CN111370294B - 采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器。该方法包括：第一容器的第一清洗步骤，在第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理；第二容器的准备步骤，控制向存在处于预定状态的化学试剂的第二容器中通入化学试剂的原料；第二容器的清洗步骤，在第一容器中的化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且第二容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第二容器中的化学试剂对晶圆进行处理。该方案缩短了混酸的时间，减少了暂停等待处理的时间，使得采用化学试剂对晶圆的处理时间大大缩短，从而提高了化学试剂对晶圆的处理效率，提高了WPH较低。

Description

采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器。

背景技术

半导体芯片生产工艺中，很多制作步骤之后，都需要采用一些混合试剂对晶圆进行处理，比如采用DSP试剂对晶圆进行清洗处理，通常，这些化学试剂的用量大。然而，现有技术中，采用化学试剂对晶圆处理花费的时间较长，处理效率较低，每小时的出片量(WaferPer Hour，简称WPH)低。这是因为处理过程中，化学试剂需要调配至预定状态(包括预定浓度和/或预定温度范围)，且调配所需的时间较长，所以wafer在实际处理过程中，部分的时间花费在等待化学试剂调配至预定状态的过程中。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器，以解决现有技术中的采用DSP实际对晶圆进行处理的方法的效率较低的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的方法，所述化学试剂在多个容器中形成，多个所述容器包括第一容器和第二容器，所述方法包括：第一容器的第一清洗步骤，在所述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对晶圆进行处理；第二容器的准备步骤，控制向存在处于所述预定状态的所述化学试剂的所述第二容器中通入所述化学试剂的原料；第二容器的清洗步骤，在所述第一容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且所述第二容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第二容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。

进一步地，所述方法还包括：第一容器的准备步骤，不排空所述第一容器中的所述化学试剂，控制直接向所述第一容器中通入所述化学试剂的原料；第一容器的第二清洗步骤，在所述第二容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于所述预定体积且所述第一容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。

进一步地，所述方法还包括：依次重复执行所述第二容器的准备步骤、所述第二容器的清洗步骤、所述第一容器的准备步骤以及所述第一容器的第二清洗步骤至少一次，直到所有的所述晶圆经过化学试剂处理。

进一步地，所述预定状态包括预定温度范围，在所述容器中的所述化学试剂处于所述预定状态之后，所述方法还包括：获取所述容器内的所述化学试剂的温度；在所述温度未处于所述预定温度范围内的情况下，采用温控设备对所述容器中的所述原料的温度进行调节，使得所述化学试剂在所述预定温度范围内。

进一步地，所述化学试剂为DSP试剂，所述DSP试剂的原料包括硫酸、双氧水、氢氟酸以及去离子水。

进一步地，在所述容器中通入所述原料之后，在所述容器中的所述化学试剂处于所述预定状之前，所述方法还包括：采用冷却剂对所述容器中的所述化学试剂进行冷却，以使得所述化学试剂的温度处于所述预定温度范围内。

进一步地，所述冷却剂包括乙二醇。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的装置，其中，所述化学试剂在多个容器中形成，多个所述容器包括第一容器和第二容器，所述装置包括：第一控制单元，用于在所述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对晶圆进行处理；第二控制单元，用于控制向存在处于所述预定状态的所述化学试剂的所述第二容器中通入所述化学试剂的原料；第三控制单元，用于在所述第一容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且所述第二容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第二容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。

根据本申请的再一方面，提供了一种存储介质，所述存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的采用化学试剂对晶圆处理的方法。

根据本申请的又一方面，提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的采用化学试剂对晶圆处理的方法。

应用本申请的技术方案，相比于现有技术中的在处理完晶圆后，排空容器中剩余的化学试剂的方法来说，该方案中，并不排空容器中的剩余化学试剂，这样，在进行晶圆的处理之前，第二容器中就存在处于预定状态的一定体积的化学试剂，在后续的晶圆处理过程中，再向第二容器中通入化学试剂且使得容器内的化学时间达到预定状态的时间缩短；并且，该方案中，在第一容器中的化学试剂小于或者等于预定体积时，并不控制停止采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，且随后排空第一容器中的化学试剂，等待第二容器中的化学试剂达到预定状态；而是在第二容器中的化学试剂未达到预定状态的情况下，仍然采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，直到第二容器中的化学试剂处于预定状态时停止，切换成第二容器的化学试剂对晶圆进行处理，相对于现有技术中的暂停排出第一容器中的化学试剂的方案来说，缩短了化学试剂处理晶圆的时间，并且，由于第二容器中的化学试剂达到预定状态的时间大大缩短，这样使得第一容器中的化学试剂的体积不会被使用完，进一步保证了对晶圆处理的效果较好。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本申请的采用化学试剂对晶圆处理的方法的实施例的流程图示意图；

图2示出了根据本申请的采用化学试剂对晶圆处理的装置的实施例的结构框图；

图3示出了采用化学试剂对晶圆进行处理的结构的示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、第一容器；20、第二容器；30、第一加热设备；40、第二加热设备；50、控制阀。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。

正如背景技术所介绍的，现有技术中，采用化学试剂对晶圆处理花费的时间较长，处理效率较低，WPH较低，为了解决如上的技术问题，本申请提出了一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器。

本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的方法，该方法包括：

根据本申请的实施例，提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的方法。

图1是根据本申请实施例的采用化学试剂对晶圆处理的方法的流程图。上述化学试剂在多个容器中形成，多个上述容器包括第一容器和第二容器，如图1所示，该方法包括以下步骤：

步骤S101，即第一容器的第一清洗步骤，在上述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用上述第一容器中的上述化学试剂对晶圆进行处理；

步骤S102，即第二容器的准备步骤，控制向存在上述化学试剂的上述第二容器中通入上述化学试剂的原料；

步骤S103，即第二容器的清洗步骤，在上述第一容器中的上述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且上述第二容器中的上述化学试剂达到上述预定状态的情况下，控制采用上述第二容器中的上述化学试剂对上述晶圆进行处理。

上述的方法中，相比于现有技术中的在处理完晶圆后，排空容器中剩余的化学试剂的方法来说，该方案中，并不排空容器中的剩余化学试剂，这样，在进行晶圆的处理之前，第二容器中就存在处于预定状态的一定体积的化学试剂，在后续的晶圆处理过程中，再向第二容器中通入化学试剂且使得容器内的化学时间达到预定状态的时间缩短(具体地，现有技术中的化学试剂达到预定状态的时间为容器排空剩余的化学试剂的时间t1、混合以及冷却的时间 t2、冷却的时间t3以及检测的时间t4，例如，t1＝0.5min，t2＝7.5min，t3＝1.5min，t4＝3min，那么，现有技术中，化学试剂达到预定状态的时间t＝12.5min，而本申请的方案中，无需排空剩余的化学试剂，t1＝0，并且由于容器中存在部分处于预定状态的化学试剂，其对应的t2缩短，t2＝1.4min，因混酸时间变短，混合过程中的散热量减少，因此需延长单独的冷却时间 (t3)使其冷却到一定温度，t3＝2.5min，t4是温度降到一定值之后不再上下大幅度波动而维持相对稳定所需要的时间，是根据实际情况定的，现在由于做了前面的一系列优化，这部分时间基本可以忽略，温度很快就能稳定下来，即t4＝0min，化学试剂达到预定状态的时间 t＝3.9min)；并且，该方案中，在第一容器中的化学试剂小于或者等于预定体积时，并不控制停止采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，且随后排空第一容器中的化学试剂，等待第二容器中的化学试剂达到预定状态；而是在第二容器中的化学试剂未达到预定状态的情况下，仍然采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，直到第二容器中的化学试剂处于预定状态时停止，切换成第二容器的化学试剂对晶圆进行处理，相对于现有技术中的暂停排出第一容器中的化学试剂的方案来说，缩短了化学试剂处理晶圆的时间，并且，由于第二容器中的化学试剂达到预定状态的时间大大缩短，这样使得第一容器中的化学试剂的体积不会被使用完，进一步保证了对晶圆处理的效果较好。

因此，上述的方案缩短了混酸的时间，减少了暂停等待处理的时间，使得采用化学试剂对晶圆的处理时间大大缩短，从而提高了化学试剂对晶圆的处理效率，提高了WPH较低。

需要说明的是，本申请的处理方法并不限于上述的记载的顺序，即从步骤S101依次至步骤S102以及步骤S103，这些步骤还可以按照其他的顺序执行，比如还可以先执行步骤S102，再执行步骤S101。

在需要处理的晶圆较多的情况下，为了进一步保证处理效率较高，WPH较大，本申请的一种实施例中，上述方法还包括：步骤S104，第一容器的准备步骤，不排空上述第一容器中的上述化学试剂，控制直接向上述第一容器中通入上述化学试剂的原料；步骤S105，第一容器的第二清洗步骤，在上述第二容器中的上述化学试剂中的体积小于或者等于上述预定体积且上述第一容器中的上述化学试剂达到上述预定状态的情况下，控制采用上述第一容器中的上述化学试剂对上述晶圆进行处理。

还需要说明的是，本申请的化学试剂的预定状态就是化学试剂达到或者处于特定的状态，该特定的状态可以体现为特定的浓度一定、特定的温度等。

本申请的又一种实施例中，上述方法还包括：依次重复执行上述第二容器的准备步骤、上述第二容器的清洗步骤、上述第一容器的准备步骤以及上述第一容器的第二清洗步骤至少一次，直到所有的上述晶圆经过化学试剂处理。该方案能够保证采用化学试剂处理更多的晶圆，具体的依次重复执行第二容器的准备步骤至第一容器的第二清洗步骤的次数根据具体的需要处理的晶圆的数量来确定。

为了进一步保证容器中的化学试剂达到预定状态之后，其可以相对稳定地处于预定装置中，从而进一步保证化学试剂对晶圆处理的效果较好，进一步保证产品的良率，本申请的一种实施例中，上述预定状态包括上述预定温度范围，在上述容器中的上述化学试剂处于上述预定状之后，上述方法还包括：获取上述容器内的上述化学试剂的温度；在上述温度未处于上述预定温度范围内的情况下，采用温控设备对上述容器中的上述原料的温度进行调节，使得上述化学试剂在上述预定温度范围内。

需要说明的时，上述的温控设备可以对容器中的原料进行升温，也可以对容器中的原料进行降温，具体是升温还是降温，需要根据容器中的试剂的温度来确定。实际的应用中，可以通过温度传感器获取容器内的化学试剂的温度。

还需要说明的是，上述采用温控设备调节温度的方案中，容器可以为第一容器，也可以为第二容器，具体为其内的化学试剂的温度未处于预定温度范围的容器。

本申请的温控设备可以为现有技术中的任何可在一定温度范围内进行升温和降温的温控设备，本申请的一种具体的实施例中，如图3所示，上述温控设备与上述容器连接，该图中，温空调设备包括第一加热设备30和第二加热设备40。

本申请的化学试剂可以为现有的半导体工艺中用到的任何通过混合多种纯净物形成的混合物，本领域技术人员可以根据实际情况将该方法应用在任何合适的化学试剂的应用过程中。

本申请的一种具体的实施例中，上述化学试剂为DSP试剂，在半导体工艺中，许多工艺步骤之后的清洗步骤均会用到该试剂，因此，将上述方法应用在该化学试剂的应用过程，可以大大提高晶圆的处理效率，提高WPH。具体地，上述DSP试剂的原料包括硫酸、双氧水、氢氟酸以及去离子水。如图3所示的处理结构中，四种原料从图的左上侧(面对屏幕来看) 的四条管路通入到第一容器10和第二容器20中，四个管路上设置有控制阀50。

对于上述的DSP试剂来说，原料混合的过程中会发热，使得形成的DSP试剂的温度较高，为了更高效地对该DSP试剂进行降温，使得其达到预定状态对应的预定温度范围，本申请的一种实施例中，在上述容器中通入上述原料之后，在上述容器中的上述化学试剂处于上述预定状之前，上述方法还包括：采用冷却剂对上述容器中的上述化学试剂进行冷却，以使得上述化学试剂的温度处于上述预定温度范围内。

需要说明的是，上述的方案中的容器可以为第一容器，也可以为第二容器，具体为第一容器还是第二容器还要根据实际的处理过程来确定，当需要采用第一容器中的化学试剂和第二容器中的化学试剂处理晶圆时，这里的容器即为第一容器和第二容器，当仅仅需要第一容器和第二容器中的一个中的化学试剂处理晶圆时，这里的容器对应为其化学试剂处理晶圆的容器。

本申请的另一种实施例中，上述冷却剂包括乙二醇，乙二醇可以很快地冷却DSP试剂，使得DSP试剂可以更快地达到预定状态对应的预定温度范围，提高DSP试剂对晶圆的处理效率，提高WPH。

当然，本申请的冷却剂并不限于乙二醇，还可以为其他的合适的冷却剂，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的冷却剂对化学试剂进行冷却。

本申请实施例还提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的装置，需要说明的是，本申请实施例的采用化学试剂对晶圆处理的装置可以用于执行本申请实施例所提供的用于采用化学试剂对晶圆处理的方法。以下对本申请实施例提供的采用化学试剂对晶圆处理的装置进行介绍。

图2是根据本申请实施例的采用化学试剂对晶圆处理的装置的示意图。上述化学试剂在多个容器中形成，多个上述容器包括第一容器和第二容器，如图2所示，该装置包括：

第一控制单元100，用于在上述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用上述第一容器中的上述化学试剂对晶圆进行处理；

第二控制单元200，用于控制向存在处于上述预定状态的上述化学试剂的上述第二容器中通入上述化学试剂的原料；

第三控制单元300，在上述第一容器中的上述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且上述第二容器中的上述化学试剂达到上述预定状态的情况下，控制采用上述第二容器中的上述化学试剂对上述晶圆进行处理。

上述的装置中，相比于现有技术中的在处理完晶圆后，排空容器中剩余的化学试剂的方法来说，该方案中，并不排空容器中的剩余化学试剂，这样，在进行晶圆的处理之前，第二容器中就存在处于预定状态的一定体积的化学试剂，在后续的晶圆处理过程中，再向第二容器中通入化学试剂且使得容器内的化学时间达到预定状态的时间缩短(具体地，现有技术中的化学试剂达到预定状态的时间为容器排空剩余的化学试剂的时间t1、混合以及冷却的时间 t2、冷却的时间t3以及检测的时间t4，例如，t1＝0.5min，t2＝7.5min，t3＝1.5min，t4＝3min，那么，现有技术中，化学试剂达到预定状态的时间t＝12.5min，而本申请的方案中，无需排空剩余的化学试剂，t1＝0，并且由于容器中存在部分处于预定状态的化学试剂，其对应的t2缩短，t2＝1.4min，因混酸时间变短，混合过程中的散热量减少，因此需延长单独的冷却时间 (t3)使其冷却到一定温度，t3＝2.5min，t4是温度降到一定值之后不再上下大幅度波动而维持相对稳定所需要的时间，是根据实际情况定的，现在由于做了前面的一系列优化，这部分时间基本可以忽略，温度很快就能稳定下来，即t4＝0min，化学试剂达到预定状态的时间 t＝3.9min)；并且，该方案中，在第一容器中的化学试剂小于或者等于预定体积时，并不控制停止采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，且随后排空第一容器中的化学试剂，等待第二容器中的化学试剂达到预定状态；而是在第二容器中的化学试剂未达到预定状态的情况下，仍然采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，直到第二容器中的化学试剂处于预定状态时停止，切换成第二容器的化学试剂对晶圆进行处理，相对于现有技术中的暂停排出第一容器中的化学试剂的方案来说，缩短了化学试剂处理晶圆的时间，并且，由于第二容器中的化学试剂达到预定状态的时间大大缩短，这样使得第一容器中的化学试剂的体积不会被使用完，进一步保证了对晶圆处理的效果较好。

因此，上述的方案缩短了混酸的时间，减少了暂停等待处理的时间，使得采用化学试剂对晶圆的处理时间大大缩短，从而提高了化学试剂对晶圆的处理效率，提高了WPH较低。

在需要处理的晶圆较多的情况下，为了进一步保证处理效率较高，WPH较大，本申请的一种实施例中，上述装置还包括第四控制单元和第五控制单元，其中，第四控制单元用于不排空上述第一容器中的上述化学试剂，控制直接向上述第一容器中通入上述化学试剂的原料；第五控制单元用于在上述第二容器中的上述化学试剂中的体积小于或者等于上述预定体积且上述第一容器中的上述化学试剂达到上述预定状态的情况下，控制采用上述第一容器中的上述化学试剂对上述晶圆进行处理。

还需要说明的是，本申请的化学试剂的预定状态就是化学试剂达到或者处于特定的状态，该特定的状态可以体现为特定的浓度一定、特定的温度等。

本申请的又一种实施例中，上述装置还包括第六控制单元，该单元用于依次控制上述第二控制单元至第五控制单元运行至少一次，直到所有的上述晶圆经过化学试剂处理。该方案能够保证采用化学试剂处理更多的晶圆，具体的依次控制上述第二控制单元至第五控制单元运行的次数根据具体的需要处理的晶圆的数量来确定。

为了进一步保证容器中的化学试剂达到预定状态之后，其可以相对稳定地处于预定装置中，从而进一步保证化学试剂对晶圆处理的效果较好，进一步保证产品的良率，本申请的一种实施例中，上述预定状态包括上述预定温度范围，上述装置还包括获取单元和温控设备，其中，获取单元用于在上述容器中通入上述原料之后，在上述容器中的上述化学试剂处于上述预定状之前，获取上述容器内的上述化学试剂的温度；温控设备用于在上述温度未处于上述预定温度范围内的情况下，采用温控设备对上述容器中的上述原料的温度进行调节，使得上述化学试剂在上述预定温度范围内。

需要说明的时，上述的温控设备可以对容器中的原料进行升温，也可以对容器中的原料进行降温，具体是升温还是降温，需要根据容器中的试剂的温度来确定。实际的应用中，可以通过温度传感器获取容器内的化学试剂的温度。

本申请的温控设备可以为现有技术中的任何可在一定温度范围内升温和降温的温控设备，本申请的一种具体的实施例中，如图3所示，上述温控设备与上述容器连接。该图中，温空调设备包括第一加热设备30和第二加热设备40，且二者分别与第一容器10和第二容器 20连接。

本申请的化学试剂可以为现有的半导体工艺中用到的任何通过混合多种纯净物形成的混合物，本领域技术人员可以根据实际情况将该装置应用在任何合适的化学试剂的应用过程中。

本申请的一种具体的实施例中，上述化学试剂为DSP试剂，在半导体工艺中，许多工艺步骤之后的清洗步骤均会用到该试剂，因此，将上述装置应用在该化学试剂的应用过程，可以大大提高晶圆的处理效率，提高WPH。具体地，上述DSP试剂的原料包括硫酸、双氧水、氢氟酸以及去离子水。如图3所示的处理结构中，四种原料从图的左上侧(面对屏幕来看) 的四条管路通入到第一容器10和第二容器20中，四个管路上设置有控制阀50。

对于上述的DSP试剂来说，原料混合的过程中会发热，使得形成的DSP试剂的温度较高，为了更高效地对该DSP试剂进行降温，使得其达到预定状态对应的预定温度范围，本申请的一种实施例中，在上述容器中通入上述原料之后，在上述容器中的上述化学试剂处于上述预定状之前，上述装置还包括冷却单元，该单元用于在上述容器中通入上述原料之后，在上述容器中的上述化学试剂处于上述预定状之前，采用冷却剂对上述容器中的上述化学试剂进行冷却，以使得上述化学试剂的温度处于上述预定温度范围内。

本申请的另一种实施例中，上述冷却剂包括乙二醇，乙二醇可以很快地冷却DSP试剂，使得DSP试剂可以更快地达到预定状态对应的预定温度范围，提高DSP试剂对晶圆的处理效率，提高WPH。

当然，本申请的冷却剂并不限于乙二醇，还可以为其他的合适的冷却剂，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的冷却剂对化学试剂进行冷却。

上述采用化学试剂对晶圆处理的装置包括处理器和存储器，上述第一控制单元、第二控制单元以及第三控制单元等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。

处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来提高化学试剂对晶圆的处理效率，从而提高WPH。

存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存储芯片。

本发明实施例提供了一种存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述采用化学试剂对晶圆处理的方法。

本发明实施例提供了一种处理器，上述处理器用于运行程序，其中，上述程序运行时执行上述采用化学试剂对晶圆处理的方法。

本发明实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现至少以下步骤：

步骤S101，在上述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用上述第一容器中的上述化学试剂对晶圆进行处理；

步骤S102，控制向存在处于上述预定状态的上述化学试剂的上述第二容器中通入上述化学试剂的原料；

步骤S103，在上述第一容器中的上述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且上述第二容器中的上述化学试剂达到上述预定状态的情况下，控制采用上述第二容器中的上述化学试剂对上述晶圆进行处理。

本文中的设备可以是服务器、PC、PAD、手机等。

本申请还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有至少如下方法步骤的程序：

步骤S101，在上述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用上述第一容器中的上述化学试剂对晶圆进行处理；

步骤S102，控制向存在处于上述预定状态的上述化学试剂的上述第二容器中通入上述化学试剂的原料；

步骤S103，在上述第一容器中的上述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且上述第二容器中的上述化学试剂达到上述预定状态的情况下，控制采用上述第二容器中的上述化学试剂对上述晶圆进行处理。

在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如上述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。

上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例上述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器 (RAM，Random Access Memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：

1)、本申请的采用化学试剂对晶圆处理的方法，相比于现有技术中的在处理完晶圆后，排空容器中剩余的化学试剂的方法来说，该方案中，并不排空容器中的剩余化学试剂，这样，在进行晶圆的处理之前，第二容器中就存在处于预定状态的一定体积的化学试剂，在后续的晶圆处理过程中，再向第二容器中通入化学试剂且使得容器内的化学时间达到预定状态的时间缩短；并且，该方案中，在第一容器中的化学试剂小于或者等于预定体积时，并不控制停止采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，且随后排空第一容器中的化学试剂，等待第二容器中的化学试剂达到预定状态；而是在第二容器中的化学试剂未达到预定状态的情况下，仍然采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，直到第二容器中的化学试剂处于预定状态时停止，切换成第二容器的化学试剂对晶圆进行处理，相对于现有技术中的暂停排出第一容器中的化学试剂的方案来说，缩短了化学试剂处理晶圆的时间，并且，由于第二容器中的化学试剂达到预定状态的时间大大缩短，这样使得第一容器中的化学试剂的体积不会被使用完，进一步保证了对晶圆处理的效果较好。

2)、本申请的采用化学试剂对晶圆处理的装置，本申请的采用化学试剂对晶圆处理的方法，相比于现有技术中的在处理完晶圆后，排空容器中剩余的化学试剂的方法来说，该方案中，并不排空容器中的剩余化学试剂，这样，在进行晶圆的处理之前，第二容器中就存在处于预定状态的一定体积的化学试剂，在后续的晶圆处理过程中，再向第二容器中通入化学试剂且使得容器内的化学时间达到预定状态的时间缩短；并且，该方案中，在第一容器中的化学试剂小于或者等于预定体积时，并不控制停止采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，且随后排空第一容器中的化学试剂，等待第二容器中的化学试剂达到预定状态；而是在第二容器中的化学试剂未达到预定状态的情况下，仍然采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理，直到第二容器中的化学试剂处于预定状态时停止，切换成第二容器的化学试剂对晶圆进行处理，相对于现有技术中的暂停排出第一容器中的化学试剂的方案来说，缩短了化学试剂处理晶圆的时间，并且，由于第二容器中的化学试剂达到预定状态的时间大大缩短，这样使得第一容器中的化学试剂的体积不会被使用完，进一步保证了对晶圆处理的效果较好。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种采用化学试剂对晶圆处理的方法，其特征在于，所述化学试剂在多个容器中形成，多个所述容器包括第一容器和第二容器，所述方法包括：

第一容器的第一清洗步骤，在所述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对晶圆进行处理；

第二容器的准备步骤，控制向存在处于所述预定状态的所述化学试剂的所述第二容器中通入所述化学试剂的原料；

第二容器的清洗步骤，在所述第一容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且所述第二容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第二容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理，

所述方法还包括：

第一容器的准备步骤，不排空所述第一容器中的所述化学试剂，控制直接向所述第一容器中通入所述化学试剂的原料；

第一容器的第二清洗步骤，在所述第二容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于所述预定体积且所述第一容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

依次重复执行所述第二容器的准备步骤、所述第二容器的清洗步骤、所述第一容器的准备步骤以及所述第一容器的第二清洗步骤至少一次，直到所有的所述晶圆经过化学试剂处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定状态包括预定温度范围，在所述容器中的所述化学试剂处于所述预定状态之后，所述方法还包括：

获取所述容器内的所述化学试剂的温度；

在所述温度未处于所述预定温度范围内的情况下，采用温控设备对所述容器中的所述原料的温度进行调节，使得所述化学试剂在所述预定温度范围内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述化学试剂为DSP试剂，所述DSP试剂的原料包括硫酸、双氧水、氢氟酸以及去离子水。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述容器中通入所述原料之后，在所述容器中的所述化学试剂处于所述预定状之前，所述方法还包括：

采用冷却剂对所述容器中的所述化学试剂进行冷却，以使得所述化学试剂的温度处于所述预定温度范围内。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述冷却剂包括乙二醇。

7.一种采用化学试剂对晶圆处理的装置，其特征在于，其中，所述化学试剂在多个容器中形成，多个所述容器包括第一容器和第二容器，所述装置包括：

第一控制单元，用于在所述第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对晶圆进行处理；

第二控制单元，用于控制向存在处于所述预定状态的所述化学试剂的所述第二容器中通入所述化学试剂的原料；

第三控制单元，用于在所述第一容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且所述第二容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第二容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理，

所述装置还包括第四控制单元和第五控制单元，其中，第四控制单元用于不排空所述第一容器中的所述化学试剂，控制直接向所述第一容器中通入所述化学试剂的原料；第五控制单元用于在所述第二容器中的所述化学试剂中的体积小于或者等于所述预定体积且所述第一容器中的所述化学试剂达到所述预定状态的情况下，控制采用所述第一容器中的所述化学试剂对所述晶圆进行处理。

8.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行权利要求1至6中任意一项所述的采用化学试剂对晶圆处理的方法。

9.一种处理器，其特征在于，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行权利要求1至6中任意一项所述的采用化学试剂对晶圆处理的方法。

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