KR102579164B1 - Substrate liquid processing apparatus and recording medium - Google Patents
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Abstract
처리액의 농도 변경을 적절히 행하는 것이다. 기판 액 처리 장치(A1)는, 처리액을 저류하는 처리액 저류부(38)와, 처리액 저류부(38)로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출부(41)와, 처리액 배출부(41)를 제어하는 제어부(7)를 구비하고, 제어부(7)는, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 실행하고, 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)를 제어한다. The concentration of the treatment liquid is appropriately changed. The substrate liquid processing device A1 includes a processing liquid storage unit 38 for storing a processing liquid, a processing liquid discharge unit 41 for discharging the processing liquid from the processing liquid storage unit 38, and a processing liquid discharge unit ( It is provided with a control unit 7 that controls 41), wherein the control unit 7 performs first control in a constant concentration mode in which the concentration of the processing liquid in the processing liquid storage unit 38 is adjusted to a predetermined set concentration, and processing. A second control in a concentration change mode in which the concentration of the processing liquid in the liquid reservoir 38 is changed is executed, and in the second control, the set concentration before the concentration change is compared with the set concentration after the concentration change, and the concentration is changed. When the set concentration after the concentration change is lower than the previous set concentration, the processing liquid discharge unit 41 is controlled to start discharging the processing liquid.
Description
본 개시는 기판 액 처리 장치 및 기억 매체에 관한 것이다.This disclosure relates to a substrate liquid processing device and a storage medium.
특허 문헌 1에는, 반도체의 에칭 처리의 처리액인 인산 용액 중의 인산 농도가 일정하게 되도록, 처리액의 저류부로부터 인산 용액을 배출하고 또한 처리액의 저류부에 인산 용액 및 물을 공급하는 기판 액 처리 장치가 개시되어 있다.
상술한 바와 같이, 특허 문헌 1에 기재된 기판 액 처리 장치에서는, 처리액의 농도를 일정하게 조정하면서 처리를 행하고 있다. 여기서, 기판 액 처리 장치에 있어서는, 처리의 유연성을 확보하기 위하여, 처리 중에 있어서 처리액의 농도를 변경하고자 하는 경우가 있다. As described above, in the substrate liquid processing apparatus described in
이에, 본 개시는, 처리액의 농도 변경을 적절히 행하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, the present disclosure aims to appropriately change the concentration of the processing liquid.
본 개시에 따른 기판 액 처리 장치는, 처리액을 저류하는 저류부와, 저류부로부터 처리액을 배출하는 배출부와, 배출부를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는, 저류부의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 기간에 있어서의 제 1 제어와, 저류부의 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 기간에 있어서의 제 2 제어를 실행하고, 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 배출부를 제어한다. A substrate liquid processing apparatus according to the present disclosure includes a reservoir for storing a processing liquid, a discharge unit for discharging the processing liquid from the reservoir, and a control unit for controlling the discharge unit, wherein the control unit determines the concentration of the processing liquid in the reservoir. A first control is performed during a concentration period during which the concentration is adjusted to a predetermined set concentration, and a second control is performed during a concentration change period during which the concentration of the treatment liquid in the reservoir is changed. In the second control, the set concentration before the concentration change is performed. and the set concentration after the concentration change are compared, and when the set concentration after the concentration change is lower than the set concentration before the concentration change, the discharge unit is controlled so that discharge of the processing liquid is started.
본 개시에 따르면, 처리액의 농도 변경을 적절히 행할 수 있다. According to the present disclosure, the concentration of the processing liquid can be appropriately changed.
도 1은 기판 액 처리 시스템을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 기판 액 처리 장치의 모식도이다.
도 3은 제어부의 기능적인 구성을 나타내는 블록도이다.
도 4는 레시피의 일례를 나타내는 표이다.
도 5는 기판 액 처리의 타임 차트이다.
도 6은 기판 액 처리의 순서도이다.
도 7은 변형예에 따른 농도 상승 촉진부의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 8은 변형예에 따른 농도 상승 촉진부의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 9는 도 8의 농도 상승 촉진부의 보다 구체적인 구성예를 나타내는 모식도이다.
도 10은 농도 센서의 구체예를 나타내는 모식도이다.
도 11은 고농도 처리액의 공급 순서를 예시하는 순서도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate liquid processing system.
Figure 2 is a schematic diagram of a substrate liquid processing device.
Figure 3 is a block diagram showing the functional configuration of the control unit.
Figure 4 is a table showing an example of a recipe.
Figure 5 is a time chart of substrate liquid processing.
6 is a flowchart of substrate liquid processing.
Figure 7 is a schematic diagram showing the configuration of a concentration increase accelerating unit according to a modification.
Figure 8 is a schematic diagram showing the configuration of a concentration increase accelerating unit according to a modified example.
FIG. 9 is a schematic diagram showing a more specific configuration example of the concentration increase accelerating portion of FIG. 8.
Figure 10 is a schematic diagram showing a specific example of a concentration sensor.
11 is a flowchart illustrating the supply sequence of a high-concentration treatment liquid.
이하, 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하여 중복되는 설명을 생략한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 액 처리 시스템(1A)은 캐리어 반입반출부(2)와, 로트 형성부(3)와, 로트 배치부(4)와, 로트 반송부(5)와, 로트 처리부(6)와, 제어부(7)를 구비한다. Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In the description, the same symbol is assigned to the same element or element having the same function, and redundant description is omitted. As shown in FIG. 1, the substrate
이 중 캐리어 반입반출부(2)는 복수 매(예를 들면, 25 매)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 배열하여 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다. 이 캐리어 반입반출부(2)에는, 복수 개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 마련되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한, 캐리어 스톡(13)은 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다. Among these, the carrier loading and unloading
그리고, 캐리어 반입반출부(2)는 외부로부터 캐리어 스테이지(10)로 반입된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12) 또는 캐리어 배치대(14)로 반송한다. 또한, 캐리어 반입반출부(2)는 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13) 또는 캐리어 스테이지(10)로 반송한다. 캐리어 스테이지(10)로 반송된 캐리어(9)는 외부로 반출된다. Then, the carrier loading/
로트 형성부(3)는, 1 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수 매(예를 들면, 50 매)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다. 또한 로트를 형성할 때는, 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면을 서로 대향하도록 로트를 형성해도 되고, 또한 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면이 모두 일방을 향하도록 로트를 형성해도 된다. 이 로트 형성부(3)에는 복수 매의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 마련되어 있다. 또한, 기판 반송 기구(15)는 기판(8)의 반송 도중에 기판(8)의 자세를 수평 자세에서 수직 자세 및 수직 자세에서 수평 자세로 변경시킬 수 있다. The lot forming unit 3 combines the
그리고, 로트 형성부(3)는 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 기판(8)을 로트 배치부(4)로 반송하고, 로트를 형성하는 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치한다. 또한, 로트 형성부(3)는 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)로 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로 반송한다. 또한 기판 반송 기구(15)는, 복수 매의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전(로트 반송부(5)로 반송되기 전)의 기판(8)을 지지하는 처리 전 기판 지지부와, 처리 후(로트 반송부(5)로 반송된 후)의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부의 2 종류를 가지고 있다. 이에 의해, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 옮겨 붙는 것을 방지한다. Then, the lot forming unit 3 transfers the
로트 배치부(4)는 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6)와의 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치대(16)에서 일시적으로 배치(대기)한다. 이 로트 배치부(4)에는 처리 전(로트 반송부(5)로 반송되기 전)의 로트를 배치하는 반입측 로트 배치대(17)와, 처리 후(로트 반송부(5)로 반송된 후)의 로트를 배치하는 반출측 로트 배치대(18)가 마련되어 있다. 반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1 로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 배치된다. The
그리고 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성한 로트가 반입측 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 거쳐 로트 처리부(6)로 반입된다. 또한 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 거쳐 반출된 로트가 반출측 로트 배치대(18)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)로 반송된다. Then, in the
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)의 사이 또는 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다. 이 로트 반송부(5)에는 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 마련되어 있다. 로트 반송 기구(19)는 로트 배치부(4)와, 로트 처리부(6)를 따라 배치한 레일(20)과, 복수 매의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성한다. 이동체(21)에는 수직 자세로 전후로 배열된 복수 매의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴 가능하게 마련되어 있다. The
그리고, 로트 반송부(5)는 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 그 로트를 로트 처리부(6)로 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 그 로트를 반출측 로트 배치대(18)로 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에서 로트의 반송을 행한다. Then, the
로트 처리부(6)는 수직 자세로 전후로 배열된 복수 매의 기판(8)을 1 로트로서 에칭 또는 세정 또는 건조 등의 처리를 행한다. 이 로트 처리부(6)에는 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2 대의 본 발명에 따른 에칭 처리 장치(26)가 배열되어 마련되어 있다. The
건조 처리 장치(23)는 처리조(27)와, 처리조(27)에 승강 가능하게 마련된 기판 승강 기구(28)를 구비한다. 처리조(27)에는 건조용의 처리 가스(IPA(이소프로필 알코올) 등)가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는, 1 로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다. 건조 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)로 수취하고, 기판 승강 기구(28)로 그 로트를 승강시킴으로써, 처리조(27)에 공급한 건조용의 처리 가스로 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 로트를 전달한다. The drying
기판 유지체 세정 처리 장치(24)는 처리조(29)를 가지고, 이 처리조(29)에 세정용의 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있도록 되어 있으며, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다. The substrate holding body
세정 처리 장치(25)는 세정용의 처리조(30)와 린스용의 처리조(31)를 가지고, 각 처리조(30, 31)에 기판 승강 기구(32, 33)를 승강 가능하게 마련하고 있다. 세정용의 처리조(30)에는 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(31)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다. The
에칭 처리 장치(26)는 에칭용의 처리조(34)와 린스용의 처리조(35)를 가지고, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)가 승강 가능하게 마련되어 있다. 에칭용의 처리조(34)에는 에칭용의 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용의 처리조(35)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다. The
이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(26)는 동일한 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(26)에 대하여 설명하면, 기판 승강 기구(36)에는 1 로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다. 에칭 처리 장치(26)에 있어서, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)로 수취하고, 기판 승강 기구(36)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 이 후, 에칭 처리 장치(26)는 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 로트를 전달한다. 또한, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)로 수취하고, 기판 승강 기구(37)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 이 후, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 로트를 전달한다. These cleaning
제어부(7)는 기판 액 처리 시스템(1A)의 각 부(캐리어 반입반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6))의 동작을 제어한다. 이 제어부(7)는 예를 들면 컴퓨터로 이루어지고, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(138)를 구비한다. 기억 매체(138)에는 기판 액 처리 시스템(1A)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는 기억 매체(138)에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써 기판 액 처리 시스템(1A)의 동작을 제어한다. 또한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(138)에 기억되어 있던 것으로, 다른 기억 매체로부터 제어부(7)의 기억 매체(138)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(138)로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. The
[기판 액 처리 장치][Substrate liquid processing device]
이어서, 도 2를 참조하여, 기판 액 처리 시스템(1A)이 포함하는 기판 액 처리 장치(A1)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 액 처리 장치(A1)는 에칭 처리 장치(26)를 포함하여 구성되어 있다. Next, with reference to FIG. 2 , the substrate liquid processing device A1 included in the substrate
에칭 처리 장치(26)는 정해진 농도의 약제(인산)의 수용액(예를 들면 88.3 중량%의 인산 수용액)을 에칭용의 처리액으로서 이용하여 기판(8)을 액 처리(에칭 처리)한다. 또한, 상술한 '88.3 중량%'는 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 경우('농도 일정 모드'의 경우. 상세는 후술)의 인산 수용액의 농도의 일례를 나타내고 있으며, 처리액의 농도가 변경되는 경우('농도 변경 모드'의 경우. 상세는 후술)에는, 인산 수용액의 농도는 일정하지 않고 적절히 변경된다. 에칭 처리 장치(26)는, 도 2에 나타내는 바와 같이 처리액 저류부(38)(저류부)와, 처리액 공급부(39)(농도 상승 촉진부)와, 처리액 순환부(40)와, 처리액 배출부(41)(배출부)를 구비한다. The
처리액 저류부(38)는 처리액을 저류하여 기판(8)을 처리한다. 처리액 저류부(38)는 상부를 개방시킨 처리조(34)의 상부 주위에 상부를 개방시킨 외조(42)를 형성하고, 처리조(34)와 외조(42)에 처리액을 저류한다. 처리조(34)는 기판(8)을 기판 승강 기구(36)에 의해 침지시킴으로써 액 처리하는 처리액을 저류한다. 외조(42)는 처리조(34)로부터 오버플로우된 처리액을 저류한다. 외조(42)에 저류된 처리액은 처리액 순환부(40)에 의해 처리조(34)로 공급된다. 외조(42)에는 액면 센서(80)가 마련되어 있다. 액면 센서(80)는 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 있어서의 액면 높이를 검출하는 센서이다. 액면 센서(80)로서는, 액면 높이를 검출하는 것이 가능한 각종 센서를 이용할 수 있다. 이하에서는, 액면 센서(80)가 전압값으로부터 액면 높이를 검출하는 센서로서 설명한다. 액면 센서(80)는 검출한 액면 높이를 나타내는 정보를 제어부(7)에 출력한다. The processing
처리액 공급부(39)는 처리액 저류부(38)에 처리액을 공급한다. 처리액 공급부(39)는 수용액 공급부(43)와 물 공급부(44)를 구비한다. 수용액 공급부(43)는 수용액 공급원(45)과, 유량 조정기(46)와, 물 공급원(61)과, 밸브(62)를 가진다. The processing
수용액 공급원(45)은 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 경우('농도 일정 모드'의 경우)에 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 농도가 높은 인산 수용액을 공급한다. 수용액 공급원(45)은 예를 들면 88.3 중량%, 25 ℃의 인산 수용액을 공급한다. 수용액 공급원(45)으로부터 공급되는 인산 수용액은 유로(43a)를 거쳐 처리액 저류부(38)로 공급된다. The aqueous
유량 조정기(46)는 유로(43a)에 있어서의 수용액 공급원(45)의 하류측에 마련되어 있다. 유량 조정기(46)는 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다. 물 공급원(61)은 유로(43a)에 대하여 정해진 온도(25℃)의 물(순수)을 공급한다. 물 공급원(61)으로부터 공급되는 물은 유로(60a)를 거쳐 유로(43a)(상세하게는, 유로(43a)에 있어서의 수용액 공급원(45)과 유량 조정기(46) 사이의 부분)로 공급된다. The
밸브(62)는 유로(60a)에 있어서의 물 공급원(61)의 하류측에 마련되어 있다. 밸브(62)는 제어부(7)에 접속되어 있으며, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다. 제어부(7)에 의해 밸브(62)가 열린 상태(통상 상태)에 있어서는, 유로(60a)를 거쳐 물 공급원(61)으로부터 공급되는 물이 유로(43a)로 유입되기 때문에, 수용액 공급원(45)으로부터 공급되는 인산 수용액의 농도가 낮아져, 처리액 저류부(38)에는 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 경우('농도 일정 모드'의 경우)에 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 낮은 농도의 인산 수용액(예를 들면 85 중량%의 인산 수용액)이 공급된다. The
한편, 제어부(7)에 의해 밸브(62)가 닫힌 상태(농도 상승 상태)에 있어서는, 물 공급원(61)으로부터 공급되는 물이 유로(43a)로 유입되지 않기 때문에, 수용액 공급원(45)으로부터 공급된 높은 농도의 인산 수용액이 그대로 처리액 저류부(38)로 공급된다. 이와 같이, 처리액 공급부(39)의 수용액 공급부(43)는 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 농도가 높은 인산 수용액을 처리액 저류부(38)로 공급함으로써, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 상승을 촉진시킨다(상세는 후술). On the other hand, when the
물 공급부(44)는 처리액 저류부(38)에 물(순수)을 공급한다. 물 공급부(44)는 정해진 온도(25℃)의 순수를 공급하기 위한 물 공급원(47)을, 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 유량 조정기(48)를 개재하여 접속한다. 유량 조정기(48)는 제어부(7)에 접속되어 있으며, 제어부(7)로 개폐 제어 및 유량 제어된다. The
처리액 순환부(40)는 외조(42) 내의 처리액을 처리조(34)로 보낸다. 처리액 순환부(40)는 순환 유로(49)와, 펌프(50)와, 히터(51)와, 필터(52)와, 농도계(53)를 구비한다. 순환 유로(49)는 처리액 저류부(38)의 외조(42)의 저부로부터 처리조(34)의 저부로 연장된 유로이다. 순환 유로(49)에는 펌프(50), 히터(51), 필터(52) 및 농도계(53)가 상류측(외조(42)측)으로부터 하류측(처리조(34)측)으로 차례로 마련되어 있다. 펌프(50) 및 히터(51)는 제어부(7)에 접속되어 있으며, 제어부(7)에 의해 구동 제어된다. 펌프(50)는 처리액을 상류측으로부터 하류측으로 압송한다. 히터(51)는 처리액을 설정 온도(예를 들면 165 ℃)까지 가열한다. 필터(52)는 처리액 중에 혼입된 파티클을 제거한다. 농도계(53)는 순환 유로(49)에 있어서의 처리액 중의 인산 농도를 측정한다. 농도계(53)는 측정한 인산 농도를 제어부(7)에 출력한다. The treatment
처리액 배출부(41)는 처리조(34) 내로부터 처리액을 배출한다. 처리액 배출부(41)는 예를 들면 배액 유로(41A)와 밸브(41B)를 가진다. 배액 유로(41A)는 처리조(34) 내의 처리액을 도출한다. 배액 유로(41A)의 일단부는 처리조(34)의 저부에 접속되어 있고, 배액 유로(41A)의 타단부는 기판 액 처리 시스템(1A)의 배액관(미도시)에 접속되어 있다. 밸브(41B)는 배액 유로(41A)에 마련되어 있다. 밸브(41B)는 제어부(7)에 접속되어 있으며, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다. The treatment
이어서, 도 3을 참조하여, 에칭 처리 장치(26)를 제어하는 제어부(7)에 대하여 상세하게 설명한다. 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 모드(농도 일정 기간)에 있어서의 제 1 제어와, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 모드(농도 변경 기간)에 있어서의 제 2 제어를 실행한다. 또한, 이하에서 설명하는 농도 일정 모드 및 농도 변경 모드는 모두, 처리 대상인 기판(8)이 처리액 저류부(38)의 처리액에 침지되어 처리액에 의해 처리되는 기판 처리 기간의 모드이다. 즉, 제어부(7)는 기판 처리 기간에 있어서, 상기 제 1 제어와 제 2 제어를 실행 가능하게 구성되어 있다. 또한, 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액에 기판(8)이 침지되어 있지 않은 인터벌 기간에 있어서는, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도를 상기 농도 일정 모드에 있어서의 정해진 설정 농도로 조절한다. Next, with reference to FIG. 3, the
제어부(7)는 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)(상세하게는 밸브(41B))를 제어한다. In the second control, the
구체적으로, 제어부(7)는 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우로서 또한 액면 센서(80)에 의해 검출된 액면 높이가 정해진 액면 기준값보다 높은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)(상세하게는 밸브(41B))를 제어한다. Specifically, in the second control, the
또한, 제어부(7)는 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 높은 경우에, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 상승이 촉진되도록 처리액 공급부(39)의 수용액 공급부(43)를 제어한다. Additionally, in the second control, the
도 3은 제어부(7)의 기능적인 구성을 개시하는 블록도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 기능 상의 구성(기능 모듈)으로서, 레시피 기억부(71)와, 수용액 조정부(72)와, 물 조정부(73)와, 배액 제어부(74)를 구비한다. Figure 3 is a block diagram disclosing the functional configuration of the
레시피 기억부(71)는 미리 설정된 레시피(작업 지시서)를 기억하는 기능이다. 레시피 기억부(71)는, 예를 들면 미리 유저에 의해 설정된 레시피를 기억하고 있다. 제어부(7)는 레시피에 따라 정해진 처리(제어)를 행한다. 도 4는 레시피(RP)의 일례를 나타내는 표이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 레시피(RP)에는 적어도 스텝 번호와, 처리 모드와, 설정 농도가 설정되어 있다. 스텝 번호란, 연속하여 행해지는 처리에 있어서의 스텝(단계)을 일의로 특정하는 정보이다. 서로 연속하는 스텝 번호(예를 들면 '001'과 '002' 등)는 서로 연속하는 스텝을 나타내고 있다. 또한, 스텝 번호가 작은 스텝(정도)일수록 먼저 실행되는 스텝이다. 도 4에 나타내는 예에서는, 스텝 번호 '001'의 스텝, '002'의 스텝, '003'의 스텝, '004'의 스텝의 순으로 처리가 실행된다. The
처리 모드란, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 조정에 관한 처리의 모드를 나타내는 정보이다. 기판 처리 기간의 처리 모드로서는, '농도 일정 모드'와 '농도 변경 모드'가 설정 가능하게 되어 있다. 농도 일정 모드란, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 모드이다. 농도 변경 모드란, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 변경되는(변경 가능하게 되어 있는) 모드이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 레시피(RP)에서는, 농도 일정 모드로서 스텝 번호 '001'로 나타나는 스텝이 설정되어 있고, 농도 변경 모드로서 스텝 번호 '002', '003', '004'로 각각 나타나는 복수의 스텝이 설정되어 있다. 설정 농도란, 대응하는 스텝에 있어서의 처리액의 농도의 목표값이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 복수의 스텝에는 각각 개별의 설정 농도가 설정되어 있다. 제어부(7)는 각 스텝에 있어서의 농도가 당해 설정 농도가 되도록, 수용액 조정부(72), 물 조정부(73) 및 배액 제어부(74)에 의한 각종 제어를 행한다. The processing mode is information indicating a processing mode related to adjusting the concentration of the processing liquid in the processing
수용액 조정부(72)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 따라 인산 수용액이 공급되도록, 수용액 공급부(43)(상세하게는 유량 조정기(46) 및 밸브(62))를 제어한다. 구체적으로, 수용액 조정부(72)는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 행한다. 수용액 조정부(72)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 처리 모드가 농도 일정 모드인 경우에는 제 1 제어를 행하고, 농도 변경 모드인 경우에는 제 2 제어를 행한다. The aqueous
제 1 제어(수용액 조정부(72)에 의한 제 1 제어)에서는, 수용액 조정부(72)는 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 낮은 농도의 인산 수용액(예를 들면 85 중량%의 인산 수용액)이 처리액 저류부(38)에 공급되도록, 수용액 공급부(43)를 제어한다. 구체적으로, 수용액 조정부(72)는 물 공급원(61)으로부터 공급되는 물이 유로(60a)를 거쳐 유로(43a)로 유입되도록, 수용액 공급부(43)의 밸브(62)를 연다. 이에 의해, 유로(43a)에는, 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 낮은 농도의 인산 수용액(유로(60a)를 거쳐 유입된 물에 의해 농도가 엷어진 인산 수용액)이 흐르게 된다. 그리고, 수용액 조정부(72)는 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도의 측정값과 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 있어서의 설정 농도에 기초하여, 처리액의 농도가 설정 농도에 가까워지도록 유량 조정기(46)를 제어한다. 즉, 수용액 조정부(72)는 처리액의 농도가 설정 농도에 가까워지는, 적절한 유량의 인산 수용액이 유로(43a)로부터 처리액 저류부(38)로 공급되도록 유량 조정기(46)를 제어한다. In the first control (first control by the aqueous solution adjusting unit 72), the aqueous
제 2 제어(수용액 조정부(72)에 의한 제 2 제어)에서는, 수용액 조정부(72)는 정해진 조건을 충족하는 경우에, 농도 일정 모드에 있어서 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 높은 농도의 인산 수용액(예를 들면 93 중량%의 인산 수용액)이 처리액 저류부(38)에 공급되도록 수용액 공급부(43)를 제어한다. 수용액 조정부(72)는 정해진 조건을 충족하지 않는 경우에는, 제 2 제어에 있어서도, 예를 들면 상술한 제 1 제어와 동일한 제어를 행한다. 수용액 조정부(72)는, 먼저 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 설정 농도(농도 변경 후의 설정 농도)와 하나 전의 스텝의 설정 농도(농도 변경 전의 설정 농도)를 비교하여, 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮은지 여부를 판정한다. 수용액 조정부(72)는 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮지 않다고(현재 스텝의 설정 농도가 하나 전의 스텝의 설정 농도 이상이라고) 판정한 경우에는, 액면 센서(80)로부터 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 있어서의 처리액의 액면 높이를 취득하고, 당해 액면 높이가 정해진 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상인지 여부를 판정한다. 당해 액면 기준값(하한 제어 개시값)은 그것보다 액면이 낮아진 경우에 온도 조정 기능이 손상되는 액면 높이인 액면 하한값보다 정해진 버퍼분만큼 높은 값이 된다. 액면 기준값은, 예를 들면 처리액 저류부(38)에 기판(8)을 수용하기 전에 액면 센서(80)로 측정된 전압값으로부터 도출되는 액면 높이에, 처리액 저류부(38)에 수용되는 기판(8)의 매수에 따른 액면 상승을 더함으로써 미리 도출되어 있다. In the second control (second control by the aqueous solution adjusting unit 72), when a predetermined condition is met, the aqueous
수용액 조정부(72)는 액면 높이가 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이 아니라고(액면 높이가 액면 기준값보다 낮다고) 판정한 경우에는, 농도 일정 모드에 있어서 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 높은 농도의 인산 수용액(예를 들면 93 중량%의 인산 수용액)이 처리액 저류부(38)에 공급되도록 수용액 공급부(43)를 제어한다. 즉, 수용액 조정부(72)는 '현재 스텝의 설정 농도가 하나 전의 스텝의 설정 농도 이상이며, 또한 액면 높이가 액면 기준값보다 낮다'라는 정해진 조건을 충족한 경우에, 농도 일정 모드에 있어서 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 높은 농도의 인산 수용액이 처리액 저류부(38)에 공급되도록 수용액 공급부(43)를 제어한다. When the aqueous
수용액 조정부(72)는, 구체적으로 물 공급원(61)으로부터 공급되는 물이 유로(60a)를 거쳐 유로(43a)로 유입되지 않도록, 수용액 공급부(43)의 밸브(62)를 닫는다. 이에 의해, 유로(43a)에는, 농도 일정 모드에 있어서 처리액 저류부(38)에 저류된 인산 수용액보다 높은 농도의 인산 수용액이 흐르게 된다. 그리고, 수용액 조정부(72)는 정해진 유량의 인산 수용액이 유로(43a)로부터 처리액 저류부(38)로 공급되도록 유량 조정기(46)를 제어한다. 수용액 조정부(72)는 액면 센서(80)로부터 취득하는 처리액의 액면 높이가 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이 될 때까지는, 처리액 저류부(38)로의 고농도 인산 수용액의 공급을 계속한다. 수용액 조정부(72)는 액면 센서(80)로부터 취득하는 처리액의 액면 높이가 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이 된 경우, 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했는지 여부를 판정하고, 도달한 경우에는 제 2 제어를 종료한다. 수용액 조정부(72)는 처리액 중의 인산 농도가 설정 농도에 도달한 후에는, 예를 들면 상술한 제 1 제어를 행한다. Specifically, the aqueous
물 조정부(73)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 따라 물이 공급되도록, 물 공급부(44)(상세하게는 유량 조정기(48))를 제어한다. 구체적으로, 물 조정부(73)는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와, 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 행한다. 물 조정부(73)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 처리 모드가 농도 일정 모드인 경우에는 제 1 제어를 행하고, 농도 변경 모드인 경우에는 제 2 제어를 행한다. The
제 1 제어(물 조정부(73)에 의한 제 1 제어)에서는, 물 조정부(73)는 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도의 측정값과 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 있어서의 설정 농도에 기초하여, 처리액의 농도가 설정 농도에 가까워지도록 유량 조정기(48)를 제어한다. 즉, 물 조정부(73)는 처리액의 농도가 설정 농도에 가까워져(인산 수용액 중의 순수량이 일정하게 되어), 적절한 유량의 물이 처리액 저류부(38)에 공급되도록 유량 조정기(48)를 제어한다. In the first control (first control by the water adjustment unit 73), the
제 2 제어(물 조정부(73)에 의한 제 2 제어)에서는, 물 조정부(73)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 있어서의 설정 농도에 따라 처리액 저류부(38)에 공급되는 수량이 변화하도록, 물 공급부(44)를 제어한다. 물 조정부(73)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 설정 농도(농도 변경 후의 설정 농도)와 하나 전의 스텝의 설정 농도(농도 변경 전의 설정 농도)를 비교한다. 물 조정부(73)는 현재 스텝의 설정 농도가 하나 전의 스텝의 설정 농도 이상이라고 판정한 경우에는, 물의 공급량이 감소하도록 유량 조정기(48)를 제어한다. 물 조정부(73)는 현재 스텝의 설정 농도가 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 낮은 경우에는, 물의 공급량이 증가하도록 유량 조정기(48)를 제어한다. 물 조정부(73)는 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했는지 여부를 판정하고, 도달한 경우에는 제 2 제어를 종료한다. 물 조정부(73)는 처리액 중의 인산 농도가 설정 농도에 도달한 후에는, 예를 들면 상술한 제 1 제어를 행한다. In the second control (second control by the water adjustment unit 73), the
배액 제어부(74)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피에 따라 처리조(34) 내로부터 처리액이 배출되도록, 처리액 배출부(41)(상세하게는 밸브(41B))를 제어한다. 구체적으로, 배액 제어부(74)는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와, 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 행한다. 배액 제어부(74)는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 처리 모드가 농도 일정 모드인 경우에는 제 1 제어를 행하고, 농도 변경 모드인 경우에는 제 2 제어를 행한다. The
제 1 제어(배액 제어부(74)에 의한 제 1 제어)에서는, 배액 제어부(74)는 예를 들면 처리조(34)로부터의 처리액의 배출이 행해지지 않도록 밸브(41B)를 닫는다. 또한 배액 제어부(74)는, 제 1 제어에 있어서 밸브(41B)를 약간 열어, 소량(제 2 제어와 비교하여 소량)의 배액이 행해지도록 제어해도 된다. In the first control (first control by the drainage control unit 74), the
제 2 제어(배액 제어부(74)에 의한 제 2 제어)에서는, 배액 제어부(74)는 정해진 조건을 충족하는 경우에, 처리조(34)로부터의 처리액의 배출이 개시되도록 밸브(41B)를 연다. 또한 '처리액의 배출이 개시되도록 밸브(41B)를 연다'란, 완전히 닫힌 상태의 밸브(41B)를 여는 경우뿐 아니라, 약간 열린 상태의 밸브(41B)를 크게 여는 경우(제 1 제어 시와 비교하여 배액량을 증가시키는 경우)도 포함하고 있다. 배액 제어부(74)는 정해진 조건을 충족하지 않는 경우에는, 제 2 제어에 있어서도, 예를 들면 상술한 제 1 제어와 동일한 제어를 행한다. In the second control (second control by the drainage control unit 74), the
배액 제어부(74)는, 먼저 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피를 참조하여, 현재 스텝의 설정 농도(농도 변경 후의 설정 농도)와 하나 전의 스텝의 설정 농도(농도 변경 전의 설정 농도)를 비교하여, 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮은지 여부를 판정한다. 배액 제어부(74)는 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮다고 판정된 경우에는, 액면 센서(80)로부터 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 있어서의 처리액의 액면 높이를 취득하고, 당해 액면 높이가 정해진 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높은지 여부를 판정한다. 당해 액면 기준값(상한 제어 개시값)은 그 이상 액면이 높아진 경우에, 처리액 저류부(38)로부터 인산 수용액이 흘러 넘칠 우려가 있는 액면 높이인 액면 상한값보다 정해진 버퍼분만큼 낮은 값이 된다. The
배액 제어부(74)는 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높다고 판정한 경우에는, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)를 제어한다. 즉, 배액 제어부(74)는 '하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮고, 또한 액면 높이가 액면 기준값보다 높다'라는 정해진 조건을 충족한 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)를 제어한다. When the
배액 제어부(74)는, 구체적으로 처리조(34)로부터의 처리액의 배출이 개시되도록 밸브(41B)를 연다. 이에 의해, 농도를 낮추는 경우에 있어서, 물 조정부(73)의 제어에 의해 처리액 저류부(38)에의 물의 공급량이 증가하여, 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면이 상승하고 있는 경우에 있어서, 가일층의 액면의 상승이 억제된다. 배액 제어부(74)는 액면 센서(80)로부터 취득하는 처리액의 액면 높이가, 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 될 때까지는, 처리조(34)로부터의 처리액의 배출을 계속한다. 배액 제어부(74)는 액면 센서(80)로부터 취득하는 처리액의 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 된 경우, 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했는지 여부를 판정하고, 도달한 경우에는 제 2 제어를 종료한다. 배액 제어부(74)는 처리액 중의 인산 농도가 설정 농도에 도달한 후에는, 예를 들면 상술한 제 1 제어를 행한다. Specifically, the
[기판 액 처리 방법][Substrate liquid processing method]
이어서, 기판 액 처리 방법의 일례에 대하여, 도 5의 타임 차트 및 도 6의 순서도를 참조하여 설명한다. 먼저, 도 5의 타임 차트를 참조하여, 연속하는 복수의 스텝의 처리 이미지를 설명한다. 도 5에 있어서는, 연속하는 복수의 스텝(스텝 번호 '001', '002', '003', '004'로 각각 나타나는 복수의 스텝)에 대한 시계열에 따른 처리가 나타나 있다. 도 5에 나타내는 각 스텝은, 도 4에 나타내는 레시피(RP)의 각 스텝에 대응하고 있으며, 처리 대상인 기판(8)이 처리액 저류부(38)의 처리액에 침지되어 처리액에 의해 처리되는 기판 처리 기간의 스텝이다. 스텝 번호 '001'로 나타나는 스텝만이 농도 일정 모드이며, 스텝 번호 '002', '003', '004'로 나타나는 스텝은 농도 변경 모드이다. 또한, 스텝 번호 '001', '003'으로 나타나는 스텝의 설정 농도는 '88.5 중량%'이며, 스텝 번호 '002', '004'로 나타나는 스텝의 설정 농도는 '86 중량%'이다. 또한 이하에서는, 스텝 번호 '001' ~ '004'의 스텝을 각각 스텝(001) ~ 스텝(004)로 나타낸다. Next, an example of a substrate liquid processing method will be described with reference to the time chart in FIG. 5 and the flow chart in FIG. 6. First, with reference to the time chart in FIG. 5, processing images of a plurality of consecutive steps will be described. In Figure 5, processing according to time series for a plurality of consecutive steps (a plurality of steps respectively indicated by step numbers '001', '002', '003', and '004') is shown. Each step shown in FIG. 5 corresponds to each step of the recipe RP shown in FIG. 4 , and the
도 5에 나타내는 바와 같이, 먼저 시각(t0)에서 스텝(001)이 개시된다. 농도 일정 모드인 스텝(001)에 있어서는, 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도를 일정(88.5 중량%)하게 조정하는 제 1 제어를 행한다. 이어서, 시각(t1)에서 스텝(001)이 종료되고 스텝(002)이 개시된다. 스텝(002)은 농도 변경 모드로서 설정 농도가 86 중량%이다. 이와 같이, 현재 스텝인 스텝(002)의 설정 농도가, 하나 전의 스텝인 스텝(001)의 설정 농도보다 낮은 경우에는, 제어부(7)에 의해 물의 공급량이 증가하도록 유량 조정기(48)가 제어되기 때문에, 스텝(002)에서는 시간의 경과와 함께 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면 높이가 서서히 상승한다. As shown in Fig. 5, step 001 starts at time t0. In
그리고, 시각(t2)에서 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높아지면, 제어부(7)에 의해 밸브(41B)가 열려 처리액의 배출(배액 제어)이 개시된다. 당해 배액 제어는, 시각(t3)에서 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 될 때까지 계속적으로 행해진다. 한 번 배액 제어가 종료된 경우라도, 설정 농도에 도달할 때까지는 물의 공급량이 많게 설정되어 있기 때문에, 시각(t4)에서 재차 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높아져 있다. 이 경우에는, 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 될 때까지 재차 배액 제어가 행해진다. Then, when the liquid level becomes higher than the liquid level reference value (upper limit control start value) at time t2, the
이어서, 시각(t5)에서 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 되고, 또한 스텝(002)이 종료되고 스텝(003)이 개시된다. 스텝(003)은 농도 변경 모드로서 설정 농도가 88.5 중량%이다. 이와 같이, 현재 스텝인 스텝(003)의 설정 농도가 하나 전의 스텝인 스텝(002)의 설정 농도보다 높은 경우에는, 제어부(7)에 의해 물의 공급량이 줄어들도록 유량 조정기(48)가 제어되기 때문에, 스텝(003)에서는 시간의 경과와 함께 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면 높이가 서서히 하강한다. Next, at time t5, the liquid level becomes below the liquid level reference value (upper limit control start value),
그리고, 시각(t6)에서 액면 높이가 액면 기준값(하한 제어 개시값)보다 낮아지면, 제어부(7)에 의해 수용액 공급부(43)의 밸브(62)가 닫히고, 고농도의 인산 수용액이 처리액 저류부(38)에 공급된다(고농도 인산 공급). 당해 고농도 인산 공급은, 시각(t7)에서 액면 높이가 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이 될 때까지 계속적으로 행해진다. Then, when the liquid level becomes lower than the liquid level reference value (lower limit control start value) at time t6, the
이어서, 시각(t8)에서 스텝(003)이 종료되고 스텝(004)이 개시된다. 스텝(004)은 농도 변경 모드로서 설정 농도가 86 중량%이다. 이와 같이, 현재 스텝인 스텝(004)의 설정 농도가 하나 전의 스텝인 스텝(003)의 설정 농도보다 낮은 경우에는, 제어부(7)에 의해 물의 공급량이 증가하도록 유량 조정기(48)가 제어되기 때문에, 스텝(004)에서는 시간의 경과와 함께 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면 높이가 서서히 상승한다. 그리고, 시각(t9)에서 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높아지면, 제어부(7)에 의해 밸브(41B)가 열려 처리액의 배출(배액 제어)이 개시된다. 당해 배액 제어는, 시각(t10)에서 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 될 때까지 계속적으로 행해진다. 한 번 배액 제어가 종료된 경우라도, 설정 농도에 도달할 때까지는 물의 공급량이 많게 되기 때문에, 시각(t11)에서 재차 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높아져 있다. 이 경우에는, 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 될 때까지, 배액 제어가 재차 행해진다. 시각(t12)에서, 액면 높이가 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 되고, 또한 스텝(004)이 종료된다. 또한, 기판 처리 기간의 각 스텝이 종료되고 기판(8)이 처리액 저류부(38)의 처리액에 침지되어 있지 않은 상태로 되어 있는 기간(인터벌 기간)에 있어서는, 제어부(7)에 의해 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도는 상술한 농도 일정 모드에 있어서의 설정 농도와 동일한 농도로 조절된다. 따라서, 농도 일정 모드에 있어서의 설정 농도에 변경이 있으면, 인터벌 기간에 들어가기 전의 농도 일정 모드의 처리액의 농도와 다음의 기판 처리 기간의 농도 일정 모드에 있어서의 처리액의 농도는 서로 상이하게 된다. Next, at time t8, step 003 ends and step 004 begins. Step (004) is a concentration change mode and the set concentration is 86% by weight. In this way, when the set concentration of
이어서, 도 6의 순서도를 참조하여, 1 스텝에 있어서의 제어부(7)의 처리의 상세에 대하여 설명한다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 먼저 제어부(7)(상세하게는, 수용액 조정부(72), 물 조정부(73) 및 배액 제어부(74))는 레시피 기억부(71)에 기억된 레시피(예를 들면 도 4에 나타내는 레시피(RP))를 취득하고(단계(S1)), 현재 스텝을 특정한다(단계(S2)). Next, with reference to the flowchart in FIG. 6, details of the processing of the
이어서, 제어부(7)는 특정한 현재 스텝이 농도 변경 모드인지 여부를 판정한다(단계(S3)). 단계(S3)에서, 현재 스텝이 농도 변경 모드가 아닌 경우에는, 제어부(7)는 당해 현재 스텝의 종료 타이밍까지, 처리액의 농도를 일정하게 조절하는 농도 일정 모드의 제 1 제어를 행한다(단계(S10)). Next, the
한편, 단계(S3)에서 현재 스텝이 농도 변경 모드인 경우에는, 제어부(7)는 처리액의 농도 변경이 가능해지도록 제 2 제어를 행한다. 구체적으로, 제어부(7)는 현재 스텝의 설정 농도(농도 변경 후의 설정 농도)와, 하나 전의 스텝의 설정 농도(농도 변경 전의 설정 농도)를 비교하여, 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮은지 여부를 판정한다(단계(S4)). On the other hand, in step S3, when the current step is in the concentration change mode, the
단계(S4)에서 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮다고 판정된 경우에는, 제어부(7)(상세하게는 물 조정부(73))는 처리액 저류부(38)에의 물의 공급량이 증가하도록 유량 조정기(48)를 제어하여, 처리액 저류부(38) 중의 처리액의 농도를 엷게 한다(단계(S5)). 또한, 제어부(7)(상세하게는 배액 제어부(74))는 액면 센서(80)로부터 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 있어서의 처리액의 액면 높이를 취득한다(단계(S6)). If it is determined in step S4 that the set concentration of the current step is lower than the set concentration of the previous step, the control unit 7 (specifically, the water adjustment unit 73) determines the amount of water supplied to the processing
이어서, 제어부(7)(상세하게는 배액 제어부(74))는 취득한 액면 높이가 정해진 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하인지 여부를 판정한다(단계(S7)). 단계(S7)에서 액면 높이가 정해진 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하가 아니라고(액면 높이가 정해진 액면 기준값(상한 제어 개시값)보다 높다고) 판정된 경우에는, 제어부(7)(상세하게는 배액 제어부(74))는 배액 제어를 개시한다(단계(S8)). 구체적으로, 제어부(7)는 처리조(34)로부터의 처리액의 배출이 개시되도록 밸브(41B)를 연다. 제어부(7)는 단계(S8)에서 정해진 시간 배액 제어를 행한 후에, 재차 단계(S7)의 처리를 실행한다. Next, the control unit 7 (specifically, the drainage control unit 74) determines whether the acquired liquid level height is below the predetermined liquid level reference value (upper limit control start value) (step S7). If it is determined in step S7 that the liquid level is not lower than the set liquid level reference value (upper limit control start value) (the liquid level is higher than the set liquid level reference value (upper limit control start value)), the control unit 7 (specifically, the drain The
한편, 단계(S7)에서 액면 높이가 정해진 액면 기준값(상한 제어 개시값) 이하라고 판정된 경우에는 상술한 배액 제어를 행하지 않고, 제어부(7)는 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했는지 여부를 판정한다(단계(S9)). 단계(S9)에서 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달하지 않았다고 판정된 경우에는, 재차 단계(S7)의 처리가 실행된다. 한편, 단계(S9)에서 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했다고 판정된 경우에는, 제어부(7)는 당해 현재 스텝의 종료 타이밍까지, 처리액의 농도를 일정하게 조절하는 농도 일정 모드의 제 1 제어를 행한다(단계(S10)). On the other hand, when it is determined in step S7 that the liquid level is below the predetermined liquid level reference value (upper limit control start value), the above-described drainage control is not performed, and the
단계(S4)에서 하나 전의 스텝의 설정 농도보다 현재 스텝의 설정 농도가 낮지 않다고 판정된 경우에는, 제어부(7)(상세하게는 물 조정부(73))는 처리액 저류부(38)에의 물의 공급량이 감소하도록 유량 조정기(48)를 제어하여, 처리액 저류부(38) 중의 처리액의 농도를 높인다(단계(S13)). 이 경우, 제어부(7)(상세하게는 배액 제어부(74))는 처리조(34)로부터의 처리액의 배출이 개시되도록 밸브(41B)를 열어도 된다. 제어부(7)(상세하게는 수용액 조정부(72))는 액면 센서(80)로부터 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 있어서의 처리액의 액면 높이를 취득한다(단계(S14)). If it is determined in step S4 that the set concentration of the current step is not lower than the set concentration of the previous step, the control unit 7 (specifically, the water adjusting unit 73) determines the amount of water supplied to the processing
이어서, 제어부(7)(상세하게는 수용액 조정부(72))는 취득한 액면 높이가 정해진 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상인지 여부를 판정한다(단계(S15)). 단계(S15)에서 액면 높이가 정해진 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이 아니라고(액면 높이가 정해진 액면 기준값(하한 제어 개시값)보다 낮다고) 판정된 경우에는, 제어부(7)(상세하게는 수용액 조정부(72))는 고농도 인산 공급을 개시한다(단계(S16)). 구체적으로, 제어부(7)는 고농도의 인산 수용액이 처리액 저류부(38)에 공급되도록 수용액 공급부(43)의 밸브(62)를 닫는다. 제어부(7)는 단계(S16)에서 정해진 시간 고농도 인산 공급을 행한 후에, 재차 단계(S15)의 처리를 실행한다. Next, the control unit 7 (specifically, the aqueous solution adjustment unit 72) determines whether the acquired liquid level height is equal to or higher than the predetermined liquid level reference value (lower limit control start value) (step S15). If it is determined in step S15 that the liquid level is not higher than the set liquid level reference value (lower limit control start value) (the liquid level is lower than the set liquid level reference value (lower limit control start value)), the control unit 7 (specifically, the aqueous solution The adjusting
한편, 단계(S15)에서 액면 높이가 정해진 액면 기준값(하한 제어 개시값) 이상이라고 판정된 경우에는 상술한 고농도 인산 공급을 행하지 않고, 제어부(7)는 농도계(53)로부터 취득한 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했는지 여부를 판정한다(단계(S17)). 단계(S17)에서 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달하지 않았다고 판정된 경우에는, 재차 단계(S15)의 처리가 실행된다. 한편, 단계(S17)에서 처리액 중의 인산 농도가 현재 스텝의 설정 농도에 도달했다고 판정된 경우에는, 제어부(7)는 당해 현재 스텝의 종료 타이밍까지, 처리액의 농도를 일정하게 조절하는 농도 일정 모드의 제 1 제어를 행한다(단계(S10)). On the other hand, when it is determined in step S15 that the liquid level is higher than the predetermined liquid level reference value (lower limit control start value), the above-described high-concentration phosphoric acid supply is not performed, and the
단계(S10)이 완료(현재 스텝이 완료)되면, 제어부(7)는 레시피를 참조하여 다음 스텝이 있는지 여부를 판정한다(단계(S11)). 단계(S11)에서 다음 스텝이 있다고 판정된 경우에는, 제어부(7)는 당해 다음 스텝을 새로운 현재 스텝으로서 특정하고(단계(S12)), 재차 단계(S3) 이후의 처리를 실행한다. 한편, 단계(S11)에서 다음 스텝이 없다고(레시피에 있어서의 모든 스텝이 완료되었다고) 판정된 경우에는 일련의 처리가 종료된다. When step S10 is completed (the current step is completed), the
[작용 효과][Action effect]
기판 액 처리 장치에 있어서, 처리액인 인산 수용액의 인산 농도를 변경하면, 처리액 저류부에 있어서의 수량이 변화하여 액면이 상승 또는 하강한다. 예를 들면, 처리액인 인산 수용액의 인산 농도를 저하시키는 경우에는, 처리액 저류부에의 물의 공급량이 증가하기 때문에, 처리액 저류부에 있어서의 액면이 상승하여, 처리액 저류부로부터 인산 수용액이 흘러 넘칠 우려가 있다. 이에 의해, 처리액의 농도 변경(상세하게는, 농도를 저하시키는 경우의 농도 변경)을 적절히 행할 수 없을 우려가 있다. In a substrate liquid processing apparatus, when the phosphoric acid concentration of the phosphoric acid aqueous solution, which is a processing liquid, is changed, the amount of water in the processing liquid storage portion changes, causing the liquid level to rise or fall. For example, when the phosphoric acid concentration of the phosphoric acid aqueous solution, which is the processing liquid, is lowered, the amount of water supplied to the processing liquid storage portion increases, so the liquid level in the processing liquid storage portion rises, and the phosphoric acid aqueous solution flows from the processing liquid storage portion. There is a risk of this overflowing. As a result, there is a risk that changing the concentration of the processing liquid (specifically, changing the concentration when lowering the concentration) cannot be appropriately performed.
이 점, 기판 액 처리 장치(A1)는 처리액을 저류하는 처리액 저류부(38)와, 처리액 저류부(38)로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출부(41)와, 처리액 배출부(41)를 제어하는 제어부(7)를 구비하고, 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 실행하고, 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)를 제어한다. In this regard, the substrate liquid processing device A1 includes a processing
이러한 기판 액 처리 장치(A1)에 의하면, 농도 변경 모드의 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 후의 설정 농도가 농도 변경 전의 설정 농도보다 낮아지는 경우에는, 처리액인 인산 수용액의 배출이 개시된다. 이 때문에, 인산 농도를 저하시킬 시 처리액 저류부(38)에의 물의 공급량을 늘린 경우라도, 처리액 저류부(38)로부터 인산 수용액이 배출됨으로써, 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면 상승을 억제하여, 처리액 저류부(38)로부터 인산 수용액이 흘러 넘치는 것을 방지할 수 있다. 이상으로부터, 본 실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치(A1)에 의하면, 처리액의 농도 변경(상세하게는, 농도를 저하시키는 경우의 농도 변경)을 적절히 행할 수 있다. According to this substrate liquid processing apparatus A1, in the second control of the concentration change mode, when the set concentration after the concentration change becomes lower than the set concentration before the concentration change, discharge of the aqueous phosphoric acid solution, which is a processing liquid, is started. For this reason, even when the amount of water supplied to the processing
기판 액 처리 장치(A1)는, 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면 높이를 검출하는 액면 센서(80)를 더 구비하고, 제어부(7)는 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우로서 또한 액면 센서(80)에 의해 검출된 액면 높이가 정해진 액면 기준값보다 높은 경우에, 처리액의 배출이 개시되도록 처리액 배출부(41)를 제어한다. 이에 의해, 농도를 낮게 하기 위한 물의 공급에 의해 실제로 액면이 높아진 것에 기초하여, 처리액의 배출을 개시할 수 있다. 이로써, 적절한 타이밍에 처리액의 배출을 개시할 수 있어, 처리액의 흘러 넘침을 보다 확실하게 방지할 수 있다. The substrate liquid processing device A1 further includes a
농도 변경 모드에는, 개별로 설정 농도를 설정 가능한 복수의 스텝이 포함되어 있어도 된다. 이에 의해, 농도 변경 모드의 복수의 스텝마다 설정 농도가 설정되기 때문에, 농도 변경 모드에 있어서의 각 처리에 따라 보다 섬세하게 농도를 설정할 수 있다. The density change mode may include a plurality of steps capable of individually setting the set density. Thereby, since the set density is set for each of the plurality of steps in the density change mode, the density can be set more delicately according to each process in the density change mode.
여기서, 기판 액 처리 장치에 있어서, 처리액인 인산 수용액의 인산 농도를 상승시키는 경우에는, 처리액 저류부에의 물의 공급량이 줄어, 물이 증발된다. 이러한, 농도를 상승시키기 위하여 물을 증발시키는 처리에는 시간이 걸린다. 이에 의해, 처리액의 농도 변경(상세하게는, 농도를 상승시키는 경우의 농도 변경)을 적절히 행할 수 없을 우려가 있다. Here, in the substrate liquid processing apparatus, when the phosphoric acid concentration of the phosphoric acid aqueous solution as the processing liquid is increased, the amount of water supplied to the processing liquid storage portion is reduced, and the water is evaporated. This process of evaporating water to increase concentration takes time. As a result, there is a risk that changing the concentration of the processing liquid (specifically, changing the concentration when increasing the concentration) cannot be properly performed.
이 점, 기판 액 처리 장치(A1)는 처리액 저류부(38)에 있어서의 상기 처리액의 농도 상승을 촉진시키는 농도 상승 촉진부로서 처리액 공급부(39)를 구비하고, 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 모드에 있어서의 제 1 제어와, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 모드에 있어서의 제 2 제어를 실행하고, 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 농도 변경 전의 설정 농도보다 농도 변경 후의 설정 농도가 높은 경우에, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 상승이 촉진되도록 처리액 공급부(39)를 제어한다. In this regard, the substrate liquid processing apparatus A1 is provided with a processing
기판 액 처리 장치(A1)에 의하면, 농도 변경 모드의 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 후의 설정 농도가 농도 변경 전의 설정 농도보다 높아지는 경우에는, 농도 상승 촉진부인 처리액 공급부(39)에 의해 처리액의 농도 상승이 촉진된다. 이에 의해, 단순하게 물을 증발시키는 경우와 비교하여, 농도 상승에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 이상으로부터, 본 실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치(A1)에 의하면, 처리액의 농도 변경(상세하게는, 농도를 상승시키는 경우의 농도 변경)을 적절히 행할 수 있다. According to the substrate liquid processing apparatus A1, in the second control of the concentration change mode, when the set concentration after the concentration change becomes higher than the set concentration before the concentration change, the processing
구체적으로, 농도 상승 촉진부인 처리액 공급부(39)는 처리액 저류부(38)에 저류된 처리액보다 농도가 높은 처리액을 처리액 저류부(38)에 공급함으로써, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 상승을 촉진시킨다. 농도를 상승시키는 경우에는, 물이 증발함으로써 처리액 저류부(38)에 있어서의 액면이 하강하여, 기판 액 처리 장치의 온도 조절 기능(순환 온조)이 저하될 우려가 있다. 이 점, 농도가 높은 처리액이 처리액 저류부(38)에 공급됨으로써, 농도를 적절히 상승시키면서, 액면의 하강(즉, 온도 조정 기능의 저하)을 억제할 수 있다. Specifically, the processing
제어부(7)는 처리 대상의 기판(8)이 처리액 저류부(38)의 처리액에 침지되어 처리액에 의해 처리되는 기판 처리 기간에 있어서, 상기 제 1 제어 및 제 2 제어를 실행한다. 또한, 제어부(7)는 처리액 저류부(38)의 처리액에 기판(8)이 침지되어 있지 않은 인터벌 기간에 있어서, 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도를 상기 농도 일정 모드에 있어서의 정해진 설정 농도로 조절한다. 이에 의해, 기판 처리 기간에 있어서 처리액의 농도 변경을 적절히 행하고, 또한 인터벌 기간에 있어서도 정해진 설정 농도로의 농도 조절을 적절히 행할 수 있다. The
이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. Although the embodiments have been described above, the present disclosure is not limited to the above embodiments.
예를 들면, 농도 상승 촉진부의 일례로서, 처리액 공급부(39)를 설명하고, 이 처리액 공급부(39)가 고농도의 처리액을 공급함으로써 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 상승을 촉진하는 예를 설명했지만, 농도 상승 촉진부의 구성은 이에 한정되지 않는다. 일반적인 에칭 처리 장치에 있어서는, 처리조의 처리액에 기판을 침지시켜, 처리액 저류부의 상부가 덮개(버스 리드)에 의해 닫힌 상태에서, 기판의 에칭 처리가 행해진다. 에칭 처리 중에 있어서는, 온도를 안정시키는 관점으로부터, 통상, 버스 리드를 닫아 둘 필요가 있다. 당해 버스 리드는, 통상 닫혀 있으며, 기판을 처리액에 침지시킬 시에만 열리는 것이 일반적이다. 이 점, 예를 들면 도 7에 나타내는 바와 같이, 처리 중이 아닌 처리 사이의 인터벌 기간에 있어서도, 버스 리드(150)를 엶으로써, 버스 리드(150)가 닫혀 있는 경우와 비교하여 물의 증발량을 올릴 수 있다. 이에 의해, 처리액의 농도 상승을 촉진하여, 처리액의 농도 변경(상세하게는, 농도를 상승시키는 경우의 농도 변경)을 보다 적절히 행할 수 있다. For example, the processing
또한 상술한 실시 형태에서는, 농도 상승 촉진부에 따른 구성으로서, 수용액 공급부(43)의 밸브(62)의 개폐를 전환함으로써, 통상의 농도의 인산 수용액뿐 아니라, 고농도의 인산 수용액에 대해서도 용이하게 처리액 저류부(38)에 공급하는 구성을 설명했지만, 고농도의 인산 수용액을 공급하는 구성은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 8에 나타내는 바와 같이, 처리액 저류부(38)의 외부에, 고농도의 인산 수용액을 저류하는 고농도 처리액 저류부(170)를 구비하고, 이 고농도 처리액 저류부(170)로부터 유로(160)를 거쳐, 처리액 저류부(38)로, 농도가 높여진 처리액이 공급되는 구성을 채용해도 된다. 이러한 구성을 채용하는 경우에 있어서도, 고농도의 인산 수용액을 적절히 공급하여, 농도를 적절히 상승시키면서, 액면의 하강(즉, 온도 조정 기능의 저하)을 억제할 수 있다. 또한, 도 8에 나타내는 고농도 처리액 저류부(170)는, 공급하는 인산 수용액을 가열함으로써 항상 고온으로 유지하도록 구성되어 있어도 된다. 이에 의해, 처리액 저류부(38)에 고온 또한 고농도의 인산 수용액이 공급되게 되어, 처리액의 가열 시간을 단축할 수 있다. 또한 상술한 실시 형태에서는, 처리액 배출부(41)를 처리액 저류부(38)에 마련했지만, 처리액 배출부는 그에 한정되지 않으며, 처리액 순환부(40)로부터 분기하여 설치해도 된다. 또한, 처리액 저류부(38)를 처리조(34)와 외조(42)로 구성했지만, 처리액 저류부의 구성은 이에는 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리조(34)에 수용액 공급부, 물 공급부 및 배출부를 접속하여 처리액 저류부로 하고, 외조를 마련하지 않는 구성으로 해도 된다. In addition, in the above-described embodiment, as a configuration according to the concentration increase promotion unit, the opening and closing of the
[고농도 처리액 저류부를 구비하는 구성의 구체예][A specific example of a configuration including a high-concentration treatment liquid reservoir]
여기서, 상기 고농도 처리액 저류부(170)를 가지는 농도 상승 촉진부의 구성을 보다 상세하게 설명한다. 도 9에 나타내는 농도 상승 촉진부(39A)는, 처리액과, 처리액에 대한 침지 대상의 기판을 수용하는 액 처리부(예를 들면 상기 처리액 저류부(38))에 고농도의 처리액을 공급한다. 예를 들면 농도 상승 촉진부(39A)는, 고농도 처리액 저류부(170)와, 처리액 보충부(210)와, 희석액 보충부(220)와, 가스 공급부(230)와, 가열부(240)와, 처리액 공급부(250)와, 농도 센서(260)를 구비한다. Here, the configuration of the concentration increase acceleration unit having the high concentration processing
상술한 바와 같이, 고농도 처리액 저류부(170)(공급액 저류부)는 처리액 저류부(38)에 공급하기 위한 처리액을 저류한다. 고농도 처리액 저류부(170)는 처리액 저류부(38)로부터 떨어진 위치에 마련되어 있다. As described above, the high-concentration processing liquid storage unit 170 (supply liquid storage unit) stores processing liquid to be supplied to the processing
처리액 보충부(210)는 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액(예를 들면 상기 인산 수용액)을 보충한다. 예를 들면 처리액 보충부(210)는, 처리액 공급원(211)과, 밸브(212)를 가진다. 처리액 공급원(211)은, 예를 들면 보충용의 처리액의 탱크(미도시)와, 탱크로부터 고농도 처리액 저류부(170)로 처리액을 압송하는 펌프(미도시)를 가진다. 밸브(212)는 처리액 공급원(211)으로부터 고농도 처리액 저류부(170)로 보내지는 처리액의 유로를 제어 지령에 따라 개폐한다. The processing
희석액 보충부(220)는 처리액 보충부(210)가 고농도 처리액 저류부(170)에 보충하는 처리액보다 농도가 낮은 희석액(예를 들면 순수, 탈이온수 등)을 고농도 처리액 저류부(170)에 보충한다. 처리액보다 농도가 낮다는 것은, 당해 처리액이 목적으로 하는 처리 내용에 기여하는 성분의 농도가 낮은 것을 의미한다. 예를 들면 희석액 보충부(220)는, 희석액 공급원(221)과, 밸브(222)를 가진다. 희석액 공급원(221)은, 예를 들면 보충용의 희석액의 탱크(미도시)와, 탱크로부터 고농도 처리액 저류부(170)로 희석액을 압송하는 펌프(미도시)를 가진다. 밸브(222)는 희석액 공급원(221)으로부터 고농도 처리액 저류부(170)로 보내지는 희석액의 유로를 제어 지령에 따라 개폐한다. The
가스 공급부(230)는 수분 증발 촉진용의 불활성 가스(예를 들면 질소 가스)를 고농도 처리액 저류부(170)의 하부에서 처리액 중에 공급한다. 가스 공급부(230)가 불활성 가스를 공급하면, 처리액 중에 기포가 발생하고, 이에 의해 처리액과 가스와의 접촉 면적이 증대한다. 이 때문에, 처리액 중의 수분의 증발이 촉진된다. 예를 들면 가스 공급부(230)는, 가스 공급원(231)과 밸브(232)를 가진다. 가스 공급원(231)은 예를 들면 압축된 불활성 가스의 탱크(미도시)를 가진다. 밸브(232)는 가스 공급원(231)으로부터 고농도 처리액 저류부(170)로 보내지는 불활성 가스의 유로를 제어 지령에 따라 개폐한다. The
가열부(240)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액을 가열한다. 가열부(240)는 고농도 처리액 저류부(170)의 하부로부터 도출한 처리액을 가열하여 고농도 처리액 저류부(170)의 상부로 되돌리도록 구성되어 있어도 된다. 예를 들면 가열부(240)는, 유로(245)와, 펌프(241)와, 필터(242)와, 히터(243)를 가진다. 유로(245)는 고농도 처리액 저류부(170)의 하부로부터 처리액을 도출하여 고농도 처리액 저류부(170)의 상부로 유도한다. 펌프(241), 필터(242) 및 히터(243)는 유로(245)에 마련되어 있다. 펌프(241)는 처리액을 고농도 처리액 저류부(170)의 하부측으로부터 상부측으로 압송한다. 필터(242)는 처리액 중의 이물 등을 제거한다. 히터(243)는 처리액을 가열한다. The
처리액 공급부(250)는 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급한다. 예를 들면 처리액 공급부(250)는, 유로(252)와 밸브(251, 253)를 가진다. 유로(252)는 펌프(241), 필터(242) 및 히터(243)보다 하류측(고농도 처리액 저류부(170)의 상부측)에서 유로(245)로부터 분기하고 있고, 유로(245)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 유도한다. 밸브(251)는 제어 지령에 따라 유로(252)를 개폐한다. 밸브(253)는 유로(252)와 고농도 처리액 저류부(170)의 상부와의 사이에서 유로(245)를 개폐한다. 밸브(251)가 유로(252)를 닫고, 상기 밸브(253)가 유로(245)를 연 상태에 있어서는, 펌프(241)가 압송하는 처리액은 고농도 처리액 저류부(170)의 하부로부터 상부로 환류한다. 이하, 이 상태를 '순환 상태'라고 한다. 한편, 밸브(251)가 유로(252)를 열고, 밸브(253)가 유로(245)를 닫은 상태에 있어서는, 펌프(241)가 압송하는 처리액은 처리액 저류부(38)에 공급된다. 이하, 이 상태를 '공급 상태'라고 한다. The processing
농도 센서(260)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도에 관한 정보를 검출한다. 농도 센서(260)는 처리액의 농도에 관한 정보로서, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 액면의 높이에 관한 정보를 검출해도 된다. 예를 들면, 처리액의 액면의 높이는, 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충과, 희석액 보충부(220)에 의한 희석액의 보충과, 처리액 중의 수분의 휘발과, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급에 의해 변동한다. 이에, 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충을 정지하고, 상기 순환 상태를 유지한 상태에 있어서는, 처리액의 액면 저하의 주요인이 수분 휘발이 되므로, 처리액의 액면의 저하와 처리액의 농도 상승이 상관한다. 마찬가지로, 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충을 정지하고, 상기 순환 상태를 유지한 상태에 있어서는, 처리액의 액면 상승의 주요인이 희석액 보충이 되므로, 처리액의 액면의 상승과 처리액의 농도 저하가 상관한다. 이와 같이, 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충을 정지하고, 상기 순환 상태를 유지한 상태에 있어서는, 처리액의 액면의 높이가 처리액의 농도에 관한 정보가 될 수 있다. The
도 10에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 농도 센서(260)는 제어용 센서(261)와, 모니터용 센서(262)를 가진다. 제어용 센서(261)는 처리액 보충부(210), 희석액 보충부(220) 및 처리액 공급부(250) 등의 제어용의 정보를 검출하는 센서이다. 모니터용 센서(262)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도를 감시·기록하기 위한 센서이다. As shown in Fig. 10, for example, the
제어용 센서(261)는 서로 높이가 상이한 복수의 측정 대상 높이와 처리액의 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 복수의 액면 센서를 가진다. 예를 들면 제어용 센서(261)는, 서로 높이가 상이한 네 개의 측정 대상 높이(H1, H2, H3, H4)와 처리액의 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 네 개의 액면 센서(263, 264, 265, 266)를 가진다. 측정 대상 높이(H1)는 고농도 처리액 저류부(170)에서 허용되는 액면 높이 상한값이다. 측정 대상 높이(H2)(제 1 높이)는, 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충에 있어서 액면 높이의 목표가 되는 높이이다. 측정 대상 높이(H3)(제 2 높이)는 처리액의 농축 과정에 있어서 액면 높이의 목표가 되는 높이이다. 측정 대상 높이(H4)는 고농도 처리액 저류부(170)에서 허용되는 액면 높이 하한값이다. The
액면 센서(263, 264, 265, 266)는, 예를 들면 측정용의 불활성 가스(예를 들면 질소 가스)를 측정 대상 높이(H1, H2, H3, H4)로 공급하기 위한 압력에 기초하여, 측정 대상 높이(H1, H2, H3, H4)와 처리액의 액면과의 상하 관계를 각각 검출한다. 예를 들면, 측정 대상 높이(H1, H2, H3, H4)의 각각에 대하여, 액면이 측정 대상 높이보다 위에 있는 경우의 압력과, 액면이 측정 대상 높이보다 아래에 있는 경우의 압력과의 사이에 임계치를 설정해 둠으로써, 당해 압력이 당해 임계치를 상회하는지 여부에 기초하여 당해 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 검출할 수 있다. 또한, 상술한 액면 센서(263, 264, 265, 266)의 구성은 어디까지나 일례이다. 액면 센서(263, 264, 265, 266)는 측정 대상 높이(H1, H2, H3, H4)와 처리액의 액면과의 상하 관계를 검출할 수 있는 한 어떠한 것이어도 된다. 예를 들면 액면 센서(263, 264, 265, 266)는 정전 용량식의 액면 센서여도 된다. The
모니터용 센서(262)는, 예를 들면 측정용의 불활성 가스(예를 들면 질소 가스)를 고농도 처리액 저류부(170)의 하부에서 처리액 중에 공급하기 위한 압력(이하, 단순히 '공급 압력'이라고 함)에 기초하여, 액면의 높이의 추정값을 도출한다. 여기서, 공급 압력은 처리액의 액면 높이의 다른 요인에 의해서도 변동할 수 있다. 다른 요인의 구체예로서는, 처리액의 비등 레벨을 들 수 있다. 따라서, 모니터용 센서(262)는 비등 레벨의 영향을 경감하여 액면 높이의 검출 정밀도를 향상시키는 구성을 더 포함하고 있어도 된다. 액면 높이의 변동이 작은 상황 하에 있어서는, 측정용의 불활성 가스의 공급 압력에 기초하여 비등 레벨을 검출하는 것이 가능하다. 이에, 액면 높이가 크게 변동할 수 없는 기간에 있어서, 공급 압력에 기초하여 비등 레벨을 검출하고, 그 검출 결과를 이용하여 비등 레벨의 영향을 경감하는 것이 가능하다. 또한, 비등 레벨과 처리액의 농도는 상관 관계를 가지기 때문에, 비등 레벨의 검출값으로부터 처리액의 농도를 산출하는 것도 가능하다. 또한, 비등 레벨의 차이에 따른 공급 압력의 변동 레인지와, 액면의 높이의 변동에 따른 공급 압력의 변동 레인지는 상이하므로, 액면의 높이의 변동 검출용과, 비등 레벨의 변동 검출용으로 공급 압력의 측정계를 나누어, 각각의 측정 레인지를 개별로 조절해도 된다. The
또한, 상술한 농도 센서(260)의 구성은 어디까지나 일례이다. 농도 센서(260)는 처리액의 농도에 관한 정보를 검출할 수 있는 한 어떠한 것이어도 된다. 예를 들면 농도 센서(260)는, 모니터용 센서(262)를 가지지 않아도 된다. 또한, 농도 센서(260)는 처리액의 액면의 높이에 관계없이 처리액의 농도를 검출하는 것이어도 된다. 처리액의 액면의 높이에 관계없이 처리액의 농도를 검출하는 센서의 구체예로서는, 예를 들면 초음파식 또는 광학식의 농도 센서 등을 들 수 있다. In addition, the configuration of the
이상에 예시한 농도 상승 촉진부(39A)는, 예를 들면 제어부(7)에 의해 제어 가능하다. 예를 들면 제어부(7)는, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도가 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도보다 높은 공급 농도로 조정되는 제 3 제어를 더 실행한다. 예를 들면 제어부(7)는, 공급전 농도 조절부(75)를 더 가진다. 공급전 농도 조절부(75)는 제 3 제어에 있어서, 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액을 보충하도록 처리액 보충부(210)를 제어하는 것과, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하도록 처리액 보충부(210)를 제어하는 것과, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도가 처리액 보충부(210)에 의해 보충되는 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급을 금지하도록 처리액 공급부(250)를 제어하는 것을 실행한다. The concentration
예를 들면 공급전 농도 조절부(75)는, 처리액 보충 제어부(76)와, 가열 제어부(79)와, 공급 제어부(78)와, 희석액 보충 제어부(77)를 포함한다. 처리액 보충 제어부(76)는 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액을 보충하도록 처리액 보충부(210)를 제어한다. 예를 들면 공급전 농도 조절부(75)는, 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액이 들어가 있지 않은 상태에서 처리액의 보충을 개시하고, 처리액의 액면의 높이가 측정 대상 높이(H2)에 달했을 때 처리액의 보충을 정지하도록 처리액 보충부(210)를 제어한다. 보다 구체적으로, 공급전 농도 조절부(75)는 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액이 들어가 있지 않은 상태에서 밸브(212)를 열도록 처리액 보충부(210)를 제어한다. 이 후 공급전 농도 조절부(75)는, 처리액의 액면의 높이가 측정 대상 높이(H2)에 달했는지 여부를 나타내는 정보를 액면 센서(264)로부터 반복하여 취득하고, 액면의 높이가 측정 대상 높이(H2)에 달했다고 판정했을 때 밸브(212)를 닫도록 처리액 보충부(210)를 제어한다. For example, the pre-supply
가열 제어부(79)는 처리액 보충부(210)에 의해 고농도 처리액 저류부(170)에 보충된 처리액을 가열하도록 가열부(240)를 제어한다. 예를 들면 가열 제어부(79)는, 고농도 처리액 저류부(170)의 하부로부터 도출한 액체를 펌프(241)에 의해 히터(243)로 압송하도록 가열부(240)를 제어한다. The
공급 제어부(78)는 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하도록 처리액 공급부(250)를 제어한다. 예를 들면 공급 제어부(78)는, 상기 제 2 제어의 실행에 있어서 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도 상승을 촉진시킬 시, 상기 순환 상태(상기 밸브(253)가 열리고 상기 밸브(251)가 닫힌 상태)를 상기 공급 상태(상기 밸브(253)가 닫히고 상기 밸브(251)가 열린 상태)로 전환하도록 처리액 공급부(250)를 제어한다. The
단, 공급 제어부(78)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도가 처리액 보충부(210)에 의해 보충되는 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급을 금지하도록 처리액 공급부(250)를 제어한다. 예를 들면 공급 제어부(78)는, 측정 대상 높이(H2)에 달한 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 액면이 측정 대상 높이(H3)로 저하할 때까지는, 상기 순환 상태로부터 상기 공급 상태로의 전환을 금지하도록 처리액 공급부(250)를 제어한다. However, the
희석액 보충 제어부(77)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도가 상기 공급 농도에 달한 후, 처리액의 농도가 더 상승했을 때, 당해 농도를 상기 공급 농도에 가깝게 하는 양으로 희석액을 고농도 처리액 저류부(170)에 보충하도록 희석액 보충부(220)를 제어한다. 예를 들면 희석액 보충 제어부(77)는, 측정 대상 높이(H2)에 달한 처리액의 액면이 측정 대상 높이(H3)로 저하된 후, 당해 액면이 더 저하되었을 때, 당해 액면을 측정 대상 높이(H3)에 가깝게 하는 양으로 희석액을 고농도 처리액 저류부(170)에 보충하도록 희석액 보충부(220)를 제어한다. 보다 구체적으로, 희석액 보충 제어부(77)는, 처리액의 액면이 측정 대상 높이(H3)에 달할 때까지 밸브(222)를 열도록 희석액 보충부(220)를 제어한다. After the concentration of the processing liquid in the high-concentration processing
이어서, 공급전 농도 조절부(75)를 가지는 제어부(7)가 실행하는 제어 순서를 보다 상세하게 예시한다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계(S21, S22, S23)을 실행한다. 단계(S21)에서는, 처리액 보충 제어부(76)가 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액이 들어가 있지 않은 상태에서 처리액의 보충을 개시하도록 처리액 보충부(210)를 제어한다. 단계(S22)에서는, 처리액의 액면의 높이가 측정 대상 높이(H2)에 달한 것을 액면 센서(264)가 검출할 때까지, 처리액 보충 제어부(76)가 처리액 보충부(210)에 의한 처리액의 보충을 계속시킨다. 단계(S23)에서는, 처리액 보충 제어부(76)가 처리액의 보충을 정지하도록 처리액 보충부(210)를 제어한다. Next, the control sequence executed by the
이어서, 제어부(7)는 단계(S24, S25, S26, S27)을 실행한다. 단계(S24)에서는, 공급 제어부(78)가 처리액 공급부(250)에 의한 상기 순환 상태로부터 상기 공급 상태로의 전환을 금지한다. 이후, 상기 순환 상태로부터 상기 공급 상태로의 전환이 허가될 때까지는, 처리액 공급부(250)에 의해 상기 순환 상태가 유지된다. 단계(S25)에서는, 가열 제어부(79)가 펌프(241)에 의한 처리액의 압송을 개시하고, 처리액의 가열을 개시하도록 가열부(240)를 제어한다. 단계(S26)에서는, 처리액의 액면의 높이가 측정 대상 높이(H3)까지 저하된 것을 액면 센서(265)가 검출할 때까지, 공급 제어부(78)가 순환 상태로부터 공급 상태로의 전환의 금지를 유지한다. 단계(S27)에서는, 공급 제어부(78)가 순환 상태로부터 공급 상태로의 전환을 허가한다. 이후, 필요에 따라 순환 상태를 공급 상태로 전환하는 것이 가능해진다. Next, the
이어서, 제어부(7)는 단계(S28)을 실행한다. 단계(S28)에서는, 공급 제어부(78)가 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급이 필요한지(예를 들면 상기 제 2 제어의 실행에 있어서 처리액 저류부(38)의 처리액의 농도 상승을 촉진시키는 것이 필요한지)를 확인한다. Next, the
단계(S28)에 있어서, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급은 불필요하다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계(S29)을 실행한다. 단계(S29)에서는, 측정 대상 높이(H3)로부터의 가일층의 액면 저하가 액면 센서(265)에 의해 검출되었는지 여부를 희석액 보충 제어부(77)가 확인한다. 단계(S29)에 있어서, 측정 대상 높이(H3)로부터의 가일층의 액면 저하는 검출되지 않았다고 판정한 경우, 제어부(7)는 처리를 단계(S28)으로 되돌린다. In step S28, when it is determined that supply of the processing liquid from the high-concentration processing
단계(S29)에 있어서, 측정 대상 높이(H3)로부터의 가일층의 액면 저하가 검출되었다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계(S31, S32, S33)을 실행한다. 단계(S31)에서는, 희석액 보충 제어부(77)가 밸브(222)를 열고 고농도 처리액 저류부(170)에의 희석액의 보충을 개시하도록 희석액 보충부(220)를 제어한다. 단계(S32)에서는, 측정 대상 높이(H3)로의 액면 복귀가 액면 센서(265)에 의해 검출될 때까지, 희석액 보충 제어부(77)가 희석액 보충부(220)에 의한 희석액의 보충을 계속시킨다. 단계(S33)에서는, 희석액 보충 제어부(77)가 희석액의 보충을 정지하도록 희석액 보충부(220)를 제어한다. 이 후, 제어부(7)는 처리를 단계(S28)으로 되돌린다. 이후, 필요에 따라 희석액을 보충하면서, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액 공급의 필요 여부의 확인이 반복된다. In step S29, when it is determined that a further drop in the liquid level from the measurement object height H3 has been detected, the
단계(S28)에 있어서, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급은 필요하다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계(S34, S35)을 실행한다. 단계(S34)에서는, 공급 제어부(78)가 상기 순환 상태를 상기 공급 상태로 전환하여, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하도록 처리액 공급부(250)를 제어한다. 단계(S35)에서는, 펌프(241)에 의한 처리액의 압송을 정지하고, 처리액의 가열을 정지하도록 가열부(240)를 제어한다. 이상으로 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하기 위한 제어 순서가 완료된다. 또한, 단계(S34)과 단계(S35)은 이 순서로 실행하지 않아도 되고, 순서를 바꿔도 된다. In step S28, when it is determined that supply of processing liquid from the high-concentration processing
이상에 예시한 구성은, 처리액 저류부(38)로 공급하기 위한 처리액을 저류하는 고농도 처리액 저류부(170)와, 고농도 처리액 저류부(170)로 처리액을 보충하는 처리액 보충부(210)와, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액을 가열하는 가열부(240)와, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하는 처리액 공급부(250)를 구비한다. The configuration illustrated above includes a high-concentration processing
이 구성에 의하면, 처리액 저류부(38)에의 처리액의 공급 타이밍에 앞서, 고농도 처리액 저류부(170)에서 미리 처리액의 농도를 높여 둠으로써, 상기 공급 타이밍에서 고농도의 처리액을 처리액 저류부(38)에 신속히 공급할 수 있다. 또한, 고농도 처리액 저류부(170)에 있어서의 처리액의 농도 상승을 가열에 의해 촉진하는 구성에 의하면, 처리액 저류부(38)에 가열 완료된 처리액을 공급할 수 있으므로, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 가열 시간을 단축할 수도 있다. 따라서, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 조절의 신속화에 유효하다. According to this configuration, the concentration of the processing liquid is increased in advance in the high-concentration processing
농도 상승 촉진부(39A)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도에 관한 정보를 검출하는 농도 센서(260)를 더 구비해도 된다. 이 경우, 상기 공급 타이밍에 앞서는 처리액의 농도 조절을 보다 높은 정밀도로 실행할 수 있다. 따라서, 처리액 저류부(38)에 있어서의 처리액의 농도 조절의 가일층의 신속화에 유효하다. The concentration
농도 센서(260)는, 처리액의 농도에 관한 정보로서, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 액면의 높이에 관한 정보를 검출해도 된다. 이 경우, 농도 자체를 계측하는 센서와 비교하여, 농도 센서(260)의 구성의 간이화가 가능하다. The
농도 센서(260)는 서로 높이가 상이한 복수의 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 복수의 액면 센서(263, 264, 265, 266)를 가져도 된다. 이 경우, 농도 센서(260)의 구성의 가일층의 간이화가 가능하다. 또한, 상이한 복수의 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계는 2 치적으로 판정 가능하기 때문에, 노이즈 등의 측정 오차 요인의 영향을 받기 어렵다. 이 때문에, 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 검출하는 구성은 농도에 관한 정보의 신뢰성 향상에도 유효하다. The
농도 상승 촉진부(39A)는 고농도 처리액 저류부(170)가 처리액 저류부(38)에 보충하는 처리액보다 농도가 낮은 희석액을 고농도 처리액 저류부(170)에 보충하는 희석액 보충부(220)를 더 구비해도 된다. 이 경우, 처리액의 농도를 적절한 높이로 용이하게 유지할 수 있다. The concentration
가열부(240)는 고농도 처리액 저류부(170)의 하부로부터 도출한 처리액을 가열하여 고농도 처리액 저류부(170)의 상부로 되돌리도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 고농도 처리액 저류부(170) 내에 있어서의 처리액의 온도의 균일성을 향상시킴으로써, 농도 상승의 편향을 억제할 수 있다. The
제어부(7)는 고농도 처리액 저류부(170)에 처리액을 보충하도록 처리액 보충부(210)를 제어하는 것과, 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로 처리액을 공급하도록 처리액 공급부(250)를 제어하는 것과, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도가 처리액 보충부(210)에 의해 보충되는 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급을 금지하도록 처리액 공급부(250)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 상기 공급 타이밍에 앞서 처리액의 농도를 조절하는 것을 자동적으로 실행할 수 있다. The
제어부(7)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 액면이 측정 대상 높이(H2)에 달할 때까지 처리액을 보충하도록 처리액 보충부(210)를 제어한 후, 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 액면이 측정 대상 높이(H3)로 저하될 때까지 고농도 처리액 저류부(170)로부터 처리액 저류부(38)로의 처리액의 공급을 금지하도록 처리액 공급부(250)를 제어해도 된다. 이 경우, 액면의 높이에 기초하는 농도의 조절 중에는, 액면의 높이와 농도와의 상관 관계가 대략 유지된다. 이 때문에, 액면의 높이에 기초하는 간이적인 농도의 조절을 높은 신뢰성으로 행할 수 있다. The
제어부(7)는 고농도 처리액 저류부(170)의 처리액의 농도를 상기 공급 농도에 가깝게 하는 양으로 희석액을 고농도 처리액 저류부(170)에 보충하도록 희석액 보충부(220)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 처리액의 농도의 유지를 자동적으로 계속할 수 있다. The
또한, 상술한 구체예는 이하의 구성을 포함하고 있다. Additionally, the above-described specific example includes the following configuration.
(부기 1)(Appendix 1)
처리액과, 처리액에의 침지 대상의 기판을 수용하는 액 처리부와,a liquid processing unit that accommodates a processing liquid and a substrate to be immersed in the processing liquid;
상기 액 처리부에 공급하기 위한 상기 처리액을 저류하는 공급액 저류부와,a supply liquid storage unit that stores the processing liquid to be supplied to the liquid processing unit;
상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하는 처리액 보충부와,a processing liquid replenishment unit that replenishes the processing liquid into the supply liquid storage unit;
상기 공급액 저류부의 상기 처리액을 가열하는 가열부와,a heating unit that heats the processing liquid in the supply liquid storage unit;
상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하는 기판 액 처리 장치.A substrate liquid processing device comprising a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid from the supply liquid storage unit to the liquid processing unit.
(부기 2)(Appendix 2)
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도에 관한 정보를 검출하는 농도 센서를 더 구비하는, 부기 1에 기재된 기판 액 처리 장치.The substrate liquid processing device according to
(부기 3)(Appendix 3)
상기 농도 센서는, 상기 처리액의 농도에 관한 정보로서, 상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 액면의 높이에 관한 정보를 검출하는, 부기 2에 기재된 기판 액 처리 장치. The substrate liquid processing device according to
(부기 4)(Appendix 4)
상기 농도 센서는, 서로 높이가 상이한 복수의 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 복수의 액면 센서를 가지는, 부기 3에 기재된 기판 액 처리 장치. The substrate liquid processing device according to Supplementary Note 3, wherein the concentration sensor includes a plurality of liquid level sensors that respectively detect the vertical relationship between the heights of a plurality of measurement objects having different heights and the liquid level.
(부기 5) (Appendix 5)
상기 처리액 보충부가 상기 공급액 저류부에 보충하는 상기 처리액보다 농도가 낮은 희석액을 상기 공급액 저류부에 보충하는 희석액 보충부를 더 구비하는, 부기 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 기판 액 처리 장치.The substrate liquid processing device according to any one of
(부기 6)(Appendix 6)
상기 가열부는, 상기 공급액 저류부의 하부로부터 도출된 상기 처리액을 가열하여 상기 공급액 저류부의 상부로 되돌리도록 구성되어 있는, 부기 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 기판 액 처리 장치.The substrate liquid processing device according to any one of
(부기 7)(Appendix 7)
상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어하는 것과,Controlling the processing liquid replenishment unit to replenish the processing liquid into the supply liquid storage unit;
상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로 상기 처리액을 공급하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,controlling the processing liquid supply unit to supply the processing liquid from the supply liquid storage unit to the liquid processing unit;
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가, 상기 처리액 보충부에 의해 보충되는 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 더 구비하는, 부기 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 기판 액 처리 장치. Supply of the processing liquid from the supply liquid storage unit to the liquid processing unit until the concentration of the processing liquid in the supply liquid storage unit reaches a supply concentration higher than the concentration of the processing liquid replenished by the processing liquid replenishment unit. The substrate liquid processing device according to any one of
(부기 8)(Appendix 8)
상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어하는 것과,Controlling the processing liquid replenishment unit to replenish the processing liquid into the supply liquid storage unit;
상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로 상기 처리액을 공급하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,controlling the processing liquid supply unit to supply the processing liquid from the supply liquid storage unit to the liquid processing unit;
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가, 상기 처리액 보충부에 의해 보충되는 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 더 구비하고,Supply of the processing liquid from the supply liquid storage unit to the liquid processing unit until the concentration of the processing liquid in the supply liquid storage unit reaches a supply concentration higher than the concentration of the processing liquid replenished by the processing liquid replenishment unit. further comprising a control unit configured to control the processing liquid supply unit to prohibit;
상기 복수의 측정 대상 높이는, 제 1 높이와, 제 1 높이보다 낮은 제 2 높이를 포함하고,The plurality of measurement target heights include a first height and a second height lower than the first height,
상기 제어부는, 상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 액면이 상기 제 1 높이에 달할 때까지 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어한 후, 상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 액면이 상기 제 2 높이로 저하될 때까지 상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는, 부기 4에 기재된 기판 액 처리 장치.The control unit controls the processing liquid replenishment unit to replenish the processing liquid until the liquid level of the processing liquid in the supply liquid storage portion reaches the first height, and then, the liquid level of the processing liquid in the supply liquid storage portion reaches the second height. The substrate liquid processing device according to
(부기 9)(Appendix 9)
상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어하는 것과,Controlling the processing liquid replenishment unit to replenish the processing liquid into the supply liquid storage unit;
상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로 상기 처리액을 공급하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,controlling the processing liquid supply unit to supply the processing liquid from the supply liquid storage unit to the liquid processing unit;
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가, 상기 처리액 보충부에 의해 보충되는 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 상기 공급액 저류부로부터 상기 액 처리부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,Supply of the processing liquid from the supply liquid storage unit to the liquid processing unit until the concentration of the processing liquid in the supply liquid storage unit reaches a supply concentration higher than the concentration of the processing liquid replenished by the processing liquid replenishment unit. Controlling the treatment liquid supply unit to prohibit,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도를 상기 공급 농도에 가깝게 하는 양으로 상기 희석액을 상기 공급액 저류부에 보충하도록 상기 희석액 보충부를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 더 구비하는, 부기 5에 기재된 기판 액 처리 장치. The substrate liquid according to
A1 : 기판 액 처리 장치
7 : 제어부
38 : 처리액 저류부(저류부)
39 : 처리액 공급부(농도 상승 촉진부)
39A : 농도 상승 촉진부
41 : 처리액 배출부(배출부)
80, 263, 264, 265, 266 : 액면 센서
210 : 처리액 보충부
240 : 가열부
260 : 농도 센서
H2 : 측정 대상 높이(제 1 높이)
H3 : 측정 대상 높이(제 2 높이)A1: Substrate liquid processing device
7: Control unit
38: Treatment liquid reservoir (reservoir)
39: Treatment liquid supply unit (concentration increase promotion unit)
39A: Concentration increase promotion unit
41: Treatment liquid discharge unit (discharge unit)
80, 263, 264, 265, 266: Liquid level sensor
210: Treatment liquid replenishment unit
240: heating unit
260: Concentration sensor
H2: Measurement target height (first height)
H3: Measurement target height (second height)
Claims (15)
상기 저류부로부터 상기 처리액을 배출하는 배출부와,
상기 배출부를 제어하는 제어부와,
상기 저류부에 있어서의 액면 높이를 검출하는 액면 센서를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 저류부의 상기 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 기간에 있어서의 제 1 제어와, 상기 저류부의 상기 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 기간에 있어서의 제 2 제어를 실행하고,
상기 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여 상기 농도 변경 전의 설정 농도보다 상기 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우이고, 또한, 상기 액면 센서에 의해 검출된 액면 높이가 정해진 액면 기준값보다 높은 경우에, 상기 처리액의 배출이 개시되도록 상기 배출부를 제어하는, 기판 액 처리 장치. A reservoir for storing the treatment liquid,
a discharge portion discharging the treatment liquid from the storage portion;
A control unit that controls the discharge unit,
Equipped with a liquid level sensor that detects the liquid level in the reservoir,
The control unit,
Executing a first control in a concentration constant period in which the concentration of the processing liquid in the reservoir is adjusted to a predetermined set concentration and a second control in a concentration change period in which the concentration of the processing liquid in the reservoir is changed,
In the second control, the set concentration before the concentration change is compared with the set concentration after the concentration change, and the set concentration after the concentration change is lower than the set concentration before the concentration change, and the liquid level detected by the liquid level sensor A substrate liquid processing device that controls the discharge unit to start discharging the processing liquid when is higher than a predetermined liquid level reference value.
상기 저류부에 있어서의 상기 처리액의 농도 상승을 촉진시키는 농도 상승 촉진부와,
상기 농도 상승 촉진부를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 저류부의 상기 처리액의 농도가 정해진 설정 농도로 조정되는 농도 일정 기간에 있어서의 제 1 제어와, 상기 저류부의 상기 처리액의 농도가 변경되는 농도 변경 기간에 있어서의 제 2 제어를 실행하고,
상기 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 상기 농도 변경 전의 설정 농도보다 상기 농도 변경 후의 설정 농도가 높은 경우에, 상기 저류부에 있어서의 상기 처리액의 농도 상승이 촉진되도록 상기 농도 상승 촉진부를 제어하고,
상기 농도 상승 촉진부는,
상기 저류부에 공급하기 위한 상기 처리액을 저류하는 공급액 저류부와,
상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하는 처리액 보충부와,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액을 가열하는 가열부와,
상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도에 관한 정보를 검출하는 농도 센서를 가지고,
상기 저류부에 저류된 상기 처리액보다 농도가 높은 상기 처리액을 상기 저류부에 공급하고,
상기 농도 센서는, 서로 높이가 상이한 복수의 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 복수의 액면 센서를 가지는, 기판 액 처리 장치. A reservoir for storing the treatment liquid,
a concentration increase promoting unit that promotes an increase in the concentration of the processing liquid in the storage unit;
It has a control unit that controls the concentration increase accelerating unit,
The control unit,
Executing a first control in a concentration constant period in which the concentration of the processing liquid in the reservoir is adjusted to a predetermined set concentration and a second control in a concentration change period in which the concentration of the processing liquid in the reservoir is changed,
In the second control, the set concentration before the concentration change is compared with the set concentration after the concentration change, and when the set concentration after the concentration change is higher than the set concentration before the concentration change, the treatment liquid in the storage portion is Controlling the concentration increase promoting unit to promote concentration increase,
The concentration increase promoting unit,
a supply liquid reservoir that stores the processing liquid to be supplied to the reservoir;
a processing liquid replenishment unit that replenishes the processing liquid into the supply liquid storage unit;
a heating unit that heats the processing liquid in the supply liquid storage unit;
a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid from the supply liquid storage unit to the storage unit;
It has a concentration sensor that detects information about the concentration of the processing liquid in the supply liquid reservoir,
Supplying the processing liquid having a higher concentration than the processing liquid stored in the storage portion to the storage portion,
The concentration sensor is a substrate liquid processing device that includes a plurality of liquid level sensors that each detect a vertical relationship between a plurality of measurement target heights having different heights and a liquid level.
상기 농도 변경 기간에는, 개별로 설정 농도를 설정 가능한 복수의 스텝이 포함되어 있는, 기판 액 처리 장치. According to claim 1 or 3,
A substrate liquid processing device, wherein the concentration change period includes a plurality of steps capable of individually setting the set concentration.
상기 제어부는, 처리 대상의 기판이 상기 저류부의 상기 처리액에 침지되어 상기 처리액에 의해 처리되는 기판 처리 기간에 있어서, 상기 제 1 제어 및 상기 제 2 제어를 실행하는, 기판 액 처리 장치. According to claim 1 or 3,
The substrate liquid processing apparatus, wherein the control unit executes the first control and the second control during a substrate processing period in which a substrate to be processed is immersed in the processing liquid in the reservoir and processed by the processing liquid.
상기 제어부는, 상기 저류부의 상기 처리액에 상기 기판이 침지되어 있지 않은 인터벌 기간에 있어서, 상기 저류부의 상기 처리액의 농도를 상기 농도 일정 기간에 있어서의 상기 정해진 설정 농도로 조절하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있는, 기판 액 처리 장치. According to claim 6,
The control unit further adjusts the concentration of the processing liquid in the reservoir to the predetermined set concentration in the concentration constant period during an interval period in which the substrate is not immersed in the processing liquid in the reservoir. Consisting of a substrate liquid processing device.
상기 제어부는,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가 상기 저류부의 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도로 조정되는 제 3 제어를 더 실행하고,
상기 제 3 제어에 있어서,
상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어하는 것과,
상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로 상기 처리액을 공급하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가 상기 공급 농도에 달할 때까지 상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것을 실행하는, 기판 액 처리 장치. According to claim 3,
The control unit,
Further performing a third control in which the concentration of the processing liquid in the supply liquid storage portion is adjusted to a supply concentration higher than the concentration of the processing liquid in the storage portion,
In the third control,
Controlling the processing liquid replenishment unit to replenish the processing liquid into the supply liquid storage unit;
controlling the processing liquid supply unit to supply the processing liquid from the supply liquid storage unit to the storage unit;
Controlling the processing liquid supply unit to prohibit supply of the processing liquid from the supply liquid storage unit to the storage unit until the concentration of the processing liquid in the supply liquid storage unit reaches the supply concentration.
상기 복수의 측정 대상 높이는, 제 1 높이와, 제 1 높이보다 낮은 제 2 높이를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가 상기 저류부의 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도로 조정되는 제 3 제어를 더 실행하고,
상기 제 3 제어에 있어서,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 액면이 상기 제 1 높이에 달할 때까지 상기 공급액 저류부에 상기 처리액을 보충하도록 상기 처리액 보충부를 제어하는 것과,
상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로 상기 처리액을 공급하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것과,
상기 제 1 높이에 달한 상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 액면이 상기 제 2 높이로 저하될 때까지 상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로의 상기 처리액의 공급을 금지하도록 상기 처리액 공급부를 제어하는 것을 실행하는, 기판 액 처리 장치. According to claim 3,
The plurality of measurement target heights include a first height and a second height lower than the first height,
The control unit,
Further performing a third control in which the concentration of the processing liquid in the supply liquid storage portion is adjusted to a supply concentration higher than the concentration of the processing liquid in the storage portion,
In the third control,
Controlling the processing liquid replenishment unit to replenish the processing liquid into the supply liquid storage portion until the liquid level of the processing liquid in the supply liquid storage portion reaches the first height;
controlling the processing liquid supply unit to supply the processing liquid from the supply liquid storage unit to the storage unit;
Controlling the processing liquid supply unit to prohibit the supply of the processing liquid from the supply liquid storage unit to the storage unit until the liquid level of the processing liquid in the supply liquid storage unit, which has reached the first height, falls to the second height. Executing a substrate liquid processing device.
농도 변경 기간에 있어서, 상기 저류부의 상기 처리액의 농도를 변경하는 제 2 제어
를 포함하고,
상기 제 2 제어에 있어서, 농도 변경 전의 설정 농도와 농도 변경 후의 설정 농도를 비교하여, 상기 농도 변경 전의 설정 농도보다 상기 농도 변경 후의 설정 농도가 낮은 경우이고, 또한, 상기 저류부에서의 액면 높이가 정해진 액면 기준값보다 높은 경우에, 상기 저류부로부터의 상기 처리액의 배출을 개시하는, 기판 액 처리 방법.A first control for adjusting the concentration of the processing liquid in a storage portion for storing the processing liquid to a predetermined set concentration in a certain concentration period;
A second control for changing the concentration of the treatment liquid in the storage portion in the concentration change period.
Including,
In the second control, the set concentration before the concentration change is compared with the set concentration after the concentration change, and the set concentration after the concentration change is lower than the set concentration before the concentration change, and the liquid level in the reservoir is lower than the set concentration before the concentration change. A substrate liquid processing method, wherein discharge of the processing liquid from the storage portion is started when the liquid level is higher than a predetermined reference value.
상기 공급액 저류부의 상기 처리액을 가열하는 것과,
서로 높이가 상이한 복수의 측정 대상 높이와 액면과의 상하 관계를 각각 검출하는 복수의 액면 센서에 의해, 상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도에 관한 정보를 검출하는 것과,
상기 공급액 저류부의 상기 처리액의 농도가, 상기 저류부에 저류된 상기 처리액의 농도보다 높은 공급 농도에 달할 때까지, 상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로의 상기 처리액의 공급을 금지하는 것과,
상기 공급 농도에 달한 상기 처리액을 상기 공급액 저류부로부터 상기 저류부로 공급하는 것
을 포함하는, 기판 액 처리 방법.replenishing the processing liquid into a supply liquid reservoir that stores the processing liquid for supplying it to a reservoir that stores the processing liquid;
heating the treatment liquid in the supply liquid reservoir;
Detecting information about the concentration of the processing liquid in the supply liquid reservoir by a plurality of liquid level sensors that respectively detect the vertical relationship between the liquid level and a plurality of measurement target heights of different heights;
prohibiting the supply of the processing liquid from the supply liquid storage portion to the storage portion until the concentration of the processing liquid in the supply liquid storage portion reaches a supply concentration higher than the concentration of the processing liquid stored in the storage portion;
Supplying the treatment liquid that has reached the supply concentration from the supply liquid storage unit to the storage unit.
A substrate liquid processing method comprising:
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