JP3255301B2 - 位置検出方法及び装置 - Google Patents

位置検出方法及び装置

Info

Publication number
JP3255301B2
JP3255301B2 JP21079892A JP21079892A JP3255301B2 JP 3255301 B2 JP3255301 B2 JP 3255301B2 JP 21079892 A JP21079892 A JP 21079892A JP 21079892 A JP21079892 A JP 21079892A JP 3255301 B2 JP3255301 B2 JP 3255301B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
optical system
projection optical
exposure
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP21079892A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0636992A (ja
Inventor
和哉 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP21079892A priority Critical patent/JP3255301B2/ja
Publication of JPH0636992A publication Critical patent/JPH0636992A/ja
Priority to US08/264,841 priority patent/US5416562A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3255301B2 publication Critical patent/JP3255301B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子等を
製造するための露光装置のオートフォーカス機構部又は
レベリング機構部に適用して好適な位置検出装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】レチクル上に形成された回路パターンを
投影光学系を介してウエハ上に転写する投影露光装置に
おいては、投影光学系の焦点深度が比較的浅いと共にウ
エハには部分的に凹凸が存在することがあるため、ウエ
ハの各ショット領域に対して投影光学系の最良結像面
(ベストフォーカス面)に対する焦点ずれの補正をそれ
ぞれ行う必要がある。その場合の投影光学系の光軸方向
の位置の検出装置として、従来は例えばウエハ等の被検
面上に斜めにスリット像を投影する斜め入射型オートフ
ォーカスセンサが使用されている(例えば特開昭56−
42205号公報参照)。この方式では、被検面が上下
すると、そのスリット像の被検面上での位置が斜め入射
光学系の光軸にほぼ垂直な方向にずれるので、このずれ
量を測定することにより被検面の高さを検出することが
できる。
【0003】しかしながら、このように被検面上にスリ
ット像等を投影する方式では被検面上の或る1点の位置
しか検出することができないため、ウエハのショット領
域内に凹凸が存在するような場合に、そのショット領域
の例えば平均的な面を投影光学系の最良結像面に合わせ
ることができない。なお、投影露光装置には、ウエハの
各ショット領域に例えば平行光束を照射して、反射光の
方向によりそのショット領域の傾きを検出するレベリン
グ光学系も設けられているが、そのショット領域に凹凸
が存在する場合には、レベリング光学系でも正確にショ
ット領域の平均的な面の傾きを検出することができない
虞がある。
【0004】これに関して、本出願人は特願平3−31
1758号において、被検面上に2次元的なパターンを
投影することにより、比較的簡単な構成でその被検面の
所定範囲の高さの分布を検出できる位置検出装置を提案
した。図6はその特願平3−311758号で提案され
ている位置検出装置が適用された縮小投影型露光装置を
示し、この図6において、1はウエハであり、ウエハ1
の露光面が被検面1aである。2はウエハホルダー、3
はウエハステージよりなる保持機構を示し、ウエハ1を
ウエハホルダー2上に保持し、ウエハホルダー2を保持
機構3上に例えば3個の支持点で支持する。保持機構3
は、ウエハ1を2次元的に位置決めするXYステージ、
ウエハ1を投影光学系の光軸方向に位置決めするZステ
ージ及びウエハ1を微小角度回転するθステージ等より
構成されている。
【0005】4は保持機構3を駆動する駆動手段、5は
ウエハ1の上方に位置する投影光学系を示し、投影光学
系5は図示省略したレチクルのパターンをウエハ1の露
光面に転写する。保持機構3を駆動手段4を介して駆動
することにより、ウエハ1は投影光学系5の光軸AX1
に垂直な平面内での平行移動及び微小回転並びにその光
軸AX1に平行な方向(フォーカシング方向)への移動
を行う。更に、駆動手段4からの指令により保持機構3
が、例えば3個の支持点の内の2点を突没させることに
より、ウエハ1のレベリングが行われる。
【0006】図6において、6は光源、7はコンデンサ
ーレンズ、8は反射型位相格子を示し、この反射型位相
格子8の格子形成面8aに図6の紙面に平行な方向にピ
ッチQ1で凹凸の位相格子を形成する。ウエハ1の被検
面1aがレジスト等の薄膜で覆われた場合の干渉の影響
を低減するためには、その光源6は白色光源であること
が望ましい。ただし、その光源6としてレジストに対す
る感光性の弱い波長帯の光を射出する発光ダイオード等
を使用してもよい。その光源6からの照明光束をコンデ
ンサーレンズ7を介して平行光束に近づけ、この略々平
行な光束で回折格子8の格子形成面8aを照明する。
【0007】9は集光レンズ、10は投射用対物レンズ
を示し、これら集光レンズ9と投射用対物レンズ10と
により投射光学系を構成し、この投射光学系の光軸AX
2を投影光学系5の光軸AX1に対して角度θで交差さ
せる。そして、回折格子形成面8aからの平均的な反射
角γの反射光(回折光を含む)をその投射光学系により
ウエハ1の被検面1a上に集束する。この際、被検面1
aが投影光学系5の結像面に合致している状態で、その
被検面1aと回折格子形成面8aとはその投射光学系に
関してシャインプルーフの条件を満たすようにしてお
く。従って、その状態では被検面1aの全面に回折格子
形成面8aの格子パターンの像が正確に結像している。
【0008】また、集光レンズ9と投射用対物レンズ1
0とよりなる投射光学系は所謂両側テレセントリックな
光学系を構成し、回折格子形成面8a上の各点と被検面
1a上の共役点とは全面でそれぞれ同じ倍率である。従
って、本例ではその回折格子形成面8aの格子パターン
は図6の紙面に垂直な方向を長手方向とする等間隔の格
子状にしてあるので、被検面1a上に投影される像も図
6の紙面に垂直な方向を長手方向とする等間隔の格子状
のパターンとなる。
【0009】そして、受光用対物レンズ11と集光レン
ズ(結像レンズ)12とより集光光学系を構成し、この
集光光学系の受光用対物レンズ11の光軸AX3は投影
光学系の光軸AX1に関して投射光学系の光軸AX2と
線対称になるようにする。13はアオリ補正用プリズム
を示し、被検面1aからの反射光を受光用対物レンズ1
1、平面鏡14A及び集光レンズ12を介してプリズム
13のプリズム入射面13a上に集束する。
【0010】この際、被検面1aが投影光学系5の結像
面に合致している状態で、被検面1aとプリズム入射面
13aとはその集光光学系に関してシャインブルーフの
条件を満たすようにしておく。従って、その状態ではプ
リズム入射面13aの全面に被検面1a上の格子パター
ンの像が正確に再結像する。また、受光用対物レンズ1
1と集光レンズ12とよりなる集光光学系も両側テレセ
ントリックな光学系を構成し、被検面1a上の各点とプ
リズム入射面13a上の共役点とは全面でそれぞれ同じ
倍率である。従って、被検面1aが投影光学系5の結像
面に合致している状態では、プリズム入射面13a上に
投影される像も図1の紙面に垂直な方向を長手方向とす
る等間隔の格子状のパターンとなる。
【0011】即ち、図6において被検面1aが投影光学
系5の結像面に合致している状態では、回折格子形成面
8a、被検面1a及びプリズム入射面13aは各々シャ
インブルーフの条件を満たす関係にあり、しかも各面と
も全面で各々倍率が等しい。
【0012】そのアオリ補正用プリズム13に入射した
光は屈折するが、その入射光の主光線がプリズム入射面
13aの法線方向に略々平行に屈折されるようにそのプ
リズムガラス材の屈折率を定めておく。そのプリズム入
射面13aからの光束をプリズム13の射出面、平面鏡
14B、レンズ15及びレンズ16を介して2次元電荷
結合型撮像デバイス(2次元CCD)17の撮像面17
a上に集束させる。これによりプリズム入射面13a上
の格子状のパターンの像の更なる像が撮像面17a上に
結像される。それらレンズ15とレンズ16とより構成
されるリレー光学系も両側テレセントリックである。ま
た、撮像面17a上に形成される像は、反射型位相格子
8の回折格子形成面8a上のパターンによる被検面1a
上の像を2回リレーして得られた像であり、言い換える
と被検面1aに投影されたパターンの像を再々結像した
像である。
【0013】この場合、プリズム13からの屈折光の主
光線はプリズム入射面13aに略々垂直か又はその屈折
角が小さいため、2次元CCD17に入射する光束の主
光線も撮像面17aに対して略々垂直か又は入射角ρが
小さくなっている。撮像面17aには被検面1aに投影
されたパターンの像が再々結像されているので、被検面
1aの投影光学系5の光軸AX1に沿った上下によりそ
の撮像面17a上での格子状パターンの像は横ずれす
る。この横ずれ量を測定することにより、被検面1a上
の各部の光軸AX1方向の位置が測定できる。
【0014】具体的に、被検面1aが平面である場合に
は、2次元CCD17の受光面には図7(a)に示すよ
うに明部20と暗部21とが所定ピッチで形成された縞
22が結像される。その縞22のピッチ方向の撮像信号
を所定範囲で平均化した撮像信号は、図7(b)に示す
ように明部20に対応する領域で大きく暗部21に対応
する領域で小さい(0に近い)信号となる。また、被検
面1a上で縞状のパターンが投影されている領域を図8
(a)の領域23として、その領域23の中に部分的に
凹部24A及び凸部24Bが存在すると、図8(b)に
示すように、2次元CCD17の撮像面上の縞22のそ
れぞれ対応する領域25A及び25Bの縞の位置が変化
する。従って、その縞22の各部の位置を検出すること
により、被検面1aの全面の投影光学系5の光軸方向の
位置を検出することができる。
【0015】図6において、その2次元CCD17から
出力される撮像信号を検出部18に供給し、この検出部
18はその撮像信号を処理して撮像面17a上の像のパ
ターンを求め、このパターン情報を補正量算出手段19
に供給する。この補正量算出手段19はそのパターン情
報より、被検面1aの現在の露光領域と投影光学系5の
結像面とのずれ量を求め、駆動手段4を介してその露光
領域の全面のずれ量が焦点深度内に収まるようにする。
【0016】また、被検面1aの光軸AX1方向の変位
がzであるときの2次元CCD17の受光面17aにお
ける縞の像の横ずれ量yは次のようになる。即ち、被検
面1aに対する入射光の主光線の入射角はθであり、レ
ンズ11及び12よりなる集光光学系の横倍率をβ、被
検面1aからプリズム入射面13aへのアオリの結像面
に沿った倍率をβ′、レンズ15及び16よりなるリレ
ー光学系の横倍率をβ″とすると横ずれ量yは次のよう
になる。
【数1】 y=2・β″・β′・tanθ・z =2・β″(β2 sin2 θ+β4 sin4 θ/cos2 θ)1/2 ・z
【0017】次にアオリ補正用プリズム13の働きにつ
いて説明する。例えば集光光学系の横倍率βが0.5で
入射角θが85゜の場合、プリズム13に対する被検面
1aからの反射光の主光線の入射角αは80゜程度とな
る。このように大きな入射角の場合、プリズム13の代
わりに直接2次元CCD17を置くと入射する光量が著
しく低下する。何故ならば、CCDの光電変換部分に入
射する光がその回りの読み出し回路部分でけられたり、
更に光電変換部分やCCDのパッケージの窓ガラスの表
面反射が大きく光が有効に入らないためである。そこで
CCDへの入射角を小さくする光学素子が必要となる。
図6の装置ではアオリ補正用プリズム13を使うことに
よりそれを達成している。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、本出願
人の先願に係る位置検出装置においては、ウエハ1の被
検面1a上に光軸AX1に斜めに投影した明暗のパター
ンの像を撮像し、この撮像した像の横ずれからその被検
面1aの全面の光軸AX1方向の位置を検出している。
しかしながら、そのウエハ1の被検面(露光面)1aに
はそれまでの露光により回路パターン等が形成されてい
る場合がある。そのため、その被検面1aに投影される
明暗のパターンの像とその既に形成されている回路パタ
ーン等の像とが重なって撮像面17a上に結像され、そ
の回路パターン等の像の影響によりその明暗のパターン
の像の位置を正確に検出できない場合があるという不都
合があった。
【0019】本発明は斯かる点に鑑み、被検面の位置検
出を正確且つ迅速に行うことができる位置検出方法及び
装置を提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】本発明による位置検出装
置は、投影光学系(5)を介して被検物(1)を露光す
る露光装置に用いられる位置検出装置であって、その被
検物をその投影光学系の光軸に垂直な方向に移動させる
駆動手段(4)と、格子状パターンの像を、該格子状パ
ターンのピッチ方向がその被検物の被検面上に形成され
たショット領域の一つの辺に交差するようにその被検面
上に投射する投射手段(6,40,41)と、その被検
面上のその格子状パターンの像を光電検出する受光手段
(42)と、その駆動手段によってその被検物が移動中
に、その受光手段からの検出信号に基づいてその被検面
のその投影光学系の光軸方向における第1の位置情報を
求めるとともに、その被検物の停止中にその被検面のそ
の光軸方向における第2の位置情報を求める検出手段
(18,44〜46)と、その検出手段からのその第
1、及び第2の位置情報のそれぞれに基づいてその被検
面とその投影光学系の結像面とを合致させる調整手段
(19)と、を有するものである。
【0021】また、本発明による位置検出方法は、投影
光学系を介して被検物を露光する露光装置に用いられる
位置検出方法であって、格子状パターンの像を、該格子
状パターンのピッチ方向がその被検物の被検面上に形成
されたショット領域の一つの辺に交差するようにその被
検物上に投射し、その被検物をその投影光学系の光軸に
垂直な方向に移動させる間にその被検物上のその格子状
パターンの像を光電検出し、該検出結果よりその被検面
のその投影光学系の光軸方向における第1の位置情報を
求めるとともに、その被検物の停止中にその被検面のそ
の光軸方向における第2の位置情報を求め、その第1、
及び第2の位置情報のそれぞれに基づいてその被検面と
その投影光学系の結像面とを合致させるものである。
【0022】
【0023】
【作用】斯かる本発明によれば、その受光手段がその格
子状パターンとしての明暗のパターンの像を撮像する撮
像手段(42)を有する場合、被検面(1a)と撮像手
段(42)の撮像面とは光学的に像共役の位置関係にあ
る。また、明暗のパターンが被検面(1a)に投影され
ているが、被検面(1a)がその所定の軸(Z軸)に垂
直な面に沿って移動しても、その撮像面におけるその明
暗のパターンの像の位置は変化しない。それに対して、
被検面(1a)上に既にパターンが形成されていた場
合、被検面(1a)がZ軸に垂直な面に沿って移動する
と、その被検面(1a)上に既に形成されていたパター
ンの共役像はその撮像面上で移動する。従って、撮像中
に駆動手段(4)を介して被検面(1a)をZ軸に垂直
な方向に例えば振動又は移動させることにより、撮像手
段(42)の撮像面上では、被検面(1a)上に既に形
成されていたパターンの共役像が振動又は移動して、そ
の共役像の輪郭がぼける。従って、その撮像面上で明暗
のパターンの位置を検出する際の被検面(1a)上に形
成されていたパターンの影響を低減することができる。
【0024】また、本発明によれば、例えば被検面(1
a)が多数のショット領域に分割されているような場合
に、第1のショット領域では第1の工程(その第1の位
置情報を求める工程)と第2の工程(その第2の位置情
報を求める工程)とを実行して、被検物(1a)を振動
等で移動させた場合の位置検出結果と被検物(1a)を
静止させた場合の位置検出結果との差をオフセットとし
て記憶する。また、被検面(1a)の多数のショット領
域に既に形成されている回路パターン等は一般に共通で
あり、それが位置検出結果に与える影響はどのショット
領域でも共通と考えられる。
【0025】そこで、第2のショット領域以降では、被
検物(1a)を静止させた状態で被検物(1a)の位置
検出を行って、この位置検出結果にそのオフセットを加
算することにより迅速且つ正確に各ショット領域の位置
検出を行うことができる。
【0026】
【実施例】以下、本発明の第1実施例につき図1〜図4
を参照して説明する。本実施例は、縮小投影型露光装置
でオートフォーカス用及びレベリング用に被検面の平均
的な面を求める際に本発明を適用したものである。。
【0027】図1は本実施例の縮小投影型露光装置の要
部を示し、この図1において、レチクルホルダー27に
支持されたレチクル26には転写対象とする回路パター
ンが描画されており、ウエハ1への露光時には、図示省
略した照明光学系からの露光光ILがレチクル26のパ
ターン領域を均一な照度で照明する。その露光光ILの
もとで、レチクル26の回路パターンが投影光学系5を
介して1/5に縮小されてウエハ1の露光面1a上の各
ショット領域に転写される。
【0028】ウエハ1はθテーブル28上に保持され、
θテーブル28はZステージ35Z上に載置され、Zス
テージ35Zは3個の上下駆動機構32〜34を介して
Xステージ35X及びYステージ35Y上に載置されて
いる。駆動モータ36で送りねじ37を回すことによ
り、Xステージ35Xを投影光学系5の光軸(これをZ
軸とする)に垂直で図1の紙面に平行なX方向に移動さ
せることができ、駆動モータ38(Yステージ35Yの
手前側にある)で送りねじ39を回すことにより、Yス
テージ35YをZ軸に垂直で且つ図1の紙面に垂直なY
方向に移動させることができる。また、Zステージ35
Zによりウエハ1をZ軸に沿って移動させることがで
き、正三角形の各頂点に配置された3個の上下駆動機構
32〜34をそれぞれZ軸の方向に上下させることによ
り、ウエハ1の露光面1aの傾き及びZ方向の高さを調
整することができる。
【0029】Zステージ35Z上のθテーブル28の近
傍には、種々のアライメントマークが形成された基準マ
ーク集合体29及び移動鏡30が取り付けられ、レーザ
ー干渉計31からのレーザービームを移動鏡30で反射
することにより、Xステージ35XのX座標が計測さ
れ、図示省略したY方向用のレーザー干渉計によりYス
テージ35YのY座標が計測されている。
【0030】また、41はオートフォーカス検出系の送
光系、42はオートフォーカス検出系の受光系を示し、
送光系41は図6のコンデンサーレンズ7から照射用対
物レンズ10までの光学素子より構成され、受光系42
は図6の集光用対物レンズ11から2次元CCD17ま
での光学素子より構成されている。そして、光源6から
の照明光が光ガイド40を介して送光系41に導かれ、
その照明光のもとでウエハ1の露光面1a上に所定の明
暗のパターンがZ軸に斜めに投影される。その露光面1
a上の明暗のパターンの像が受光系42の2次元CCD
の撮像面に再結像され、その撮像信号が検出部18を介
してメモリ44に書き込まれる。
【0031】45は画像抽出手段を示し、この画像抽出
手段45がメモリ44よりウエハ1上の次に露光される
ショット領域の撮像信号を取り出して画像処理手段46
に供給す。それに応じて、画像処理手段46はその撮像
信号よりウエハ1の露光面1aに既に形成されているパ
ターンの影響を除去して得られた撮像信号を補正量算出
手段19に供給する。補正量算出手段19は、その撮像
信号よりその露光面1aに投影されたパターンの像の横
ずれ量を求め、この横ずれ量からその露光面1aの平均
的な面を決定する。そして、補正量算出手段19は、駆
動手段4を介してZステージ35Z及び上下駆動機構3
2〜34を動作させて、その露光面1aの平均的な面を
投影光学系5の最良結像面に焦点深度の範囲内で合致さ
せる。ただし、本例では後述のようにその露光面1aの
高さ分布を求める際に、Xステージ35X及びYステー
ジ35Yを動作させてその露光面1aをZ軸に垂直なX
Y平面内で振動させる。
【0032】47はアライメント系を示し、ウエハ1の
アライメント時には、アライメント系47から射出され
たアライメント光(露光光ILと異なる波長帯のウエハ
1上に塗布されたレジストに対する感光性の低い光)が
ミラー48で反射されて投影光学系5に入射し、この投
影光学系5から射出されたアライメント光がウエハ1に
照射される。また、レチクル26の上方には移動自在に
アライメント顕微鏡43が配置されている。
【0033】基準マーク集合体29にはレチクルアライ
メント用のマーク及びウエハアライメント用のマークが
形成されている。そして、露光光ILと同じ波長の照明
光のもとで、アライメント顕微鏡43を用いて、レチク
ル26に形成されたレチクルマークと基準マーク集合体
29のレチクルアライメントマークとを合致させること
でレチクル26が基準マーク集合体29に対して位置決
めされる。また、アライメン系47からの照明光を投影
光学系5を介して基準マーク集合体29のウエハアライ
メントマークに照射して、そのウエハアライメントマー
クの像をアライメント系47の基準位置に合致させるこ
とで、アライメント系47が基準マーク集合体29に対
して位置決めされる。結果として、レチクル26の位置
とアライメント系47の位置との間のキャリブレーショ
ンが行われる。
【0034】また、アライメント系47によってウエハ
1のZ軸の回りの回転角が計測され、θテーブル28を
回転させることによりその回転角を補正できる。また、
図2に示すように、ウエハ1上には通常既にショット領
域50単位で回路パターンが形成されている。例えば、
特開昭61−44429号公報等に開示されているよう
に、ウエハ1上の3個以上の代表ショット領域の近傍に
あるウエハマークをアライメント系47で計測すること
により、ステージ上のXY平面の座標系におけるウエハ
1の各ショット領域の位置、伸縮量、上記回転補正後の
残留回転角及びウエハ1の座標系上のX軸とY軸との直
交度などが計測される。この計測結果よりウエハ1上の
各ショット領域の正確な位置が算出される。
【0035】次に、本例の露光時の動作につき説明す
る。この場合、図1において、送光系41の光軸と受光
系42の光軸とを含む平面は図1の紙面に平行なXZ平
面及び図1の紙面に垂直なYZ平面に対して45゜の角
度で交差している。そして、ウエハ1上の次に露光する
ショット領域の位置決めが終わってから、オートフォー
カス及びレベリングを行う際に、図2に示すように、ウ
エハ1のそのショット領域上の領域23に図1の送光系
41から明暗の縞よりなる格子状パターンが投影され
る。その明暗の縞のピッチ方向は図1の送光系41の光
軸と受光系42の光軸とを含む平面に平行である。ま
た、図2に示すように、ウエハ1の各ショット領域の辺
はX軸又はY軸に平行であり、その領域23上の明暗の
縞のピッチ方向は各ショット領域の辺にほぼ45°で交
差している。これにより、ウエハ1の各ショット領域に
それまでのプロセスで形成された回路パターンのその明
暗の縞を用いた位置検出に対する影響が軽減される。
【0036】更に、図2に示すように本例では、図1の
Xステージ35X及びYステージ35Yを駆動させてウ
エハ1をX軸及びY軸に45°で交差するR方向に振動
させる。例えば今回露光対象とするショット領域のR方
向の長さをL1として、その長さL1の方向に長さの単
位ΔLでZ方向の位置の分布を検出するものとすると、
そのR方向の振動の振幅はΔL以下であることが望まし
い。また、ウエハ1上に既にR方向に平行な回路パター
ンが形成されているような場合には、そのウエハ1の振
動の方向はそのR方向に交差する方向に変えることが望
ましい。この振動によりウエハ1に既に形成されている
回路パターンの位置検出に与える影響を除去することが
できる。なお、ウエハ1を振動させる代わりに、(低速
で)ウエハ1をR方向に移動させてもよい。
【0037】そのウエハ1の領域23の明暗の縞が図1
の受光系42中の2次元CCDの撮像面に再結像され
る。図3(a)はその受光系42の撮像面(図6の撮像
面17aに相当する)に結像された像を示し、この図3
(a)の撮像面において、明部20及び暗部21からな
る縞22が再結像されていると共に、その撮像面の両端
に縞の位置を検出する際の基準となる指標マーク像49
A及び49Bが結像されている。これら指標マーク像4
9A及び49Bの元のパターンは、例えば図6のアオリ
補正用プリズム13のプリズム入射面13a上に形成さ
れており、その撮像面に対して固定されている。
【0038】その図3(a)の撮像面の像は受光系42
の内部の2次元CCDにより撮像され、その2次元CC
Dからの撮像信号は図1の検出部18を介してメモリ4
4に記憶される。そして、画像抽出手段45により図3
(a)のk番目の走査線からl番目の走査線までの撮像
信号V1 が選び出される。図3(b)はそれら撮像信号
1 を平均化した撮像信号を示し、この図3(b)にお
いて横軸は時間軸tであるが、その時間軸tは図3
(a)の走査方向の座標(これをX座標とする)ともみ
なすことができる。
【0039】その平均化された画像信号V1 から分かる
ように、撮像面上の像の明部及び暗部に対応してその撮
像信号はそれぞれ凸のピーク及び凹のピーク(ボトム)
となる。本例ではその撮像面上の像の各暗部の中心、即
ち撮像信号V1 のボトム点を検出する。これにより、図
3(b)に示すように、図3(a)の明暗の縞22の各
暗部21の中心に対応したボトム点の座標x1 〜x9
び指標マーク像49A,49Bに対応したボトム点の座
標X1 〜X4 が得られる。これら座標x1 〜x9 ,X1
〜X4 は図1の画像処理手段46において、撮像信号を
微分してゼロクロス点を求めることにより検出される。
【0040】次に、縞22の各暗部21の中心に対応し
たボトム点の座標x1 〜x9 を指標マーク像の座標X1
〜X4 を基準として規格化することにより、座標s1
9を得る。これは撮像面上で指標マーク像49Aと指
標マーク像49Bとの中点を原点としたときの、その縞
22の各暗部21の中心の座標sj (i=1,2,‥
‥,9)を求めることを意味し、座標sj は次式で表さ
れる。
【数2】 sj =xj −(X1 +X2 +X3 +X4 )/4
【0041】そして、図3(a)の全部でn本の走査線
をmグループに分割して、各分割単位毎に暗部21の中
心の座標を求めて(数2)の演算を施すことにより、そ
の撮像面の全画面における指標マーク像49A,49B
を基準とした縞22の暗部21の位置が決定される。そ
れらパラメータm,n及び図3(a)の走査線の番号
k,lの関係は次式で表される。
【数3】l−k+1=n/m
【0042】以上の作業により、縞22の(m×9)個
の暗部21の座標sij(i=1,2,‥‥,m;j=
1,2,‥‥,9)が決定され、これらは図1の補正量
算出手段19へ送られる。補正量算出手段19には予め
各暗部21の目標位置Wijが記憶されており、この目標
位置との差Δsij(sij−Wij)を(数1)の横ずれ量
yへ代入し、それぞれ位置zを求めることにより、ウエ
ハ面1aのZ方向の基準位置(図1の投影光学系5の最
良結像面のZ座標)からの変位Δzijが(m×9)個の
各ブロック毎に求められる。
【0043】各変位Δzijの中から一直線上に並ばない
3個以上で且つ(m×9)個以下のを選び、この選ばれ
た変位に基づいてウエハ1の露光面1aの今回露光対象
とするショット領域の平均的な面の高さと傾きが求めら
れる。その後、補正量算出手段19で三角形状に配置さ
れた上下駆動機構32〜34を動かす補正量がそれぞれ
計算されて駆動手段4へ供給される。駆動手段4は上下
駆動機構32〜34(及び必要に応じてZステージ35
Z)を与えられた補正量だけ動かすことにより、そのシ
ョット領域のオートフォーカス及びレベリングが行われ
る。その後、Xステージ35X及びYステージ35Yの
振動を停止させた状態で、そのショット領域へのレチク
ル26のパターンの露光が行われる。
【0044】本例において、図1の受光系42中の2次
元CCDで図3(a)の像を撮像する際に、図2の今回
露光対象となるショット領域上の領域23には既に回路
パターンが形成されている場合がある。図4(a)は領
域23に回路パターンが形成されている場合の図3
(a)に対応する撮像面上の像を示し、この図4(a)
において、明暗の縞22に重畳して回路パターンの像5
1が結像されている。しかし、前述したように、撮像時
にはウエハ1が図2のR方向、即ち回路パターンに交差
する方向に振動しているため、2次元CCD(2次元電
荷結合型撮像デバイス)の各撮像エレメントの蓄積時間
内において像が平均化されることにより、回路パターン
の像51の輪郭はぼけている。従って、回路パターンの
像51に影響されずに正確に明暗の縞22の各部の横ず
れ量を正確に検出することができ、対応するショット領
域の平均的な面を正確に決定できる。
【0045】次に、本発明の第2実施例につき図4及び
図5を参照して説明する。本例でも図1の露光装置を使
用する。また、この実施例では、図1の受光系42の2
次元CCD撮像する際に、Xステージ35X及びYス
テージ35Yを介してウエハ1を所定の一方向へ走らせ
る。即ち、前のショット領域の露光終了後、次のショッ
ト領域へ移動する過程において、ウエハ1が最終目標点
に到達する前に撮像動作を行う。
【0046】図4(a)はその際に撮像される像を示
し、この図4(a)に示すように、ウエハ1が走ること
により回路パターンの像51の輪郭はぼけている。この
図4(a)の所定の走査線に沿った撮像信号V2 を図4
(b)に示し、この図4(b)において図3(b)と同
様に、縞22の暗部21の座標x1 ′〜x9 ′及び指標
マーク像49A,49Bの座標X1 ′〜X4 ′が検出さ
れ、次式より各暗部21の規格化された座標sj ′(j
=1,2,‥‥,9)が検出される。ただし、これらの
座標sj ′は図4(a)の走査線をmグループに分割し
て得られる各グループ毎に求められる。この工程を第1
ステップとする。
【数4】sj ′=Xj ′−(X1 ′+X2 ′+X3 ′+
4 ′)/4
【0047】次に、図1のXステージ35X及びYステ
ージ35Yが完全に目標位置へ到達して、ほぼ停止した
状態で、もう一度、図4(a)の像の撮像から図4
(b)の縞22の暗部21のボトム点の座標を規格化し
た座標sij″(i=1,‥‥,m)の算出までの動作が
実行される。この工程を第2ステップとする。
【0048】この第2ステップでは、図5(a)に示す
ように、撮像面では回路パターンの像51の輪郭はぼけ
ておらず、明瞭に観察される。図5(b)はその図5
(a)の所定の走査線に沿う撮像信号V3 を示し、この
図5(b)においてその回路パターンの像51の影響に
よりその撮像信号V3 は歪んでいる。従って、ウエハ面
1の露光面1aを変位させていないのにもかかわらず、
縞22の暗部の座標xij″(i=1,‥‥,m;j=
1,‥‥,9)は第1ステップでウエハ1を動かしなが
ら検出した位置とは異なり、それを規格化した座標
ij″も第1ステップで求めた規格化された座標sij
とは異なる。この差εij(=sij″−sij′)を求め、
第2ステップで求めた座標sij″から引くことにより、
補正座標sij * (=sij″−εij)が決定される。
【0049】この補正座標sij * を図3(b)の第1実
施例の座標sijの代わりにに用いることにより以後の各
動作が図3の場合と同様に行われる。ところで、図1の
補正量算出手段19で決定された補正量に従って各上下
駆動機構32〜34を動かしたとしても、駆動誤差など
により、必ずしもウエハ1の露光面1aが目標位置に達
しない可能性がある。これを防ぐために、その第2ステ
ップ(撮像から各暗部の座標sij″算出までの動作)が
再び行われ、先に求められた差εijから、補正座標sij
* が求められる。これをもとに露光面1aの高さ、傾き
が計算され、残留誤差がまだ無視できないほど大きい場
合は、再度補正量が決められ、駆動手段4に送られる。
以上を繰り返し、許容値以下に露光面1aが投影光学系
5の最良結像面に合致された後に、露光が行われる。
【0050】この第2実施例によれば上下駆動機構32
〜34を動作させるときには、既にXステージ35X及
びYステージ35Yは停止しており、露光面1aのオー
トフォーカス及びレベリングの終了と同時に露光が開始
できる。従って、露光工程のスループットが向上する。
【0051】次に、本発明の第3実施例につき説明す
る。この実施例では、最初のショット領域で求めた差ε
ijを2番目以降のショット領域にもそのまま使うことに
より、2番目以降のショット領域については、上記の第
1ステップの動作、即ちウエハ1を移動させた状態での
縞の横ずれの検出をしなくてもよい。これにより露光工
程のスループットを高めることができる。
【0052】尚、上述の各実施例において明暗のパター
ンとして縞22が使用されているが、それ以外の任意の
パターンを使用することができる。このように、本発明
は上述実施例に限定されず本発明の要旨を逸脱しない範
囲で種々の構成を取り得る。
【0053】
【発明の効果】本発明によれば、被検面の位置検出を正
且つ迅速に行うことができる。
【0054】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による位置検出装置の実施例が適用され
る縮小投影型露光装置の要部を示す構成図である。
【図2】図1のウエハ1の露光面を示す平面図である。
【図3】(a)は第1実施例で図1の受光系42内の撮
像面に結像した明暗のパターンの像を示す線図、(b)
は図3(a)の走査線に沿った撮像信号を示す波形図で
ある。
【図4】(a)は第1実施例及び第2実施例で図1の受
光系42内の撮像面に結像した回路パターン及び明暗の
パターンの像を示す線図、(b)は図4(a)の走査線
に沿った撮像信号を示す波形図である。
【図5】(a)は第2実施例で図1の受光系42内の撮
像面に結像した回路パターン及び明暗のパターンの像を
示す線図、(b)は図5(a)の走査線に沿った撮像信
号を示す波形図である。
【図6】本出願人の先願に係る縮小投影型露光装置の要
部を示す構成図である。
【図7】(a)は図6の2次元CCD17の撮像面に結
像した明暗のパターンを示す線図、(b)は図7(a)
の走査線に沿った撮像信号を示す波形図である。
【図8】(a)は図6のウエハ1の明暗のパターンが投
影された露光面を示す平面図、(b)は図8(a)に対
応した2次元CCD17の撮像面に結像される像を示す
線図である。
【符号の説明】
1 ウエハ 4 駆動手段 5 投影光学系 6 光源 8 反射型位相格子 13 アオリ補正用プリズム 18 検出部 19 補正量算出手段 20 明部 21 暗部 22 縞 26 レチクル 28 θテーブル 35X Xステージ 35Y Yステージ 35Z Zステージ 36,38 駆動モータ 41 オートフォーカス検出系の送光系 42 オートフォーカス検出系の受光系 44 メモリ 45 画像抽出手段 46 画像処理手段 47 アライメント系 51 回路パターンの像
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 9/00

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 投影光学系を介して被検物を露光する露
    光装置に用いられる位置検出装置であって、 前記被検物を前記投影光学系の光軸に垂直な方向に移動
    させる駆動手段と、 格子状パターンの像を、該格子状パターンのピッチ方向
    が前記被検物の被検面上に形成されたショット領域の一
    つの辺に交差するように前記被検面上に投射する投射手
    段と、 前記被検面上の前記格子状パターンの像を光電検出する
    受光手段と、 前記駆動手段によって前記被検物が移動中に、前記受光
    手段からの検出信号に基づいて前記被検面の前記投影光
    学系の光軸方向における第1の位置情報を求めるととも
    に、前記被検物の停止中に前記被検面の前記光軸方向に
    おける第2の位置情報を求める検出手段と、前記検出手段からの前記第1、及び第2の位置情報のそ
    れぞれに基づいて前記被検面と前記投影光学系の結像面
    とを合致させる調整手段と、 を有することを特徴とする位置検出装置。
  2. 【請求項2】 前記被検面上には複数のショット領域が
    形成されており、 前記検出手段は、前記複数のショット領域の内の第1の
    ショット領域が前記投影光学系の像面側の露光位置で露
    光処理された後、前記第1のショット領域とは異なる第
    2のショット領域を前記露光位置へ移動する過程で前記
    位置情報を検出することを特徴とする請求項に記載の
    位置検出装置。
  3. 【請求項3】 前記第2の位置情報は、前記第2のショ
    ット領域が前記投影光学系の像面側の露光位置に位置決
    めされたときの位置情報であることを特徴とする請求項
    2に記載の位置検出装置。
  4. 【請求項4】 前記検出手段は、前記第1及び第2の位
    置情報を、前記被検物上の複数箇所同時に検出可能で
    あることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載
    の位置検出装置。
  5. 【請求項5】 前記受光手段は、前記格子状パターンの
    像の位置検出の基準となる指標マークを有することを特
    徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の位置検出装
    置。
  6. 【請求項6】 前記検出手段は、明暗縞からなる前記格
    子状パターンの像の暗部の位置を検出することを特徴と
    する請求項1〜5の何れか一項に記載の位置検出装置。
  7. 【請求項7】 投影光学系を介して被検物を露光する露
    光装置に用いられる位置検出方法であって、 格子状パターンの像を、該格子状パターンのピッチ方向
    が前記被検物の被検面上に形成されたショット領域の一
    つの辺に交差するように前記被検物上に投射し、 前記被検物を前記投影光学系の光軸に垂直な方向に移動
    させる間に前記被検物上の前記格子状パターンの像を光
    電検出し、該検出結果より前記被検面の前記投影光学系
    の光軸方向における第1の位置情報を求めるとともに、
    前記被検物の停止中に前記被検面の前記光軸方向におけ
    る第2の位置情報を求め、 前記第1、及び第2の位置情報のそれぞれに基づいて前
    記被検面と前記投影光学系の結像面とを合致させる こと
    を特徴とする位置検出方法。
  8. 【請求項8】 前記被検面上には複数のショット領域が
    形成されており、 前記第1の位置情報は、前記複数のショット領域の内の
    第1のショット領域が前記投影光学系の像面側の露光位
    置で露光処理された後、前記第1のショット領域とは異
    なる第2のショット領域を前記露光位置へ移動する過程
    で検出されることを特徴とする請求項7に記載の位置検
    出方法。
  9. 【請求項9】 前記第2の位置情報は、前記第2のショ
    ット領域が前記投影光学系の像面側の露光位置に位置決
    めされたときの位置情報であることを特徴とする請求項
    8に記載の位置検出方法。
  10. 【請求項10】 前記第1及び第2の位置情報を、前記
    被検物上の複数箇所で同時に検出することを特徴とする
    請求項7〜9の何れか一項に記載の位置検出方法。
JP21079892A 1992-03-06 1992-07-14 位置検出方法及び装置 Expired - Fee Related JP3255301B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21079892A JP3255301B2 (ja) 1992-07-14 1992-07-14 位置検出方法及び装置
US08/264,841 US5416562A (en) 1992-03-06 1994-06-22 Method of detecting a position and apparatus therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21079892A JP3255301B2 (ja) 1992-07-14 1992-07-14 位置検出方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0636992A JPH0636992A (ja) 1994-02-10
JP3255301B2 true JP3255301B2 (ja) 2002-02-12

Family

ID=16595312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21079892A Expired - Fee Related JP3255301B2 (ja) 1992-03-06 1992-07-14 位置検出方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3255301B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998057362A1 (fr) * 1997-06-09 1998-12-17 Nikon Corporation Capteur et procede servant a detecter la position de la surface d'un objet, dispositif d'alignement comportant ce capteur et procede servant a fabriquer ce dispositif d'alignement et procede servant a fabriquer des dispositifs au moyen de ce dispositif d'alignement

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0636992A (ja) 1994-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100471524B1 (ko) 노광방법
JP3204406B2 (ja) 面位置検出方法及び装置、半導体露光装置、並びに前記方法を用いた露光方法
JP3376179B2 (ja) 面位置検出方法
US5907405A (en) Alignment method and exposure system
JPH0837149A (ja) 投影露光装置
JPH0580497A (ja) 面状態検査装置
US6141107A (en) Apparatus for detecting a position of an optical mark
JP3880155B2 (ja) 位置決め方法及び位置決め装置
US4897553A (en) Projection exposure apparatus
JP3360321B2 (ja) 面位置検出装置及び方法並びに露光装置及び方法
JP3298212B2 (ja) 位置検出方法及び装置、露光方法、投影露光装置、並びに素子製造方法
JP2006242722A (ja) 位置計測方法、この位置計測方法を実施する位置計測装置、この位置計測方法を使用するデバイス製造方法、及びこの位置計測装置を装備する露光装置
JP3255301B2 (ja) 位置検出方法及び装置
JP3754743B2 (ja) 表面位置設定方法、ウエハ高さ設定方法、面位置設定方法、ウエハ面位置検出方法および露光装置
JP2569563B2 (ja) 投影露光装置
JPH09236425A (ja) 面位置検出方法
JP3109107B2 (ja) 位置検出装置、露光装置および露光方法
KR102160025B1 (ko) 하전 입자빔 장치 및 광학식 검사 장치
JP3277562B2 (ja) 位置検出方法、露光方法及び露光装置
JP3198466B2 (ja) 位置検出装置、及び露光装置
JP3182746B2 (ja) 位置検出装置
JPH08111361A (ja) 面位置検出装置
JPH0629178A (ja) 露光方法及び露光装置
JP2005197483A (ja) 撮像手段の回転誤差計測方法、及びこの回転誤差計測方法を用いた調整方法又は計測方法、及びこの回転誤差計測方法で計測された回転誤差を使用する位置計測装置、及びこの位置計測装置を備えた露光装置
JPH08162393A (ja) 位置合わせ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20011102

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071130

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees