KR20160019379A - 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 - Google Patents

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따르면, 기판을 양호하게 액처리할 수 있는 기판 액처리 장치가 제공된다. 본 발명에서는, 기판(2)을 처리액으로 처리하는 액처리부(3)와, 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부(4), 그리고 상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부(5)를 갖는 기판 액처리 장치(1)에 있어서, 상기 처리액의 농도와 대기압을 검출시키고, 검출된 상기 처리액의 농도가 미리 설정된 농도(설정 농도)가 되도록 상기 희석액 공급부(5)로부터 공급하는 상기 희석액의 양을 제어시키는 것으로 하고, 상기 설정 농도를, 검출된 대기압에 따라서 보정시키는 것으로 했다.

Description

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS AND METHOD, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM STORED WITH SUBSTRATE LIQUID PROCESSING PROGRAM}
본 발명은, 처리액을 이용하여 기판을 액처리하는 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 부품이나 플랫 패널 디스플레이 등을 제조할 때에는, 기판 액처리 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판에 대하여 에칭액 등의 처리액을 이용하여 에칭 등의 처리를 한다.
예를 들면, 특허문헌 1에 개시된 기판 액처리 장치에서는, 처리조에 저류한 처리액(에칭액 : 인산 수용액)에 기판을 침지시켜, 기판의 표면에 형성한 질화막을 에칭하는 처리를 행한다.
이 기판 액처리 장치에서는, 처리액으로서 인산을 순수(純水)로 미리 정해진 농도로 희석한 인산 수용액을 이용하고 있다. 그리고, 기판 액처리 장치에서는, 인산 수용액을 미리 정해진 농도로 할 때에 인산을 순수로 희석한 인산 수용액을 미리 정해진 온도로 가열하여 비등시켜, 인산 수용액의 농도를 그 온도(비점)에서의 농도가 되도록 하고 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2013-93478호 공보
기판을 처리하는 처리액의 농도는 대기압의 영향을 받는다. 예를 들면, 대기압이 저하되면, 처리액의 비점이 저하되고, 처리액의 비점보다 높은 온도로 가열되기 때문에 처리액 중의 희석액(여기서는 순수)의 증발량이 증가해 버려 처리액의 농도가 증가한다. 그 때문에, 기판을 처리하는 처리액의 농도를 일정하게 하기 위해서는, 처리액에 보다 많은 희석액을 공급할 필요가 있다.
그런데, 희석액의 공급량을 증대시키면, 희석액이 과대하게 비등해 버려, 기판을 양호하게 액처리할 수 없게 될 우려가 있다.
따라서, 본 발명에서는, 기판 액처리 장치에 있어서, 기판을 처리액으로 처리하는 액처리부와, 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부와, 상기 희석액 공급부를 제어하는 제어부와, 상기 처리액의 농도를 검출하는 농도 검출부, 그리고 대기압을 검출하는 대기압 검출부를 가지며, 상기 제어부는, 상기 농도 검출부와 대기압 검출부로부터의 신호를 취득하고, 취득한 상기 처리액의 농도가 미리 설정된 농도(설정 농도)가 되도록 상기 희석액 공급부로부터 공급하는 상기 희석액의 양을 제어하는 것으로 하고, 상기 설정 농도를, 취득한 대기압에 따라서 보정하는 것으로 했다.
또한, 상기 처리액 공급부는, 상기 처리액을 미리 정해진 온도로 비등시킴으로써 상기 처리액의 농도를 상기 미리 정해진 온도에서의 농도로서 상기 액처리부에 공급하도록 구성하고, 상기 제어부는, 상기 설정 농도를 미리 설정된 대기압에서의 상기 미리 정해진 온도의 농도로 하는 것으로 했다.
또한, 상기 제어부는, 상기 설정 농도를, 취득한 대기압에서의 상기 처리액의 비점에 대응하는 상기 처리액의 농도로 보정하는 것으로 했다.
또한, 상기 희석액으로서, 상기 처리액보다 비점이 낮은 액체를 이용하는 것으로 했다.
또한, 상기 제어부는, 상기 설정 농도를 보정한 경우에, 보정한 농도에 따라서 상기 액처리부에서 상기 기판을 처리하는 시간을 변경하는 것으로 했다.
또한, 본 발명에서는, 기판 액처리 방법에 있어서, 기판을 처리하는 처리액의 농도와 대기압을 검출하고, 검출한 상기 처리액의 농도가 미리 설정된 농도(설정 농도)가 되도록 상기 처리액을 희석액으로 희석하여 상기 기판을 처리하는 것으로 하고, 상기 설정 농도를, 검출한 대기압에 따라서 보정하는 것으로 했다.
또한, 상기 처리액을 미리 정해진 온도로 비등시킴으로써 상기 처리액의 농도를 상기 미리 정해진 온도에서의 농도로서 상기 기판에 공급하여 상기 기판을 처리하는 것으로 하고, 상기 설정 농도를, 미리 설정된 대기압에서의 상기 미리 정해진 온도의 농도로 하는 것으로 했다.
또한, 상기 설정 농도를, 검출한 대기압에서의 상기 처리액의 비점에 대응하는 상기 처리액의 농도로 보정하는 것으로 했다.
또한, 상기 희석액으로서, 상기 처리액보다 비점이 낮은 액체를 이용하는 것으로 했다.
또한, 상기 설정 농도를 보정한 경우에, 보정한 농도에 따라서 상기 액처리부에서 상기 기판을 처리하는 시간을 변경하는 것으로 했다.
또한, 본 발명에서는, 기판을 처리액으로 처리하는 액처리부와, 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부를 갖는 기판 액처리 장치를 이용하여 상기 기판을 액처리하는 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서, 상기 처리액의 농도와 대기압을 검출시키고, 검출된 상기 처리액의 농도가 미리 설정된 농도(설정 농도)가 되도록 상기 희석액 공급부로부터 공급하는 상기 희석액의 양을 제어시키는 것으로 하고, 상기 설정 농도를, 검출된 대기압에 따라서 보정시키는 것으로 했다.
본 발명에서는, 대기압이 변동하더라도 기판의 액처리를 양호하게 행할 수 있다.
도 1은 기판 액처리 장치를 나타내는 설명도.
도 2는 기판 액처리 프로그램을 나타내는 플로우차트.
도 3은 기판 액처리 장치를 나타내는 동작 설명도.
도 4는 기판 액처리 장치를 나타내는 동작 설명도.
이하에, 본 발명에 따른 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램의 구체적인 구성에 관해 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 기판 액처리 장치(1)는, 기판(2)을 처리액으로 처리하는 액처리부(3)와, 액처리부(3)에 처리액을 공급하는 처리액 공급부(4)와, 처리액을 희석하기 위한 희석액을 액처리부(3)에 공급하는 희석액 공급부(5)와, 액처리부(3)로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출부(6), 그리고 이들 액처리부(3), 처리액 공급부(4), 희석액 공급부(5) 및 처리액 배출부(6)를 제어하는 제어부(7)를 갖는다.
액처리부(3)는, 기판(2)을 처리액으로 처리하는 액처리실(8)과, 액처리실(8)에 기판(2)을 반송하는 기판 반송 기구(9)를 갖는다.
액처리실(8)은, 상단부를 개구시킨 처리조(10)의 상단 외주부에 상단부를 개구시킨 오버플로우조(11)를 형성한다.
기판 반송 기구(9)는, 승강 가능한 아암(12)의 하단부에 복수 장의 기판(2)을 수직으로 나열하여 지지하는 기판 지지체(13)를 부착하고 있다. 기판 반송 기구(9)는 제어부(7)에 의해 승강 제어된다.
그리고, 액처리부(3)는, 처리조(10)에 처리액을 저류하고, 기판 반송 기구(9)를 이용하여 기판(2)을 처리액에 침지시킴으로써, 기판(2)을 처리액으로 처리한다. 또, 처리조(10)로부터 흘러 넘친 처리액은 오버플로우조(11)에 유입된다. 오버플로우조(11) 내부의 처리액은, 후술하는 바와 같이 다시 처리조(10)에 공급된다.
처리액 공급부(4)는, 액처리실(8)의 오버플로우조(11)에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유로(14)와, 오버플로우조(11)로부터 처리조(10)로 처리액을 순환시키는 처리액 순환 유로(15)를 갖는다.
처리액 공급 유로(14)는, 기단부에 처리액 공급원(여기서는 인산의 공급원)(16)이 설치되고, 중도부에 유량 조정기(17)가 설치되어 있다. 유량 조정기(17)는 제어부(7)에 의해 유량 제어된다.
처리액 순환 유로(15)는, 중도부에 상류측(오버플로우조(11)측)으로부터 순서대로 펌프(18)와, 히터(19)와, 필터(20), 그리고 농도 센서(21)(농도 검출부)가 설치되어 있다. 펌프(18)와 히터(19)는 제어부(7)에 의해 구동 제어된다. 또한, 농도 센서(21)는 제어부(7)에 접속되며, 처리액 순환 유로(15)를 흐르는 처리액의 농도를 검출하여 제어부(7)에 통지한다.
그리고, 처리액 공급부(4)는 처리액 공급원(16)으로부터 처리액을 처리액 공급 유로(14)를 통해 오버플로우조(11)에 공급하고, 오버플로우조(11)의 처리액을 처리액 순환 유로(15)를 통해 순환시켜 처리조(10)에 공급한다. 그 때, 처리액을 히터(19)에 의해 미리 정해진 온도로 가열한다.
희석액 공급부(5)는, 액처리실(8)의 오버플로우조(11)에 희석액을 공급하는 희석액 공급 유로(22)를 갖는다.
희석액 공급 유로(22)는, 기단부에 희석액 공급원(여기서는, 순수의 공급원)(23)이 설치되고, 중도부에 유량 조정기(24)가 설치되어 있다. 유량 조정기(24)는 제어부(7)에 의해 유량 제어된다.
그리고, 희석액 공급부(5)는, 희석액 공급원(23)으로부터 희석액을 희석액 공급 유로(22)를 통해 오버플로우조(11)로 공급한다. 또, 오버플로우조(11)에 공급된 희석액은, 오버플로우조(11)로부터 처리조(10)로 처리액 순환 유로(15)를 통해 처리액과 함께 공급된다. 그 때, 처리액과 희석액이 혼합되고, 처리액이 희석액으로 희석된다.
처리액 배출부(6)는, 액처리실(8)의 처리조(10)의 바닥부에 처리액을 배출하는 처리액 배출 유로(25)를 갖는다.
처리액 배출 유로(25)는, 중도부에 개폐 밸브(26)가 설치되고, 선단부가 외부의 드레인에 접속되어 있다. 개폐 밸브(26)는 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다.
그리고, 처리액 배출부(6)는, 처리조(10)에 저류된 처리액을 처리액 배출 유로(25)를 통해 외부의 드레인으로 배출한다.
제어부(7)는, 컴퓨터로 이루어지며, 컴퓨터가 판독 가능한 기억 매체(27)에 기억한 기판 액처리 프로그램에 따라서 기판 액처리 장치(1)를 제어하여, 기판(2)의 액처리를 행한다. 이 제어부(7)에는, 대기압을 검출하기 위한 대기압 센서(28)(대기압 검출부)가 접속되어 있다. 제어부(7)는, 농도 센서(21)나 대기압 센서(28)로부터 검출된 농도나 대기압에 대응하는 신호를 취득한다. 또, 기억 매체(27)는, 기판 액처리 프로그램 등의 각종 프로그램을 기억할 수 있는 매체이면 되며, ROM이나 RAM 등의 반도체 메모리형의 기억 매체이어도 좋고 하드디스크나 CD-ROM 등의 디스크형의 기억 매체이어도 좋다.
기판 액처리 장치(1)는, 기판(2)을 액처리실(8)에 반입하는 기판 반입 공정과, 액처리실(8)에서 기판(2)을 액처리하는 기판 액처리 공정과, 기판(2)을 액처리실(8)로부터 반출하는 기판 반출 공정을 순서대로 반복하여 실행하여, 기판(2)의 액처리를 행한다.
여기서, 기판 반입 공정에서는, 제어부(7)에 의해 아암(12)을 상승시켜, 기판 지지체(13)로 기판(2)을 수취하고, 그 후 아암(12)을 강하시켜, 기판 지지체(13)로 지지한 기판(2)을 처리조(10)의 내부에 반입한다.
또한, 기판 액처리 공정에서는, 제어부(7)에 의해 아암(12)을 미리 정해진 시간 동안 정지시킨 상태로 유지시켜, 처리조(10)에 저류된 처리액에 기판(2)을 미리 정해진 시간 동안 침지시킨다. 이에 따라, 기판(2)은 처리액으로 액처리된다.
또한, 기판 반출 공정에서는, 제어부(7)에 의해 아암(12)을 상승시켜, 기판 지지체(13)로 지지한 기판(2)을 처리조(10)의 외부로 반출한다.
그리고, 기판 액처리 장치(1)에서는, 상기 기판 액처리 공정을 행할 때(최초로 기판 액처리 공정을 행하기 전이나, 반복하여 기판 액처리 공정을 행한 후의, 기판 반입 공정을 행하기 전)에, 미리 정해진 농도로 조정한 처리액을 처리조(10)에 저류한다.
처리액의 농도 조정은, 도 2에 나타내는 기판 액처리 프로그램에 따라서 실행된다. 처리액의 농도 조정을 실행할 때에는, 미리 기준이 되는 대기압(설정 대기압), 처리액의 온도(설정 온도), 처리액의 농도(설정 농도)를 설정해 둔다. 여기서는, 기준이 되는 대기압으로서 1013 hPa, 처리액의 온도로서 온도 T1(1013 hPa에서의 처리액의 비점), 처리액의 농도로서 농도 C1(1013 hPa, 온도 T1에서의 처리액의 농도)로 설정한다.
기판 액처리 프로그램에서는, 처리액의 농도를 농도 센서(21)로 검출한다(농도 검출 단계 S1). 또한, 대기압을 대기압 센서(28)로 검출한다(대기압 검출 단계 S2).
그 때, 기판 액처리 장치(1)는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 처리액 공급부(4)의 처리액 공급 유로(14)로부터 액처리부(3)의 오버플로우조(11)에 처리액을 공급하고, 오버플로우조(11)와 처리조(10) 사이에서 처리액을 처리액 순환 유로(15)를 통해 순환시킨다.
다음으로, 대기압 검출 단계 S2에서 검출된 대기압(검출 대기압)과 미리 설정된 대기압(설정 대기압)이 상이한지 아닌지를 비교한다(대기압 비교 단계 S3). 여기서, 검출 대기압과 설정 대기압이 동일한 경우에 한정되지 않고, 검출 대기압이 설정 대기압에 대하여 미리 설정한 미리 정해진 범위 내(예를 들면 ±5 hPa 이내)라 하더라도, 검출 대기압과 설정 대기압이 상이하지 않다고 판단해도 좋다.
대기압 비교 단계 S3에 있어서, 검출 대기압과 설정 대기압이 상이하다고 판단된 경우에는, 검출 대기압에 따라서 설정 농도를 보정(변경)한다(설정 농도 보정 단계 S4).
이 설정 농도 보정 단계 S4에서는, 미리 대기압과 보정하는 농도를 대응시킨 대응표를 작성해 두고, 대응표를 따라서 설정 농도를 보정할 수 있다. 또, 대응표는, 대기압에 따라서 농도가 연속적으로 변화하도록 해도 좋고, 또는 대기압에 따라서 농도가 단계적으로 변화하도록 해도 좋다. 여기서는, 검출 대기압이 설정 대기압보다 10 hPa 높은 경우에는, 처리액의 비점이 온도 T1보다 높은 온도 T2가 되어, 그 때의 처리액의 농도가 농도 C1보다 낮은 농도 C2가 되기 때문에, 그 농도 C2로 설정 농도를 보정한다. 한편, 검출 대기압이 설정 대기압보다 10 hPa 낮은 경우에는, 처리액의 비점이 온도 T1보다 낮은 온도 T3이 되어, 그 때의 처리액의 농도가 농도 C1보다 높은 농도 C3이 되기 때문에, 그 농도 C3으로 설정 농도를 보정한다. 또, 설정 농도를 보정한 경우에는, 그 보정후의 설정 농도에 대응한 처리 시간으로 변경하여 기판 액처리 공정에 있어서 기판(2)을 보정후의 설정 농도의 처리액으로 처리하도록 해도 좋다.
다음으로, 농도 검출 단계 S1에서 검출된 처리액의 농도(검출 농도)와 미리 설정된 처리액의 농도(설정 농도)가 상이한지 아닌지를 비교한다(농도 비교 단계 S5). 여기서, 검출 농도와 설정 농도가 동일한 경우에 한정되지 않고, 검출 농도가 설정 농도에 대하여 미리 설정한 미리 정해진 범위 내(예를 들면 ±0.02 wt% 이내)라 하더라도, 검출 농도와 설정 농도가 상이하지 않다고 판단해도 좋다.
농도 비교 단계 S5에 있어서, 검출 농도와 설정 농도가 상이하다고 판단된 경우에는, 검출 농도와 설정 농도의 차로부터 산출한 양의 희석액을 희석액 공급부(5)로부터 공급한다(희석액 공급 단계 S6). 또, 검출 농도와 설정 농도가 상이하지 않다고 판단될 때까지 희석액 공급부(5)로부터 일정량의 희석액을 계속 공급해도 좋다.
그 때, 기판 액처리 장치(1)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 희석액 공급부(5)의 희석액 공급 유로(22)로부터 액처리부(3)의 오버플로우조(11)에 희석액을 공급하고, 오버플로우조(11)와 처리조(10) 사이에서 희석액을 처리액과 함께 처리액 순환 유로(15)를 통해 순환시켜, 처리액을 희석액으로 희석한다.
이에 따라, 기판 액처리 장치(1)에서는, 기판(2)을 처리하는 처리액의 농도를 미리 정해진 농도로 조정할 수 있다.
이와 같이, 기판 액처리 프로그램에서는, 설정 농도 보정 단계 S4에 있어서 설정 농도를 검출 대기압에 따라서 보정한다. 설정 농도의 보정은, 미리 검출 대기압에 대응하는 보정후의 설정 농도를 결정해 두고, 그 설정 농도로 보정해도 좋고, 또한 검출 대기압에서의 처리액의 비점에 대응하는 농도(예를 들면 포화 농도)로 보정해도 좋다. 또한, 검출 대기압이 설정 대기압에 대하여 증가 및 저하한 경우에 설정 농도를 보정해도 좋지만, 검출 대기압이 설정 대기압에 대하여 저하한 경우에만 설정 농도를 보정하도록 해도 좋다. 이에 따라, 특히 희석액으로서 처리액보다 비점이 낮은 액체를 이용하는 경우에는, 희석액의 과잉 비등을 방지할 수 있다.
이상에 설명한 바와 같이, 상기 기판 액처리 장치(1)에서 실행하는 기판 액처리 프로그램에 기초하여 기판 액처리 방법에서는, 검출 대기압에 따라서 처리액의 설정 농도를 보정하여 희석액으로 희석함으로써, 대기압에 변동이 생기더라도 처리액을 과잉으로 비등시키지 않고, 기판(2)을 양호하게 액처리할 수 있다.
1 : 기판 액처리 장치
2 : 기판
3 : 액처리부
4 : 처리액 공급부
5 : 희석액 공급부
6 : 처리액 배출부
7 : 제어부
21 : 농도 센서(농도 검출부)
28 : 대기압 센서(대기압 검출부)

Claims (11)

  1. 기판을 처리액으로 처리하는 액처리부와,
    상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부와,
    상기 희석액 공급부를 제어하는 제어부와,
    상기 처리액의 농도를 검출하는 농도 검출부, 그리고
    대기압을 검출하는 대기압 검출부
    를 가지며,
    상기 제어부는, 상기 농도 검출부와 대기압 검출부로부터 처리액의 농도와 대기압을 취득하고, 취득한 상기 처리액의 농도가 미리 설정된 농도(설정 농도)가 되도록 상기 희석액 공급부로부터 공급하는 상기 희석액의 양을 제어하는 것으로 하고, 상기 설정 농도를, 취득한 대기압에 따라서 보정하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리액 공급부는, 상기 처리액을 미리 정해진 온도로 비등시킴으로써 상기 처리액의 농도를 상기 미리 정해진 온도에서의 농도로서 상기 액처리부에 공급하도록 구성하고,
    상기 제어부는, 상기 설정 농도를, 미리 설정된 대기압에서의 상기 미리 정해진 온도의 농도로 하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 설정 농도를, 취득한 대기압에서의 상기 처리액의 비점에 대응하는 상기 처리액의 농도로 보정하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 희석액으로서, 상기 처리액보다 비점이 낮은 액체를 이용하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 설정 농도를 보정한 경우에, 보정한 농도에 따라서 상기 액처리부에서 상기 기판을 처리하는 시간을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  6. 기판을 처리하는 처리액의 농도와 대기압을 검출하고,
    검출한 상기 처리액의 농도가 미리 설정된 농도(설정 농도)가 되도록 상기 처리액을 희석액으로 희석하여 상기 기판을 처리하는 것으로 하고,
    상기 설정 농도를, 검출한 대기압에 따라서 보정하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 처리액을 미리 정해진 온도로 비등시킴으로써 상기 처리액의 농도를 상기 미리 정해진 온도에서의 농도로서 상기 기판에 공급하여 상기 기판을 처리하는 것으로 하고,
    상기 설정 농도를, 미리 설정된 대기압에서의 상기 미리 정해진 온도의 농도로 하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 설정 농도를, 검출한 대기압에서의 상기 처리액의 비점에 대응하는 상기 처리액의 농도로 보정하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 희석액으로서, 상기 처리액보다 비점이 낮은 액체를 이용하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  10. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 설정 농도를 보정한 경우에, 보정한 농도에 따라서 상기 액처리부에서 상기 기판을 처리하는 시간을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  11. 기판을 처리액으로 처리하는 액처리부와,
    상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부, 그리고
    상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부
    를 갖는 기판 액처리 장치를 이용하여 상기 기판을 액처리하는 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,
    상기 처리액의 농도와 대기압을 검출시키고, 검출된 상기 처리액의 농도가 미리 설정된 농도(설정 농도)가 되도록 상기 희석액 공급부로부터 공급하는 상기 희석액의 양을 제어시키는 것으로 하고, 상기 설정 농도를, 검출된 대기압에 따라서 보정시키는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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