KR20200110224A - 혼합 장치, 혼합 방법 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

혼합 장치, 혼합 방법 및 기판 처리 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20200110224A
KR20200110224A KR1020200030842A KR20200030842A KR20200110224A KR 20200110224 A KR20200110224 A KR 20200110224A KR 1020200030842 A KR1020200030842 A KR 1020200030842A KR 20200030842 A KR20200030842 A KR 20200030842A KR 20200110224 A KR20200110224 A KR 20200110224A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phosphoric acid
tank
precipitation inhibitor
solution
aqueous solution
Prior art date
Application number
KR1020200030842A
Other languages
English (en)
Inventor
준 노나카
타카오 이나다
코지 오구라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20200110224A publication Critical patent/KR20200110224A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/40—Mixing liquids with liquids; Emulsifying
    • B01F23/405—Methods of mixing liquids with liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/40—Mixing liquids with liquids; Emulsifying
    • B01F23/43—Mixing liquids with liquids; Emulsifying using driven stirrers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/40—Mixing liquids with liquids; Emulsifying
    • B01F23/45—Mixing liquids with liquids; Emulsifying using flow mixing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/40—Mixing liquids with liquids; Emulsifying
    • B01F23/45—Mixing liquids with liquids; Emulsifying using flow mixing
    • B01F23/451—Mixing liquids with liquids; Emulsifying using flow mixing by injecting one liquid into another
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/40—Mixing liquids with liquids; Emulsifying
    • B01F23/49—Mixing systems, i.e. flow charts or diagrams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F25/00—Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
    • B01F25/50—Circulation mixers, e.g. wherein at least part of the mixture is discharged from and reintroduced into a receptacle
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F25/00—Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
    • B01F25/50—Circulation mixers, e.g. wherein at least part of the mixture is discharged from and reintroduced into a receptacle
    • B01F25/53—Circulation mixers, e.g. wherein at least part of the mixture is discharged from and reintroduced into a receptacle in which the mixture is discharged from and reintroduced into a receptacle through a recirculation tube, into which an additional component is introduced
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F31/00—Mixers with shaking, oscillating, or vibrating mechanisms
    • B01F31/80—Mixing by means of high-frequency vibrations above one kHz, e.g. ultrasonic vibrations
    • B01F31/83—Mixing by means of high-frequency vibrations above one kHz, e.g. ultrasonic vibrations comprising a supplementary stirring element
    • B01F31/831—Mixing by means of high-frequency vibrations above one kHz, e.g. ultrasonic vibrations comprising a supplementary stirring element the vibrations being generated by the rotation of the stirring element
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F31/00—Mixers with shaking, oscillating, or vibrating mechanisms
    • B01F31/80—Mixing by means of high-frequency vibrations above one kHz, e.g. ultrasonic vibrations
    • B01F31/85—Mixing by means of high-frequency vibrations above one kHz, e.g. ultrasonic vibrations with a vibrating element inside the receptacle
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F33/00—Other mixers; Mixing plants; Combinations of mixers
    • B01F33/40—Mixers using gas or liquid agitation, e.g. with air supply tubes
    • B01F33/402—Mixers using gas or liquid agitation, e.g. with air supply tubes comprising supplementary stirring elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F33/00—Other mixers; Mixing plants; Combinations of mixers
    • B01F33/40—Mixers using gas or liquid agitation, e.g. with air supply tubes
    • B01F33/403—Mixers using gas or liquid agitation, e.g. with air supply tubes for mixing liquids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F33/00—Other mixers; Mixing plants; Combinations of mixers
    • B01F33/40—Mixers using gas or liquid agitation, e.g. with air supply tubes
    • B01F33/406—Mixers using gas or liquid agitation, e.g. with air supply tubes in receptacles with gas supply only at the bottom
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/90—Heating or cooling systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/90—Heating or cooling systems
    • B01F2035/99—Heating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F2101/00—Mixing characterised by the nature of the mixed materials or by the application field
    • B01F2101/58—Mixing semiconducting materials, e.g. during semiconductor or wafer manufacturing processes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Mixers With Rotating Receptacles And Mixers With Vibration Mechanisms (AREA)
  • Accessories For Mixers (AREA)

Abstract

인산 수용액과 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 첨가제를 효율적으로 혼합한다. 본 개시된 일태양에 따른 혼합 장치는, 인산 수용액 공급부와, 첨가제 공급부와, 탱크와, 인산 수용액 공급로와, 첨가제 공급로를 구비한다. 인산 수용액 공급부는 인산 수용액을 공급한다. 첨가제 공급부는 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 첨가제를 공급한다. 인산 수용액 공급로는 인산 수용액 공급부와 탱크를 접속한다. 첨가제 공급로는 첨가제 공급부와 탱크를 접속한다. 또한, 인산 수용액 공급부로부터 탱크로 공급되는 인산 수용액에 유동성을 부여하면서 첨가제를 공급한다.

Description

혼합 장치, 혼합 방법 및 기판 처리 시스템 {MIXING APPARATUS, MIXING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
개시된 실시 형태는 혼합 장치, 혼합 방법 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
종래, 기판 처리 시스템에 있어서, 인산 수용액과 실리콘 산화물(SiO2)의 석출을 억제하는 첨가제를 포함한 에칭액에 기판을 침지함으로써, 이러한 기판에 에칭 처리를 행하는 것이 알려져 있다(특허 문헌 1 참조).
일본특허공개공보 2017-118092호
본 개시는 인산 수용액과 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 첨가제를 효율적으로 혼합할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일태양에 따른 혼합 장치는, 인산 수용액 공급부와, 첨가제 공급부와, 탱크와, 인산 수용액 공급로와, 첨가제 공급로를 구비한다. 인산 수용액 공급부는 인산 수용액을 공급한다. 첨가제 공급부는 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 첨가제를 공급한다. 인산 수용액 공급로는 상기 인산 수용액 공급부와 상기 탱크를 접속한다. 첨가제 공급로는 상기 첨가제 공급부와 상기 탱크를 접속한다. 또한, 상기 인산 수용액 공급부로부터 상기 탱크로 공급되는 상기 인산 수용액에 유동성을 부여하면서 상기 첨가제를 공급한다.
본 개시에 따르면, 인산 수용액과 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 첨가제를 효율적으로 혼합할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 에칭액 생성 처리에 있어서의 혼합 장치의 각 부의 거동 패턴의 구체예를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 3은 실시 형태의 변형예 1에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 4는 실시 형태의 변형예 1에 따른 에칭액 생성 처리에 있어서의 혼합 장치의 각 부의 거동 패턴의 구체예를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 5는 실시 형태의 변형예 2에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 6은 실시 형태의 변형예 3에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 7은 실시 형태의 변형예 4에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 8은 실시 형태의 변형예 5에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 9는 실시 형태의 변형예 6에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 10은 실시 형태의 변형예 7에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 11은 실시 형태의 변형예 8에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 12는 실시 형태의 변형예 9에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 13은 실시 형태의 변형예 10에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 14는 실시 형태의 변형예 10에 따른 에칭액 생성 처리에 있어서의 혼합 장치의 각 부의 거동 패턴의 구체예를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 15는 실시 형태의 변형예 11에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 16은 실시 형태의 변형예 12에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 17은 실시 형태의 변형예 13에 따른 혼합 장치의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 18은 실시 형태의 변형예 13에 따른 에칭액 생성 처리에 있어서의 혼합 장치의 각 부의 거동 패턴의 구체예를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 19는 실시 형태의 변형예 14에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
도 20은 실시 형태에 따른 에칭액 생성 처리 및 기판 처리의 처리 순서를 나타내는 순서도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 혼합 장치, 혼합 방법 및 기판 처리 시스템의 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시 형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면은 모식적인 것이며, 각 요소의 치수의 관계, 각 요소의 비율 등은 현실과 상이한 경우가 있는 것에 유의할 필요가 있다. 또한 도면의 상호 간에 있어서도, 서로의 치수의 관계 및 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 경우가 있다.
종래, 기판 처리 시스템에 있어서, 인산 수용액과 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 첨가제를 포함한 에칭액에 기판을 침지함으로써, 이러한 기판에 에칭 처리를 행하는 것이 알려져 있다.
예를 들면, 인산(H3PO4) 수용액에 기판을 침지함으로써, 기판 상에 적층된 실리콘 질화막(SiN) 및 실리콘 산화막(SiO2) 중, 실리콘 질화막을 선택적으로 에칭할 수 있다.
또한 인산 수용액에 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 첨가제(이하, '석출 억제제'라고도 호칭함)를 추가함으로써, 에칭 처리 시에 실리콘 산화막 상에 실리콘 산화물이 석출되는 것을 억제할 수 있다.
그러나 이 에칭액을 생성할 시에, 인산 수용액과 석출 억제제가 양호하게 혼합되어 있지 않으면, 에칭 처리 시에 에칭 불균일 등의 문제가 생길 우려가 있다. 한편, 인산 수용액과 석출 억제제를 양호하게 혼합하기 위하여, 이러한 혼합 처리에 시간을 많이 들이면, 에칭 처리에 필요한 액량을 충분히 공급할 수 없을 우려가 있다.
따라서, 인산 수용액과 석출 억제제를 효율적으로 혼합할 수 있는 기술이 기대되고 있다.
<기판 처리 시스템의 구성>
먼저, 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구성에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
기판 처리 시스템(1)은 혼합 장치(10)와, 기판 처리 장치(30)를 구비한다. 혼합 장치(10)는 인산 수용액(L)과, 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 석출 억제제와, 실리콘 함유 화합물 수용액(이하, '실리콘 용액'이라고도 호칭함)을 혼합하여, 에칭액(E)을 생성한다. 석출 억제제는 첨가제의 일례이며, 에칭액(E)은 혼합액의 일례이다.
즉, 실시 형태에 따른 에칭액(E)은, 인산 수용액(L)과, 석출 억제제와, 실리콘 용액을 함유한다. 또한, 실시 형태에 따른 에칭액(E)은, 반드시 실리콘 용액을 함유 하지 않아도 된다.
기판 처리 장치(30)는, 혼합 장치(10)에서 생성된 에칭액(E)에 웨이퍼(W)를 침지하여, 이러한 웨이퍼(W)에 에칭 처리를 실시한다. 웨이퍼(W)는 기판의 일례이다. 실시 형태에서는, 예를 들면 웨이퍼(W) 상에 형성된 실리콘 질화막(SiN) 및 실리콘 산화막(SiO2) 중, 실리콘 질화막을 선택적으로 에칭할 수 있다.
혼합 장치(10)는 인산 수용액 공급부(11)와, 석출 억제제 공급부(12)와, 실리콘 용액 공급부(13)와, 탱크(14)와, 순환로(15)를 구비한다. 석출 억제제 공급부(12)는 첨가제 공급부의 일례이다.
인산 수용액 공급부(11)는 인산 수용액(L)을 탱크(14)에 공급한다. 이러한 인산 수용액 공급부(11)는 인산 수용액 공급원(11a)과, 인산 수용액 공급로(11b)와, 유량 조정기(11c)를 가진다.
인산 수용액 공급원(11a)은, 예를 들면 인산 수용액(L)을 저류하는 탱크이다. 인산 수용액 공급로(11b)는 인산 수용액 공급원(11a)과 탱크(14)를 접속하고, 인산 수용액 공급원(11a)으로부터 탱크(14)로 인산 수용액(L)을 공급한다.
유량 조정기(11c)는 인산 수용액 공급로(11b)에 마련되어, 탱크(14)로 공급되는 인산 수용액(L)의 유량을 조정한다. 유량 조정기(11c)는 개폐 밸브 및 유량 제어 밸브 및 유량계 등으로 구성된다.
석출 억제제 공급부(12)는 석출 억제제를 탱크(14)에 공급한다. 이러한 석출 억제제 공급부(12)는 석출 억제제 공급원(12a)과, 석출 억제제 공급로(12b)와, 유량 조정기(12c)를 가진다. 석출 억제제 공급로(12b)는 첨가제 공급로의 일례이다.
석출 억제제 공급원(12a)은, 예를 들면 석출 억제제를 저류하는 탱크이다. 석출 억제제 공급로(12b)는 석출 억제제 공급원(12a)과 탱크(14)를 접속하여, 석출 억제제 공급원(12a)으로부터 탱크(14)로 석출 억제제를 공급한다.
또한, 석출 억제제 공급로(12b)는 출구에 석출 억제제 공급구(12d)를 가진다. 석출 억제제 공급구(12d)는 첨가제 공급구의 일례이다. 그리고, 이러한 석출 억제제 공급구(12d)로부터, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)의 액면(La)에 석출 억제제가 토출된다.
유량 조정기(12c)는 석출 억제제 공급로(12b)에 마련되어, 탱크(14)로 공급되는 석출 억제제의 유량을 조정한다. 유량 조정기(12c)는 개폐 밸브 및 유량 제어 밸브 및 유량계 등으로 구성된다.
실시 형태에 따른 석출 억제제는, 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 성분을 포함하는 것이면 된다. 예를 들면, 인산 수용액(L)에 용해된 실리콘 이온을 용해된 상태에서 안정화시켜 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 것과 같은 성분을 포함해도 된다. 또한, 그 외의 공지의 방법으로 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 것과 같은 성분을 포함해도 된다.
실시 형태에 따른 석출 억제제로는, 예를 들면 불소 성분을 포함하는 헥사 플루오르 규산(H2SiF6) 수용액을 이용할 수 있다. 또한, 수용액 중의 헥사 플루오르 규산을 안정화시키기 위하여, 암모니아 등의 첨가물을 포함해도 된다.
실시 형태에 따른 석출 억제제로서는, 예를 들면 헥사 플루오르 규산 암모늄(NH4)2SiF6, 또는 헥사 플루오르 규산 나트륨(Na2SiF6) 등을 이용할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 석출 억제제는, 이온 반경이 0.2Å에서 0.9Å의 양이온인 원소를 포함하는 화합물이어도 된다. 여기서, '이온 반경'이란, 결정 격자의 격자 정수로부터 얻어지는 음이온과 양이온의 반경의 합으로부터 경험으로 구해진 이온의 반경이다.
실시 형태에 따른 석출 억제제는, 예를 들면 알루미늄, 칼륨, 리튬, 나트륨, 마그네슘, 칼슘, 지르코늄, 텅스텐, 티탄, 몰리브덴, 하프늄, 니켈 및 크롬 중 어느 하나의 원소의 산화물을 포함해도 된다.
또한 실시 형태에 따른 석출 억제제는, 상술한 어느 하나의 원소의 산화물 대신에 또는 더하여, 상술한 어느 하나의 원소의 질화물, 염화물, 취화물, 수산화물 및 질산염 중 적어도 하나를 포함해도 된다.
실시 형태에 따른 석출 억제제는, 예를 들면 Al(OH)3, AlCl3, AlBr3, Al(NO3)3, Al2(SO4)3, AlPO4 및 Al2O3 중 적어도 하나를 포함해도 된다.
또한 실시 형태에 따른 석출 억제제는, KCl, KBr, KOH 및 KNO3 중 적어도 하나를 포함해도 된다. 또한 실시 형태에 따른 석출 억제제는, LiCl, NaCl, MgCl2, CaCl2 및 ZrCl4 중 적어도 하나를 포함해도 된다.
실리콘 용액 공급부(13)는 실리콘 용액을 탱크(14)에 공급한다. 실시 형태에 따른 실리콘 용액은, 예를 들면 콜로이달 실리콘을 분산시킨 용액이다. 실리콘 용액 공급부(13)는 실리콘 용액 공급원(13a)과, 실리콘 용액 공급로(13b)와, 유량 조정기(13c)를 가진다.
실리콘 용액 공급원(13a)은, 예를 들면 실리콘 용액을 저류하는 탱크이다. 실리콘 용액 공급로(13b)는 실리콘 용액 공급원(13a)과 탱크(14)를 접속하여, 실리콘 용액 공급원(13a)으로부터 탱크(14)로 실리콘 용액을 공급한다.
유량 조정기(13c)는 실리콘 용액 공급로(13b)에 마련되어, 탱크(14)로 공급되는 실리콘 용액의 유량을 조정한다. 유량 조정기(13c)는 개폐 밸브 및 유량 제어 밸브 및 유량계 등으로 구성된다.
탱크(14)는 인산 수용액 공급부(11)로부터 공급되는 인산 수용액(L)과, 석출 억제제 공급부(12)로부터 공급되는 석출 억제제와, 실리콘 용액 공급부(13)로부터 공급되는 실리콘 용액을 저류한다. 또한, 탱크(14)는 인산 수용액(L)과 석출 억제제와 실리콘 용액이 혼합되어 생성되는 에칭액(E)을 저류한다.
순환로(15)는 탱크(14)로부터 나와, 이러한 탱크(14)로 돌아오는 순환 라인이다. 순환로(15)는 탱크(14)의 저부에 마련되는 입구(15a)와, 탱크(14)의 상부에 마련되는 출구(15b)를 가지고, 이러한 입구(15a)로부터 출구(15b)를 향해 흐르는 순환류를 형성한다. 또한 실시 형태에서는, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)의 액면(La)의 상방에 출구(15b)가 배치된다.
순환로(15)에는, 탱크(14)를 기준으로 하여 상류측으로부터 차례로 펌프(16)와, 히터(17)와, 개폐 밸브(18)와, 필터(19)와, 분기부(15c)가 마련된다. 또한 분기부(15c)로부터는, 기판 처리 장치(30)의 처리조(31)로 에칭액(E)을 보내는 송액로(22)가 분기되어 있다.
펌프(16)는 탱크(14)로부터 나와, 순환로(15)를 통과하여, 탱크(14)로 돌아오는 인산 수용액(L)의 순환류를 형성한다.
히터(17)는 순환로(15) 내를 순환하는 인산 수용액(L)을 가온한다. 실시 형태에서는, 이러한 히터(17)로 인산 수용액(L)을 가온함으로써, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)을 가온한다.
필터(19)는 순환로(15) 내를 순환하는 에칭액(E)에 포함되는 파티클 등의 오염 물질을 제거한다. 또한, 순환로(15)에는 이러한 필터(19)를 바이패스하는 바이패스 유로(20)가 마련되고, 이러한 바이패스 유로(20)에는 개폐 밸브(21)가 마련된다.
그리고, 순환로(15)에 마련되는 개폐 밸브(18)와 바이패스 유로(20)에 마련되는 개폐 밸브(21)를 번갈아 개폐함으로써, 필터(19)를 흐르는 순환류와, 필터(19)를 바이패스하는 순환류 중 어느 하나를 형성할 수 있다.
여기서 실시 형태에서는, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 효율적으로 혼합하기 위하여, 인산 수용액(L)에 유동성을 부여하면서 석출 억제제를 공급한다. 예를 들면 실시 형태에서는, 펌프(16)를 작동시켜 순환로(15)에 순환류를 형성함으로써, 인산 수용액(L)에 유동성을 부여한다.
이와 같이, 인산 수용액(L)에 유동성을 부여하면서 석출 억제제를 공급함으로써, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 늘릴 수 있다. 따라서 실시 형태에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 실시 형태에서는, 석출 억제제 공급로(12b)로부터 탱크(14)로 석출 억제제를 공급하는 석출 억제제 공급구(12d)가, 순환로(15)의 출구(15b)에 인접하여 마련되면 된다. 이에 의해, 출구(15b)로부터 토출되어, 큰 유동성을 가지는 인산 수용액(L)에 석출 억제제를 직접적으로 공급할 수 있다.
따라서 실시 형태에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 더 늘릴 수 있는 점에서, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
여기서, 혼합 장치(10)에 있어서의 에칭액 생성 처리의 상세에 대하여, 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 실시 형태에 따른 에칭액 생성 처리에 있어서의 혼합 장치(10)의 각 부의 거동 패턴의 구체예를 나타내는 타이밍 차트이다. 또한, 이러한 혼합 장치(10)의 각 부는, 기판 처리 시스템(1)에 마련되는 제어부(도시하지 않음)에 의해 제어된다.
이러한 제어부는, 도 1에 나타낸 기판 처리 시스템(1)의 각 부(혼합 장치(10), 기판 처리 장치(30) 등)의 동작을 제어한다. 제어부는 스위치 및 각종 센서 등으로부터의 신호에 기초하여, 기판 처리 시스템(1)의 각 부의 동작을 제어한다.
이 제어부는 예를 들면 컴퓨터이며, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(도시하지 않음)를 가진다. 이러한 기억 매체에는, 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다.
제어부는, 기억 매체에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다. 또한, 프로그램은 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기억되고 있던 것으로, 다른 기억 매체로부터 제어부의 기억 매체에 인스톨된 것이어도 된다.
컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 실시 형태에 따른 에칭액 생성 처리에서는, 혼합 처리와, 가온 처리와, 필트레이션 처리가 차례로 실시된다. 먼저 제어부는, 시간(T0)부터 인산 수용액 공급부(11)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 탱크(14)에 인산 수용액(L)을 공급함으로써, 혼합 처리를 개시한다.
또한 이러한 시간(T0)의 시점에서는, 석출 억제제 공급부(12)와, 실리콘 용액 공급부(13)과, 펌프(16)와, 히터(17)는 동작하고 있지 않다(OFF 상태이다). 또한 이러한 시간(T0)의 시점에서는, 개폐 밸브(18)가 폐쇄 상태이고 또한 개폐 밸브(21)가 개방 상태인 점에서, 필터(19)가 바이패스 유로(20)에서 바이패스되어 있는 상태(필터 바이패스가 ON 상태)이다.
이어서, 탱크(14)에 정해진 양의 인산 수용액(L)이 저류된 시간(T1)에, 제어부는, 펌프(16)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 순환로(15)에 순환류를 형성한다. 이에 의해, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에 유동성을 부여할 수 있다.
또한, 탱크(14)에 정해진 양의 인산 수용액(L)이 저류된 후에 펌프(16)를 동작시킴으로써, 순환로(15)에 공기가 혼입하여 펌프(16)에 문제가 생기는 것을 억제할 수 있다.
이어서, 시간(T1)부터 정해진 시간 경과하여, 인산 수용액(L)에 충분한 유동성이 부여된 시간(T2)에, 제어부는, 석출 억제제 공급부(12)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 탱크(14)에 석출 억제제를 공급한다.
이에 의해, 충분한 유동성이 부여된 인산 수용액(L)에 석출 억제제를 혼합할 수 있는 점에서, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 실시 형태에서는, 탱크(14) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액면(La) 상에 확산되도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉 실시 형태에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 맞추어, 석출 억제제를 소량씩 공급하면 된다. 환언하면, 실시 형태에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 기초하여, 석출 억제제의 공급량을 설정하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)에서의 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승하는 것을 억제할 수 있다. 따라서 실시 형태에 의하면, 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승함으로써 발생하는 석출 억제제의 겔화를 억제할 수 있다.
이어서, 시간(T2)부터 정해진 시간 경과한 시간(T3)에, 제어부는, 실리콘 용액 공급부(13)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 탱크(14)에 실리콘 용액을 공급한다. 그리고, 석출 억제제 및 실리콘 용액이 탱크(14)에 정해진 양만큼 공급된 시간(T4)에, 제어부는, 석출 억제제 공급부(12) 및 실리콘 용액 공급부(13)를 정지한다(OFF 상태로 한다).
이어서, 인산 수용액(L)이 탱크(14)에 정해진 양만큼 공급된 시간(T5)에, 제어부는, 인산 수용액 공급부(11)를 정지한다(OFF 상태로 한다). 그리고, 시간(T6)까지 순환로(15) 내에 순환류를 형성하여 탱크(14) 내의 약액을 혼합함으로써, 혼합 처리가 완료된다.
또한 도 2의 예에서는, 석출 억제제보다 실리콘 용액을 느린 타이밍에 공급 개시하는 예에 대하여 나타냈지만, 석출 억제제와 실리콘 용액을 동일한 타이밍(시간(T2))에 공급 개시해도 된다.
이어서, 제어부는 시간(T6)부터 히터(17)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 순환로(15) 내를 순환하는 에칭액(E)을 가온함으로써, 가온 처리를 개시한다. 제어부는, 이러한 히터(17)로 에칭액(E)을 가온함으로써, 탱크(14)에 저류되는 에칭액(E)을 가온한다.
또한, 탱크(14)에 마련되는 액면 센서(도시하지 않음)를 이용하여 인산 수용액(L) 또는 석출 억제제 등의 액량을 칭량하는 경우에, 저류되는 인산 수용액(L)의 온도 변화는 칭량의 정밀도에 악영향을 주는 경우가 있다.
따라서 실시 형태에서는, 각 약액의 칭량이 완료되어, 혼합 처리가 완료된 시점(시간(T6))부터 가온 처리를 개시한다. 이에 의해, 각 약액의 칭량 정밀도를 양호하게 유지할 수 있다.
이어서, 탱크(14) 내의 에칭액(E)이 정해진 온도(예를 들면, 165℃)까지 가온된 시간(T7)에, 가온 처리가 완료된다. 이와 같이, 실시 형태에서는, 가온 처리를 실시하는 히터(17)를 혼합 장치(10)에 마련함으로써, 가온된 에칭액(E)을 기판 처리 장치(30)에 공급할 수 있다.
또한 실시 형태에서는, 히터(17)를 혼합 장치(10)의 순환로(15)에 마련함으로써, 에칭액(E)을 효율적으로 가온할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 에칭액 생성 처리에서는, 혼합 처리가 완료된 후에 가온 처리를 개시하고 있다. 이는, 가온되어 온도가 상승한 인산 수용액(L)에 유기 용제를 포함하는 석출 억제제를 공급하면, 이러한 석출 억제제가 돌비(突沸)해 버릴 우려가 있기 때문이다.
즉, 실시 형태에 의하면, 혼합 처리가 완료된 후에 가온 처리를 개시함으로써, 공급 시에 석출 억제제가 돌비하는 것을 억제할 수 있다.
또한 마찬가지로, 가온되어 온도가 상승한 인산 수용액(L)에 수분을 포함하는 실리콘 용액을 공급하면, 이러한 실리콘 용액이 돌비해 버릴 우려가 있다. 즉 실시 형태에 의하면, 혼합 처리가 완료된 후에 가온 처리를 개시함으로써, 공급 시에 실리콘 용액이 돌비하는 것을 억제할 수 있다.
이어서 제어부는, 시간(T7)부터 필터 바이패스를 OFF 상태로 함으로써, 필트레이션 처리를 개시한다. 즉, 제어부는, 시간(T7)부터 개폐 밸브(18)를 개방 상태로 변경하고 또한 개폐 밸브(21)를 폐쇄 상태로 변경하여, 필터(19)를 흐르는 순환류를 순환로(15)에 형성한다. 이에 의해, 에칭액(E)에 포함되는 파티클 등의 오염 물질이 제거된다.
그리고, 에칭액(E)에 포함되는 파티클 등의 오염 물질이 충분히 제거된 시간(T8)에, 필트레이션 처리가 완료된다. 여기까지의 처리에 의해, 실시 형태에 따른 에칭액 생성 처리가 완료된다.
또한 실시 형태에 따른 에칭액 생성 처리에서는, 혼합 처리 및 가온 처리에 있어서 필터 바이패스를 ON 상태로 하고 있다. 이에 의해, 순환로(15)에 있어서, 필터(19)에서 발생하는 압력 손실을 저감할 수 있는 점에서, 탱크(14)에 저류된 인산 수용액(L)을 효율적으로 순환시킬 수 있다.
따라서 실시 형태에 의하면, 필터 바이패스를 ON 상태로 함으로써, 인산 수용액(L)에 효율적으로 유동성을 부여할 수 있다. 또한, 가온 처리가 완료될 때까지는, 필터(19)로 인산 수용액(L) 등을 여과할 필요는 없는 점에서, 바이패스 유로(20)를 거쳐 순환시켰다 하더라도 특별히 문제는 없다.
도 1로 돌아와, 기판 처리 시스템(1)의 그 외의 부위의 설명을 계속한다. 기판 처리 장치(30)는 혼합 장치(10)에서 생성된 에칭액(E)에 웨이퍼(W)를 침지하여, 이러한 웨이퍼(W)에 에칭 처리를 실시한다.
기판 처리 장치(30)는 처리조(31)와, 순환로(32)와, DIW 공급부(33)와, 에칭액 배출부(34)를 구비한다. 처리조(31)는 내조(31a)와 외조(31b)를 가진다.
내조(31a)는 상부가 개방되어, 에칭액(E)이 상부 부근까지 공급된다. 이러한 내조(31a)에서는, 기판 승강 기구(35)로 복수의 웨이퍼(W)가 에칭액(E)에 침지되고, 웨이퍼(W)에 에칭 처리가 행해진다. 이러한 기판 승강 기구(35)는 승강 가능하게 구성되고, 복수의 웨이퍼(W)를 수직 자세로 전후로 배열하여 유지한다.
외조(31b)는 내조(31a)의 상부 주위에 마련되고, 또한 상부가 개방된다. 외조(31b)에는 내조(31a)로부터 오버플로우한 에칭액(E)이 유입된다. 또한, 외조(31b)에는 혼합 장치(10)로부터 에칭액(E)이 송액로(22)를 거쳐 공급되고, DIW 공급부(33)로부터 DIW(DeIonized Water：탈이온수)가 공급된다.
또한, 송액로(22)에는 유량 조정기(23)가 마련된다. 이러한 유량 조정기(23)는 처리조(31)에 공급되는 에칭액(E)의 유량을 조정한다. 유량 조정기(23)는 개폐 밸브 및 유량 제어 밸브 및 유량계 등으로 구성된다.
DIW 공급부(33)는 DIW 공급원(33a)과, DIW 공급로(33b)와, 유량 조정기(33c)를 가진다. DIW 공급부(33)는 가온된 에칭액(E)으로부터 증발한 수분을 보급하기 위하여, 외조(31b)에 DIW를 공급한다.
DIW 공급로(33b)는 DIW 공급원(33a)과 외조(31b)를 접속하여, DIW 공급원(33a)으로부터 외조(31b)로 정해진 온도의 DIW를 공급한다.
유량 조정기(33c)는 DIW 공급로(33b)에 마련되어, 외조(31b)로 공급되는 DIW의 공급량을 조정한다. 유량 조정기(33c)는 개폐 밸브 및 유량 제어 밸브, 유량계 등으로 구성된다. 유량 조정기(33c)에 의해 DIW의 공급량이 조정됨으로써, 에칭액(E)의 온도, 인산 농도, 실리콘 농도 및 석출 억제제 농도가 조정된다.
또한 외조(31b)에는, 온도 센서(36)와 인산 농도 센서(37)가 마련된다. 온도 센서(36)는 에칭액(E)의 온도를 검출하고, 인산 농도 센서(37)는 에칭액(E)의 인산 농도를 검출한다. 온도 센서(36) 및 인산 농도 센서(37)에서 생성된 신호는, 상술한 제어부로 송신된다.
외조(31b)와 내조(31a)는 순환로(32)에 의해 접속된다. 순환로(32)의 일단은 외조(31b)의 저부에 접속되고, 순환로(32)의 타단은 내조(31a) 내에 마련되는 처리액 공급 노즐(38)에 접속된다.
순환로(32)에는 외조(31b)측으로부터 차례로, 펌프(39)와, 히터(40)와, 필터(41)와, 실리콘 농도 센서(42)가 마련된다.
펌프(39)는 외조(31b)로부터 순환로(32)를 거쳐 내조(31a)로 보내지는 에칭액(E)의 순환류를 형성한다. 또한, 에칭액(E)은 내조(31a)로부터 오버플로우함으로써, 다시 외조(31b)로 유출된다. 이와 같이 하여, 기판 처리 장치(30) 내에 에칭액(E)의 순환류가 형성된다. 즉, 이러한 순환류는 외조(31b), 순환로(32) 및 내조(31a)에서 형성된다.
히터(40)는 순환로(32)를 순환하는 에칭액(E)의 온도를 조정한다. 필터(41)는 순환로(32)를 순환하는 에칭액(E)을 여과한다. 실리콘 농도 센서(42)는 순환로(32)를 순환하는 에칭액(E)의 실리콘 농도를 검출한다. 실리콘 농도 센서(42)에서 생성된 신호는 제어부로 송신된다.
에칭액 배출부(34)는 에칭 처리에서 사용된 에칭액(E)의 전부 또는 일부를 교체할 시에 에칭액(E)을 드레인(DR)으로 배출한다. 에칭액 배출부(34)는 배출로(34a)와, 유량 조정기(34b)와, 냉각 탱크(34c)를 가진다.
배출로(34a)는 순환로(32)에 접속된다. 유량 조정기(34b)는 배출로(34a)에 마련되어, 배출되는 에칭액(E)의 배출량을 조정한다. 유량 조정기(34b)는 개폐 밸브 및 유량 제어 밸브, 유량계 등으로 구성된다.
냉각 탱크(34c)는 배출로(34a)를 흘러 온 에칭액(E)을 일시적으로 저류하고 또한 냉각한다. 냉각 탱크(34c)에서는, 유량 조정기(34b)에 의해 에칭액(E)의 배출량이 조정된다.
<변형예>
이어서, 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)의 각종 변형예에 대하여, 도 3 ~ 도 18을 참조하여 설명한다. 도 3은 실시 형태의 변형예 1에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다.
또한 이하의 각종 변형예에서는, 실시 형태와 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여함으로써 중복되는 설명을 생략한다. 또한 이후의 도면에서는, 혼합 처리에 대한 이해의 용이를 위하여, 탱크(14)에 인산 수용액(L)이 저류되는 상태에 대하여 나타낸다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 변형예 1에 따른 혼합 장치(10)에서는, 석출 억제제 공급부(12)에 있어서의 석출 억제제 공급로(12b)의 구성이 실시 형태와 상이하다. 구체적으로, 석출 억제제 공급로(12b)가 복수의 유로로 분기된다.
그리고 변형예 1에서는, 석출 억제제 공급구(12d)가 탱크(14)의 상부에 수평 방향으로 복수 분할되어 마련된다. 즉 변형예 1에서는, 복수의 석출 억제제 공급구(12d)가 수평 방향으로 서로 상이한 위치에 마련되어 있다.
또한 본 개시에 있어서, '탱크(14)의 상부'란, 탱크(14)의 높이 방향에 있어서의 중앙으로부터 상측이며, '탱크(14)의 하부'란, 탱크(14)의 높이 방향에 있어서의 중앙으로부터 하측이다.
이 변형예 1에서는, 석출 억제제 공급부(12)가, 복수의 석출 억제제 공급구(12d)를 이용하여 석출 억제제를 다점으로 분할하고, 저류되는 인산 수용액(L)의 액면(La)에 공급한다. 이에 의해, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 늘릴 수 있다. 따라서 변형예 1에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 1에서는, 석출 억제제를 다점으로 분할하여 인산 수용액(L)에 공급하는 점에서, 인산 수용액(L)에서의 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승함으로써 발생하는 석출 억제제의 겔화를 억제할 수 있다.
따라서 변형예 1에 의하면, 겔화하지 않은 양호한 상태의 석출 억제제를 인산 수용액(L)에 혼합할 수 있다. 또한 도 3의 예에서는, 석출 억제제 공급로(12b)를 4 개의 유로로 분기시킨 예에 대하여 나타냈지만, 분기시키는 유로의 수는 4 개에 한정되지 않는다.
또한 변형예 1에서는, 탱크(14) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액면(La) 상에 퍼지도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉 변형예 1에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 맞추어, 석출 억제제를 소량씩 공급하면 된다. 환언하면, 변형예 1에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 기초하여, 석출 억제제의 공급량을 설정하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)에서의 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승하는 것을 더 억제할 수 있는 점에서, 석출 억제제의 겔화를 더 억제할 수 있다.
도 4는 실시 형태의 변형예 1에 따른 에칭액 생성 처리에 있어서의 혼합 장치(10)의 각 부의 거동 패턴의 구체예를 나타내는 타이밍 차트이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 변형예 1에 따른 에칭액 생성 처리에서는, 석출 억제제의 공급 타이밍이 실시 형태와 상이하다.
구체적으로, 변형예 1에서는, 시간(T0)에 혼합 처리가 개시된 후, 펌프(16)를 동작시키는 타이밍(시간(T1))과 동일한 타이밍에, 석출 억제제의 공급을 개시한다. 그 후의 처리는 실시 형태와 동일한 점에서, 상세한 설명은 생략한다.
도 5는 실시 형태의 변형예 2에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 변형예 2에 따른 혼합 장치(10)에서는, 복수의 석출 억제제 공급구(12d)의 배치가 변형예 1과 상이하다.
구체적으로, 복수의 석출 억제제 공급구(12d)가, 수평 방향뿐 아니라, 높이 방향으로도 분할되어 배치되어 있다. 환언하면, 변형예 2에서는, 복수의 석출 억제제 공급구(12d)는, 수평 방향 및 높이 방향에 서로 상이한 위치에 마련되어 있다.
이에 의해, 석출 억제제를 더 넓은 범위에 다점으로 공급할 수 있는 점에서, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 2에서는, 석출 억제제가 저류되는 인산 수용액(L)의 액면(La)뿐 아니라, 인산 수용액(L)의 액 중에도 공급할 수 있다. 그리고 실시 형태에 따른 석출 억제제는, 유기 용제를 포함하는 점에서, 비중이 인산 수용액(L)보다 가볍다.
따라서, 변형예 2와 같이 석출 억제제를 인산 수용액(L)의 액 중에 공급함으로써, 인산 수용액(L)의 액면(La)에만 석출 억제제가 체류하는 것을 억제할 수 있다.
즉, 변형예 2에서는, 석출 억제제를 인산 수용액(L)의 액 중에 공급함으로써, 석출 억제제의 농도가 액면(La)에서 국소적으로 증가하여, 석출 억제제가 겔화하는 것을 억제할 수 있다. 따라서 변형예 2에 의하면, 겔화하지 않은 양호한 상태의 석출 억제제를 인산 수용액(L)에 혼합할 수 있다.
또한 변형예 2에서는, 탱크(14) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액 중에, 이러한 인산 수용액(L)의 유동성을 손상시키지 않도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 인산 수용액(L)의 유속보다 느린 유속으로 석출 억제제를 공급하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)의 유동성이 손상되어, 석출 억제제가 양호하게 혼합되지 않는 것을 억제할 수 있다.
또한 변형예 2에서의 에칭액 생성 처리는, 도 4의 예와 동일한 타이밍 차트로 실시하면 된다.
도 6은 실시 형태의 변형예 3에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 변형예 3에 따른 혼합 장치(10)에서는, 석출 억제제 공급구(12d)에 샤워 노즐(12e)이 마련된다. 이러한 샤워 노즐(12e)은, 탱크(14)의 상부에 마련되어, 석출 억제제를 인산 수용액(L)의 액면(La)에 공급한다.
이 변형예 3에서는, 샤워 노즐(12e)이, 저류되는 인산 수용액(L)의 액면(La)에 얇게 펼치도록 석출 억제제를 공급한다. 이에 의해, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 더 늘릴 수 있다. 따라서 변형예 3에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 3에서는, 석출 억제제를 샤워 노즐(12e)로 얇게 펼치도록 인산 수용액(L)에 공급하는 점에서, 인산 수용액(L) 내에서의 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승하는 것을 억제할 수 있다.
따라서 변형예 3에 의하면, 석출 억제제가 인산 수용액(L)에 공급되었을 시에 겔화하는 것을 억제할 수 있다.
또한 변형예 3에서는, 탱크(14) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액면(La) 상에 퍼지도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 변형예 3에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 맞추어, 석출 억제제를 소량씩 공급하면 된다. 환언하면, 변형예 3에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 기초하여, 석출 억제제의 공급량을 설정하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)에서의 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승하는 것을 더 억제할 수 있는 점에서, 석출 억제제의 겔화를 더 억제할 수 있다.
또한 변형예 3에서의 에칭액 생성 처리는, 도 4의 예와 동일한 타이밍 차트로 실시하면 된다. 또한, 샤워 노즐(12e)은 탱크(14)의 상부에 마련되는 경우에 한정되지 않고, 탱크(14)의 하부에 마련되어 있어도 된다. 그리고, 이러한 탱크(14)의 하부에 마련되는 샤워 노즐(12e)로부터, 저류되는 인산 수용액(L)의 액 중에 석출 억제제가 공급되어도 된다.
도 7은 실시 형태의 변형예 4에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 변형예 4에 따른 혼합 장치(10)에서는, 인산 수용액 공급로(11b)에 믹서(11d)가 마련된다. 이러한 믹서(11d)는, 예를 들면 인 라인 믹서 또는 스태틱 믹서 등이다.
그리고, 석출 억제제 공급부(12)는 믹서(11d)에 석출 억제제를 공급한다. 이에 의해, 믹서(11d)로 큰 유동성이 부여된 인산 수용액(L)에 석출 억제제를 공급할 수 있다.
따라서 변형예 4에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 4에서는, 인산 수용액 공급로(11b) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액 중에, 이러한 인산 수용액(L)의 유동성을 손상시키지 않도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 인산 수용액(L)의 유속보다 느린 유속으로 석출 억제제를 공급하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)의 유동성이 손상되어, 석출 억제제가 양호하게 혼합되지 않는 것을 억제할 수 있다. 또한, 변형예 4에서의 에칭액 생성 처리는, 도 4의 예와 동일한 타이밍 차트로 실시하면 된다.
도 8은 실시 형태의 변형예 5에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 변형예 5에 따른 혼합 장치(10)에서는, 석출 억제제 공급부(12)의 석출 억제제 공급구(12d)가 탱크(14)의 하부에 마련된다. 그리고, 이러한 석출 억제제 공급구(12d)로부터, 석출 억제제가 인산 수용액(L)의 액 중에 공급된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)의 액면(La)에만 석출 억제제가 체류하는 것을 억제할 수 있는 점에서, 석출 억제제의 농도가 액면(La)에서 국소적으로 증가하여, 석출 억제제가 겔화하는 것을 억제할 수 있다.
따라서 변형예 5에 의하면, 겔화하지 않은 양호한 상태의 석출 억제제를 인산 수용액(L)에 혼합할 수 있다.
또한 변형예 5에서는, 탱크(14) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액 중에, 이러한 인산 수용액(L)의 유동성을 손상시키지 않도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 인산 수용액(L)의 유속보다 느린 유속으로 석출 억제제를 공급하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)의 유동성이 손상되어, 석출 억제제가 양호하게 혼합되지 않는 것을 억제할 수 있다. 또한 변형예 5에서의 에칭액 생성 처리는, 도 2의 예와 동일한 타이밍 차트로 실시하면 된다.
도 9는 실시 형태의 변형예 6에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 변형예 6에 따른 혼합 장치(10)에서는, 석출 억제제 공급부(12)의 석출 억제제 공급로(12b)의 구성이 변형예 5와 상이하다.
구체적으로, 석출 억제제 공급로(12b)가 복수의 유로로 분기되어, 석출 억제제 공급구(12d)가 탱크(14)의 하부에 수평 방향으로 복수 분할되어 마련된다. 그리고 변형예 6에서는, 복수의 석출 억제제 공급구(12d)가 석출 억제제를 다점으로 분할하여, 저류되는 인산 수용액(L)의 액 중에 석출 억제제를 공급한다.
이에 의해, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 늘릴 수 있는 점에서, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 6에서는, 인산 수용액(L)의 액면(La)에만 석출 억제제가 체류하는 것을 억제할 수 있는 점에서, 석출 억제제의 농도가 액면(La)에서 국소적으로 증가하여, 석출 억제제가 겔화하는 것을 억제할 수 있다.
따라서 변형예 6에 의하면, 겔화하지 않은 양호한 상태의 석출 억제제를 인산 수용액(L)에 혼합할 수 있다.
또한 변형예 6에서는, 탱크(14) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액 중에, 이러한 인산 수용액(L)의 유동성을 손상시키지 않도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 인산 수용액(L)의 유속보다 느린 유속으로 석출 억제제를 공급하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)의 유동성이 손상되어, 석출 억제제가 양호하게 혼합되지 않는 것을 억제할 수 있다.
또한 변형예 6에서의 에칭액 생성 처리는, 도 2의 예와 동일한 타이밍 차트로 실시하면 된다. 또한 도 9의 예에서는, 석출 억제제 공급로(12b)를 5 개의 유로로 분기시킨 예에 대하여 나타냈지만, 분기시키는 유로의 수는 5 개에 한정되지 않는다.
도 10은 실시 형태의 변형예 7에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 변형예 7에 따른 혼합 장치(10)에서는, 석출 억제제 공급부(12)의 석출 억제제 공급구(12d)가, 탱크(14)의 하부에 있어서 순환로(15)의 입구(15a)에 인접하여 마련된다. 그리고, 이러한 석출 억제제 공급구(12d)로부터, 석출 억제제가 순환로(15)의 입구(15a)를 향해 공급된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)의 액면(La)에만 석출 억제제가 체류하는 것을 억제할 수 있는 점에서, 석출 억제제의 농도가 액면(La)에서 국소적으로 증가하여, 석출 억제제가 겔화하는 것을 억제할 수 있다. 따라서 변형예 7에 의하면, 겔화하지 않은 양호한 상태의 석출 억제제를 인산 수용액(L)에 혼합할 수 있다.
또한 변형예 7에서는, 석출 억제제가 순환로(15)로 신속하게 도입되는 점에서, 큰 유동성이 부여된 순환로(15) 내의 인산 수용액(L)에 석출 억제제를 공급할 수 있다. 따라서 변형예 7에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 7에서는, 석출 억제제 공급부(12)에 대한 펌프(16)의 맥동의 영향을 저감할 수 있다. 따라서 변형예 7에 의하면, 석출 억제제 공급부(12)로부터의 석출 억제제의 공급 정밀도를 향상시킬 수 있다.
또한 변형예 7에서는, 탱크(14) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액 중에, 이러한 인산 수용액(L)의 유동성을 손상시키지 않도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 인산 수용액(L)의 유속보다 느린 유속으로 석출 억제제를 공급하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)의 유동성이 손상되어, 석출 억제제가 양호하게 혼합되지 않는 것을 억제할 수 있다. 또한 변형예 7에서의 에칭액 생성 처리는, 도 2의 예와 동일한 타이밍 차트로 실시하면 된다.
도 11은 실시 형태의 변형예 8에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 변형예 8에 따른 혼합 장치(10)에서는, 순환로(15)에 있어서의 분기부(15c)보다 하류측에 믹서(15d)가 마련된다. 이러한 믹서(15d)는, 예를 들면 인 라인 믹서 또는 스태틱 믹서 등이다.
그리고, 석출 억제제 공급부(12)는 믹서(15d)에 석출 억제제를 공급한다. 이에 의해, 펌프(16)로 유동성이 부여된 인산 수용액(L)에, 믹서(15d)로 유동성을 더 부여한 상태로 석출 억제제를 공급할 수 있다. 따라서 변형예 8에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 8에서는, 믹서(15d)가 펌프(16) 및 필터(19)보다 순환로(15)의 하류측에 마련된다. 이에 의해, 가령 석출 억제제가 겔화했다 하더라도, 이러한 겔화한 석출 억제제가 펌프(16) 및 필터(19)에 쌓이는 것을 억제할 수 있다.
또한 변형예 8에서는, 순환로(15) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액 중에, 이러한 인산 수용액(L)의 유동성을 손상시키지 않도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 인산 수용액(L)의 유속보다 느린 유속으로 석출 억제제를 공급하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)의 유동성이 손상되어, 석출 억제제가 양호하게 혼합되지 않는 것을 억제할 수 있다. 또한 변형예 8에서의 에칭액 생성 처리는, 도 2의 예와 동일한 타이밍 차트로 실시하면 된다.
도 12는 실시 형태의 변형예 9에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 변형예 9에 따른 혼합 장치(10)에서는, 순환로(15)에 있어서의 펌프(16)보다 상류측에 합류부(15e)가 마련된다.
그리고 석출 억제제 공급부(12)는, 이러한 합류부(15e)에 석출 억제제를 공급한다. 이에 의해, 유동성이 부여된 순환로(15) 내의 인산 수용액(L)에 석출 억제제를 공급할 수 있다. 따라서 변형예 9에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 9에서는, 합류부(15e)가 펌프(16)보다 상류측에 마련되는 점에서, 이러한 펌프(16)의 내부에서 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 혼합시킬 수 있다. 즉, 변형예 9에서는 펌프(16)가 믹서의 기능을 가진다.
이에 의해, 별도 믹서를 추가할 필요가 없어지는 점에서, 저비용 또한 효율적으로 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 혼합할 수 있다.
또한 변형예 9에서는, 순환로(15) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액 중에, 이러한 인산 수용액(L)의 유동성을 손상시키지 않도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 인산 수용액(L)의 유속보다 느린 유속으로 석출 억제제를 공급하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)의 유동성이 손상되어, 석출 억제제가 양호하게 혼합되지 않는 것을 억제할 수 있다. 또한 변형예 9에서의 에칭액 생성 처리는, 도 2의 예와 동일한 타이밍 차트로 실시하면 된다.
도 13은 실시 형태의 변형예 10에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 변형예 10에 따른 혼합 장치(10)에서는, 석출 억제제 공급부(12)의 석출 억제제 공급구(12d)가 탱크(14)의 상부에 마련된다.
또한 변형예 10에 따른 혼합 장치(10)에는, 교반 장치가 탱크(14)에 마련된다. 예를 들면 도 13의 예에서는, 교반 장치의 일례인 버블링 장치(24)가 탱크(14)에 마련된다.
이러한 버블링 장치(24)는 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)을 버블링 가스로 버블링한다. 버블링 장치(24)는 버블링 가스 공급원(24a)과, 버블링 가스 공급로(24b)와, 유량 조정기(24c)와, 버블링 노즐(24d)을 가진다.
버블링 장치(24)에서는, 버블링 가스 공급원(24a)으로부터 버블링 가스 공급로(24b)를 거쳐 버블링 노즐(24d)로 버블링 가스를 공급한다. 버블링 노즐(24d)은 예를 들면 탱크(14)의 저부에 마련되어, 수평 방향으로 연장된다.
또한 버블링 노즐(24d)에는, 버블링 가스를 토출하는 복수의 토출구(도시하지 않음)가 수평 방향으로 나란히 마련된다. 그리고, 이러한 복수의 토출구로부터 버블링 가스가 토출됨으로써, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)을 버블링할 수 있다. 버블링 가스는, 예를 들면 질소 가스 등의 불활성 가스이다.
그리고 변형예 10에서는, 이 버블링 장치(24)를 작동시킴으로써, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에 대하여 상승류에 따른 유동성을 부여할 수 있다.
이와 같이, 인산 수용액(L)에 새로운 유동성을 부여하면서 석출 억제제를 공급함으로써, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 더 늘릴 수 있다. 따라서 변형예 10에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 더 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 10에서는, 구동 부분이 없는 버블링 장치(24)를 교반 장치로서 이용하고 있는 점에서, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에의 불순물의 혼입을 억제할 수 있다.
도 14는 실시 형태의 변형예 10에 따른 에칭액 생성 처리에 있어서의 혼합 장치(10)의 각 부의 거동 패턴의 구체예를 나타내는 타이밍 차트이다. 먼저, 제어부는, 시간(T0)부터 인산 수용액 공급부(11)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 탱크(14)에 인산 수용액(L)을 공급함으로써, 혼합 처리를 개시한다.
또한 이러한 시간(T0)의 시점에서는, 석출 억제제 공급부(12)와, 실리콘 용액 공급부(13)와, 펌프(16)와, 히터(17)는 동작하고 있지 않다(OFF 상태이다). 또한 이러한 시간(T0)의 시점에서는, 필터 바이패스가 ON 상태이며, 교반 장치(버블링 장치(24))가 동작하고 있지 않다(OFF 상태이다).
이어서, 탱크(14)에 정해진 양의 인산 수용액(L)이 저류된 시간(T1a)에, 제어부는 석출 억제제 공급부(12)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 탱크(14)에 석출 억제제를 공급한다.
또한, 석출 억제제의 공급 개시와 동일한 타이밍(시간(T1a))에, 제어부는, 교반 장치(버블링 장치(24))를 동작시킨다(ON 상태로 한다). 이에 의해, 인산 수용액(L)에 유동성을 부여할 수 있다.
따라서, 유동성이 부여된 인산 수용액(L)에 석출 억제제를 혼합할 수 있는 점에서, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 10에서는, 탱크(14) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액면(La) 상에 퍼지도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 변형예 10에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 맞추어, 석출 억제제를 소량씩 공급하면 된다. 환언하면, 변형예 10에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 기초하여, 석출 억제제의 공급량을 설정하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)에서의 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승하는 것을 억제할 수 있는 점에서, 석출 억제제의 겔화를 억제할 수 있다.
이어서, 시간(T1a)부터 정해진 시간 경과한 시간(T2a)에, 제어부는, 펌프(16)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 순환로(15)에 순환류를 형성한다. 이에 의해, 인산 수용액(L)에 새로운 유동성을 부여할 수 있다.
이어서, 인산 수용액(L)이 탱크(14)에 정해진 양 공급된 시간(T3a)에, 제어부는, 인산 수용액 공급부(11)를 정지한다(OFF 상태로 한다). 그리고, 석출 억제제가 탱크(14)에 정해진 양 공급된 시간(T4a)에, 제어부는, 석출 억제제 공급부(12)를 정지한다(OFF 상태로 한다).
또한 석출 억제제의 공급 정지와 동일한 타이밍(시간(T4a))에, 제어부는, 실리콘 용액 공급부(13)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 탱크(14)에 실리콘 용액을 공급한다.
이어서, 실리콘 용액이 탱크(14)에 정해진 양 공급된 시간(T5a)에, 제어부는, 실리콘 용액 공급부(13)를 정지한다(OFF 상태로 한다). 이에 의해, 혼합 처리가 완료된다.
또한 도 14의 예에서는, 석출 억제제보다 실리콘 용액을 느린 타이밍에 공급 개시하는 예에 대하여 나타냈지만, 석출 억제제와 실리콘 용액을 동일한 타이밍(시간(T1a))에 공급 개시해도 된다.
이어서 제어부는, 시간(T5a)부터 히터(17)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 순환로(15) 내를 순환하는 에칭액(E)을 가온함으로써, 가온 처리를 개시한다. 제어부는, 이러한 히터(17)로 에칭액(E)을 가온함으로써, 탱크(14)에 저류되는 에칭액(E)을 가온한다.
그리고, 탱크(14) 내의 에칭액(E)이 정해진 온도(예를 들면, 165℃)까지 가온된 시간(T6a)에, 가온 처리가 완료된다. 이어서 제어부는, 시간(T6a)부터 필터 바이패스를 OFF 상태로 함으로써, 필트레이션 처리를 개시한다.
그리고, 에칭액(E)에 포함되는 파티클 등의 오염 물질이 충분히 제거된 시간(T7a)에, 필트레이션 처리가 완료된다. 이에 의해, 변형예 10에 따른 에칭액 생성 처리가 완료된다.
도 15는 실시 형태의 변형예 11에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 변형예 11에 따른 혼합 장치(10)에는, 교반 장치의 다른 일례인 교반 날개(25)가 탱크(14)의 하부에 마련된다.
그리고 변형예 11에서는, 이러한 교반 날개(25)를 회동 가능하게 구성되는 구동 장치(도시하지 않음)를 작동시킴으로써, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에 대하여 와류에 따른 유동성을 부여할 수 있다.
이와 같이, 인산 수용액(L)에 새로운 유동성을 부여하면서 석출 억제제를 공급함으로써, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 더 늘릴 수 있다. 따라서 변형예 11에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 더 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 11에서는, 교반 날개(25)의 구동 장치를 세밀하게 제어함으로써, 교반 속도를 세밀하게 제어할 수 있다. 이에 의해, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 11에서는, 탱크(14)가 원통 형상으로 형성되어 있으면 된다. 이에 의해, 탱크(14) 내의 인산 수용액(L)에 대하여 원활하게 와류를 형성할 수 있는 점에서, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 11에서는, 탱크(14) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액면(La) 상에 퍼지도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 변형예 11에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 맞추어, 석출 억제제를 소량씩 공급하면 된다. 환언하면, 변형예 11에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 기초하여, 석출 억제제의 공급량을 설정하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)에서의 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승하는 것을 억제할 수 있는 점에서, 석출 억제제의 겔화를 억제할 수 있다.
또한 변형예 11에서는, 도 8 등에 나타낸 바와 같이, 탱크(14)의 하부에 마련되는 석출 억제제 공급구(12d)로부터, 석출 억제제를 인산 수용액(L)의 액 중에 공급해도 된다.
이에 의해, 교반 날개(25)로 형성되는 와류에 석출 억제제를 적극적으로 끌어들일 수 있는 점에서, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
이 경우, 순환로(15) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액 중에, 이러한 인산 수용액(L)의 유동성을 손상시키지 않도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 인산 수용액(L) 내에 형성되는 와류보다 느린 유속으로 석출 억제제를 공급하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)의 유동성이 손상되어, 석출 억제제가 양호하게 혼합되지 않는 것을 억제할 수 있다. 또한 변형예 11에서의 에칭액 생성 처리는, 도 14의 예와 동일한 타이밍 차트로 실시하면 된다.
도 16은 실시 형태의 변형예 12에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 16에 나타내는 바와 같이, 변형예 12에 따른 혼합 장치(10)에는, 교반 장치의 다른 일례인 초음파 발생 장치(26)가 탱크(14)의 하부에 마련된다.
이러한 초음파 발생 장치(26)는, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)을 향해 초음파를 발생시킬 수 있다. 그리고 변형예 12에서는, 초음파 발생 장치(26)를 작동시킴으로써, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에 대하여 초음파에 따른 유동성을 부여할 수 있다.
이와 같이, 인산 수용액(L)에 새로운 유동성을 부여하면서 석출 억제제를 공급함으로써, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 더 늘릴 수 있다. 또한 변형예 12에서는, 초음파 발생 장치(26)로부터의 초음파가 인산 수용액(L)의 전체로 전달되는 점에서, 인산 수용액(L)의 액 중의 도처에서 교반이 행해진다.
따라서 변형예 12에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 12에서는, 초음파 발생 장치(26)로부터의 초음파에 의해 인산 수용액(L)의 액 중에서 캐비테이션 현상이 발생한다. 이 때문에, 인산 수용액(L) 내에서 가령 석출 억제제가 겔화했다 하더라도, 이러한 겔을 작게 분해할 수 있다.
즉, 변형예 12에서는, 겔화한 석출 억제제의 용해를 촉진할 수 있는 점에서, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 12에서는, 탱크(14) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액면(La) 상에 퍼지도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 변형예 12에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 맞추어, 석출 억제제를 소량씩 공급하면 된다. 환언하면, 변형예 12에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 기초하여, 석출 억제제의 공급량을 설정하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)에서의 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승하는 것을 억제할 수 있는 점에서, 석출 억제제의 겔화 자체를 억제할 수 있다. 또한 변형예 12에서의 에칭액 생성 처리는, 도 14의 예와 동일한 타이밍 차트로 실시하면 된다.
도 17은 실시 형태의 변형예 13에 따른 혼합 장치(10)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 17에 나타내는 바와 같이, 변형예 13에 따른 혼합 장치(10)에서는, 탱크(14)의 구성이 실시 형태와 상이하다. 구체적으로, 변형예 13에 따른 탱크(14)는 내조(14a)와 외조(14b)를 가진다.
내조(14a)는 상부가 개방되어, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와 실리콘 용액이 상부 부근까지 공급된다. 즉, 인산 수용액 공급부(11)는 내조(14a)에 인산 수용액(L)을 공급하고, 석출 억제제 공급부(12)는 내조(14a)에 석출 억제제를 공급하고, 실리콘 용액 공급부(13)는 내조(14a)에 실리콘 용액을 공급한다.
외조(14b)는 내조(14a)의 주위에 마련되고, 또한 상부가 개방된다. 외조(14b)에는, 내조(14a)로부터 오버플로우한 인산 수용액(L) 등이 유입된다.
또한, 외조(14b)의 저부에는 순환로(15)의 입구(15a)가 마련된다. 또한, 순환로(15)의 출구(15b)는 내조(14a)의 하부에 마련된다. 즉, 변형예 13에서는 외조(14b), 순환로(15) 및 내조(14a)에 의해, 인산 수용액(L)의 순환류가 형성된다.
그리고 변형예 13에 따른 혼합 장치(10)에서는, 내조(14a)로부터 외조(14b)로 인산 수용액(L)을 오버플로우시킴으로써, 이러한 인산 수용액(L)에 대하여 상승류에 따른 유동성을 부여할 수 있다.
이와 같이, 인산 수용액(L)에 새로운 유동성을 부여하면서 석출 억제제를 공급함으로써, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 더 늘릴 수 있다. 따라서 변형예 13에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 더 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 13에서는, 구동 부분이 없는 내조(14a) 및 외조(14b)에서 상승류를 형성하고 있는 점에서, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에의 불순물의 혼입을 억제할 수 있다.
또한 변형예 13에서는, 석출 억제제를 탱크(14)의 내조(14a)로 공급하면 된다. 이에 의해, 내조(14a)로부터 오버플로우하는 인산 수용액(L)의 액면(La)에서, 석출 억제제를 지연시켜 얇게 할 수 있다. 즉, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 더 늘릴 수 있다.
따라서 변형예 13에 의하면, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 변형예 13에서는, 내조(14a) 내에서 유동하는 인산 수용액(L)의 액면(La) 상에 퍼지도록 석출 억제제를 공급하면 된다. 즉, 변형예 13에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 맞추어, 석출 억제제를 소량씩 공급하면 된다. 환언하면, 변형예 13에서는, 인산 수용액(L)의 유동성에 기초하여, 석출 억제제의 공급량을 설정하면 된다.
이에 의해, 인산 수용액(L)에서의 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승하는 것을 억제할 수 있는 점에서, 석출 억제제의 겔화를 억제할 수 있다.
도 18은 실시 형태의 변형예 13에 따른 에칭액 생성 처리에 있어서의 혼합 장치(10)의 각 부의 거동 패턴의 구체예를 나타내는 타이밍 차트이다. 먼저, 제어부는, 시간(T0)부터 인산 수용액 공급부(11)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 탱크(14)에 인산 수용액(L)을 공급함으로써, 혼합 처리를 개시한다.
또한 이러한 시간(T0)의 시점에서는, 석출 억제제 공급부(12)와, 실리콘 용액 공급부(13)와, 펌프(16)와, 히터(17)는 동작하고 있지 않다(OFF 상태이다). 또한, 이러한 시간(T0)의 시점에서는, 필터 바이패스가 ON 상태이다.
이어서, 탱크(14)의 내조(14a) 및 외조(14b)에 정해진 양의 인산 수용액(L)이 저류된 시간(T1b)에, 제어부는, 인산 수용액 공급부(11)를 정지한다(OFF 상태로 한다). 또한 이러한 정해진 양이란, 적어도 인산 수용액(L)을 내조(14a)로부터 오버플로우시키면서 순환로(15)에서 순환 가능한 양이다.
또한 인산 수용액(L)의 공급 정지와 동일한 타이밍(시간(T1b))에, 제어부는, 석출 억제제 공급부(12) 및 펌프(16)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 탱크(14)에 석출 억제제를 공급하고, 순환로(15)에 순환류를 형성한다. 이에 의해, 내조(14a)로부터 오버플로우하는 인산 수용액(L)에 석출 억제제를 공급할 수 있다.
이어서, 석출 억제제가 내조(14a)에 정해진 양 공급된 시간(T2b)에, 제어부는, 석출 억제제 공급부(12)를 정지한다(OFF 상태로 한다). 그리고, 시간(T3b)까지 순환로(15) 내의 순환류를 형성하여 탱크(14) 내의 약액을 혼합함으로써, 혼합 처리가 완료된다.
이어서 제어부는, 시간(T3b)로부터 히터(17)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 순환로(15) 내를 순환하는 인산 수용액(L) 등을 가온함으로써, 가온 처리를 개시한다. 제어부는, 이러한 히터(17)로 인산 수용액(L) 등을 가온함으로써, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L) 등을 가온한다.
또한, 히터(17)의 동작 개시와 동일한 타이밍(시간(T3b))에, 제어부는, 실리콘 용액 공급부(13)를 동작시켜(ON 상태로 하여), 탱크(14)에 실리콘 용액을 공급한다.
그리고, 실리콘 용액이 탱크(14)에 정해진 양 공급된 시간(T4b)에, 제어부는, 실리콘 용액 공급부(13)를 정지한다(OFF 상태로 한다). 또한, 탱크(14) 내의 인산 수용액(L) 등이 정해진 온도(예를 들면, 165℃)까지 가온된 시간(T5b)에, 가온 처리가 완료된다.
이어서, 제어부는, 시간(T5b)부터 필터 바이패스를 OFF 상태로 함으로써, 필트레이션 처리를 개시한다.
그리고, 인산 수용액(L) 등에 포함되는 파티클 등의 오염 물질이 충분히 제거된 시간(T6b)에, 필트레이션 처리가 완료된다. 이에 의해, 변형예 13에 따른 에칭액 생성 처리가 완료된다.
도 19는 실시 형태의 변형예 14에 따른 기판 처리 시스템(1A)의 구성을 나타내는 개략 블록도이다. 도 19에 나타내는 기판 처리 시스템(1A)은, 복수의 웨이퍼(W)를 배치 처리하는 기판 처리 장치(30)가 아닌, 웨이퍼(W)를 1 매씩 매엽 처리하는 기판 처리 장치(50)를 가지는 점이 실시 형태와 상이하다. 또한 도 19에서는, 도 1에 나타낸 실시 형태와 동일한 부위에 대해서는 동일한 부호를 부여하여, 상세한 설명은 생략한다.
도 19에 나타내는 기판 처리 시스템(1A)에서는, 순환로(15) 내를 순환하는 에칭액(E)이, 송액로(22)를 개재하여 기판 처리 장치(50)에 공급된다. 이러한 기판 처리 장치(50)는, 기판 유지부(51)와, 회전 기구(52)를 가진다.
기판 유지부(51)는 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 회전 기구(52)는 기판 유지부(51) 및 기판 유지부(51)에 유지되는 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고 기판 처리 시스템(1A)은, 기판 유지부(51)에 유지되는 웨이퍼(W)의 상면에, 순환로(15)로부터 송액로(22)를 거쳐 에칭액(E)을 토출함으로써, 매엽 처리에 따른 에칭 처리를 웨이퍼(W)에 실시할 수 있다.
또한 도 19에는, 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)에 매엽 처리 가능한 기판 처리 장치(50)를 조합한 예에 대하여 나타냈지만, 변형예 1 ~ 13에 따른 혼합 장치(10)에 매엽 처리 가능한 기판 처리 장치(50)를 조합해도 된다.
실시 형태에 따른 혼합 장치(10)는, 인산 수용액 공급부(11)와, 첨가제 공급부(석출 억제제 공급부(12))와, 탱크(14)와, 인산 수용액 공급로(11b)와, 첨가제 공급로(석출 억제제 공급로(12b))를 구비한다. 인산 수용액 공급부(11)는 인산 수용액(L)을 공급한다. 첨가제 공급부(석출 억제제 공급부(12))는 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 첨가제(석출 억제제)를 공급한다. 인산 수용액 공급로(11b)는 인산 수용액 공급부(11)와 탱크(14)를 접속한다. 첨가제 공급로(석출 억제제 공급로(12b))는 첨가제 공급부(석출 억제제 공급부(12))와 탱크(14)를 접속한다. 또한, 인산 수용액 공급부(11)로부터 탱크(14)로 공급되는 인산 수용액(L)에 유동성을 부여하면서 첨가제(석출 억제제)를 공급한다. 이에 의해, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)는, 탱크(14)로부터 나와 탱크(14)로 돌아오는 순환로(15)와, 순환로(15)에 마련되는 펌프(16)를 더 구비한다. 그리고, 펌프(16)를 작동시켜 순환로(15)에 순환류를 형성함으로써, 인산 수용액(L)에 유동성을 부여한다. 이에 의해, 인산 수용액(L)에 효율적으로 유동성을 부여할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)에 있어서, 첨가제 공급로(석출 억제제 공급로(12b))로부터 탱크(14)로 첨가제(석출 억제제)를 공급하는 첨가제 공급구(석출 억제제 공급구(12d))는, 순환로(15)의 출구(15b)에 인접하여 마련된다. 이에 의해, 출구(15b)로부터 토출되어, 큰 유동성을 가지는 인산 수용액(L)에 석출 억제제를 직접적으로 공급할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)에 있어서, 첨가제 공급로(석출 억제제 공급로(12b))로부터 탱크(14)로 첨가제(석출 억제제)를 공급하는 첨가제 공급구(석출 억제제 공급구(12d))는, 순환로(15)의 입구(15a)에 인접하여 마련된다. 이에 의해, 석출 억제제가 순환로(15)로 신속하게 도입되는 점에서, 큰 유동성이 부여된 순환로(15) 내의 인산 수용액(L)에 석출 억제제를 공급할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)는, 탱크(14)에 마련되는 교반 장치를 더 구비한다. 그리고, 이러한 교반 장치를 작동시킴으로써, 인산 수용액(L)에 유동성을 부여한다. 이에 의해, 인산 수용액(L)에 효율적으로 유동성을 부여할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)에 있어서, 교반 장치는 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에 버블링 가스를 공급하는 버블링 장치(24)이다. 이에 의해, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에 상승류에 따른 유동성을 부여할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)에 있어서, 교반 장치는 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)을 교반하는 교반 날개(25)이다. 이에 의해, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에 와류에 따른 유동성을 부여할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)에 있어서, 교반 장치는, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)을 향해 초음파를 발생시키는 초음파 발생 장치(26)이다. 이에 의해, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에 초음파에 따른 유동성을 부여할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)에 있어서, 첨가제 공급로(석출 억제제 공급로(12b))로부터 탱크(14)로 첨가제(석출 억제제)를 공급하는 첨가제 공급구(석출 억제제 공급구(12d))는, 탱크(14)의 상부에 복수 마련된다. 이에 의해, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 늘릴 수 있는 점에서, 인산 수용액(L)과 석출 억제제를 보다 효율적으로 혼합할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)에 있어서, 첨가제 공급로(석출 억제제 공급로(12b))로부터 탱크(14)로 첨가제(석출 억제제)를 공급하는 첨가제 공급구(석출 억제제 공급구(12d))는, 탱크(14)의 하부에 마련된다. 이에 의해, 인산 수용액(L)의 액면(La)에만 석출 억제제가 체류하는 것을 억제할 수 있는 점에서, 석출 억제제의 농도가 액면(La)에서 국소적으로 증가하여, 석출 억제제가 겔화하는 것을 억제할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)에 있어서, 탱크(14)는 내조(14a)와 외조(14b)를 가진다. 그리고, 내조(14a)로부터 외조(14b)에 인산 수용액(L)을 오버플로우시킴으로써, 인산 수용액에 유동성을 부여한다. 이에 의해, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에 상승류에 따른 유동성을 부여할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)에 있어서, 첨가제(석출 억제제)는, 내조(14a)에 공급된다. 이에 의해, 내조(14a)로부터 오버플로우하는 인산 수용액(L)의 액면(La)에서, 석출 억제제를 펼쳐 얇게 할 수 있는 점에서, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와의 접촉 면적을 더 늘릴 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 장치(10)는, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)을 가온하는 히터(17)를 더 구비한다. 이에 의해, 가온된 에칭액(E)을 기판 처리 장치(30)에 공급할 수 있다.
<에칭액 생성 처리 및 기판 처리의 상세>
이어서, 도 20을 참조하여, 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 에칭액 생성 처리 및 기판 처리의 상세에 대하여 설명한다. 도 20은 실시 형태에 따른 에칭액 생성 처리 및 기판 처리의 처리 순서를 나타내는 순서도이다.
먼저 제어부는, 혼합 장치(10)를 동작시켜, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와 실리콘 용액을 혼합하는 혼합 처리를 행한다(단계(S101)). 예를 들면, 제어부는, 탱크(14)에 저류되는 인산 수용액(L)에 유동성을 부여하면서, 석출 억제제와 실리콘 용액을 인산 수용액(L)에 공급하여, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와 실리콘 용액을 혼합한다.
이어서 제어부는, 혼합 장치(10)의 히터(17)를 동작시켜, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와 실리콘 용액과의 혼합액을 가온하는 가온 처리를 행한다(단계(S102)).
이어서 제어부는, 인산 수용액(L)과 석출 억제제와 실리콘 용액과의 혼합액을 필터(19)로 여과하는 필트레이션 처리를 행한다(단계(S103)). 그리고, 이러한 필트레이션 처리가 완료되면, 실시 형태에 따른 에칭액 생성 처리가 완료된다.
이어서 제어부는, 혼합 장치(10) 및 기판 처리 장치(30)를 동작시켜, 혼합 장치(10)로부터 기판 처리 장치(30)로 에칭액(E)을 공급하는 공급 처리를 행한다(단계(S104)). 이에 의해, 기판 처리 장치(30)의 처리조(31)에 에칭액(E)이 저류된다.
이어서 제어부는, 기판 처리 장치(30)를 동작시켜, 처리조(31)에 저류된 에칭액(E)을 이용하여 웨이퍼(W)를 에칭하는 에칭 처리를 행한다(단계(S105)). 그리고, 이러한 에칭 처리가 완료되면, 실시 형태에 따른 기판 처리가 완료된다.
실시 형태에 따른 혼합 방법은, 혼합 공정(단계(S101))과, 가온 공정(단계(S102))을 포함한다. 혼합 공정(단계(S101))은 유동하는 인산 수용액(L)에 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 첨가제(석출 억제제)를 공급하여 혼합한다. 가온 공정(단계(S102))은 인산 수용액(L)과 첨가제(석출 억제제)가 혼합된 혼합액을 가온한다. 이에 의해, 효율적으로 혼합된 에칭액(E)을 가온하여 기판 처리 장치(30)에 공급할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 방법에 있어서, 혼합 공정(단계(S101))은 유동하는 인산 수용액(L)의 액면(La) 상에 퍼지도록 첨가제(석출 억제제)를 공급하는 것을 포함한다. 이에 의해, 인산 수용액(L)에서의 석출 억제제의 농도가 국소적으로 상승하는 것을 더 억제할 수 있는 점에서, 석출 억제제의 겔화를 더 억제할 수 있다.
또한 실시 형태에 따른 혼합 방법에 있어서, 혼합 공정은, 유동하는 인산 수용액(L)의 액 중에, 인산 수용액(L)의 유동성을 손상시키지 않도록 첨가제(석출 억제제)를 공급하는 것을 포함한다. 이에 의해, 인산 수용액(L)의 유동성이 손상되어, 석출 억제제가 양호하게 혼합되지 않는 것을 억제할 수 있다. .
이상, 본 개시된 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기의 실시 형태에 한정되는 것이 아니며, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 각종 변경이 가능하다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.

Claims (17)

  1. 인산 수용액을 공급하는 인산 수용액 공급부와,
    실리콘 산화물의 석출을 억제하는 첨가제를 공급하는 첨가제 공급부와,
    탱크와,
    상기 인산 수용액 공급부와 상기 탱크를 접속하는 인산 수용액 공급로와,
    상기 첨가제 공급부와 상기 탱크를 접속하는 첨가제 공급로
    를 구비하고,
    상기 인산 수용액 공급부로부터 상기 탱크로 공급되는 상기 인산 수용액에 유동성을 부여하면서 상기 첨가제를 공급하는
    혼합 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 탱크로부터 나와 상기 탱크로 돌아오는 순환로와,
    상기 순환로에 마련되는 펌프
    를 더 구비하고,
    상기 펌프를 작동시켜 상기 순환로에 순환류를 형성함으로써, 상기 인산 수용액에 유동성을 부여하는
    혼합 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 첨가제 공급로로부터 상기 탱크로 상기 첨가제를 공급하는 첨가제 공급구는, 상기 순환로의 출구에 인접하여 마련되는
    혼합 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 첨가제 공급로로부터 상기 탱크로 상기 첨가제를 공급하는 첨가제 공급구는, 상기 순환로의 입구에 인접하여 마련되는
    혼합 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탱크에 마련되는 교반 장치
    를 더 구비하고,
    상기 교반 장치를 작동시킴으로써, 상기 인산 수용액에 유동성을 부여하는
    혼합 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 교반 장치는, 상기 탱크에 저류되는 상기 인산 수용액에 버블링 가스를 공급하는 버블링 장치인
    혼합 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 교반 장치는, 상기 탱크에 저류되는 상기 인산 수용액을 교반하는 교반 날개인
    혼합 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 교반 장치는, 상기 탱크에 저류되는 상기 인산 수용액을 향해 초음파를 발생시키는 초음파 발생 장치인
    혼합 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 첨가제 공급로로부터 상기 탱크로 상기 첨가제를 공급하는 첨가제 공급구는, 상기 탱크의 상부에 복수 마련되는
    혼합 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 첨가제 공급로로부터 상기 탱크로 상기 첨가제를 공급하는 첨가제 공급구는, 상기 탱크의 하부에 마련되는
    혼합 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탱크는, 내조와 외조를 가지고,
    상기 내조로부터 상기 외조로 상기 인산 수용액을 오버플로우시킴으로써, 상기 인산 수용액에 유동성을 부여하는
    혼합 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 첨가제는, 상기 내조로 공급되는
    혼합 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탱크에 저류되는 상기 인산 수용액을 가온하는 히터를 더 구비하는
    혼합 장치.
  14. 유동하는 인산 수용액에 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 첨가제를 공급하여 혼합하는 혼합 공정과,
    상기 인산 수용액과 상기 첨가제가 혼합한 혼합액을 가온하는 가온 공정
    을 포함하는 혼합 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 혼합 공정은, 유동하는 상기 인산 수용액의 액면 상에 퍼지도록 상기 첨가제를 공급하는 것을 포함하는
    혼합 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 혼합 공정은, 유동하는 상기 인산 수용액의 액 중에, 상기 인산 수용액의 유동성을 손상시키지 않도록 상기 첨가제를 공급하는 것을 포함하는
    혼합 방법.
  17. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나에 기재된 혼합 장치와,
    상기 혼합 장치에서 혼합된 상기 인산 수용액과 상기 첨가제와의 혼합액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치
    를 구비하는 기판 처리 시스템.
KR1020200030842A 2019-03-13 2020-03-12 혼합 장치, 혼합 방법 및 기판 처리 시스템 KR20200110224A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-046145 2019-03-13
JP2019046145A JP2020150126A (ja) 2019-03-13 2019-03-13 混合装置、混合方法および基板処理システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200110224A true KR20200110224A (ko) 2020-09-23

Family

ID=72422910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200030842A KR20200110224A (ko) 2019-03-13 2020-03-12 혼합 장치, 혼합 방법 및 기판 처리 시스템

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11724235B2 (ko)
JP (1) JP2020150126A (ko)
KR (1) KR20200110224A (ko)
CN (1) CN111696889B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017155669A1 (en) * 2016-03-11 2017-09-14 Fujifilm Planar Solutions, LLC Advanced fluid processing methods and systems

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017118092A (ja) 2015-08-27 2017-06-29 株式会社東芝 基板処理装置、基板処理方法およびエッチング液

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5235995A (en) * 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
US5174855A (en) * 1989-04-28 1992-12-29 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Surface treating apparatus and method using vapor
US5277715A (en) * 1992-06-04 1994-01-11 Micron Semiconductor, Inc. Method of reducing particulate concentration in process fluids
JP3048207B2 (ja) * 1992-07-09 2000-06-05 イー．ケー．シー．テクノロジー．インコーポレイテッド 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤組成物およびこれを使用した基板の洗浄方法
JP3396504B2 (ja) * 1993-03-22 2003-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JPH0754167A (ja) * 1993-08-06 1995-02-28 Nec Corp エッチング方法
JPH09275091A (ja) * 1996-04-03 1997-10-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体窒化膜エッチング装置
CN1923939B (zh) * 1996-10-08 2012-12-12 日立化成工业株式会社 半导体装置、粘合剂和粘合膜
JP3611953B2 (ja) * 1997-09-05 2005-01-19 富士通株式会社 プレーナ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JPH11186215A (ja) * 1997-12-19 1999-07-09 Denso Corp ウェットエッチングのエッチング量検出方法
TW400627B (en) * 1998-01-07 2000-08-01 Tokyo Electron Ltd Coating film formation method, coating unit, aging unit, solvent replacement unit, and coating film formation device
JP2000074718A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Tokico Ltd 薬液調合装置
KR100655429B1 (ko) * 2005-11-10 2006-12-08 삼성전자주식회사 인산 용액을 재생하는 방법 및 장치, 그리고 인산 용액을사용하여 기판을 처리하는 장치
JP4915090B2 (ja) 2005-12-20 2012-04-11 ソニー株式会社 薬液処理装置
JP2007258405A (ja) 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP4358259B2 (ja) * 2007-06-05 2009-11-04 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体製造方法
JP5009207B2 (ja) 2007-09-21 2012-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7910014B2 (en) * 2007-09-28 2011-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for improving wet chemical bath process stability and productivity in semiconductor manufacturing
US20090236317A1 (en) 2008-03-21 2009-09-24 Midwest Research Institute Anti-reflection etching of silicon surfaces catalyzed with ionic metal solutions
JP5931484B2 (ja) * 2012-02-13 2016-06-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP5795983B2 (ja) * 2012-03-27 2015-10-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6320869B2 (ja) * 2014-07-29 2018-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6320868B2 (ja) 2014-07-29 2018-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101671118B1 (ko) * 2014-07-29 2016-10-31 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102511986B1 (ko) * 2015-09-02 2023-03-21 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN108140572B (zh) * 2015-09-30 2022-12-30 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置及基板处理方法
JP6710561B2 (ja) * 2016-03-29 2020-06-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US20190112196A1 (en) 2016-03-30 2019-04-18 Fujimi Incorporated Cation-modified silica raw material dispersion
US10325779B2 (en) * 2016-03-30 2019-06-18 Tokyo Electron Limited Colloidal silica growth inhibitor and associated method and system
JP6916633B2 (ja) * 2017-02-24 2021-08-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
KR102237769B1 (ko) 2017-03-15 2021-04-09 가부시끼가이샤 도시바 에칭액, 에칭 방법, 및 전자 부품의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017118092A (ja) 2015-08-27 2017-06-29 株式会社東芝 基板処理装置、基板処理方法およびエッチング液

Also Published As

Publication number Publication date
CN111696889B (zh) 2024-05-17
US20200289994A1 (en) 2020-09-17
JP2020150126A (ja) 2020-09-17
CN111696889A (zh) 2020-09-22
US11724235B2 (en) 2023-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7105937B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6290762B2 (ja) 流量調整機構、希釈薬液供給機構、液処理装置及びその運用方法
KR20160147239A (ko) 웨트 에칭 장치
TWI655972B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2007517413A (ja) 基板処理中の窒化ケイ素の選択エッチングのための装置及び方法
JP2013232593A (ja) エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
US20180247839A1 (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
US20200312682A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20200110224A (ko) 혼합 장치, 혼합 방법 및 기판 처리 시스템
KR20210145686A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2021002692A (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
US20190148176A1 (en) Substrate processing apparatus
CN117747419A (zh) 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质
JP2021044593A (ja) 混合装置、混合方法および基板処理システム
JP7361734B2 (ja) 基板処理装置
KR100938242B1 (ko) 약액 공급 시스템
JP2021190693A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7433135B2 (ja) 貯留装置および貯留方法
KR20160148798A (ko) 약액 공급 장치, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
JP2022100010A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN118299300A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6545841B2 (ja) 流量調整機構、希釈薬液供給機構、液処理装置及びその運用方法
KR20220162632A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal