JPH1197404A

JPH1197404A - 基板処理装置および基板処理方法

Info

Publication number: JPH1197404A
Application number: JP25048397A
Authority: JP
Inventors: Koji Kizaki; 幸治木▲崎▼; Yoshio Matsumura; 吉雄松村
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-09-16
Filing date: 1997-09-16
Publication date: 1999-04-09

Abstract

(57)【要約】【課題】基板を浸漬処理するために大量の処理液を必
要とせず、コストの低減を図ること。【解決手段】処理対象の基板Ｗが所定の位置に搬送さ
れると、管４２を介してエアを処理槽３０側に供給す
る。管４２よりエアを供給することにより、膨張収縮膜
５５が膨張し、樹脂プレート５４が基板Ｗに近接する状
態となる。このように、膨張収縮膜５５が膨張し、樹脂
プレート５４の基板Ｗへの接近に伴って、処理槽３０の
実質的な容積が減少する。膨張収縮膜５５は処理液７０
が浸透しない材質で形成されているため、膨張収縮膜５
５が膨張することによって処理槽３０の容積が減少する
と、処理液７０の液面が上昇する。この液面の上昇する
位置を基板Ｗの上端よりも上方の位置となるようにすれ
ば、少量の処理液でも基板Ｗの全面が処理液７０に触れ
るため、基板Ｗの浸漬処理を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板，液
晶用ガラス基板などの薄板状の精密基板（以下、単に
「基板」という）を製造する際に処理液を用いて基板に
対して所定の処理を施す基板処理装置および基板処理方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】上記のような基板を製造する過程におい
て純水や種々の薬液が処理液として使用されている。そ
して、これら処理液を使用する処理の一つとして、基板
の浸漬処理が挙げられる。この基板の浸漬処理は、処理
槽の内部に所定量の処理液を入れ、その処理液中に基板
を浸漬させることによって基板に対して現像や洗浄など
の所定の処理を行うものである。

【０００３】従来において基板の浸漬処理を行う基板処
理装置は、処理槽の内部に基板全体を浸すのに十分な量
の処理液を収容している。そして基板搬送ロボットが基
板を把持した状態で処理槽内の処理液中に進入し、基板
を処理液に浸漬させるように構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の基
板の浸漬処理を行う基板処理装置において基板を処理槽
に搬入する際に、基板搬送ロボットが基板を把持した状
態で進入するため、処理槽は、基板搬送ロボットが基板
の搬送動作を行うことができるように十分な広さを確保
することが必要となる。

【０００５】従って、従来の基板処理装置では、処理槽
を大きくしなければならず、処理槽内部の容積も大きく
なっていた。そして処理槽の容積が大きいため、基板を
浸漬処理する際に処理液が大量に必要となり、コストが
非常に高いという問題が生じていた。

【０００６】この発明は、上記課題に鑑みてなされたも
のであって、基板を浸漬処理するために大量の処理液を
必要とせず、コストを低減することが可能な基板処理装
置および基板処理方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、処理対象の基板を処理液に浸漬させて所定の処理を
行う装置であって、(a)内部に処理液を収容し、基板に
浸漬処理を施す処理槽と、(b)前記処理槽の内部で基板
を保持する基板保持手段と、(c)前記処理槽の内部の容
積を可変する容積可変手段とを備えている。

【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の装置において、前記容積可変手段は、膨張収縮するこ
とにより前記容積を可変することを特徴としている。

【０００９】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の装置において、前記容積可変手段は、(c-1)立体成型
されたプレート部材と、(c-2)前記処理槽の内部に対し
て前記プレート部材を進退駆動させる駆動手段とを備え
ている。

【００１０】請求項４に記載の発明は、処理対象の基板
を処理液に浸漬させて所定の処理を行う方法であって、
(a)基板を処理槽の内部の液面よりも上方の位置に基板
を収容する工程と、(b)前記処理槽の内部の容積を減少
させることにより前記処理液の液面を上昇させて前記基
板を前記処理液に浸漬させる工程とを有している。

【００１１】請求項５に記載の発明は、請求項４に記載
の方法において、さらに、(c)前記処理槽の内部の容積
を増大させることにより前記処理液の液面を下降させて
前記基板を前記処理液の液面よりも上方に位置させる工
程を有している。

【００１２】請求項６に記載の発明は、処理対象の基板
を処理液に浸漬させて所定の処理を行う方法であって、
(a)基板を処理槽の内部に収容する工程と、(b)前記処理
槽の内部の容積を減少させる工程と、(c)前記処理槽へ
処理液を供給して前記基板を処理液に浸漬させる工程
と、(d)前記処理槽から処理液を排出する工程と、(e)前
記処理槽の内部の容積を増大させる工程と、(f)前記基
板を処理槽の内部から搬出する工程とを有している。

【００１３】

【発明の実施の形態】

＜１．装置の全体構成＞まず、この発明の実施の形態に
おける基板処理装置の全体構成について説明する。図１
は、この発明の実施の形態における基板処理装置１００
の全体構成図である。図１に示すように、カセット載置
台１０１の上に複数枚の基板Ｗが収納されたカセットＣ
が複数個が載置される。そして、インデクサロボットＩ
Ｒが基板Ｗを１枚ずつ取り出し、基板搬送ロボットＴＲ
との受け渡しを行う受渡部１０２に搬送する。基板搬送
ロボットＴＲは、受渡部１０２から基板Ｗを１枚ずつ受
け取り、複数の処理槽で構成される処理部１１０に基板
Ｗを順次に搬送する。複数の処理槽には、現像液や洗浄
液などの種々の処理液が収容されており、各処理槽で基
板Ｗに対する浸漬処理が行われる。そして、処理部１１
０の全ての処理槽で所定の浸漬処理が終了すると、基板
搬送ロボットＴＲは、図示しない後段の処理部等とのイ
ンターフェイス部分となる受渡部１０３に基板Ｗを搬送
する。

【００１４】＜２．基板搬送ロボットの構成＞次に、基
板搬送ロボットＴＲについて説明する。図２は、基板搬
送ロボットＴＲを示す斜視図である。

【００１５】図２の基板搬送ロボットＴＲは、搬送アー
ム１１をＸ軸およびＺ軸に沿って移動させることが可能
なように構成されている。Ｘ軸方向の移動は、ボールネ
ジ１６を回転させることによりＸ軸方向に設けられたガ
イドレール１７に沿って基台１９が移動する。また、Ｚ
軸方向の移動は、基台１９上にのモータ１８の駆動によ
りボールネジ１５が回転し、このボールネジ１５の回転
に伴って搬送アーム１１がＹ軸方向に伸びた状態で上昇
又は下降することが可能なように構成されている。

【００１６】また、搬送アーム１１の先端部にはシリン
ダ２１，２２が設けられており、各シリンダ２１，２２
にはフィンガ１２，１３が連接されている。そして、シ
リンダ２１を動作させることによりフィンガ１２をＺ軸
に沿って上昇および下降させることができ、シリンダ２
２を動作させることによりフィンガ１３をＺ軸に沿って
上昇および下降させることができる。各フィンガ１２，
１３の先端部には、基板Ｗを把持するための保持部材１
４が取り付けられており、フィンガ１２の保持部材１４
が基板Ｗの下部を保持し、フィンガ１３の保持部材１４
が基板Ｗの上部の２点を保持するように構成されてい
る。

【００１７】図２に示す基板搬送ロボットＴＲは、上記
のように動作し、基板ＷをＺ軸方向に立てた（縦姿勢）
状態で搬送するものである。

【００１８】＜３．処理槽の構成および動作＞次に、処
理対象の基板を処理液中に浸漬させる処理槽について説
明する。図３は、処理槽の構成を示す図である。図３に
示すように処理槽３０には、槽内に処理液を供給したり
槽内の処理液を排液したりするため管４１と、処理槽３
０に対してエアを供給したり、供給されたエアを排気す
るための管４２とが設けられている。

【００１９】処理液のための管４１は、処理液が供給さ
れる経路と処理液を排出する経路とに分岐している。そ
して、処理液が供給される経路には、ポンプ３２とフィ
ルタ３３とバルブ３４とが設けられている。バルブ３４
を開き、ポンプ３２が作動することによって、図示しな
い処理液供給源から処理液が処理槽３０に供給される。
なお、フィルタ３３によって処理液中の不純物が除去さ
れる。また、処理液を排出する経路には、バルブ３５が
設けられており、バルブ３５を開くことによって処理槽
中の処理液を排液することができる。

【００２０】エアの供給・排気のための管４２には、処
理槽３０に対してエアを供給又は排出するための給排ポ
ンプ３１が設けられている。この給排ポンプ３１を動作
させることにより、処理槽３０側にエアを供給したり、
又は処理槽３０側からエアを排出させたりすることが可
能となっている。

【００２１】処理槽３０の内部において基板を支持する
機構について説明する。図４は、処理槽３０の内部にお
いて基板を支持する機構を示す図である。処理槽３０の
内部には突起部５１が設けられており、突起部５１に複
数の保持ローラ５２が取り付けられている。当該保持ロ
ーラ５２は処理槽３０内で基板を保持する基板保持手段
として機能し、基板Ｗは、基板搬送ロボットＴＲによっ
て槽内に搬送されると、保持ローラ５２によって縦姿勢
で保持される。

【００２２】図４には、基板搬送ロボットＴＲのフィン
ガ１２，１３が処理槽３０内に基板を搬送した状態を示
しており、フィンガ１２，１３が保持ローラ５２に基板
Ｗを渡すと、フィンガ１２はシリンダ駆動により下方向
（−Ｚ方向）に動作し、フィンガ１３はシリンダ駆動に
より上方向（Ｚ方向）に動作する。

【００２３】次に、処理槽３０の平面図により処理槽３
０の動作について説明する。図５乃至図８は、処理槽３
０の平面断面図である。図５は、基板搬送ロボットが処
理対象の基板を処理槽３０内に搬送する前の段階を示し
ている。

【００２４】図５に示すように、処理槽３０の内部で基
板を保持する保持ローラ５２にはＶ字状の溝が形成され
ており、このＶ字溝に基板を挿入することにより、処理
槽３０内で基板を縦姿勢で保持することが可能となって
いる。また、処理槽３０の側面には上述のように給排ポ
ンプによって制御されるエアを流通させるための管４２
が設けられている。また、処理槽３０の内部において、
収容される基板の基板面と平行となる処理槽の側面の内
側には、それぞれ樹脂プレート５４が設けられている。
この樹脂プレート５４には処理液が浸透しない材質で形
成されたゴム状又は布状の膨張収縮膜５５が貼り付けら
れている。従って、処理槽３０内の処理液は膨張収縮膜
５５よりも外側には流出しない構成となっている。

【００２５】そして、図５に示す状態では、給排ポンプ
によりエアが処理槽３０側から排出されている。従っ
て、膨張収縮膜５５は、内部エアの圧力低下に伴って、
処理槽３０の内壁に吸い寄せられる形態となり、収縮す
る。このとき、図５に示すように樹脂プレート５４も処
理槽３０の内壁と密着した状態となる。そしてこの状態
で、処理対象の基板Ｗを把持した基板搬送ロボットのフ
ィンガ１２，１３が処理槽３０内に進入し、基板Ｗを保
持ローラ５２のＶ字溝に挿入する。

【００２６】そして、基板Ｗを保持ローラ５２に渡す
と、フィンガ１２，１３は（−Ｘ）方向に移動して図６
に示すような状態となる。この状態でフィンガ１２，１
３はＺ軸方向に移動して処理槽３０の内部から退避し
て、図７に示すような状態となる。

【００２７】そして、この図７に示す状態で、給排ポン
プにより管４２を介してエアを処理槽３０側に供給す
る。すると、膨張収縮膜５５は、内部エアの圧力上昇に
伴って、処理槽３０の内部において膨張する。そして、
この膨張に伴って、樹脂プレート５４も基板Ｗ側に移動
する。この状態が図８に示す状態を示している。

【００２８】図８に示すように膨張収縮膜５５が膨張し
た場合、樹脂プレート５４が基板Ｗと接触して基板Ｗを
破損しないようにするために、膨張ストッパ６０が設け
られている。膨張ストッパ６０は、糸状のものが複数設
けられており、それぞれ処理槽３０の内壁と樹脂プレー
ト５４とに接続されている。これにより、給排ポンプに
より管４２を介してエアを処理槽３０側に供給しても、
樹脂プレート５４が基板Ｗに接触することがなく、基板
Ｗを破損しないとともに、基板Ｗの表面に対して処理液
を略均等に接触させることができる。

【００２９】そして、基板Ｗに対する浸漬処理が終了す
ると、再び給排ポンプにより管４２を介してエアを処理
槽３０側から排出する。これにより、膨張収縮膜５５は
収縮するとともに、樹脂プレート５４も処理槽３０の内
壁と略密着した状態となり、図７に示すような状態に戻
る。この状態で、基板搬送ロボットのフィンガ１２，１
３が処理槽３０内に進入し、所定の浸漬処理の終了した
基板Ｗを搬出する。

【００３０】上記図７，図８で示した内容を処理槽３０
の側面から観た状態を、図９，図１０に示す。図９は、
上記図７と同一の状態を側面断面図で示した図であり、
図１０は、上記図８と同一の状態を側面断面図で示した
図である。

【００３１】まず、図９に示す状態では、管４２を介し
てエアが処理槽３０側から排出されるため、膨張収縮膜
５５は収縮し、樹脂プレート５４は処理槽３０の内壁に
略密着した状態となっている。このとき、基板Ｗに対し
て処理を施すための処理液７０は、図９に示すように処
理槽３０の下部に収容されており、その液面は、基板Ｗ
の下端よりも下方に位置するようになっている。従っ
て、図９のように基板Ｗが処理槽３０内に搬入されただ
けの状態では、未だ基板Ｗに対する浸漬処理は開始され
ていない。

【００３２】そして、この図９に示す状態から管４２を
介してエアを処理槽３０側に供給し、図１０に示すよう
な状態とする。すなわち、管４２よりエアを供給するこ
とにより、膨張収縮膜５５が膨張し、樹脂プレート５４
が基板Ｗに近接する状態となる。このように、膨張収縮
膜５５が膨張し、樹脂プレート５４が基板Ｗに対して接
近するに伴って、処理槽３０の実質的な容積が減少す
る。上記のように膨張収縮膜５５は処理液７０が浸透し
ない材質で形成されているため、膨張収縮膜５５が膨張
することによって処理槽３０の容積が減少すると、処理
液７０の液面が上昇する。この液面の上昇する位置を図
１０に示すように基板Ｗの上端よりも上方の位置となる
ようにすれば、基板Ｗの全面が処理液７０に触れるた
め、基板Ｗの浸漬処理を行うことができる。

【００３３】そして、基板Ｗの全面が処理液７０に浸漬
した状態で所定時間経過すると、所定の浸漬処理が終了
したことになり、管４２を介してエアを処理槽３０側か
ら排出することにより、膨張収縮膜５５を収縮させて処
理槽３０の容積を増大させ、処理液７０の液面を低下さ
せて基板Ｗを処理液中から開放する。

【００３４】また、膨張収縮膜５５の膨張する速度を高
速にすると、処理液７０の液面も高速に上昇し、基板Ｗ
の全体が略同時に処理液に触れ、浸漬処理が開始され
る。そして、処理終了時には、膨張収縮膜５５を高速に
収縮させると、処理液７０の液面も高速に下降し、基板
Ｗの全体が略同時に処理液７０の外部に取り出され、基
板Ｗに対する処理が終了する。従って、膨張収縮膜５５
の膨張・収縮する際の速度を速くするのに従って、基板
Ｗに対する処理ムラの低減を行うことができる。

【００３５】このように、この実施の形態では、膨張収
縮膜５５が膨張又は収縮することにより、処理槽３０の
内部の容積を可変する容積可変手段として機能する。そ
して、処理槽３０の内部の容積を可変することにより、
処理液の液面を上昇させたり下降させたりすることがで
き、少量の処理液でも液面を上昇させることによって基
板Ｗに対する浸漬処理を行うことができる。従って、こ
の実施の形態に示した基板処理装置では、基板Ｗの処理
槽３０への搬入搬出を容易にすることができ、且つ大量
の処理液を必要とせず、コストの低減を図ることができ
る。

【００３６】なお、以上に説明した動作による方法で
は、あらかじめ処理槽３０の内部に処理液を収容してお
き、処理槽３０の内部の容積を増大または減少させるこ
とで処理液の液面を上昇または下降させることにより、
基板Ｗの処理液への浸漬を制御していたが、上記の装置
を用いて他の方法で処理を行うことができる。すなわ
ち、あらかじめ管４２を介してエアが処理槽３０側から
排出された状態として樹脂プレート５４を処理槽３０の
内壁に略密着した状態とし、かつ処理槽３０から処理液
を完全に排出しておく。そして、基板搬送ロボットＴＲ
によって基板Ｗを処理槽３０の内部に収容する。次に、
管４２を介してエアを処理槽３０側へ供給し、膨張収縮
膜５５を膨張させて処理槽３０の内部の容積を減少させ
る。そしてその後にバルブ３４を開いて処理槽３０へ処
理液を供給して基板Ｗを処理液に浸漬させる。このと
き、処理槽３０の容積は既に小さくなっているから、少
量の処理液を供給するだけで基板Ｗは完全に処理液に浸
漬されて処理液の消費が少なくてすむと共に、短時間で
基板Ｗ全体が浸漬されて処理ムラが抑制される。

【００３７】そして、処理が終了すると、バルブ３５を
開き、処理槽３０から処理液を排出する。処理液が排出
されると、管４２を介してエアを処理槽３０側から排出
し、樹脂プレート５４を処理槽３０の内壁に略密着した
状態として処理槽３０の内部の容積を増大させる。しか
る後に、基板搬送ロボットＴＲにより基板Ｗを処理槽３
０の内部から搬出する。この方法によっても、同様に、
基板Ｗの処理槽３０への搬入搬出を容易にすることがで
きるとともに、大量の処理液を必要とせず、コストの低
減を図ることができる。

【００３８】＜４．変形例＞この発明は、上記説明した
内容以外にも、図１１，図１２に示すような処理槽３０
にも適用することができる。すなわち、図１１，図１２
に示す処理槽３０は、容積可変手段として膨張収縮する
機構ではなく、所定の容積を規定するように立体成型さ
れたプレート部材８５を処理槽３０の内部に押し出すよ
うな機構が採用されている。そして図１１は処理槽３０
の容積が大きい状態を示し、図１２は処理槽３０の容積
を低下させた状態を示している。

【００３９】まず、図１１に示すように、処理槽３０の
下部に処理液７０を収容する。なお、処理液７０の量
は、液面が基板Ｗの下端よりも下方となる程度の少量と
する。そして、この状態で、処理槽３０の内壁に設けら
れた２つのプレート部材８５を処理槽３０の内部側にそ
れぞれ押し出す。この押し出しの動作は、プレート部材
８５の外側に設けられたシリンダ８１によって行われ
る。すなわち、シリンダ８１が駆動することによって、
シリンダロッド８２が伸び、プレート部材８５が処理槽
３０の内部側に移動し、処理槽３０の容積が小さくな
る。この状態が、図１２に示す状態である。

【００４０】図１２に示すように、シリンダロッド８２
が伸び処理槽３０の容積が減少すると、処理液７０の液
面が上昇し、基板Ｗの上端よりも上方に位置するように
なる。この状態では、基板Ｗの全体が処理液７０に触れ
るため、基板Ｗの浸漬処理を行うことができる。そし
て、所定の時間が経過すると、シリンダ８１を上記と逆
方向に駆動し、プレート部材８５を退避させ、処理槽３
０の容積を再び増大させる。これにより、基板Ｗが処理
液７０から開放され、浸漬処理が終了する。

【００４１】この図１１，図１２に示す処理槽３０にお
いてもシリンダ８１の駆動を高速にすると、処理液７０
の液面も高速に上昇又は下降し、基板Ｗの全体が略同時
に処理液７０に触れたり、処理液７０から開放されたり
する。従って、膨張収縮膜５５の膨張・収縮する際の速
度を速くするのに従って、基板Ｗに対する処理ムラの低
減を行うことができる。

【００４２】このように、この実施の形態の変形例にお
いては、シリンダ８１の駆動によるプレート部材８５が
処理槽３０の内部の容積を可変する容積可変手段として
機能する。そして処理槽３０の内部の容積を可変するこ
とにより、処理液の液面を上昇させたり下降させたりす
ることができ、少量の処理液でも液面を上昇させること
などによって基板Ｗに対する浸漬処理を行うことができ
る。従って、この実施の形態の変形例に示した処理槽３
０を適用した基板処理装置でも、大量の処理液を必要と
せず、コストの低減を図ることができる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明によれば、内部に処理液を収容し、基板に浸漬処理
を施す処理槽と、処理槽の内部で基板を保持する基板保
持手段と、処理槽の内部の容積を可変する容積可変手段
とを備えるため、処理槽への基板の搬入搬出時には処理
槽の容積を増大させて搬入搬出動作を容易に行うことが
でき、また処理時においては処理槽の容積を減少させて
少量の処理液でも基板を浸漬させることができ、大量の
処理液を必要とせず、コストの低減を図ることができ
る。

【００４４】請求項２に記載の発明によれば、容積可変
手段は膨張収縮することにより処理槽の内部の容積を可
変するものであるため、処理槽への基板の搬入搬出時に
は処理槽の容積を増大させて搬入搬出動作を容易に行う
ことができ、また処理時においては処理槽の容積を減少
させて少量の処理液でも基板を浸漬させることができ、
基板に対する浸漬処理を行うことができる。

【００４５】請求項３に記載の発明によれば、容積可変
手段は、立体成型されたプレート部材と、処理槽の内部
に対してプレート部材を進退駆動させる駆動手段とを備
えるため、プレート部材を進退駆動させることによって
処理槽の内部の容積を可変させることができ、この容積
の変化に伴って、処理槽への基板の搬入搬出時には処理
槽の容積を増大させて搬入搬出動作を容易に行うことが
でき、また処理時においては処理槽の容積を減少させて
少量の処理液でも基板を浸漬させることができ、基板に
対する浸漬処理を行うことができる。

【００４６】請求項４に記載の発明によれば、基板を処
理槽の内部の液面よりも上方の位置に基板を収容する工
程と、処理槽の内部の容積を減少させることにより処理
液の液面を上昇させて基板を処理液に浸漬させる工程と
を有するため、少量の処理液でも基板に対する浸漬処理
を開始することができる。

【００４７】請求項５に記載の発明によれば、処理槽の
内部の容積を増大させることにより処理液の液面を下降
させて基板を処理液の液面よりも上方に位置させる工程
を有するため、基板に対する浸漬処理を終了することが
できる。

【００４８】請求項６に記載の発明によれば、処理槽へ
の基板の搬入搬出時には処理槽の容積を増大させて搬入
搬出動作を容易に行うことができ、また処理時において
は処理槽の容積を減少させて少量の処理液でも基板を浸
漬させて処理することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態における基板処理装置の
全体構成図である。

【図２】この発明の実施の形態における基板搬送ロボッ
トを示す斜視図である。

【図３】この発明の実施の形態における処理槽の構成を
示す図である。

【図４】この発明の実施の形態における処理槽内部の基
板を支持する機構を示す図である。

【図５】この発明の実施の形態における処理槽の平面断
面図である。

【図６】この発明の実施の形態における処理槽の平面断
面図である。

【図７】この発明の実施の形態における処理槽の平面断
面図である。

【図８】この発明の実施の形態における処理槽の平面断
面図である。

【図９】この発明の実施の形態における処理槽の側面断
面図である。

【図１０】この発明の実施の形態における処理槽の側面
断面図である。

【図１１】この発明の実施の形態における処理槽の変形
例を示す側面断面図である。

【図１２】この発明の実施の形態における処理槽の変形
例を示す側面断面図である。

【符号の説明】

１２，１３フィンガ３０処理槽３１給排ポンプ３２バルブ３３フィルタ３４，３５バルブ４１，４２管５１突起部５２保持ローラ５４樹脂プレート５５膨張収縮膜６０膨張ストッパ７０処理液８１シリンダ８５プレート部材ＴＲ基板搬送ロボットＷ基板

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/306 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理対象の基板を処理液に浸漬させて所
定の処理を行う装置であって、 (a) 内部に処理液を収容し、基板に浸漬処理を施す処理
槽と、 (b) 前記処理槽の内部で基板を保持する基板保持手段
と、 (c) 前記処理槽の内部の容積を可変する容積可変手段
と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の装置において、前記容積可変手段は、膨張収縮することにより前記容積
を可変することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】請求項１に記載の装置において、前記容積可変手段は、 (c-1) 立体成型されたプレート部材と、 (c-2) 前記処理槽の内部に対して前記プレート部材を進
退駆動させる駆動手段と、を備えることを特徴とする基
板処理装置。
【請求項４】処理対象の基板を処理液に浸漬させて所
定の処理を行う方法であって、 (a) 基板を処理槽の内部の液面よりも上方の位置に基板
を収容する工程と、 (b) 前記処理槽の内部の容積を減少させることにより前
記処理液の液面を上昇させて前記基板を前記処理液に浸
漬させる工程と、を有することを特徴とする基板処理方
法。
【請求項５】請求項４に記載の方法において、さら
に、 (c) 前記処理槽の内部の容積を増大させることにより前
記処理液の液面を下降させて前記基板を前記処理液の液
面よりも上方に位置させる工程、を有することを特徴と
する基板処理方法。
【請求項６】処理対象の基板を処理液に浸漬させて所
定の処理を行う方法であって、 (a) 基板を処理槽の内部に収容する工程と、 (b) 前記処理槽の内部の容積を減少させる工程と、 (c) 前記処理槽へ処理液を供給して前記基板を処理液に
浸漬させる工程と、 (d) 前記処理槽から処理液を排出する工程と、 (e) 前記処理槽の内部の容積を増大させる工程と、 (f) 前記基板を処理槽の内部から搬出する工程と、を有
することを特徴とする基板処理方法。