JP4247104B2 - パターン検証方法、パターン検証システム - Google Patents
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Description
従来手法の出力結果は所望パターン、すなわち「理想」とするデータとの比較であるため、前記2種類のきりわけをすることができなかった。
図1は、本発明の第1の実施形態に係わるパターン検証方法の手順の概略を示すフローチャートである。図2は、本発明の第1の実施形態に係わるパターン検証方法の説明に用いる図である。
ω,ω’:空間周波数
I(t):位置座標tにおける光強度を表す関数
M(ω):周波数平面におけるマスク複素透過率分布のフーリエ変換
M(ω')*: 周波数平面におけるマスク複素透過率分布のフーリエ変換の複素共役
i:虚数単位
Hopkinsの式を用いて、光強度I(t1)を計算するには、以下の前計算を行う必要がある。
本発明では、図8に示すフローに従って、マスクパターンに光近接効果補正を施したパターンに対して、各プロセスパラメータを設定された範囲で変動させて、ウェハ上に生成されるパターンとウェハ上の所望パターンとの位置ずれ量を各パラメーターについて調べ、すべての位置ずれ量のバラツキと、平均値を求めた。その結果、平均値は予め決めたスペックの範囲内であったものの、バラツキは予め決められたものより大きかったために、ウェハ上の所望パターンを与えるための推奨レイアウトを下記の手順で出力した。
パターンの微細化が進むにつれ、第1及び第2の実施形態で、エッジ位置ずれ量を算出する場合に、特にコーナー部分などの精度をさらに上げる必要性が出てくる場合がある。本実施形態では、第1の実施形態におけるステップST14,第2の実施形態におけるST57と異なる位置ズレ量算出方法(以下、スロープ法)について、説明する。
本実施形態では、レイアウトに対してあらかじめ決められたフォーカスマージンの範囲で、ウェハ上の所望パターンエッジ上の光強度(log dose)とその光強度の傾きを求め、この値から、露光マージンを算出する。
図25は、本発明の第4の実施形態に係わるパターン検証方法の手順の概略を示すフローチャートである。図1に示したフローチャートと同様なステップには、同一符号を付し説明を省略する。また、図26のED−treeを参照して本実施形態を説明する。
露光量マージン=光強度(log dose)[無次元]+傾き[1/μm]×寸法[μm]
により与えられる。そこで、ベストフォーカス/デフォーカス条件でそれぞれ求められた傾きと寸法トレランスを用いて、露光量マージンをそれぞれ算出する。
この式から、本実施形態においては、7.98%−0.1452%(差分=1.819103−1.605271=0.000305を基準光強度0.201089を用いて露光量マージンに換算したもの)より、単独露光量マージンDMsが7.97%と算出される(ステップST77)。従来法により求めたこのレイアウトのマージンは7.75%であり、両者はほぼ一致している。
本実施形態では、90nmの孤立(ISO)パターンに対して、実施形態1と同様の計算を行い、露光量マージンを求めた。得られた値はベストフォーカス:光強度0.2164658、傾き3.321888、デフォーカス:光強度0.2005、傾き3.142987であった。これらの値から、単独露光量マージンは7.6%を得た。このレイアウトに要求される露光量マージンは7%であり、この評価点においては、マージンがあると判断し、次の処理をおこなった。
傾きの最小値=Δ光強度/ΔCD,
Δ光強度=想定される露光量マージンの範囲の露光量の変化量
にしたがって、評価点の傾きが、許容される傾きを満たしているかで、検証を行えば良い。
第4及び第5の実施形態は、パターンに近接効果補正がなされたマスクを用いた場合に、より有効な手段である。パターンの光強度(I)とデバイスの基準光強度(Ith)とが比較的近接している場合は、評価点位置の光強度の傾きで、基準光強度Ithの位置での傾きを近似できる。しかし両者が近接していない場合は、光強度の傾きは必ずしも連続でなく、近似に誤差が含まれてくる。このような場合は、基準点の位置を寸法トレランス分移動させた補助点での光強度と、基準点での光強度との差分を求め、この差分の基準光強度に対する割合を求めることで、露光量マージンを算出できる。
図28は、本発明の第7の実施形態に係わるパターン検証方法の手順の概略を示すフローチャートである。
第1の条件時と同様に、次に処理基板上での所望パターン61の形状と前記シミュレーションにより求めた処理基板上で形成されるパターン形状72の比較を行い、差分の大きい箇所を抽出する(ステップST97)。図30(b)では、差分の大きい箇所82,83がポリゴン82で示されている。
次に、本発明の第8の実施の形態に係るパターン検証プログラム及びパターン検証システムについて、図28を参照しながら説明する。
Claims (18)
- 所望パターンと、前記所望パターンに対応するマスクパターンを用意する工程と、
前記所望パターンのエッジに一つ以上の評価点を設定する工程と、
前記マスクパターンを基板上に転写/形成し、所望パターンを形成するための一つ以上のプロセスパラメータに対して、基準値及び変動範囲をそれぞれ設定する工程と、
前記各プロセスパラメータの値を前記変動範囲内で変化させた複数の組み合わせで、前記マスクパターンを基板上に転写/形成されるパターンのエッジの、前記評価点からの位置ずれ量をそれぞれ算出する工程と、
各評価点について算出された前記位置ずれ量の標準偏差及び平均値を算出する工程と、
前記位置ずれ量の標準偏差が予め設定された第1の設定範囲外の場合、前記所望パターンを変更するための情報を出力する工程と、
前記位置ずれ量の標準偏差が前記第1の設定範囲内で、前記位置ずれ量の平均値が予め設定された第2の設定範囲外の場合、前記マスクパターンを変更するための情報を出力する工程と、
を含むことを特徴とするパターン検証方法。 - 所望パターンと、前記所望パターンに対応するマスクパターンを用意する工程と、
前記所望パターンのエッジに一つ以上の評価点を設定する工程と、
前記マスクパターンを基板上に転写/形成し、所望パターンを形成するための一つ以上のプロセスパラメータに対して、基準値及び変動範囲をそれぞれ設定する工程と、
前記各プロセスパラメータの値を前記変動範囲内で変化させた複数の組み合わせで、前記マスクパターンを基板上に転写/形成されるパターンのエッジの、前記評価点からの位置ずれ量をそれぞれ算出する工程と、
前記プロセスパラメータが、前記位置ずれ量のバラツキに非対称な分布を与えるパラメーターである場合に、各評価点について算出された前記位置ずれ量の標準偏差及び最頻値を算出する工程と、
前記位置ずれ量の標準偏差が予め設定された第1の設定範囲外の場合、前記所望パターンを変更するための情報を出力する工程と、
前記位置ずれ量の標準偏差が前記第1の設定範囲内で、前記位置ずれ量の最頻値が予め設定された第2の設定範囲外の場合、前記マスクパターンを変更するための情報を出力する工程と、
を含むことを特徴とするパターン検証方法。 - 所望パターンと、前記所望パターンに対応するマスクパターンを用意する工程と、
前記マスクパターンのエッジを所定の長さに分割したエッジ群を生成する工程と、
前記分割した所望パターンのエッジに補正点を設定する工程と、
前記各補正点について近接効果を考慮した補正量を計算する工程と、
計算された補正量に応じて前記マスクパターンを変形し、補正マスクパターンを形成する工程と、
前記所望パターンのエッジに一つ以上の評価点を設定する工程と、
前記補正マスクパターンを基板上に転写/形成し、所望パターンを形成するための一つ以上のプロセスパラメータに対して、基準値及び変動範囲をそれぞれ設定する工程と、
前記各プロセスパラメータの値を前記変動範囲内で変化させた複数の組み合わせで、前記補正マスクパターンを基板上に転写/形成されるパターンのエッジの、前記評価点からの位置ずれ量をそれぞれ算出する工程と、
各評価点について算出された前記位置ずれ量の標準偏差及び平均値を算出する工程と、
前記位置ずれ量の標準偏差が予め設定された第1の設定範囲外の場合、前記所望パターンを変更するための情報を出力する工程と、
前記位置ずれ量の標準偏差が前記第1の設定範囲内で、前記位置ずれ量の平均値が予め設定された第2の設定範囲外の場合、前記マスクパターンを変更するための情報を出力する工程と、
を含むことを特徴とするパターン検証方法。 - 所望パターンと、前記所望パターンに対応するマスクパターンを用意する工程と、
前記マスクパターンのエッジを所定の長さに分割したエッジ群を生成する工程と、
前記分割した所望パターンのエッジに補正点を設定する工程と、
前記各補正点について近接効果を考慮した補正量を計算する工程と、
計算された補正量に応じて前記マスクパターンを変形し、補正マスクパターンを形成する工程と、
前記所望パターンのエッジに一つ以上の評価点を設定する工程と、
前記補正マスクパターンを基板上に転写/形成し、所望パターンを形成するための一つ以上のプロセスパラメータに対して、基準値及び変動範囲をそれぞれ設定する工程と、
前記各プロセスパラメータの値を前記変動範囲内で変化させた複数の組み合わせで、前記補正マスクパターンを基板上に転写/形成されるパターンのエッジの、前記評価点からの位置ずれ量をそれぞれ算出する工程と、
前記プロセスパラメータが、前記位置ずれ量のバラツキに非対称な分布を与えるパラメーターである場合に、各評価点について算出された前記位置ずれ量の標準偏差及び最頻値を算出する工程と、
前記位置ずれ量の標準偏差が予め設定された第1の設定範囲外の場合、前記所望パターンを変更するための情報を出力する工程と、
前記位置ずれ量の標準偏差が前記第1の設定範囲内で、前記位置ずれ量の最頻値が予め設定された第2の設定範囲外の場合、前記マスクパターンを変更するための情報を出力する工程と、
を含むことを特徴とするパターン検証方法。 - 前記情報は、前記評価点位置のエッジの移動量であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のパターン検証方法。
- 前記情報の導出は、前記各評価点について算出された位置ずれ量から最大値を抽出し、前記最大値に応じた所望パターンのエッジの移動量を求めること特徴とする請求項5に記載のパターン検証方法。
- 前記情報は、最大位置ずれ量を定数で割った量であることを特徴とする請求項6に記載のパターン検証方法。
- 前記定数はマスクエラーファクターであることを特徴とする請求項7に記載のパターン検証方法
- 前記所望パターンは、ウェハ上における仕上がりパターン、もしくはウェハ上における仕上がりパターンに予め決められた変換差を加えたパターンのいずれかであることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン検証方法。
- 前記位置ずれ量の算出は、
マスクパターンをウェハ上に形成するための基準光強度を与える工程と、
前記評価点位置での光強度を算出する工程と、
前記評価点位置での光強度の微分量を算出する工程と、
前記評価点位置における光強度と前記基準光強度との差を算出する工程と、
算出された差と前記微分量とを除する工程とを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン検証方法。 - 前記光強度の算出は、
マスクパターンに複素振幅透過率分布を規定したマスクパターンのデータを用意する工程と、
前記マスクパターンの複素透過率分布のフーリエ変換を計算する工程と、
相互透過係数を計算する工程と、
前記相互透過係数と、前記フーリエ変換値との積を計算する工程と、
前記積を逆フーリエ変換する工程とを含むことを特徴とする請求項10に記載のパターン検証方法。 - 前記位置ずれ量の算出は、
前記除した値に対して、現像条件およびエッチング条件を考慮した変換差を与える工程を更に含むことを特徴とする請求項10に記載のパターン検証方法。 - 前記位置ずれ量の算出は、
マスクパターンをウェハ上に形成するための基準光強度を与える工程と、
前記評価点の周りにさらに補助評価点を追加する工程と、
各評価点及び補助評価点での光強度を算出する工程と、
求められた各点での光強度をスプライン法により補間する工程と、
補間された結果と、前記基準光強度との交点を求める工程と、
前記交点と、所望パターンのエッジ位置との差分を求める工程とを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン検証方法。 - 前記プロセスパラメータは、予め決められたデバイスの最適条件、露光量設定値、フォーカス設定値、プロセスパラメータ、露光装置の開口数、コヒーレンスファクター、輪帯遮蔽率、収差、マスクエラーファクターを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン検証方法。
- 所望パターンと、前記所望パターンに対応するマスクパターンのデータを記憶する手段と、
前記所望パターンのエッジに一つ以上の評価点を設定する手段と、
前記マスクパターンを基板上に転写/形成し、所望パターンを形成するための一つ以上のプロセスパラメータに対して、基準値及び変動範囲をそれぞれ設定する手段と、
前記各プロセスパラメータの値を前記変動範囲内で変化させた複数の組み合わせで、前記マスクパターンを基板上に転写/形成されるパターンのエッジの、前記評価点からの位置ずれ量をそれぞれ算出する手段と、
前記プロセスパラメータを変化させた場合の前記評価点に対する位置ずれ量を算出する手段と、
各評価点について算出された前記位置ずれ量の標準偏差及び平均値を算出する手段と、
前記位置ずれ量の標準偏差が予め設定された第1の設定範囲外の場合、前記所望パターンを変更するための情報を出力する手段と、
前記位置ずれ量の標準偏差が前記第1の設定範囲内で、前記位置ずれ量の平均値が予め設定された第2の設定範囲外の場合、前記マスクパターンを変更するための情報を出力する手段と、
を含むことを特徴とするパターン検証システム。 - 所望パターンと、前記所望パターンに対応するマスクパターンのデータを記憶する手段と、
前記所望パターンのエッジに一つ以上の評価点を設定する手段と、
前記マスクパターンを基板上に転写/形成し、所望パターンを形成するための一つ以上のプロセスパラメータに対して、基準値及び変動範囲をそれぞれ設定する手段と、
前記各プロセスパラメータの値を前記変動範囲内で変化させた複数の組み合わせで、前記マスクパターンを基板上に転写/形成されるパターンのエッジの、前記評価点からの位置ずれ量をそれぞれ算出する手段と、
前記プロセスパラメータが、前記位置ずれ量のバラツキに非対称な分布を与えるパラメーターである場合に、各評価点について算出された前記位置ずれ量の標準偏差及び最頻値を算出する手段と、
前記位置ずれ量の標準偏差が予め設定された第1の設定範囲外の場合、前記所望パターンを変更するための情報を出力する手段と、
前記位置ずれ量の標準偏差が前記第1の設定範囲内で、前記位置ずれ量の最頻値が予め設定された第2の設定範囲外の場合、前記マスクパターンを変更するための情報を出力する手段と、
を含むことを特徴とするパターン検証システム。 - 所望パターンと、前記所望パターンに対応するマスクパターンを記憶する手段と、
前記マスクパターンのエッジを所定の長さに分割したエッジ群を生成する手段と、
前記分割した所望パターンのエッジに補正点を設定する手段と、
前記各補正点について近接効果を考慮した補正量を計算する手段と、
計算された補正量に応じて前記マスクパターンを変形し、補正マスクパターンを形成する手段と、
前記所望パターンのエッジに一つ以上の評価点を設定する手段と、
前記マスクパターンを基板上に転写/形成し、所望パターンを形成するための一つ以上のプロセスパラメータに対して、基準値及び変動範囲をそれぞれ設定する手段と、
前記各プロセスパラメータの値を前記変動範囲内で変化させた複数の組み合わせで、前記補正マスクパターンを基板上に転写/形成されるパターンのエッジの、前記評価点からの位置ずれ量をそれぞれ算出する手段と、
各評価点について算出された前記位置ずれ量の標準偏差及び平均値を算出する手段と、
前記位置ずれ量の標準偏差が予め設定された第1の設定範囲外の場合、前記所望パターンを変更するための情報を出力する手段と、
前記位置ずれ量の標準偏差が前記第1の設定範囲内で、前記位置ずれ量の平均値が予め設定された第2の設定範囲外の場合、前記マスクパターンを変更するための情報を出力する手段と、
を含むことを特徴とするパターン検証システム。 - 所望パターンと、前記所望パターンに対応するマスクパターンを記憶する手段と、
前記マスクパターンのエッジを所定の長さに分割したエッジ群を生成する手段と、
前記分割した所望パターンのエッジに補正点を設定する手段と、
前記各補正点について近接効果を考慮した補正量を計算する手段と、
計算された補正量に応じて前記マスクパターンを変形し、補正マスクパターンを形成する手段と、
前記所望パターンのエッジに一つ以上の評価点を設定する手段と、
前記マスクパターンを基板上に転写/形成し、所望パターンを形成するための一つ以上のプロセスパラメータに対して、基準値及び変動範囲をそれぞれ設定する手段と、
前記各プロセスパラメータの値を前記変動範囲内で変化させた複数の組み合わせで、前記補正マスクパターンを基板上に転写/形成されるパターンのエッジの、前記評価点からの位置ずれ量をそれぞれ算出する手段と、
前記プロセスパラメータが、前記位置ずれ量のバラツキに非対称な分布を与えるパラメーターである場合に、各評価点について算出された前記位置ずれ量の標準偏差及び最頻値を算出する手段と、
前記位置ずれ量の標準偏差が予め設定された第1の設定範囲外の場合、前記所望パターンを変更するための情報を出力する手段と、
前記位置ずれ量の標準偏差が前記第1の設定範囲内で、前記位置ずれ量の最頻値が予め設定された第2の設定範囲外の場合、前記マスクパターンを変更するための情報を出力する手段と、
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