JPS6231488B2 - - Google Patents
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- JPS6231488B2 JPS6231488B2 JP53015709A JP1570978A JPS6231488B2 JP S6231488 B2 JPS6231488 B2 JP S6231488B2 JP 53015709 A JP53015709 A JP 53015709A JP 1570978 A JP1570978 A JP 1570978A JP S6231488 B2 JPS6231488 B2 JP S6231488B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は精度の高い露光を可能にした電子線露
光装置に関する。
光装置に関する。
最近、露光速度が速く微小回路等の製造に適し
た電子線露光装置として、第１図に示す様に、単
純な形状（例えば正方形・長方形等）の孔を有す
る二つのマスクを備えたものが提案された。すな
わち、多角形状の孔h1，h2を有する二つのマスク
m1，m2をそれぞれ電子線断面形可変用偏向器ｄ
（実際にはｘ方向偏向用のものdxとｙ方向偏向用
のものdyから成る）の上下に配置し、前記第１
のマスクm1に電子線E1を投射して前記第２のマ
スクm2上に該第１のマスクm1の孔h1を通過した
電子線E2を投影する。この際、前記偏向器ｄに
よつて第１のマスクm1の孔h1を通過した電子線
を偏向制御することにより、所望の断面形状（及
び大きさ）の電子線E3を形成し、該電子線を投
影レンズ（図示せず）により試料（図示せず）上
に縮小結像させ且つ偏向器（図示せず）により該
試料上で走査させる。
た電子線露光装置として、第１図に示す様に、単
純な形状（例えば正方形・長方形等）の孔を有す
る二つのマスクを備えたものが提案された。すな
わち、多角形状の孔h1，h2を有する二つのマスク
m1，m2をそれぞれ電子線断面形可変用偏向器ｄ
（実際にはｘ方向偏向用のものdxとｙ方向偏向用
のものdyから成る）の上下に配置し、前記第１
のマスクm1に電子線E1を投射して前記第２のマ
スクm2上に該第１のマスクm1の孔h1を通過した
電子線E2を投影する。この際、前記偏向器ｄに
よつて第１のマスクm1の孔h1を通過した電子線
を偏向制御することにより、所望の断面形状（及
び大きさ）の電子線E3を形成し、該電子線を投
影レンズ（図示せず）により試料（図示せず）上
に縮小結像させ且つ偏向器（図示せず）により該
試料上で走査させる。
さて斯くの如き露光装置において、第２マスク
m2の孔h2を通過する電子ビームE3の断面のｘ方
向の辺の長さ及びｙ方向の辺の長さは、それぞれ
ｘ方向偏向用偏向器dx、ｙ方向偏向用偏向器dy
へ供給される偏向信号（偏向電圧又は偏向電流）
の大きさによつて決定される。しかし乍ら、軸ず
れ・鏡体内の温度変化・偏向器ｄの応答精度・機
械的振動・他の電気的装置からの電気的影響等に
より試料上に照射される電子ビーム断面の寸法が
所望の寸法と多少異なる。従つて、高精度露光の
ひとつの問題となつている。
m2の孔h2を通過する電子ビームE3の断面のｘ方
向の辺の長さ及びｙ方向の辺の長さは、それぞれ
ｘ方向偏向用偏向器dx、ｙ方向偏向用偏向器dy
へ供給される偏向信号（偏向電圧又は偏向電流）
の大きさによつて決定される。しかし乍ら、軸ず
れ・鏡体内の温度変化・偏向器ｄの応答精度・機
械的振動・他の電気的装置からの電気的影響等に
より試料上に照射される電子ビーム断面の寸法が
所望の寸法と多少異なる。従つて、高精度露光の
ひとつの問題となつている。
本発明はこの様な欠点を解決するためになされ
たもので、新規な電子線露光装置に関する。
たもので、新規な電子線露光装置に関する。
第２図は本発明の一実施例を示した電子線露光
装置のブロツク図で、第１図にて用いた番号と同
じ番号を付したものは同一構成要素を示す。図中
１は電子銃で、該電子銃から射出された電子線
E1は集束レンズ２により電子線断面形状可変装
置３（第１図にて述べたビーム断面形状可変装置
に相当する）の第１マスクm1上に照射される。
該電子線断面形状可変装置は、該第１マスク
m1、第２マスクm2、両者間に置かれた電子線断
面形状可変装置偏向器ｄ（ｘ方向偏向用偏向器を
dx、ｙ方向偏向用偏向器dyとする）及び集束レ
ンズ（図示せず）から構成されている。前記第
１、第２マスクにはそれぞれ特定の大きさを持つ
矩形（例えば正方形）の孔h1，h2が穿つてある。
又、前記集束レンズ（図示せず）は前記第１マス
クm1の孔h1を通過した電子線E2を第２マスクm2
上に集束する。前記電子線断面形可変用偏向器ｄ
は孔h1を通過する電子線E2を孔h2に対して偏向す
るので、第２マスクm2の孔h2を通過する電子線
E3の断面の大きさが変化する。この変化の度
合、すなわち電子線断面のｘ方向及びｙ方向の辺
の大きさは、デイジタルコンピユータ４の指令に
基づいたｘ方向辺及びｙ方向辺の大きさデータを
レジスタ５ｘ，５ｙに設定し、それぞれのデータ
をＤ―Ａ変換器６ｘ，６ｙ及び増幅器７ｘ，７ｙ
を介してｘ方向偏向用偏向器dx・ｙ方向偏向用
偏向器dyに偏向信号として供給することにより
決定される。
装置のブロツク図で、第１図にて用いた番号と同
じ番号を付したものは同一構成要素を示す。図中
１は電子銃で、該電子銃から射出された電子線
E1は集束レンズ２により電子線断面形状可変装
置３（第１図にて述べたビーム断面形状可変装置
に相当する）の第１マスクm1上に照射される。
該電子線断面形状可変装置は、該第１マスク
m1、第２マスクm2、両者間に置かれた電子線断
面形状可変装置偏向器ｄ（ｘ方向偏向用偏向器を
dx、ｙ方向偏向用偏向器dyとする）及び集束レ
ンズ（図示せず）から構成されている。前記第
１、第２マスクにはそれぞれ特定の大きさを持つ
矩形（例えば正方形）の孔h1，h2が穿つてある。
又、前記集束レンズ（図示せず）は前記第１マス
クm1の孔h1を通過した電子線E2を第２マスクm2
上に集束する。前記電子線断面形可変用偏向器ｄ
は孔h1を通過する電子線E2を孔h2に対して偏向す
るので、第２マスクm2の孔h2を通過する電子線
E3の断面の大きさが変化する。この変化の度
合、すなわち電子線断面のｘ方向及びｙ方向の辺
の大きさは、デイジタルコンピユータ４の指令に
基づいたｘ方向辺及びｙ方向辺の大きさデータを
レジスタ５ｘ，５ｙに設定し、それぞれのデータ
をＤ―Ａ変換器６ｘ，６ｙ及び増幅器７ｘ，７ｙ
を介してｘ方向偏向用偏向器dx・ｙ方向偏向用
偏向器dyに偏向信号として供給することにより
決定される。
８は投影レンズで、前記第２マスクm2の孔h2
を通過した電子線E3を試料の設けられる位置に
縮小結像する。図の状態では、本来試料が設置さ
れるべき位置に電子線を検知するための検出手段
９が試料と交換して試料移動機構（図示せず）上
に載置されている。
を通過した電子線E3を試料の設けられる位置に
縮小結像する。図の状態では、本来試料が設置さ
れるべき位置に電子線を検知するための検出手段
９が試料と交換して試料移動機構（図示せず）上
に載置されている。
該検知手段は互いに直交する二本のタングステ
ン又は金等を材質とする針金状体１０（ｘ方向の
ものが１０Ｘ、Ｙ方向のものが１０Ｙ）からなる
マーカ物体、その下方に設けられた電子線検出用
半導体検出器１１及び前記針金状体１０によつて
大角度で散乱された電子線が検出されるのを防止
する絞り板１２から構成される。１３は走査用の
偏向器で、前記コンピユータ４の走査開始指令に
基づいて作動するクロツクパルス発生器１４から
のクロツクパルスがカウンタ１５、Ｄ―Ａ変換器
１６及び増幅器１７を介して供給されることによ
り、前記投影レンズ８を通過した電子線を前記針
金状体１０上において第３図に示す如くＸ又はＹ
方向に直線的に偏向させる。該偏向により前記半
導体検出器１１に検出された信号は増幅器１８を
介して微分回路１９，２０に順次供給され、順次
一次、二次微分される。２１は前記二次微分回路
２０からの微分信号のピークと次のピークとの間
の時間を検出し、該時間に等しい幅のパルスを発
生するピーク間検出回路である。
ン又は金等を材質とする針金状体１０（ｘ方向の
ものが１０Ｘ、Ｙ方向のものが１０Ｙ）からなる
マーカ物体、その下方に設けられた電子線検出用
半導体検出器１１及び前記針金状体１０によつて
大角度で散乱された電子線が検出されるのを防止
する絞り板１２から構成される。１３は走査用の
偏向器で、前記コンピユータ４の走査開始指令に
基づいて作動するクロツクパルス発生器１４から
のクロツクパルスがカウンタ１５、Ｄ―Ａ変換器
１６及び増幅器１７を介して供給されることによ
り、前記投影レンズ８を通過した電子線を前記針
金状体１０上において第３図に示す如くＸ又はＹ
方向に直線的に偏向させる。該偏向により前記半
導体検出器１１に検出された信号は増幅器１８を
介して微分回路１９，２０に順次供給され、順次
一次、二次微分される。２１は前記二次微分回路
２０からの微分信号のピークと次のピークとの間
の時間を検出し、該時間に等しい幅のパルスを発
生するピーク間検出回路である。
２２は一方の入力端子に前記クロツクパルス発
生器１４からクロツクパルスが供給されているゲ
ート回路で、他方の入力端子に前記ピーク間検出
回路２１からパルスが供給されている間だけゲー
トを開いてクロツクパルスをカウンタ２３に供給
する。該カウンタ２３の計数値は前記レジスタ５
ｘ又は５ｙの設定値が供給されている比較回路２
４に供給される。該比較回路は前記ゲート回路２
２が閉じてから作動を開始し、前記レジスタから
の値を基準にした前記カウント値との差を前記増
幅器７ｘ，７ｙの利得を制御する利得制御回路２
５へ供給する。
生器１４からクロツクパルスが供給されているゲ
ート回路で、他方の入力端子に前記ピーク間検出
回路２１からパルスが供給されている間だけゲー
トを開いてクロツクパルスをカウンタ２３に供給
する。該カウンタ２３の計数値は前記レジスタ５
ｘ又は５ｙの設定値が供給されている比較回路２
４に供給される。該比較回路は前記ゲート回路２
２が閉じてから作動を開始し、前記レジスタから
の値を基準にした前記カウント値との差を前記増
幅器７ｘ，７ｙの利得を制御する利得制御回路２
５へ供給する。
斯くの如き露光装置の動作を便宜上ビーム断面
のｘ方向の辺の長さを例にとつて以下に説明す
る。
のｘ方向の辺の長さを例にとつて以下に説明す
る。
前述した露光装置において、ｘ方向偏向用偏向
器dx及びｙ方向偏向用偏向器dyに偏向信号を供
給しないとき、孔h1を通過した電子線E2は全く
偏向力を受けないので、孔h2からは該孔h2と同形
の寸法の電子線（最大寸法）が得られ、ｘ方向偏
向用偏向器dx及びｙ方向偏向用偏向器dyに供給
する偏向信号を大きくしていくと、それにつれて
第１図に示す様に、孔h1から電子線E2がＸ、Ｙ
方向に該偏向信号の大きさに比例した強さの偏向
力を受け、孔h2からは該偏向力に反比例した寸法
の電子線が得られるものとする。
器dx及びｙ方向偏向用偏向器dyに偏向信号を供
給しないとき、孔h1を通過した電子線E2は全く
偏向力を受けないので、孔h2からは該孔h2と同形
の寸法の電子線（最大寸法）が得られ、ｘ方向偏
向用偏向器dx及びｙ方向偏向用偏向器dyに供給
する偏向信号を大きくしていくと、それにつれて
第１図に示す様に、孔h1から電子線E2がＸ、Ｙ
方向に該偏向信号の大きさに比例した強さの偏向
力を受け、孔h2からは該偏向力に反比例した寸法
の電子線が得られるものとする。
さて、コンピユータ４の指令に基づいて、レジ
スタ５ｘにビーム断面のｘ方向の長さをx1にする
ようなデータDx1を設定する。（前述した様に、
今、ｙ方向の長さを考慮しない）該データはＤ―
Ａ変換器６ｘ及び増幅器７ｘを介してｘ方向偏向
用偏向器dxへ供給される。これと同時に、コン
ピユータ４の走査開始指令によりクロツクパルス
発生器１４はゲート回路２２及びカウンタ１５に
クロツクパルスを送り、該カウンタのカウント値
はＤ―Ａ変換器１６及び増幅器１７を介して走査
用偏向器１３に供給される。従つて、第２マスク
m2の孔h2を通過したビームは、該偏向器により
針金状体１０Ｘ上において、例えば、第４図に示
す様に左から右へ（Ｘ方向）へ一定速度で偏向さ
せられる。この時、ビーム周辺部から徐々に針金
状体１０Ｙを照射し始めるため、検出器１１に到
達する電子線量は次第に減少して零となる。今、
電子線断面における電子線の強度分布が第５図の
如く均一であると仮定すれば、この様な断面を有
する電子線を針金状体１０Ｙ上で走査させると、
検出器１１には第６図ａに示す如き波形を有する
電子線電流信号が検出される。該電子線電流は微
分回路１９，２０により順次第一次、第二次微分
され、それぞれ第６図ｂ及びｃに示す様な信号波
形になる。該第二次微分された信号がピーク間検
出回路２１に供給されると、該回路は該信号の最
初のピークP1と次のピークP2との時間的長さに等
しいパルス幅のパルス信号P0（第６図ｄ）を発生
する。該パルス信号がゲート回路２２に供給され
ると、該回路はこのパルス信号のパルス幅Px1に
相当する時間ゲートをオープンするので、この
間、クロツクパルス発生回路１４からのクロツク
パルスをカウンタ２３に通す。該カウンタが計数
した値Cx1は前記パルス信号のパルス幅Px1に相
当し、又、これはマークm2の孔h2を通過したビ
ームE3の針金状体上での電子線断面のｘ方向の
辺の長さEx1に相当する。該カウント値Cx1は前
記レジスタ５ｘから電子線断面のｘ方向の辺の長
さデータDx1が設定信号として供給されている比
較回路２４に供給される。該回路は設定値Dx1と
カウント値の差（Dx1―Cx1）を算出し、これを利
得制御回路２５へ供給する。該制御回路はDx1＞
Cx1なら、｜Dx1−Cx1｜に相当する分のゲインを
下げるように、Dx1＜Cx1なら｜Dx1−Cx1｜に相
当する分のゲインを上げるように増幅器７ｘをコ
ントロールするので、第１マスクm1の孔h1を通
過したビームは、ｘ方向偏向用偏向器dxから該
ゲイン分減増した偏向力を受け、第２マスクm2
の孔h1を通過して針金状体１０Ｙ上で走査される
ビームの断面のｘ方向の辺の長さはx1になる。
スタ５ｘにビーム断面のｘ方向の長さをx1にする
ようなデータDx1を設定する。（前述した様に、
今、ｙ方向の長さを考慮しない）該データはＤ―
Ａ変換器６ｘ及び増幅器７ｘを介してｘ方向偏向
用偏向器dxへ供給される。これと同時に、コン
ピユータ４の走査開始指令によりクロツクパルス
発生器１４はゲート回路２２及びカウンタ１５に
クロツクパルスを送り、該カウンタのカウント値
はＤ―Ａ変換器１６及び増幅器１７を介して走査
用偏向器１３に供給される。従つて、第２マスク
m2の孔h2を通過したビームは、該偏向器により
針金状体１０Ｘ上において、例えば、第４図に示
す様に左から右へ（Ｘ方向）へ一定速度で偏向さ
せられる。この時、ビーム周辺部から徐々に針金
状体１０Ｙを照射し始めるため、検出器１１に到
達する電子線量は次第に減少して零となる。今、
電子線断面における電子線の強度分布が第５図の
如く均一であると仮定すれば、この様な断面を有
する電子線を針金状体１０Ｙ上で走査させると、
検出器１１には第６図ａに示す如き波形を有する
電子線電流信号が検出される。該電子線電流は微
分回路１９，２０により順次第一次、第二次微分
され、それぞれ第６図ｂ及びｃに示す様な信号波
形になる。該第二次微分された信号がピーク間検
出回路２１に供給されると、該回路は該信号の最
初のピークP1と次のピークP2との時間的長さに等
しいパルス幅のパルス信号P0（第６図ｄ）を発生
する。該パルス信号がゲート回路２２に供給され
ると、該回路はこのパルス信号のパルス幅Px1に
相当する時間ゲートをオープンするので、この
間、クロツクパルス発生回路１４からのクロツク
パルスをカウンタ２３に通す。該カウンタが計数
した値Cx1は前記パルス信号のパルス幅Px1に相
当し、又、これはマークm2の孔h2を通過したビ
ームE3の針金状体上での電子線断面のｘ方向の
辺の長さEx1に相当する。該カウント値Cx1は前
記レジスタ５ｘから電子線断面のｘ方向の辺の長
さデータDx1が設定信号として供給されている比
較回路２４に供給される。該回路は設定値Dx1と
カウント値の差（Dx1―Cx1）を算出し、これを利
得制御回路２５へ供給する。該制御回路はDx1＞
Cx1なら、｜Dx1−Cx1｜に相当する分のゲインを
下げるように、Dx1＜Cx1なら｜Dx1−Cx1｜に相
当する分のゲインを上げるように増幅器７ｘをコ
ントロールするので、第１マスクm1の孔h1を通
過したビームは、ｘ方向偏向用偏向器dxから該
ゲイン分減増した偏向力を受け、第２マスクm2
の孔h1を通過して針金状体１０Ｙ上で走査される
ビームの断面のｘ方向の辺の長さはx1になる。
以上は電子線断面のｘ方向の辺の長さを設定す
る場合について述べたが、ｙ方向の辺の長さを設
定する場合も同様に行なわれる。
る場合について述べたが、ｙ方向の辺の長さを設
定する場合も同様に行なわれる。
尚、本発明の実施例では電子ビーム検知手段の
構成要素として針金状体が用いられているが、こ
れに限らず、要するに直線状の縁を有するものな
ら何んでもよく、例えばナイフエツヂを用いても
よい。
構成要素として針金状体が用いられているが、こ
れに限らず、要するに直線状の縁を有するものな
ら何んでもよく、例えばナイフエツヂを用いても
よい。
以上述べた様に、本発明によれば、軸ずれ・鏡
体内の温度変化・偏向器ｄの応答精度・機械的振
動・他の電気的装置からの電気的影響等により生
じる試料上に照射される電子ビーム断面の寸法と
所望のビーム断面寸法とのズレが完全に補正され
るので、高精度な露光が達成できる。
体内の温度変化・偏向器ｄの応答精度・機械的振
動・他の電気的装置からの電気的影響等により生
じる試料上に照射される電子ビーム断面の寸法と
所望のビーム断面寸法とのズレが完全に補正され
るので、高精度な露光が達成できる。
第１図は電子線の断面形状を可変する装置の説
明図、第２図は本発明の一実施例を示した電子線
露光装置のブロツク図、第３図及び第４図は第２
図の装置の一部を示す略図、第５図及び第６図は
第２図の装置の動作を説明するための略図であ
る。 １…電子銃、３…電子線断面形状可変装置、
m1…第１マスク、m2…第２マスク、dx，dy…ｘ
方向・ｙ方向偏向用偏向器、４…デイジタルコン
ピユータ、５ｘ，５ｙ…レジスタ、７ｘ，７ｙ…
増幅器、９…電子線検知手段、１０…針金状体、
１１…電子線検出用半導体検出器、１３…走査用
偏向器、１４…クロツクパルス発生器、１９，２
０…微分回路、２１…ピーク間検出回路、２２…
ゲート回路、２３…カウンタ、２４…比較回路、
２５…利得制御回路。
明図、第２図は本発明の一実施例を示した電子線
露光装置のブロツク図、第３図及び第４図は第２
図の装置の一部を示す略図、第５図及び第６図は
第２図の装置の動作を説明するための略図であ
る。 １…電子銃、３…電子線断面形状可変装置、
m1…第１マスク、m2…第２マスク、dx，dy…ｘ
方向・ｙ方向偏向用偏向器、４…デイジタルコン
ピユータ、５ｘ，５ｙ…レジスタ、７ｘ，７ｙ…
増幅器、９…電子線検知手段、１０…針金状体、
１１…電子線検出用半導体検出器、１３…走査用
偏向器、１４…クロツクパルス発生器、１９，２
０…微分回路、２１…ピーク間検出回路、２２…
ゲート回路、２３…カウンタ、２４…比較回路、
２５…利得制御回路。
Claims (1)
- １ 電子線通過孔を有する複数のマスクと、該マ
スク間に配置された電子線偏向手段と、試料に照
射する電子線の断面の長さを指定するための設定
信号を増幅して前記電子線偏向手段に供給するた
めの増幅器とを備え、前記設定信号を変えること
により試料に照射する電子線の断面形状を可変す
るようになした装置において、前記試料と置換可
能に配置される直線状の縁を有するマーカ物体
と、該マーカ物体を前記電子線で走査する走査手
段と、該走査手段による前記マーカ物体の走査に
よつて得られる信号を検出する検出手段と、該検
出手段の出力を２回微分することにより前記電子
線断面の長さに対応する信号を発生する手段と、
該手段から得られる断面の長さに対応する信号と
前記設定信号とを比較し双方の信号の差に対応し
た信号を発生する比較回路と、該比較回路の出力
信号に基づいて該双方の信号を一致させるように
前記増幅器の増幅率を制御するための回路とより
なる電子線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1570978A JPS54108580A (en) | 1978-02-13 | 1978-02-13 | Electron-beam exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1570978A JPS54108580A (en) | 1978-02-13 | 1978-02-13 | Electron-beam exposure device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54108580A JPS54108580A (en) | 1979-08-25 |
| JPS6231488B2 true JPS6231488B2 (ja) | 1987-07-08 |
Family
ID=11896286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1570978A Granted JPS54108580A (en) | 1978-02-13 | 1978-02-13 | Electron-beam exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54108580A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683029A (en) * | 1979-12-11 | 1981-07-07 | Jeol Ltd | Adjusting method of beam measurement |
| JPS5760841A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-13 | Toshiba Corp | Exposure device for electron beam |
| JPS62295419A (ja) * | 1987-05-29 | 1987-12-22 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム露光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5251871A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Rikagaku Kenkyusho | Projecting method for charge particle beams |
-
1978
- 1978-02-13 JP JP1570978A patent/JPS54108580A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5251871A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Rikagaku Kenkyusho | Projecting method for charge particle beams |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54108580A (en) | 1979-08-25 |
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