JP5350121B2 - パターン検査装置及びパターン検査方法 - Google Patents
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Description
パルス光を発生するパルス光源と、
パターンが形成された被検査試料を載置するステージと、
パルス光が被検査試料に照射されて得られる被検査試料の光学画像の各画素値を時間遅延しながら複数回検知して、検知された各画素値を光学画像の画素毎に積分する時間遅延積分型(TDI)センサと、
被検査試料に照射された後のパルス光の光量を検知する光量センサと、
光量センサにより検知された光量を入力し、パルス光の周期に同期させて、パルス毎の光量を測定する光量測定回路と、
パルス毎の光量とTDIセンサから出力された積分された画素値を入力し、光学画像の画素毎に、該当するパルス毎の光量の総光量を用いてTDIセンサから出力された積分された画素値を補正する補正部と、
補正後の積分された画素値を用いて、前記パターンの欠陥の有無を検査する検査部と、
を備え、
前記補正部は、前記光学画像の画素毎に、観測領域の設計パターンデータに基づき生成されたパターンデータのパターン密度、および被検査試料の透過率或いは反射率を用いて求められる前記観測領域における理想的な基準総光量と、前記総光量との比を演算し、前記比を用いて前記積分された画素値を補正することを特徴とする。
パルス光を発生するパルス光源と、
パターンが形成された被検査試料を載置するステージと、
パルス光が被検査試料に照射されて得られる被検査試料の光学画像の各画素値を時間遅延しながら複数回検知して、検知された各画素値を前記光学画像の画素毎に積分する時間遅延積分型(TDI)センサと、
被検査試料に照射される前のパルス光の光量を検知する光量センサと、
光量センサにより検知された光量を入力し、パルス光の周期に同期させて、パルス毎の光量を測定する光量測定回路と、
パルス毎の光量とTDIセンサから出力された積分された画素値を入力し、光学画像の画素毎に、該当する前記パルス毎の光量の総光量を用いてTDIセンサから出力された積分された画素値を補正する補正部と、
補正後の積分された画素値を用いて、パターンの欠陥の有無を検査する検査部と、
を備えたことを特徴とする。
パルス光を発生し、
時間遅延積分型(TDI)センサを用いて、パターンが形成された被検査試料にパルス光が照射されて得られる被検査試料の光学画像の各画素値を時間遅延しながら複数回検知して、検知された各画素値を光学画像の画素毎に積分し、
被検査試料に照射された後のパルス光の光量を検知し、
検知された光量を入力し、パルス光の周期に同期させて、パルス毎の光量を測定し、
パルス毎の光量とTDIセンサから出力された積分された画素値を入力し、光学画像の画素毎に、該当するパルス毎の光量の総光量を用いてTDIセンサから出力された積分された画素値を補正し、
補正後の積分された画素値を用いて、パターンの欠陥の有無を検査し、
前記補正の際、前記光学画像の画素毎に、観測領域の設計パターンデータに基づき生成されたパターンデータのパターン密度、および被検査試料の透過率或いは反射率を用いて求められる前記観測領域における理想的な基準総光量と、前記総光量との比を演算し、前記比を用いて前記積分された画素値を補正することを特徴とする。
パルス光を発生し、
時間遅延積分型(TDI)センサを用いて、パターンが形成された被検査試料にパルス光が照射されて得られる被検査試料の光学画像の各画素値を時間遅延しながら複数回検知して、検知された各画素値を光学画像の画素毎に積分し、
被検査試料に照射される前のパルス光の光量を検知し、
検知された光量を入力し、パルス光の周期に同期させて、パルス毎の光量を測定し、
パルス毎の光量とTDIセンサから出力された積分された画素値を入力し、光学画像の画素毎に、該当するパルス毎の光量の総光量を用いてTDIセンサから出力された積分された画素値を補正し、
補正後の積分された画素値を用いて、パターンの欠陥の有無を検査することを特徴とする。
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す概念図である。図1において、試料、例えばマスクの欠陥を検査する検査装置100は、光学画像取得部150と制御系回路160を備えている。光学画像取得部150は、パルス光源103、XYθテーブル102、照明光学系170、拡大光学系104、時間遅延積分型(TDI)センサ105、センサ回路106、光量センサ172、レーザ測長システム122、及びオートローダ130を備えている。制御系回路160では、コンピュータとなる制御計算機110が、バス120を介して、位置回路107、比較回路108、参照回路112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、パルスコントローラ140、光量モニタ回路142、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレシキブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118、及びプリンタ119に接続されている。光量センサ172は、TDIセンサ105の手前、すなわち、XYθテーブル102を透過後であってTDIセンサ105で受光する前の光の光量を検知できる位置に配置されている。また、センサ回路106は、ストライプパターンメモリ123に接続され、ストライプパターンメモリ123は、比較回路108に接続されている。また、XYθテーブル102は、X軸モータ、Y軸モータ、θ軸モータにより駆動される。XYθテーブル102は、ステージの一例となる。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。検査装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
実施の形態1では、被検査試料を透過或いは反射した光であってTDIセンサ105が受光する前の光の光量を測定したが、これに限るものではない。実施の形態2では、フォトマスク101を透過する前の光の光量を光量センサによって検知する構成について説明する。
20 検査ストライプ
22 被検査領域
30 センサ画素
31 変形
32,34 画素
36,38 パターン
40,74 シフトレジスタ
41,62,72 加算器
42 積算回路
44 補正係数算出部
46 デジタルアンプ
48 I/F回路
52,54 アンプ
56,58 A/D変換器
66,70 レジスタ
64 減算器
100 検査装置
101 フォトマスク
102 XYθテーブル
103 パルス光源
104 拡大光学系
105 TDIセンサ
106 センサ回路
107 位置回路
108 比較回路
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
112 参照回路
113 オートローダ制御回路
114 テーブル制御回路
115 磁気テープ装置
116 FD
117 CRT
118 パターンモニタ
119 プリンタ
120 バス
122 レーザ測長システム
123 ストライプパターンメモリ
130 オートローダ
140 パルスコントローラ
142 光量モニタ回路
150 光学画像取得部
160 制御系回路
170 照明光学系
172,174 光量センサ
Claims (5)
- パルス光を発生するパルス光源と、
パターンが形成された被検査試料を載置するステージと、
前記パルス光が前記被検査試料に照射されて得られる前記被検査試料の光学画像の各画素値を時間遅延しながら複数回検知して、検知された各画素値を前記光学画像の画素毎に積分する時間遅延積分型(TDI)センサと、
前記被検査試料に照射された後の前記パルス光の光量を検知する光量センサと、
前記光量センサにより検知された光量を入力し、前記パルス光の周期に同期させて、パルス毎の光量を測定する光量測定回路と、
前記パルス毎の光量と前記TDIセンサから出力された積分された画素値を入力し、前記光学画像の画素毎に、該当する前記パルス毎の光量の総光量を用いて前記TDIセンサから出力された積分された画素値を補正する補正部と、
補正後の積分された画素値を用いて、前記パターンの欠陥の有無を検査する検査部と、
を備え、
前記補正部は、前記光学画像の画素毎に、観測領域の設計パターンデータに基づき生成されたパターンデータのパターン密度、および被検査試料の透過率或いは反射率を用いて求められる前記観測領域における理想的な基準総光量と、前記総光量との比を演算し、前記比を用いて前記積分された画素値を補正することを特徴とするパターン検査装置。 - 前記TDIセンサが検知する各画素値のパルス数を可変にすることで、前記総光量は可変にされることを特徴とする請求項1記載のパターン検査装置。
- 前記総光量に使用される光量のパルス数は、前記TDIセンサが積分する画素値の数の整数倍であることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン検査装置。
- 前記補正部は、前記TDIセンサから出力された積分された画素値に前記比を乗じることを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のパターン検査装置。
- パルス光を発生し、
時間遅延積分型(TDI)センサを用いて、パターンが形成された被検査試料に前記パルス光が照射されて得られる前記被検査試料の光学画像の各画素値を時間遅延しながら複数回検知して、検知された各画素値を前記光学画像の画素毎に積分し、
前記被検査試料に照射された後の前記パルス光の光量を検知し、
検知された光量を入力し、前記パルス光の周期に同期させて、パルス毎の光量を測定し、
前記パルス毎の光量と前記TDIセンサから出力された積分された画素値を入力し、前記光学画像の画素毎に、該当する前記パルス毎の光量の総光量を用いて前記TDIセンサから出力された積分された画素値を補正し、
補正後の積分された画素値を用いて、前記パターンの欠陥の有無を検査し、
前記補正の際、前記光学画像の画素毎に、観測領域の設計パターンデータに基づき生成されたパターンデータのパターン密度、および被検査試料の透過率或いは反射率を用いて求められる前記観測領域における理想的な基準総光量と、前記総光量との比を演算し、前記比を用いて前記積分された画素値を補正することを特徴とするパターン検査方法。
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