JPS63229822A - 荷電粒子ビ−ム描画におけるダミ−シヨツト方法 - Google Patents
荷電粒子ビ−ム描画におけるダミ−シヨツト方法Info
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- JPS63229822A JPS63229822A JP6530187A JP6530187A JPS63229822A JP S63229822 A JPS63229822 A JP S63229822A JP 6530187 A JP6530187 A JP 6530187A JP 6530187 A JP6530187 A JP 6530187A JP S63229822 A JPS63229822 A JP S63229822A
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 abstract description 6
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 abstract description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000002039 particle-beam lithography Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は材料上にビームが少しも漏れない様にダミーシ
ョットを行なう荷電粒子ビーム描画におけるダミーショ
ット方法に関する。
ョットを行なう荷電粒子ビーム描画におけるダミーショ
ット方法に関する。
［従来の技術］
近時、電子ビーム描画方法やイオンビーム描画方法等の
荷電粒子ビームを使った描画方法がＨＵＬＳＩ素子や超
々Ｌ Ｓ ｉ素子等の製作方法として脚光を浴びている
。
荷電粒子ビームを使った描画方法がＨＵＬＳＩ素子や超
々Ｌ Ｓ ｉ素子等の製作方法として脚光を浴びている
。
第２図はこの様な荷電粒子ビーム描画方法を具体化した
装置の一例として示した電子ビーム描画装置の概略図で
ある。
装置の一例として示した電子ビーム描画装置の概略図で
ある。
図中１は電子銃、２はブランキング用偏向器、３はブラ
ンキング用スリット、４は電子レンズ、５は例えば正方
形状の開口部５Ｋを持つ第１スリツト、６は電子レンズ
、７Ｘ、７Ｘは夫々Ｘ方向。
ンキング用スリット、４は電子レンズ、５は例えば正方
形状の開口部５Ｋを持つ第１スリツト、６は電子レンズ
、７Ｘ、７Ｘは夫々Ｘ方向。
Ｙ方向偏向器、８は例えば正方形状の開口部８Ｋを持つ
第２スリツト、９は電子レンズ、１０Ｘ。
第２スリツト、９は電子レンズ、１０Ｘ。
１０Ｙは夫々Ｘ方向、Ｙ方向位置決め用偏向器、１１は
データ転送部を備えた制御装置、１２，１３．１４．１
５．１６はレジスタ、１７はショット時間信号発生器、
１８．１９．２０．２１はＤＡ変換器、２２．２３．２
４．２５．２６はアンプである。
データ転送部を備えた制御装置、１２，１３．１４．１
５．１６はレジスタ、１７はショット時間信号発生器、
１８．１９．２０．２１はＤＡ変換器、２２．２３．２
４．２５．２６はアンプである。
この様な装置によって、例えば、第３図に示す様に、材
料２７上のＰの位置に矩形状のビームＥをショットする
場合には、Ｐの位置を指定するデータ（Ｘ＋ 、Ｙｌ）
が夫々レジスタ１５．１６に、ビームＥの寸法を指定す
るデータ＜Ｘ２ 、 Ｙｌ ）が夫々レジスタ１３．１
４にセットされる。そして、各々のレジスタにセットさ
れたデータはＤＡ変換器２０．２１．１８．１９及びア
ンプ２５゜２６．２３．２４を介して夫々Ｘ方向位置決
め偏向器１０Ｘ、Ｙ方向位置決め偏向器１０Ｙ、Ｘ方向
偏向器７Ｘ、Ｙ方向偏向器７Ｙに供給される。
料２７上のＰの位置に矩形状のビームＥをショットする
場合には、Ｐの位置を指定するデータ（Ｘ＋ 、Ｙｌ）
が夫々レジスタ１５．１６に、ビームＥの寸法を指定す
るデータ＜Ｘ２ 、 Ｙｌ ）が夫々レジスタ１３．１
４にセットされる。そして、各々のレジスタにセットさ
れたデータはＤＡ変換器２０．２１．１８．１９及びア
ンプ２５゜２６．２３．２４を介して夫々Ｘ方向位置決
め偏向器１０Ｘ、Ｙ方向位置決め偏向器１０Ｙ、Ｘ方向
偏向器７Ｘ、Ｙ方向偏向器７Ｙに供給される。
この時、上記制御装置１１はショツト時間を指定するデ
ータをレジスタ１２にセットする。該セットされたデー
タはショット時間信号発生器１７に送られるので、該発
生器は、該データに基づいてショット時間信号を作成し
、該信号をアンプ２２を介してブランキング用偏向器２
に送る。
ータをレジスタ１２にセットする。該セットされたデー
タはショット時間信号発生器１７に送られるので、該発
生器は、該データに基づいてショット時間信号を作成し
、該信号をアンプ２２を介してブランキング用偏向器２
に送る。
而して、電子銃１からのビームは電子レンズ４により第
１スリツト５上に照射され、該スリットの開口部５Ｋを
通過する。該間口部５Ｋを通過した断面形状が正方形状
のビームは、Ｘ方向嘔内器７Ｘ及びＹ方向偏向器７Ｙに
よりデータＸ２．Ｙｌに基づいて偏向され、電子レンズ
６により第２スリツト８の上に結像する。第４図は第１
スリツトの開口部５Ｋを通過したビームＥ１が第２スリ
ツトの開口部８にの一部に重なった様子を示したもので
ある。この様な重なり部分Ｅ２は所定寸法（Ｘ２ 、
Ｙｚ ）に対応した大きさを持ち、Ｘ方向位置決め用偏
向器１０Ｘ、ＩＯＹによりデータ×１、Ｙｌに基づいて
偏向され、電子レンズ９により材料２７上の所定位置（
Ｐ）上に結像される。
１スリツト５上に照射され、該スリットの開口部５Ｋを
通過する。該間口部５Ｋを通過した断面形状が正方形状
のビームは、Ｘ方向嘔内器７Ｘ及びＹ方向偏向器７Ｙに
よりデータＸ２．Ｙｌに基づいて偏向され、電子レンズ
６により第２スリツト８の上に結像する。第４図は第１
スリツトの開口部５Ｋを通過したビームＥ１が第２スリ
ツトの開口部８にの一部に重なった様子を示したもので
ある。この様な重なり部分Ｅ２は所定寸法（Ｘ２ 、
Ｙｚ ）に対応した大きさを持ち、Ｘ方向位置決め用偏
向器１０Ｘ、ＩＯＹによりデータ×１、Ｙｌに基づいて
偏向され、電子レンズ９により材料２７上の所定位置（
Ｐ）上に結像される。
この時、ブランキング偏向器２は第５図（ａ）に示す如
きショット時間信号に基づいて電子銃１からの電子ビー
ムを偏向する。即ち、該−内器はショット時間信号のレ
ベル“Ｏ″の部分、即ち、ショツト時間Ｔｏの間ではビ
ームを何等偏向させずにブランキング用スリット３の開
口部３Ｋを通過させ、ショット時間信号のレベル゛１′
′の部分、即ち、ショット時間Ｔｏ以外の間では電子銃
１からの電子ビームを大きく偏向させ、ブランキング用
スリット３の開口部３Ｋを全く通過させない様に作動す
る。従って、この場合、ビームはＴｏ待時間材料上ショ
ットする事になる。尚、材料上にビームをショットしな
い時は、偏向器２に上記１１１１１のレベルの信号が持
続して送られており、この間はビームはブランキングス
リット３上で大きく偏向されている。
きショット時間信号に基づいて電子銃１からの電子ビー
ムを偏向する。即ち、該−内器はショット時間信号のレ
ベル“Ｏ″の部分、即ち、ショツト時間Ｔｏの間ではビ
ームを何等偏向させずにブランキング用スリット３の開
口部３Ｋを通過させ、ショット時間信号のレベル゛１′
′の部分、即ち、ショット時間Ｔｏ以外の間では電子銃
１からの電子ビームを大きく偏向させ、ブランキング用
スリット３の開口部３Ｋを全く通過させない様に作動す
る。従って、この場合、ビームはＴｏ待時間材料上ショ
ットする事になる。尚、材料上にビームをショットしな
い時は、偏向器２に上記１１１１１のレベルの信号が持
続して送られており、この間はビームはブランキングス
リット３上で大きく偏向されている。
さて、この様な材料上へのビームショットが長時間なさ
れない状態から各偏向器に各データを与えてビームショ
ットを行なおうとする時、直ぐビームが所定位置にショ
ットされずに、最初の成る時間ビームがドリフトしてし
まう。該ドリフトは前記光学系のカラムの特性や各ＤＡ
変換器の特性等による。そこで、この様な場合、長時間
ビームショットが行なわれていない状態からビームショ
ットを行なう際の最初の特定時間、ダミーショットを行
なう様にしてこの様な問題を解決している。
れない状態から各偏向器に各データを与えてビームショ
ットを行なおうとする時、直ぐビームが所定位置にショ
ットされずに、最初の成る時間ビームがドリフトしてし
まう。該ドリフトは前記光学系のカラムの特性や各ＤＡ
変換器の特性等による。そこで、この様な場合、長時間
ビームショットが行なわれていない状態からビームショ
ットを行なう際の最初の特定時間、ダミーショットを行
なう様にしてこの様な問題を解決している。
即ち、制ｗＪ５Ａ置１１からダミ一時間を指定するデー
タをレジスタ１２へ、ビームのＸ方向の寸法及びＹ方向
の寸法を共にＯに指定するデータを夫々レジスタ１３．
１４に夫々セットする。レジスタ１３．１４にセットさ
れたデータはＤＡ変換器１８．１９及びアンプ２３．２
４を介して夫々Ｘ方向偏向器７Ｘ、Ｙ方向偏向器７Ｙに
供給される。
タをレジスタ１２へ、ビームのＸ方向の寸法及びＹ方向
の寸法を共にＯに指定するデータを夫々レジスタ１３．
１４に夫々セットする。レジスタ１３．１４にセットさ
れたデータはＤＡ変換器１８．１９及びアンプ２３．２
４を介して夫々Ｘ方向偏向器７Ｘ、Ｙ方向偏向器７Ｙに
供給される。
又、レジスタ１２にセットされたデータはショット時間
信号発生器１７に送られるので、該発生器は、該データ
に基づいてダミーショット時間信号（第５図（ｂ））を
作成し、該信号をアンプ２２を介してブランキング用偏
向器２に送る。
信号発生器１７に送られるので、該発生器は、該データ
に基づいてダミーショット時間信号（第５図（ｂ））を
作成し、該信号をアンプ２２を介してブランキング用偏
向器２に送る。
而して、電子銃１からの電子ビームはダミ一時間（Ｔｄ
）の間ブランキング用スリット３Ｋを通過して第１ス
リツト５上に照射され、該スリットの開口部５Ｋを通過
する。該開口部を通過したビームはＸ方向、Ｙ方向偏向
器７Ｘ、７Ｙにより、Ｘ方向及びＹ方向の寸法をＯに指
定するデータ（０寸法データ）に基づいて偏向されるの
で、第４図の実線Ｅｏに示す様に、第２スリツトの開口
部８にの右上角と該Ｅｏの左下角がピッタリと対向し、
その為、該第２スリツト８によりビームは遮断され、該
第２スリツト開口部８Ｋから何らビームが材料上に達し
ない。
）の間ブランキング用スリット３Ｋを通過して第１ス
リツト５上に照射され、該スリットの開口部５Ｋを通過
する。該開口部を通過したビームはＸ方向、Ｙ方向偏向
器７Ｘ、７Ｙにより、Ｘ方向及びＹ方向の寸法をＯに指
定するデータ（０寸法データ）に基づいて偏向されるの
で、第４図の実線Ｅｏに示す様に、第２スリツトの開口
部８にの右上角と該Ｅｏの左下角がピッタリと対向し、
その為、該第２スリツト８によりビームは遮断され、該
第２スリツト開口部８Ｋから何らビームが材料上に達し
ない。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし乍ら、指定されたＸ方向の寸法Ｘ２．Ｙ方向の寸
法Ｙ２夫々に対し、実際に形成されるＸ方向の寸法Ｈ，
Ｙ方向の寸法Ｖの関係は例えば、第６図に示す様に、全
く完全にリニアではない。
法Ｙ２夫々に対し、実際に形成されるＸ方向の寸法Ｈ，
Ｙ方向の寸法Ｖの関係は例えば、第６図に示す様に、全
く完全にリニアではない。
従って、上記の様にダミーショット時にＯ寸法データを
Ｘ方向、Ｙ方向偏向器７Ｘ、７Ｙに供給しても、第１ス
リツト開口部５Ｋを通過したビームは第４図の実線Ｅｏ
に示す様にはならず、破線Ｅｏ−に示す様に、左下角が
第２スリツト開口部８にの右上角部に僅かに食出して重
なってしまう。
Ｘ方向、Ｙ方向偏向器７Ｘ、７Ｙに供給しても、第１ス
リツト開口部５Ｋを通過したビームは第４図の実線Ｅｏ
に示す様にはならず、破線Ｅｏ−に示す様に、左下角が
第２スリツト開口部８にの右上角部に僅かに食出して重
なってしまう。
この様な食出しＱがあると、該食出しＱに対応したビー
ムが材料２７上に漏れ、該ビームの当った部分が露光さ
れてしまう。
ムが材料２７上に漏れ、該ビームの当った部分が露光さ
れてしまう。
本発明はこの様な問題を解決する事を目的としたもので
ある。
ある。
［問題点を解決するための手段］
そこで、本発明のダミーショット方法は、多角形状の間
口部を持つ複数のスリットと、該スリット間に配置され
、ビーム寸法指定信号が供給される事により荷電粒子ビ
ーム発生源から発生した荷電粒子ビームを各スリット間
で偏向する偏向器を持ら、最終段のスリットから所定の
寸法のビームを得る様にしたビーム寸法可変機構の該偏
向器に、ダミーショット時、上記ビーム寸法可変機構に
より寸法零のビームが形成される様な零寸法指定信号を
送ると共に、該信号に基づいて、ダミーショット時間の
間ビームがブランキングされる様にした。
口部を持つ複数のスリットと、該スリット間に配置され
、ビーム寸法指定信号が供給される事により荷電粒子ビ
ーム発生源から発生した荷電粒子ビームを各スリット間
で偏向する偏向器を持ら、最終段のスリットから所定の
寸法のビームを得る様にしたビーム寸法可変機構の該偏
向器に、ダミーショット時、上記ビーム寸法可変機構に
より寸法零のビームが形成される様な零寸法指定信号を
送ると共に、該信号に基づいて、ダミーショット時間の
間ビームがブランキングされる様にした。
［実施例］
第１図は本発明の荷電粒子ビーム描画方法を具体化した
装置の一例として示した電子ビーム描画装置の概略図で
ある。図中前記第２図にて使用した番号と同一番号の付
したものは同一構成要素である。
装置の一例として示した電子ビーム描画装置の概略図で
ある。図中前記第２図にて使用した番号と同一番号の付
したものは同一構成要素である。
図中２８Ｘ、２８Ｙ１．を夫々Ｘ方向、Ｙ方向０寸法デ
ータ検出回路で、制御装置１１からレジスタ１３．１４
にＯ寸法データがセット〜された時丈１１１１１の信号
を発生する。２９．３０はＡＮＤ回路である。
ータ検出回路で、制御装置１１からレジスタ１３．１４
にＯ寸法データがセット〜された時丈１１１１１の信号
を発生する。２９．３０はＡＮＤ回路である。
さて、ダミーショットは以下の様にして會なわれる。
制御装置１１からダミ一時間を指定するデータをレジス
タ１２へ、ビームのＸ方向の寸法及びＹ方向の寸法を共
にＯに指定するデータを夫々レジ゛スタ１３．１４にセ
ットする。レジスタ１３，１４にセットされたデータは
ＤΔ変換器１８．１９及びアンプ２３．２４を介して夫
々Ｘ方向偏向器７×、Ｙ方向偏向器７Ｙに供給される。
タ１２へ、ビームのＸ方向の寸法及びＹ方向の寸法を共
にＯに指定するデータを夫々レジ゛スタ１３．１４にセ
ットする。レジスタ１３，１４にセットされたデータは
ＤΔ変換器１８．１９及びアンプ２３．２４を介して夫
々Ｘ方向偏向器７×、Ｙ方向偏向器７Ｙに供給される。
又、レジスタ１２にセットされたデータはショット時間
信号発生器１７に送られるので、該発生器は、該データ
に基づいて第５図（ｂ）に示す如きダミーショット時間
信号を作成し、該信号をＡＮＤ回路３０の一方の入力端
子に送る。この時、Ｘ方向、Ｙ方向Ｏ寸法データ検出回
路２８Ｘ、２８Ｙは夫々、上記レジスタ１３．１４に０
寸法データがセットされた事を検出し、夫々信号１１１
ＩＩをＡＮＤ回路２９に送る。該ＡＮＤ回路は０″の
信号（第５図（Ｃ））を出力してＡＮＤ回路３０の他方
の端子に送る。該ＡＮＤ回路３０は、ダミーショットの
時間Ｔｄの間“１′″のレベルの信号（第５図（ｄ））
をブランキング用偏向器２に送るので、この間、電子銃
１からの電子ビームはブランキング用スリット３上で大
きく偏向され、完全にブランキング用スリット３により
遮蔽される。従って、材料２７上には全くビームが漏れ
る事が無い。
信号発生器１７に送られるので、該発生器は、該データ
に基づいて第５図（ｂ）に示す如きダミーショット時間
信号を作成し、該信号をＡＮＤ回路３０の一方の入力端
子に送る。この時、Ｘ方向、Ｙ方向Ｏ寸法データ検出回
路２８Ｘ、２８Ｙは夫々、上記レジスタ１３．１４に０
寸法データがセットされた事を検出し、夫々信号１１１
ＩＩをＡＮＤ回路２９に送る。該ＡＮＤ回路は０″の
信号（第５図（Ｃ））を出力してＡＮＤ回路３０の他方
の端子に送る。該ＡＮＤ回路３０は、ダミーショットの
時間Ｔｄの間“１′″のレベルの信号（第５図（ｄ））
をブランキング用偏向器２に送るので、この間、電子銃
１からの電子ビームはブランキング用スリット３上で大
きく偏向され、完全にブランキング用スリット３により
遮蔽される。従って、材料２７上には全くビームが漏れ
る事が無い。
尚、前記実施例ではダミーショット時、Ｘ方向のＯ寸法
データとＹ方向のＯ寸法データが共に検出された時、ダ
ミーショット時間の間、ブランキングが掛る様にしたが
、該Ｘ方向のＯ寸法データとＹ方向０寸法データの内、
何れかの０寸法データの検出によりブランキングが掛る
様にしても良い。
データとＹ方向のＯ寸法データが共に検出された時、ダ
ミーショット時間の間、ブランキングが掛る様にしたが
、該Ｘ方向のＯ寸法データとＹ方向０寸法データの内、
何れかの０寸法データの検出によりブランキングが掛る
様にしても良い。
又、ダミーショット時、従来通りにダミーショット時間
に対応した時間の間電子銃からのビームを、ブランキン
グ用スリットの開孔部３Ｋを通過させ、その際、０寸法
データを検出した時丈、第１スリット開口部５Ｋを通過
したビームを、該ビームが第２スリット開孔部８Ｋに重
ならない方向に少し大きめに偏向する様な偏向データを
、Ｘ方向偏向器７Ｘ、及び若しくはＹ方向偏向器７Ｙに
加算する様にして、ダミーショット時に材料上にビーム
が少しも漏れない様にしても良い。
に対応した時間の間電子銃からのビームを、ブランキン
グ用スリットの開孔部３Ｋを通過させ、その際、０寸法
データを検出した時丈、第１スリット開口部５Ｋを通過
したビームを、該ビームが第２スリット開孔部８Ｋに重
ならない方向に少し大きめに偏向する様な偏向データを
、Ｘ方向偏向器７Ｘ、及び若しくはＹ方向偏向器７Ｙに
加算する様にして、ダミーショット時に材料上にビーム
が少しも漏れない様にしても良い。
［発明の効果］
本発明によれば、ダミーショット時、荷電粒子ビーム発
生源からの荷電粒子ビームをブランキング用偏向器によ
りブランキング用スリット上で大きく偏向するか、又は
、寸法可変用の偏向器に、上方スリットの開孔部を通過
したビームが下方スリットの開孔部に重ならない方向に
大きく偏向される様な偏向データを加え、完全に該スリ
ットで遮断しているので、材料上にビームが漏れる事が
無い。
生源からの荷電粒子ビームをブランキング用偏向器によ
りブランキング用スリット上で大きく偏向するか、又は
、寸法可変用の偏向器に、上方スリットの開孔部を通過
したビームが下方スリットの開孔部に重ならない方向に
大きく偏向される様な偏向データを加え、完全に該スリ
ットで遮断しているので、材料上にビームが漏れる事が
無い。
第１図は本発明の荷電粒子ビーム描画方法を具体化した
装置の一例として示した電子ビーム描画装置の概略図、
第２図は従来の荷電粒子ビーム描両方法を具体化した装
置の一例として示した電子ビーム描画装置の概略図、第
３図と第４図は該各装置の動作の説明を補足する為に使
用した図、第５図は信号波形図、第６図は指定寸法デー
タと実際に形成された寸法の関係を示したものである。 １：電子銃 ２；ブランキング用偏向器３ニブランキ
ング用スリツト ４：電子レンズ ５：第１スリツ
ト ５に＝開口部 ６：電子レンズ ７Ｘ、７Ｘ
：Ｘ方向、Ｙ方向偏向器 ８：第２スリツト ８に
＝開口部 ９：電子レンズ １０Ｘ、１０Ｙ：Ｘ
方向、Ｙ方向位置決め用偏向器 １１：制御装置
１２゜１３．１４，１５．１６：レジスタ １７：シ
ョット時間信号発生器 １８，１９．２０，２１：Ｄ
Ａ変換器 ２２．２３．２４，２５．２６：アンプ
２７：材料 ２８Ｘ、２８Ｙ：Ｘ方向、Ｙ方向０ヰ
法データ検出回路 ２９゜３０：ＡＮＤ回路 第３図 ｏ 、。 （η） 第４図 戸。
装置の一例として示した電子ビーム描画装置の概略図、
第２図は従来の荷電粒子ビーム描両方法を具体化した装
置の一例として示した電子ビーム描画装置の概略図、第
３図と第４図は該各装置の動作の説明を補足する為に使
用した図、第５図は信号波形図、第６図は指定寸法デー
タと実際に形成された寸法の関係を示したものである。 １：電子銃 ２；ブランキング用偏向器３ニブランキ
ング用スリツト ４：電子レンズ ５：第１スリツ
ト ５に＝開口部 ６：電子レンズ ７Ｘ、７Ｘ
：Ｘ方向、Ｙ方向偏向器 ８：第２スリツト ８に
＝開口部 ９：電子レンズ １０Ｘ、１０Ｙ：Ｘ
方向、Ｙ方向位置決め用偏向器 １１：制御装置
１２゜１３．１４，１５．１６：レジスタ １７：シ
ョット時間信号発生器 １８，１９．２０，２１：Ｄ
Ａ変換器 ２２．２３．２４，２５．２６：アンプ
２７：材料 ２８Ｘ、２８Ｙ：Ｘ方向、Ｙ方向０ヰ
法データ検出回路 ２９゜３０：ＡＮＤ回路 第３図 ｏ 、。 （η） 第４図 戸。
Claims (1)
- 多角形状の開口部を持つ複数のスリットと、該スリッ
ト間に配置され、ビーム寸法指定信号が供給される事に
より荷電粒子ビーム発生源から発生した荷電粒子ビーム
を各スリット間で偏向する偏向器を持ち、最終段のスリ
ットから所定の寸法のビームを得る様にしたビーム寸法
可変機構の該偏向器に、ダミーショット時、上記ビーム
寸法可変機構により寸法零のビームが形成される様な零
寸法指定信号を送ると共に、該信号に基づいて、ダミー
ショット時間の間ビームがブランキングされる様にした
荷電粒子ビーム描画におけるダミーショット方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6530187A JPS63229822A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 荷電粒子ビ−ム描画におけるダミ−シヨツト方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6530187A JPS63229822A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 荷電粒子ビ−ム描画におけるダミ−シヨツト方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229822A true JPS63229822A (ja) | 1988-09-26 |
Family
ID=13282953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6530187A Pending JPS63229822A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 荷電粒子ビ−ム描画におけるダミ−シヨツト方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63229822A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010267909A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP6530187A patent/JPS63229822A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010267909A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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