JP2011044554A - 露光制御装置および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエハ外周部のショットを高歩留まりかつ高効率で露光する露光制御装置を提供すること。
【解決手段】ウエハ外周部に配置される露光ショット内でのウエハの高さに関する高さ情報に基づいて、露光ショットを、露光するショットまたは露光しないショットの何れかに設定する露光有無設定部１２と、露光有無設定部１２が設定した露光するショットへの露光指示と、露光有無設定部１２が設定した露光しないショットに露光を行わないようスキップさせる指示と、を出力する露光指示部１４と、を有する。
【選択図】図５

Description

本発明は、露光制御装置および半導体デバイスの製造方法に関する。

近年、デバイスパターンサイズが微細化されているので、リソグラフィ工程によって基板上に形成されるパターンの線幅を精度良く制御する必要性が高まっている。特にメモリなどのリソグラフィ工程では、露光装置の解像限界に近い光学条件で密ピッチのライン＆スペースパターンを形成する必要があり、フォーカスマージンが小さくなっている。

例えば、ステップ＆スキャン型の投影露光装置は、フォーカスレベリング補正を行いながらウエハへの露光処理を行っている。ステップ＆スキャン型の投影露光装置が、ウエハ外周部の特に欠けショット（ショット内の一部が製品パターンとならない不完全なショット）を露光する場合、ウエハ外周部からの所定距離までを有効フォーカス境界に設定している。そして、有効フォーカス境界よりも内側のエリアでウエハの高さ情報が取得され、この高さ情報を用いてフォーカスレベリング制御が行われている。

実際のプロセスを経たウエハは多数の膜が積層された構造となっているので、ウエハの中心部と外周部とでは、プロセス要因によって膜厚値が異なる。したがって、有効フォーカス境界は、露光処理の工程毎に決定する必要がある。

ところが、ウエハの外周部にある欠けショットにおいては、欠けショットからデバイスチップを全く取得できないショット（以下、ダミーショットという）となる場合がある。ダミーショットは、露光装置のスループット向上のためには、露光しない方が望ましいが、ダミーショットがないとドライエッチング工程やＣＭＰ工程等のリソグラフィ以外の工程でダミーショットに隣接する有効チップの特性を劣化させてしまう。

そこで、特許文献１に記載の走査露光方法は、露光フィールド内の計測領域及び計測領域よりも手前側の先読み領域で計測した各フォーカス位置に基づいて、ウエハのオートフォーカスを行なっている。そして、先読みされたフォーカス位置と計測領域のフォーカス位置との差の絶対値が許容値を超えるときには、先読みされたデータを無視して、計測領域の中央部で予め計測しておいたフォーカス位置に基づいてフォーカスを制御している。

しかしながら、特許文献１に記載の走査露光方法では、ウエハの外周部がデフォーカスする段差を有している場合、デフォーカスによってパターン倒壊などの欠陥不良が生じる場合がある。このため、ダミーショットの露光が外周チップの歩留りを低下させてしまうという問題があった。

特開平８−３７１５０号公報

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、基板外周部のショットを高歩留まりかつ高効率で露光する露光制御装置および半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本願発明の一態様によれば、基板外周部に配置される露光ショット内での前記基板の高さに関する情報に基づいて、前記露光ショットを、露光するショットまたは露光しないショットの何れかに設定する露光設定部と、前記露光するショットへの露光指示と、前記露光しないショットに露光を行なうことなくスキップさせる指示と、を出力する露光指示部と、を有する露光制御装置が提供される。

本発明によれば、基板外周部のショットを高歩留まりかつ高効率で露光することが可能になるという効果を奏する。

図１は、第１の実施の形態に係る露光装置の構成を示す図である。 図２は、ＷＥＥの位置を説明するための図である。 図３は、ダミーショットを説明するための図である。 図４は、ダミーショットの一例と有効欠けショットの一例を示す図である。 図５は、第１の実施の形態に係る露光制御装置の構成を示すブロック図である。 図６は、第１の実施の形態に係る露光制御装置の動作手順を示すフローチャートである。 図７は、ダミーショット内でＷＥＥ位置より内側に位置する部分の一例を示す図である。 図８は、ダミーショット隣接チップの不良率とＷＥＥ内面積比との関係を説明するための図である。 図９は、第２の実施の形態に係る露光制御装置の構成を示すブロック図である。 図１０は、第２の実施の形態に係る露光制御装置の動作手順を示すフローチャートである。 図１１は、ウエハ面上に設定されるフォーカスレベリング値の傾向算出位置を説明するための図である。 図１２は、従来のフォーカスレベリング制御方法と本実施の形態のフォーカスレベリング制御方法との差異を説明するための図である。 図１３は、フォーカスレベリング値の傾向とダミーショット隣接チップの歩留まりに基づいたダミーショットへの露光の有無の判定方法を説明するための図である。 図１４は、スキャン方向をジグザグに蛇行させた場合のスキャン位置を示す図である。 図１５は、ラインセンサ上のフォーカスセンサを示す図である。 図１６は、露光制御装置のハードウェア構成を示す図である。

以下に添付図面を参照して、実施の形態に係る露光制御装置および半導体デバイスの製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。

（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る露光装置の構成を示す図である。露光装置１００は、ウエハ周辺の欠けショットの中からデバイスチップを取得できないダミーショット（後述のダミーショットＲｘ）を露光するか否かを判定して、ウエハの露光処理を行なう装置である。本実施の形態の露光装置１００は、ダミーショットＲｘ内の領域でＷＥＥ（Wafer Edge Exposure）などの位置よりも内側にある面積に基づいて、ダミーショットＲｘを露光するか否かを判定する。

露光装置１００は、ステップ＆スキャン型の投影露光装置であり、露光機構２と、露光制御装置１Ａと、高さ情報算出部３１と、を有している。露光機構２は、露光制御装置１Ａからの指示に基づいて、ウエハＷＡの露光処理を行なう。

露光機構２は、スリット方向ｘ１（Ｘ軸方向）にスリットが設けられてレチクル４１を載置するレチクルステージ４２と、ウエハＷＡを載置するウエハステージ４６とを備えている。露光機構２がウエハＷＡを露光する際には、レチクルステージ４２上に載置されたレチクル４１をスキャン方向ｙ１（Ｙ軸方向）に移動させながら、レチクル４１の移動に追従してウエハステージ４６上のウエハＷＡをウエハステージ４６ごと移動させる。

また、露光機構２は、露光面４４の高さを測定する高さ測定部４３ａ，４３ｂを備えている。高さ測定部４３ａは、露光面４４に光を照射し、高さ測定部４３ｂは、露光面４４からの反射光を検出する。高さ測定部４３ｂで検出された反射光は、露光面４４の高さに対応する反射光として高さ情報算出部３１に送られる。高さ情報算出部３１は、高さ測定部４３ｂから送られてくる反射光に基づいて、ウエハの高さに関するウエハ高さ情報を算出する。

露光制御装置１Ａは、ユーザなどによって入力される情報（露光パラメータ、チップに関する情報、ＷＥＥの位置に関する情報など）を用いて、ダミーショットＲｘを露光するか否かを判定するコンピュータなどの装置である。

露光制御装置１Ａは、ダミーショットＲｘを露光するか否かの判定結果に基づいて、露光機構２を制御する。また、露光制御装置１Ａはウエハ高さ情報や露光プログラムなどに基づいて、ウエハステージ４６を制御する。

ウエハステージ４６は、図示しないＺ軸駆動部に接続されており、Ｚ軸駆動部が露光制御装置１Ａからの制御指示に基づいて、ウエハステージ４６の高さ方向（Ｚ軸方向）の位置を所定の位置に駆動させる。露光装置１００は、フォーカスマージンを満たしたうえでウエハＷＡへのデバイスパターンの転写を実現するよう、フォーカスレベリング機能によってフォーカス補正やレベリング補正を行いながら露光処理を行なう。

つぎに、ダミーショットＲｘを露光するか否かの判定に用いるＷＥＥの位置について説明する。図２は、ＷＥＥの位置を説明するための図である。ウエハＷＡの外周部には、ウエハエッジＥから中心方向に向かって、エッジビード除去（Edge Bead Range）の位置（エッジビード除去位置Ｂ）、ＷＥＥの位置（ＷＥＥ位置Ａ）、有効フォーカス境界（Disable Range）の位置（ｄｒ位置Ｃ）の順番で、エッジビード除去位置Ｂ、ＷＥＥ位置Ａ、ｄｒ位置Ｃが配置されている。エッジビード除去位置Ｂ、ＷＥＥ位置Ａ、ｄｒ位置Ｃは、それぞれウエハＷＡの中心位置から所定の半径を有した円を示している。

エッジビード除去位置（エッジカット位置）Ｂは、シンナーを用いたバックリンスなどによってレジストが除去される領域とレジストが除去されない領域との境界位置である。ＷＥＥ位置Ａは、ＵＶ（ultraviolet）光などによって、レジストを除去する領域とレジストを除去しない領域（レジスト最外周領域）との境界位置である。ＷＥＥ位置Ａは、例えばレジスト塗布・現像装置内で設定されている。ｄｒ位置Ｃは、フォーカスレベリング補正を行なう領域（フォーカスレベリング補正領域）とフォーカスレベリング補正を行なわない領域との境界位置である。

エッジビード除去位置Ｂ、ＷＥＥ位置Ａ、ｄｒ位置Ｃは、それぞれユーザによって露光制御装置１Ａに入力される位置である。エッジビード除去位置Ｂ、ＷＥＥ位置Ａは、実際にウエハＷＡに対して行なうウエハ高さ変化を伴う処理（バックリンス、ウエハエッジへのシンナー塗布、ＵＶ照射）によって決まる位置であり、このためウエハの高さに関する情報を潜在的に含む。ｄｒ位置Ｃは、歩留まり、スループットなどに基づいて、ユーザが任意に設定する位置である。なお、図２ではエッジビード除去位置ＢがＷＥＥ位置ＡよりもウエハＷＡの外側に位置する場合について説明したが、必ずしもこのような位置関係には限られない。

本実施の形態の露光制御装置１Ａは、ダミーショットＲｘの領域内でＷＥＥ位置Ａよりも内側の面積に基づいて、ダミーショットＲｘを露光するか否かを判定する。なお、ダミーショットＲｘを露光するか否かの判定は、ダミーショットＲｘ内でエッジビード除去位置Ｂよりも内側にある面積に基づいて行ってもよいし、ダミーショットＲｘ内でｄｒ位置Ｃよりも内側にある面積に基づいて行ってもよい。以下では、ダミーショットＲｘ内でＷＥＥ位置Ａよりも内側にある面積に基づいて、ダミーショットＲｘを露光するか否かを判定する場合について説明する。

ここで、ダミーショットＲｘについて説明する。図３は、ダミーショットを説明するための図である。ウエハＷＡを露光する際には、ウエハＷＡ面上の略全面に露光ショットが設定される。また、露光ショットには、１〜複数のチップが配置されている。この露光ショットのうち、ウエハＷＡの外周部に配置される露光ショット（ｄｒ位置Ｃ近傍の露光ショット）は、その一部がウエハＷＡの外側にはみ出してしまう場合がある。このため、ウエハＷＡの外周部に配置される露光ショットは、露光ショット内の全てのチップパターンをウエハＷＡ上に転写することができない。

ウエハＷＡの外周部に配置される露光ショットのうち、ウエハＷＡからはみ出す領域を含んだ露光ショットが欠けショットである。そして、欠けショットの中には、有効チップ（製品として少なくとも１チップ分のパターンを形成できるチップ）を含む露光ショットと、１チップも形成できない露光ショットがある。図３では、有効チップを１チップ以上形成できる露光ショットを、有効欠けショットＱ１，Ｑ２で示し、有効チップを１チップも形成できない露光ショットをダミーショットＲ１，Ｒ２で示している。

また、図３では、有効欠けショットＱ１，Ｑ２、ダミーショットＲ１，Ｒ２よりも内側の露光ショットでショット内のチップが全て有効チップとなる露光ショットを完全ショットＰ１として図示している。

図４は、ダミーショットの一例と有効欠けショットの一例を示す図である。図４では、１ショット内に４チップ分の製品チップが配置されている場合を示している。図４の（ａ）は、ダミーショットＲｘの一例としてダミーショットＲ２を示し、図４の（ｂ）は、有効欠けショットＱｘの一例として有効欠けショットＱ２を示している。

ダミーショットＲ２には、製品チップとして製品チップｃｈ１〜ｃｈ４が配置されている。ｄｒ位置Ｃより内側に１チップ分の製品チップを形成することができれば、この製品チップは有効チップとなる。ダミーショットＲ２でウエハＷＡを露光した場合、ｄｒ位置Ｃより内側に１チップ分の製品チップを形成することができないので、製品チップｃｈ１〜ｃｈ４の何れも有効チップとはならない。

有効欠けショットＱ２には、製品チップとして製品チップｃｈ１１〜ｃｈ１４が配置されている。有効欠けショットＱ２でウエハＷＡを露光した場合、ｄｒ位置Ｃより内側に製品チップｃｈ１３を形成することができるので、製品チップｃｈ１３は有効チップとなる。

なお、以下の説明では有効欠けショットＱ１，Ｑ２などの有効チップを１チップ以上形成できる露光ショットを有効欠けショットＱｘという。また、ダミーショットＲ１，Ｒ２などの有効チップを１チップも形成できない露光ショットをダミーショットＲｘという。また、完全ショットＰ１などの露光ショット内の製品チップが全て有効チップとなる露光ショットを完全ショットＰｘという。

完全ショットＰｘや有効欠けショットＱｘは、有効チップをウエハＷＡ上に形成するため、全てのショットが露光対象となる。ダミーショットＲｘは、有効チップを形成することができないので、露光装置１００のスループット向上のためには、露光しないことが望ましい。また、ダミーショットＲｘは、ウエハＷＡ外周部の膜厚の傾斜（段差）によってデフォーカスの影響を受ける。このため、ダミーショットＲｘをウエハＷＡ上に露光すると、フォーカス不良が発生し、パターンの剥がれや倒壊を引き起こす場合がある。

一方、ダミーショットＲｘを露光しないと、ドライエッチング工程やＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）工程等のリソグラフィ以外の工程でダミーショットＲｘに隣接する有効チップの特性を劣化させてしまう。このように、ダミーショットＲｘを露光しなければ、有効チップに対する欠陥を発生させるので、歩留まりを低下させてしまう。

このため、これらのドライエッチング工程やＣＭＰ工程などの工程能力と露光装置１００のスループットロス等を勘案しながら、ダミーショットＲｘを露光するか否かを判定する必要がある。

そこで、本実施の形態の露光制御装置１Ａは、ダミーショットＲｘのデフォーカスに起因するウエハＷＡの外周部分の歩留り低下を抑えるために、各ダミーショットＲｘを露光するか否かを判断する。このため、露光制御装置１Ａへは、入力パラメータとして、フォーカスレベリング補正領域を示すｄｒ位置Ｃとともに、現像後にレジストパターンが残るレジスト最外周領域を示すＷＥＥ位置Ａを入力する。

図５は、第１の実施の形態に係る露光制御装置の構成を示すブロック図である。露光制御装置１Ａは、入力部１１、露光有無設定部（露光設定部）１２、ショットマップ作成部１３、露光指示部１４を有している。

入力部１１は、露光パラメータ、チップ情報、ＷＥＥ幅（レジスト除去領域幅）を示す情報であるＷＥＥ位置Ａ、ダミーショットＲｘの露光基準などを入力する。チップ情報は、露光ショットに配置されている製品チップのチップサイズ、チップ配列、チップレイアウトなどの製品チップに関する情報である。ダミーショットＲｘの露光基準は、ダミーショットＲｘに露光を行なわせるか、露光をスキップさせるかの判定基準である。ダミーショットＲｘの露光基準は、例えばダミーショットＲｘ内でＷＥＥ位置Ａより内側に位置する部分の面積に関する情報（閾値）である。入力部１１は、チップ情報、ＷＥＥ位置Ａ、ダミーショットＲｘの露光基準などを露光有無設定部１２に送る。

露光有無設定部１２は、チップ情報、ＷＥＥ位置Ａ、ダミーショットＲｘの露光基準などの入力部１１に入力された入力情報を用いて、ダミーショットＲｘを露光するか否かを判定し、判定結果に基づいて、ダミーショットＲｘへの露光の有無（露光有りまたは露光無し）を設定する。露光有無設定部１２は、ダミーショットＲｘに設定した露光の有無をショットマップ作成部１３に送る。

ショットマップ作成部１３は、ダミーショットＲｘに設定された露光の有無を用いて、ウエハＷＡ面上のショットマップ（露光マップ）を作成する。ショットマップは、露光ショットをウエハＷＡ上に設定したマップであり、露光を行う露光ショットの位置（座標）、露光ショットのサイズ、露光順序などが設定された情報である。本実施の形態では、ダミーショットＲｘのうち露光有無設定部１２が露光を行うよう設定した露光ショットのみがショットマップ上に設定される。ショットマップ作成部１３は、作成したショットマップを露光指示部１４に送る。

露光指示部１４は、ショットマップ作成部１３が作成したショットマップに基づいて、露光機構２にウエハＷＡの露光指示を送る。露光指示部１４は、ダミーショットＲｘのうち露光有無設定部１２が露光を行うよう設定した露光ショット（ショットマップ上のダミーショットＲｘ）と、完全ショットＰｘ、有効欠けショットＱｘのみを露光するよう露光機構２に露光指示を送る。

つぎに、第１の実施の形態に係る露光制御装置１Ａの動作手順について説明する。図６は、第１の実施の形態に係る露光制御装置の動作手順を示すフローチャートである。入力部１１へは、露光パラメータ、チップ情報、ＷＥＥ位置Ａ、ダミーショットＲｘの露光基準などが入力される（ステップＳ１０，Ｓ２０）。入力部１１は、チップ情報、ＷＥＥ位置Ａ、ダミーショットＲｘの露光基準などを露光有無設定部１２に送る。

露光有無設定部１２は、チップ情報、ＷＥＥ位置Ａ、ダミーショットＲｘの露光基準などを用いて、ダミーショットＲｘを露光するか否かを判定し、判定結果に基づいて、ダミーショットＲｘへの露光の有無を設定する（ステップＳ３０）。具体的には、露光有無設定部１２は、チップサイズとショット内のチップ配列に基づいて、露光ショットの中から欠けショットを抽出する。そして、露光有無設定部１２は、各欠けショットが有効チップを有しているか否かを判断する。露光有無設定部１２は、欠けショットの中から、有効チップを有していない欠けショットをダミーショットＲｘに設定する。また、露光有無設定部１２は、欠けショットの中から、有効チップを有している欠けショットを有効欠けショットＱｘに設定する。

ここで、ダミーショットＲｘへの露光の有無の設定方法について説明する。ダミーショットＲｘを露光しない場合、ダミーショットＲｘ内でＷＥＥ位置Ａより内側に位置する部分の面積が大きいほど、ダミーショットＲｘの近傍に配置されている製品チップに与える影響が大きくなる。そこで、露光有無設定部１２は、例えばダミーショットＲｘの面積が所定値よりも大きい場合にダミーショットＲｘを露光するよう設定し、ダミーショットＲｘ内でＷＥＥ位置Ａより内側に位置する部分の面積が所定値以下の場合にダミーショットＲｘを露光しないよう設定する。図７は、ダミーショット内でＷＥＥ位置より内側に位置する部分の一例を示す図である。図７では、ダミーショットＲ３内でＷＥＥ位置Ａより内側に位置する部分を斜線で示している。

ところで、露光装置１００のスループットの観点からは、ダミーショットＲｘであれば露光しない方が望ましい。しかしながら、ウエハＷＡの外周部分近傍で良品となる製品チップを形成するためには、ドライエッチング工程やＣＭＰ工程などのプロセスの完成度の低い時や工程能力が低い期間は、ダミーショットＲｘを打たないと周辺チップの歩留りが向上しない。一方、プロセスの完成度が高まり工程能力が改善されてくると、ダミーショットＲｘを露光しなくても、ウエハＷＡの外周部分近傍に配置された製品チップの歩留りが高くなる。

このため、本実施の形態の露光有無設定部１２は、ダミーショットＲｘに隣接する製品チップ（以下、ダミーショット隣接チップという）の不良率に基づいて、ダミーショットＲｘへの露光の有無を設定してもよい。また、露光有無設定部１２は、ダミーショットＲｘ内でＷＥＥ位置Ａよりも内側に位置する部分の面積と製品チップの面積との面積比（以下、ＷＥＥ内面積比という）に基づいてダミーショットＲｘへの露光の有無を設定してもよい。ＷＥＥ内面積比は、ダミーショットＲｘ内でＷＥＥ位置Ａよりも内側に位置する部分の面積を製品チップの面積で割った値である。ＷＥＥ内面積比は、ドライエッチング工程やＣＭＰ工程でダミーショット隣接チップに影響を与える領域に関する情報であり、製品チップの面積に対して例えば現像後にパターンが残る部分の面積の比である。

図８は、ダミーショット隣接チップの不良率とＷＥＥ内面積比との関係を説明するための図である。図８では、横軸がＷＥＥ内面積比を示し、縦軸がダミーショット隣接チップの不良率を示している。不良率曲線ｓｔ１，ｓｔ２は、露光しなかった場合の不良率を示す曲線である。

不良率曲線ｓｔ１は、初期生産段階でのＷＥＥ内面積比とダミーショット隣接チップの不良率との関係を示し、不良率曲線ｓｔ２は、プロセス完成段階でのＷＥＥ内面積比とダミーショット隣接チップの不良率との関係を示している。不良率曲線ｓｔ１，ｓｔ２に示すように、ＷＥＥ内面積比が大きくなるに従って、ダミーショット隣接チップの不良率は大きくなる。

ウエハＷＡの初期生産段階では、プロセスの完成度が低いので、ダミーショット隣接チップの不良率が高い。このため、初期生産段階では、プロセス完成段階よりもＷＥＥ位置ＡをウエハＷＡの内側に設定しておく。そして、ＷＥＥ位置ＡをウエハＷＡの内側に設定すると、ＷＥＥ内面積比が小さくなる。ところが、ＷＥＥ内面積比が小さい場合であっても、初期生産段階では、ダミーショットＲｘを露光しなかった場合にダミーショット隣接チップの不良率が高い。このため、初期生産段階では、ＷＥＥ内面積比が小さい場合であっても、ダミーショットＲｘを露光ショットに設定しておく必要がある。例えば、ダミーショット隣接チップの不良率Ａ１を満たすためには、初期生産段階の時には、ＷＥＥ内面積比がａ以下のダミーショットＲｘしか露光対象から外すことができない。

一方、プロセスの完成度が進むに従って、初期生産段階よりもＷＥＥ位置ＡをウエハＷＡの外周部側に設定しても、良品チップを形成できるように推移する。そして、ＷＥＥ位置ＡをウエハＷＡの外周部側に設定すると、ＷＥＥ内面積比が大きくなる。ところが、ＷＥＥ内面積比が大きい場合であっても、プロセス完成段階では、ダミーショットＲｘを露光しなかった場合のダミーショット隣接チップの不良率が低い。このため、プロセス完成段階では、ＷＥＥ内面積比が大きい場合であっても、ダミーショットＲｘを露光ショットに設定する必要がなくなる。例えば、不良率曲線ｓｔ２が示すように、プロセス完成段階では、ＷＥＥ内面積比が初期生産段階のａよりも大きなｂで、ダミーショット隣接チップの不良率Ａ１を満たすことが可能となる。

このことは、ダミーショットＲｘへの露光の有無の判定基準を大きなＷＥＥ内面積比に設定しても（ダミーショットＲｘの数を減らしても）、良品チップが取れるように推移することを示している。このため、ＷＥＥ内面積比がａを超える欠けショットを露光ショットに設定することは、露光を行なわせるダミーショットＲｘ数が多くなるので、露光装置１００のスループットロスにつながり、生産効率を著しく低下させてしまう。一方、ＷＥＥ内面積比がｂを越える欠けショットを露光ショットに設定することによって、露光を行なわせるダミーショットＲｘ数が少なくなるので、露光装置１００のスループットは向上する。

ダミーショット隣接チップの不良率に基づいてダミーショットＲｘへの露光の有無を設定する場合には、入力部１１にＷＥＥ内面積比や不良率曲線ｓｔ１，ｓｔ２などを入力する。これにより、露光装置１００は、ダミーショット隣接チップの不良率に応じて、ダミーショットＲｘへの露光設定を行うことが可能となる。

ウエハＷＡは、例えば同世代のデバイスであれば同じプロセスによって作製される。デバイスには多くの派生品が存在しており、同世代のデバイスであっても派生品毎にショットレイアウトは異なる。本実施の形態では、プロセスの完成度とダミーショット隣接チップの不良率に応じて、フレキシブルに露光対象とするダミーショットＲｘの数を削減している。

露光有無設定部１２は、ダミーショットＲｘに露光の有無を設定した後、ダミーショットＲｘに設定した露光の有無に関する情報、チップ情報などをショットマップ作成部１３に送る。ショットマップ作成部１３は、ダミーショットＲｘに設定された露光の有無やチップ情報などを用いて、ウエハＷＡ面上のショットマップを作成する（ステップＳ４０）。ショットマップ作成部１３は、ショットマップ上で、完全ショットＰｘと有効欠けショットＱｘを露光対象のショットに設定するとともに、露光設定有りに設定されたダミーショットＲｘを露光対象のショットに設定する。ショットマップ作成部１３は、作成したショットマップを露光指示部１４に送る。

露光指示部１４は、ショットマップ作成部１３が作成したショットマップに基づいて、露光機構２にウエハＷＡへの露光指示を送る。露光指示部１４は、全ての完全ショットＰｘと全ての有効欠けショットＱｘを露光するよう露光機構２に露光指示を送る
また、露光指示部１４は、ダミーショットＲｘのうち露光有無設定部１２が露光を行うよう設定した露光ショットのみを露光し、ダミーショットＲｘのうち露光有無設定部１２が露光を行なわないよう設定した露光ショットをスキップするよう露光機構２に露光指示を送る。これにより、露光機構２は、露光指示部１４からの指示に従ってウエハＷＡへの露光を行う（ステップＳ５０）。露光機構２は、全ての完全ショットＰｘと全ての欠けショットＱｘを露光する。また、露光機構２は、ダミーショットＲｘのうち露光有無設定部１２が露光を行うよう設定した露光ショットのみを露光する。

プロセスは日進月歩で改善がなされるので、プロセスは日々刻々と完成度が高くなっている。そこで、露光装置１００とＡＰＣシステムとを連動させ、変化するプロセスの実力を加味しながら、上述したダミーショットＲｘへの露光の有無の判定基準（ダミーショットＲｘの露光基準）の値を決定してもよい。これにより、常に効率良く露光対象とするダミーショットＲｘを設定してウエハＷＡを露光することが可能になる。

ダミーショットＲｘへの露光の有無の設定は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。露光装置１００で露光されたウエハＷＡは、その後、ウエハの現像処理、エッチング処理などが行われる。具体的には、リソグラフィ工程で転写により形成したレジストパターンでマスク材が加工され、さらにパターニングされたマスク材を使用して被加工膜がエッチングによってパターニングされる。半導体装置（半導体素子や液晶表示装置等の半導体デバイス）を製造する際には、上述したダミーショットＲｘへの露光の有無の設定、露光処理、現像処理、エッチング処理がレイヤ毎に繰り返される。

このように、レジスト塗布・現像装置内で設定されるウエハＷＡのＷＥＥ位置Ａと露光ショット内のチップレイアウトなどに基づいて、ダミーショットＲｘへの露光の有無を設定しているので、ダミーショットＲｘへの露光の有無をフレキシブルに設定することが可能となる。

また、露光装置１００のスループット向上のためには露光しないことが望ましいダミーショットＲｘへの露光の有無を、ダミーショット隣接チップの不良率、リソグラフィ工程以降のドライエッチング工程やＣＭＰ工程の工程能力、露光装置１００のスループットロス等に基づいて設定しているので、ダミーショットＲｘへの露光の有無をフレキシブルに設定することが可能となる。

したがって、ウエハＷＡ面上のショットマップをフレキシブルに作成でき、この結果、ダミーショット隣接チップの不良率を下げつつ高スループットでウエハＷＡを露光することが可能となる。

なお、本実施の形態では、ＷＥＥ内面積比を、製品チップとの面積比を用いて算出したが、ＷＥＥ内面積比を、露光ショットとの面積比を用いて算出してもよい。この場合、ＷＥＥ内面積比は、ダミーショットＲｘ内でＷＥＥ位置Ａよりも内側に位置する部分の面積と露光ショットの面積との面積比となる。

また、ネガレジストを用いてウエハＷＡを露光する場合などでは、ＷＥＥ位置Ａを用いてダミーショットＲｘへの露光の有無を設定できない。したがって、このような場合には、例えばエッジビード除去位置Ｂを用いてダミーショットＲｘへの露光の有無を設定してもよい。

また、本実施の形態では、ダミーショット隣接チップの不良率に基づいてダミーショットＲｘへの露光の有無を設定したが、複数の露光装置１００がある場合は、ダミーショットＲｘへの露光の有無を露光装置１００毎に設定してもよい。この場合、ダミーショットＲｘを露光した場合に不良率が高くなる露光装置１００には、ダミーショットＲｘへの露光を行わないようダミーショットＲｘへの露光の有無が設定される。

また、本実施の形態では、ダミーショットＲｘへの露光の有無を、ＷＥＥ内面積比を用いて判断したが、ダミーショットＲｘへの露光の有無は、ダミーショットＲｘ内のｄｒ位置ＣとＷＥＥ位置Ａとの間の領域の面積と相関がある指標であれば何れの指標を用いて判断してもよい。

このように第１の実施の形態によれば、ＷＥＥ位置Ａを用いてダミーショットＲｘへの露光の有無を設定しているので、ウエハＷＡの外周部に配置されているダミーショット隣接チップを高歩留まりで形成することが可能になるとともに、ウエハＷＡの全体を高スループットで露光することが可能となる。

（第２の実施の形態）
つぎに、図９〜図１６を用いてこの発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態では、ダミーショットＲｘ内のフォーカスレベリング値のうちＷＥＥ位置Ａよりも内側で測定されたフォーカスレベリング値を用いてダミーショットＲｘへの露光の有無を判断する。

図９は、第２の実施の形態に係る露光制御装置の構成を示すブロック図である。図９の各構成要素のうち図５に示す第１の実施の形態の露光制御装置１Ａと同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。なお、本実施の形態の露光装置１００は、図１に示した露光装置１００と比べて、露光制御装置１Ａの代わりに露光制御装置１Ｂが配置されている点が異なっている。

露光制御装置１Ｂは、入力部１１、露光有無設定部１２、ショットマップ作成部１３、露光指示部１４に加えて、露光有無判断部１５を有している。露光有無判断部１５は、露光有無設定部１２とともに露光設定部としての機能を有するものであり、ショットマップ内に設定されたダミーショットＲｘ（露光対象のダミーショットＲｘ）の中から、実際に露光を行うダミーショットＲｘと実際には露光を行わないダミーショットＲｘとを設定する。露光有無判断部１５は、ダミーショットＲｘ内のフォーカスレベリング値のうちＷＥＥ位置Ａよりも内側で測定されたフォーカスレベリング値と、ダミーショットＲｘ内のｄｒ位置Ｃよりも内側で測定されたフォーカスレベリング値と、を用いて実際に各ダミーショットＲｘへ露光を行うか否かを判断する。

つぎに、第２の実施の形態に係る露光制御装置１Ｂの動作手順について説明する。図１０は、第２の実施の形態に係る露光制御装置の動作手順を示すフローチャートである。なお、図６に示した第１の実施の形態に係る露光制御装置１Ａの動作手順と同様の動作を行う処理については、その説明を省略する。

露光制御装置１Ｂの入力部１１へは、露光制御装置１Ａと同様に、露光パラメータ、チップ情報、ＷＥＥ位置Ａ、ダミーショットＲｘの露光基準などが入力される。また、入力部１１へは、ダミーショットＲｘ内のフォーカスレベリング値が入力される。フォーカスレベリング値は、高さ情報算出部３１によって算出されるウエハ高さ情報である。入力部１１へは、高さ情報算出部３１からフォーカスレベリング値が送られる（ステップＳ１１０、Ｓ１２０）。

入力部１１は、チップ情報、ＷＥＥ位置Ａ、ダミーショットＲｘの露光基準などを露光有無設定部１２に送る。また、入力部１１は、フォーカスレベリング値を露光有無判断部１５に送る。

露光有無設定部１２は、チップ情報、ＷＥＥ位置Ａ、ダミーショットＲｘの露光基準などを用いて、ダミーショットＲｘを露光するか否かを判定し、判定結果に基づいて、ダミーショットＲｘへの露光の有無を設定する（ステップＳ１３０）。

ショットマップ作成部１３は、ダミーショットＲｘに設定された露光の有無を用いて、ウエハＷＡ面上のショットマップを作成する（ステップＳ１４０）。ショットマップ作成部１３は、作成したショットマップを露光有無判断部１５に送る。

露光有無判断部１５は、ショットマップ内に設定されたダミーショットＲｘを抽出する。また、露光有無判断部１５は、ダミーショットＲｘ内のフォーカスレベリング値のうちＷＥＥ位置Ａよりも内側のフォーカスレベリング値と、ダミーショットＲｘ内のフォーカスレベリング値のうちｄｒ位置Ｃよりも内側のフォーカスレベリング値と、をダミーショットＲｘ毎に抽出する。

露光有無判断部１５は、ダミーショットＲｘ内のＷＥＥ位置Ａよりも内側のフォーカスレベリング値とｄｒ位置Ｃよりも内側のフォーカスレベリング値とに基づいて、抽出したダミーショットＲｘの中から、実際にダミーショットＲｘへ露光を行うか否かをダミーショットＲｘ毎に判断する（ステップＳ１５０）。

具体的には、露光有無判断部１５は、ダミーショットＲｘ内のＷＥＥ位置Ａより内側のフォーカスレベリング値として、ダミーショットＲｘをスキャンした際のＸ方向のレベリング（係数）の傾向と、ダミーショットＲｘをスキャンした際のＹ方向のレベリング（係数）の傾向を算出する。また、露光有無判断部１５は、ダミーショットＲｘ内のｄｒ位置Ｃよりも内側のフォーカスレベリング値として、ダミーショットＲｘをスキャンした際のＸ方向のレベリング（係数）の傾向と、ダミーショットＲｘをスキャンした際のＹ方向のレベリング（係数）の傾向を算出する。そして、露光有無判断部１５は、ＷＥＥ位置Ａよりも内側のフォーカスレベリング値の傾向と、ｄｒ位置Ｃよりも内側のフォーカスレベリング値の傾向と、を用いて、実際にダミーショットＲｘへ露光を行うか否かを判断する。

露光有無判断部１５は、ウエハＷＡの面内上の位置毎にフォーカスレベリング値の傾向を算出しておき、ウエハＷＡの面内上の位置毎に実際にダミーショットＲｘへ露光を行うか否かを判断する。図１１は、ウエハ面上に設定されるフォーカスレベリング値の傾向算出位置を説明するための図である。例えば、ウエハＷＡの外周部に、フォーカスレベリング値の傾向算出位置がエリアＸ１〜Ｘ８として設定される。露光有無判断部１５は、エリアＸ１〜Ｘ８毎にフォーカスレベリング値の傾向を算出しておき、エリアＸ１〜Ｘ８毎に実際にダミーショットＲｘへ露光を行うか否かを判断する。

図１２は、従来のフォーカスレベリング制御方法と本実施の形態のフォーカスレベリング制御方法との差異を説明するための図である。図１２の（ａ）には、従来のフォーカスレベリング制御方法を示し、図１２の（ｂ）には、本実施の形態のフォーカスレベリング制御方法を示している。従来のフォーカスレベリング制御方法では、ｄｒ位置Ｃよりも内側の領域に対してフォーカスレベリング制御が行われている。そして、ｄｒ位置Ｃよりも外側の領域に対してはフォーカスレベリング制御が行われていない。

一方、本実施の形態のフォーカスレベリング制御方法では、ＷＥＥ位置Ａよりも内側の領域に対してフォーカスレベリング制御を行なっている。そして、ＷＥＥ位置Ａよりも外側の領域に対してはフォーカスレベリング制御を行なっていない。本実施の形態では、ＷＥＥ位置Ａよりも内側の領域に対してフォーカスレベリング制御を行なうことによって、ｄｒ位置Ｃよりも外側のウエハ高さ情報を含めたフォーカスレベリング制御を行うことが可能となる。

つぎに、露光有無判断部１５によるダミーショットＲｘへの露光の有無の判断方法について説明する。本実施の形態の露光有無判断部１５は、フォーカスレベリング値の傾向とダミーショット隣接チップの歩留まりに基づいて、ダミーショットＲｘへの露光の有無を判断する。

図１３は、フォーカスレベリング値の傾向とダミーショット隣接チップの歩留まりに基づいたダミーショットへの露光の有無の判定方法を説明するための図である。図１３の（ａ）は、ウエハＷＡ上のダミーショットＲｘにおけるフォーカスレベリング値のスキャン位置とレベリング補正係数（図１３ではスリット方向のレベリング補正係数）との対応関係を示している。図１３の（ａ）に示すグラフは、横軸がスキャン位置であり、縦軸がレベリング補正係数である。横軸のスキャン位置は、横軸の左側がウエハＷＡ面内の中心側であり、横軸の右側がウエハＷＡの外周部側である。

補正係数情報Ｔｄｒは、従来のｄｒ位置Ｃ内だけのフォーカスレベリング値を用いた場合のレベリング補正係数を示している。また、補正係数情報Ｔｗｅｅは、ＷＥＥ位置Ａ内までのフォーカスレベリング値を用いた場合のレベリング補正係数を示している。補正係数情報Ｔｄｒは、ｄｒ位置Ｃよりも外側でのレベリング補正係数が一定となっている。これは、ｄｒ位置Ｃよりも外側ではフォーカスレベリング補正が行われないからである。

一方、補正係数情報Ｔｗｅｅは、ｄｒ位置Ｃより外側であっても、ウエハＷＡの位置に応じてレベリング補正係数が大きくなっている。図１３の（ａ）では、ＷＥＥ位置Ａ（レジストを除去しない領域の最外周）での補正係数情報Ｔｗｅｅとｄｒ位置Ｃ（フォーカスレベリング補正を行なう領域の最外周）での補正係数情報Ｔｄｒとの差分を、レベリング差分Ｄとして示している。

レベリング差分Ｄは、ダミーショットＲｘ毎に種々の値を示す。そこで、露光有無判断部１５は、ｄｒ位置Ｃ内だけスキャンした場合のレベリング補正係数の履歴と、ＷＥＥ位置Ａ内までスキャンした場合のレベリング補正係数の履歴と、を用いて、ウエハＷＡのエリアＸ１〜Ｘ８毎にダミーショットＲｘへの露光の有無を判断する。したがって、高さ情報算出部３１は、ウエハＷＡのエリアＸ１〜Ｘ８毎にダミーショットＲｘ内でのレベリング補正係数を算出しておく。そして、高さ情報算出部３１は、算出したレベリング補正係数を、エリアＸ１〜Ｘ８毎に入力部１１を介して露光有無判断部１５に送る。

図１３の（ｂ）は、各ウエハＷＡのレベリング差分Ｄをレベリング差分情報Ｔｄとして示している。図１３の（ｂ）に示すグラフは、横軸がウエハＷＡを示し、縦軸がレベリング差分Ｄを示している。

図１３の（ｃ）は、各ウエハＷＡのダミーショット隣接チップの歩留まりを歩留まり情報Ｔｙｒとして示している。図１３の（ｃ）に示すグラフは、横軸が図１３の（ｂ）に示した横軸に対応しており、縦軸がダミーショット隣接チップの歩留まりを示している。

図１３の（ｂ）のレベリング差分情報Ｔｄと図１３の（ｃ）の歩留まり情報Ｔｙｒとを比較すると、レベリング差分Ｄと、ダミーショット隣接チップの歩留まりとの間には相関関係があり、レベリング差分Ｄが大きい場合に、ダミーショット隣接チップの歩留まりが低下していることが分かる。

そこで、本実施の形態では、露光有無判断部１５がレベリング差分Ｄと、ダミーショット隣接チップの歩留まりとの相関関係を算出する。さらに、レベリング差分情報Ｔｄに管理値（下限値ｍ〜上限値ｎ）を設定しておく。そして、露光有無判断部１５は、レベリング差分情報Ｔｄが管理値から外れた場合に、このレベリング差分情報Ｔｄに対応するダミーショットＲｘを露光しないよう設定する。なお、ここでは管理値として下限値ｍ〜上限値ｎを設定した場合について説明したが、管理値は、上限値ｎだけの設定であってもよい。

また、フォーカスレベリング制御を行う際の、ウエハＷＡのスキャン方向は図１２の（ｂ）に示した直線方向に限らない。例えば、フォーカスレベリング制御を行う際の、ウエハＷＡのスキャン方向を、ジグザグに蛇行させてもよい。

図１４は、スキャン方向をジグザグに蛇行させた場合のスキャン位置を示す図である。同図に示すように、スキャン領域ＳＡ内のフォーカスレベリング測定位置のうち、所定の測定位置（図１４では右から２番目の測定位置ｐ１）をジグザグに蛇行させる。このとき、測定位置ｐ１が、ｄｒ位置Ｃよりも内側の位置と、ｄｒ位置Ｃよりも外側の位置であって且つＷＥＥ位置Ａよりも内側の位置となるようスキャン領域ＳＡを移動させる。

具体的には、ウエハＷＡの露光前に行うフォーカスマッピングの際に、ウエハＷＡのスキャン方向がジグザグに蛇行するよう、ウエハステージ４６の駆動方向を制御する。これにより、ＷＥＥ位置Ａからｄｒ位置Ｃまでの間の領域が狭い場合であっても、ＷＥＥ位置Ａからｄｒ位置Ｃまでの間に多くのフォーカスレベリング検出点を設定することが可能となる。したがって、フォーカスレベリング制御を精度良く行うことが可能となる。

なお、図１５に示すように、ラインセンサ７１上のフォーカスセンサを用いて露光前にウエハ高さ情報を取得し、取得したウエハ高さ情報を用いてダミーショットＲｘへの露光の有無を判断してもよい。

ショットマップ作成部１３がショットマップを作成した後、露光指示部１４は、露光機構２に露光指示を送る。具体的には、露光指示部１４は、ショットマップ作成部１３が作成したショットマップのうち、露光有無判断部１５で露光しないと判断されたダミーショットＲｘを除外してウエハＷＡへの露光を行うよう、露光機構２に露光指示を送る。これにより、露光機構２は、露光指示部１４からの指示に従ってウエハＷＡへの露光を行う（ステップＳ１６０）。

露光機構２は、全ての完全ショットＰｘと全ての欠けショットＱｘを露光する。また、露光機構２は、ダミーショットＲｘのうち露光有無設定部１２が露光を行うよう設定した露光ショットであって、且つ露光有無判断部１５で露光すると判断された露光ショットのみを露光する。

従来、有効チップを形成することのできないダミーショットは、ｄｒ位置Ｃよりも内側で測定されたフォーカスレベリング値を用いたフォーカスレベリング制御がなされていなかった。このため、従来のダミーショットは、デフォーカス状態になり易く、パターン倒壊等に起因する欠陥不良となっていた。このため、ダミーショットの露光がダミーショット隣接チップの歩留りを低下させてしまうという問題があった。

本実施の形態では、ＷＥＥ位置Ａよりも内側で測定されたフォーカスレベリング値を用いてフォーカスレベリング制御を行っているので、デフォーカス状態になりにくくなるとともに、フォーカスを追従できないダミーショットは露光しないように設定することができる。したがって、パターン倒壊等に起因する欠陥不良を防止することが可能となる。

つぎに、露光制御装置１Ｂのハードウェア構成について説明する。図１６は、露光制御装置のハードウェア構成を示す図である。露光制御装置１Ｂは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１、ＲＯＭ（Read Only Memory）９２、ＲＡＭ（Random Access Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。露光制御装置１Ｂでは、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。

ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムである露光有無設定プログラム９７Ａ、露光有無判断プログラム９７Ｂを用いてダミーショットＲｘへの露光の有無を設定するとともに、露光有りに設定されたダミーショットＲｘへ実際に露光するか否かを判断する。表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、露光パラメータ、チップ情報、ＷＥＥ位置Ａ、ｄｒ位置Ｃ、エッジビード除去位置Ｂ、ダミーショットＲｘの露光基準などを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（露光の有無の設定や判断に必要なパラメータ等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。

露光有無設定プログラム９７Ａ、露光有無判断プログラム９７Ｂは、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図１６では、露光有無設定プログラム９７Ａ、露光有無判断プログラム９７ＢがＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。

ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされた露光有無設定プログラム９７Ａ、露光有無判断プログラム９７Ｂを実行する。具体的には、露光制御装置１Ｂでは、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内から露光有無設定プログラム９７Ａ、露光有無判断プログラム９７Ｂを読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。

露光制御装置１Ｂで実行される露光有無設定プログラム９７Ａ、露光有無判断プログラム９７Ｂは、それぞれ露光有無設定部１２、露光有無判断部１５を含むモジュール構成となっており、露光有無設定部１２、露光有無判断部１５が主記憶装置上にロードされ、露光有無設定部１２、露光有無判断部１５が主記憶装置上に生成される。また、露光制御装置１Ｂは、ショットマップを作成するショットマップ作成プログラム（図示せず）を有しており、ショットマップ作成プログラムがショットマップを作成する。

このように、本実施の形態では、補正係数情報Ｔｗｅｅと補正係数情報Ｔｄｒとを用いてレベリング差分Ｄを算出し、レベリング差分Ｄとダミーショット隣接チップの歩留まりとの相関関係に基づいて、ダミーショットＲｘへの露光の有無を判断している。したがって、デフォーカスの発生しやすいダミーショットＲｘを露光すべきか否かを、ダミーショット隣接チップの歩留まりに基づいて、適切かつ容易に判断することが可能となる。

なお、第１の実施の形態で説明した露光制御装置１Ａも露光制御装置１Ｂと同様のハードウェア構成を有している。第１の実施の形態で説明した露光制御装置１Ａは、コンピュータプログラムである露光有無設定プログラム９７Ａ、ショットマップ作成プログラムを有している。露光制御装置１Ａは、露光有無設定プログラム９７Ａ、ショットマップ作成プログラムを用いて露光の有無を設定するとともに、ショットマップを作成する。

なお、フォーカスレベリング値の傾向は、露光制御装置１Ｂ以外の他の装置によって算出してもよい。この場合、露光有無判断部１５は、他の装置によって算出されたフォーカスレベリング値の傾向を用いて、実際にダミーショットＲｘへ露光を行うか否かを判断する。

また、本実施の形態では、レベリング差分Ｄとダミーショット隣接チップの歩留まりとの相関関係に基づいて、ダミーショットＲｘへの露光の有無を判断したが、他の情報に基づいてダミーショットＲｘへの露光の有無を判断してもよい。例えば、ｄｒ位置Ｃよりも内側で得られるウエハ高さ情報とＷＥＥ位置Ａよりも内側で得られるウエハ高さ情報と、を用いた方法であれば、何れの方法によってダミーショットＲｘへの露光の有無を判断してもよい。

また、本実施の形態では、露光有無判断部１５がダミーショットＲｘへの露光の有無を判断したが、露光有無設定部１２がダミーショットＲｘへの露光の有無を判断してもよい。この場合、露光有無設定部１２が露光有無判断部１５の機能を有していればよい。

なお、露光有無判断部１５は、ダミーショットＲｘへの露光有無の判断を有効欠けショットＱｘに適用してもよい。この場合、露光有無判断部１５は、有効欠けショットＱｘ内のＷＥＥ位置Ａより内側のフォーカスレベリング値に基づいて、有効欠けショットＱｘへの露光の有無を判断する。

このように、第２の実施の形態によれば、デフォーカスの発生しやすいダミーショットＲｘを露光すべきか否かを、ダミーショット隣接チップの歩留まりに基づいて、適切かつ容易に判断することができる。これにより、ダミーショット隣接チップの歩留まりを低下させるダミーショットＲｘへの露光を回避することが可能となる。したがって、ダミーショット隣接チップを高歩留まりで形成することが可能になるとともに、ウエハＷＡの全体を高スループットで露光することが可能となる。

１Ａ，１Ｂ 露光制御装置、１２ 露光有無設定部、１４ 露光指示部、１５ 露光有無判断部、３１ 高さ情報算出部、１００ 露光装置、Ａ ＷＥＥ位置、Ｂ エッジビード除去位置、Ｃ ｄｒ位置、Ｄ レベリング差分、Ｒ１〜Ｒ３，Ｒｘ ダミーショット、
ＷＡ ウエハ

Claims (5)

1. 基板外周部に配置される露光ショット内での前記基板の高さに関する情報に基づいて、前記露光ショットを、露光するショットまたは露光しないショットの何れかに設定する露光設定部と、
   前記露光するショットへの露光指示と、前記露光しないショットに露光を行なうことなくスキップさせる指示と、を出力する露光指示部と、
   を有する露光制御装置。
2. 前記露光設定部は、
   前記基板のエッジ部でレジストが除去されるレジスト除去領域の前記エッジ部からの寸法であるレジスト除去領域幅、前記露光ショット内のチップサイズおよび前記露光ショット内のチップレイアウトに基づいて、前記露光ショットを露光するショットまたは露光しないショットの何れかに設定することを特徴とする請求項１に記載の露光制御装置。
3. 前記露光設定部は、
   前記露光ショット内で前記レジスト除去領域幅よりも内側の面積と、前記露光ショットの面積または前記露光ショット内のチップ面積と、の面積比に基づいて、前記露光ショットを露光するショットまたは露光しないショットの何れかに設定することを特徴とする請求項２に記載の露光制御装置。
4. 前記露光設定部は、
   前記基板外周部でフォーカスおよびレベリングの制御を行なう領域の最外周で測定された高さ情報と、前記レジストが除去されない領域の最外周で測定された高さ情報と、さらにを用いて、前記露光ショットを露光するショットまたは露光しないショットの何れかに設定することを特徴とする請求項２または３に記載の露光制御装置。
5. 請求項１〜４の何れか１つに記載の露光制御装置を用いて半導体デバイスを作製することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

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