KR102160025B1 - 하전 입자빔 장치 및 광학식 검사 장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 제조 공정에서는, 1매의 웨이퍼로부터 보다 많은 다이를 취하기 위해, 웨이퍼의 에지의 근방까지 다이를 취하는 요구가 있다. 이에 수반하여, 반도체 제조 공정에 이용되는 하전 입자빔 장치 및 광학식 검사 장치에 대하여, 웨이퍼의 에지 근방까지 고(高)정밀도로 측정이나 검사를 행하기 위해, 웨이퍼의 에지 근방까지 고정밀도로 웨이퍼의 높이를 검출하는 것이 요구되고 있다. 또한, 반도체 제조 공정의 고(高)스루풋화를 위해, 고속의 높이 검출이 요구된다. 본 발명에서는, 웨이퍼 위의 대상 영역을 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 패턴을, 다른쪽 측에 제2 패턴을, 웨이퍼 표면에 대하여 대각선 방향으로부터 투사(投射)함으로써, 제1 패턴 및 제2 패턴 중 적어도 어느 것의 상(像)을 이용할 수 있고, 상술한 과제를 해결할 수 있다.

Description

하전 입자빔 장치 및 광학식 검사 장치
본 발명은 하전 입자빔 장치 및 광학식 검사 장치에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼의 높이의 검출에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서 이용되는 하전 입자빔 장치나 광학식 검사 장치, 그 외 처리 장치 등의 평면 기판을 다루는 장치에 있어서, 평면 기판에 대하여 대각선 방향으로부터 광을 조사하고, 그 반사광의 위치를 검출함으로써 기판의 높이를 검출하는 방법이 이용되고 있다.
특허문헌 1에는, 대상물에 대각선 위쪽으로부터 2차원 슬릿광을 투영하고, 이 투영된 2차원 슬릿광의 대상물에 의한 반사광을 검출하고, 이 검출된 2차원 슬릿광에 의한 2차원 슬릿상(像)을 2차원 에어리어 센서에 의해 전기 신호로 변환하고, 이 변환된 2차원 슬릿상에 의한 전기 신호로부터 검출 오차가 큰 슬릿 부분을 제외하고 대상물의 높이를 검출하는 기술이 개시되어 있다.
특허문헌 2에는, 피측정물의 가장자리에 가까운 부위에서의 높이 측정에 있어서 멀티슬릿상의 일부밖에 피측정물에 조사되지 않을 때에, 패턴 매칭에 의해 검출할 수 없는 슬릿을 특정하여, 멀티슬릿상 중 검출할 수 없는 개수를 계산하고, 이상적인 슬릿상의 전기 신호를 보완하는 기술이 개시되어 있다.
일본국 특허 제4426519호 공보 일본국 특개2016-33461호 공보
반도체 제조 공정에서는, 1매의 웨이퍼로부터 보다 많은 다이를 취하기 위해, 웨이퍼의 에지의 근방까지 다이를 취하는 요구가 있다. 이에 수반하여, 반도체 제조 공정에 이용되는 하전 입자빔 장치 및 광학식 검사 장치에 대하여, 웨이퍼의 에지 근방까지 고(高)정밀도로 측정이나 검사를 행하기 위해, 웨이퍼의 에지 근방까지 고정밀도로 웨이퍼의 높이를 검출하는 것이 요구되고 있다. 또한, 반도체 제조 공정의 고(高)스루풋화를 위해, 고속의 높이 검출이 요구된다.
이에 대하여, 특허문헌 1에 개시된 기술에서는, 2차원 슬릿상에 의한 전기 신호로부터 검출 오차가 큰 슬릿 부분을 제외하는 것이 개시되어 있지만, 에지 근방에서는 상(像)을 결여해 버리므로 제외의 처리를 행하는 전제가 되는 상을 얻을 수 없다.
특허문헌 2에 개시된 기술에서는, 검출할 수 없는 슬릿의 특정과 보완에 요하는 시간 때문에, 고스루풋화에 불리하다.
본 발명의 목적은, 고정밀도이며 또한 고속의 웨이퍼의 에지의 근방에 이르기까지의 웨이퍼의 높이 검출의 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명에서는, 웨이퍼 위의 대상 영역을 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 패턴을, 다른쪽 측에 제2 패턴을, 웨이퍼 표면에 대하여 대각선 방향으로부터 투사(投射)함으로써, 제1 패턴 및 제2 패턴 중의 적어도 어느 것의 상을 이용할 수 있고, 상술한 과제를 해결할 수 있다.
본 발명에 따르면, 고정밀도이며 또한 고속의 웨이퍼의 에지의 근방에 이르기까지의 웨이퍼의 높이 검출의 기술을 제공할 수 있다. 나아가서는, 웨이퍼의 에지의 근방까지 다이를 취할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 CD-SEM 장치의 장치 구성을 나타내는 개략도.
도 2a는 본 발명의 실시예에 있어서의 광학식 높이 검출 광학계의 구성을 나타내는 개략도.
도 2b는 본 발명의 실시예에 있어서의 광학식 높이 검출 광학계의 구성을 나타내는 개략도.
도 3은 본 발명의 실시예의 광학식 높이 검출 광학계에 있어서의, 대상물의 높이와 슬릿상의 시프트량의 관계를 설명하는 개략도.
도 4는 본 발명의 실시예의 2차원 슬릿의 평면도.
도 5는 피측정 대상물의 표면에 투영된 2차원 슬릿의 상을 나타내는 도면.
도 6은 피측정 대상물의 반도체 웨이퍼의 에지 부분의 예를 나타내는 도면.
도 7a는 피측정 대상물의 반도체 웨이퍼의 에지 근방에서의, 제1 슬릿군 및 제2 슬릿군의 투영의 상태를 나타내는 도면.
도 7b는 피측정 대상물의 반도체 웨이퍼의 에지 근방에서의, 제1 슬릿군 및 제2 슬릿군의 투영의 상태를 나타내는 도면.
도 7c는 피측정 대상물의 반도체 웨이퍼의 에지 근방에서의, 제1 슬릿군 및 제2 슬릿군의 투영의 상태를 나타내는 도면.
도 7d는 피측정 대상물의 반도체 웨이퍼의 에지 근방에서의, 제1 슬릿군 및 제2 슬릿군의 투영의 상태를 나타내는 도면.
도 8은 2차원 에어리어 센서에 투영되는 제1 패턴 및 제2 패턴을 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 있어서의 CD-SEM 장치의 장치 구성을 나타내는 개략도.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 광학식 검사 장치의 장치 구성을 나타내는 개략도.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 광학식 검사 장치의 검사의 광학계를 나타내는 개략도.
도 12는 피측정 대상물의 표면에 투영된 2차원 슬릿의 상을 나타내는 도면.
이하의 실시형태에 있어서, 편의상 그 필요가 있을 때에는, 복수의 섹션 또는 실시형태로 분할하여 설명하지만, 특별히 명시했을 경우를 제외하고, 그들은 서로 무관계인 것이 아니라, 한쪽은 다른쪽의 일부 또는 전부의 변형예, 상세, 보충 설명 등의 관계에 있다. 이하, 본 발명의 실시예를, 도면을 이용하여 설명한다.
실시예 1
도 1은, 본 발명의 제1 실시예의 하전 입자선 장치인 CD-SEM(Critical Dimension Scanning Electron Microscope) 장치(100)의 장치 구성을 나타내는 개략도이다. CD-SEM 장치(100)는, 반도체의 제조 프로세스의 조건 설정이나 모니터를 위해, 주사 전자 현미경에 의해 피측정 대상물(피측정물, 대상물)(115)의 전자선상을 얻고, 화상 처리에 의해, 피측정 대상물(115)의 미세한 패턴의 선폭이나 구멍 직경을 측장하는 것이다. 피측정 대상물(115)은, 예를 들면, 미세한 패턴이 형성되어 있는 반도체 웨이퍼이다.
CD-SEM 장치(100)는, 피측정 대상물(115)의 전자선상을 얻고, 화상 처리를 행하는 주사 전자 현미경계와, 주사 전자 현미경의 초점 맞춤을 행하는 초점 제어계와, 피측정 대상물(115)의 높이를 검출하는 광학식 높이 검출계와, 전체 제어계를 갖는다.
주사 전자 현미경계는, 전자선을 출사(出射)하는 전자선원(111)과, 전자선원(111)으로부터 나온 전자선을 집속(集束)하는 콘덴서 렌즈(112)와, 집속된 전자선을 2차원 주사하는 편향기(113)와, 전자선을 피측정 대상물(115)에 집속하는 대물 렌즈(114)와, 피측정 대상물(115)을 재치(載置)하는 Z 스테이지(122)와, 높이 방향으로 가동(可動)하는 Z 스테이지(122)를 수평 방향의 2차원 방향으로 움직이는 XY 스테이지(116)와, XY 스테이지(116)에 의해 이동되는 피측정 대상물(115)의 위치를 계측하는 레이저 측장기(117)와, 전자선의 조사에 의해 피측정 대상물(115)로부터 방출되는 이차 전자를 검출하는 이차 전자 검출기(118)와, 검출된 이차 전자 신호를 A／D 변환하는 A／D 변환기(119)와, A／D 변환된 이차 전자 신호에 의한 전자선상(SEM 화상)을 화상 처리하고, 지정된 화상 중의 패턴의 폭이나 구멍 직경의 길이의 측정을 행하는 화상 처리 수단(120)을 갖는다.
광학식 높이 검출계는, 투사 광학계, 검출 광학계, 2차원 에어리어 센서, 및 높이 검출 수단을 구비한다. 광학식 높이 검출계는, 피측정 대상물(115)의 표면에 후술하는 제1 및 제2 패턴을 대각선 방향으로부터 투사하고, 피측정 대상물(115)에서 반사된 광을 검출한다. 광학식 높이 검출계는, 또한, 제1 및 제2 패턴의 적어도 어느 쪽의 상에 의한 2차원 에어리어 센서로부터의 전기 신호를 검출하는 전기 신호 검출기(131)와, 제1 및 제2 패턴 중의 적어도 한쪽의 상을 선택하여 피측정 대상물(115)의 높이를 산출하는 높이 산출 처리기(132)를 구비한다.
초점 제어계는, 높이 산출 처리기(132)로부터 출력되는 피측정 대상물(115)의 높이의 정보에 의거하여, Z 스테이지(122)에서 피측정 대상물(115)의 높이를 조절함으로써 대물 렌즈(114)의 초점 맞춤을 행하는 초점 제어기(초점 제어 수단)(121)와, 초점 제어기(121)로 조절한 높이에서 전자선상을 검출하고, 그 전자선상으로부터 합초점 위치를 검출하는 자동 초점 제어기(자동 초점 제어 수단)(123)를 구비한다.
전체 제어계는, 주사 전자 현미경계, 초점 제어계, 및 광학식 높이 검출계의 전체의 제어를 행하고, 화상 처리 수단(120)에서 처리된 결과를 피측정 대상물(115)의 좌표 위치와 함께 모니터(142) 또는 기억 수단인 스토리지(143)에 출력하는 전체 제어부(141)를 구비한다.
다음으로, 광학식 높이 검출 광학계에 대해서, 도 2a, 도 2b, 도 3, 및 도 4를 이용하여 설명한다.
도 2a에 나타내는 바와 같이, 광학식 높이 검출 광학계는, 투사 광학계(251)와 검출 광학계(252)를 갖는다. 또한, 도 2b는, 도 2a에 정면도로 나타낸 광학계를 평면도로 나타낸 도면이다.
투사 광학계(251)는, 할로겐 램프 등의 백색 광원(261)과, 백색 광원(261)으로부터의 백색광을 집광하는 콘덴서 렌즈(263)와, 콘덴서 렌즈(263)에서 집광된 광으로 피측정 대상물(115) 위에 후술하는 제1 및 제2 패턴을 투사하기 위한 2차원 슬릿(264)과, 2차원 슬릿(264)을 통과한 광 중 S편광을 투과하도록 설치된 편광 필터(265)와, 편광 필터(265)를 통과한 광을 집광하여 피측정 대상물(115) 위 근방에 후술하는 제1 및 제2 패턴을 결상하는 투영 렌즈(266)를 갖는다. 편광 필터(265)는, 피측정 대상물(115)의 표면이 절연막과 같이 투명한 막으로 덮여 있을 경우에, S편광쪽이 P편광보다 투명막의 표면에서 반사하기 쉬우므로, 편광 필터(265)에 의해 S편광을 투과함으로써, 투명한 막에서의 다중 반사에 의한 영향을 작게 하는 것이다. 광원으로서는, 백색 광원(261)을 대신하여, 단파장의 레이저광원이나 발광 다이오드 등을 사용할 수 있지만, 단색광은 투명막 내에서의 다중 반사광이 간섭을 일으키거나, 투명막 두께의 변화가 반사율에 영향을 줘, 검출 오차가 커질 경우가 있다. Xs 방향(101) 및 Ys 방향(102)과, 2차원 슬릿(264)의 Xp축(272) 및 Yp축(273)과, Xp'축(505) 및 Yp'축(501)과, 2차원 에어리어 센서(271)의 Xp''축(274) 및 Yp''축(275)에 대해서는 후술한다.
검출 광학계(252)는, 투사 광학계(251)로부터 조사된 광 중 피측정 대상물(115) 위에서 정반사한 광 중, 특정한 파장 영역의 광을 투과하는 대역 필터(262)와, 대역 필터(262)를 통과한 광을 집광하여 중간상(269)을 결상하는 검출 렌즈(267)와, 검출 렌즈(267)를 통과한 정반사광의 진행 방향을 바꾸는 미러(268)와, 검출 렌즈(267)에서 결상된 중간상(269)을 확대하여 2차원 에어리어 센서(271) 위에 결상하는 확대 렌즈(270)와, 2차원 에어리어 센서(271)를 갖는다. 검출 광학계(252)는, 후술하는 제1 및 제2 패턴을 촬상할 수 있다. 2차원 에어리어 센서(271)에는, 2차원 CCD 이미지 센서나 2차원 CMOS 이미지 센서를 이용할 수 있다. 대역 필터(262)는, 백색 광원(261)으로부터의 광의 파장 대역을 제한하여, 검출 렌즈(267) 및 확대 렌즈(270)에 의한 색 수차(收差)를 저감하고, 2차원 에어리어 센서(271) 위에 결상하는 상의 파장 의존성을 작게 한다.
여기에서, 투사 광학계(251)와 검출 광학계(252)는, 광학식 높이 검출에 있어서의 검출 오차를 작게 하기 위해, 도 2b에 나타내는 바와 같이, XY 스테이지(116)의 이동 방향인 Xs 방향(101)에 대하여 경사지게 설치되어 있다. Xs 방향(101)과 직교하는 XY 스테이지(116)의 이동 방향을 Ys 방향(102)으로 한다. 본 실시예에서는, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 투사 광학계(251) 및 검출 광학계(252)가, Xs 방향(101)에 대하여 45° 경사지게 배치된다.
도 3은, 본 실시예의 광학식 높이 검출 광학계에 있어서의, 대상물의 높이와 슬릿상의 시프트량의 관계를 설명하는 개략도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, Xs 방향(101) 및 Ys 방향(102)에 직교하는 방향을, Zs 방향(301)으로 한다. Zs 방향(301)은, Z 스테이지(122)의 이동 방향에 대응한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 2차원 슬릿광의 입사각(374)을 θ, 검출 광학계의 검출 렌즈(267)와 확대 렌즈(270)를 종합한 검출 확대 렌즈(375)의 배율을 m으로 했을 경우, 피측정 대상물(115)의 높이가 ΔZs만큼 변화하면, 2차원 에어리어 센서(271) 위의 2차원 슬릿상은 2mΔZs·sinθ만큼 전체적으로 시프트한다. 이를 이용하여, 높이 산출 처리기(132)에서는, 2차원 에어리어 센서(271)에서 얻어진 2차원 슬릿상의 전기 신호에 의거하여 2차원 슬릿상의 시프트량을 산출하고, 산출한 시프트량으로부터, 피측정 대상물(115)의 높이의 변화량인 ΔZs를 산출한다. θ는, 예를 들면, 70°로 할 수 있다.
도 4는, 2차원 슬릿(264)의 피측정 대상물(115)측에서 본 평면도이다. 2차원 슬릿(264)은, 투사 광학계(251)의 광축(401)을 지나는 Xp축(272) 및 Yp축(273)을 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 슬릿군(402)과, 다른쪽 측에 제2 슬릿군(403)을 갖는다. 본 실시예에서는, 제1 슬릿군(402) 및 제2 슬릿군(403)에는, 각각 4개의 슬릿이 포함된다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 제1 슬릿군(402) 및 제2 슬릿군(403)에서는, 각각에 포함되는 슬릿의 단변 방향으로 각 슬릿이 배열된다. 또한, 제1 슬릿군(402) 및 제2 슬릿군(403)의 각 슬릿의 장변 방향은, Xp축(272)에 대략 평행하다. 제1 슬릿군(402) 및 제2 슬릿군(403)에는, 각각 적어도 1개의 슬릿이 포함되도록 하고, 필요한 스테이지의 높이 제어의 정밀도에 따라, 슬릿의 개수를 늘릴 수 있다.
도 5는, 피측정 대상물(115)의 표면에 투영된 2차원 슬릿(264)의 상을 나타내는 도면이다. 도 5의 Yp'축(501)은, 도 4의 Yp축(273)의 피측정 대상물(115)의 표면에의 사영(射影)에 대응한다. 또한, Yp'축(501)은, 광축(401)의 피측정 대상물(115)의 표면에의 사영에 대응한다. Xp'축(505)은, 피측정 대상물(115)의 표면에서의, Xp축(272)의 광축(401) 방향에의 사영에 대응한다. 또한, Xp축(272)과 Xp'축(505)은, 도립상(倒立像)의 관계가 되기 때문에, 서로의 방향을 반전시키고 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 투사 광학계(251)에 의해, 투사 광학계(251)의 광축(401), Xp'축(505), 및 Yp'축(501)을 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 슬릿군(402)의 상인 제1 패턴(502)이, 다른쪽 측에 제2 슬릿군(403)의 상인 제2 패턴(503)이, 각각 투영된다. 이와 같이, 제1 패턴(502)이 제2 패턴(503)보다 투사 광학계(251)의 가까이에 투영된다. 또한, 투사 광학계(251)의 광축(401)의 피측정 대상물(115)의 표면에의 사영인 Yp'축(501)을 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 패턴(502)이, 다른쪽 측에 제2 패턴(503)이 투영된다. 제1 패턴(502) 및 제2 패턴(503)은, 투영 렌즈(266)에 의해, 제1 슬릿군(402) 및 제2 슬릿군(403)이 확대되어 투영된 것이다. 또한, 도 3에 나타내는 바와 같이 투사 광학계(251)로부터 θ의 입사각으로 투사되기 때문에, Yp'축(501) 방향으로 1／sin(90°―θ)배로 확대되어 제1 슬릿군(402) 및 제2 슬릿군(403)이 피측정 대상물(115)의 표면에 투영된다. 제1 패턴(502)과 Xp축(272)의 간격(d1), 및 제2 패턴(503)과 Xp축(273)의 간격(d2)은, 예를 들면, 각각 1㎜로 할 수 있다. 제1 패턴(502) 및 제2 패턴(503)의 각각의 피치인, 제1 패턴(502) 및 제2 패턴(503)의 각각에 포함되는 슬릿의 단변 방향의 주기는, 제1 패턴(502)과 제2 패턴(503)의 간격인 d1+d2보다 작다. 도 5에, 제1 패턴(502)의 피치(p1)와, 제2 패턴(503)의 피치(p2)를 도시했다.
CD-SEM 장치(100)의 주사 전자 현미경계가 하전 입자빔인 전자빔을 주사하는 영역은, 예를 들면, 도 5의 파선으로 둘러싸서 나타낸 영역(504)이다. 여기에서, 주사 전자 현미경계가 하전 입자빔인 전자빔을 주사하는 영역의 크기는, 상을 얻으려는 영역의 넓이에 따라 변화한다. 주사 전자 현미경계가 전자빔을 주사하는 영역의 적어도 일부가, 제1 패턴(502)과, 제2 패턴(503) 사이에 위치함으로써, 후술하는 피측정 대상물(115)의 표면의 높이 측정에 의해, 피측정 대상물(115)인 반도체 웨이퍼 등의 미세한 패턴의 선폭이나 구멍 직경을 피측정 대상물(115)의 에지 근방까지 고스루풋이며 또한 고정밀도로 측장할 수 있다.
도 6 및 도 7a 내지 7d를 이용하여, 피측정 대상물(115)이 반도체 웨이퍼일 경우의 반도체 웨이퍼의 에지 근방에서의, 제1 슬릿군(402) 및 제2 슬릿군(403)의 투영의 상태를 나타낸다. 도 7a가 도 6의 Xs단 부근(601)에서의 투영의 상태를, 도 7b가 도 6의 Ys단 부근(602)에서의 투영의 상태를, 도 7c가 도 6의 45°단 부근(603)에서의 투영의 상태를, 도 7d가 도 6의 -45°단 부근(604)에서의 투영의 상태를 나타낸다.
도 7a에 나타내는 바와 같이, Xs단 부근(601)에서는, 피측정 대상물(115) 위인 웨이퍼 에지(701)의 내측에는 제1 패턴(502)이 투영된다. 한편으로, Xs단 부근(601)에서는, 제2 패턴(503)은 피측정 대상물(115) 위에 투영되지 않는다. 따라서, Xs단 부근(601)에서는, 제1 패턴(502)의 위치를 측정함으로써, 피측정 대상물(115)의 높이를 측정할 수 있다.
도 7b에 나타내는 바와 같이, Ys단 부근(602)에서는, 피측정 대상물(115) 위인 웨이퍼 에지(701)의 내측에는 제2 패턴(503)이 투영된다. 한편으로, Ys단 부근(602)에서는, 제1 패턴(502)은 피측정 대상물(115) 위에 투영되지 않는다. 따라서, Ys단 부근(602)에서는, 제2 패턴(503)의 위치를 측정함으로써, 피측정 대상물(115)의 높이를 측정할 수 있다.
도 7c에 나타내는 바와 같이, 45°단 부근(603)에서는, 피측정 대상물(115) 위인 웨이퍼 에지(701)의 내측에는 제1 패턴(502)이 투영된다. 한편으로, 45°단 부근(603)에서는, 제2 패턴(503)은 피측정 대상물(115) 위에 투영되지 않는다. 따라서, 45°단 부근(603)에서는, 제1 패턴(502)의 위치를 측정함으로써, 피측정 대상물(115)의 높이를 측정할 수 있다.
도 7d에 나타내는 바와 같이, -45°단 부근(604)에서는, 피측정 대상물(115) 위인 웨이퍼 에지(701)의 내측에는 제2 패턴(503)이 투영된다. 한편으로, -45°단 부근(604)에서는, 제1 패턴(502)은 피측정 대상물(115) 위에 투영되지 않는다. 따라서, -45°단 부근(604)에서는, 제2 패턴(503)의 위치를 측정함으로써, 피측정 대상물(115)의 높이를 측정할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시예에서는, 제1 패턴(502) 또는 제2 패턴(503)의 적어도 어느 것으로부터, 피측정 대상물(115)의 높이를 측정할 수 있다. 또한, 제1 패턴(502) 또는 제2 패턴(503)의 적어도 어느 것은, 상에 포함되는 슬릿의 개수를 유지할 수 있으므로, 검출할 수 없는 슬릿의 특정과 보완에 요하는 시간을 절약할 수 있다.
도 8에, 확대 렌즈(270)측에서 본 2차원 에어리어 센서(271)에 투영되는 제1 패턴(801) 및 제2 패턴(802)을 나타낸다. 제1 패턴(801)이 제1 슬릿군(402)의 투영 패턴에 대응하고, 제2 패턴(802)이 제2 슬릿군(403)의 투영 패턴에 대응한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 투사 광학계(251) 및 검출 광학계(252)에 의해, 투사 광학계(251)의 광축(401) 및 Yp''축(275)을 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 슬릿군(402)의 상인 제1 패턴(801)이, 다른쪽 측에 제2 슬릿군(403)의 상인 제2 패턴(802)이, 각각 투영된다.
2차원 에어리어 센서(271)로부터의 제1 패턴(801) 또는 제2 패턴(802)의 적어도 어느 것에 기인하는 전기 신호는 전기 신호 검출기(131)로 검출된다. 전기 신호 검출기(131)에서는, 도 8에 나타낸 Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(803) 위에 대응하는 선 위에서의 제1 패턴(801)에 기인하는 전기 신호를 얻을 수 있다. 마찬가지로, 전기 신호 검출기(131)에서는, 도 8에 나타낸 Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(804) 위에 대응하는 선 위에서의 제2 패턴(802)에 기인하는 전기 신호를 얻을 수 있다. 이와 같이, 투사 광학계(251)의 광축(401)을 지나는 Yp''축(275)을 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 슬릿군(402)의 상인 제1 패턴(801)이, 다른쪽 측에 제2 슬릿군(403)의 상인 제2 패턴(802)이, 각각 투영되므로, Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(803) 위에서는, 제2 패턴(802)의 영향을 받지 않고, 제1 패턴(801)에 기인하는 전기 신호를 얻을 수 있다. 또한, Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(804) 위에서는, 제1 패턴(801)의 영향을 받지 않고, 제2 패턴(802)에 기인하는 전기 신호를 얻을 수 있다. 따라서, Yp''축(275)을 따르는 복수의 선(803) 위 또는 Yp''축(275)을 따르는 복수의 선(804) 위의 적어도 어느 것에서, 슬릿의 개수에 결여가 없는 신호를 얻을 수 있다. 슬릿의 개수에 결여가 없을 경우에는, 도 8의 오른쪽에 나타낸 각 슬릿에 대응하는 피크를 갖는 전기 신호를, 복수의 선(803)과 복수의 선(804)의 각각의 선 위에서 얻을 수 있다.
높이 산출 처리기(132)에서는, 제1 패턴(801) 및 제2 패턴(802) 중 적어도 한쪽의 상을 선택하여, 피측정 대상물(115)의 높이를 산출한다. 구체적으로는, 높이 산출 처리기(132)는, Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(803) 위, 또는 Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(804) 위에서, 슬릿의 상의 개수에 결여가 없는 신호가 얻어지고 있는 쪽을 선택하고, 선택한 신호에서의 슬릿 위치에 대응하는 피크 위치의 변화로부터 피측정 대상물(115)의 높이를 산출한다. 반대로 말하면, 높이 산출 처리기(132)는, Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(803) 위, 또는 Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(804) 위에서, 슬릿의 상의 개수에 결여가 있는 신호가 얻어지고 있는 쪽은 무시하고, 남은 쪽의 신호에서의 슬릿 위치에 대응하는 피크 위치의 변화로부터 피측정 대상물(115)의 높이를 산출한다. 슬릿의 상의 개수에 결여가 있는지의 여부는, 예를 들면, Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(803) 위, 또는 Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(804) 위 중 적어도 하나의 선 위에서, 미리 설정한 임계값을 초과하는 강도의 피크를 4개 미만밖에 얻을 수 없을 경우에, 슬릿의 상의 개수에 결여가 있다고 판정할 수 있다. 이에 따라, 높이 산출 처리기(132)는, 제1 패턴(801) 또는 제2 패턴(802) 중, 슬릿군 내의 모든 슬릿의 상이 얻어지고 있는 쪽을 선택할 수 있다. 본 실시예에서는, Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(803)과, Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(804)은, 각각 3개로 했지만, 개수는 필요한 높이 측정의 정밀도에 따라 선택할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 슬릿의 상의 개수에 결여가 있는지의 여부를 판정하는 방법 이외에, 미리 XY 스테이지(116)의 이동처와 관련지어진 제1 패턴(801) 또는 제2 패턴(802)의 선택의 정보를 스토리지(143)에 기억해 두고, 높이 산출 처리기(132)가, 당해 정보를 참조하여, XY 스테이지(116)의 이동에 따라 제1 패턴(801) 또는 제2 패턴(802)을 선택하는 것으로도, 슬릿군 내의 모든 슬릿의 상이 얻어지고 있는 쪽을 선택할 수 있다.
제1 패턴(801) 또는 제2 패턴(802)을 선택하는 방법은, 상술한 방법 이외에도, 높이 산출 처리기(132)가, 2차원 에어리어 센서(271)의 도 8에 나타낸 Yp''축(275)보다 오른쪽의 영역으로부터의 강도의 신호의 적분이 미리 설정한 임계값 미만이 되었을 경우에는 제1 패턴(801)을 선택하고, Yp''축(275)보다 왼쪽의 영역으로부터의 강도의 신호의 적분이 미리 설정한 임계값 미만이 되었을 경우에는 제2 패턴(802)을 선택하는 것으로도, 실현할 수 있다. 이와 같이, 투사 광학계(251)의 광축(401)의 피측정 대상물(115)의 표면에의 사영인 Yp'축(501)을 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 패턴(502)이, 다른쪽 측에 제2 패턴(503)이 투영됨으로써, 2차원 에어리어 센서(271)의 오른쪽 절반 영역의 강도의 신호의 적분과 왼쪽 절반 영역의 강도의 신호의 적분과 같은 간단한 영역 설정으로, 제1 패턴(801) 또는 제2 패턴(802) 중, 어느 슬릿의 상이 결여되어 있는 것인지를 특정하지 않고, 용이하게 슬릿의 상의 개수에 결여가 없는 신호가 얻어지고 있는 쪽을 선택할 수 있다.
본 실시예에서는, 제1 패턴(801)과 제2 패턴(802)의 각각에서, 결여가 없을 경우에는 4개의 슬릿의 상을 얻을 수 있고, Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(803)의 3개의 선 위와, Yp''축(275) 방향을 따르는 복수의 선(804)의 3개의 선 위에서, 각각 피크 위치를 계측할 수 있으므로, 적어도 12개소의 피크 위치의 평균으로부터, 피측정 대상물(115)의 높이의 변화량인 ΔZs를 산출할 수 있다. 따라서, 고정밀도이며 또한 고속의 피측정 대상물(115)의 에지의 근방에 이르기까지의 높이 검출이 가능해진다. 또한, 제1 패턴(801) 및 제2 패턴(802)의 양쪽에서 모든 슬릿의 상을 얻을 수 있을 경우에는, 제1 패턴(801)의 상술한 12개소의 피크 및 제2 패턴(802)의 상술한 12개소의 피크의 양쪽을 사용하여, 합계 24개소의 피크 위치의 평균으로부터, 더 고정밀도로 ΔZs를 산출할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 4개의 슬릿상의 피크 위치의 변화의 계측으로부터 높이의 변화량인 ΔZs를 산출하지만, 슬릿의 상의 피크 사이의 밸리부의 위치의 계측으로부터도, ΔZs를 산출할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시예에서는, 고정밀도이며 또한 고속의 피측정 대상물의 에지의 근방에 이르기까지의 높이 검출의 기술을 제공할 수 있다. 나아가서는, 웨이퍼의 에지의 근방까지 다이를 취할 수 있다.
실시예 2
도 9는, 본 발명의 제2 실시예에 있어서의 CD-SEM 장치(900)의 장치 구성을 나타내는 개략도이다.
본 실시예의 CD-SEM 장치(900)와 상술한 제1 실시예의 CD-SEM 장치(100)와의 차이는, 초점 제어계에 있어서, CD-SEM 장치(100)에서는, 높이 산출 처리기(132)로부터 출력되는 피측정 대상물(115)의 높이의 정보에 의거하여, Z 스테이지(122)에서 피측정 대상물(115)의 높이를 조절함으로써 대물 렌즈(114)의 초점 맞춤을 행하는 것에 대하여, CD-SEM 장치(900)에서는, 초점 제어기(121)가 대물 렌즈(114)의 여자(勵磁) 전류를 조절하여 대물 렌즈(114)의 초점 맞춤을 행하는 점에 있다. 본 실시예의 CD-SEM 장치(900)에서는, 제1 실시예의 CD-SEM 장치(100)와 같이 Z 스테이지(122)에서 피측정 대상물(115)의 높이 조절이 행해지지 않기 때문에, 동작 중의 피측정 대상물(115)의 높이의 변동은 CD-SEM 장치(100)보다 커진다. 따라서, CD-SEM 장치(900)에서는, CD-SEM 장치(900)의 동작 중의 피측정 대상물(115)의 높이의 변동에 따른 제1 패턴(801)과 제2 패턴(802)의 위치의 변동을 고려하여, CD-SEM 장치(100)보다 도 5의 d1와 d2를 크게 하는 것이 바람직하다.
본 실시예의 CD-SEM 장치(900)에 있어서도, CD-SEM 장치(100)와 마찬가지로, 제1 패턴(801)과 제2 패턴(802)으로부터, 고정밀도이며 또한 고속의 피측정 대상물의 에지의 근방에 이르기까지의 높이 검출의 기술을 제공할 수 있다. 나아가서는, 웨이퍼의 에지의 근방까지 다이를 취할 수 있다.
실시예 3
도 10은, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 광학식 검사 장치(1000)의 장치 구성을 나타내는 개략도이다.
본 실시예의 광학식 검사 장치(1000)와 상술한 제1 실시예의 CD-SEM 장치(100)와의 차이는, CD-SEM 장치(100)가 전자선의 조사에 의해 피측정 대상물(115)로부터 방출되는 이차 전자를 검출하는 것에 대하여, 광학식 검사 장치(1000)는 레이저광의 조사에 의해 피측정 대상물(115)로부터 방출되는 산란광을 검출하는 점에 있다. 본 실시예의 광학식 검사 장치(1000)에 있어서도, CD-SEM 장치(100)와 마찬가지로, 제1 패턴(801)과 제2 패턴(802)으로부터, 고정밀도이며 또한 고속의 피측정 대상물의 에지의 근방에 이르기까지의 높이 검출의 기술을 제공할 수 있다. 나아가서는, 웨이퍼의 에지의 근방까지 다이를 취할 수 있다.
이하, 제1 실시예의 CD-SEM(100)과 다른 점을 중심으로 설명한다. 도 11은, 광학식 검사 장치(1000)의 검사의 광학계를 나타내는 개략도이다.
광학식 검사 장치(1000)는, 레이저광원(1101)과, 레이저광원(1101)으로부터의 레이저광(1106)을 세선(細線) 형상으로 성형하는 빔 성형부(1107)와, 세선 형상으로 성형된 레이저광(1102)의 조사에 의해 피측정 대상물(115)의 표면의 이물이나 결함에서 생기는 산란광을 검출하기 위한 산란광 검출계(1001A 및 1001B)를 갖는다. 도 10에서는, 산란광 검출계(1001B)를 생략하고 있다. 레이저광(1102)의 조사에 의해 피측정 대상물(115)의 표면에서 생기는 정반사의 반사광(1103)은, 산란광 검출계(1001A) 및 산란광 검출계(1001B) 중 어느 것에도 입사하지 않는다. 즉, 광학식 검사 장치(1000)에서는, 암시야 조명으로 되어 있다. 피측정 대상물(115)은, 예를 들면, 미세한 패턴이 형성되어 있는 반도체 웨이퍼이다. 광학식 검사 장치(1000)에서는, XY 스테이지(116)와 Z 스테이지(122)에 더하여, 피측정 대상물(115)의 각도 어긋남을 보정하기 위한 회전 스테이지를 추가할 수도 있다.
산란광 검출계(1001A)는, 대물 렌즈(1104A)와, 결상 렌즈(1105A)와, 1차원 센서 어레이(1118A)를 갖는다. 산란광 검출계(1001B)는, 대물 렌즈(1104B)와, 결상 렌즈(1105B)와, 1차원 센서 어레이(1118B)를 갖는다. 산란광 검출계(1001A)의 광학축이 피측정 대상물(115)의 표면에 대략 수직인 것에 대하여, 산란광 검출계(1001B)의 광학축은 피측정 대상물(115)의 표면의 수직 방향인 Zs 방향(301)에 대하여 경사져 있다. 따라서, 산란광 검출계(1001A)와 산란광 검출계(1001B)는, 서로 다른 방향에서 산란광을 검출한다. 레이저광원(1101)과, 산란광 검출계(1001A)와, 산란광 검출계(1001B)는 Xs 방향(101)으로 나란히 배치된다. 레이저광(1102) 및 반사광(1103)의 광로의 피측정 대상물(115)에의 사영은, Xs 방향(101)을 따른다. 산란광 검출계(1001A)의 대물 렌즈(1104A), 및 산란광 검출계(1001B)의 대물 렌즈(1104B)는, 투사 광학계(251)의 시야에 간섭하지 않도록 배치된다. 산란광 검출계(1001A)는, 산란광을 1차원 센서 어레이(1118A)에서 광전(光電) 변환하여 검출한다. 산란광 검출계(1001B)는, 산란광을 1차원 센서 어레이(1118B)에서 광전 변환하여 검출한다.
광학식 검사 장치(1000)는, 1차원 센서 어레이(1118A)의 출력과, 1차원 센서 어레이(1118B)의 출력을 디지털화하는 A／D 변환기(1119)와, 디지털화된 산란광 강도의 정보에 의거하여, 피측정 대상물(115) 위의 결함이나 이물의 정보의 추출을 행하는 화상 처리 수단(1120)을 갖는다.
본 실시예의 초점 제어계는, 초점 제어기(121)가, 높이 산출 처리기(132)로부터 출력되는 피측정 대상물(115)의 높이의 정보에 의거하여 Z 스테이지(122)에서 피측정 대상물(115)의 높이를 조절함으로써, 산란광 검출계(1001A) 및 산란광 검출계(1001B)의 초점을 피측정 대상물(115) 위에 맞춘다.
도 12에, 피측정 대상물(115)의 표면에 투사된 2차원 슬릿의 상을 나타낸다. 도 5에 나타낸 CD-SEM 장치(100)의 경우와의 차이는, CD-SEM 장치(100)의 주사 전자 현미경계가 하전 입자빔인 전자빔을 주사하는 영역인 영역(504)을 대신하여, 도 12에서는, 세선 형상으로 성형된 레이저광(1102)의 조사 영역(1201) 및 검사의 시야(1202)가, 제1 패턴(502)과 제2 패턴(503) 사이에 있는 것이다. 따라서, 피측정 대상물(115) 위의 검사의 시야(1202)를 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 패턴(502)이, 다른쪽 측에 제2 패턴(503)이, 투사 광학계(251)에 의해 투사된다. 검사의 시야(1202)는, 산란광 검출계(1001A) 및 산란광 검출계(1001B)의 시야에 대응한다. 그러므로, 조사 영역(1201)에 존재하는 이물이나 결함으로부터의 산란광이, 산란광의 방향에 따라, 산란광 검출계(1001A) 또는 산란광 검출계(1001B)에서 계측된다.
광학식 검사 장치(1000)에서는, 검사의 시야(1202)는 제1 패턴(502) 및 제2 패턴(503) 모두에 겹치지 않는다. 이에 따라, 투사 광학계(251)로부터의 광이 산란광 검출계(1001A) 및 산란광 검출계(1001B)에 들어가는 것을 억제할 수 있고, 피측정 대상물(115)의 표면의 검사를 고정밀도화할 수 있다. 제1 실시예의 CD-SEM 장치(100)와 마찬가지로, 광학식 검사 장치(1000)에서도, 투사 광학계(251) 및 검출 광학계(252)를, Xs 방향(101)에 대하여 45° 경사지게 배치할 수 있다. 광학식 검사 장치(1000)에서는, 제1 패턴(502)과 Xp축(272)의 간격(d1), 및 제2 패턴(503)과 Xp축(273)의 간격(d2)은, 예를 들면, 각각 1.5㎜로 할 수 있다.
광학식 검사 장치(1000)는, 제1 실시예의 CD-SEM 장치(100)와 마찬가지로, 제1 패턴(502) 또는 제2 패턴(503)의 적어도 어느 것의 상을 이용하여, Z 스테이지(122)의 높이를 조정할 수 있다. 또한, 본 실시예의 광학식 검사 장치(1000)는, 제1 패턴(502) 또는 제2 패턴(503)의 적어도 어느 것의 상을 이용하여, XY 스테이지(116)의 이동시에 생기는 피측정 대상물(115)의 높이의 변동을 억제할 수 있다. 특히, XY 스테이지(116)를 Xs 방향(101)으로 이동시킴으로써 조사 영역(1201) 및 검사의 시야(1202)를 피측정 대상물(115) 위에서 주사할 때에, 정밀도 좋게 피측정 대상물(115)의 높이의 변동을 억제할 수 있고, 웨이퍼 등의 피측정 대상물(115)의 에지의 근방에 이르기까지의 피측정 대상물(115)의 고정밀도이며 또한 고속의 검사를 할 수 있다. 나아가서는, 웨이퍼 등의 피측정 대상물(115)의 에지의 근방까지 다이를 취할 수 있다.
또한, 제1 패턴(502)과 제2 패턴(503)은 광축(401)에 대하여 대칭인 위치에 배치되므로, 투사 광학계(251)의 시야를 유효하게 사용할 수 있고, 대물 렌즈(1104A) 및 대물 렌즈(1104B)와, 투사 광학계(251)의 시야가, 서로 간섭하지 않도록 배치해도, 고정밀도의 높이 계측을 실현할 수 있다.
본 실시예에서는, 상술한 바와 같이 슬릿의 상의 개수에 결여가 있는지의 여부를 판정하는 방법 이외에도, 조사 영역(1201) 또는 검사의 시야(1202)의 피측정 대상물(115) 위의 위치와 관련지어진, 제1 패턴(801) 또는 제2 패턴(802)의 선택의 정보를 스토리지(143)에 기억해 두고, 높이 산출 처리기(132)가, 당해 정보를 참조하여, XY 스테이지(116)의 이동에 따라 제1 패턴(801) 또는 제2 패턴(802)을 선택하는 것으로도, 슬릿군 내의 모든 슬릿의 상이 얻어지고 있는 쪽을 선택할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태를 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 변경 가능하다.
100: CD-SEM 장치 115: 피측정 대상물
251: 투사 광학계 402: 제1 슬릿군
403: 제2 슬릿군 502: 제1 패턴
503: 제2 패턴

Claims (15)

  1. 스테이지와,
    상기 스테이지에 재치(載置)된 웨이퍼 위에의 하전 입자빔의 주사 영역의 적어도 일부를 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 패턴을, 다른쪽 측에 제2 패턴을, 상기 웨이퍼의 표면에 대하여 대각선 방향으로부터 투사(投射)하는 투사 광학계와,
    상기 제1 및 제2 패턴을 촬상하는 촬상 장치를 갖고,
    상기 제1 및 제2 패턴은,
    상기 투사 광학계의 광축을 사이에 두고 한쪽 측에 제1 패턴, 다른쪽 측에 제2 패턴을 갖고,
    또한 상기 제1 패턴 및 제2 패턴이 상기 광축에 대하여 소정 거리 떨어져 투사되고,
    상기 제1 및 제2 패턴의 상(像) 중 적어도 한쪽을 선택하여 웨이퍼의 높이를 측정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 또는 제2 패턴의 상의 결여에 따라, 상기 제1 및 제2 패턴의 상 중 적어도 한쪽을 선택하여 웨이퍼의 높이를 측정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투사 광학계는, 제1 슬릿군 및 제2 슬릿군을 통해, 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴을 투사하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 슬릿군의 각각에는, 각각에 포함되는 슬릿의 단변 방향으로 각 슬릿이 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 장치.
  5. 적어도 높이 방향으로 가동(可動)하는 스테이지와,
    상기 스테이지에 재치된 웨이퍼 위에의 하전 입자빔의 주사 영역의 적어도 일부를 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 패턴을, 다른쪽 측에 제2 패턴을, 상기 웨이퍼의 표면에 대하여 대각선 방향으로부터 투사하는 투사 광학계와,
    상기 투사 광학계로부터 투사되고, 상기 웨이퍼의 표면에서 반사한 광을 검출하는 검출 광학계를 갖고,
    상기 웨이퍼 위에서, 상기 제2 패턴은 상기 제1 패턴보다 상기 투사 광학계에 가까운 상기 웨이퍼 위의 영역에 투사되며, 또한 상기 투사 광학계의 광축의 상기 웨이퍼의 표면에의 사영(射影)을 사이에 두고, 한쪽 측에 상기 제1 패턴이, 다른쪽 측에 상기 제2 패턴이 투사되고,
    상기 제1 및 제2 패턴의 각각의 피치는, 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴의 간격보다 작은 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 장치.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 패턴 중 적어도 한쪽에 의거하여 상기 스테이지의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 또는 제2 패턴의 상의 결여에 따라, 상기 제1 및 제2 패턴 중 적어도 한쪽에 의거하여 상기 스테이지의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 장치.
  9. 적어도 높이 방향으로 가동하는 스테이지와,
    상기 스테이지에 재치된 웨이퍼 위의 검사의 시야를 사이에 두고, 한쪽 측에 제1 패턴을, 다른쪽 측에 제2 패턴을, 상기 웨이퍼의 표면에 대하여 대각선 방향으로부터 투사하는 투사 광학계와,
    상기 제1 및 제2 패턴을 촬상하는 촬상 장치를 갖고,
    상기 제1 및 제2 패턴은,
    상기 투사 광학계의 광축을 사이에 두고 한쪽 측에 제1 패턴, 다른쪽 측에 제2 패턴을 갖고,
    또한 상기 제1 패턴 및 제2 패턴이 상기 광축에 대하여 소정 거리 떨어져 투사되고,
    상기 제1 및 제2 패턴의 상 중 적어도 한쪽을 선택하여 상기 스테이지의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 광학식 검사 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 검사의 시야의 위치에 따라, 상기 제1 및 제2 패턴의 상 중 적어도 한쪽을 선택하여 상기 스테이지의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 광학식 검사 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 또는 제2 패턴의 상의 결여에 따라, 상기 제1 및 제2 패턴의 상 중 적어도 한쪽을 선택하여 상기 스테이지의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 광학식 검사 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 웨이퍼 위에서, 상기 제1 패턴은 상기 제2 패턴보다 상기 투사 광학계에 가까운 상기 웨이퍼 위의 영역에 투사되는 것을 특징으로 하는 광학식 검사 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 투사 광학계의 광축의 상기 웨이퍼의 표면에의 사영을 사이에 두고, 한쪽 측에 상기 제1 패턴이, 다른쪽 측에 상기 제2 패턴이 투영되는 것을 특징으로 하는 광학식 검사 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    선택한 상에 포함되는 복수의 강도 피크의 위치의 변화에 의거하여 상기 스테이지의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 광학식 검사 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    산란광을 제1 방향에서 검출하는 제1 검출 광학계와,
    상기 산란광을 제2 방향에서 검출하는 제2 검출 광학계를 갖는 것을 특징으로 하는 광학식 검사 장치.
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