JP4744980B2 - パターン検証方法、そのプログラム、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1の実施形態では、規定パターン寸法以下のパターン抽出を行ない、これらについてのみリソグラフィシミュレーションを実施する例について説明する。図1は、第1の実施形態に係るパターン検証方法のフローチャートである。実施形態に特有なステップについてのみステップ番号を付す。以下の実施形態においても同様とする。
第2の実施形態では、レイアウトデータより、規定寸法以下のデータを抽出する例について説明する。図6は、第2の実施形態に係るパターン評価方法に係るフローチャートである。
第2の実施形態ではエッジの分類をパターン寸法で行ったが、パターン粗密で分類しても実現可能である。第3の実施形態では、このような例を説明する。なお、密なパターンとは規定寸法以下のライン・アンド・スペース(L/S)パターンや、単位面積当たりの配線数が多いパターンとして定義できる。疎なパターンとは密パターン以外である。
第4の実施形態では、MISFETパターンの検証方法について説明する。図8は、第4の実施形態に係るパターン検証方法のフローチャートである。図8のフローチャートのステップ4−1にてゲート配線(Poly)131とソース・ドレイン拡散層(Diffusion)132の論理積が取れる部分(And部)をゲート(Gate)部として抽出する。図9(a)に示すようなパターンの場合、図9(b)の141がゲート(Gate)部として抽出される。
第5の実施形態では、パターン種や寸法、粗密によって抽出、分類されたパターンエッジに対して、リソグラフィシミュレーションモデルをどのように適用するかについて説明する。
第6の実施形態では、パターン種や寸法、粗密によって抽出、分類されたパターンエッジに対して、リソグラフィシミュレーションに取り込む対象範囲をどのように適用するかについて説明する。
第7の実施形態では、パターン種や寸法、粗密によって抽出、分類されたパターンエッジに対して、リソグラフシミュレーションに取り込む誤差要因をどのように適用するかについて説明する。
第8の実施形態では、リソグラフィーシミュレーションの代わりにルールベースで行う単純な寸法チェック(デザインルールチェック:DRC)について説明する。
第9の実施形態では、パターン種や寸法、粗密によって抽出、分類されたパターンエッジに対して、リソグラフシミュレーション後に適用する検証スペックをどのように適用するかについて説明する。
(10)前記結像系に関する誤差とは、フォーカス量の製造上のばらつきを考慮したリソグラフィシミュレーションである。
(11)前記パターン寸法若しくはパターン種によって分類する条件とは、パターン寸法、デバイス重要度、粗密である。
(21)前記シミュレーション条件に応じて変化させる検証スペックとは、高精度なシミュレーションモデルを用いたシミュレーションを行ったパターンに対しては厳しいスペックを適用し、シミュレーション精度を落としたシミュレーションを行ったパターンに対しては緩いスペックを適用する。
(23)上記のパターン検証方法を用いて、露光マスクのマスクパターンを補正する。
(24)上記のパターン検証方法、修正方法、補正方法を用いて、半導体集積回路パターン検証、修正、補正記憶媒体を作成する。
(25)上記のパターン検証方法、修正方法、補正方法を用いて、半導体集積回路パターン検証、修正、補正装置を製作する。
105〜107…配線間隙
111〜114…評価対象エッジ
121…エッジ分割点
122…シミュレーション評価点
131…ゲート配線(Poly)
132…ソース・ドレイン拡散層(Diffusion)
133…コンタクト・ヴィア(Contact/Via)
141…ゲート(Gate)部
142…コンタクト・ヴィア(Contact/Via)部
143…エンドキャップ(EndCap)部
144…ダミーパターン
151,152…シミュレーション対象範囲
Claims (5)
- 規定パターン寸法以下のパターンを抽出する工程と、
前記抽出されたパターンからリソグラフィシミュレーションの対象となるパターンエッジを、高精度シミュレーションエッジと精度を落とすエッジに分類して抽出する工程と、
前記抽出されたパターンエッジに対して、高精度評価エッジは評価点数を増やし、精度を落とすエッジは評価点数を減らしてシミュレーションを実施して、パターンの検証を行なう工程と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路パターン検証方法。 - 集積回路パターンをパターン寸法若しくはパターン種によって複数のパターン集に分類する工程と、
前記分類された複数のパターン集に対し、シミュレーションポイント毎に各々の条件に応じた対象範囲を定め、対象範囲毎に条件を変えてリソグラフィシミュレーションを実施して、パターンの検証を行なう工程と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路パターンの検証方法。 - 規定値以上の公差が許容されているパターン、最小寸法のみ規定されているパターン、および規定の対象範囲内で環境が略一定のパターンに対しては、前記リソグラフィシミュレーションを行なう工程に代えて、デザインルールに基づく寸法チェックを行なう工程を具備することを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路パターン検証方法。
- 請求項1〜3の半導体集積回路パターン検証方法を、コンピュータに実行させる手順を記述したパターン検証プログラム。
- 請求項1〜3に記載のパターン検証方法に基づいて検証されたマスクパターンを、半導体基板上に形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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