JPH06314683A - 薬液処理装置 - Google Patents
薬液処理装置Info
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- JPH06314683A JPH06314683A JP12800593A JP12800593A JPH06314683A JP H06314683 A JPH06314683 A JP H06314683A JP 12800593 A JP12800593 A JP 12800593A JP 12800593 A JP12800593 A JP 12800593A JP H06314683 A JPH06314683 A JP H06314683A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、加工装置に対して設備の総合的な生
産性を大幅に向上させようとするものである。 【構成】薬液処理装置の処理槽を最小限必要な数よりも
少なくとも1つ以上多く設け、所定の時間又は加工回数
ごとに使用する処理槽を循環的に順次切り換えながら被
加工対象を加工処理すると共に、この間に使用していな
い処理槽の処理媒体を交換するようにしたことにより、
簡易な方法で格段的に効率良く稼働させることができ、
かくして装置の総合的な生産性を大幅に向上させること
ができる。
産性を大幅に向上させようとするものである。 【構成】薬液処理装置の処理槽を最小限必要な数よりも
少なくとも1つ以上多く設け、所定の時間又は加工回数
ごとに使用する処理槽を循環的に順次切り換えながら被
加工対象を加工処理すると共に、この間に使用していな
い処理槽の処理媒体を交換するようにしたことにより、
簡易な方法で格段的に効率良く稼働させることができ、
かくして装置の総合的な生産性を大幅に向上させること
ができる。
Description
【0001】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術(図1) 発明が解決しようとする課題(図1) 課題を解決するための手段(図1〜図4) 作用(図1〜図4) 実施例(図1〜図4) 発明の効果
【0002】
【産業上の利用分野】本発明は薬液処理装置に関し、例
えば半導体ウエハの洗浄装置に適用して好適なものであ
る。
えば半導体ウエハの洗浄装置に適用して好適なものであ
る。
【0003】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程には半導体
ウエハの洗浄処理工程が多数設けられており、これによ
り前工程や取扱い中に受けた半導体ウエハ表面の有機及
び無機物による汚染を除去するようになされている。半
導体ウエハの洗浄には用途に応じて各種の洗浄方法があ
り、その1つとして図5に示すような洗浄装置1を用い
た方法が広く用いられている。洗浄装置1においては、
硫酸及び過酸化水素の混合液等でなる薬液が注入された
第1の処理槽2(以下これを第1の薬液槽2と呼ぶ)及
び第3の処理槽3(以下これを第2の薬液槽3と呼ぶ)
と、純水が絶えず流れるようになされた第3の処理槽4
(以下これを第1の純水槽4と呼ぶ)及び第4の処理槽
5(以下これを第2の流水槽5と呼ぶ)とから構成され
ている。
ウエハの洗浄処理工程が多数設けられており、これによ
り前工程や取扱い中に受けた半導体ウエハ表面の有機及
び無機物による汚染を除去するようになされている。半
導体ウエハの洗浄には用途に応じて各種の洗浄方法があ
り、その1つとして図5に示すような洗浄装置1を用い
た方法が広く用いられている。洗浄装置1においては、
硫酸及び過酸化水素の混合液等でなる薬液が注入された
第1の処理槽2(以下これを第1の薬液槽2と呼ぶ)及
び第3の処理槽3(以下これを第2の薬液槽3と呼ぶ)
と、純水が絶えず流れるようになされた第3の処理槽4
(以下これを第1の純水槽4と呼ぶ)及び第4の処理槽
5(以下これを第2の流水槽5と呼ぶ)とから構成され
ている。
【0004】この半導体ウエハの洗浄作業では、まず被
洗浄対象である半導体ウエハが所定枚(以下この枚数を
1ロツトと呼ぶ)収納されたキヤリア(図示せず)を第
1の薬液槽2の薬液に浸漬することによつて当該キヤリ
アに収納された半導体ウエハを洗浄(以下これを主洗浄
と呼ぶ)する。続いて当該キヤリアを第2の洗浄槽3の
薬液に浸漬することによつて半導体ウエハを濯ぐ(以下
これをリンス洗浄と呼ぶ)。この薬液による洗浄が終わ
ると当該キヤリアを第1の流水槽4の純水に浸漬するこ
とによつて半導体ウエハの表面に付着した薬液を濯いで
取り除き、さらにこの工程では取り除くことができなか
つた薬液をキヤリアを第2の流水槽5の純水に浸漬する
ことにより最終的に濯ぎ落とすようになされている。
洗浄対象である半導体ウエハが所定枚(以下この枚数を
1ロツトと呼ぶ)収納されたキヤリア(図示せず)を第
1の薬液槽2の薬液に浸漬することによつて当該キヤリ
アに収納された半導体ウエハを洗浄(以下これを主洗浄
と呼ぶ)する。続いて当該キヤリアを第2の洗浄槽3の
薬液に浸漬することによつて半導体ウエハを濯ぐ(以下
これをリンス洗浄と呼ぶ)。この薬液による洗浄が終わ
ると当該キヤリアを第1の流水槽4の純水に浸漬するこ
とによつて半導体ウエハの表面に付着した薬液を濯いで
取り除き、さらにこの工程では取り除くことができなか
つた薬液をキヤリアを第2の流水槽5の純水に浸漬する
ことにより最終的に濯ぎ落とすようになされている。
【0005】この場合第1及び第2の薬液槽2及び3で
は、当該薬液を加熱することによつてその温度が例えば
100 度〜160 度程度の高温状態を保つようになされてお
り、これにより洗浄効果の向上が図られている。
は、当該薬液を加熱することによつてその温度が例えば
100 度〜160 度程度の高温状態を保つようになされてお
り、これにより洗浄効果の向上が図られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところでこの種の洗浄
装置1においては、上述のように主として第1の薬液槽
2で半導体ウエハを洗浄するために当該第1の薬液槽2
に注入された薬液が汚れやすい。このため数ロツト(例
えば5〜20ロツト程度)分の半導体ウエハを洗浄する
毎に薬液を新しいものと交換するようになされている。
装置1においては、上述のように主として第1の薬液槽
2で半導体ウエハを洗浄するために当該第1の薬液槽2
に注入された薬液が汚れやすい。このため数ロツト(例
えば5〜20ロツト程度)分の半導体ウエハを洗浄する
毎に薬液を新しいものと交換するようになされている。
【0007】この薬液の交換には、薬液を排出する(以
下これを排液すると呼ぶ)管の材料として用いられてい
るPVC及びHTPCVなどが60〔°C〕以上の温度に
耐えられずに変形するおそれがあるため、一度薬液を60
〔°C〕以下の温度にまで冷やした後排液するようにな
され、この後新たな薬液を薬液槽2、3に注入した後当
該薬液を加熱する手順で行われている。ところが、この
ような薬液の交換作業には少なくとも1〜3時間程度の
所要時間が必要であり、従つてこの交換作業中には薬液
槽2又は3の一方が使えないために当該洗浄装置1を稼
働できず、この結果設備全体としての稼働効率が50
〔%〕程度と悪くなることにより全体としての生産性が
低くなる問題があつた。
下これを排液すると呼ぶ)管の材料として用いられてい
るPVC及びHTPCVなどが60〔°C〕以上の温度に
耐えられずに変形するおそれがあるため、一度薬液を60
〔°C〕以下の温度にまで冷やした後排液するようにな
され、この後新たな薬液を薬液槽2、3に注入した後当
該薬液を加熱する手順で行われている。ところが、この
ような薬液の交換作業には少なくとも1〜3時間程度の
所要時間が必要であり、従つてこの交換作業中には薬液
槽2又は3の一方が使えないために当該洗浄装置1を稼
働できず、この結果設備全体としての稼働効率が50
〔%〕程度と悪くなることにより全体としての生産性が
低くなる問題があつた。
【0008】この問題を解決するための1つの方法とし
て、薬液を短時間で冷やし得るように第1及び第2の薬
液槽2及び3にそれぞれ熱交換器を取り付ける方法が提
案されている。ところがこのように熱交換器を用いた場
合、洗浄装置1が複雑化すると共に当該熱交換器の故障
のために洗浄装置1の稼働効率が低下する問題があり、
解決策としては未だ不十分であつた。
て、薬液を短時間で冷やし得るように第1及び第2の薬
液槽2及び3にそれぞれ熱交換器を取り付ける方法が提
案されている。ところがこのように熱交換器を用いた場
合、洗浄装置1が複雑化すると共に当該熱交換器の故障
のために洗浄装置1の稼働効率が低下する問題があり、
解決策としては未だ不十分であつた。
【0009】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、設備の総合的な生産性を大幅に向上させ得る薬液処
理装置を提案しようとするものである。
で、設備の総合的な生産性を大幅に向上させ得る薬液処
理装置を提案しようとするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、所定の処理媒体が溜められた所定
数の処理槽11A、12A、13Aを用いて被処理対象
に所定の処理を施す薬液処理装置1において、所定数よ
りも少なくとも1つ以上多くの処理槽11A、12A、
13Aを用意し、所定の時間又は加工回数ごとに使用す
る処理槽11A、12A、13Aを循環的に順次切り換
えながら被加工対象を加工処理すると共に、加工処理の
間に使用していない処理槽11A、12A又は13Aの
処理媒体を交換するようにした。
め本発明においては、所定の処理媒体が溜められた所定
数の処理槽11A、12A、13Aを用いて被処理対象
に所定の処理を施す薬液処理装置1において、所定数よ
りも少なくとも1つ以上多くの処理槽11A、12A、
13Aを用意し、所定の時間又は加工回数ごとに使用す
る処理槽11A、12A、13Aを循環的に順次切り換
えながら被加工対象を加工処理すると共に、加工処理の
間に使用していない処理槽11A、12A又は13Aの
処理媒体を交換するようにした。
【0011】また本発明においては、洗浄液が注入され
た2つの洗浄槽11A、12A又は13Aで半導体ウエ
ハ又は石英基板を洗浄する薬液処理装置1において、洗
浄槽11A〜13Aを少なくとも3つ用意し、3つの洗
浄槽11A〜13Aの中から使用する2つの洗浄槽11
A、12A又は13Aを所定の時間又は洗浄回数ごとに
循環的に切り換えながら半導体ウエハ又は石英基板を順
次洗浄すると共に、当該洗浄の間に使用していない洗浄
槽11A、12A又は13Aの洗浄液を交換するように
した。
た2つの洗浄槽11A、12A又は13Aで半導体ウエ
ハ又は石英基板を洗浄する薬液処理装置1において、洗
浄槽11A〜13Aを少なくとも3つ用意し、3つの洗
浄槽11A〜13Aの中から使用する2つの洗浄槽11
A、12A又は13Aを所定の時間又は洗浄回数ごとに
循環的に切り換えながら半導体ウエハ又は石英基板を順
次洗浄すると共に、当該洗浄の間に使用していない洗浄
槽11A、12A又は13Aの洗浄液を交換するように
した。
【0012】
【作用】所定の時間又は加工回数ごとに使用する処理槽
11A、12A又は13Aを循環的に順次切り換えなが
ら被加工対象に所定の処理を施すと共に、加工処理の間
に使用していない処理槽11A、12A又は13Aの処
理媒体を交換するようにしたことにより、装置1を停止
させずに各処理槽11A〜13Aの処理媒体を循環的に
交換させることができる。従つて装置を簡易な方法で格
段的に効率良く稼働させることができ、かくして装置1
の総合的な生産性を大幅に向上させることができる。
11A、12A又は13Aを循環的に順次切り換えなが
ら被加工対象に所定の処理を施すと共に、加工処理の間
に使用していない処理槽11A、12A又は13Aの処
理媒体を交換するようにしたことにより、装置1を停止
させずに各処理槽11A〜13Aの処理媒体を循環的に
交換させることができる。従つて装置を簡易な方法で格
段的に効率良く稼働させることができ、かくして装置1
の総合的な生産性を大幅に向上させることができる。
【0013】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【0014】図5との対応部分に同一符号を付して示す
図1において、10は全体として半導体ウエハの洗浄装
置を示し、3つの薬液槽部11、12、13のうち1つ
の薬液槽部11、12又は13の薬液を交換している間
に他の2つの薬液槽部11、12、13を用いて洗浄処
理を継続的にするようになされている。各薬液槽部11
〜13は、それぞれ薬液槽11A、12A、13A、薬
液を薬液槽11A〜13Aに注入するための注入手段
(図示せず)、当該薬液に対して加熱するための加熱手
段(図示せず)、及びこの薬液を薬液槽11A、12
A、13Aから排液するための排液手段(図示せず)か
らなり、それぞれ制御部14から供給される制御信号S
1、S2又はS3に基づいて薬液を各薬液槽11A〜1
3Aから排液し、新たな薬液を薬液槽11A〜13Aに
注入し、又は当該薬液を加熱するようになされている。
図1において、10は全体として半導体ウエハの洗浄装
置を示し、3つの薬液槽部11、12、13のうち1つ
の薬液槽部11、12又は13の薬液を交換している間
に他の2つの薬液槽部11、12、13を用いて洗浄処
理を継続的にするようになされている。各薬液槽部11
〜13は、それぞれ薬液槽11A、12A、13A、薬
液を薬液槽11A〜13Aに注入するための注入手段
(図示せず)、当該薬液に対して加熱するための加熱手
段(図示せず)、及びこの薬液を薬液槽11A、12
A、13Aから排液するための排液手段(図示せず)か
らなり、それぞれ制御部14から供給される制御信号S
1、S2又はS3に基づいて薬液を各薬液槽11A〜1
3Aから排液し、新たな薬液を薬液槽11A〜13Aに
注入し、又は当該薬液を加熱するようになされている。
【0015】制御部14においては、予め入力されてい
るプログラムに従つて主洗浄に使用する薬液槽11A、
12A又は13A(以下これを主洗浄槽11A、12A
又は13Aと呼ぶ)及びリンス洗浄に使用する薬液槽1
1A、12A又は13A(以下これをリンス洗浄槽11
A、12A又は13Aと呼ぶ)を選定し、これに基づい
て搬送部15に制御信号S4を送出して半導体ウエハの
キヤリアを主洗浄槽11A、12A又は13A及びリン
ス洗浄槽11A、12A又は13Aにそれぞれ溜められ
た薬液並びに第1及び第2の純水槽4及び5にそれぞれ
溜められた純水に順次浸漬して行くように搬送させるこ
とによつて当該キヤリアに収納された半導体ウエハを順
次洗浄すると共に、半導体ウエハを所定ロツト数洗浄す
る毎に主洗浄槽及びリンス洗浄槽として使用する薬液槽
を循環的に順次切換え、このとき使用していない薬液槽
部11、12又は13に対して制御信号S1〜S3を送
出して薬液を交換させるようになされ、これにより第1
〜第3の薬液槽部11〜13の薬液を循環的に順次交換
させるようになされている。
るプログラムに従つて主洗浄に使用する薬液槽11A、
12A又は13A(以下これを主洗浄槽11A、12A
又は13Aと呼ぶ)及びリンス洗浄に使用する薬液槽1
1A、12A又は13A(以下これをリンス洗浄槽11
A、12A又は13Aと呼ぶ)を選定し、これに基づい
て搬送部15に制御信号S4を送出して半導体ウエハの
キヤリアを主洗浄槽11A、12A又は13A及びリン
ス洗浄槽11A、12A又は13Aにそれぞれ溜められ
た薬液並びに第1及び第2の純水槽4及び5にそれぞれ
溜められた純水に順次浸漬して行くように搬送させるこ
とによつて当該キヤリアに収納された半導体ウエハを順
次洗浄すると共に、半導体ウエハを所定ロツト数洗浄す
る毎に主洗浄槽及びリンス洗浄槽として使用する薬液槽
を循環的に順次切換え、このとき使用していない薬液槽
部11、12又は13に対して制御信号S1〜S3を送
出して薬液を交換させるようになされ、これにより第1
〜第3の薬液槽部11〜13の薬液を循環的に順次交換
させるようになされている。
【0016】実際上制御部14においては、予め入力さ
れているプログラムに従つて、図2(A)〜図2
(D)、図3(A)〜図3(D)及び図4(A)〜
(C)に示すような手順で使用する2つの薬液槽部1
1、12又は13を循環的に順次切り換えさせるように
なされている。すなわち制御部14においては、初期状
態において例えば第1及び第2の薬液槽部11及び12
の薬液交換を入力指示された場合には、第1及び第2の
薬液槽部11及び12に制御信号S1及びS2をそれぞ
れ送出することにより当該第1及び第2の薬液槽部11
及び12に薬液の交換を実行させる(図2(A))。
れているプログラムに従つて、図2(A)〜図2
(D)、図3(A)〜図3(D)及び図4(A)〜
(C)に示すような手順で使用する2つの薬液槽部1
1、12又は13を循環的に順次切り換えさせるように
なされている。すなわち制御部14においては、初期状
態において例えば第1及び第2の薬液槽部11及び12
の薬液交換を入力指示された場合には、第1及び第2の
薬液槽部11及び12に制御信号S1及びS2をそれぞ
れ送出することにより当該第1及び第2の薬液槽部11
及び12に薬液の交換を実行させる(図2(A))。
【0017】また制御部14は、初期状態の設定として
第1の薬液槽部11の洗浄回数をロツト単位で計数する
内部カウンタ(図示せず)(以下これを第1のカウンタ
と呼ぶ)の計数値(ライフカウント)として「8」が入
力指定されるとこれに応動して当該第1のカウンタの計
数値を「8」にセツトすると共に、これと伴つて薬液交
換のなされていない第3の薬液槽部13による洗浄回数
をロツト単位で計数する内部カウンタ(図示せず)(以
下これを第3のカウンタと呼ぶ)の計数値を「16」にセ
ツトする(図2(B))。
第1の薬液槽部11の洗浄回数をロツト単位で計数する
内部カウンタ(図示せず)(以下これを第1のカウンタ
と呼ぶ)の計数値(ライフカウント)として「8」が入
力指定されるとこれに応動して当該第1のカウンタの計
数値を「8」にセツトすると共に、これと伴つて薬液交
換のなされていない第3の薬液槽部13による洗浄回数
をロツト単位で計数する内部カウンタ(図示せず)(以
下これを第3のカウンタと呼ぶ)の計数値を「16」にセ
ツトする(図2(B))。
【0018】続いて制御部14は、洗浄処理を開始して
搬送部15に制御信号S4を送出することにより第1番
目のロツト(以下、第n番目のロツトを第nロツトと呼
ぶ)の半導体ウエハを第1及び第2の薬液槽部11及び
12の順番で洗浄させる共に、このとき第1のカウンタ
及び第2の薬液槽の洗浄回数をロツト単位で計数する内
部カウンタ(図示せず)(以下これを第2のカウンタと
呼ぶ)の計数値をそれぞれ1ずつ増加させる(図2
(C))。
搬送部15に制御信号S4を送出することにより第1番
目のロツト(以下、第n番目のロツトを第nロツトと呼
ぶ)の半導体ウエハを第1及び第2の薬液槽部11及び
12の順番で洗浄させる共に、このとき第1のカウンタ
及び第2の薬液槽の洗浄回数をロツト単位で計数する内
部カウンタ(図示せず)(以下これを第2のカウンタと
呼ぶ)の計数値をそれぞれ1ずつ増加させる(図2
(C))。
【0019】この後制御部14は、同様の内容の制御信
号S4を搬送部15に送出することにより第2〜第8ロ
ツトの半導体ウエハを第1及び第2の薬液槽部11及び
12を用いて順次洗浄させると共に、特に第6ロツトの
半導体ウエハの洗浄処理時には第3の薬液槽部13に制
御信号S3を送出することにより薬液の交換を開始させ
る(図2(D))。また制御部14は、第8ロツトの半
導体ウエハの洗浄処理時には第3のカウンタの計数値を
「0」にセツトする(図3(A))ようになされてい
る。
号S4を搬送部15に送出することにより第2〜第8ロ
ツトの半導体ウエハを第1及び第2の薬液槽部11及び
12を用いて順次洗浄させると共に、特に第6ロツトの
半導体ウエハの洗浄処理時には第3の薬液槽部13に制
御信号S3を送出することにより薬液の交換を開始させ
る(図2(D))。また制御部14は、第8ロツトの半
導体ウエハの洗浄処理時には第3のカウンタの計数値を
「0」にセツトする(図3(A))ようになされてい
る。
【0020】さらに制御部14は、当該第8ロツトの半
導体ウエハの洗浄後に第1のカウンタの計数値が「16」
であることを確認すると、続く第9ロツトの半導体ウエ
ハの洗浄処理時には搬送部15に新たな内容の制御信号
S4を送出することにより当該第9ロツトの半導体ウエ
ハを第2及び第3の薬液槽部12及び13を用いて洗浄
させると共に、これに応じて第2及び第3のカウンタの
計数値をそれぞれ1ずつ増加させる(図3(B))。
導体ウエハの洗浄後に第1のカウンタの計数値が「16」
であることを確認すると、続く第9ロツトの半導体ウエ
ハの洗浄処理時には搬送部15に新たな内容の制御信号
S4を送出することにより当該第9ロツトの半導体ウエ
ハを第2及び第3の薬液槽部12及び13を用いて洗浄
させると共に、これに応じて第2及び第3のカウンタの
計数値をそれぞれ1ずつ増加させる(図3(B))。
【0021】さらに制御部14においては、第9ロツト
の半導体ウエハの洗浄時に第1の薬液槽部11に制御信
号S1を送出することにより薬液の交換を開始させる
(図3(C))と共に、この後第9ロツトの半導体ウエ
ハの洗浄処理時と同様の制御信号S4を搬送部15に送
出することにより第10〜第16ロツトの半導体ウエハを第
2及び第3の薬液槽部12及び13で洗浄させる。
の半導体ウエハの洗浄時に第1の薬液槽部11に制御信
号S1を送出することにより薬液の交換を開始させる
(図3(C))と共に、この後第9ロツトの半導体ウエ
ハの洗浄処理時と同様の制御信号S4を搬送部15に送
出することにより第10〜第16ロツトの半導体ウエハを第
2及び第3の薬液槽部12及び13で洗浄させる。
【0022】この場合制御部14においては、第10〜第
16ロツトの半導体ウエハの洗浄処理ごとに第2及び第3
のカウンタの計数値を順次1ずつ増加させるようになさ
れており、この後第16ロツトの洗浄処理時に第2カウン
タの計数値が「16」になつたことを確認すると第1のカ
ウンタの計数値を「0」にセツトする(図3(D))。
さらに制御部14は、続く第17ロツトの半導体ウエハの
洗浄処理時には搬送部15に新たな内容の制御信号S4
を送出することにより当該第17ロツトの半導体ウエハを
第1及び第3の薬液槽部11及び13を用いて順番に洗
浄させると共に、このとき第1及び第3のカウンタの計
数値をそれぞれ1ずつ増加させる(図4(A))。
16ロツトの半導体ウエハの洗浄処理ごとに第2及び第3
のカウンタの計数値を順次1ずつ増加させるようになさ
れており、この後第16ロツトの洗浄処理時に第2カウン
タの計数値が「16」になつたことを確認すると第1のカ
ウンタの計数値を「0」にセツトする(図3(D))。
さらに制御部14は、続く第17ロツトの半導体ウエハの
洗浄処理時には搬送部15に新たな内容の制御信号S4
を送出することにより当該第17ロツトの半導体ウエハを
第1及び第3の薬液槽部11及び13を用いて順番に洗
浄させると共に、このとき第1及び第3のカウンタの計
数値をそれぞれ1ずつ増加させる(図4(A))。
【0023】制御部14は、この後同様の内容の制御信
号S4を搬送部15に送出することにより第18〜第24ロ
ツトの半導体ウエハを第1及び第3の薬液槽部11及び
13で順次洗浄させる。この場合制御部14において
は、第18〜第24ロツトの半導体ウエハの洗浄処理ごとに
第1及び第3のカウンタの計数値を順次1ずつ増加させ
ると共に、特に第22ロツトの半導体ウエハの洗浄処理時
には第2の薬液槽部12に制御信号S2を送出すること
により当該第2の薬液槽部12に薬液の交換を開始させ
る(図4(B))。
号S4を搬送部15に送出することにより第18〜第24ロ
ツトの半導体ウエハを第1及び第3の薬液槽部11及び
13で順次洗浄させる。この場合制御部14において
は、第18〜第24ロツトの半導体ウエハの洗浄処理ごとに
第1及び第3のカウンタの計数値を順次1ずつ増加させ
ると共に、特に第22ロツトの半導体ウエハの洗浄処理時
には第2の薬液槽部12に制御信号S2を送出すること
により当該第2の薬液槽部12に薬液の交換を開始させ
る(図4(B))。
【0024】さらに制御部14は、第24ロツトの半導体
ウエハの洗浄処理時に第3のカウンタの計数値が「16」
になつたことを確認すると第2のカウンタの計数値を
「0」にセツトし(図4(C))、この後図2(C)、
図2(D)、図3(A)〜図3(D)及び図4(A)〜
図4(C)の処理を繰り返すことにより、順次半導体ウ
エハを洗浄して行くようになされている。
ウエハの洗浄処理時に第3のカウンタの計数値が「16」
になつたことを確認すると第2のカウンタの計数値を
「0」にセツトし(図4(C))、この後図2(C)、
図2(D)、図3(A)〜図3(D)及び図4(A)〜
図4(C)の処理を繰り返すことにより、順次半導体ウ
エハを洗浄して行くようになされている。
【0025】以上の構成において、当該洗浄装置1では
初期設定で主洗浄槽及びリンス洗浄槽として第1及び第
2の薬液槽11A及び12Aが指定されると、搬送部1
5が半導体ウエハのキヤリアを第1及び第2の薬液槽1
1A及び12Aにそれぞれ溜められた薬液に順次浸漬さ
せながら搬送することにより当該キヤリアに収納された
半導体ウエハを順次洗浄すると共に、この間に洗浄に使
用していない第3の薬液槽の薬液を交換する。また洗浄
装置1では、この状態で半導体ウエハを所定ロツト数洗
浄すると、主洗浄槽及びリンス洗浄槽として使用する薬
液槽をそれぞれ第2の薬液槽12A及び第3の薬液槽1
3Aに切換えると共に、このとき洗浄に使用していない
第1の薬液槽11Aの薬液を交換する。
初期設定で主洗浄槽及びリンス洗浄槽として第1及び第
2の薬液槽11A及び12Aが指定されると、搬送部1
5が半導体ウエハのキヤリアを第1及び第2の薬液槽1
1A及び12Aにそれぞれ溜められた薬液に順次浸漬さ
せながら搬送することにより当該キヤリアに収納された
半導体ウエハを順次洗浄すると共に、この間に洗浄に使
用していない第3の薬液槽の薬液を交換する。また洗浄
装置1では、この状態で半導体ウエハを所定ロツト数洗
浄すると、主洗浄槽及びリンス洗浄槽として使用する薬
液槽をそれぞれ第2の薬液槽12A及び第3の薬液槽1
3Aに切換えると共に、このとき洗浄に使用していない
第1の薬液槽11Aの薬液を交換する。
【0026】さらに洗浄装置1では、この状態で所定ロ
ツト数の半導体ウエハを洗浄すると主洗浄槽及びリンス
洗浄槽として使用する薬液槽をそれぞれ第1の薬液槽1
1A及び第3の薬液槽13Aに切換えると共に、このと
き洗浄に使用していない第2の薬液槽12Aの薬液を交
換する。さらに洗浄装置1では、この状態で所定ロツト
数の半導体ウエハを洗浄すると主洗浄槽及びリンス洗浄
槽として使用する薬液槽をそれぞれ第1の薬液槽11A
及び第2の薬液槽12Aに切換えると共に、このとき洗
浄に使用していない第3の薬液槽13Aの薬液を交換
し、この後同様の手順を繰り返しながら半導体ウエハを
順次洗浄し行く。
ツト数の半導体ウエハを洗浄すると主洗浄槽及びリンス
洗浄槽として使用する薬液槽をそれぞれ第1の薬液槽1
1A及び第3の薬液槽13Aに切換えると共に、このと
き洗浄に使用していない第2の薬液槽12Aの薬液を交
換する。さらに洗浄装置1では、この状態で所定ロツト
数の半導体ウエハを洗浄すると主洗浄槽及びリンス洗浄
槽として使用する薬液槽をそれぞれ第1の薬液槽11A
及び第2の薬液槽12Aに切換えると共に、このとき洗
浄に使用していない第3の薬液槽13Aの薬液を交換
し、この後同様の手順を繰り返しながら半導体ウエハを
順次洗浄し行く。
【0027】従つて当該洗浄装置1におていは、常に半
導体ウエハの洗浄に使用していない薬液槽11A、12
A又は13Aが1つ存在し、他の2つの薬液槽11A、
12A又は13Aにおいて半導体ウエハを洗浄している
間に当該洗浄に使用していない薬液槽11A、12A又
は13Aの薬液を交換するようになされていることによ
り、稼働を停止することなく各薬液槽11A〜13Aの
薬液を交換することができる。
導体ウエハの洗浄に使用していない薬液槽11A、12
A又は13Aが1つ存在し、他の2つの薬液槽11A、
12A又は13Aにおいて半導体ウエハを洗浄している
間に当該洗浄に使用していない薬液槽11A、12A又
は13Aの薬液を交換するようになされていることによ
り、稼働を停止することなく各薬液槽11A〜13Aの
薬液を交換することができる。
【0028】以上の構成によれば、薬液槽を3つ設け、
当該3つの薬液槽11A〜13Aの中から主洗浄槽及び
リンス洗浄槽として使用する薬液槽を所定ロツト数の半
導体ウエハを洗浄するごとに循環的に切り換えると共
に、この間に使用していない薬液槽11A、12A又は
13Aの薬液を交換するようにしたことにより、半導体
ウエハの洗浄を停止させることなく各薬液槽11A〜1
3Aの薬液を交換することができ、かくしてして簡易な
方法で格段的に効率良く装置10を稼働させることがで
きる。従つて設備の総合的な生産性を大幅に向上させる
ことができると共に、安定した生産を確保できる。
当該3つの薬液槽11A〜13Aの中から主洗浄槽及び
リンス洗浄槽として使用する薬液槽を所定ロツト数の半
導体ウエハを洗浄するごとに循環的に切り換えると共
に、この間に使用していない薬液槽11A、12A又は
13Aの薬液を交換するようにしたことにより、半導体
ウエハの洗浄を停止させることなく各薬液槽11A〜1
3Aの薬液を交換することができ、かくしてして簡易な
方法で格段的に効率良く装置10を稼働させることがで
きる。従つて設備の総合的な生産性を大幅に向上させる
ことができると共に、安定した生産を確保できる。
【0029】また薬液交換作業を自動的に行うために、
危険な薬品を効果的に処理でき、かくして洗浄作業の安
全性を格段的に向上させ得る。
危険な薬品を効果的に処理でき、かくして洗浄作業の安
全性を格段的に向上させ得る。
【0030】なお上述の実施例においては、本発明を半
導体ウエハの洗浄装置10に適用するようにした場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、例えば石英基
板の洗浄装置等の他の洗浄装置及びメツキ装置等種々の
薬液処理装置に適用して好適なものである。
導体ウエハの洗浄装置10に適用するようにした場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、例えば石英基
板の洗浄装置等の他の洗浄装置及びメツキ装置等種々の
薬液処理装置に適用して好適なものである。
【0031】また上述の実施例においては、薬液槽部1
1〜13を3つ設けるようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、薬液槽部11〜13を4つ
以上設けるようにしても同様の効果を得ることができ
る。
1〜13を3つ設けるようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、薬液槽部11〜13を4つ
以上設けるようにしても同様の効果を得ることができ
る。
【0032】さらに上述の実施例においては、初期状態
では第1及び第2の薬液槽部11及び12を用いて半導
体ウエハを洗浄処理するようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、この他の組み合わせで合つ
ても良い。
では第1及び第2の薬液槽部11及び12を用いて半導
体ウエハを洗浄処理するようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、この他の組み合わせで合つ
ても良い。
【0033】さらに上述の実施例においては、初期状態
において第1のカウンタの計数値を「8」に設定するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、この他の数であつても良い。
において第1のカウンタの計数値を「8」に設定するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、この他の数であつても良い。
【0034】さらに上述の実施例においては、第3、第
1及び第2の薬液槽部13、11及び12における薬液
交換をそれぞれ第6、第9、第22ロツトの半導体ウエハ
の洗浄処理時に行うようにした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、この他のタイミングであつても
良い。
1及び第2の薬液槽部13、11及び12における薬液
交換をそれぞれ第6、第9、第22ロツトの半導体ウエハ
の洗浄処理時に行うようにした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、この他のタイミングであつても
良い。
【0035】さらに上述の実施例においては、本発明を
処理槽が2つ必要な洗浄装置10に適用するようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は処
理槽が最低限必要な数よりも少なくとも1つ以上多く処
理槽を設けるのであれば、最低限必要な処理槽の数は1
つ又は3つ以上であつても良い。
処理槽が2つ必要な洗浄装置10に適用するようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は処
理槽が最低限必要な数よりも少なくとも1つ以上多く処
理槽を設けるのであれば、最低限必要な処理槽の数は1
つ又は3つ以上であつても良い。
【0036】さらに上述の実施例においては、16ロツト
の半導体ウエハを洗浄するごとに使用する薬液槽部1
1、12又は13を循環的に順次切り換えるようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、所定の
時間ごとに使用する薬液槽部11、12又は13を切り
換えるようにしても良い。
の半導体ウエハを洗浄するごとに使用する薬液槽部1
1、12又は13を循環的に順次切り換えるようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、所定の
時間ごとに使用する薬液槽部11、12又は13を切り
換えるようにしても良い。
【0037】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、薬液処理
装置の処理槽を最小限必要な数よりも少なくとも1つ以
上多く設け、所定の時間又は加工回数ごとに使用する処
理槽を循環的に順次切り換えながら被加工対象を加工処
理すると共に、この間に使用していない処理槽の処理媒
体を交換するようにしたことにより、簡易な方法で格段
的に効率良く稼働させることができ、かくして装置の総
合的な生産性を大幅に向上させることができる。
装置の処理槽を最小限必要な数よりも少なくとも1つ以
上多く設け、所定の時間又は加工回数ごとに使用する処
理槽を循環的に順次切り換えながら被加工対象を加工処
理すると共に、この間に使用していない処理槽の処理媒
体を交換するようにしたことにより、簡易な方法で格段
的に効率良く稼働させることができ、かくして装置の総
合的な生産性を大幅に向上させることができる。
【図1】本発明による半導体ウエハの洗浄装置の一実施
例を示すブロツク図である。
例を示すブロツク図である。
【図2】洗浄処理手順の説明に供する平面図である。
【図3】洗浄処理手順の説明に供する平面図である。
【図4】洗浄処理手順の説明に供する平面図である。
【図5】従来の半導体ウエハの洗浄装置を示す略線図で
ある。
ある。
1、10……洗浄装置、2、3、11A〜13A……薬
液槽、4、5……純水槽、11〜13……薬液槽部、1
4……制御部、15……搬送部、S1〜S4……制御信
号。
液槽、4、5……純水槽、11〜13……薬液槽部、1
4……制御部、15……搬送部、S1〜S4……制御信
号。
Claims (2)
- 【請求項1】所定の処理媒体が溜められた所定数の処理
槽を用いて被処理対象に所定の処理を施す薬液処理装置
において、 上記所定数よりも少なくとも1つ以上多くの上記処理槽
を用意し、 所定の時間又は加工回数ごとに使用する上記処理槽を循
環的に順次切り換えながら上記被加工対象を加工処理す
ると共に、上記加工処理の間に使用していない上記処理
槽の上記処理媒体を交換することを特徴とする薬液処理
装置。 - 【請求項2】洗浄液が注入された2つの洗浄槽で半導体
ウエハ又は石英基板を洗浄する薬液処理装置において、 上記洗浄槽を少なくとも3つ用意し、 上記3つの洗浄槽の中から使用する2つの洗浄槽を所定
の時間又は洗浄回数ごとに循環的に切り換えながら上記
半導体ウエハ又は石英基板を順次洗浄すると共に、当該
洗浄に使用されない洗浄槽の上記洗浄液を交換すること
を特長とする薬液処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12800593A JPH06314683A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 薬液処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12800593A JPH06314683A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 薬液処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06314683A true JPH06314683A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14974121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12800593A Pending JPH06314683A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 薬液処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06314683A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10177982A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
WO2000049644A1 (de) * | 1999-02-18 | 2000-08-24 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten |
CN111370294A (zh) * | 2020-03-17 | 2020-07-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP12800593A patent/JPH06314683A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10177982A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
WO2000049644A1 (de) * | 1999-02-18 | 2000-08-24 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten |
CN111370294A (zh) * | 2020-03-17 | 2020-07-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质 |
CN111370294B (zh) * | 2020-03-17 | 2023-04-07 | 长江存储科技有限责任公司 | 采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质 |
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