KR20180111571A - Substrate liquid processing apparatus - Google Patents

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고지 야마시타
히데마사 아라타케
고지 다나카
다카후미 츠치야
히데아키 사토
유우키 이시이
다카오 이나다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

The objective of the present invention is to provide a substrate liquid processing apparatus, effective to prevent blocking of a nozzle for supplying gas to a processing liquid. The substrate liquid processing apparatus (A1) comprises: a processing tank (41) storing a processing liquid (43) and a substrate (8); a gas nozzle (70) allowing gas to be discharged from the lower portion of the processing tank (41); and a gas supply unit (89) supplying gas to the gas nozzle (70). Moreover, the gas nozzle (70) has a pipe-shaped main body (71) disposed to move along the bottom surface of the processing tank (41) and a discharge hole (77) passing through between an inner surface (73) and an outer surface (74) of the main body (71) and having an aperture becoming narrower from the inner surface (73) to the outer surface (74).

Description

기판 액처리 장치{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS [0002]

본 개시는 기판 액처리 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate liquid processing apparatus.

특허문헌 1에는 오버 플로우조와, 조 내의 에칭액을 순환시키는 펌프와, 조 내의 에칭액을 일정 온도로 가열하는 히터와, 그 온도를 제어하는 온도 컨트롤러와, 조 내의 바닥부 내에 마련된 분산판에 웨이퍼의 카세트를 고정하는 프레임과, 조 내의 에칭액을 질소로 버블링하는 버블러를 구비하는 웨트 에칭 처리 장치가 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses an overflow tank, a pump for circulating an etchant in the tank, a heater for heating the etchant in the tank to a predetermined temperature, a temperature controller for controlling the temperature, and a dispersion plate provided in the bottom of the tank. And a bubbler for bubbling the etching solution in the bath with nitrogen.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 평성07-58078호 공보Patent Document 1: JP-A-07-58078

복수 기판 사이 및 단일 기판의 면 내에 있어서, 기판 처리의 균일성을 더욱 향상시키는 것이 요구되고 있다. 전술한 버블링용의 가스의 공급 상태는, 처리조 내 각 부에 있어서의 처리액의 상승 속도에 영향을 끼치기 때문에, 기판 처리의 균일성에 영향을 끼친다. 가스의 공급 상태를 불안정하게 만드는 요인의 하나로서, 가스 공급용의 노즐의 막힘을 들 수 있다.It is required to further improve uniformity of substrate processing between a plurality of substrates and within the plane of a single substrate. The supply state of the bubbling gas affects the uniformity of the substrate processing because it influences the rising speed of the processing liquid in each part in the processing tank. Clogging of the nozzle for gas supply is one of the factors that make the gas supply state unstable.

그래서 본 개시는, 처리액에 가스를 공급하는 노즐의 막힘을 방지하는 데 유효한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present disclosure aims to provide a substrate liquid processing apparatus which is effective in preventing clogging of nozzles for supplying a gas to the processing liquid.

본 개시의 일 양태에 따른 기판 액처리 장치는, 처리액 및 기판을 수용하는 처리조와, 처리조 내의 하부에서 가스를 토출하는 가스 노즐과, 가스 노즐에 가스를 공급하는 가스 공급부를 구비하고, 가스 노즐은 처리조의 바닥면을 따르도록 배치된 관형의 본체와, 본체의 내면 및 외면 사이를 관통하여, 내면측으로부터 외면측을 향함에 따라 개구 면적이 작아지도록 형성된 토출 구멍을 갖는다.A substrate liquid processing apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a processing tank for containing a process liquid and a substrate, a gas nozzle for discharging gas from a lower portion of the processing tank, and a gas supply unit for supplying gas to the gas nozzle, The nozzle has a tubular main body disposed along the bottom surface of the processing tank and an ejection hole penetrating between the inner and outer surfaces of the main body and formed so as to have an opening area reduced from the inner surface toward the outer surface.

본 개시에 따르면, 처리액에 가스를 공급하는 노즐의 막힘을 방지하는 데 유효한 기판 액처리 장치를 제공할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to provide a substrate liquid processing apparatus which is effective in preventing clogging of a nozzle for supplying a gas to a processing liquid.

도 1은 기판 액처리 시스템을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 에칭 처리 장치의 모식도이다.
도 3은 처리조의 평면도이다.
도 4는 가스 노즐의 확대도이다.
도 5는 가스 노즐의 분해도이다.
도 6은 제어부의 기능적인 구성을 나타내는 블록도이다.
도 7은 기판 처리 순서의 흐름도이다.
도 8은 처리액의 충전 순서의 흐름도이다.
도 9는 노즐 세정 순서의 흐름도이다.
도 10은 침지 처리 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 11은 가스 공급량의 제어 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 12는 처리액의 배출 순서의 흐름도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate liquid processing system.
2 is a schematic diagram of an etching apparatus.
3 is a plan view of the treatment tank.
4 is an enlarged view of the gas nozzle.
5 is an exploded view of the gas nozzle.
6 is a block diagram showing a functional configuration of the control unit.
7 is a flowchart of a substrate processing procedure.
8 is a flowchart of the filling sequence of the processing liquid.
9 is a flow chart of the nozzle cleaning procedure.
10 is a flowchart showing the immersion processing procedure.
11 is a flowchart showing a control procedure of the gas supply amount.
Fig. 12 is a flowchart of the discharge sequence of the process liquid.

이하, 실시형태에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복하는 설명을 생략한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In the description, the same elements or elements having the same function are denoted by the same reference numerals, and redundant explanations are omitted.

도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 액처리 시스템(1A)은 캐리어 반입출부(2)와, 로트 형성부(3)와, 로트 배치부(4)와, 로트 반송부(5)와, 로트 처리부(6)와, 제어부(7)를 갖는다.1, the substrate liquid processing system 1A includes a carrier loading / unloading section 2, a lot forming section 3, a lot arranging section 4, a lot conveying section 5, 6, and a control unit 7.

이 중 캐리어 반입출부(2)는 복수매(예컨대, 25장)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 배열하여 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다.The carrier loading / unloading section 2 performs loading / unloading of the carrier 9 in which a plurality of (for example, 25) substrates (silicon wafers) 8 are arranged vertically in a horizontal posture.

이 캐리어 반입출부(2)에는 복수개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 마련되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한, 캐리어 스톡(13)은 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다.The carrier loading / unloading section 2 is provided with a carrier stage 10 for placing a plurality of carriers 9, a carrier transport mechanism 11 for transporting the carrier 9, Stocks 12 and 13 and a carrier placement table 14 for arranging the carrier 9 are provided. Here, the carrier stock 12 temporarily stores the substrate 8, which becomes a product, before being processed in the lot processing section 6. [ Further, the carrier stock 13 temporarily stores the substrate 8, which is a product, after being processed in the lot processing section 6. [

그리고, 캐리어 반입출부(2)는 외부로부터 캐리어 스테이지(10)에 반입된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나 캐리어 배치대(14)에 반송한다. 또한, 캐리어 반입출부(2)는 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나 캐리어 스테이지(10)에 반송한다. 캐리어 스테이지(10)에 반송된 캐리어(9)는, 외부에 반출된다.The carrier carry-in / out unit 2 transports the carrier 9 carried from the outside to the carrier stage 10 to the carrier stock 12 or the carrier placement table 14 by using the carrier transport mechanism 11. The carrier carry-in / out unit 2 carries the carrier 9 placed on the carrier placement table 14 to the carrier stock 13 or the carrier stage 10 by using the carrier transport mechanism 11. [ The carrier 9 conveyed to the carrier stage 10 is carried to the outside.

로트 형성부(3)는 1 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수매(예컨대, 50장)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다. 또한, 로트를 형성할 때는, 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면을 서로 대향하도록 로트를 형성하여도 좋고, 또한 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면이 전부 한쪽을 향하도록 로트를 형성하여도 좋다.The lot forming section 3 forms a lot of a plurality of (for example, 50) substrates 8 that are simultaneously processed by combining the substrates 8 housed in one or a plurality of carriers 9. When a lot is to be formed, a lot may be formed so that the surfaces of the substrate 8 on which the patterns are formed face each other, and the surface of the substrate 8 on which the pattern is formed may be entirely A lot may be formed.

이 로트 형성부(3)에는 복수매의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 마련되어 있다. 또한, 기판 반송 기구(15)는 기판(8)의 반송 도중에 기판(8)의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세 및 수직 자세로부터 수평 자세로 변경시킬 수 있다.The lot forming section 3 is provided with a substrate transport mechanism 15 for transporting a plurality of substrates 8. In addition, the substrate transport mechanism 15 can change the posture of the substrate 8 from the horizontal posture to the vertical posture and from the vertical posture to the horizontal posture during conveyance of the substrate 8. [

그리고, 로트 형성부(3)는 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 기판(8)을 로트 배치부(4)에 반송하고, 로트를 형성하는 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치한다. 또한, 로트 형성부(3)는 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)로 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)에 반송한다. 또한, 기판 반송 기구(15)는 복수매의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전[로트 반송부(5)로 반송되기 전]의 기판(8)을 지지하는 처리전 기판 지지부와, 처리 후[로트 반송부(5)로 반송된 후]의 기판(8)을 지지하는 처리후 기판 지지부의 2종류를 가지고 있다. 이에 의해, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 옮겨 붙는 것을 방지한다.The lot forming section 3 carries the substrate 8 from the carrier 9 disposed on the carrier placement table 14 to the lot arrangement section 4 using the substrate transportation mechanism 15 and forms a lot The substrate 8 is placed in the lot arrangement part 4. [ The lot forming section 3 also conveys the lot arranged in the lot arranging section 4 to the carrier 9 arranged on the carrier placing table 14 by the substrate conveying mechanism 15. The substrate transport mechanism 15 is a substrate support for supporting a plurality of substrates 8 and includes a substrate support 8 for supporting the substrate 8 before it is transported to the lot conveying part 5, And a post-processing substrate supporting section for supporting the substrate 8 after the processing (after being transferred to the lot conveying section 5). This prevents particles or the like adhered to the substrate 8 or the like before processing from being transferred to the processed substrate 8 or the like.

로트 배치부(4)는 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6) 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치대(16)에 일시적으로 배치(대기)한다.The lot arranging section 4 temporarily arranges (waits) the lot conveyed between the lot forming section 3 and the lot processing section 6 by the lot conveying section 5 in the lot arrangement stand 16.

이 로트 배치부(4)에는 처리 전[로트 반송부(5)로 반송되기 전]의 로트를 배치하는 반입측 로트 배치대(17)와, 처리 후[로트 반송부(5)로 반송된 후]의 로트를 배치하는 반출측 로트 배치대(18)가 마련되어 있다. 반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1 로트분의 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 배치된다.The lot arranging section 4 is provided with a receiving-side lot arrangement 17 for disposing a lot before the treatment (before being conveyed to the lot conveying section 5) Is arranged on the take-out side lot placement base 18 for placing a lot of the lot. A plurality of substrates 8 for one lot are arranged in the vertical posture in the front-rear direction in the loading-side lot placement base 17 and the output-side lot placement base 18.

그리고, 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성한 로트가 반입측 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 통해 로트 처리부(6)에 반입된다. 또한, 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 통해 반출된 로트가 반출측 로트 배치대(18)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)에 반송된다.In the lot arrangement unit 4, a lot formed in the lot formation unit 3 is disposed in the loading-side lot arrangement 17 and the lot is conveyed to the lot processing unit 6 via the lot return unit 5 Are imported. In the lot arrangement unit 4, a lot carried out from the lot processing unit 6 through the lot carrying unit 5 is disposed in the take-out lot arrangement base 18, and the lot is placed in the lot formation unit 3 Lt; / RTI >

로트 반송부(5)는 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6) 사이나 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다.The lot conveying section 5 conveys the lot between the lot arranging section 4 and the inside of the lot processing section 6 or the lot processing section 6.

이 로트 반송부(5)에는 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 마련되어 있다. 로트 반송 기구(19)는 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따라 배치한 레일(20)과, 복수매의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성한다. 이동체(21)에는 수직 자세로 전후로 배열된 복수매의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴 가능하게 마련되어 있다.The lot conveying section 5 is provided with a lot conveying mechanism 19 for conveying the lot. The lot transport mechanism 19 includes a rail 20 disposed along the lot arrangement unit 4 and the lot processing unit 6 and a movable body 21 moving along the rail 20 while holding a plurality of substrates 8 ). The movable body 21 is provided with a substrate holding body 22 for holding a plurality of substrates 8 arranged in the vertical posture so as to be movable forward and backward.

그리고, 로트 반송부(5)는 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 그 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 그 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에 있어서 로트의 반송을 행한다.The lot conveying section 5 receives the lot placed on the loading side lot arrangement 17 with the substrate holding body 22 of the lot conveying mechanism 19 and transfers the lot to the lot processing section 6 . The lot conveying section 5 receives the lot processed in the lot processing section 6 with the substrate holding body 22 of the lot conveying mechanism 19 and transfers the lot to the take-out lot arrangement block 18 . The lot conveying section 5 also conveys the lot inside the lot processing section 6 using the lot conveying mechanism 19.

로트 처리부(6)는 수직 자세로 전후로 배열된 복수매의 기판(8)을 1 로트로 하여 에칭이나 세정이나 건조 등의 처리를 행한다.The lot processing section 6 performs a process such as etching, cleaning, and drying with one lot of the plurality of substrates 8 arranged in the vertical posture.

이 로트 처리부(6)에는 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2대의 본 발명에 따른 에칭 처리 장치(기판 액처리 장치)(1)가 배열되어 마련되어 있다.The lot processing section 6 is provided with a drying processing device 23 for performing drying processing of the substrate 8, a substrate holding body cleaning processing device 24 for performing cleaning processing of the substrate holding body 22, (Substrate liquid processing apparatus) 1 according to the present invention for performing an etching process on the substrate 8 are arranged in the substrate processing apparatus 1.

건조 처리 장치(23)는 처리조(27)와, 처리조(27)에 승강 가능하게 마련된 기판 승강 기구(28)를 갖는다. 처리조(27)에는 건조용의 처리 가스[IPA(이소프로필알코올) 등]가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는 1 로트분의 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다. 건조 처리 장치(23)는 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)로 수취하고, 기판 승강 기구(28)로 그 로트를 승강시킴으로써, 처리조(27)에 공급한 건조용의 처리 가스로 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.The drying treatment apparatus 23 has a treatment tank 27 and a substrate lifting mechanism 28 that is movable up and down in the treatment tank 27. A treatment gas for drying (IPA (isopropyl alcohol) or the like) is supplied to the treatment tank 27. A plurality of substrates 8 for one lot are arranged and held in the vertical posture in the substrate lifting mechanism 28. The drying processing apparatus 23 receives the lot from the substrate holding member 22 of the lot transport mechanism 19 to the substrate lifting mechanism 28 and raises and lowers the substrate with the substrate lifting mechanism 28, The drying processing of the substrate 8 is carried out with the processing gas for drying supplied to the drying apparatus. Further, the drying processing apparatus 23 transfers the lot from the substrate lifting mechanism 28 to the substrate holding body 22 of the lot transport mechanism 19.

기판 유지체 세정 처리 장치(24)는 처리조(29)를 갖고, 이 처리조(29)에 세정용의 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있게 되어 있고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.The substrate holding body cleaning and treating apparatus 24 has a treatment tank 29 and is capable of supplying cleaning liquid and drying gas to the treatment tank 29, The cleaning liquid is supplied to the substrate holding body 22 and then the drying gas is supplied to perform the cleaning processing of the substrate holding body 22. [

세정 처리 장치(25)는 세정용의 처리조(30)와 린스용의 처리조(31)를 갖고, 각 처리조(30, 31)에 기판 승강 기구(32, 33)를 승강 가능하게 마련하고 있다. 세정용의 처리조(30)에는 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(31)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.The cleaning processing apparatus 25 has a cleaning treatment tank 30 and a rinsing treatment tank 31. The substrate lifting mechanisms 32 and 33 are provided on each treatment tank 30 and 31 so as to be movable up and down have. The cleaning treatment liquid (SC-1, etc.) is stored in the cleaning treatment tank 30. A rinsing treatment liquid (pure water or the like) is stored in the rinsing treatment tank 31.

에칭 처리 장치(1)는 에칭용의 처리조(34)와 린스용의 처리조(35)를 갖고, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)가 승강 가능하게 마련되어 있다. 에칭용의 처리조(34)에는 에칭용의 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용의 처리조(35)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.The etching processing apparatus 1 has a processing tank 34 for etching and a processing tank 35 for rinsing and substrate lifting mechanisms 36 and 37 are provided so as to be able to move up and down in the processing tanks 34 and 35 . A treatment liquid (aqueous phosphoric acid solution) for etching is stored in the treatment tank 34 for etching. A rinsing treatment liquid (pure water or the like) is stored in the rinsing treatment tank 35.

이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(1)는 동일한 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(기판 액처리 장치)(1)에 대해서 설명하면, 기판 승강 기구(36)에는 1 로트분의 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다. 에칭 처리 장치(1)에 있어서, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)로 수취하고, 기판 승강 기구(36)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(1)는 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다. 또한, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)로 수취하고, 기판 승강 기구(37)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 그 후, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.The cleaning apparatus 25 and the etching apparatus 1 have the same configuration. A description will be given of the etching processing apparatus (substrate liquid processing apparatus) 1. A plurality of substrates 8 for one lot are arranged and held in the vertical posture in the substrate lifting mechanism 36. In the etching apparatus 1, the lot is received by the substrate lifting mechanism 36 from the substrate holding body 22 of the lot transport mechanism 19, and the lot is moved up and down by the substrate lifting mechanism 36 Is immersed in the treatment liquid for etching of the bath 34 to perform the etching treatment of the substrate 8. Thereafter, the etching processing apparatus 1 transfers the lot from the substrate lifting mechanism 36 to the substrate holding body 22 of the lot transport mechanism 19. The lot is received by the substrate lifting mechanism 37 from the substrate holding body 22 of the lot transport mechanism 19 and the lot is moved up and down by the substrate lifting mechanism 37, So as to rinse the substrate 8. Thereafter, the lot is transferred from the substrate lifting mechanism 37 to the substrate holding body 22 of the lot transport mechanism 19. [

제어부(7)는 기판 액처리 시스템(1A)의 각 부[캐리어 반입출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6), 에칭 처리 장치(1)]의 동작을 제어한다.The control unit 7 controls each part of the substrate liquid processing system 1A (the carrier loading / unloading unit 2, the lot forming unit 3, the lot arranging unit 4, the lot conveying unit 5, the lot processing unit 6, (The etching apparatus 1).

이 제어부(7)는 예컨대 컴퓨터로 이루어지며, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(38)를 구비한다. 기억 매체(38)에는 기판 액처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는 기억 매체(38)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 액처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 또한, 프로그램은 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)에 기억되어 있던 것으로서, 다른 기억 매체로부터 제어부(7)의 기억 매체(38)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.The control unit 7 is composed of, for example, a computer and includes a computer-readable storage medium 38. [ In the storage medium 38, a program for controlling various processes executed in the substrate liquid processing apparatus 1 is stored. The control unit 7 controls the operation of the substrate liquid processing apparatus 1 by reading and executing the program stored in the storage medium 38. [ The program may be stored in a storage medium 38 readable by a computer and may be installed in a storage medium 38 of the control unit 7 from another storage medium. Examples of the storage medium 38 that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card and the like.

〔기판 액처리 장치〕[Substrate Liquid Treatment Apparatus]

계속해서 기판 액처리 시스템(1A)이 포함하는 기판 액처리 장치(A1)에 대해서 상세하게 설명한다. 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 기판 액처리 장치(A1)는 에칭 처리 장치(1)와, 기판 승강 기구(36)(반송부)와, 제어부(7)를 구비한다.Subsequently, the substrate liquid processing apparatus A1 included in the substrate liquid processing system 1A will be described in detail. 2 and 3, the substrate liquid processing apparatus A1 is provided with an etching processing apparatus 1, a substrate lifting mechanism 36 (carrying section), and a control section 7.

(에칭 처리 장치)(Etching processing apparatus)

에칭 처리 장치(1)는 액처리부(40)와, 처리액 공급부(44)와, 처리액 배출부(67)와, 복수(예컨대 6개)의 가스 노즐(70)과, 가스 공급부(89)와, 가스 가열부(94)와, 가스 발출부(95)와, 액위 센서(80)를 구비한다.The etching apparatus 1 includes a liquid processing unit 40, a process liquid supply unit 44, a process liquid discharge unit 67, a plurality of (for example, six) gas nozzles 70, a gas supply unit 89, A gas heating section 94, a gas outlet section 95, and a liquid level sensor 80. [

액 처리부(40)는 기판(8)에 대하여 액처리(에칭 처리)를 실행하는 부분이며, 처리조(41)와, 외부조(42)와, 처리액(43)을 포함한다.The liquid processing section 40 is a part for performing liquid processing (etching processing) on the substrate 8 and includes a processing bath 41, an outer bath 42, and a processing liquid 43. [

처리조(41)는 처리액(43) 및 기판(8)을 수용한다. 처리액(43)의 구체예로서는, 인산 수용액을 들 수 있다. 처리조(41)의 상부는 개방되어 있기 때문에, 상방으로부터 처리조(41) 내의 처리액(43)에 기판(8)을 침지하는 것이 가능하다. 후술하는 바와 같이, 처리조(41) 내에는 원형의 기판(8)이 기립한 상태로 배치된다. 이하, 높이 방향과 직교하여 처리조(41) 내의 기판(8)을 따르는 방향을 「폭 방향」이라고 하고, 높이 방향 및 폭 방향과 직교하는 방향[즉 처리조(41) 내의 기판(8)의 두께 방향]을 「안길이 방향」이라고 한다.The treatment tank 41 receives the treatment liquid 43 and the substrate 8. A specific example of the treatment liquid 43 is an aqueous phosphoric acid solution. Since the upper portion of the treatment tank 41 is open, it is possible to immerse the substrate 8 in the treatment liquid 43 in the treatment tank 41 from above. As will be described later, a circular substrate 8 is arranged in a standing state in the treatment tank 41. [ The direction along the substrate 8 in the treatment tank 41 perpendicular to the height direction will be referred to as the "width direction" and the direction along the direction perpendicular to the height direction and the width direction Thickness direction] is referred to as " backward direction ".

처리조(41)의 바닥면 중, 폭 방향에 있어서의 양측 부분은, 외측을 향함에 따라 높아지고 있다. 이에 의해, 처리조(41) 내의 내각부와, 기판(8)의 외주 사이의 데드 스페이스가 작아져, 처리액(43)의 체류가 생기기 어렵게 되어 있다.Both side portions of the bottom surface of the treatment tank 41 in the width direction are increased toward the outside. As a result, the dead space between the internal angle portion in the treatment tank 41 and the outer periphery of the substrate 8 is reduced, and the retention of the treatment liquid 43 is less likely to occur.

외부조(42)는 처리조(41)를 포위하도록 마련되어 있으며, 처리조(41)로부터 넘친 처리액을 수용한다.The outer tank 42 is provided so as to surround the treatment tank 41 and accommodates the treatment liquid overflowing from the treatment tank 41.

처리액 공급부(44)는 처리조(41) 내에 처리액(43)을 공급한다. 예컨대 처리액 공급부(44)는 처리액 공급원(45)과, 유량 조절기(46)와, 순수 공급원(47)과, 유량 조절기(48)와, 처리액 순환부(49)와, 농도 계측부(55)를 포함한다.The treatment liquid supply unit 44 supplies the treatment liquid 43 to the treatment tank 41. The treatment liquid supply unit 44 includes a treatment liquid supply source 45, a flow controller 46, a pure water supply source 47, a flow controller 48, a treatment liquid circulation unit 49, a concentration measurement unit 55 ).

처리액 공급원(45)은 처리액(43)을 외부조(42)에 공급한다. 유량 조절기(46)는 처리액 공급원(45)으로부터 외부조(42)에의 처리액의 유로에 마련되어 있으며, 그 유로의 개폐 및 개방도 조절을 행한다.The treatment liquid supply source 45 supplies the treatment liquid 43 to the outer tank 42. The flow rate regulator 46 is provided in the flow path of the process liquid from the process liquid supply source 45 to the outer tank 42 and regulates opening and closing of the flow path and opening degree thereof.

순수 공급원(47)은 순수를 외부조(42)에 공급한다. 이 순수는 처리액(43)의 가열에 의해 증발한 수분을 보충한다. 유량 조절기(48)는 순수 공급원(47)으로부터 외부조(42)에의 순수의 유로에 마련되어 있고, 그 유로의 개폐 및 개방도 조절을 행한다.The pure water supply source 47 supplies pure water to the outer tank 42. This pure water replenishes the water evaporated by the heating of the treatment liquid (43). The flow rate regulator 48 is provided in a pure water flow path from the pure water supply source 47 to the outer tank 42, and controls opening / closing and opening of the flow path.

처리액 순환부(49)는 외부조(42) 내의 처리액(43)을 처리조(41) 내의 하부에 보낸다. 예컨대 처리액 순환부(49)는 복수(예컨대 3개)의 처리액 노즐(50)과, 순환 유로(51)와, 공급 펌프(52)와, 필터(53)와, 히터(54)를 포함한다.The treatment liquid circulating part 49 sends the treatment liquid 43 in the outer tank 42 to the lower part of the treatment tank 41. The treatment liquid circulation section 49 includes a plurality of (for example, three) treatment liquid nozzles 50, a circulation flow path 51, a supply pump 52, a filter 53, and a heater 54 do.

처리액 노즐(50)은 외부조(42) 내의 하부에 마련되어 있으며, 처리액(43)을 처리조(41) 내에 토출한다. 복수의 처리액 노즐(50)은 동일 높이에 있어서 폭 방향으로 배열되어 있고, 각각 안길이 방향으로 연장되어 있다.The treatment liquid nozzle 50 is provided under the outer tank 42 and discharges the treatment liquid 43 into the treatment tank 41. The plurality of process liquid nozzles 50 are arranged at the same height in the width direction, and each of the process liquid nozzles 50 extends in the direction of the back.

순환 유로(51)는 외부조(42)로부터 복수의 처리액 노즐(50)에 처리액을 유도한다. 순환 유로(51)의 일단부는 외부조(42)의 바닥부에 접속되어 있다. 순환 유로(51)의 타단부는, 복수개로 분기되어 복수의 처리액 노즐(50)에 각각 접속되어 있다.The circulation flow path 51 guides the treatment liquid from the outer tank 42 to the plurality of treatment liquid nozzles 50. One end of the circulation flow path 51 is connected to the bottom of the outer tank 42. The other end of the circulation flow path 51 is divided into a plurality of branches and connected to a plurality of treatment liquid nozzles 50, respectively.

공급 펌프(52), 필터(53) 및 히터(54)는, 순환 유로(51)에 마련되어 있고, 상류측[외부조(42)측]으로부터 하류측[처리액 노즐(50)측]에 순서대로 배열되어 있다. 공급 펌프(52)는 처리액(43)을 상류측으로부터 하류측에 압송한다. 필터(53)는 처리액(43) 중에 혼입된 파티클을 제거한다. 히터(54)는 처리액(43)을 설정 온도까지 가열한다. 설정 온도는 예컨대 처리액(43)의 비점 근방의 값으로 설정되어 있다.The supply pump 52, the filter 53 and the heater 54 are provided in the circulation flow path 51 and are arranged in order from the upstream side (the outer tub 42 side) to the downstream side (the process liquid nozzle 50 side) . The feed pump 52 feeds the process liquid 43 from the upstream side to the downstream side. The filter 53 removes the particles incorporated into the treatment liquid 43. The heater 54 heats the process liquid 43 to the set temperature. The setting temperature is set to a value near the boiling point of the treatment liquid 43, for example.

농도 계측부(55)는 처리액(43)의 농도를 계측한다. 예컨대 농도 계측부(55)는, 계측용 유로(56)와, 개폐 밸브(57, 59)와, 농도 센서(58)와, 세정 유체 공급부(60)와, 세정 유체 배출부(64)를 갖는다.The concentration measuring section 55 measures the concentration of the treatment liquid 43. [ For example, the concentration measuring section 55 has a measuring flow path 56, open / close valves 57 and 59, a concentration sensor 58, a cleaning fluid supply section 60, and a cleaning fluid discharge section 64.

계측용 유로(56)는 히터(54)와 처리액 노즐(50) 사이에서 순환 유로(51)로부터 분기되며, 처리액(43)의 일부를 발출하여 외부조(42)에 환류시킨다. 개폐 밸브(57, 59)는 계측용 유로(56)에 있어서 상류측[순환 유로(51)측]으로부터 하류측[외부조(42)측]에 순서대로 배열되어 있고, 각각 계측용 유로(56)를 개폐한다. 농도 센서(58)는 계측용 유로(56)에 있어서 개폐 밸브(57, 59) 사이에 마련되어 있고, 계측용 유로(56)를 흐르는 처리액(43)의 농도(예컨대 인산 농도)를 계측한다.The measurement flow path 56 is branched from the circulation flow path 51 between the heater 54 and the treatment liquid nozzle 50 to extract a part of the treatment liquid 43 and return it to the outer tank 42. The opening and closing valves 57 and 59 are arranged in order from the upstream side (the circulation flow passage 51 side) to the downstream side (the outer tank 42 side) in the measuring flow path 56, ). The concentration sensor 58 is provided between the on-off valves 57 and 59 in the measurement flow path 56 and measures the concentration (for example, phosphoric acid concentration) of the treatment liquid 43 flowing through the measurement flow path 56.

세정 유체 공급부(60)는 세정용의 유체(예컨대 순수)를 농도 센서(58)에 공급한다. 예컨대 세정 유체 공급부(60)는 세정 유체 공급원(61)과, 공급 유로(62)와, 개폐 밸브(63)를 갖는다. 세정 유체 공급원(61)은 세정용의 유체의 공급원이다. 공급 유로(62)는 세정 유체 공급원(61)으로부터 농도 센서(58)에 세정용의 유체를 공급한다. 공급 유로(62)의 일단부는 세정 유체 공급원(61)에 접속되어 있고, 공급 유로(62)의 타단부는 개폐 밸브(57)와 농도 센서(58) 사이에 접속되어 있다. 개폐 밸브(63)는 공급 유로(62)를 개폐한다.The cleaning fluid supply part 60 supplies a cleaning fluid (for example, pure water) to the concentration sensor 58. For example, the cleaning fluid supply unit 60 has a cleaning fluid supply source 61, a supply flow channel 62, and an open / close valve 63. The cleaning fluid supply source 61 is a supply source of the cleaning fluid. The supply flow path 62 supplies the cleaning fluid from the cleaning fluid supply source 61 to the concentration sensor 58. One end of the supply passage 62 is connected to the cleaning fluid supply source 61 and the other end of the supply passage 62 is connected between the opening and closing valve 57 and the concentration sensor 58. The opening and closing valve 63 opens and closes the supply passage 62.

세정 유체 배출부(64)는 세정용의 유체를 배출한다. 예컨대 세정 유체 배출부(64)는 배출 유로(65)와, 개폐 밸브(66)를 갖는다. 배출 유로(65)는 농도 센서(58)를 통과한 세정용의 유체를 도출한다. 배출 유로(65)의 일단부는 농도 센서(58)와 개폐 밸브(59) 사이에 접속되어 있고, 배출 유로(65)의 타단부는 기판 액처리 시스템(1A)의 배액관(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 개폐 밸브(66)는 배출 유로(65)를 개폐한다.The cleaning fluid discharge portion 64 discharges the cleaning fluid. For example, the cleaning fluid discharge portion 64 has a discharge flow path 65 and an opening / closing valve 66. The discharge passage 65 leads the cleaning fluid that has passed through the concentration sensor 58. One end of the discharge path 65 is connected between the concentration sensor 58 and the on-off valve 59 and the other end of the discharge path 65 is connected to a drain pipe (not shown) of the substrate liquid processing system 1A . The opening and closing valve 66 opens and closes the discharge flow path 65.

처리액 배출부(67)는 처리조(41) 내로부터 처리액(43)을 배출한다. 예컨대 처리액 배출부(67)는 배액 유로(68)와, 개폐 밸브(69)를 갖는다. 배액 유로(68)는 처리조(41) 내의 처리액을 도출한다. 배액 유로(68)의 일단부는 처리조(41)의 바닥부에 접속되어 있고, 배액 유로(68)의 타단부는 기판 액처리 시스템(1A)의 배액관(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 개폐 밸브(69)는 배액 유로(68)를 개폐한다.The treatment liquid discharge unit 67 discharges the treatment liquid 43 from within the treatment tank 41. For example, the treatment liquid discharge portion 67 has a drain passage 68 and an opening / closing valve 69. The drainage flow path 68 derives the treatment liquid in the treatment tank 41. One end of the drainage flow path 68 is connected to the bottom of the treatment tank 41 and the other end of the drainage flow path 68 is connected to a drain pipe (not shown) of the substrate liquid processing system 1A. The on-off valve 69 opens and closes the drainage passage 68.

복수의 가스 노즐(70)은 처리조(41) 내의 하부에서 불활성 가스(예컨대 N2 가스)를 토출한다. 복수의 가스 노즐(70)은 처리액 노즐(50)보다 아래에 있어서 폭 방향으로 배열되고, 각각 안길이 방향으로 연장되어 있다. 각 가스 노즐(70)의 높이는 그 배치 위치가 폭 방향의 중심으로부터 멀어짐에 따라 높아지고 있다.The plurality of gas nozzles 70 discharge an inert gas (for example, N 2 gas) in the lower portion of the treatment tank 41. The plurality of gas nozzles 70 are arranged in the width direction below the process liquid nozzle 50, and each of the gas nozzles 70 extends in the direction of the depth. The height of each gas nozzle 70 increases as the position of the gas nozzle 70 moves away from the center in the width direction.

복수의 가스 노즐(70)은 기판(8)과 동심의 원호를 따르도록 배열되어 있어도 좋다. 상기 원호를 따르도록 배열된다는 것은, 각 가스 노즐(70)이 그 원호 상에 위치하는 경우뿐만 아니라, 일부의 가스 노즐(70)이 그 원호로부터 소정 범위 내에서 벗어나 있는 경우도 포함한다. 복수의 가스 노즐(70)이 동일 높이에 위치하는 경우와 비교하여, 각 가스 노즐(70)로부터 기판(8)의 중심까지의 거리의 균일성이 높아지는 한, 상기 소정 범위는 임의로 설정 가능하다.The plurality of gas nozzles 70 may be arranged so as to follow concentric arcs with the substrate 8. Arranging along the arc includes not only the case where each gas nozzle 70 is located on its arc but also the case where a part of the gas nozzle 70 is out of a predetermined range from the arc. The predetermined range can be arbitrarily set as long as the uniformity of the distance from each gas nozzle 70 to the center of the substrate 8 is increased as compared with the case where the plurality of gas nozzles 70 are located at the same height.

예컨대, 복수의 가스 노즐(70)은 폭 방향에 있어서 가장 내측에 위치하는 한 쌍의 가스 노즐(70A)과, 한 쌍의 가스 노즐(70A)보다 외측에 위치하는 한 쌍의 가스 노즐(70B)과, 한 쌍의 가스 노즐(70B)보다 더욱 외측에 위치하는 한 쌍의 가스 노즐(70C)을 포함한다. 가스 노즐(70B, 70B)은 가스 노즐(70A, 70A)보다 위에 위치하고, 가스 노즐(70C, 70C)은 가스 노즐(70B, 70B)보다 위에 위치하고 있다. 가스 노즐(70A, 70A, 70B, 70B, 70C, 70C)은 기판(8)과 동심의 원호를 따르도록 배열되어 있다.For example, the plurality of gas nozzles 70 include a pair of gas nozzles 70A positioned at the innermost position in the width direction, a pair of gas nozzles 70B located outside the pair of gas nozzles 70A, And a pair of gas nozzles 70C positioned further outward than the pair of gas nozzles 70B. The gas nozzles 70B and 70B are positioned above the gas nozzles 70A and 70A and the gas nozzles 70C and 70C are positioned above the gas nozzles 70B and 70B. The gas nozzles 70A, 70A, 70B, 70B, 70C and 70C are arranged so as to follow circular arc concentric with the substrate 8. [

또한, 가스 노즐(70)의 수 및 배치는 적절하게 변경 가능하다. 복수의 가스 노즐(70)은 동일 높이에 배치되어 있어도 좋다.Further, the number and arrangement of the gas nozzles 70 can be appropriately changed. The plurality of gas nozzles 70 may be arranged at the same height.

도 4에 나타내는 바와 같이, 가스 노즐(70)은 처리조(41)의 바닥면을 따라 안길이 방향으로 연장되도록 배치된 관형(예컨대 원관형)의 본체(71)와, 본체(71)의 내면(73) 및 외면(74) 사이를 관통하도록 형성된 적어도 하나의 토출 구멍(77)을 갖는다. 예컨대 가스 노즐(70)은 안길이 방향을 따라 배열되는 복수의 토출 구멍(77)을 갖는다. 본체(71)는 예컨대 석영에 의해 구성되어 있다. 본체(71)는 석영 대신에, 규소를 함유하지 않는 재료로 구성되어 있어도 좋다. 규소를 함유하지 않는 재료의 구체예로서는, 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 등의 수지 재료를 들 수 있다.4, the gas nozzle 70 includes a main body 71 of a tubular shape (e.g., a circular tube shape) arranged so as to extend in the direction of the back of the treatment vessel 41 along the bottom surface thereof, And at least one discharge hole 77 formed so as to pass between the outer surface 73 and the outer surface 74. For example, the gas nozzle 70 has a plurality of discharge holes 77 arranged along the longitudinal direction. The main body 71 is made of quartz, for example. The main body 71 may be made of a material not containing silicon instead of quartz. Specific examples of the silicon-free material include resin materials such as polyetheretherketone (PEEK) and polytetrafluoroethylene (PTFE).

각 토출 구멍(77)은 본체(71)의 하부에 마련되어 있다. 토출 구멍(77)은 본체(71)의 관 중심(72)의 연직 하방으로부터 벗어난 위치에 마련되어 있어도 좋다. 이 경우, 토출 구멍(77)의 위치는 본체(71)의 관 중심(72)을 포함하는 연직의 가상 평면(75)이 토출 구멍(77) 내를 통과하지 않도록 설정되어 있어도 좋다. 토출 구멍(77)의 중심은 본체(71)의 관 중심(72) 둘레에서 연직 하방±10°의 범위(76) 내에 위치하고 있어도 좋다.Each of the ejection holes 77 is provided in the lower portion of the main body 71. The discharge hole 77 may be provided at a position deviated from the vertical center of the pipe center 72 of the main body 71. [ In this case, the position of the discharge hole 77 may be set such that the vertical virtual plane 75 including the tube center 72 of the main body 71 does not pass through the discharge hole 77. The center of the discharge hole 77 may be located within the range 76 of the vertical downward direction ± 10 ° around the tube center 72 of the main body 71.

토출 구멍(77)이 관 중심(72)의 연직 하방으로부터 벗어나는 방향에 제한은 없다. 예컨대, 토출 구멍(77)은 도면에서 보아 우측으로 벗어나 있지만, 도면에서 보아 좌측으로 벗어나 있어도 좋다. 또한, 도면에서 보아 우측으로 벗어난 토출 구멍(77)과, 도면에서 보아 좌측으로 벗어난 토출 구멍(77)이 안길이 방향을 따라 지그재그형으로 배열되어 있어도 좋다.There is no limitation on the direction in which the discharge hole 77 is deviated from the vertical downward direction of the tube center 72. For example, although the discharge hole 77 is deviated to the right as viewed in the figure, it may be displaced to the left as viewed in the drawing. In addition, the discharge hole 77 deviating to the right as viewed in the drawing and the discharge hole 77 deviating to the left as viewed in the drawing may be arranged in a zigzag manner along the bearing direction.

토출 구멍(77)은 본체(71)의 내면(73)측으로부터 외면(74)측을 향함에 따라 개구 면적이 작아지도록 형성되어 있다. 이러한 토출 구멍(77)을 갖는 가스 노즐(70)은 도 5에 예시하는 바와 같이, 반관형의 2개의 부품(78, 79)의 한쪽에 대하여 내면측으로부터 토출 구멍(77)의 가공을 행한 후, 부품(78, 79)을 용접 또는 용착 등에 의해 일체화함으로써 형성 가능하다. 이와 같이 토출 구멍(77)을 형성하는 것은, 토출 구멍(77)의 내면에 처리액의 성분이 고착하는 것에 기인한 가스 노즐(70)의 막힘[토출 구멍(77)의 막힘]을 방지하는 데 유효하다. 또한, 토출 구멍(77)은 본체(71)의 내면(73)측으로부터 외면(74)측을 향함에 따라 개구 면적이 커지도록 형성되어 있어도 좋다. 이와 같이 토출 구멍(77)을 형성하는 것은, 복수의 기판(8) 사이에 있어서의 기판 처리의 균일성[토출 구멍(77)의 내면에 처리액의 성분이 고착하지 않은 상태에 있어서의 균일성] 향상에 유효하다.The discharge hole 77 is formed so that the opening area decreases from the inner surface 73 side of the main body 71 toward the outer surface 74 side. As shown in Fig. 5, the gas nozzle 70 having such an ejection hole 77 is formed by machining the ejection hole 77 from one side of the two semi-tubular parts 78, 79 from the inner side thereof , And the components 78 and 79 by welding or welding. The formation of the discharge holes 77 as described above prevents the clogging of the gas nozzles 70 (clogging of the discharge holes 77) due to the fixation of the components of the treatment liquid on the inner surfaces of the discharge holes 77 Valid. The discharge hole 77 may be formed so as to have a larger opening area from the inner surface 73 side of the main body 71 toward the outer surface 74 side. The formation of the discharge holes 77 in this manner is effective for uniformity of the substrate processing between the plurality of substrates 8 (uniformity in the state where the component of the treatment liquid is not fixed to the inner surface of the discharge hole 77 ] Improvement.

도 2 및 도 3으로 되돌아가서, 가스 공급부(89)는 가스 노즐(70)에 상기 불활성 가스를 공급한다. 예컨대 가스 공급부(89)는 가스 공급원(90)과, 공급 유로(91)와, 개폐 밸브(92)와, 유량 조절기(93)를 포함한다.Returning to Figs. 2 and 3, the gas supply unit 89 supplies the inert gas to the gas nozzle 70. The gas supply unit 89 includes a gas supply source 90, a supply flow path 91, an on-off valve 92, and a flow rate regulator 93.

가스 공급원(90)은 불활성 가스의 공급원이다. 공급 유로(91)는 가스 공급원(90)으로부터 가스 노즐(70)에 불활성 가스를 유도한다. 개폐 밸브(92)는 공급 유로(91)를 개폐한다. 유량 조절기(93)는 개폐 밸브(92)와 가스 공급원(90) 사이에 있어서, 공급 유로(91)의 개방도를 조절하여 불활성 가스의 유량을 조절한다.The gas supply source 90 is a source of inert gas. The supply flow path 91 introduces an inert gas from the gas supply source 90 to the gas nozzle 70. The opening and closing valve 92 opens and closes the supply passage 91. The flow rate regulator 93 adjusts the flow rate of the inert gas by regulating the opening degree of the supply flow path 91 between the opening and closing valve 92 and the gas supply source 90.

공급 유로(91), 개폐 밸브(92) 및 유량 조절기(93)는, 가스 노즐(70)의 배치높이마다 마련되어 있어도 좋다. 예컨대 가스 공급원(90)은 공급 유로(91A, 91B, 91C)와, 개폐 밸브(92A, 92B, 92C)와, 유량 조절기(93A, 93B, 93C)를 포함한다. 공급 유로(91A)는 가스 공급원(90)으로부터 가스 노즐(70A, 70A)의 일단부에 불활성 가스를 유도한다. 공급 유로(91B)는 가스 공급원(90)으로부터 가스 노즐(70B, 70B)의 일단부에 불활성 가스를 유도한다. 공급 유로(91C)는 가스 공급원(90)으로부터 가스 노즐(70C, 70C)의 일단부에 불활성 가스를 유도한다. 개폐 밸브(92A, 92B, 92C)는 공급 유로(91A, 91B, 91C)를 각각 개폐한다. 유량 조절기(93A, 93B, 93C)는 공급 유로(91A, 91B, 91C)의 개방도를 각각 조절한다.The supply flow path 91, the on-off valve 92, and the flow rate regulator 93 may be provided for each height of the gas nozzle 70. For example, the gas supply source 90 includes supply flow paths 91A, 91B and 91C, opening / closing valves 92A, 92B and 92C, and flow regulators 93A, 93B and 93C. The supply flow path 91A introduces an inert gas from one end of the gas nozzles 70A and 70A from the gas supply source 90. [ The supply flow path 91B leads the inert gas from the gas supply source 90 to one end of the gas nozzles 70B and 70B. The supply passage 91C introduces an inert gas from the gas supply source 90 to one end of the gas nozzles 70C and 70C. The opening and closing valves 92A, 92B, and 92C open and close the supply passages 91A, 91B, and 91C, respectively. The flow regulators 93A, 93B, and 93C regulate the openings of the supply passages 91A, 91B, and 91C, respectively.

가스 가열부(94)는 가스 공급원(90)에 의해 가스 노즐(70)에 공급되는 불활성 가스를 설정 온도까지 가열한다. 설정 온도는 예컨대 처리액(43)의 비점 근방의 값으로 설정되어 있다. 예컨대 가스 가열부(94)는 공급 유로(91)에 마련되어 있다. 도시에 있어서, 가스 가열부(94)는 공급 유로(91A, 91B, 91C)가 가스 공급원(90)측에서 합류한 부분에 마련되어 있지만, 이에 한정되지 않는다. 가스 가열부(94)는 공급 유로(91A, 91B, 91C)마다 마련되어 있어도 좋다.The gas heating unit 94 heats the inert gas supplied to the gas nozzle 70 by the gas supply source 90 to a set temperature. The setting temperature is set to a value near the boiling point of the treatment liquid 43, for example. For example, the gas heating section 94 is provided in the supply flow path 91. The gas heating unit 94 is provided in a portion where the supply flow paths 91A, 91B and 91C join at the gas supply source 90 side, but the present invention is not limited thereto. The gas heating section 94 may be provided for each of the supply passages 91A, 91B and 91C.

가스 발출부(95)는 가스 노즐(70)의 본체(71)의 내압을 저하시킨다. 예컨대 가스 발출부(95)는 감압 유로(96)와, 감압 밸브(97)를 포함한다. 감압 유로(96)는 개폐 밸브(92)와 가스 노즐(70) 사이에 있어서 공급 유로(91)로부터 분기되며, 공급 유로(91) 내의 가스를 도출한다. 감압 밸브(97)는 감압 유로(96)를 개폐한다.The gas outlet 95 reduces the internal pressure of the main body 71 of the gas nozzle 70. For example, the gas outlet 95 includes a pressure reducing passage 96 and a pressure reducing valve 97. The depressurization flow path 96 is branched from the supply flow path 91 between the opening and closing valve 92 and the gas nozzle 70 and leads to the gas in the supply flow path 91. The pressure reducing valve 97 opens and closes the pressure reducing flow path 96.

또한, 가스 발출부(95)는 강제 배기용의 펌프를 더 포함하고 있어도 좋다. 감압 유로(96) 및 감압 밸브(97)는 가스 노즐(70)의 배치 높이마다 마련되어 있어도 좋다. 예컨대 가스 발출부(95)는 감압 유로(96A, 96B, 96C)와, 감압 밸브(97A, 97B, 97C)를 포함한다. 감압 유로(96A)는 개폐 밸브(92A)와 가스 노즐(70A) 사이에 있어서 공급 유로(91A)로부터 분기되어, 공급 유로(91A) 내의 가스를 도출한다. 감압 유로(96B)는 개폐 밸브(92B)와 가스 노즐(70B) 사이에 있어서 공급 유로(91B)로부터 분기되어, 공급 유로(91B) 내의 가스를 도출한다. 감압 유로(96C)는 개폐 밸브(92C)와 가스 노즐(70C) 사이에 있어서 공급 유로(91C)로부터 분기되어, 공급 유로(91C) 내의 가스를 도출한다. 감압 밸브(97A, 97B, 97C)는 감압 유로(96A, 96B, 96C)를 각각 개폐한다.Further, the gas outlet 95 may further include a pump for forced exhaust. The pressure reducing flow path 96 and the pressure reducing valve 97 may be provided for each height of the gas nozzle 70. For example, the gas outlet portion 95 includes pressure reducing flow paths 96A, 96B, and 96C and pressure reducing valves 97A, 97B, and 97C. The depressurized flow path 96A is branched from the supply flow path 91A between the opening and closing valve 92A and the gas nozzle 70A to derive the gas in the supply flow path 91A. The depressurized flow path 96B branches off from the supply flow path 91B between the opening and closing valve 92B and the gas nozzle 70B to derive the gas in the supply flow path 91B. The depressurized flow path 96C is branched from the supply flow path 91C between the opening and closing valve 92C and the gas nozzle 70C to derive the gas in the supply flow path 91C. The pressure reducing valves 97A, 97B, and 97C open and close the pressure reducing flow paths 96A, 96B, and 96C, respectively.

액위 센서(80)는 처리액(43)에 포함되는 기체의 양(이하, 「처리액(43)의 기체 함유량」이라고 함)에 관한 정보를 취득한다. 예컨대 액위 센서(80)는 기포식 액위계이고, 기포관(81)과, 가압 가스 공급원(83)과, 가스 라인(84)과, 퍼지 셋트(82)와, 검출 라인(85)과, 제1 검출기(86A)와, 제2 검출기(86B)를 포함한다.The liquid level sensor 80 acquires information on the amount of gas contained in the treatment liquid 43 (hereinafter referred to as " gas content of the treatment liquid 43 "). For example, the liquid level sensor 80 is a vapor-liquid-level system and includes a bubble tube 81, a pressurized gas supply source 83, a gas line 84, a purge set 82, a detection line 85, 1 detector 86A, and a second detector 86B.

기포관(81)은 처리조(41) 내의 처리액에 삽입되어 있고, 그 단부는 처리조(41)의 바닥부 근방에 위치하고 있다. 가압 가스 공급원(83)은 액위 계측용의 불활성 가스(이하, 「계측용 가스」라고 함)의 공급원이다. 가스 라인(84)은 가압 가스 공급원(83)으로부터 기포관(81)에 계측용 가스를 유도한다. 기포관(81)에 유도된 계측용 가스는 기포관(81)의 단부로부터 처리조(41) 내의 처리액 중에 방출된다.The bubble tube 81 is inserted into the treatment liquid in the treatment tank 41, and the end thereof is located in the vicinity of the bottom of the treatment tank 41. The pressurized gas supply source 83 is a supply source of inert gas for liquid level measurement (hereinafter referred to as "measurement gas"). The gas line 84 leads the measurement gas from the pressurized gas supply source 83 to the bubble tube 81. The measurement gas led to the bubble tube 81 is discharged into the treatment liquid in the treatment tank 41 from the end of the bubble tube 81.

퍼지 셋트(82)는 기포관(81)으로부터의 계측 가스의 방출량을 일정하게 하도록, 가스 라인(84)의 내압을 조절한다. 또한, 일정하다는 것은, 실질적인 일정을 의미하고, 소정 값을 기준으로 하여 허용 범위 내에 수습되어 있는 상태를 의미한다.The purge set 82 regulates the internal pressure of the gas line 84 so that the amount of the measurement gas discharged from the bubble tube 81 is constant. In addition, "constant" means a substantial schedule and means a state in which a predetermined value is taken as a reference within a permissible range.

검출 라인(85)은 기포관(81)과 퍼지 셋트(82) 사이에 있어서의 가스 라인(84)의 내압을 제1 검출기(86A) 및 제2 검출기(86B)에 전달한다. 검출 라인(85)의 일단부는, 기포관(81)과 퍼지 셋트(82) 사이에 있어서 가스 라인(84)에 접속되어 있고, 검출 라인(85)의 타단부는 2개로 분기되어 제1 검출기(86A) 및 제2 검출기(86B)에 각각 접속되어 있다.The detection line 85 transfers the internal pressure of the gas line 84 between the bubble tube 81 and the purge set 82 to the first detector 86A and the second detector 86B. One end of the detection line 85 is connected to the gas line 84 between the bubble tube 81 and the purge set 82 and the other end of the detection line 85 is branched into two and connected to the first detector 86A and the second detector 86B, respectively.

제1 검출기(86A) 및 제2 검출기(86B)는 검출 라인(85)에 의해 전달된 압력을 검출한다. 제1 검출기(86A) 및 제2 검출기(86B)의 검출 범위는 서로 상이하다. 제1 검출기(86A)는 처리조(41) 내의 처리액(43)의 액위(액면의 위치)가 최저위[처리조(41)가 빈 상태]일 때에 있어서의 압력으로부터, 그 액위가 최고위[처리액(43)이 처리조(41)로부터 넘치는 상태]일 때에 있어서의 압력까지의 범위를 검출 범위로 하고 있다. 제2 검출기(86B)는 처리조(41) 내의 처리액(43)의 액위가 최고위에 있을 때에 있어서, 처리액(43)의 기체 함유량에 따른 압력의 변동 범위의 최소값으로부터 최대값까지를 검출 범위로 하고 있다.The first detector 86A and the second detector 86B detect the pressure delivered by the detection line 85. The detection ranges of the first detector 86A and the second detector 86B are different from each other. The first detector 86A determines whether the liquid level of the process liquid 43 in the treatment tank 41 is lower than the lowest level (the treatment tank 41 is in an empty state) And the pressure when the treatment liquid 43 overflows from the treatment tank 41] is set as the detection range. The second detector 86B detects the maximum value of the pressure fluctuation range from the minimum value to the maximum value of the pressure fluctuation range in accordance with the gas content of the process liquid 43 when the liquid level of the process liquid 43 in the treatment tank 41 is at the highest level, .

처리액(43)의 액위가 최고위로 유지된 상태에 있어서, 제2 검출기(86B)의 검출값은, 주로 처리액(43)의 기체 함유량에 따라 변동하게 된다. 즉, 처리액(43)의 액위가 최고위로 유지된 상태에 있어서, 제2 검출기(86B)의 검출값은, 실질적으로, 처리액(43)의 기체 함유량에 상관한다. 한편, 제1 검출기(86A)의 검출 범위는, 제2 검출기(86B)의 검출 범위와 비교하여 크기 때문에, 제1 검출기(86A)에 의한 압력 검출값은, 처리액(43)의 기체 함유량의 변동에 대하여 실질적으로 불감이다. 이 때문에, 제1 검출기(86A)의 검출값은, 실질적으로 처리액(43)의 액위에 상관한다. 이상으로부터, 제1 검출기(86A) 및 제2 검출기(86B)를 조합하여 이용함으로써, 처리액(43)의 기체 함유량에 관한 정보를 얻을 수 있다. 즉, 제1 검출기(86A)의 검출값에 의해, 처리액(43)의 액위가 최고위로 유지되고 있는 것이 나타나 있을 때에, 제2 검출기(86B)의 검출값을 취득함으로써, 처리액(43)의 기체 함유량에 관한 정보를 얻을 수 있다.The detected value of the second detector 86B mainly fluctuates in accordance with the gas content of the treatment liquid 43 while the liquid level of the treatment liquid 43 is maintained at the highest level. That is, the detection value of the second detector 86B substantially correlates to the gas content of the process liquid 43 while the liquid level of the process liquid 43 is maintained at the highest level. On the other hand, since the detection range of the first detector 86A is larger than the detection range of the second detector 86B, the pressure detection value of the first detector 86A is larger than the gas detection amount of the treatment liquid 43 It is substantially insensitive to fluctuations. Therefore, the detection value of the first detector 86A substantially corresponds to the liquid level of the process liquid 43. [ Thus, by using the first detector 86A and the second detector 86B in combination, information on the gas content of the process liquid 43 can be obtained. That is, when the liquid level of the process liquid 43 is maintained at the highest level by the detection value of the first detector 86A, the detection value of the second detector 86B is obtained, Can be obtained.

(기판 승강 기구)(Substrate lifting mechanism)

기판 승강 기구(36)는 기판(8)을 처리조(41) 내의 처리액(43)에 침지한다. 예컨대 기판 승강 기구(36)는 기립한 복수의 기판(8)을 두께 방향을 따라 배열한 상태로 처리액(43)에 침지한다.The substrate lifting mechanism 36 immerses the substrate 8 in the treatment liquid 43 in the treatment tank 41. For example, the substrate lifting mechanism 36 immerses the substrate 8 in the treatment liquid 43 while arranging the plurality of standing substrates 8 along the thickness direction.

보다 구체적으로, 기판 승강 기구(36)는 복수의 지지 아암(87)과, 승강부(88)를 갖는다. 복수의 지지 아암(87)은 폭 방향을 따라 기립한 복수의 기판(8)을 안길이 방향으로 정렬시킨 상태로 지지한다. 복수의 지지 아암(87)은 폭 방향으로 배열되어, 각각 안길이 방향으로 연장되어 있다. 각 지지 아암(87)은 안길이 방향으로 배열되는 복수의 슬롯(87a)을 갖는다. 슬롯(87a)은 폭 방향을 따라 상방에 개구한 홈형 부분이며, 기립한 기판(8)의 하부를 수용한다.More specifically, the substrate lifting mechanism 36 has a plurality of support arms 87 and a lifting portion 88. The plurality of support arms 87 support the plurality of boards 8 standing along the width direction in a state in which they are aligned in the direction of the seat back. The plurality of support arms 87 are arranged in the width direction, each extending in the direction of the seat. Each support arm 87 has a plurality of slots 87a arranged in the longitudinal direction. The slot 87a is a groove-like portion opened upward along the width direction, and accommodates the lower portion of the standing substrate 8.

승강부(88)는 복수의 기판(8)을 처리액(43) 내에 침지하는 높이와, 복수의 기판(8)을 처리액(43)의 액면보다 위에 위치시키는 높이 사이에서 복수의 지지 아암(87)을 승강시킨다.The elevating portion 88 is provided between the height for immersing the plurality of substrates 8 in the treating liquid 43 and the height for positioning the plurality of the substrates 8 above the level of the treating liquid 43, 87).

(제어부)(Control section)

제어부(7)는 가스 노즐(70)의 하방의 제1 높이(H1)[예컨대, 처리조(41)의 바닥면에 있어서의 최저 부분의 높이]로부터, 기판(8)을 침지 가능한 제2 높이(H2)[예컨대, 처리조(41)의 상단면의 높이]로 액면이 상승할 때까지 처리조(41)에 처리액(43)을 공급하도록 처리액 공급부(44)를 제어하는 것과, 액면이 제2 높이(H2) 이상에 있는 상태에서 기판(8)을 처리액(43)에 침지하도록 기판 승강 기구(36)를 제어하는 것과, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강할 때까지 처리조(41)로부터 처리액(43)을 배출하도록 처리액 배출부(67)를 제어하는 것과, 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)로 상승하는 도중에 가스의 공급량을 늘리고, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강하는 도중에 가스의 공급량을 줄이도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.The control unit 7 determines the substrate 8 to be immersible from the first height H1 below the gas nozzle 70 (for example, the height of the lowest portion on the bottom surface of the treatment tank 41) The treatment liquid supply unit 44 is controlled so as to supply the treatment liquid 43 to the treatment tank 41 until the liquid level rises to the level H2 of the treatment liquid 41 (for example, the height of the upper surface of the treatment tank 41) Controlling the substrate lifting mechanism 36 so as to immerse the substrate 8 in the processing liquid 43 in a state where the substrate W is at the second height H2 or more and the liquid surface is moved from the second height H2 to the first height H1 The process liquid discharge unit 67 is controlled so as to discharge the process liquid 43 from the process tank 41 until the liquid level is lowered from the first height H1 to the second height H2 The supply amount of the gas is increased in the middle and the gas supply unit 89 is controlled so as to reduce the supply amount of gas during the descent of the liquid level from the second height H2 to the first height H1 There is.

제어부(7)는 가스 노즐(70)의 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.The control unit 7 controls the gas outlet 95 so as to lower the internal pressure of the main body 71 to a pressure at which the process liquid 43 can be sucked into the main body 71 of the gas nozzle 70, The control unit may further be configured to control the gas supply unit 89 so as to raise the internal pressure of the main body 71 to a pressure capable of discharging the process liquid 43 in the process chamber 71. [

또한, 제어부(7)는 기판(8)끼리의 간격, 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 및 가스 노즐(70)의 배치 위치 중 적어도 어느 하나에 따라, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸도록 구성되어 있다.The control unit 7 controls the gas supply unit 89 to supply the gas to the gas nozzles 70 in accordance with at least one of the interval between the substrates 8, the elapsed time after the immersion of the substrate 8 is started, The amount of gas to be supplied to the fuel cell 70 is changed.

제어부(7)는 가스의 공급량의 조절에 의해, 처리액(43)의 기체 함유량을 목표값에 근접시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 좋고, 기판(8)끼리의 간격 및 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 중 적어도 한쪽에 따라 가스의 공급량을 바꿀 때에는, 그 목표값을 바꿈으로써 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다.The control unit 7 may further be configured to control the gas supply unit 89 so as to approximate the gas content of the process liquid 43 to the target value by adjusting the supply amount of the gas, And the elapsed time after the start of the immersion of the substrate 8, the supply amount of the gas may be changed by changing the target value of the gas supply amount.

도 6은 제어부(7)의 기능적인 구성을 예시하는 블록도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 기능상의 구성(이하, 「기능 모듈」이라고 함)으로서, 액공급 제어부(111)와, 배액 제어부(112)와, 침지 제어부(113)와, 가스 공급 제어부(114)와, 세정 제어부(118)와, 레시피 기억부(119)를 갖는다.Fig. 6 is a block diagram illustrating a functional configuration of the control unit 7. Fig. 6, the control section 7 includes a liquid supply control section 111, a liquid discharge control section 112, an immersion control section 113, a gas A supply control unit 114, a cleaning control unit 118, and a recipe storage unit 119.

레시피 기억부(119)는 처리 내용을 특정하기 위해 미리 설정된 각종 파라미터를 기억한다.The recipe storage unit 119 stores various parameters previously set for specifying the contents of the process.

액공급 제어부(111)는 상기 제1 높이(H1)로부터 상기 제2 높이(H2)로 액면이 상승할 때까지 처리조(41)에 처리액(43)을 공급하도록 처리액 공급부(44)를 제어한다. 이하, 이 제어를 「처리액(43)의 충전 제어」라고 한다.The liquid supply controller 111 supplies the process liquid supply unit 44 to supply the process liquid 43 to the process tank 41 until the liquid level rises from the first height H1 to the second height H2 . Hereinafter, this control is referred to as " charge control of the process liquid 43 ".

침지 제어부(113)는 액면이 제2 높이(H2) 이상에 있는 상태에서 기판(8)을 처리액(43)에 침지하도록 기판 승강 기구(36)를 제어한다. 이하, 이 제어를 「기판(8)의 침지 제어」라고 한다.The immersion control unit 113 controls the substrate lifting mechanism 36 to immerse the substrate 8 in the treatment liquid 43 in a state where the liquid level is above the second height H2. Hereinafter, this control is referred to as " immersion control of the substrate 8 ".

배액 제어부(112)는 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강할 때까지 처리조(41)로부터 처리액(43)을 배출하도록 처리액 배출부(67)를 제어한다. 이하, 이 제어를 「처리액(43)의 배출 제어」라고 한다.The drainage control unit 112 controls the treatment liquid discharge unit 67 to discharge the treatment liquid 43 from the treatment tank 41 until the level of the liquid drops from the second height H2 to the first height H1 . Hereinafter, this control is referred to as " discharge control of the process liquid 43 ".

가스 공급 제어부(114)는 보다 세분화된 기능 모듈로서, 온·오프 제어부(115)와, 목표값 설정부(116)와, 추종 제어부(117)를 갖는다.The gas supply control unit 114 is a more detailed function module having an on / off control unit 115, a target value setting unit 116, and a tracking control unit 117.

온·오프 제어부(115)는 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)로 상승하는 도중에 가스의 공급량을 늘리고, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강하는 도중에 가스의 공급량을 줄이도록 가스 공급부(89)를 제어한다. 가스의 공급량을 늘리도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것은, 개폐 밸브(92)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하여 가스의 공급을 개시하도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 포함한다. 가스의 공급량을 줄이도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것은, 개폐 밸브(92)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 하여 가스의 공급을 정지하도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 포함한다.The on / off control unit 115 increases the supply amount of the gas during the lifting of the liquid level from the first height H1 to the second height H2, and the liquid level falls from the second height H2 to the first height H1 The gas supply unit 89 is controlled so as to reduce the supply amount of the gas. Controlling the gas supply unit 89 to increase the supply amount of the gas includes controlling the gas supply unit 89 to start the supply of the gas by opening the shutoff valve 92 from the closed state to the open state. Controlling the gas supply unit 89 so as to reduce the supply amount of the gas includes controlling the gas supply unit 89 to stop the supply of the gas by turning the open / close valve 92 from the open state to the closed state.

온·오프 제어부(115)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 가스의 공급을 개시하고, 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 토출 구멍(77)을 통과한 후에 가스의 공급을 정지하도록 가스 공급부(89)를 제어하여도 좋다.The on-off control unit 115 starts supplying the gas before the liquid level rising from the first height H1 to the second height H2 reaches the discharge hole 77 of the gas nozzle 70, The gas supply unit 89 may be controlled so as to stop the gas supply after the liquid level descending from the height H2 to the first height H1 passes through the discharge hole 77. [

또한, 온·오프 제어부(115)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 가스의 공급을 개시하고, 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 토출 구멍(77)을 통과한 후에 가스의 공급을 정지하도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을, 높이가 상이한 가스 노즐(70)마다 실행하여도 좋다. 예컨대, 온·오프 제어부(115)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 가스 노즐(70A)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92A)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하고, 그 액면이 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92B)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하고, 그 액면이 가스 노즐(70C)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92C)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하도록 가스 공급부(89)를 제어한다. 그 후, 온·오프 제어부(115)는 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 가스 노즐(70C)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92C)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 하고, 그 액면이 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92B)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로, 그 액면이 가스 노즐(70A)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92C)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.The on / off control unit 115 starts supplying the gas before the liquid level rising from the first height H1 to the second height H2 reaches the discharge hole 77 of the gas nozzle 70, The gas supply unit 89 is controlled so as to stop the gas supply after the liquid level descending from the second height H2 to the first height H1 passes through the discharge hole 77, ). For example, the on / off control unit 115 closes the on / off valve 92A before the liquid level rising from the first height H1 to the second height H2 reaches the discharge hole 77 of the gas nozzle 70A The open / close valve 92B is changed from the closed state to the open state before the liquid level reaches the discharge hole 77 of the gas nozzle 70B, and the liquid level is supplied to the discharge hole 77 of the gas nozzle 70C, Off valve 92C from the closed state to the open state before reaching the opening / closing valve 77. [ Thereafter, the on / off control unit 115 controls the on / off valve 92C so that the liquid level descending from the second height H2 to the first height H1 passes through the discharge hole 77 of the gas nozzle 70C Off valve 92B is switched from the open state to the closed state after the liquid level has passed through the discharge hole 77 of the gas nozzle 70B and the liquid level is discharged from the discharge hole 77 of the gas nozzle 70A, Off valve 92C from the open state to the closed state after passing through the open / close valve 77. [

온·오프 제어부(115)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 가스의 공급을 개시하고, 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 토출 구멍(77)을 통과한 후에 가스의 공급을 정지하도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을, 높이가 상이한 가스 노즐(70)에서 동시에 실행하여도 좋다. 이 경우, 온·오프 제어부(115)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 최저위의 가스 노즐(70)[가스 노즐(70A)]의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 모든 가스 노즐(70)에의 가스의 공급을 개시하고, 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 최저위의 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 모든 가스 노즐(70)에의 가스의 공급을 정지하도록 가스 공급부(89)를 제어하여도 좋다.The on-off control unit 115 starts supplying the gas before the liquid level rising from the first height H1 to the second height H2 reaches the discharge hole 77 of the gas nozzle 70, The gas supply unit 89 is controlled so as to stop the gas supply after the liquid level descending from the height H2 to the first height H1 passes through the discharge hole 77, Or may be executed simultaneously. In this case, the ON / OFF control unit 115 controls the ON / OFF control unit 115 such that the liquid level rising from the first height H1 to the second height H2 is lower than the lowest level, that is, the discharge hole 77 of the gas nozzle 70 (gas nozzle 70A) The liquid level dropping from the second height H2 to the first height H1 is lowered to the discharge hole 77 of the lowest level gas nozzle 70, The gas supply unit 89 may be controlled so as to stop the supply of the gas to all the gas nozzles 70. [

목표값 설정부(116)는 기판(8)끼리의 간격 및 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 중 적어도 어느 하나에 따라, 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 설정한다. 예컨대 목표값 설정부(116)는 상기 경과 시간을 침지 제어부(113)로부터 취득하고, 그 경과 시간에 따라 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 바꾼다. 보다 구체적으로, 목표값 설정부(116)는 상기 경과 시간이 소정 타이밍이 되는 전후로, 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 상위(相違)시켜도 좋다. 상기 타이밍과, 그 타이밍 전후의 목표값은 미리 설정되어, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있고, 목표값 설정부(116)는 이들 정보를 레시피 기억부(119)로부터 취득한다.The target value setting section 116 sets the target value of the gas content of the process liquid 43 in accordance with at least one of the interval between the substrates 8 and the elapsed time after the immersion of the substrate 8 is started. For example, the target value setting unit 116 obtains the elapsed time from the immersion control unit 113, and changes the target value of the gas content of the process liquid 43 in accordance with the elapsed time. More specifically, the target value setting unit 116 may set the target value of the gas content of the process liquid 43 to be different before or after the elapsed time reaches a predetermined timing. The timing and the target values before and after the timing are set in advance and stored in the recipe storage unit 119. The target value setting unit 116 acquires these information from the recipe storage unit 119. [

레시피 기억부(119)에는 기판(8)끼리의 간격에 따라 상이한 목표값이 기억되어 있어도 좋다. 이 경우, 목표값 설정부(116)는 기판(8)끼리의 간격에 따라 목표값을 바꾸게 된다. 또한, 기판(8)끼리의 간격은 기판 승강 기구(36)의 지지 아암(87)이 지지하는 기판(8)의 매수에 따라 정해진다. 지지 아암(87)이 지지하는 기판(8)의 매수는, 기판(8)에 대한 에칭 처리의 조건에 따라 적절하게 설정된다. 예컨대, 인접하는 기판(8)의 한쪽의 용출물이 다른쪽의 에칭 처리에 미치는 영향을 무시할 수 없는 경우에는, 지지 아암(87)이 지지하는 기판(8)의 매수를 줄여 일부의 슬롯(87a)를 비워, 기판(8)끼리의 간격을 크게 할 필요가 있다.Different target values may be stored in the recipe storage unit 119 according to the intervals between the substrates 8. [ In this case, the target value setting section 116 changes the target value in accordance with the distance between the substrates 8. The distance between the substrates 8 is determined in accordance with the number of the substrates 8 supported by the support arms 87 of the substrate lifting mechanism 36. The number of the substrates 8 supported by the support arms 87 is appropriately set in accordance with the conditions of the etching process for the substrate 8. For example, when the influence of one of the outflows of the adjacent substrate 8 on the other etching process can not be ignored, the number of the substrates 8 supported by the support arm 87 is reduced, And the spacing between the substrates 8 must be increased.

추종 제어부(117)는 가스의 공급량의 조절에 의해, 처리액(43)의 기체 함유량을 상기 목표값에 근접시키도록 가스 공급부(89)를 제어한다. 이때에, 추종 제어부(117)는 가스 노즐(70)의 배치 위치에 따라, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다. 예컨대, 추종 제어부(117)는 상기 폭 방향의 중심을 기준으로 한 가스 노즐(70)의 위치에 따라, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다. 즉, 추종 제어부(117)는 가스 노즐(70)의 배치 위치가 상기 폭 방향의 중심으로부터 멀어짐에 따라 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 크게 하여도 좋고, 가스 노즐(70)의 배치 위치가 상기 폭 방향의 중심으로부터 멀어짐에 따라 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 작게 하여도 좋다. 보다 구체적으로, 추종 제어부(117)는 가스 노즐(70A, 70B, 70C)에의 가스의 공급량을 상위시키도록, 유량 조절기(93A, 93B, 93C)의 개방도를 상위시켜도 좋다.The tracking control unit 117 controls the gas supply unit 89 so as to approximate the gas content of the process liquid 43 to the target value by adjusting the supply amount of the gas. At this time, the tracking control unit 117 may change the supply amount of the gas from the gas supply unit 89 to the gas nozzle 70, depending on the arrangement position of the gas nozzle 70. [ For example, the tracking control unit 117 may change the amount of gas supplied from the gas supply unit 89 to the gas nozzle 70, depending on the position of the gas nozzle 70 with respect to the center in the width direction. That is, the follow-up control unit 117 may increase the supply amount of the gas from the gas supply unit 89 to the gas nozzle 70 as the arrangement position of the gas nozzle 70 is away from the center in the width direction, The supply amount of the gas from the gas supply unit 89 to the gas nozzle 70 may be reduced as the arrangement position of the gas nozzle 70 is further away from the center in the width direction. More specifically, the tracking control unit 117 may change the degrees of opening of the flow rate regulators 93A, 93B, and 93C so as to increase the amount of gas supplied to the gas nozzles 70A, 70B, and 70C.

세정 제어부(118)는 가스 노즐(70)의 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 실행한다. 이하, 이 제어를 「가스 노즐(70)의 세정 제어」라고 한다. 세정 제어부(118)는 가스 노즐(70)의 세정 제어를, 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)로 상승한 후, 처리액(43)에 기판(8)이 침지되기 전에 실행하여도 좋고, 처리액(43)에 기판(8)이 침지된 후, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강하기 전에 실행하여도 좋다.The cleaning controller 118 controls the gas outlet 95 so as to lower the internal pressure of the main body 71 to a pressure at which the processing liquid 43 can be sucked into the main body 71 of the gas nozzle 70, The gas supply unit 89 is controlled so as to raise the internal pressure of the main body 71 to a pressure at which the processing liquid 43 in the main body 71 can be discharged. Hereinafter, this control is referred to as " cleaning control of the gas nozzle 70 ". The cleaning control section 118 performs cleaning control of the gas nozzle 70 after the liquid level has risen from the first height H1 to the second height H2 and before the substrate 8 is immersed in the processing liquid 43 Or may be performed before the liquid level drops from the second height H2 to the first height H1 after the substrate 8 is immersed in the treatment liquid 43. [

〔기판 액처리 방법〕[Substrate Liquid Treatment Method]

계속해서, 기판 액처리 방법의 일례로서, 제어부(7)가 실행하는 제어 순서를 설명한다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S01을 실행한다. 단계 S01은 전술한 처리액(43)의 충전 제어를 포함한다. 보다 상세한 순서는 후술한다. 다음에, 제어부(7)는 단계 S02를 실행한다. 단계 S02는 전술한 가스 노즐(70)의 세정 제어를 포함한다. 보다 상세한 순서는 후술한다. 다음에, 제어부(7)는 단계 S03을 실행한다. 단계 S03은 전술한 기판(8)의 침지 제어를 포함한다. 보다 상세한 순서는 후술한다. 다음에, 제어부(7)는 단계 S04를 실행한다. 단계 S04는 전술한 처리액(43)의 배출 제어를 포함한다. 보다 상세한 순서는 후술한다.Next, the control procedure executed by the control unit 7 will be described as an example of the substrate liquid processing method. As shown in Fig. 7, the control unit 7 first executes step S01. Step S01 includes charge control of the processing liquid 43 described above. A more detailed procedure will be described later. Next, the control unit 7 executes step S02. Step S02 includes the cleaning control of the gas nozzle 70 described above. A more detailed procedure will be described later. Next, the control unit 7 executes step S03. Step S03 includes immersion control of the substrate 8 described above. A more detailed procedure will be described later. Next, the control unit 7 executes step S04. Step S04 includes the discharge control of the treatment liquid 43 described above. A more detailed procedure will be described later.

다음에, 제어부(7)는 단계 S05를 실행한다. 단계 S05는 전체 로트의 액처리가 완료되었는지의 여부를 확인하는 것을 포함한다. 단계 S05에 있어서, 액처리가 미완료인 로트가 남아 있다고 판정한 경우, 제어부(7)는 순서를 단계 S01로 되돌린다. 이후, 전체 로트의 액처리가 완료될 때까지, 처리액(43)의 충전 제어, 가스 노즐(70)의 세정 제어, 기판(8)의 침지 제어 및 처리액(43)의 배출 제어가 반복된다. 단계 S05에 있어서, 전체 로트의 액처리가 완료되었다고 판정한 경우, 제어부(7)는 에칭 처리 장치(1)의 제어를 완료한다.Next, the control unit 7 executes step S05. Step S05 includes checking whether or not the total lot solution processing has been completed. If it is determined in step S05 that there is a lot that has not been subjected to the liquid treatment, the control section 7 returns the procedure to step S01. Thereafter, the filling control of the process liquid 43, the cleaning control of the gas nozzle 70, the immersion control of the substrate 8, and the discharge control of the process liquid 43 are repeated until the entire lot solution process is completed . If it is determined in step S05 that the liquid processing of the entire lot has been completed, the control unit 7 completes the control of the etching processing apparatus 1. [

도 7의 예에 있어서, 제어부(7)는, 처리액(43)의 충전 제어의 후, 기판(8)의 침지 제어 전에 가스 노즐(70)의 세정 제어를 실행하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 예컨대 제어부(7)는 기판(8)의 침지 제어 후, 처리액(43)의 배출 제어 전에 가스 노즐(70)의 세정 제어를 실행하여도 좋다. 또한, 에칭 처리 장치(1)에 있어서의 처리에서는, 세정 처리 장치(25)에 있어서의 처리와 비교하여, 처리액에의 기판(8)의 침지 시에 많은 규소가 용출된다. 이에 의해, 처리조(34)의 규소 농도가 높아지는 경우에는, 도 7의 예와 같이, 처리조(41)의 충전 제어 후, 기판(8)의 침지 제어 전에 가스 노즐(70)의 세정 제어를 실행하는 것이 바람직하다.In the example of Fig. 7, the control unit 7 executes the cleaning control of the gas nozzle 70 before the immersion control of the substrate 8 after the filling control of the treatment liquid 43, but this is not restrictive. The control unit 7 may perform the cleaning control of the gas nozzle 70 before the control of the discharge of the treatment liquid 43 after the immersion control of the substrate 8 is performed. Further, in the processing in the etching processing apparatus 1, much silicon is eluted at the time of immersion of the substrate 8 in the processing liquid, as compared with the processing in the cleaning processing apparatus 25. 7, the cleaning control of the gas nozzle 70 is carried out before the immersion control of the substrate 8 is performed after the filling control of the treating tank 41 is performed, as in the example of Fig. 7, .

또한, 도 7의 예에 있어서, 제어부(7)는 1 로트의 처리마다, 처리액의 충전 제어, 가스 노즐(70)의 세정 제어, 처리액의 배출 제어를 실행하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 복수 로트마다 처리액의 충전 제어, 가스 노즐(70)의 세정 제어 및 처리액의 배출 제어를 실행하여도 좋다.7, the control unit 7 controls the filling of the processing liquid, the cleaning control of the gas nozzle 70, and the discharge control of the processing liquid for each processing of one lot. However, the present invention is not limited to this, The filling control of the processing liquid, the cleaning control of the gas nozzle 70, and the discharge control of the processing liquid may be performed for each lot.

(처리액의 충전 순서)(Filling order of the processing solution)

계속해서, 상기 단계 S01에 있어서의 처리액(43)의 충전 제어의 상세한 순서를 설명한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S11을 실행한다. 단계 S11에서는, 액공급 제어부(111)가 처리조(41)에의 처리액(43)의 충전을 개시하도록 처리액 공급부(44)를 제어한다. 예컨대, 액공급 제어부(111)는 처리조(41)가 비어 있고, 개폐 밸브(69)가 폐쇄된 상태에서, 유량 조절기(46)를 개방하여 외부조(42) 내에의 처리액(43)의 공급을 개시하고, 공급 펌프(52)를 구동시켜 외부조(42)로부터 처리조(41)에의 송액을 개시하도록 처리액 공급부(44)를 제어한다.Subsequently, a detailed procedure of the charge control of the process liquid 43 in step S01 will be described. As shown in Fig. 8, the control unit 7 first executes step S11. In step S11, the liquid supply control section 111 controls the process liquid supply section 44 to start charging the process liquid 43 into the process tank 41. [ For example, the liquid supply control section 111 opens the flow rate regulator 46 in a state where the treatment tank 41 is empty and the opening / closing valve 69 is closed, so that the flow rate of the treatment liquid 43 in the outer tank 42 And controls the process liquid supply unit 44 to start feeding the liquid from the outer tank 42 to the treatment tank 41 by driving the supply pump 52. [

다음에, 제어부(7)는 단계 S12를 실행한다. 단계 S12에서는, 온·오프 제어부(115)가 다음에 개방되어야 하는 개폐 밸브(92)에 대해서 미리 설정된 밸브 개방 시간을 대기한다. 개폐 밸브(92)의 밸브 개방 시간은, 그 개폐 밸브(92)에 대응하는 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)에 액면이 도달하기 전의 시간으로 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다. 개폐 밸브(92)의 밸브 개방 시간은, 대응하는 가스 노즐(70)의 높이에 따라 상이하고, 가스 노즐(70)이 고위에 있을수록 장시간으로 되어 있다.Next, the control unit 7 executes step S12. In step S12, the on-off control unit 115 waits for the valve-opening time set in advance for the on-off valve 92 to be opened next. The valve opening time of the on-off valve 92 is set to a time before the liquid level reaches the discharge hole 77 of the gas nozzle 70 corresponding to the on-off valve 92, and is stored in the recipe storage section 119 It is remembered. The valve opening time of the opening / closing valve 92 differs depending on the height of the corresponding gas nozzle 70, and the longer the gas nozzle 70 is located, the longer the valve opening time.

다음에, 제어부(7)는 단계 S13을 실행한다. 단계 S13에서는, 온·오프 제어부(115)가, 단계 S12에서 밸브 개방 시간이 경과한 개폐 밸브(92)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.Next, the control unit 7 executes step S13. In step S13, the on / off control unit 115 controls the gas supply unit 89 to switch the open / close valve 92, which has elapsed the valve opening time, from the closed state to the open state in step S12.

다음에, 제어부(7)는 단계 S14를 실행한다. 단계 S14에서는, 온·오프 제어부(115)가 전체 가스 노즐(70)의 개폐 밸브(92)가 개방되었는지의 여부를 확인한다.Next, the control unit 7 executes step S14. In step S14, the on / off control unit 115 confirms whether or not the open / close valve 92 of the entire gas nozzle 70 is opened.

단계 S14에 있어서, 미개방의 개폐 밸브(92)가 남아 있다고 판정한 경우, 제어부(7)는 순서를 단계 S12로 되돌린다. 이후, 모든 개폐 밸브(92)가 개방될 때까지, 제어부(7)는 밸브 개방 시간의 대기와 개폐 밸브(92)의 개방을 반복한다. 이에 의해, 저위의 가스 노즐(70)의 개폐 밸브(92)로부터 순서대로 개방된다. 보다 구체적으로, 처리액(43)의 액면이 가스 노즐(70A)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92A)가 개방되고, 가스 노즐(70A)의 토출 구멍(77)을 통과한 액면이 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92B)가 개방되어, 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)을 통과한 액면이 가스 노즐(70C)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92C)이 개방된다.If it is determined in step S14 that the open / close valve 92 that is not open remains, the control section 7 returns the procedure to step S12. Thereafter, the controller 7 repeatedly waits for the valve open time and opens the on-off valve 92 until all the open / close valves 92 are opened. Thus, the gas nozzle 70 is opened in order from the opening / closing valve 92 of the lower gas nozzle 70. More specifically, before the liquid level of the process liquid 43 reaches the discharge hole 77 of the gas nozzle 70A, the opening / closing valve 92A is opened, and the gas nozzle 70A passes through the discharge hole 77 of the gas nozzle 70A Closing valve 92B is opened before the liquid level reaches the discharge hole 77 of the gas nozzle 70B so that the liquid level that has passed through the discharge hole 77 of the gas nozzle 70B flows into the discharge hole 77 of the gas nozzle 70B, Closing valve 92C is opened before reaching the opening / closing valve 77.

단계 S14에 있어서, 모든 개폐 밸브(92)가 개방되었다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계 S15를 실행한다. 단계 S15에서는, 액공급 제어부(111)가 미리 설정된 충전 시간의 경과를 대기한다. 충전 시간은 처리액(43)의 액면이 제2 높이(H2)에 도달하는 시간 이후로 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다.If it is determined in step S14 that all the open / close valves 92 are opened, the control section 7 executes step S15. In step S15, the liquid supply control unit 111 waits for the elapse of the preset charging time. The charging time is set after the time when the liquid level of the process liquid 43 reaches the second height H2 and is stored in the recipe storage unit 119. [

다음에, 제어부(7)는 단계 S16을 실행한다. 단계 S16에서는, 액공급 제어부(111)가 처리액(43)의 순환 제어를 개시한다. 처리액(43)의 순환 제어는, 공급 펌프(52)의 구동을 계속시킴으로써, 처리조(41)로부터 외부조(42)에 넘친 처리액(43)을 처리조(41)의 하부에 환류시키도록 처리액 공급부(44)를 제어하는 것을 포함한다. 그 순환 제어에 있어서, 액공급 제어부(111)는 농도 센서(58)에 의해 검출된 처리액(43)의 농도에 따라 순수용의 유량 조절기(48)의 개방도를 조절하도록 처리액 공급부(44)를 제어하는 것을 실행하여도 좋다. 이상으로, 상기 단계 S01이 완료된다.Next, the control unit 7 executes step S16. In step S16, the liquid supply control section 111 starts circulating control of the process liquid 43. [ The circulation control of the treatment liquid 43 is performed by returning the treatment liquid 43 flowing from the treatment tank 41 to the outer tank 42 to the lower portion of the treatment tank 41 by continuing the drive of the supply pump 52 And controlling the treatment liquid supply unit 44. The liquid supply controller 111 controls the opening degree of the flow controller 48 for pure water in accordance with the concentration of the processing liquid 43 detected by the concentration sensor 58 ) May be controlled. Thus, the step S01 is completed.

(가스 노즐의 세정 순서)(Cleaning sequence of gas nozzle)

계속해서, 상기 단계 S02에 있어서의 가스 노즐(70)의 세정 제어의 상세한 순서를 설명한다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S21을 실행한다. 단계 S21에서는, 세정 제어부(118)가 개폐 밸브(92)를 폐쇄하여 가스 노즐(70)에의 가스의 공급을 중단하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.Next, a detailed procedure of the cleaning control of the gas nozzle 70 in step S02 will be described. As shown in Fig. 9, the control unit 7 first executes step S21. In step S21, the cleaning control unit 118 closes the on-off valve 92 to control the gas supply unit 89 so as to stop the supply of gas to the gas nozzle 70.

다음에, 제어부(7)는 단계 S22를 실행한다. 단계 S22에서는, 세정 제어부(118)는 가스 노즐(70)의 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어한다. 예컨대 세정 제어부(118)는 감압 밸브(97)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하도록 가스 발출부(95)를 제어한다.Next, the control unit 7 executes step S22. In step S22, the cleaning control unit 118 controls the gas discharging unit 95 so as to lower the internal pressure of the main body 71 to a pressure capable of sucking the process liquid 43 into the main body 71 of the gas nozzle 70 . For example, the cleaning control section 118 controls the gas outlet section 95 to bring the pressure reducing valve 97 into the open state from the closed state.

다음에, 제어부(7)는 단계 S23을 실행한다. 단계 S23에서는, 세정 제어부(118)가 미리 설정된 감압 시간을 대기한다. 감압 시간은 세정에 알맞은 양의 처리액(43)이 본체(71) 내에 흡인되도록 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다.Next, the control unit 7 executes step S23. In step S23, the cleaning control unit 118 waits for a preset pressure reduction time. The decompression time is set so that an amount of the processing liquid 43 suitable for cleaning is sucked into the main body 71 and stored in the recipe storage unit 119.

다음에, 제어부(7)는 단계 S24를 실행한다. 단계 S24에서는, 세정 제어부(118)가 본체(71) 내의 감압을 정지하도록 가스 발출부(95)를 제어한다. 예컨대 세정 제어부(118)는 감압 밸브(97)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 하도록 가스 발출부(95)를 제어한다.Next, the control section 7 executes step S24. In step S24, the cleaning control unit 118 controls the gas outlet 95 so as to stop the decompression in the main body 71. [ For example, the cleaning control section 118 controls the gas outlet section 95 to bring the pressure reducing valve 97 into the closed state from the open state.

다음에, 제어부(7)는 단계 S25를 실행한다. 단계 S25에서는, 세정 제어부(118)가 미리 설정된 세정 시간을 대기한다. 세정 시간은 본체(71) 내에 흡인된 처리액(43)에 의한 세정 효과가 충분히 얻어지도록 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다.Next, the control unit 7 executes step S25. In step S25, the cleaning control unit 118 waits for a predetermined cleaning time. The cleaning time is set so as to sufficiently obtain a cleaning effect by the treatment liquid 43 sucked into the main body 71, and is stored in the recipe storage unit 119.

다음에, 제어부(7)는 단계 S26을 실행한다. 단계 S26에서는, 세정 제어부(118)가 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어한다. 예컨대 세정 제어부(118)는 개폐 밸브(92)를 개방하여 가스 노즐(70)에의 가스의 공급을 재개하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.Next, the control unit 7 executes step S26. In step S26, the cleaning control unit 118 controls the gas supply unit 89 to raise the internal pressure of the main body 71 to a pressure capable of discharging the processing liquid 43 in the main body 71. [ For example, the cleaning control unit 118 controls the gas supply unit 89 to open the on-off valve 92 to resume the supply of gas to the gas nozzle 70.

다음에, 제어부(7)는 단계 S27을 실행한다. 단계 S27에서는, 세정 제어부(118)가 미리 설정된 배액 시간을 대기한다. 배액 시간은 본체(71) 내에 흡인된 처리액(43)을 충분히 배액할 수 있도록 설정되고 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다. 이상으로 상기 단계 S02가 완료된다.Next, the control unit 7 executes step S27. In step S27, the cleaning control unit 118 waits for a preset drainage time. The drain time is set so that the treatment liquid 43 sucked into the main body 71 can be sufficiently drained and stored in the recipe storage unit 119. [ Thus, the step S02 is completed.

(기판의 침지 순서)(Substrate immersion order)

계속해서, 상기 단계 S03에 있어서의 기판(8)의 침지 제어의 상세한 순서를 설명한다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S31을 실행한다. 단계 S31에서는, 침지 제어부(113)가 복수의 기판(8)을 처리액(43)의 액면보다 위에 위치시키는 높이로부터, 그 복수의 기판(8)을 처리액(43) 내에 침지하는 높이까지, 복수의 지지 아암(87)을 하강시키도록 기판 승강 기구(36)를 제어한다.Subsequently, a detailed procedure of the immersion control of the substrate 8 in step S03 will be described. As shown in Fig. 10, the control unit 7 first executes step S31. In step S31, the immersion control unit 113 moves the substrate 8 from the height at which the plurality of substrates 8 are positioned above the liquid level of the processing liquid 43 to the height at which the plurality of substrates 8 are immersed in the processing liquid 43, The substrate lifting mechanism 36 is controlled so as to lower the plurality of support arms 87.

다음에, 제어부(7)는 단계 S32를 실행한다. 단계 S32에서는, 침지 제어부(113)가 미리 설정된 처리 시간의 경과를 대기한다. 처리 시간은 필요로 되는 에칭의 정도에 따라 설정되고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다.Next, the control unit 7 executes step S32. In step S32, the immersion control unit 113 waits for the elapse of a predetermined processing time. The processing time is set according to the degree of etching required and is stored in the recipe storage unit 119. [

다음에, 제어부(7)는 단계 S33을 실행한다. 단계 S33에서는, 침지 제어부(113)가 복수의 기판(8)을 처리액(43) 내에 침지하는 높이로부터, 그 복수의 기판(8)을 처리액(43)의 액면보다 위에 위치시키는 높이까지, 복수의 지지 아암(87)을 상승시키도록 기판 승강 기구(36)를 제어한다. 이상으로 상기 단계 S03가 완료된다.Next, the control unit 7 executes step S33. In step S33, the immersion control unit 113 controls the immersion position of the plurality of substrates 8 from the height at which the plurality of substrates 8 are immersed in the process liquid 43 to the height at which the plurality of substrates 8 are positioned above the liquid level of the process liquid 43, The substrate lifting mechanism 36 is controlled so as to lift the plurality of support arms 87. Thus, step S03 is completed.

(기판의 침지 중에 있어서의 가스 공급부의 제어 순서)(Control procedure of the gas supply unit during substrate immersion)

기판(8)의 침지 제어에 병행하여, 제어부(7)는 가스 공급부(89)에 의한 가스의 공급량의 제어를 실행한다. 이하, 가스의 공급량의 제어 순서를 설명한다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S41을 실행한다. 단계 S41에서는, 목표값 설정부(116)가 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 레시피 기억부(119)로부터 취득한다.In parallel with the immersion control of the substrate 8, the control unit 7 controls the supply amount of the gas by the gas supply unit 89. Hereinafter, the control procedure of the gas supply amount will be described. As shown in Fig. 11, the control section 7 first executes step S41. In step S41, the target value setting unit 116 acquires the target value of the gas content of the process liquid 43 from the recipe storage unit 119. [

전술한 바와 같이, 레시피 기억부(119)에는 기판(8)끼리의 간격에 따라 상이한 목표값이 기억되어 있어도 좋다. 이 경우, 목표값 설정부(116)는 기판(8)끼리의 간격에 따라 목표값을 바꾸게 된다.As described above, a different target value may be stored in the recipe storage unit 119 in accordance with the distance between the substrates 8. In this case, the target value setting section 116 changes the target value in accordance with the distance between the substrates 8.

다음에, 제어부(7)는 단계 S42를 실행한다. 단계 S42에서는, 추종 제어부(117)가 처리액(43)의 기체 함유량에 관한 정보를 액위 센서(80)로부터 취득한다.Next, the control unit 7 executes step S42. In step S42, the tracking control unit 117 acquires information on the gas content of the process liquid 43 from the liquid level sensor 80. [

다음에, 제어부(7)는 단계 S43을 실행한다. 단계 S43에서는, 추종 제어부(117)가 처리액(43)의 기체 함유량을 목표값에 근접시키도록, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 설정한다. 예컨대, 추종 제어부(117)는 단계 S42에 있어서 취득된 정보에 기초하여, 처리액(43)의 기체 함유량의 현재값을 산출하고, 목표값과 현재값의 편차를 산출하여, 그 편차에 비례 연산, 비례·적분 연산, 또는 비례·적분·미분 연산을 실시하여 유량 조절기(93)의 개방도를 산출한다.Next, the control unit 7 executes step S43. In step S43, the follow control unit 117 sets the supply amount of the gas to the gas nozzle 70 from the gas supply unit 89 so that the gas content of the process liquid 43 approaches the target value. For example, the tracking control unit 117 calculates the current value of the gas content of the process liquid 43 based on the information acquired in step S42, calculates the deviation between the target value and the current value, , A proportional-integral calculation, or a proportional-integral-derivative calculation to calculate the opening degree of the flow regulator 93.

추종 제어부(117)는 가스 노즐(70)의 배치 위치에 따라, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다. 예컨대, 추종 제어부(117)는 상기 폭 방향의 중심을 기준으로 한 가스 노즐(70)의 위치에 따라, 그 가스 노즐(70)에 대응하는 유량 조절기(93)의 개방도 설정값을 바꾸어도 좋다. 즉, 추종 제어부(117)는 가스 노즐(70)의 배치 위치가 상기 폭 방향의 중심으로부터 멀어짐에 따라 유량 조절기(93)의 개방도 설정값을 크게 하여도 좋고, 가스 노즐(70)의 배치 위치가 상기 폭 방향의 중심으로부터 멀어짐에 따라 유량 조절기(93)의 개방도 설정값을 작게 하여도 좋다. 보다 구체적으로, 추종 제어부(117)는 가스 노즐(70A, 70B, 70C)에의 가스의 공급량을 상위시키도록, 유량 조절기(93A, 93B, 93C)의 개방도를 상위시켜도 좋다.The tracking control unit 117 may change the supply amount of the gas from the gas supply unit 89 to the gas nozzle 70 in accordance with the arrangement position of the gas nozzle 70. [ For example, the tracking control unit 117 may change the opening degree setting value of the flow rate regulator 93 corresponding to the gas nozzle 70 in accordance with the position of the gas nozzle 70 with respect to the center in the width direction. That is, the follow-up control unit 117 may set the opening degree of the flow rate regulator 93 to a larger value as the arrangement position of the gas nozzle 70 moves away from the center in the width direction, The opening degree setting value of the flow rate regulator 93 may be made smaller as the distance from the center in the width direction becomes smaller. More specifically, the tracking control unit 117 may change the degrees of opening of the flow rate regulators 93A, 93B, and 93C so as to increase the amount of gas supplied to the gas nozzles 70A, 70B, and 70C.

다음에, 제어부(7)는 단계 S44를 실행한다. 단계 S44에서는, 추종 제어부(117)가 단계 S43에서 설정된 개방도 설정값에 따라 유량 조절기(93)의 개방도를 조절하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.Next, the control unit 7 executes step S44. In step S44, the tracking control unit 117 controls the gas supply unit 89 to adjust the opening degree of the flow rate regulator 93 according to the opening degree set value set in step S43.

다음에, 제어부(7)는 단계 S45를 실행한다. 단계 S45에서는, 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간이 목표값의 변경 타이밍에 도달하였는지의 여부를 목표값 설정부(116)가 확인한다. 목표값 설정부(116)는 경과 시간의 정보를 침지 제어부(113)로부터 취득하고, 목표값의 변경 타이밍의 정보를 레시피 기억부(119)로부터 취득한다.Next, the control unit 7 executes step S45. In step S45, the target value setting unit 116 confirms whether or not the elapsed time after the start of immersion of the substrate 8 reaches the timing of changing the target value. The target value setting unit 116 acquires the information of the elapsed time from the immersion control unit 113 and acquires the information of the timing of changing the target value from the recipe storage unit 119. [

단계 S45에 있어서, 경과 시간이 목표값의 변경 타이밍에 도달하였다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계 S46을 실행한다. 단계 S46에서는, 목표값 설정부(116)가 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 변경한다. 예컨대 목표값 설정부(116)는 변경 타이밍 이후에 있어서의 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 레시피 기억부(119)로부터 취득한다.If it is determined in step S45 that the elapsed time has reached the timing of changing the target value, the control unit 7 executes step S46. In step S46, the target value setting unit 116 changes the target value of the gas content of the process liquid 43. [ For example, the target value setting unit 116 acquires the target value of the gas content of the process liquid 43 after the change timing from the recipe storage unit 119. [

다음에, 제어부(7)는 단계 S47을 실행한다. 단계 S45에 있어서, 경과 시간이 목표값의 변경 타이밍에 도달하지 않는다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계 S46을 실행하는 일없이 단계 S47을 실행한다. 단계 S47에서는, 기판(8)의 침지가 완료되었는지의 여부를 목표값 설정부(116)가 확인한다. 목표값 설정부(116)는 기판(8)의 침지가 완료되었는지의 여부를 나타내는 정보를 침지 제어부(113)로부터 취득한다.Next, the control section 7 executes step S47. If it is determined in step S45 that the elapsed time does not reach the timing of changing the target value, the control unit 7 executes step S47 without executing step S46. In step S47, the target value setting unit 116 confirms whether or not the immersion of the substrate 8 is completed. The target value setting section 116 acquires from the immersion controlling section 113 information indicating whether or not the immersion of the substrate 8 is completed.

단계 S47에 있어서, 기판(8)의 침지가 완료되지 않았다고 판정한 경우, 제어부(7)는 순서를 단계 S42로 되돌린다. 이후, 기판(8)의 침지가 완료될 때까지, 처리액(43)의 기체 함유량을 목표값에 근접시키는 제어와, 경과 시간에 따라 목표 시간을 변경하는 것이 반복된다.If it is determined in step S47 that the immersion of the substrate 8 is not completed, the control section 7 returns the procedure to step S42. Thereafter, until the immersion of the substrate 8 is completed, control is performed to bring the gas content of the process liquid 43 close to the target value and to change the target time according to the elapsed time.

단계 S47에 있어서, 기판(8)의 침지가 완료되었다고 판정한 경우, 제어부(7)는 가스의 공급량의 제어를 완료한다.When it is determined in step S47 that the immersion of the substrate 8 is completed, the control unit 7 completes the control of the gas supply amount.

(처리액의 배출 순서)(Discharge Process Discharge Order)

계속해서, 상기 단계 S04에 있어서의 처리액(43)의 배출 제어의 상세한 순서를 설명한다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S51을 실행한다. 단계 S51에서는, 배액 제어부(112)가 처리조(41)로부터의 처리액(43)의 배출을 개시하도록 처리액 공급부(44) 및 처리액 배출부(67)를 제어한다. 예컨대 배액 제어부(112)는 유량 조절기(46) 및 유량 조절기(48)를 폐쇄하여 처리액(43) 및 순수의 공급을 정지하도록 처리액 공급부(44)를 제어한 후, 개폐 밸브(69)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하여 처리조(41)로부터의 처리액(43)의 배출을 개시하도록 처리액 배출부(67)를 제어한다.Next, a detailed procedure of the discharge control of the process liquid 43 in step S04 will be described. As shown in Fig. 12, the control unit 7 first executes step S51. In step S51, the drainage control section 112 controls the treatment liquid supply section 44 and the treatment liquid discharge section 67 so as to start the discharge of the treatment liquid 43 from the treatment tank 41. [ The drainage control unit 112 controls the process liquid supply unit 44 to stop the supply of the process liquid 43 and the pure water by closing the flow rate regulator 46 and the flow rate regulator 48, And controls the treatment liquid discharge unit 67 to start discharging the treatment liquid 43 from the treatment tank 41 from the closed state to the open state.

다음에, 제어부(7)는 단계 S52를 실행한다. 단계 S52에서는, 온·오프 제어부(115)가 다음에 폐쇄되어야 하는 개폐 밸브(92)에 대해서 미리 설정된 밸브 폐쇄 시간을 대기한다. 개폐 밸브(92)의 밸브 폐쇄 시간은, 그 개폐 밸브(92)에 대응하는 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)을 액면이 통과하는 시간 이후의 시간으로 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다. 개폐 밸브(92)의 밸브 폐쇄 시간은, 대응하는 가스 노즐(70)의 높이에 따라 상이하고, 가스 노즐(70)이 저위에 있을수록 장시간으로 되어 있다.Next, the control unit 7 executes step S52. In step S52, the on / off control unit 115 waits for the predetermined valve closing time for the on-off valve 92 to be closed next. The valve closing time of the on-off valve 92 is set to a time after the time when the liquid surface passes through the discharge hole 77 of the gas nozzle 70 corresponding to the on-off valve 92, and the recipe storage section 119 . The valve closing time of the opening / closing valve 92 differs depending on the height of the corresponding gas nozzle 70, and the longer the gas nozzle 70 is located, the longer the time.

다음에, 제어부(7)는 단계 S53을 실행한다. 단계 S53에서는, 온·오프 제어부(115)가 단계 S52에서 밸브 폐쇄 시간이 경과한 개폐 밸브(92)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 전환하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.Next, the control unit 7 executes step S53. In step S53, the on / off control unit 115 controls the gas supply unit 89 to switch the open / close valve 92, which has elapsed the valve closing time, from the open state to the closed state in step S52.

다음에, 제어부(7)는 단계 S54를 실행한다. 단계 S54에서는, 온·오프 제어부(115)가 전체 가스 노즐(70)의 개폐 밸브(92)가 폐쇄되었는지의 여부를 확인한다.Next, the control unit 7 executes step S54. In step S54, the ON / OFF control unit 115 confirms whether or not the open / close valve 92 of the entire gas nozzle 70 is closed.

단계 S54에 있어서, 개방된 개폐 밸브(92)가 남아 있다고 판정한 경우, 제어부(7)는 순서를 단계 S52로 되돌린다. 이후, 모든 개폐 밸브(92)가 폐쇄될 때까지, 밸브 폐쇄 시간의 대기와 개폐 밸브(92)의 폐색이 반복된다. 이에 의해, 고위의 가스 노즐(70)의 개폐 밸브(92)로부터 순서대로 폐쇄된다. 보다 구체적으로, 처리액(43)의 액면이 가스 노즐(70C)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92C)가 폐쇄되고, 가스 노즐(70C)의 토출 구멍(77)을 통과한 액면이 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92B)가 폐쇄되고, 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)을 통과한 액면이 가스 노즐(70A)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92A)가 폐쇄된다.If it is determined in step S54 that the open / close valve 92 is left, the control section 7 returns the procedure to step S52. Thereafter, the waiting time of the valve closing time and the closure of the opening / closing valve 92 are repeated until all the opening / closing valves 92 are closed. As a result, the gas nozzle 70 is sequentially closed from the opening / closing valve 92. More specifically, after the liquid level of the process liquid 43 passes through the discharge hole 77 of the gas nozzle 70C, the open / close valve 92C is closed, and the gas nozzle 70C passes through the discharge hole 77 of the gas nozzle 70C Closing valve 92B is closed after the liquid level has passed through the discharge hole 77 of the gas nozzle 70B and the liquid level which has passed through the discharge hole 77 of the gas nozzle 70B is discharged from the discharge hole 77 of the gas nozzle 70A The on-off valve 92A is closed.

단계 S54에 있어서, 모든 개폐 밸브(92)가 폐쇄되었다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계 S55를 실행한다. 단계 S55에서는, 배액 제어부(112)가 미리 설정된 배액 시간의 경과를 대기한다. 배액 시간은 처리액(43)의 액면이 제1 높이(H1)에 도달하는 시간 이후로 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다.If it is determined in step S54 that all of the on-off valves 92 have been closed, the control section 7 executes step S55. In step S55, the drainage control section 112 waits for the elapse of the predetermined drainage time. The drain time is set after the time at which the liquid level of the process liquid 43 reaches the first height H1 and is stored in the recipe storage unit 119. [

다음에, 제어부(7)는 단계 S56을 실행한다. 단계 S56에서는, 배액 제어부(112)가 공급 펌프(52)의 구동을 정지하도록 처리액 공급부(44)를 제어하고, 개폐 밸브(69)을 폐쇄하도록 처리액 배출부(67)를 제어한다. 이상으로, 상기 단계 S04가 완료된다.Next, the control unit 7 executes step S56. In step S56, the drainage control unit 112 controls the process liquid supply unit 44 to stop driving the feed pump 52, and controls the process liquid discharge unit 67 to close the open / close valve 69. [ Thus, the step S04 is completed.

〔본 실시형태의 효과〕[Effect of this embodiment]

이상에 설명한 바와 같이, 기판 액처리 장치(A1)는 처리액(43) 및 기판(8)을 수용하는 처리조(41)와, 기판(8)을 처리조(41) 내의 처리액(43)에 침지하는 기판 승강 기구(36)와, 처리조(41) 내의 하부에서 가스를 토출하는 가스 노즐(70)과, 가스 노즐(70)에 가스를 공급하는 가스 공급부(89)를 구비하고, 가스 노즐(70)은 처리조(41)의 바닥면을 따르도록 배치된 관형의 본체(71)와, 본체(71)의 내면(73) 및 외면(74) 사이를 관통하고, 내면(73)측으로부터 외면(74)측을 향함에 따라 개구 면적이 작아지도록 형성된 토출 구멍(77)을 갖는다.As described above, the substrate liquid processing apparatus A1 includes the processing tank 41 containing the processing liquid 43 and the substrate 8, the processing liquid 41 in the processing tank 41, A gas nozzle 70 for discharging gas from the lower part of the treatment tank 41 and a gas supply part 89 for supplying gas to the gas nozzle 70. The gas The nozzle 70 penetrates between the inner surface 73 and the outer surface 74 of the main body 71 and passes through the inner surface 73 and the outer surface 74 of the main body 71, And the discharge hole 77 formed so that the opening area becomes smaller as it goes toward the outer surface 74 side.

기판 액처리 장치(A1)에 있어서, 가스 노즐(70)로부터 처리액(43) 내에 가스를 토출하고 있을 때에는, 가스 노즐(70) 내의 압력은 높은 상태로 유지되기 때문에, 처리액(43)은 토출 구멍(77) 내에 진입하기 어렵다. 그러나, 토출 구멍(77)의 내면 근방에는, 가스류의 고임이 생기는 경우가 있고, 고임이 생긴 부분(이하, 「고임 부분」이라고 함)에는 약간이지만 처리액(43)이 진입할 수 있다. 상기 고임 부분에 진입한 처리액(43)은, 그 부분에 머물며, 이윽고 고착될 우려가 있다.The pressure in the gas nozzle 70 is maintained at a high level when the gas is discharged from the gas nozzle 70 into the processing liquid 43 in the substrate liquid processing apparatus A1, It is difficult to enter the discharge hole 77. However, there may be a case where the gas flow is generated in the vicinity of the inner surface of the discharge hole 77, and the treatment liquid 43 may enter the portion where the gum occurs (hereinafter referred to as the gumming portion). The processing liquid 43 that has entered the extended portion remains at that portion, and there is a possibility that the processing liquid 43 is finally fixed.

이에 비하여, 기판 액처리 장치(A1)에서는, 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)이 내면(73)측으로부터 외면(74)측을 향함에 따라 개구 면적이 작아지도록 형성되어 있기 때문에, 토출 구멍(77) 내의 유로는 상류측으로부터 하류측을 향하여 서서히 좁혀진 상태가 된다. 이에 의해, 토출 구멍(77)의 내면 근방에 있어서의 고임의 발생이 억제되기 때문에, 고임 부분에 있어서의 처리액(43)의 고착도 억제된다. 따라서, 가스 노즐(70)의 막힘을 방지하는 데 유효하다. 이에 의해, 가스의 공급 경로가 장기간에 걸쳐 일정한 상태로 유지되기 때문에, 처리액(43)에의 가스 공급 상태의 안정화에 유효하다.On the other hand, in the substrate liquid processing apparatus A1, since the discharge hole 77 of the gas nozzle 70 is formed so that the opening area becomes smaller as it goes from the inner surface 73 side to the outer surface 74 side, The flow path in the hole 77 is gradually narrowed from the upstream side toward the downstream side. As a result, the generation of the sticking in the vicinity of the inner surface of the ejection hole 77 is suppressed, so that the fixation of the processing liquid 43 in the sticking portion is also suppressed. Therefore, it is effective to prevent clogging of the gas nozzle 70. Thus, the supply path of the gas is maintained in a constant state over a long period of time, which is effective for stabilizing the gas supply state to the treatment liquid 43. [

가스 노즐(70)에 공급되는 가스를 가열하는 가스 가열부(94)를 더 구비하여도 좋다. 이 경우, 가열된 가스의 열 에너지에 의해, 처리액(43)의 고착이 보다 확실하게 억제된다. 또한, 전술한 바와 같이, 토출 구멍(77)의 내면 근방에 있어서의 고임의 발생이 억제되기 때문에, 가스의 열 에너지가 토출 구멍(77)의 내면에 효율적으로 전달된다. 이것도, 처리액(43)의 고착 억제에 기여한다.And a gas heating unit 94 for heating the gas supplied to the gas nozzle 70. In this case, the fixing of the treatment liquid 43 is more reliably suppressed by the thermal energy of the heated gas. Further, as described above, since the generation of the sticking in the vicinity of the inner surface of the discharge hole 77 is suppressed, the thermal energy of the gas is efficiently transferred to the inner surface of the discharge hole 77. This also contributes to restraining adherence of the treatment liquid 43.

본체(71)는 규소를 함유하지 않는 재료로 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 예컨대 기판(8)으로부터 처리액(43) 중에 용해된 규소 함유 성분과, 본체(71)의 친화성이 낮아지기 때문에, 처리액(43)의 고착이 보다 확실하게 억제된다.The main body 71 may be made of a material not containing silicon. In this case, for example, since the affinity between the silicon-containing component dissolved in the treatment liquid 43 from the substrate 8 and the main body 71 is lowered, adhesion of the treatment liquid 43 is more reliably suppressed.

토출 구멍(77)은 본체(71)의 하부에 마련되어 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내에 진입한 처리액(43)을 가스 노즐(70) 밖으로 배출하기 쉽다. 또한, 전술한 바와 같이, 토출 구멍(77)의 내면 근방에 있어서의 고임의 발생이 억제되는 것도, 처리액(43)이 배출하기 쉬운 것에 기여한다.The discharge hole 77 may be provided in the lower portion of the main body 71. [ In this case, the treatment liquid 43 that has entered the gas nozzle 70 can easily be discharged out of the gas nozzle 70. In addition, as described above, suppression of the occurrence of the sticking in the vicinity of the inner surface of the discharge hole 77 also contributes to the easiness of the discharge of the treatment liquid 43.

기판 액처리 장치(A1)는 처리액(43)에의 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간에 따라, 가스 공급부(89)에 의한 가스의 공급량을 변경하도록 구성된 제어부(7)를 더 구비하여도 좋다. 가스의 공급량이 변동하는 경우, 이에 따라 가스 노즐(70)의 내압도 변동하기 때문에, 토출 구멍(77) 내에의 처리액(43)이 들어가기 쉬운 것도 변동한다. 이 때문에, 토출 구멍(77) 내에의 처리액(43)의 약간의 출입이 생길 수 있다. 이에 대하여, 전술한 바와 같이 토출 구멍(77)의 내면 근방에 있어서의 고임의 발생이 억제됨으로써, 토출 구멍(77) 내에의 처리액(43)의 잔존 및 고착을 억제할 수 있다.The substrate liquid processing apparatus A1 further includes a control unit 7 configured to change the amount of gas supplied by the gas supply unit 89 in accordance with the elapsed time after the immersion of the substrate 8 in the processing liquid 43 is started It is also good. When the supply amount of the gas fluctuates, the inner pressure of the gas nozzle 70 also fluctuates accordingly. Therefore, the ease of the process liquid 43 entering the discharge hole 77 also fluctuates. Therefore, the processing liquid 43 may slightly come in and out from the discharge hole 77. On the other hand, as described above, the generation of the sticking in the vicinity of the inner surface of the discharge hole 77 is suppressed, so that the residual and sticking of the process liquid 43 in the discharge hole 77 can be suppressed.

기판 액처리 장치(A1)는 본체(71)의 내압을 저하시키는 가스 발출부(95)를 더 구비하고, 제어부(7)는 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내에 흡인한 처리액(43)에 의해 가스 노즐(70) 내의 잔류 물질을 씻어 버릴 수 있다. 전술한 바와 같이, 토출 구멍(77)의 내면 근방에 있어서의 고임의 발생이 억제되기 때문에, 가스 노즐(70) 내에 흡인한 처리액에 의해 씻겨진 물질을 보다 확실하게 가스 노즐(70) 밖으로 배출할 수 있다.The substrate liquid processing apparatus A1 further includes a gas outlet 95 for lowering the internal pressure of the main body 71. The control unit 7 controls the pressure of the main liquid 71 to a pressure capable of sucking the process liquid 43 into the main body 71 The gas supply portion 95 is controlled so as to lower the internal pressure of the main body 71 and the gas supply portion 95 is provided so as to raise the internal pressure of the main body 71 to a pressure at which the process liquid 43 in the main body 71 can be discharged. The control unit 89 may be configured to further execute the control. In this case, the residual liquid in the gas nozzle 70 can be washed away by the treatment liquid 43 sucked into the gas nozzle 70. It is possible to more reliably discharge the substance washed by the processing liquid sucked into the gas nozzle 70 to the outside of the gas nozzle 70 because the generation of the sticking in the vicinity of the inner surface of the discharge hole 77 is suppressed as described above can do.

또한, 이상에 설명한 바와 같이, 기판 액처리 장치(A1)는 처리액(43) 및 기판(8)을 수용하는 처리조(41)와, 기판(8)을 처리조(41) 내의 처리액(43)에 침지하는 기판 승강 기구(36)와, 처리조(41) 내에 처리액(43)을 공급하는 처리액 공급부(44)와, 처리조(41) 내로부터 처리액(43)을 배출하는 처리액 배출부(67)와, 처리조(41) 내의 하부에서 가스를 토출하는 가스 노즐(70)과, 가스 노즐(70)에 가스를 공급하는 가스 공급부(89)와, 가스 노즐(70)의 하방의 제1 높이(H1)로부터, 기판(8)을 침지 가능한 제2 높이(H2)로 액면이 상승할 때까지 처리조(41)에 처리액(43)을 공급하도록 처리액 공급부(44)를 제어하는 것과, 액면이 제2 높이(H2) 이상에 있는 상태로 기판(8)을 처리액(43)에 침지하도록 기판 승강 기구(36)를 제어하는 것과, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강할 때까지 처리조(41)로부터 처리액(43)을 배출하도록 처리액 배출부(67)를 제어하는 것과, 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)로 상승하는 도중에 가스의 공급량을 늘리고, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강하는 도중에 가스의 공급량을 줄이도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부(7)를 구비한다.As described above, the substrate liquid processing apparatus A1 includes a processing bath 41 for containing the processing liquid 43 and the substrate 8, and a processing bath 41 for processing the substrate 8 in the processing bath 41 A processing liquid supply section 44 for supplying the processing liquid 43 into the processing tank 41 and a processing liquid supply section 44 for discharging the processing liquid 43 from the processing tank 41, A gas nozzle 70 for supplying gas from the lower part of the processing tank 41; a gas supply part 89 for supplying gas to the gas nozzle 70; To supply the process liquid 43 to the process tank 41 until the liquid level rises to the second height H2 capable of immersing the substrate 8 from the first height H1 of the process liquid supply unit 44 Controlling the substrate lifting mechanism 36 so as to immerse the substrate 8 in the processing liquid 43 in a state in which the liquid level is equal to or higher than the second height H2 and controlling the substrate lifting mechanism 36 in such a manner that the liquid level is higher than the second height H2 ) To the first height (H1) The treatment liquid discharge portion 67 is controlled so as to discharge the treatment liquid 43 from the trough 41 and the supply amount of the gas is increased during the rise of the liquid level from the first height H1 to the second height H2, And a control unit (7) configured to control the gas supply unit (89) so as to reduce the supply amount of gas during the descent of the liquid level from the second height (H2) to the first height (H1).

기판 액처리 장치(A1)에 의하면, 처리액(43)의 공급에 의해 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승할 때, 처리액(43)이 제2 높이(H2)에 도달하기 전에 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량이 늘어난다. 이에 의해, 가스 노즐(70) 내로의 처리액의 진입이 억제된다. 처리액(43)의 배출에 의해 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강할 때, 처리액(43)이 제1 높이(H1)에 도달하기 전에 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량이 줄어든다. 이에 의해, 처리액(43)의 배출 후에 있어서의 가스 노즐(70)의 과건조를 억제함으로써, 가스 노즐(70)에 잔류한 성분의 고착·고정화가 억제된다. 따라서, 처리액(43)에의 가스의 공급 경로가 장기간에 걸쳐 일정 상태로 유지되기 때문에, 처리액(43)에의 가스 공급 상태의 안정화에 유효하다.According to the substrate liquid processing apparatus A1, when the liquid level rises from the first height H1 to the second height H2 by the supply of the processing liquid 43, the processing liquid 43 reaches the second height H2 The amount of gas supplied to the gas nozzle 70 is increased. Thus, entry of the process liquid into the gas nozzle 70 is suppressed. When the liquid level falls from the second height H2 to the first height H1 by the discharge of the processing liquid 43, the processing liquid 43 is supplied to the gas nozzle 70 before reaching the first height H1, The supply amount of the gas to the fuel cell is reduced. This suppresses overdrying of the gas nozzle 70 after the discharge of the treatment liquid 43, so that the fixing and fixing of the components remaining in the gas nozzle 70 is suppressed. Therefore, the supply route of the gas to the treatment liquid 43 is maintained in a constant state over a long period of time, and thus it is effective for stabilizing the gas supply state to the treatment liquid 43. [

가스 노즐(70)은 처리조(41)의 바닥면을 따르도록 배치된 관형의 본체(71)와, 본체(71)의 내면(73) 및 외면(74) 사이를 관통하도록 형성된 토출 구멍(77)을 가지고, 제어부(7)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 가스의 공급량을 늘리고, 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 토출 구멍(77)을 통과한 후에 가스의 공급량을 줄이도록 가스 공급부를 제어하여도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내로의 처리액(43)의 진입을 더욱 억제할 수 있다.The gas nozzle 70 includes a tubular main body 71 disposed along the bottom surface of the treatment tank 41 and a discharge hole 77 formed to penetrate between the inner surface 73 and the outer surface 74 of the main body 71 The control unit 7 increases the supply amount of the gas before reaching the discharge hole 77 from the liquid level rising from the first height H1 to the second height H2, The gas supply unit may be controlled so as to reduce the supply amount of the gas after the liquid level descending to the first height H1 passes through the discharge hole 77. [ In this case, entry of the treatment liquid 43 into the gas nozzle 70 can be further suppressed.

토출 구멍(77)은 본체(71)의 하부에 마련되어 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내에 진입한 처리액(43)을 가스 노즐(70) 밖으로 배출하기 쉽다.The discharge hole 77 may be provided in the lower portion of the main body 71. [ In this case, the treatment liquid 43 that has entered the gas nozzle 70 can easily be discharged out of the gas nozzle 70.

본체(71)는 원관형이어도 좋고, 토출 구멍(77)은 본체(71)의 관 중심(72)의 연직 하방으로부터 벗어난 위치에 마련되어 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70)로부터의 기포의 부상 방향을 본체(71)의 한쪽측에 집중시켜, 기포의 확산 상태의 안정성을 향상시킬 수 있다.The main body 71 may have a circular tube shape and the discharge hole 77 may be provided at a position deviated from the vertically lower side of the tube center 72 of the main body 71. In this case, the flotation direction of the bubbles from the gas nozzle 70 can be concentrated on one side of the main body 71, so that the stability of the diffusion state of the bubbles can be improved.

토출 구멍(77)의 위치는, 본체(71)의 관 중심(72)을 포함하는 연직의 가상 평면(75)이 토출 구멍(77) 내를 통과하지 않도록 설정되어 있어도 좋다. 이 경우, 기포의 부상 방향을 보다 확실하게 본체(71)의 한쪽측에 집중시킬 수 있다.The position of the discharge hole 77 may be set such that the vertical virtual plane 75 including the tube center 72 of the main body 71 does not pass through the discharge hole 77. [ In this case, the floating direction of the bubbles can more reliably be concentrated on one side of the main body 71.

토출 구멍(77)의 중심은, 본체(71)의 관 중심(72) 둘레에서 연직 하방±10°의 범위(76) 내에 위치하고 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내로부터의 처리액의 배출성과, 기포의 확산 상태의 안정성의 양립을 도모할 수 있다.The center of the discharge hole 77 may be located within the range 76 of the vertical downward direction of about 10 degrees around the tube center 72 of the main body 71. [ In this case, both the discharge of the treatment liquid from within the gas nozzle 70 and the stability of the diffusion state of the bubbles can be achieved.

기판 액처리 장치(A1)는 본체(71)의 내압을 저하시키는 가스 발출부(95)를 더 구비하여도 좋고, 제어부(7)는 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 기포관(81)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내로의 처리액(43)의 진입에 따라 잔류하고 있던 물질을 씻어낼 수 있다.The substrate liquid processing apparatus A1 may further include a gas outlet 95 for lowering the internal pressure of the main body 71. The control unit 7 may be configured to be capable of sucking the process liquid 43 into the main body 71 The gas outlet 95 is controlled so as to lower the internal pressure of the main body 71 up to the pressure and the internal pressure of the bubble tube 81 is raised to a pressure capable of discharging the process liquid 43 in the main body 71 The gas supply unit 89 may be configured to further perform control. In this case, the remaining substance can be washed out by the entry of the treatment liquid 43 into the gas nozzle 70.

제어부(7)는 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을, 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)로 상승한 후, 처리액(43)에 기판(8)이 침지되기 전에 실행하여도 좋다. 이 경우, 기판(8)의 침지에 의해 처리액(43) 내에 용출한 물질이 가스 노즐(70) 내에 진입하는 것을 억제할 수 있다.The control unit 7 controls the gas outlet 95 so as to lower the internal pressure of the main body 71 to a pressure at which the process liquid 43 can be sucked into the main body 71, After the liquid level has risen from the first height H1 to the second height H2, the gas supply unit 89 is controlled so as to raise the internal pressure of the main body 71 to a pressure capable of discharging the liquid level 43, Or may be performed before the substrate 8 is immersed in the liquid 43. In this case, it is possible to suppress the entry of the substance eluted into the treatment liquid 43 into the gas nozzle 70 due to the immersion of the substrate 8.

제어부(7)는 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을, 처리액(43)에 기판(8)이 침지된 후, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강하기 전에 실행하여도 좋다. 이 경우, 기판(8)의 침지 전의 처리액(43)에 가스 노즐(70) 내로부터의 배출물이 혼입하는 것을 억제할 수 있다.The control unit 7 controls the gas outlet 95 so as to lower the internal pressure of the main body 71 to a pressure at which the process liquid 43 can be sucked into the main body 71, The substrate 8 is immersed in the treatment liquid 43 so that the liquid level is lowered to the second height (H2) to the first height (H1). In this case, it is possible to suppress the inclusion of the emission from the gas nozzle 70 into the treatment liquid 43 before the substrate 8 is immersed.

또한, 기판 액처리 장치(A1)는 처리액(43) 및 기판(8)을 수용하는 처리조(41)와, 기립한 복수의 기판(8)을 두께 방향을 따라 배열한 상태로 처리조(41) 내의 처리액(43)에 침지하는 기판 승강 기구(36)와, 처리조(41) 내의 하부에서 가스를 토출하는 복수의 가스 노즐(70)과, 복수의 가스 노즐(70)에 가스를 공급하는 가스 공급부(89)와, 기판(8)끼리의 간격, 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 및 가스 노즐(70)의 배치 위치 중 적어도 어느 하나에 따라, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸도록 구성된 제어부(7)를 구비한다.The substrate liquid processing apparatus A1 further includes a treatment tank 41 for containing the treatment liquid 43 and the substrate 8 and a plurality of standing substrates 8 arranged in the thickness direction, A plurality of gas nozzles 70 for discharging gas from the lower part of the processing tank 41 and a plurality of gas nozzles 70 for supplying gas to the plurality of gas nozzles 70 The gas supply unit 89 is provided with the gas supply unit 89 according to at least one of the interval between the substrates 8, the elapsed time after the start of the immersion of the substrate 8 and the arrangement position of the gas nozzle 70 And a control unit (7) configured to change the supply amount of gas to the gas nozzle (70).

가스 노즐(70)의 공급하여야 하는 가스의 양은, 여러 가지 인자로 변동된다. 특히, 기판(8)끼리의 간격, 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 및 가스 노즐(70)의 배치 위치는, 모두 큰 인자가 될 수 있다. 이 때문에, 기판(8)끼리의 간격, 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 및 가스 노즐(70)의 배치 위치 중 적어도 어느 하나에 따라 가스의 공급량을 설정하는 제어부(7)를 구비하는 기판 액처리 장치(A1)는, 가스의 공급량의 적정화에 유효하다.The amount of gas to be supplied by the gas nozzle 70 varies with various factors. Particularly, the interval between the substrates 8, the elapsed time after the immersion of the substrate 8 is started, and the position of the gas nozzle 70 can both be a large factor. Therefore, the control unit 7 is provided for setting the gas supply amount in accordance with at least one of the interval between the substrates 8, the elapsed time after the immersion of the substrate 8 is started, and the position of the gas nozzle 70 The substrate liquid processing apparatus A1 is effective for optimizing the supply amount of the gas.

제어부(7)는 적어도 상기 경과 시간에 따라 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다. 제어부(7)는 적어도 기판(8)끼리의 간격에 따라 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다.The control unit 7 may change the supply amount of the gas from the gas supply unit 89 to the gas nozzle 70 at least according to the elapsed time. The control unit 7 may change the supply amount of the gas from the gas supply unit 89 to the gas nozzle 70 at least according to the distance between the substrates 8. [

기판 액처리 장치(A1)는 처리액(43)에 포함되는 기체의 양에 관한 정보를 취득하는 액위 센서(80)를 더 구비하여도 좋고, 제어부(7)는 가스의 공급량의 조절에 의해, 처리액(43)에 포함되는 기체의 양을 목표값에 근접시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되고, 기판(8)끼리의 간격 및 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 중 적어도 어느 하나에 따라 가스의 공급량을 바꿀 때에는, 상기 목표값을 바꿈으로써 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다. 이 경우, 기판(8)끼리의 간격 및 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 중 적어도 어느 하나에 따라 가스의 공급량의 목표값을 설정하는 것과, 그 목표값에 가스의 공급량을 추종시키는 제어를 더불어 실행함으로써, 가스의 공급량을 보다 확실하게 적정 상태에 근접시킬 수 있다. 따라서, 가스의 공급량의 적정화에 더욱 유효하다.The substrate liquid processing apparatus A1 may further include a liquid level sensor 80 for acquiring information about the amount of gas contained in the process liquid 43. The control unit 7 may control the liquid level sensor 80, And controls the gas supply unit 89 so as to bring the amount of the gas contained in the process liquid 43 close to the target value. The gas supply unit 89 is configured to control the distance between the substrates 8, The supply amount of the gas from the gas supply unit 89 to the gas nozzle 70 may be changed by changing the target value when changing the supply amount of the gas according to at least one of the elapsed time and the elapsed time. In this case, it is possible to set the target value of the gas supply amount in accordance with at least one of the interval between the substrates 8 and the elapsed time after the immersion of the substrate 8 is started, and the control to follow the gas supply amount to the target value The supply amount of the gas can be brought closer to an appropriate state more reliably. Therefore, it is more effective in optimizing the supply amount of the gas.

이상, 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 반드시 전술한 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다. 처리 대상의 기판은 실리콘 웨이퍼에 한정되지 않고, 예컨대 유리 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 좋다. 또한, 에칭 처리 장치(1)에 관한 구성을 기판 액처리 장치(A1)로서 상세하게 나타내었지만, 동일한 구성을 세정 처리 장치(25)에도 적용 가능하다.Although the embodiments have been described above, the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible without departing from the gist of the invention. The substrate to be processed is not limited to a silicon wafer but may be a glass substrate, a mask substrate, a flat panel display (FPD), or the like. Although the configuration of the etching apparatus 1 is shown in detail as the substrate liquid processing apparatus A1, the same configuration can be applied to the cleaning apparatus 25 as well.

A1 : 기판 액처리 장치 7 : 제어부
8 : 기판 36 : 기판 승강 기구(반송부)
37 : 기판 승강 기구 70, 70A, 70B, 70C : 가스 노즐
89 : 가스 공급부 94 : 가스 가열부
95 : 가스 발출부 41 : 처리조
43 : 처리액 71 : 본체
73 : 내면 74 : 외면
77 : 토출 구멍 72 : 관 중심A1: substrate liquid processing apparatus 7: control unit
8: substrate 36: substrate lifting mechanism (carrying section)
37: substrate lifting mechanism 70, 70A, 70B, 70C: gas nozzle
89: gas supply part 94: gas heating part
95: gas outlet part 41: treating tank
43: treatment liquid 71:
73: inner surface 74: outer surface
77: discharge hole 72: tube center

Claims (10)

처리액 및 기판을 수용하는 처리조와,
상기 처리조 내의 하부에서 가스를 토출하는 가스 노즐과,
상기 가스 노즐에 상기 가스를 공급하는 가스 공급부
를 구비하고,
상기 가스 노즐은,
상기 처리조의 바닥면을 따르도록 배치된 관형의 본체와,
상기 본체의 내면 및 외면 사이를 관통하여, 상기 내면측으로부터 상기 외면측을 향함에 따라 개구 면적이 작아지도록 형성된 토출 구멍을 갖는 것인 기판 액처리 장치.A treatment tank for containing the treatment liquid and the substrate,
A gas nozzle for discharging gas at a lower portion of the treatment tank,
A gas supply part for supplying the gas to the gas nozzle,
And,
The gas nozzle
A tubular body disposed along a bottom surface of the treatment tank,
And a discharge hole penetrating between an inner surface and an outer surface of the main body so as to reduce an opening area from the inner surface side toward the outer surface side. 제1항에 있어서, 상기 가스 노즐에 공급되는 상기 가스를 가열하는 가스 가열부를 더 구비하는 기판 액처리 장치.The substrate liquid processing apparatus according to claim 1, further comprising a gas heating section for heating the gas supplied to the gas nozzle. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 본체는 규소를 함유하지 않는 재료로 구성되어 있는 것인 기판 액처리 장치.The substrate liquid processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the main body is made of a material containing no silicon. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 토출 구멍은 상기 본체의 하부에 마련되어 있는 것인 기판 액처리 장치.The substrate liquid processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the discharge hole is provided at a lower portion of the main body. 제4항에 있어서, 상기 본체는 원관형이고,
상기 토출 구멍은, 상기 본체의 관 중심의 연직 하방으로부터 벗어난 위치에 마련되어 있는 것인 기판 액처리 장치.5. The apparatus of claim 4, wherein the body is circular,
Wherein the discharge hole is provided at a position deviated from the vertical lower portion of the center of the tube of the main body. 제5항에 있어서, 상기 토출 구멍의 위치는 상기 본체의 관 중심을 포함하는 연직의 가상 평면이 상기 토출 구멍 내를 통과하지 않도록 설정되어 있는 것인 기판 액처리 장치.The substrate liquid processing apparatus according to claim 5, wherein the position of the discharge hole is set so that a vertical virtual plane including the center of the tube of the main body does not pass through the discharge hole. 제6항에 있어서, 상기 토출 구멍의 중심은, 상기 본체의 관 중심 둘레에서 연직 하방±10°의 범위 내에 위치하고 있는 것인 기판 액처리 장치.The substrate liquid processing apparatus according to claim 6, wherein the center of the discharge hole is located within a range of ± 10 ° vertically downward from the center of the tube of the main body. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리액에의 상기 기판의 침지가 개시된 후의 경과 시간에 따라, 상기 가스 공급부에 의한 상기 가스의 공급량을 변경하도록 구성된 제어부를 더 구비하는 기판 액처리 장치.3. The substrate liquid processing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a control section configured to change a supply amount of the gas by the gas supply section in accordance with an elapsed time after initiation of immersion of the substrate in the processing liquid. 제8항에 있어서, 상기 본체의 내압을 저하시키는 가스 발출부를 더 구비하고,
상기 제어부는,
상기 본체 내에 상기 처리액을 흡인할 수 있는 압력까지 상기 본체의 내압을 저하시키도록 상기 가스 발출부를 제어하는 것과, 상기 본체 내의 상기 처리액을 배출할 수 있는 압력까지 상기 본체의 내압을 상승시키도록 상기 가스 공급부를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있는 것인 기판 액처리 장치.9. The apparatus according to claim 8, further comprising a gas outlet for lowering the internal pressure of the main body,
Wherein,
To control the gas outlet so as to lower the internal pressure of the main body to a pressure at which the process liquid can be sucked into the main body, and to raise the internal pressure of the main body to a pressure capable of discharging the processing liquid in the main body And to control the gas supply unit. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 본체의 내압을 저하시키는 가스 발출부와,
상기 본체 내에 상기 처리액을 흡인할 수 있는 압력까지 상기 본체의 내압을 저하시키도록 상기 가스 발출부를 제어하는 것과, 상기 본체 내의 상기 처리액을 배출할 수 있는 압력까지 상기 본체의 내압을 상승시키도록 상기 가스 공급부를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부
를 더 구비하는 기판 액처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
A gas outlet for reducing the internal pressure of the main body,
To control the gas outlet so as to lower the internal pressure of the main body to a pressure at which the process liquid can be sucked into the main body, and to raise the internal pressure of the main body to a pressure capable of discharging the processing liquid in the main body And a control unit configured to control the gas supply unit
Further comprising:
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