JPS60236224A - 荷電粒子ビ−ム描画装置 - Google Patents
荷電粒子ビ−ム描画装置Info
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- JPS60236224A JPS60236224A JP59092533A JP9253384A JPS60236224A JP S60236224 A JPS60236224 A JP S60236224A JP 59092533 A JP59092533 A JP 59092533A JP 9253384 A JP9253384 A JP 9253384A JP S60236224 A JPS60236224 A JP S60236224A
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- pattern
- shot
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はショットサイクルを短縮した荷電粒子ビーム描
画装置に関づる。
画装置に関づる。
近時、ＬＳＩ素了や超１−８Ｉ素子の製作手段として荷
電粒子ビーム描画装置がン１目されている。
電粒子ビーム描画装置がン１目されている。
この様な荷電粒子ビーム描画装置によりパターンを描画
する場合、例えば、ｖＪｆ２粒子源からの荷電粒子ビー
ムを光軸上に配置されたレンズにより（４料上に集束さ
せると同時に、位置決め用偏向器に描画ずべきパターン
の特定位ηを示す信号と走査幅信号を与えて該ビームを
該パターン領域内で特定位置から適宜走査させて該パタ
ーンを描画する様にしている。そして、次のパターンを
１情画する時、前記位置決め用の偏向器に次のパターン
の特定位置を示す信号と走査幅信号を与えて、ビー１８
を前記の様に該パターン領域内で適宜走査さｔｌ該パタ
ーンを描画している。この時、光軸上に配置され１こブ
ランキング偏向器にピームシ」・ント）ンー号ど該ショ
ッｊ・信号が無い信号〈ブランキング伝号）から成る信
号を与えることによって、パターン描画時にはビームが
材料−Ｖに黒用される様にし、成るパターンの描画後に
次のパターンの描画に移るｌＬ’＋ （ヒ−ｌ＼が次の
パターンの特定荀圃に移動りる間）に（よビームが材料
上に照射されぬ様にしている。該パターン描画においで
各イム月を与える類１ト＋、ｔ ５１Ｌｔｒ、第１図の
１１時Ｓ、πでパターンの特定位「′ｉを小り仏Ｖ″Ｊ
ど走査幅仏シー］から成るビーム位ｉＦｌ仏月ｌ−タを
フシタル制ｉｌｌ ’Ａ ｆｉからレジスタにセラ１へ
し、該ｔｉｔ置テータを［）△変換器及びシ７ンゾを介
して位置決め用の偏向器に送る様にしている。イしく、
該１）△変換器とノ′ン／″９のレトリングタイｌｘ
’１ ｓが４￥−）１．：ｔ２１１Ｍ点で、ビームシ］
ツ１へ（八号３ｈ（’Ｆｉ１図（ａ））のデータをレジ
スタにレツ１〜し、該７゛−夕４［）△変換器どラノン
ｌを介しくｆノン１ング用偏向器に送つ（いる。ぞして
、シ・１７ト・終ｒを確認しくｌＪ日）次のシー１ツト
リイクルのスリー１へ１−り刀−１１、シ〕Ｓ１ （第
１図（１））＞を介／ｌさ１ノる様ｌＪシている。尚、
第１図の一１ｃは前記ショット終了の確、αと装置の回
路を形成しているＩＣ等の遅延等による処理タイｌｘ
ｚある。従つ（，１シ１ツトリイクルタイムはレト・リ
ングタイム。
する場合、例えば、ｖＪｆ２粒子源からの荷電粒子ビー
ムを光軸上に配置されたレンズにより（４料上に集束さ
せると同時に、位置決め用偏向器に描画ずべきパターン
の特定位ηを示す信号と走査幅信号を与えて該ビームを
該パターン領域内で特定位置から適宜走査させて該パタ
ーンを描画する様にしている。そして、次のパターンを
１情画する時、前記位置決め用の偏向器に次のパターン
の特定位置を示す信号と走査幅信号を与えて、ビー１８
を前記の様に該パターン領域内で適宜走査さｔｌ該パタ
ーンを描画している。この時、光軸上に配置され１こブ
ランキング偏向器にピームシ」・ント）ンー号ど該ショ
ッｊ・信号が無い信号〈ブランキング伝号）から成る信
号を与えることによって、パターン描画時にはビームが
材料−Ｖに黒用される様にし、成るパターンの描画後に
次のパターンの描画に移るｌＬ’＋ （ヒ−ｌ＼が次の
パターンの特定荀圃に移動りる間）に（よビームが材料
上に照射されぬ様にしている。該パターン描画においで
各イム月を与える類１ト＋、ｔ ５１Ｌｔｒ、第１図の
１１時Ｓ、πでパターンの特定位「′ｉを小り仏Ｖ″Ｊ
ど走査幅仏シー］から成るビーム位ｉＦｌ仏月ｌ−タを
フシタル制ｉｌｌ ’Ａ ｆｉからレジスタにセラ１へ
し、該ｔｉｔ置テータを［）△変換器及びシ７ンゾを介
して位置決め用の偏向器に送る様にしている。イしく、
該１）△変換器とノ′ン／″９のレトリングタイｌｘ
’１ ｓが４￥−）１．：ｔ２１１Ｍ点で、ビームシ］
ツ１へ（八号３ｈ（’Ｆｉ１図（ａ））のデータをレジ
スタにレツ１〜し、該７゛−夕４［）△変換器どラノン
ｌを介しくｆノン１ング用偏向器に送つ（いる。ぞして
、シ・１７ト・終ｒを確認しくｌＪ日）次のシー１ツト
リイクルのスリー１へ１−り刀−１１、シ〕Ｓ１ （第
１図（１））＞を介／ｌさ１ノる様ｌＪシている。尚、
第１図の一１ｃは前記ショット終了の確、αと装置の回
路を形成しているＩＣ等の遅延等による処理タイｌｘ
ｚある。従つ（，１シ１ツトリイクルタイムはレト・リ
ングタイム。
ヒーノ＼シー］ツトタイム及びＩＩＩＱ ＋！ｌ！タイ
１＼の相と／Ｉ：る。
１＼の相と／Ｉ：る。
所で、最近頓にパターン密度増大が望まれ（いることか
ら、ピームシ」ツ１ヘリイクルを加縮りることが要求さ
れている。
ら、ピームシ」ツ１ヘリイクルを加縮りることが要求さ
れている。
本発明はこの様＜ｆ要求を漏りことを目的としｌＪもの
である。
である。
即ら、前記シー１ツトリイクルタイ１１を成りｌ−・１
〜リングタイムは、成るパターンＩＭ’１両から次のパ
ターン描画に移る１、ｌ、 （ブーノン１ングｎ、’ｌ
＞にビー１１か次のパターンの特定（つ１賀に移る時
の最大（１′１間叩り、ビームが移動する最大のｖ１１
饋をぢＩａ Ｌ ｃ決められているのて一１次にショッ
トされるパターン領域迄の移動ｖｔ′ｌＩ！ｌｌｌカ小
ｉａ ＜ Ｔ ｂ 人ｄ＜’（ｂ、即ｊ、、、＋’６
＋）＋距離に拘わりなく、最大のしトリングクイ１１ろ
粁（シ」ツｌ−仁弓が介１１さね（いＩｊ、Ｌ、かじ、
前記Ｋｔ買決め用幅向系の１）へ変換器−′）ノ′ン／
σ）１“ｌヤ１がら必ヂしし最大のしトリングタイムを
必勉と１．■（す°、路次のパターン領域迄のし−１１
の移動ｙト劇ロ、二文・１応したし１ヘリングタイム（
−Ｊ、いことが分かつ／、： 、。
〜リングタイムは、成るパターンＩＭ’１両から次のパ
ターン描画に移る１、ｌ、 （ブーノン１ングｎ、’ｌ
＞にビー１１か次のパターンの特定（つ１賀に移る時
の最大（１′１間叩り、ビームが移動する最大のｖ１１
饋をぢＩａ Ｌ ｃ決められているのて一１次にショッ
トされるパターン領域迄の移動ｖｔ′ｌＩ！ｌｌｌカ小
ｉａ ＜ Ｔ ｂ 人ｄ＜’（ｂ、即ｊ、、、＋’６
＋）＋距離に拘わりなく、最大のしトリングクイ１１ろ
粁（シ」ツｌ−仁弓が介１１さね（いＩｊ、Ｌ、かじ、
前記Ｋｔ買決め用幅向系の１）へ変換器−′）ノ′ン／
σ）１“ｌヤ１がら必ヂしし最大のしトリングタイムを
必勉と１．■（す°、路次のパターン領域迄のし−１１
の移動ｙト劇ロ、二文・１応したし１ヘリングタイム（
−Ｊ、いことが分かつ／、： 、。
本発明はこの点に７．ＩＩ Ｌ、次にシ１ツトされろハ
タ−シダ１域迄のピー１１の距離に］７れ、Ｌ；／、：
ｌ−リングタイｌ＼を設ける様に成りことにより、シ三
トソ１．１ノイクルタイムを短縮化し、前記［］的を達
成したの（ある。
タ−シダ１域迄のピー１１の距離に］７れ、Ｌ；／、：
ｌ−リングタイｌ＼を設ける様に成りことにより、シ三
トソ１．１ノイクルタイムを短縮化し、前記［］的を達
成したの（ある。
本発明は、伺電粒子ビーｌＸ発／ｌ Ｆ段、該１段から
のビームを材料上に集束さける為のレンズ、−ｊジタル
制御Ｒ厘からのＸ旬置信；；、ｌｌ置仏シー）がセ・ン
トされるレジスタ、８亥Ｘ １１ンｙｒ （、’；シー
３．Ｙ＋１ン置（８号が人々供給されるＸ ７〕向位置
決め偏向器、Ｙｊｊ向位置？大め偏向器、該レジスタに
新しく送られ（＊ ／、：イ☆岡）訓３ ｉｉＭとその
前に送られ（いる（マ／ １ｉｊｉ仏弓の減粋をＩ−ｉ
なうＸ減ｎ器、Ｙ減粋器、該該×減Ｑ器どＹ減ζ′＞器
の出力の絶λ・）艙の人さいＩｊに応じＩ、“し・１〜
リングタイｉ’＝ ＩＦ１弓を”Ｉｔ ’ｌ−づる手段
、及び該Ｌトリングリイム介７１・手段の出力によつ（
、ビームｌ）臼４ｔＪｌにシ・ピントされろ峙■１を制
御りるＪフン１ング系にシー１ツト仁舅を発りるショッ
ト信号弁１１−回路を見当した新規な動電粒子ビーム描
画装置を提供りるものである。
のビームを材料上に集束さける為のレンズ、−ｊジタル
制御Ｒ厘からのＸ旬置信；；、ｌｌ置仏シー）がセ・ン
トされるレジスタ、８亥Ｘ １１ンｙｒ （、’；シー
３．Ｙ＋１ン置（８号が人々供給されるＸ ７〕向位置
決め偏向器、Ｙｊｊ向位置？大め偏向器、該レジスタに
新しく送られ（＊ ／、：イ☆岡）訓３ ｉｉＭとその
前に送られ（いる（マ／ １ｉｊｉ仏弓の減粋をＩ−ｉ
なうＸ減ｎ器、Ｙ減粋器、該該×減Ｑ器どＹ減ζ′＞器
の出力の絶λ・）艙の人さいＩｊに応じＩ、“し・１〜
リングタイｉ’＝ ＩＦ１弓を”Ｉｔ ’ｌ−づる手段
、及び該Ｌトリングリイム介７１・手段の出力によつ（
、ビームｌ）臼４ｔＪｌにシ・ピントされろ峙■１を制
御りるＪフン１ング系にシー１ツト仁舅を発りるショッ
ト信号弁１１−回路を見当した新規な動電粒子ビーム描
画装置を提供りるものである。
４１２図は本発明の一実施例としく示した電子ビーム描
画に貿の概略図である。
画に貿の概略図である。
図中１ ｆＪ電了銃、？（３１照０４レンズ、３ Ｌｔ
ｔ、ｔ＋形払の孔を石づるスリット、／１１３目うｊ
：ｌ″レンズｈｘ。
ｔ、ｔ＋形払の孔を石づるスリット、／１１３目うｊ
：ｌ″レンズｈｘ。
５ Ｙ ｊ；Ｌ前記電ｆ ｊＡ １ ｈ目）のじ−ｌ＼
の４４ Ｆｌ ６ ｌ （の位四を一１ンｌへ１１−ル
（する為の１１″７ｉ１’ｆ沃め用偏向器（ある。７は
前音１電ｆ ′＋１１からの電ｒヒーｌ＼４１１′Ｉぐ
トに配ｊ、ｉｌｌされ！ご１′）シー１ング用スリツｉ
・８の１（偏向させて材料ｌへのビーフ１の照Ｑ＝Ｉを
ＡンＡ）させる為の／シンキング用偏向器（゛ある３、
Ｉ！ＩＩＩ）、シー１ツ１−仁８が送られている間、゛
山ｒ銃からの’ｉｆｉ ｒビームを全く偏向させずｔＪ
、 ’７ノン＼ング川スリットを通過さけ、シ」ツ１゛
・仏シー）が無い］１、〜、ジノン１ング１ｇ号により
大きく偏向さし！で、ノーノン１ング用偏向器を通過さ
Ｕぬ様にｆｉ動（Ｊろ、 ９１．Ｌ ｙジタル制御ｌ装
置で、材料上にお１）るし−１１侍置を小り信号（パタ
ーンの特定１◇貿を小り１．ｉ目と、１合幅１．。
の４４ Ｆｌ ６ ｌ （の位四を一１ンｌへ１１−ル
（する為の１１″７ｉ１’ｆ沃め用偏向器（ある。７は
前音１電ｆ ′＋１１からの電ｒヒーｌ＼４１１′Ｉぐ
トに配ｊ、ｉｌｌされ！ご１′）シー１ング用スリツｉ
・８の１（偏向させて材料ｌへのビーフ１の照Ｑ＝Ｉを
ＡンＡ）させる為の／シンキング用偏向器（゛ある３、
Ｉ！ＩＩＩ）、シー１ツ１−仁８が送られている間、゛
山ｒ銃からの’ｉｆｉ ｒビームを全く偏向させずｔＪ
、 ’７ノン＼ング川スリットを通過さけ、シ」ツ１゛
・仏シー）が無い］１、〜、ジノン１ング１ｇ号により
大きく偏向さし！で、ノーノン１ング用偏向器を通過さ
Ｕぬ様にｆｉ動（Ｊろ、 ９１．Ｌ ｙジタル制御ｌ装
置で、材料上にお１）るし−１１侍置を小り信号（パタ
ーンの特定１◇貿を小り１．ｉ目と、１合幅１．。
号から成る）のＸデータとＹ−ｙ’−タ人ノンを第１×
レジスタ１０Ｘ＋ と第１Ｙレジス”１０Ｙ＋ にしラ
ットする。該第１×レジメタ１０Ｘ１＋、＋出カイλ第
２ＸＬ／ジスタ１０Ｘ２ とＭ’、＞？’＋ １１ Ｘ
ト［’）Ａ変換器１２Ｘへ送る。■、該第１Ｙレジス
タは出力を第２［ノシス′１１０）′ と減Ｑ器１１Ｙ
とＤＡ変換器１ ：、’ Ｙ ｌ、送る。前１．１第２
Ｘ、Ｙレジスタ１０Ｘ・、ＩｎＹ、ｉ、Ｌ人ノ／出ノＪ
を萌配減（）器１１Ｘ、１１Ｙノ＼」）、る１、該減り
）器１’ｌＸ、ｉｌＹは該第２Ｘ。
レジスタ１０Ｘ＋ と第１Ｙレジス”１０Ｙ＋ にしラ
ットする。該第１×レジメタ１０Ｘ１＋、＋出カイλ第
２ＸＬ／ジスタ１０Ｘ２ とＭ’、＞？’＋ １１ Ｘ
ト［’）Ａ変換器１２Ｘへ送る。■、該第１Ｙレジス
タは出力を第２［ノシス′１１０）′ と減Ｑ器１１Ｙ
とＤＡ変換器１ ：、’ Ｙ ｌ、送る。前１．１第２
Ｘ、Ｙレジスタ１０Ｘ・、ＩｎＹ、ｉ、Ｌ人ノ／出ノＪ
を萌配減（）器１１Ｘ、１１Ｙノ＼」）、る１、該減り
）器１’ｌＸ、ｉｌＹは該第２Ｘ。
Ｙｌノシスタ１ （ＩＸ？、１０Ｙ２からの出ノフによ
っ（′１ ）前（、該第２レジスタ１０Ｘ２，１０Ｙ２
から）Ｌ、 Ｉ）れ（記１））シた一ｊ′−タと１）ζ
１記第ルシスタ１（）Ｘｌ、’１０Ｙ＋からの新しいｊ
゛−タどの減０をｈ ／ｉい、Ｃの絶対１ｆｌを取って
人々スイッＪング回路１３の端子ａ、ｈど比較回路１４
に送る。該比較回路（３１前記減算器１１×からの出力
と減幹器１１Ｙの出力を比較し、人込い方を示１信号を
前記スイッ１ング回路１３にｉｌる。該スイッヂング回
路は１〜リングタイ１１光／１回路１５に繋がっＩこ端
（Ｃに接続されたスイッチＳを有し、該スイツｆ−８は
前記比較回路１４からの信号にＪ、す、前記ａ９Ｘｉ
’７’ ′）／、ＬＪ ｂ端子に繋がる。前記セトリン
グタイム光′１回路（、【予めパターン間の各ｖ０離に
対応しＩＣｔｈリンゲタ、（ムがヒラ］〜されており、
前記スイッｆング回路１３からの出ツノに１．ト１、じ
ｌごしｌ−リングタイム（、−、号をシ、１ットイ１−
シ）介／ｉ回路１〔３Ｉご送ろ０．該シ・１ツ１ヘイ８
号発牛回路は該人力され（来たし−１−リングタイ１１
に応じＩこ旧聞、前記位；心イξ；シＪが大１（前記第
１Ｘ、Ｙレジスタｌ０ＸＩ 、１０Ｙ、にし！ットされ
た時点から′Ｉｉ延さ口（、前記制ｔａｌｌ装置９から
しツ１へされたシ］ツ［へ信〉−二を）２ン１１７を介
しく前記１ランキング偏向器７に送る。尚、＋’＋ｉ＋
ｎｔ！ Ｉ）へ変換器１２Ｘ、１２ＹにｊスられたＸ
、Ｙ位置（１゜シー）ハ人１１ンＩＩ Ｅ３Ｘ、１８Ｙ
’ｇ介しく前記１１°１：Ｉｖ１決め用（−１向器ｈＸ
、５Ｙに）スられろ。
っ（′１ ）前（、該第２レジスタ１０Ｘ２，１０Ｙ２
から）Ｌ、 Ｉ）れ（記１））シた一ｊ′−タと１）ζ
１記第ルシスタ１（）Ｘｌ、’１０Ｙ＋からの新しいｊ
゛−タどの減０をｈ ／ｉい、Ｃの絶対１ｆｌを取って
人々スイッＪング回路１３の端子ａ、ｈど比較回路１４
に送る。該比較回路（３１前記減算器１１×からの出力
と減幹器１１Ｙの出力を比較し、人込い方を示１信号を
前記スイッ１ング回路１３にｉｌる。該スイッヂング回
路は１〜リングタイ１１光／１回路１５に繋がっＩこ端
（Ｃに接続されたスイッチＳを有し、該スイツｆ−８は
前記比較回路１４からの信号にＪ、す、前記ａ９Ｘｉ
’７’ ′）／、ＬＪ ｂ端子に繋がる。前記セトリン
グタイム光′１回路（、【予めパターン間の各ｖ０離に
対応しＩＣｔｈリンゲタ、（ムがヒラ］〜されており、
前記スイッｆング回路１３からの出ツノに１．ト１、じ
ｌごしｌ−リングタイム（、−、号をシ、１ットイ１−
シ）介／ｉ回路１〔３Ｉご送ろ０．該シ・１ツ１ヘイ８
号発牛回路は該人力され（来たし−１−リングタイ１１
に応じＩこ旧聞、前記位；心イξ；シＪが大１（前記第
１Ｘ、Ｙレジスタｌ０ＸＩ 、１０Ｙ、にし！ットされ
た時点から′Ｉｉ延さ口（、前記制ｔａｌｌ装置９から
しツ１へされたシ］ツ［へ信〉−二を）２ン１１７を介
しく前記１ランキング偏向器７に送る。尚、＋’＋ｉ＋
ｎｔ！ Ｉ）へ変換器１２Ｘ、１２ＹにｊスられたＸ
、Ｙ位置（１゜シー）ハ人１１ンＩＩ Ｅ３Ｘ、１８Ｙ
’ｇ介しく前記１１°１：Ｉｖ１決め用（−１向器ｈＸ
、５Ｙに）スられろ。
断くの如き装置ＮにおいＣ１第３図に小・ｌ Ｌｌ：
＋＝、パターンＰ ＋を（６１画し終り、次に１次パタ
ーン［〕２ 、 ｌ）３を描画りる場合（Ｊつい（説明
りる３、りし・１゜第４図に承り様に、パターン１）１
のシ１ツ［−１１“＋ １１１’、ｌが終った時点即ら
、Ｉｓ助点に制号ｊ装置０ ／３目）パターンＰ２のイ
Ｑ置信８のデータ（１″Ｊ定１１／ｆ’ｆの１７、尼（
ｘ２．ｙｚ）と走舎幅イΔ＞：）を第１×レジスク１０
Ｘ＋、第１Ｙレジスタ１０Ｙ、に送る。該第１Ｘ、Ｙレ
ジスタの出力は人々、第２Ｘ、’Ｉレジスタ１０Ｘ２．
１０Ｙ２ 、減粋器１１Ｘ、１１Ｙ、ＤＡ変換器１２Ｘ
、１２Ｙに送られる。ＤＡ変換器１２Ｘ、１２Ｙの出力
は夫々、アンプ１８Ｘ。
＋＝、パターンＰ ＋を（６１画し終り、次に１次パタ
ーン［〕２ 、 ｌ）３を描画りる場合（Ｊつい（説明
りる３、りし・１゜第４図に承り様に、パターン１）１
のシ１ツ［−１１“＋ １１１’、ｌが終った時点即ら
、Ｉｓ助点に制号ｊ装置０ ／３目）パターンＰ２のイ
Ｑ置信８のデータ（１″Ｊ定１１／ｆ’ｆの１７、尼（
ｘ２．ｙｚ）と走舎幅イΔ＞：）を第１×レジスク１０
Ｘ＋、第１Ｙレジスタ１０Ｙ、に送る。該第１Ｘ、Ｙレ
ジスタの出力は人々、第２Ｘ、’Ｉレジスタ１０Ｘ２．
１０Ｙ２ 、減粋器１１Ｘ、１１Ｙ、ＤＡ変換器１２Ｘ
、１２Ｙに送られる。ＤＡ変換器１２Ｘ、１２Ｙの出力
は夫々、アンプ１８Ｘ。
１８Ｙを介して位置決め用偏向器５Ｘ、５Ｙに送られる
。前記減紳器１１Ｘ、１１Ｙは大々、前記第２×、Ｙレ
ジスタからの信号により、パターンＰ ＋の特定位置の
信号（ｘｌ）、（ｙｌ）と前記パターンＰ２の特定位置
の信号（Ｘ２）、（Ｖ２）とのＸの絶対値（ｌ Ｘ ＋
−Ｘ ２ １ ） 、（ｌ Ｖ １−Ｖ２ １）を取
り、比較器１４及び端子ａ、ｂに送る。該比較器はこれ
らの絶対値の比較を行ない、（ＩＸＩ Ｘ２ ｌ）＞（
ｌＶ＋ Ｖ２ ｌ）を検知し、スイッヂング回路１３の
スイッチＳを端子ａ側に接続させる。すると、ヒトリン
グタイム発生回路１５は端子ａから入ツノされて来た距
離信号（ＩＸＩ−Ｘ２ ｌ）に対応したセトリングタイ
ム（ｔ、号をシ」ット信号発生回路１６に送るので、該
ショット信号発生回路は第４図に示す様に、前記荀β信
号がセットされたｔｓ時点からセトリングタイムＴＳ＋
後の１６時点にショット信号Ｓｈ２を）アンプ１７を介
してブランキング偏向器７にｊスる。従って、該シ・１
ツ１〜（ｉ： ”’ｙが介′１され−（いる１ＳｈＯ１
２の時間、前記（ＱｉＦ７決め用偏向器により１ントロ
ールされる（＋７四にビームがシーｌツ１〜されパター
ンＰ２が１１１１画される。そしく、該９３７１〜時間
が終了し７Ｃ１７時点にパターン１）５の（Ｃ同化シシ
のデータ（特定（１７間の信号（Ｘ３．Ｖ３＞ど１合幅
信号）が制御装置９から第１×レジスタ１０Ｘ＋。
。前記減紳器１１Ｘ、１１Ｙは大々、前記第２×、Ｙレ
ジスタからの信号により、パターンＰ ＋の特定位置の
信号（ｘｌ）、（ｙｌ）と前記パターンＰ２の特定位置
の信号（Ｘ２）、（Ｖ２）とのＸの絶対値（ｌ Ｘ ＋
−Ｘ ２ １ ） 、（ｌ Ｖ １−Ｖ２ １）を取
り、比較器１４及び端子ａ、ｂに送る。該比較器はこれ
らの絶対値の比較を行ない、（ＩＸＩ Ｘ２ ｌ）＞（
ｌＶ＋ Ｖ２ ｌ）を検知し、スイッヂング回路１３の
スイッチＳを端子ａ側に接続させる。すると、ヒトリン
グタイム発生回路１５は端子ａから入ツノされて来た距
離信号（ＩＸＩ−Ｘ２ ｌ）に対応したセトリングタイ
ム（ｔ、号をシ」ット信号発生回路１６に送るので、該
ショット信号発生回路は第４図に示す様に、前記荀β信
号がセットされたｔｓ時点からセトリングタイムＴＳ＋
後の１６時点にショット信号Ｓｈ２を）アンプ１７を介
してブランキング偏向器７にｊスる。従って、該シ・１
ツ１〜（ｉ： ”’ｙが介′１され−（いる１ＳｈＯ１
２の時間、前記（ＱｉＦ７決め用偏向器により１ントロ
ールされる（＋７四にビームがシーｌツ１〜されパター
ンＰ２が１１１１画される。そしく、該９３７１〜時間
が終了し７Ｃ１７時点にパターン１）５の（Ｃ同化シシ
のデータ（特定（１７間の信号（Ｘ３．Ｖ３＞ど１合幅
信号）が制御装置９から第１×レジスタ１０Ｘ＋。
第１Ｙレジスタ１０Ｙ＋にｊスられる。該第１Ｘ。
Ｙレジスタの出力は人々、第２Ｘ、Ｙレジスフ１０Ｘ２
．１０Ｙ２ 、減粋器１１Ｘ、１１Ｙ、［）△変換器１
２Ｘ、１２Ｙに送られる。Ｄ Ａ変換器１２Ｘ、１２Ｙ
の出力は人々、アンプ１８Ｘ、１ε３Ｙを介しＣ位置決
め用偏向器５Ｘ、５Ｙに送られる。前記減粋器１１Ｘ、
１１Ｙは大々、前記第２Ｘ、Ｙレジスタからの信８にＪ
、す、パターン１）２の特定位置の信号（Ｘ２）、（Ｖ
２）と前記パターンＰ３の特定位置の信と（Ｘ３）、Ｈ
３）どの差の絶対値（ｌＸ２−Ｘ３ ｌ）、（ｉＶｚ−
［３１）を取り、比較器１４及び６ん了ａ、ｌ’ｌに送
る。１該比較器はこれらの絶対値の比較を行ない、（Ｉ
Ｖ２−Ｖ３ １）＞（ｌＸ２ Ｘ３ １）を検知し、ス
イッヂング回路１３のスイッチＳを端子す側に接続させ
る。すると、セトリングタイム発生回路１５は端Ｙｂか
ら入力された来た距離信８（１ｙ２−１１’３１）に対
応したセトリングタイム信号をショット信号発生回路１
６に送るので、該ショッｉ・信号発生回路は第４図に示
づ一様に、前記位置信号がセットされたｔ７時点からセ
トリングタイム−■Ｓ２後のｔ８時貞にショット信号Ｓ
ｈ３をアンプ１７を介してブランキング偏向器７に送る
。従って、該ショット信号が発生されている７ ５ｈＯ
ｔ３の時開前記位置決め用偏向器により］ント１」−ル
される位置にビームがシコッ］・されパターンＰ１が描
画される。尚、第４図のタイム図から前記第１図ぐ示し
た処理タイムＪｃｌＪ説明の都合１省いた。。
．１０Ｙ２ 、減粋器１１Ｘ、１１Ｙ、［）△変換器１
２Ｘ、１２Ｙに送られる。Ｄ Ａ変換器１２Ｘ、１２Ｙ
の出力は人々、アンプ１８Ｘ、１ε３Ｙを介しＣ位置決
め用偏向器５Ｘ、５Ｙに送られる。前記減粋器１１Ｘ、
１１Ｙは大々、前記第２Ｘ、Ｙレジスタからの信８にＪ
、す、パターン１）２の特定位置の信号（Ｘ２）、（Ｖ
２）と前記パターンＰ３の特定位置の信と（Ｘ３）、Ｈ
３）どの差の絶対値（ｌＸ２−Ｘ３ ｌ）、（ｉＶｚ−
［３１）を取り、比較器１４及び６ん了ａ、ｌ’ｌに送
る。１該比較器はこれらの絶対値の比較を行ない、（Ｉ
Ｖ２−Ｖ３ １）＞（ｌＸ２ Ｘ３ １）を検知し、ス
イッヂング回路１３のスイッチＳを端子す側に接続させ
る。すると、セトリングタイム発生回路１５は端Ｙｂか
ら入力された来た距離信８（１ｙ２−１１’３１）に対
応したセトリングタイム信号をショット信号発生回路１
６に送るので、該ショッｉ・信号発生回路は第４図に示
づ一様に、前記位置信号がセットされたｔ７時点からセ
トリングタイム−■Ｓ２後のｔ８時貞にショット信号Ｓ
ｈ３をアンプ１７を介してブランキング偏向器７に送る
。従って、該ショット信号が発生されている７ ５ｈＯ
ｔ３の時開前記位置決め用偏向器により］ント１」−ル
される位置にビームがシコッ］・されパターンＰ１が描
画される。尚、第４図のタイム図から前記第１図ぐ示し
た処理タイムＪｃｌＪ説明の都合１省いた。。
本発明によれば、次に描画するパターンと１つ前に描画
したパターンの距離に応じてセトリング９イムをゆえて
、ショット信号を発生させる様にしでいるので、ショッ
トサイクルタイムを名しく短縮することが可能となる。
したパターンの距離に応じてセトリング９イムをゆえて
、ショット信号を発生させる様にしでいるので、ショッ
トサイクルタイムを名しく短縮することが可能となる。
第１図は従来の装置のタイム図、第２図は本発明の一実
施例を示した電子ビーム描画菰ＩＲの概略図、第３図は
本発明の詳細な説明を補足する図、第４図は本発明の装
置のタイム図ぐある。 １；電子銃 ５Ｘ、５Ｙ：位置決め用偏向器 ６：祠１１ ７：ｌランキング用偏向器 ８；ブランキング用スリッ１へ ９：デジタル制御ａｆ＋ｉ同 １０Ｘ＋ 、１０Ｙ＋ ：第１×レジスタ、第１Ｙレジ
スタ １０Ｘ２．１０Ｙ２ ：第２×レジスタ、第２Ｙレジス
タ １１Ｘ、１１Ｙ：減搾器 １２Ｘ、１２Ｙ：ＤＡ変換器 １３ニスイツチング回路 １４：比較器 １５： シｌ−リングタイム発ＩＵｇ回路１６：ショッ
ト信号発生回路 １７．１８Ｘ、１８Ｙ：アンプ 特許出願人 １木電了株式会ン１ 代表者 伊藤 −人 第１図 −３も ４７ （。
施例を示した電子ビーム描画菰ＩＲの概略図、第３図は
本発明の詳細な説明を補足する図、第４図は本発明の装
置のタイム図ぐある。 １；電子銃 ５Ｘ、５Ｙ：位置決め用偏向器 ６：祠１１ ７：ｌランキング用偏向器 ８；ブランキング用スリッ１へ ９：デジタル制御ａｆ＋ｉ同 １０Ｘ＋ 、１０Ｙ＋ ：第１×レジスタ、第１Ｙレジ
スタ １０Ｘ２．１０Ｙ２ ：第２×レジスタ、第２Ｙレジス
タ １１Ｘ、１１Ｙ：減搾器 １２Ｘ、１２Ｙ：ＤＡ変換器 １３ニスイツチング回路 １４：比較器 １５： シｌ−リングタイム発ＩＵｇ回路１６：ショッ
ト信号発生回路 １７．１８Ｘ、１８Ｙ：アンプ 特許出願人 １木電了株式会ン１ 代表者 伊藤 −人 第１図 −３も ４７ （。
Claims (1)
- ｎｔＭ粒子ビーム発生手段、該手段からのビームを材料
上に集束させる為のレンズ、デジタル制御装置からのＸ
位置信号、Ｙ位置信号がレットされるレジスタ、該Ｘ位
置信号、Ｙ位置信号が夫々供給されるＸ方向位置決め偏
向器、Ｙ方向位置決め偏向器、該レジスタに新しく送ら
れて来た位置信号植どその前に送られている位置信号の
減紳を行＜ｆう×減算器、Ｙ減紳器、該該×減算器とＹ
減算器の出力の絶対値の大きい方に応じたセトリングタ
イム信号を発生匁る手段、及び該セトリングタイム発生
手段の出力によって、ビームが材料上にショッ１−され
る時間を制御するブランキング系にシ１ット信号を発す
るショット信号発生回路を具備した荷電粒子ビーム描画
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092533A JPS60236224A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 荷電粒子ビ−ム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092533A JPS60236224A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 荷電粒子ビ−ム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236224A true JPS60236224A (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=14056996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59092533A Pending JPS60236224A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 荷電粒子ビ−ム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236224A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62271423A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム偏向制御方法 |
| US5134300A (en) * | 1989-12-21 | 1992-07-28 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for controlling charged particle beams in charged particle beam exposure system |
| JP2009088202A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2012015336A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Nuflare Technology Inc | 偏向アンプの評価方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662325A (en) * | 1979-10-27 | 1981-05-28 | Fujitsu Ltd | Electronic beam exposure device |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP59092533A patent/JPS60236224A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662325A (en) * | 1979-10-27 | 1981-05-28 | Fujitsu Ltd | Electronic beam exposure device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62271423A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム偏向制御方法 |
| US5134300A (en) * | 1989-12-21 | 1992-07-28 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for controlling charged particle beams in charged particle beam exposure system |
| JP2009088202A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2012015336A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Nuflare Technology Inc | 偏向アンプの評価方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
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