にレチクルス
テージとウェハステージを逆方向に同期移動させ、レチ
クルのサブフィールドを荷電粒子線で照明し、ウェハ上
に転写する方式となっている。なお、この装置に用いら
れるレチクルには、図６に示されるストライプ内をサブ
フィールドに分割せず、スロットと呼ばれる、サブフィ
ールドに比して大きな領域に分割したものもある。サブ
フィールドとスロットの違いは、１つのサブフィールド
内のパターンがウェハ上に一括露光転写されるのに対
し、スロット内のパターンは、その領域内を荷電粒子線
で走査しながらウェハ上に逐次露光転写される点であ
る。このような違いはあるが、本発明はどちらのレチク
ルを用いた場合にも適用可能である。以下の説明におい
ては、サブフィールドを有するレチクルについて説明を
行う。
テージとウェハステージを逆方向に同期移動させ、レチ
クルのサブフィールドを荷電粒子線で照明し、ウェハ上
に転写する方式となっている。なお、この装置に用いら
れるレチクルには、図６に示されるストライプ内をサブ
フィールドに分割せず、スロットと呼ばれる、サブフィ
ールドに比して大きな領域に分割したものもある。サブ
フィールドとスロットの違いは、１つのサブフィールド
内のパターンがウェハ上に一括露光転写されるのに対
し、スロット内のパターンは、その領域内を荷電粒子線
で走査しながらウェハ上に逐次露光転写される点であ
る。このような違いはあるが、本発明はどちらのレチク
ルを用いた場合にも適用可能である。以下の説明におい
ては、サブフィールドを有するレチクルについて説明を
行う。
【００２７】また、各ストライプ内（またはチップ内）
のサブフィールド座標データはすべてメモリに格納され
ており、順次読み出すことにより、所望の位置にレチク
ルパターンが転写される。
のサブフィールド座標データはすべてメモリに格納され
ており、順次読み出すことにより、所望の位置にレチク
ルパターンが転写される。
【００２８】本発明の第１の実施の形態を図１により説
明する。図１は、１ストライプ内を露光するシーケンス
を示すもので、このシーケンスを終了したとき、次のス
トライプの露光に移る。
明する。図１は、１ストライプ内を露光するシーケンス
を示すもので、このシーケンスを終了したとき、次のス
トライプの露光に移る。
【００２９】まず、ストライプ露光を開始する（S101）
と共に、ステージの移動を開始する（S102)。露光の第1
ステップとしてパターンデータ（サブフィールド座標デ
ータ等から構成されている）が読み出される（S103）。
次に、ステージ位置の読み込みを行い（S104）、これか
らステージ速度を算出すると共に、サブフィールドの走
査速度を検出する(S105)。
と共に、ステージの移動を開始する（S102)。露光の第1
ステップとしてパターンデータ（サブフィールド座標デ
ータ等から構成されている）が読み出される（S103）。
次に、ステージ位置の読み込みを行い（S104）、これか
らステージ速度を算出すると共に、サブフィールドの走
査速度を検出する(S105)。
【００３０】そして、ステージ速度が所定値以上である
かどうか、又はサブフィールドの走査速度が所定値以下
であるかどうかを判断する（S106）。この場合、ステー
ジ速度の所定値は、継続的に露光が不可能になる速度よ
り小さく、かつ近い値とし、サブフィールドの走査速度
の所定値は、継続的に露光が不可能になる速度より大き
く、かつ近い値とし、ステージ速度制御系の特性等から
適当に選定する。
かどうか、又はサブフィールドの走査速度が所定値以下
であるかどうかを判断する（S106）。この場合、ステー
ジ速度の所定値は、継続的に露光が不可能になる速度よ
り小さく、かつ近い値とし、サブフィールドの走査速度
の所定値は、継続的に露光が不可能になる速度より大き
く、かつ近い値とし、ステージ速度制御系の特性等から
適当に選定する。
【００３１】ここで、サブフィールドの走査速度を検出
するのは以下の理由による。すなわち、ビーム電流はし
ばしば変動する可能性があり、ビーム電流が増大する場
合にはサブフィールド走査速度は速くなるように、逆に
ビーム電流が減少する場合にはサブフィールド走査速度
は遅くなるように制御されている。よって、ステージ速
度が前記所定値以下である場合でも、サブフィールド走
査速度の変動によって、ステージ移動速度とパターン露
光走査速度の同期ずれが発生する場合がある。よって、
これらの同期ずれを防止するためには、サブフィールド
の走査速度も検出する必要がある。
するのは以下の理由による。すなわち、ビーム電流はし
ばしば変動する可能性があり、ビーム電流が増大する場
合にはサブフィールド走査速度は速くなるように、逆に
ビーム電流が減少する場合にはサブフィールド走査速度
は遅くなるように制御されている。よって、ステージ速
度が前記所定値以下である場合でも、サブフィールド走
査速度の変動によって、ステージ移動速度とパターン露
光走査速度の同期ずれが発生する場合がある。よって、
これらの同期ずれを防止するためには、サブフィールド
の走査速度も検出する必要がある。
【００３２】ステージ速度が前記所定値以上である場
合、又はサブフィールド走査速度が前記所定値以下であ
る場合には、ステージ速度設定値を小さくする（S10
7）。これによりステージ速度が継続的に露光が不可能
になる速度を超える危険性が避けられる。
合、又はサブフィールド走査速度が前記所定値以下であ
る場合には、ステージ速度設定値を小さくする（S10
7）。これによりステージ速度が継続的に露光が不可能
になる速度を超える危険性が避けられる。
【００３３】次にパターン露光を行い（S108)、全ての
パターンの露光が完了したかどうか判断し（S109）、完
了している場合は処理を終了し、終了していない場合
は、ステップS103に戻って処理を繰り返す。
パターンの露光が完了したかどうか判断し（S109）、完
了している場合は処理を終了し、終了していない場合
は、ステップS103に戻って処理を繰り返す。
【００３４】この実施の形態においては、露光が実際に
不可能になる前にステージ速度を遅くしているので、露
光不良を発生させること無く連続露光を行うことができ
る。
不可能になる前にステージ速度を遅くしているので、露
光不良を発生させること無く連続露光を行うことができ
る。
【００３５】次に、本発明の第２の実施の形態におけ
る、エラー発生状態の検出とその後の処理を図２を用い
て説明する。図２は、ステージ移動と、パターン露光と
の同期をとるのが不可能になった場合を示す図である。
る、エラー発生状態の検出とその後の処理を図２を用い
て説明する。図２は、ステージ移動と、パターン露光と
の同期をとるのが不可能になった場合を示す図である。
【００３６】まず、ストライプ露光を開始する（S201）
と共に、ステージの移動を開始する（S202)。露光の第1
ステップとしてパターンデータ（サブフィールド座標デ
ータ等から構成されている）が読み出される（S203）。
次に、ステージ位置の読み込みを行う（S204）。そし
て、サブフィールド座標データより計算される露光すべ
きステージの位置と、実際のステージの差が計算され、
この差が露光可能領域内（差が荷電粒子線偏向可能領域
内）であるかどうかが判定される（S205)。
と共に、ステージの移動を開始する（S202)。露光の第1
ステップとしてパターンデータ（サブフィールド座標デ
ータ等から構成されている）が読み出される（S203）。
次に、ステージ位置の読み込みを行う（S204）。そし
て、サブフィールド座標データより計算される露光すべ
きステージの位置と、実際のステージの差が計算され、
この差が露光可能領域内（差が荷電粒子線偏向可能領域
内）であるかどうかが判定される（S205)。
【００３７】差が露光可能領域内であれば、パターン露
光を行い（S206）、ストライプ内の全てのパターン露光
が終了しているかどうかを判断する（S207）。終了して
いなければ、ステップS203に戻って露光を続け、終了し
ていればストライプ内の露光を完了する。パターン露光
を行ったときは、当該サブフィールドが正常に露光され
たことを示すデータを記憶する。
光を行い（S206）、ストライプ内の全てのパターン露光
が終了しているかどうかを判断する（S207）。終了して
いなければ、ステップS203に戻って露光を続け、終了し
ていればストライプ内の露光を完了する。パターン露光
を行ったときは、当該サブフィールドが正常に露光され
たことを示すデータを記憶する。
【００３８】前記差が露光可能領域に内に無ければ、ス
テージが目標位置に達しているかどうかを判断する（S2
08）。達していない場合には、再度ステージ位置を読み
込み、露光可能領域に達するまで待ち状態となる。一
方、ステージが既に露光可能領域を通過してしまい、露
光が不可能になった場合には、現在のパターン位置及び
付帯情報（例えばステージ移動速度、ステージ移動開始
位置、ステージ移動目標位置等）を記憶し（S209）、さ
らにステージ設定速度を小さくして、その時点でそのス
トライプ内の露光を中断して、当該ストライプの露光を
完了する。
テージが目標位置に達しているかどうかを判断する（S2
08）。達していない場合には、再度ステージ位置を読み
込み、露光可能領域に達するまで待ち状態となる。一
方、ステージが既に露光可能領域を通過してしまい、露
光が不可能になった場合には、現在のパターン位置及び
付帯情報（例えばステージ移動速度、ステージ移動開始
位置、ステージ移動目標位置等）を記憶し（S209）、さ
らにステージ設定速度を小さくして、その時点でそのス
トライプ内の露光を中断して、当該ストライプの露光を
完了する。
【００３９】パターン位置の記憶では、どのチップを露
光していたか、どのストライプを露光していたか、また
ストライプ内のどのサブフィールドでエラーが発生した
かについて記憶する。ストライプ内のエラー発生サブフ
ィールドの特定についてはパターンデータを読み込むさ
いのアドレスが利用可能である。また、パターンデータ
自体にサブフィールド露光順序を示すデータを予め付加
しておき、エラーが発生したサブフィールドにおける当
該データを記憶してもよい。
光していたか、どのストライプを露光していたか、また
ストライプ内のどのサブフィールドでエラーが発生した
かについて記憶する。ストライプ内のエラー発生サブフ
ィールドの特定についてはパターンデータを読み込むさ
いのアドレスが利用可能である。また、パターンデータ
自体にサブフィールド露光順序を示すデータを予め付加
しておき、エラーが発生したサブフィールドにおける当
該データを記憶してもよい。
【００４０】どの程度ステージ設定速度を小さくするか
については、予め係数（＜１）を決めておき、現在の速
度にこの係数を掛けたものを新しいステージ設定速度と
してもよいし、予め定められた量の速度を現在の速度か
ら引いたものを新しいステージ設定速度としてもよい。
については、予め係数（＜１）を決めておき、現在の速
度にこの係数を掛けたものを新しいステージ設定速度と
してもよいし、予め定められた量の速度を現在の速度か
ら引いたものを新しいステージ設定速度としてもよい。
【００４１】ストライプ内の露光を完了した場合、次の
ステップとしては、正常終了の場合（END1）は次のスト
ライプ（最終ストライプの露光完了であった場合は次の
チップの露光、最終チップの最終ストライプの露光完了
であった場合には次のウェハの露光）に入る。
ステップとしては、正常終了の場合（END1）は次のスト
ライプ（最終ストライプの露光完了であった場合は次の
チップの露光、最終チップの最終ストライプの露光完了
であった場合には次のウェハの露光）に入る。
【００４２】エラー発生での完了であった場合（END2）
には、エラー処理に入り、エラー処理の方法に対応した
動作を行う。
には、エラー処理に入り、エラー処理の方法に対応した
動作を行う。
【００４３】本発明の実施の形態における第１のエラー
処理は、エラーが発生して露光が打ち切られたストライ
プの次のストライプの最初の位置から露光条件、走査条
件の少なくとも一方を変えて、露光を再開する方式であ
る。エラーの発生原因が、ステージ移動と、パターン露
光との同期をとるのが不可能になったことによるもので
ある場合で、図２に示したシーケンスでエラー検出が行
われている場合は、図２のステップS210で速度が変更さ
れているので、そのまま次のストライプのパターン露光
処理に移行すればよい。
処理は、エラーが発生して露光が打ち切られたストライ
プの次のストライプの最初の位置から露光条件、走査条
件の少なくとも一方を変えて、露光を再開する方式であ
る。エラーの発生原因が、ステージ移動と、パターン露
光との同期をとるのが不可能になったことによるもので
ある場合で、図２に示したシーケンスでエラー検出が行
われている場合は、図２のステップS210で速度が変更さ
れているので、そのまま次のストライプのパターン露光
処理に移行すればよい。
【００４４】この他、エラーが発生したサブフィールド
が属するチップのそれ以降の露光を中止し、露光条件、
走査条件の少なくとも一方を変えて正常にパターン露光
が可能なようにし、次のチップの最初からパターン露光
処理を開始する方法、エラーが発生したサブフィールド
が属するウェハのそれ以降の露光を中止し、露光条件、
走査条件の少なくとも一方を変えて正常にパターン露光
が可能なようにし、次のウェハの最初からパターン露光
処理を開始する方法等が考えられる。これらの場合にお
ける未露光部分は、未露光部分を記憶しておき、再露光
することにより、完全なチップ、完全なウェハとするこ
とができる。
が属するチップのそれ以降の露光を中止し、露光条件、
走査条件の少なくとも一方を変えて正常にパターン露光
が可能なようにし、次のチップの最初からパターン露光
処理を開始する方法、エラーが発生したサブフィールド
が属するウェハのそれ以降の露光を中止し、露光条件、
走査条件の少なくとも一方を変えて正常にパターン露光
が可能なようにし、次のウェハの最初からパターン露光
処理を開始する方法等が考えられる。これらの場合にお
ける未露光部分は、未露光部分を記憶しておき、再露光
することにより、完全なチップ、完全なウェハとするこ
とができる。
【００４５】本発明の実施の形態における第２のエラー
処理方法を、図３、図４に基づいて説明する。図３は、
エラーが発生してパターン露光ができなくなったストラ
イプ内のサブフィールドの配列の例を示す図であり、塗
りつぶされているサブフィールドは露光済みであり、塗
りつぶされていないサブフィールドは未露光であること
を示す。この図は、図２に示したエラー発生状態の検出
とその後の処理に基づいたもので、エラーが発生したサ
ブフィールド以降の露光が打ち切られ、未露光となって
いる。
処理方法を、図３、図４に基づいて説明する。図３は、
エラーが発生してパターン露光ができなくなったストラ
イプ内のサブフィールドの配列の例を示す図であり、塗
りつぶされているサブフィールドは露光済みであり、塗
りつぶされていないサブフィールドは未露光であること
を示す。この図は、図２に示したエラー発生状態の検出
とその後の処理に基づいたもので、エラーが発生したサ
ブフィールド以降の露光が打ち切られ、未露光となって
いる。
【００４６】この未露光の部分の回復処理のシーケンス
を示すフローチャートを図４に示す。図４に示すフロー
チャートは、ステージ移動と、パターン露光との同期を
とるのが不可能になった場合のエラーに関するものであ
り、図２に示したシーケンスの処理に続いて行われるも
のである。
を示すフローチャートを図４に示す。図４に示すフロー
チャートは、ステージ移動と、パターン露光との同期を
とるのが不可能になった場合のエラーに関するものであ
り、図２に示したシーケンスの処理に続いて行われるも
のである。
【００４７】まず、エラーの発生したストライプに関す
る情報を読み出す（S401）。この情報は例えば、図２に
示す処理S209で記憶されたエラー発生パターン位置とそ
の他のストライプ情報（例えばステージ移動速度、ステ
ージ移動開始位置、ステージ移動目標位置等）である。
さらに読み出されたステージ移動速度設定値を所定倍
（＜１）するか、所定速度だけ遅く設定する（S402）。
この処理は、図２に置ける処理S210のように、既にエラ
ー検出処理で行われている場合は不要である。
る情報を読み出す（S401）。この情報は例えば、図２に
示す処理S209で記憶されたエラー発生パターン位置とそ
の他のストライプ情報（例えばステージ移動速度、ステ
ージ移動開始位置、ステージ移動目標位置等）である。
さらに読み出されたステージ移動速度設定値を所定倍
（＜１）するか、所定速度だけ遅く設定する（S402）。
この処理は、図２に置ける処理S210のように、既にエラ
ー検出処理で行われている場合は不要である。
【００４８】次にストライプの最初のサブフィールドか
らパターン露光を開始する（S403）。それと同時に、ス
テージの移動を当該ストライプの最初から開始する（S4
04）。まず、パターンデータを読み出し（S405）、この
パターンデータは前回の露光時に既に露光されたかどう
かをチェックする（S406）。もし、既に露光されている
なら、露光等の動作を何も行わず、次のパターンデータ
を読み込み同様にチェックする。このようにして、エラ
ーの発生したパターンデータまで読み出す。エラー発生
のパターンデータが読み出されると、継続するシーケン
スについては、図３に示されるように、第２図に示した
ものと全く同様に行われる。
らパターン露光を開始する（S403）。それと同時に、ス
テージの移動を当該ストライプの最初から開始する（S4
04）。まず、パターンデータを読み出し（S405）、この
パターンデータは前回の露光時に既に露光されたかどう
かをチェックする（S406）。もし、既に露光されている
なら、露光等の動作を何も行わず、次のパターンデータ
を読み込み同様にチェックする。このようにして、エラ
ーの発生したパターンデータまで読み出す。エラー発生
のパターンデータが読み出されると、継続するシーケン
スについては、図３に示されるように、第２図に示した
ものと全く同様に行われる。
【００４９】このエラー処理においては、各サブフィー
ルドが露光済みであるかどうかを各サブフィールド毎に
チェックしているので、図３に示すように、あるサブフ
ィールド以後の露光が全く行われていない場合でなく、
露光されているサブフィールドと露光されていないサブ
フィールドが交互に現れるような場合にも対応可能であ
る。
ルドが露光済みであるかどうかを各サブフィールド毎に
チェックしているので、図３に示すように、あるサブフ
ィールド以後の露光が全く行われていない場合でなく、
露光されているサブフィールドと露光されていないサブ
フィールドが交互に現れるような場合にも対応可能であ
る。
【００５０】本発明の実施の形態における第３のエラー
処理方法を、図５に示すフローチャートを用いて説明す
る。このエラー処理も、ステージ移動と、パターン露光
との同期をとるのが不可能になった場合のエラーに関す
るものであり、図３に示すように、エラーが発生したサ
ブフィールド以後の露光が打ち切られている場合の回復
処理に関するものである。このエラー処理方法において
は、図４に示したS405、S406の処理により、再露光すべ
き最初のサブフィールドを見つけるのでなく、エラー時
のストライプ情報から最初に再露光すべきサブフィール
ドの位置を計算し、その位置までステージを動かしてか
ら再露光を開始する方法である。
処理方法を、図５に示すフローチャートを用いて説明す
る。このエラー処理も、ステージ移動と、パターン露光
との同期をとるのが不可能になった場合のエラーに関す
るものであり、図３に示すように、エラーが発生したサ
ブフィールド以後の露光が打ち切られている場合の回復
処理に関するものである。このエラー処理方法において
は、図４に示したS405、S406の処理により、再露光すべ
き最初のサブフィールドを見つけるのでなく、エラー時
のストライプ情報から最初に再露光すべきサブフィール
ドの位置を計算し、その位置までステージを動かしてか
ら再露光を開始する方法である。
【００５１】まず、エラーの発生したストライプに関す
る情報を読み出す（S501）。この情報は例えば、図２に
示す処理S209で記憶されたエラー発生パターン位置とそ
の他のストライプ情報（例えばステージ移動速度、ステ
ージ移動開始位置、ステージ移動目標位置等）である。
さらに読み出されたステージ移動速度設定値を所定倍
（＜１）するか、所定速度だけ遅く設定する（S502）。
この処理は、図２に置ける処理S210のように、既にエラ
ー検出処理で行われている場合は不要である。
る情報を読み出す（S501）。この情報は例えば、図２に
示す処理S209で記憶されたエラー発生パターン位置とそ
の他のストライプ情報（例えばステージ移動速度、ステ
ージ移動開始位置、ステージ移動目標位置等）である。
さらに読み出されたステージ移動速度設定値を所定倍
（＜１）するか、所定速度だけ遅く設定する（S502）。
この処理は、図２に置ける処理S210のように、既にエラ
ー検出処理で行われている場合は不要である。
【００５２】次に、読み出されたエラー発生パターン位
置より、最初に露光すべきサブフィールドの位置を決定
し（S503）、ステージの移動を開始する（S504）。そし
て、ステージの位置が露光開始サブフィールド位置に達
したかどうかを監視し（S505)、達した時点で露光を開
始する（S506）。その後のシーケンスについては、図５
に示されるように、図２に示したものと同じである。
置より、最初に露光すべきサブフィールドの位置を決定
し（S503）、ステージの移動を開始する（S504）。そし
て、ステージの位置が露光開始サブフィールド位置に達
したかどうかを監視し（S505)、達した時点で露光を開
始する（S506）。その後のシーケンスについては、図５
に示されるように、図２に示したものと同じである。
【００５３】前記第２のエラー処理、第３のエラー処理
方法を実施するタイミングとして、例えば以下のタイミ
ングをとりうる。 (1)エラーが発生した際に、即座にエラー処理に移行す
る。 (2)エラーが発生しても、シーケンスに従い、そのエラ
ーの発生したストライプについて露光（ダミー露光）を
実行する。露光走査がストライプの最後に達した時点で
エラー処理を行う。 (3)エラーが発生しても、シーケンスに従い、そのチッ
プ内の継続するストライプについて露光（ダミー露光）
を実行する。チップの最後のストライプ露光終了後に、
エラー処理を行う。 (4)エラーが発生しても、シーケンスに従い、そのウェ
ハ内の継続するストライプについて露光（ダミー露光）
を実行する。ウェハの最後のストライプ露光終了後に、
エラー処理を行う。
方法を実施するタイミングとして、例えば以下のタイミ
ングをとりうる。 (1)エラーが発生した際に、即座にエラー処理に移行す
る。 (2)エラーが発生しても、シーケンスに従い、そのエラ
ーの発生したストライプについて露光（ダミー露光）を
実行する。露光走査がストライプの最後に達した時点で
エラー処理を行う。 (3)エラーが発生しても、シーケンスに従い、そのチッ
プ内の継続するストライプについて露光（ダミー露光）
を実行する。チップの最後のストライプ露光終了後に、
エラー処理を行う。 (4)エラーが発生しても、シーケンスに従い、そのウェ
ハ内の継続するストライプについて露光（ダミー露光）
を実行する。ウェハの最後のストライプ露光終了後に、
エラー処理を行う。
【００５４】以上の実施の形態では説明を簡単にするた
めに、分割転写型の荷電粒子線露光装置を例として説明
したが、可変成形露光方式、或いはブロック露光方式の
荷電粒子線露光装置に対しても簡単に適用可能である。
また、以上の実施の形態では、エラーの発生源としてス
テージ速度が設定値より増大した場合を例としている
が、以下のような原因に対しても適用可能である。 (1)レチクルステージとウェハステージの同期誤差が大
きくなり、露光不可能となった場合 (2)サブフィールド露光時間に変調をかけたため、ステ
ージ速度と露光の同期関係がずれてしまった場合 (3)ウェハ面或いはレチクル面の高さが大きく変動し、
精度の高い露光が望めない場合 (4)ウェハステージ或いはレチクルステージのヨーイン
グ量が大きく変動し、精度の高い露光が望めない場合
めに、分割転写型の荷電粒子線露光装置を例として説明
したが、可変成形露光方式、或いはブロック露光方式の
荷電粒子線露光装置に対しても簡単に適用可能である。
また、以上の実施の形態では、エラーの発生源としてス
テージ速度が設定値より増大した場合を例としている
が、以下のような原因に対しても適用可能である。 (1)レチクルステージとウェハステージの同期誤差が大
きくなり、露光不可能となった場合 (2)サブフィールド露光時間に変調をかけたため、ステ
ージ速度と露光の同期関係がずれてしまった場合 (3)ウェハ面或いはレチクル面の高さが大きく変動し、
精度の高い露光が望めない場合 (4)ウェハステージ或いはレチクルステージのヨーイン
グ量が大きく変動し、精度の高い露光が望めない場合
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ステージ速度が、継続的に露光が不可能になる速度を超
える可能性がある場合に、移動速度を低速となるように
制御するため、エラー発生頻度を減少させることができ
る。また、エラーが発生したときのパターンデータ情報
を記憶し、それに基づいてリカバリーを行うため、不良
チップ、不良ウェハを著しく減少させることが可能とな
り、歩留まりの向上を期待できる。
ステージ速度が、継続的に露光が不可能になる速度を超
える可能性がある場合に、移動速度を低速となるように
制御するため、エラー発生頻度を減少させることができ
る。また、エラーが発生したときのパターンデータ情報
を記憶し、それに基づいてリカバリーを行うため、不良
チップ、不良ウェハを著しく減少させることが可能とな
り、歩留まりの向上を期待できる。
【図１】本発明の実施の形態であるステージ速度変更シ
ーケンスの例を示す図である。
ーケンスの例を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態であるエラー検出方法の例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】一つのストライプ内のサブフィールドの露光状
態の例を示す図である。
態の例を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態であるエラー回復処理の１
例を示す図である。
例を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態であるエラー回復処理の他
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図６】分割転写型露光方式の概要を説明するための図
である。
である。
Claims (6)
- 【請求項１】 ステージを連続移動させながらパターン
露光を行う荷電粒子線露光装置において、ステージ速度
が、継続的な露光が不可能になる速度より小さく、かつ
当該速度に近い所定速度を超えた場合、継続する露光時
のステージ速度設定値を減少させる機能を有することを
特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項２】 ステージを連続移動させながらパターン
露光を行う荷電粒子線露光装置において、継続的に露光
が不可能になった場合、その時点で露光を打ち切り、露
光を打ち切ったストライプ、チップ、ウェハのいずれか
の最後まで露光を行わないで走査シーケンスを進行さ
せ、それぞれ、次のストライプ、次のチップ、次のウェ
ハのいずれかの最初の位置から、露光条件を変えて、露
光を再開する機能を有することを特徴とする荷電粒子露
光装置。 - 【請求項３】 ステージを連続移動させながらパターン
露光を行う荷電粒子線露光装置において、継続的に露光
が不可能になった場合に、その時点で露光を打ち切り、
露光を打ち切ったストライプ、チップ、ウェハのいずれ
かの最後まで露光を行わないで走査シーケンスを進行さ
せ、当該シーケンスの終了後、露光条件を変えて、露光
を打ち切った部分以降の露光を行う機能を有することを
特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項４】 ステージを連続移動させながらパターン
露光を行う荷電粒子線露光装置において、継続的に露光
が不可能になった場合に、その時点で露光を打ち切り、
直ちに露光条件を変えて、露光を打ち切った部分以降の
露光を行う機能を有することを特徴とする荷電粒子線露
光装置。 - 【請求項５】 請求項３又は請求項４に記載の荷電粒子
露光装置であって、露光を打ち切った部分以降の露光を
行う際、当該部分の属するストライプの最初から走査シ
ーケンスを開始し、露光されなかった部分に対してのみ
露光を行うことを特徴とする荷電粒子露光装置。 - 【請求項６】 請求項３又は請求項４に記載の荷電粒子
露光装置であって、露光を打ち切った部分以降の露光を
行う際、走査シーケンスの開始点を、露光されなかった
部分の最初の部分として走査シーケンスを開始し、露光
されなかった部分に対してのみ露光を行うことを特徴と
する荷電粒子露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000922A JPH11317352A (ja) | 1998-03-02 | 1999-01-06 | 荷電粒子線露光装置 |
| US09/261,059 US6156464A (en) | 1998-03-02 | 1999-03-02 | Scanning-type charged-particle beam exposure methods including scan-velocity error detection and correction |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-63877 | 1998-03-02 | ||
| JP6387798 | 1998-03-02 | ||
| JP11000922A JPH11317352A (ja) | 1998-03-02 | 1999-01-06 | 荷電粒子線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317352A true JPH11317352A (ja) | 1999-11-16 |
Family
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|---|---|---|---|---|
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