JP4276711B2 - 半導体製造装置制御システム - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、記憶した複数のイベントから構成されるレシピに基づいて所定の処理を行う半導体製造装置と、通信回線を介して前記半導体製造装置と接続され、前記半導体製造装置を制御する群管理装置とから構成される半導体製造装置制御システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造装置の半導体製造装置制御システムにおいて、例えば、成膜に使用する温度、ガス流量、圧力等の膜付け処理の条件は、処理前にレシピに対して予め設定しておき、その内容をメモリカードやディスク等の補助メモリ（補助記憶装置）に保存している。そして、膜付け用ウェーハを半導体製造装置に投入したところで、補助メモリからレシピを主メモリにロードして成膜を行っている。しかし、気候等の変動（気圧、気温等）があると膜付け条件の変更が必要になる場合が発生する。例えば、大気圧が設定値より高い場合には、成膜ガスの拡散速度が遅く、膜付けによる膜厚が薄くなり、大気圧が設定値より低い場合には、成膜ガスの拡散速度が速く、膜厚が厚くなる。したがって、このような半導体製造装置制御システムにおいては、処理前にレシピの条件を書き換えて、処理を実行する必要があり、この書き換え等のために操作者等が介入している。
【０００３】
また、従来の自動化された半導体生産ラインの半導体製造装置制御システムにおいては、ホストコンピュータからレシピの実行前にそのレシピの特定のイベント（レシピ内の処理単位）の特定条件の値を装置にダウンロードしてそのレシピを変更する場合はあるが、例えば、気候変動に伴う最適化を実施することを目的として、種類の異なる装置毎に処理条件を最適化する作業を従来のホスト側で実現するのは容易ではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の半導体製造装置制御システムにおいては、補助記憶装置からレシピを主メモリにロードして成膜処理等を行う際に、環境などの条件によって変更しなければならない処理条件があると、これを実状に合わせて操作者が設定変更しなければならず、そのために半導体製造装置の稼働停止が長くなったり、操作者による設定誤りも発生するという問題がある。
【０００５】
この発明の目的は、上記問題に鑑み、従来の人が行っていたレシピの設定変更を群管理装置によって自動的に実施できるようにし、誤設定を無くすとともに、生産停止時間を短くできる半導体製造装置制御システムを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前述した課題を解決するために、この発明は、記憶した複数のイベントから構成されるレシピに基づいて所定の処理を行う半導体製造装置と、通信回線を介して前記半導体製造装置と接続され、前記半導体製造装置を制御する群管理装置とから構成される半導体製造装置制御システムにおいて、前記半導体製造装置は、前記レシピのイベントのうち前記半導体製造装置の始動時に条件の変化に対応して最適化するように指定されているものを記憶している装置パラメータ記憶部と、前記始動時に、前記半導体製造装置が使用する前記レシピのイベントの中に前記装置パラメータ記憶部に記憶しているものと一致するものがあるか否かをチェックし、一致するものがある場合には、該当するイベントのパラメータをどのように補正すべきかを前記群管理装置に問い合わせ、その問い合わせに対する前記群管理装置からの応答に応じて、該当するイベントのパラメータを変更するイベント補正制御手段とを有し、前記群管理装置は、前記条件の変化を検出する条件変化検出手段と、前記条件変化検出手段が検出した変化に基づき、該当するイベントのパラメータをどのように最適化すべきかを計算し、計算した結果を前記半導体製造装置からの問い合わせに対する応答として前記半導体製造装置に返信する補正パラメータ計算手段とを有することを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について添付図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係わる半導体製造装置制御システムの実施の形態の一例を示すブロック図、図２は、図１の半導体製造装置制御システムにおけるレシピの詳細を示す図、図３，図４，図５は、図１のシステムの各部の動作を説明するフローチャート、図６は、図１の補正時間計算部が使用するグラフを示す図、図７は、図１のイベント補正テーブルファイルが格納している記憶内容をテーブル形態で示す図である。
【０００８】
図１から明らかなように、この半導体製造装置制御システム１は、半導体製造装置１０と群管理装置５０とから構成されている。また、群管理装置５０は、イベント補正部６０とイベント補正テーブル編集部７０と大気圧センサ８０とから構成されている。半導体製造装置１０には、主制御部１１と、主メモリ１２と、装置パラメータ記憶部１３ａおよびレシピ記憶部１３ｂを含む補助メモリ１３と、送信部１４と、受信部１５とが配置されている。
【０００９】
群管理装置５０におけるイベント補正部６０は、受信部６１と、補正条件検索部６２と、補正時間計算部６３と、送信部６４と、イベント補正テーブルバッファ６５と、現在大気圧値エリア６６と、イベント補正テーブルファイル６７と、大気圧センサ通信部６８とから構成されている。また、イベント補正テーブル編集部７０は、読み込み用バッファ７１と、イベント補正テーブル読み込み部７２と、データ設定部７３と、表示用バッファ７４と、ディスプレイ７５と、入力部７６とから構成されている。
【００１０】
半導体製造装置１０において、補助メモリ１３の装置パラメータ記憶部１３ａには、各レシピを構成するイベントのうち条件によって変更すべきパラメータが予めイベント補正チェックＩＤとして予め記憶され、レシピ記憶部１３ｂには、実行されるべきレシピＲ１，Ｒ２，〜，Ｒｎが予め記憶されている。この場合、レシピＲ１，Ｒ２，〜，Ｒｎは、１または複数のイベント（処理単位）から構成されており、その一般的なひとつの例が図２に示されている。
【００１１】
図２において、このレシピは、“００，０１，０２，０３，０４，０５”というイベントＩＤ（イベントの名称）を与えられた６つのイベントから構成されている。６つのイベントのうち、例えば、イベントＩＤが“００”であるイベントの内容を格納している記憶領域は、イベントＩＤである“００”を格納したブロックと、このイベントＩＤをもつイベントによって使用される処理時間、温度、圧力、ガス、その他に関するパラメータがそれぞれ格納される複数のブロックとから構成されている。
【００１２】
このような構成の半導体製造装置１０において、補助メモリ１３のレシピ記憶部１３ｂに記憶されているレシピＲ１，Ｒ２，〜，Ｒｎと、装置パラメータ記憶部１３ａに記憶されているイベント補正チェックＩＤとが読み出されて主メモリ１２にロードされ、図３に示されるように、レシピ実行が指示される（ステップＳ３１）と、主制御部１１は、実行すべきレシピＲ１，Ｒ２，〜，Ｒｎのイベントの中において、そのＩＤがイベント補正チェックＩＤに一致するものがあるか否かを判断する（ステップＳ３２）。
【００１３】
ステップＳ３２において、イベントＩＤがイベント補正チェックＩＤに一致するものがない場合にはイベントに対するパラメータの補正は終了し、もしも、一致するものがある場合には、該当するレシピのイベントに関して、どのパラメータをどのように補正すべきか（ここにおける例では、該当するイベントにおける処理時間であって、大気圧の変動に関連して変動するイベント時間が変更されるものとする）の問い合わせを送信部１４および通信回線ＤＬＡを介して群管理装置５０に送信（ステップＳ３３）した後に、群管理装置５０からのイベント補正に関する応答待ちとなる（ステップＳ３４）。
【００１４】
ステップＳ３４の後に、半導体製造装置１０の主制御部１１は、通信回線ＤＬＢおよび受信部１５を介してイベント補正に関する応答があったか否かを判断し（ステップＳ３５）、もしも、応答がなかったならば、エラーメッセージを表示して（ステップＳ３６）終了し、もしも、応答があったならば、補正対象となっているイベントにおける処理時間であるイベント時間を応答通りに変更し（ステップＳ３７：その他にも該当するものがあれば変更し）、続いて次の処理に移行する（ステップＳ３８）。
【００１５】
次に、半導体製造装置１０からの問い合わせに関連する群管理装置５０の側の動作について説明する。群管理装置５０において、該当するレシピのイベントの補正に関する処理を実行する前にそれに必要な準備が行われる。すなわち、イベント補正テーブル編集部７０の入力部７６を介して、補正の対象となっているイベントに関して所定の特定点（例えば、２つの大気圧の値）におけるパラメータ（イベント時間）の値を入力するために、先ず、入力用のフォーマットがイベント補正テーブルファイル６７から読み込み用バッファ７１に呼び出される。呼び出されたフォーマットは、表示用バッファ７４を介してディスプレイ７５に表示される。
【００１６】
この例においては、大気圧の変化に伴ってイベント時間を変化させるのであって、この変化は、図６に示すように直線的に比例変化するものとしている。この変化式（１）は、下記に示すような内容をもって補正時間計算部６３に入力部７６から予め設定されている。
Tc＝｛（TP1−TP2）／（PP1−PP2）｝（Pc−PP1）＋TP1・・・・（１）
そこで、ディスプレイ７５に表示されたフォーマットに従って入力部７６からデータ設定部７３に対して、イベント補正テーブル読み込み部７２を介して、例えば、レシピＲ１のイベント０４に対応して、大気圧６３０ｍｍＨｇのときイベント時間８０秒を、また、大気圧７９０ｍｍＨｇのときイベント時間３０秒のデータが与えられる。
【００１７】
同様にして、該当する各レシピＲ１，Ｒ２，〜，Ｒｎの補正対象のイベントに対応して、特定の大気圧におけるイベント時間の設定が完了すると、完了した設定内容をデータ設定部７３は、イベント補正テーブルバッファ６５を介してイベント補正テーブルファイル６７に格納する。この設定内容がテーブル状にイベント補正テーブルファイル６７に格納されている状態を示すのが図７である。他方、現在における大気圧の値は、大気圧センサ８０によって測定される。測定されたデータについては、図４に示すように大気圧センサ通信部６８が一定時間周期をもって要求し（ステップＳ４１）、大気圧を受信したか否かを判断し（ステップＳ４２）、もしも、受信しなければ、そのまま３０秒待機するか、もしも、受信すれば、受信した大気圧値を現在大気圧値エリア６６にセット（ステップＳ４３）した後に３０秒待機し（ステップＳ４４）、ステップＳ４１に戻りこの動作を繰り返す。
【００１８】
このような準備段階が終了している状態において、図５に示されるように、受信部６１が半導体製造装置１０の送信部１４からイベント補正要求があったか否かを判断し（ステップＳ５１）、イベント補正要求が無ければ終了するが、イベント補正要求があれば、その内容を補正条件検索部６２に引き渡す。補正条件検索部６２は、イベント補正テーブルファイル６７からイベント補正テーブルをイベント補正テーブルバッファ６５に読み出し、そのイベント補正テーブルの中に要求のあったレシピ名があるか否かを判断し（ステップＳ５２）、もしも、該当イベント名が無ければ、イベント補正応答としてエラーである旨を半導体製造装置１０の受信部１５に対して送信部６４と通信回線ＤＬＢを介して送信し（ステップＳ５５）、もしも、該当イベント名があれば、補正条件検索部６２は、以降の処理を補正時間計算部６３に引き渡す。
【００１９】
補正時間計算部６３は、例えば、図７のテーブルの Point1, Point2 における大気圧値とイベント時間値とを図６および式（１）における PP1, TP1 および PP2, TP2 に適用し、さらに、現在の大気圧値Ｐｃを現在大気圧値エリア６６から読み出すことにより、最適なイベント時間Ｔｃを算出する（ステップＳ５３）。補正時間計算部６３は、求めたイベント時間Ｔｃを関連するレシピに対応させ、送信部６４と通信回線ＤＬＢを介して半導体製造装置１０の受信部１５に送信する（ステップＳ５４）。受信部１５においてこれらの情報を得た半導体製造装置１０は、該当するレシピのイベント時間を補正した後に、それぞれのレシピに従って所定の処理を実行する。
【００２０】
図１の半導体製造装置制御システム１は、上述したように構成されているので、半導体製造装置１０が所定の処理を行うように起動されると、その処理に使用されるレシピのイベントのうち条件に合わせて最適な補正を加えるべく装置パラメータ記憶部１３ａに登録されたものについては、群管理装置５０により自動的に補正内容が伝達され、半導体製造装置１０は、操作管理者が介入しなくとも最適な条件下で稼働することとなる。なお、図１においては、半導体製造装置１０は、一台のみ示されているが多数台あってもよいことは明らかである。
【００２１】
【発明の効果】
以上に詳述したように、この発明に係わる半導体製造装置制御システムは、
記憶した複数のイベントから構成されるレシピに基づいて所定の処理を行う半導体製造装置と、通信回線を介して前記半導体製造装置と接続され、前記半導体製造装置を制御する群管理装置とから構成されている。この半導体製造装置制御システムにおいて、前記半導体製造装置は、前記レシピのイベントのうち前記半導体製造装置の始動時に条件の変化に対応して最適化するように指定されているものを記憶している装置パラメータ記憶部と、前記始動時に、前記半導体製造装置が使用する前記レシピのイベントの中に前記装置パラメータ記憶部に記憶しているものと一致するものがあるか否かをチェックし、一致するものがある場合には、該当するイベントのパラメータをどのように補正すべきかを前記群管理装置に問い合わせ、その問い合わせに対する前記群管理装置からの応答に応じて、該当するイベントのパラメータを変更するイベント補正制御手段とを有し、前記群管理装置は、前記条件の変化を検出する条件変化検出手段と、前記条件変化検出手段が検出した変化に基づき、該当するイベントのパラメータをどのように最適化すべきかを計算し、計算した結果を前記半導体製造装置からの問い合わせに対する応答として前記半導体製造装置に返信する補正パラメータ計算手段とを有することにより、該当するレシピのイベントのパラメータの変更を半導体製造装置が群管理装置に問い合わせ、これに群管理装置が適切に応答することができ、従来では人が行っていたレシピの設定変更を群管理装置によって自動的に実施でき、誤設定を無くすとともに、設定変更に伴う生産停止時間を短くできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係わる半導体製造装置制御システムの実施の形態の一例を示すブロック図である。
【図２】（ａ）は、図１の半導体製造装置制御システムにおけるレシピの詳細を示す図である。（ｂ）は、（ａ）のレシピのうちのひとつのイベントを詳細に示す図である。
【図３】図１のシステムの半導体製造装置の動作を説明するフローチャートである。
【図４】図１のシステムの半導体製造装置の動作を説明するフローチャートである。
【図５】図１のシステムの群管理装置の動作であって、特に、大気圧通信部の動作を説明するフローチャートである。
【図６】図１の補正時間計算部が使用するグラフを示す図である。
【図７】図１のイベント補正テーブルファイルが格納している記憶内容をテーブル形態で示す図である。
【符号の説明】
１ 半導体製造装置制御システム
１０ 半導体製造装置
１１ 主制御部
１２ 主メモリ
１３ 補助メモリ
１３ａ 装置パラメータ記憶部
１３ｂ レシピ記憶部
１４，６４ 送信部
１５，６１ 受信部
５０ 群管理装置
６０ イベント補正部
６２ 補正条件検索部
６３ 補正時間計算部
６５ イベント補正テーブルバッファ
６６ 現在大気圧値エリア
６７ イベント補正テーブルファイル
６８ 大気圧センサ通信部
７０ イベント補正テーブル編集部
７１ 読み込み用バッファ
７２ イベント補正テーブル読み込み部
７３ データ設定部
７４ 表示用バッファ
７５ ディスプレイ
７６ 入力部
Ｓ３１〜Ｓ５５ ステップ
【発明の属する技術分野】
この発明は、記憶した複数のイベントから構成されるレシピに基づいて所定の処理を行う半導体製造装置と、通信回線を介して前記半導体製造装置と接続され、前記半導体製造装置を制御する群管理装置とから構成される半導体製造装置制御システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造装置の半導体製造装置制御システムにおいて、例えば、成膜に使用する温度、ガス流量、圧力等の膜付け処理の条件は、処理前にレシピに対して予め設定しておき、その内容をメモリカードやディスク等の補助メモリ（補助記憶装置）に保存している。そして、膜付け用ウェーハを半導体製造装置に投入したところで、補助メモリからレシピを主メモリにロードして成膜を行っている。しかし、気候等の変動（気圧、気温等）があると膜付け条件の変更が必要になる場合が発生する。例えば、大気圧が設定値より高い場合には、成膜ガスの拡散速度が遅く、膜付けによる膜厚が薄くなり、大気圧が設定値より低い場合には、成膜ガスの拡散速度が速く、膜厚が厚くなる。したがって、このような半導体製造装置制御システムにおいては、処理前にレシピの条件を書き換えて、処理を実行する必要があり、この書き換え等のために操作者等が介入している。
【０００３】
また、従来の自動化された半導体生産ラインの半導体製造装置制御システムにおいては、ホストコンピュータからレシピの実行前にそのレシピの特定のイベント（レシピ内の処理単位）の特定条件の値を装置にダウンロードしてそのレシピを変更する場合はあるが、例えば、気候変動に伴う最適化を実施することを目的として、種類の異なる装置毎に処理条件を最適化する作業を従来のホスト側で実現するのは容易ではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の半導体製造装置制御システムにおいては、補助記憶装置からレシピを主メモリにロードして成膜処理等を行う際に、環境などの条件によって変更しなければならない処理条件があると、これを実状に合わせて操作者が設定変更しなければならず、そのために半導体製造装置の稼働停止が長くなったり、操作者による設定誤りも発生するという問題がある。
【０００５】
この発明の目的は、上記問題に鑑み、従来の人が行っていたレシピの設定変更を群管理装置によって自動的に実施できるようにし、誤設定を無くすとともに、生産停止時間を短くできる半導体製造装置制御システムを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前述した課題を解決するために、この発明は、記憶した複数のイベントから構成されるレシピに基づいて所定の処理を行う半導体製造装置と、通信回線を介して前記半導体製造装置と接続され、前記半導体製造装置を制御する群管理装置とから構成される半導体製造装置制御システムにおいて、前記半導体製造装置は、前記レシピのイベントのうち前記半導体製造装置の始動時に条件の変化に対応して最適化するように指定されているものを記憶している装置パラメータ記憶部と、前記始動時に、前記半導体製造装置が使用する前記レシピのイベントの中に前記装置パラメータ記憶部に記憶しているものと一致するものがあるか否かをチェックし、一致するものがある場合には、該当するイベントのパラメータをどのように補正すべきかを前記群管理装置に問い合わせ、その問い合わせに対する前記群管理装置からの応答に応じて、該当するイベントのパラメータを変更するイベント補正制御手段とを有し、前記群管理装置は、前記条件の変化を検出する条件変化検出手段と、前記条件変化検出手段が検出した変化に基づき、該当するイベントのパラメータをどのように最適化すべきかを計算し、計算した結果を前記半導体製造装置からの問い合わせに対する応答として前記半導体製造装置に返信する補正パラメータ計算手段とを有することを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について添付図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係わる半導体製造装置制御システムの実施の形態の一例を示すブロック図、図２は、図１の半導体製造装置制御システムにおけるレシピの詳細を示す図、図３，図４，図５は、図１のシステムの各部の動作を説明するフローチャート、図６は、図１の補正時間計算部が使用するグラフを示す図、図７は、図１のイベント補正テーブルファイルが格納している記憶内容をテーブル形態で示す図である。
【０００８】
図１から明らかなように、この半導体製造装置制御システム１は、半導体製造装置１０と群管理装置５０とから構成されている。また、群管理装置５０は、イベント補正部６０とイベント補正テーブル編集部７０と大気圧センサ８０とから構成されている。半導体製造装置１０には、主制御部１１と、主メモリ１２と、装置パラメータ記憶部１３ａおよびレシピ記憶部１３ｂを含む補助メモリ１３と、送信部１４と、受信部１５とが配置されている。
【０００９】
群管理装置５０におけるイベント補正部６０は、受信部６１と、補正条件検索部６２と、補正時間計算部６３と、送信部６４と、イベント補正テーブルバッファ６５と、現在大気圧値エリア６６と、イベント補正テーブルファイル６７と、大気圧センサ通信部６８とから構成されている。また、イベント補正テーブル編集部７０は、読み込み用バッファ７１と、イベント補正テーブル読み込み部７２と、データ設定部７３と、表示用バッファ７４と、ディスプレイ７５と、入力部７６とから構成されている。
【００１０】
半導体製造装置１０において、補助メモリ１３の装置パラメータ記憶部１３ａには、各レシピを構成するイベントのうち条件によって変更すべきパラメータが予めイベント補正チェックＩＤとして予め記憶され、レシピ記憶部１３ｂには、実行されるべきレシピＲ１，Ｒ２，〜，Ｒｎが予め記憶されている。この場合、レシピＲ１，Ｒ２，〜，Ｒｎは、１または複数のイベント（処理単位）から構成されており、その一般的なひとつの例が図２に示されている。
【００１１】
図２において、このレシピは、“００，０１，０２，０３，０４，０５”というイベントＩＤ（イベントの名称）を与えられた６つのイベントから構成されている。６つのイベントのうち、例えば、イベントＩＤが“００”であるイベントの内容を格納している記憶領域は、イベントＩＤである“００”を格納したブロックと、このイベントＩＤをもつイベントによって使用される処理時間、温度、圧力、ガス、その他に関するパラメータがそれぞれ格納される複数のブロックとから構成されている。
【００１２】
このような構成の半導体製造装置１０において、補助メモリ１３のレシピ記憶部１３ｂに記憶されているレシピＲ１，Ｒ２，〜，Ｒｎと、装置パラメータ記憶部１３ａに記憶されているイベント補正チェックＩＤとが読み出されて主メモリ１２にロードされ、図３に示されるように、レシピ実行が指示される（ステップＳ３１）と、主制御部１１は、実行すべきレシピＲ１，Ｒ２，〜，Ｒｎのイベントの中において、そのＩＤがイベント補正チェックＩＤに一致するものがあるか否かを判断する（ステップＳ３２）。
【００１３】
ステップＳ３２において、イベントＩＤがイベント補正チェックＩＤに一致するものがない場合にはイベントに対するパラメータの補正は終了し、もしも、一致するものがある場合には、該当するレシピのイベントに関して、どのパラメータをどのように補正すべきか（ここにおける例では、該当するイベントにおける処理時間であって、大気圧の変動に関連して変動するイベント時間が変更されるものとする）の問い合わせを送信部１４および通信回線ＤＬＡを介して群管理装置５０に送信（ステップＳ３３）した後に、群管理装置５０からのイベント補正に関する応答待ちとなる（ステップＳ３４）。
【００１４】
ステップＳ３４の後に、半導体製造装置１０の主制御部１１は、通信回線ＤＬＢおよび受信部１５を介してイベント補正に関する応答があったか否かを判断し（ステップＳ３５）、もしも、応答がなかったならば、エラーメッセージを表示して（ステップＳ３６）終了し、もしも、応答があったならば、補正対象となっているイベントにおける処理時間であるイベント時間を応答通りに変更し（ステップＳ３７：その他にも該当するものがあれば変更し）、続いて次の処理に移行する（ステップＳ３８）。
【００１５】
次に、半導体製造装置１０からの問い合わせに関連する群管理装置５０の側の動作について説明する。群管理装置５０において、該当するレシピのイベントの補正に関する処理を実行する前にそれに必要な準備が行われる。すなわち、イベント補正テーブル編集部７０の入力部７６を介して、補正の対象となっているイベントに関して所定の特定点（例えば、２つの大気圧の値）におけるパラメータ（イベント時間）の値を入力するために、先ず、入力用のフォーマットがイベント補正テーブルファイル６７から読み込み用バッファ７１に呼び出される。呼び出されたフォーマットは、表示用バッファ７４を介してディスプレイ７５に表示される。
【００１６】
この例においては、大気圧の変化に伴ってイベント時間を変化させるのであって、この変化は、図６に示すように直線的に比例変化するものとしている。この変化式（１）は、下記に示すような内容をもって補正時間計算部６３に入力部７６から予め設定されている。
Tc＝｛（TP1−TP2）／（PP1−PP2）｝（Pc−PP1）＋TP1・・・・（１）
そこで、ディスプレイ７５に表示されたフォーマットに従って入力部７６からデータ設定部７３に対して、イベント補正テーブル読み込み部７２を介して、例えば、レシピＲ１のイベント０４に対応して、大気圧６３０ｍｍＨｇのときイベント時間８０秒を、また、大気圧７９０ｍｍＨｇのときイベント時間３０秒のデータが与えられる。
【００１７】
同様にして、該当する各レシピＲ１，Ｒ２，〜，Ｒｎの補正対象のイベントに対応して、特定の大気圧におけるイベント時間の設定が完了すると、完了した設定内容をデータ設定部７３は、イベント補正テーブルバッファ６５を介してイベント補正テーブルファイル６７に格納する。この設定内容がテーブル状にイベント補正テーブルファイル６７に格納されている状態を示すのが図７である。他方、現在における大気圧の値は、大気圧センサ８０によって測定される。測定されたデータについては、図４に示すように大気圧センサ通信部６８が一定時間周期をもって要求し（ステップＳ４１）、大気圧を受信したか否かを判断し（ステップＳ４２）、もしも、受信しなければ、そのまま３０秒待機するか、もしも、受信すれば、受信した大気圧値を現在大気圧値エリア６６にセット（ステップＳ４３）した後に３０秒待機し（ステップＳ４４）、ステップＳ４１に戻りこの動作を繰り返す。
【００１８】
このような準備段階が終了している状態において、図５に示されるように、受信部６１が半導体製造装置１０の送信部１４からイベント補正要求があったか否かを判断し（ステップＳ５１）、イベント補正要求が無ければ終了するが、イベント補正要求があれば、その内容を補正条件検索部６２に引き渡す。補正条件検索部６２は、イベント補正テーブルファイル６７からイベント補正テーブルをイベント補正テーブルバッファ６５に読み出し、そのイベント補正テーブルの中に要求のあったレシピ名があるか否かを判断し（ステップＳ５２）、もしも、該当イベント名が無ければ、イベント補正応答としてエラーである旨を半導体製造装置１０の受信部１５に対して送信部６４と通信回線ＤＬＢを介して送信し（ステップＳ５５）、もしも、該当イベント名があれば、補正条件検索部６２は、以降の処理を補正時間計算部６３に引き渡す。
【００１９】
補正時間計算部６３は、例えば、図７のテーブルの Point1, Point2 における大気圧値とイベント時間値とを図６および式（１）における PP1, TP1 および PP2, TP2 に適用し、さらに、現在の大気圧値Ｐｃを現在大気圧値エリア６６から読み出すことにより、最適なイベント時間Ｔｃを算出する（ステップＳ５３）。補正時間計算部６３は、求めたイベント時間Ｔｃを関連するレシピに対応させ、送信部６４と通信回線ＤＬＢを介して半導体製造装置１０の受信部１５に送信する（ステップＳ５４）。受信部１５においてこれらの情報を得た半導体製造装置１０は、該当するレシピのイベント時間を補正した後に、それぞれのレシピに従って所定の処理を実行する。
【００２０】
図１の半導体製造装置制御システム１は、上述したように構成されているので、半導体製造装置１０が所定の処理を行うように起動されると、その処理に使用されるレシピのイベントのうち条件に合わせて最適な補正を加えるべく装置パラメータ記憶部１３ａに登録されたものについては、群管理装置５０により自動的に補正内容が伝達され、半導体製造装置１０は、操作管理者が介入しなくとも最適な条件下で稼働することとなる。なお、図１においては、半導体製造装置１０は、一台のみ示されているが多数台あってもよいことは明らかである。
【００２１】
【発明の効果】
以上に詳述したように、この発明に係わる半導体製造装置制御システムは、
記憶した複数のイベントから構成されるレシピに基づいて所定の処理を行う半導体製造装置と、通信回線を介して前記半導体製造装置と接続され、前記半導体製造装置を制御する群管理装置とから構成されている。この半導体製造装置制御システムにおいて、前記半導体製造装置は、前記レシピのイベントのうち前記半導体製造装置の始動時に条件の変化に対応して最適化するように指定されているものを記憶している装置パラメータ記憶部と、前記始動時に、前記半導体製造装置が使用する前記レシピのイベントの中に前記装置パラメータ記憶部に記憶しているものと一致するものがあるか否かをチェックし、一致するものがある場合には、該当するイベントのパラメータをどのように補正すべきかを前記群管理装置に問い合わせ、その問い合わせに対する前記群管理装置からの応答に応じて、該当するイベントのパラメータを変更するイベント補正制御手段とを有し、前記群管理装置は、前記条件の変化を検出する条件変化検出手段と、前記条件変化検出手段が検出した変化に基づき、該当するイベントのパラメータをどのように最適化すべきかを計算し、計算した結果を前記半導体製造装置からの問い合わせに対する応答として前記半導体製造装置に返信する補正パラメータ計算手段とを有することにより、該当するレシピのイベントのパラメータの変更を半導体製造装置が群管理装置に問い合わせ、これに群管理装置が適切に応答することができ、従来では人が行っていたレシピの設定変更を群管理装置によって自動的に実施でき、誤設定を無くすとともに、設定変更に伴う生産停止時間を短くできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係わる半導体製造装置制御システムの実施の形態の一例を示すブロック図である。
【図２】（ａ）は、図１の半導体製造装置制御システムにおけるレシピの詳細を示す図である。（ｂ）は、（ａ）のレシピのうちのひとつのイベントを詳細に示す図である。
【図３】図１のシステムの半導体製造装置の動作を説明するフローチャートである。
【図４】図１のシステムの半導体製造装置の動作を説明するフローチャートである。
【図５】図１のシステムの群管理装置の動作であって、特に、大気圧通信部の動作を説明するフローチャートである。
【図６】図１の補正時間計算部が使用するグラフを示す図である。
【図７】図１のイベント補正テーブルファイルが格納している記憶内容をテーブル形態で示す図である。
【符号の説明】
１ 半導体製造装置制御システム
１０ 半導体製造装置
１１ 主制御部
１２ 主メモリ
１３ 補助メモリ
１３ａ 装置パラメータ記憶部
１３ｂ レシピ記憶部
１４，６４ 送信部
１５，６１ 受信部
５０ 群管理装置
６０ イベント補正部
６２ 補正条件検索部
６３ 補正時間計算部
６５ イベント補正テーブルバッファ
６６ 現在大気圧値エリア
６７ イベント補正テーブルファイル
６８ 大気圧センサ通信部
７０ イベント補正テーブル編集部
７１ 読み込み用バッファ
７２ イベント補正テーブル読み込み部
７３ データ設定部
７４ 表示用バッファ
７５ ディスプレイ
７６ 入力部
Ｓ３１〜Ｓ５５ ステップ
Claims (6)
- 複数のイベントから構成されるレシピに基づいて所定の処理を行う半導体製造装置と、前記半導体製造装置を制御する群管理装置とから構成される半導体製造装置制御システムにおいて、
前記処理前にレシピに対して予め設定しておき、該レシピをロードして処理を行う際に、前記半導体製造装置は、前記レシピの実行指示を受付けると、前記レシピのイベントのうち、条件の変化に伴い最適化するイベントを記憶している装置パラメータ記憶部と、
前記レシピの実行指示があったときに、前記レシピのイベントの中に前記装置パラメータ記憶部に記憶しているイベントと一致するものがあるか否かを判断し、
前記イベントと一致するものがある場合には、該当するイベントのパラメータをどのように補正すべきかを前記群管理装置に問い合わせ、その問い合わせに対する前記群管理装置からの応答に応じて、該当するイベントのパラメータを変更するイベント補正制御手段とを有し、
前記群管理装置は、前記条件の変化を検出する条件変化検出手段と、前記条件変化検出手段が検出した変化に基づき、該当するイベントのパラメータをどのように最適化すべきかを計算する補正パラメータ計算手段とを有することを特徴とする半導体製造装置制御システム。 - 請求項１記載の半導体製造装置制御システムにおける半導体製造装置であって、
前記レシピのイベントのうち、条件の変化に伴い最適化するイベントを記憶している装置パラメータ記憶部を有し、
前記レシピのイベントの中に前記装置パラメータ記憶部に記憶しているイベントと一致するものがあるか否かを判断することを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項１記載の半導体製造装置制御システムにおける半導体製造装置であって、
前記イベントと一致するものがある場合には、該当するイベントのパラメータをどのように補正すべきかを前記群管理装置に問い合わせ、その問い合わせに対する前記群管理装置からの応答に応じて、該当するイベントのパラメータを変更するイベント補正制御手段とを有することを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項１記載の半導体製造装置制御システムにおける群管理装置であって、
前記条件の変化を検出する条件変化検出手段と、前記条件変化検出手段が検出した変化に基づき、該当するイベントのパラメータをどのように最適化すべきかを計算する補正パラメータ計算手段とを有することを特徴とする群管理装置。 - 請求項１記載の半導体製造装置制御システムにおける群管理装置であって、
各レシピの前記最適化する対象のイベントに対応して、前記条件に対するイベント時間が設定されているイベント補正テーブルファイルを有し、該イベント補正テーブルファイルに前記レシピに該当するレシピが無い場合、前記半導体製造装置からの問い合わせに対する応答として前記半導体製造装置にエラーを返信する群管理装置。 - 請求項１記載の半導体製造装置制御システムにおける成膜方法において、複数のイベントから構成されるレシピに基づいて所定の処理を行う半導体製造装置における成膜方法であって、
前記半導体製造装置の始動時に、前記レシピを構成するイベントのうち条件の変化に対応して最適化するように指定されているイベントに一致するイベントがある場合、該当するイベントのパラメータを変更する成膜方法。
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