JP3611953B2 - プレーナ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

プレーナ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はプレーナ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
近年、コンピュータ用外部記憶装置の一種である磁気ディスク装置の小型化及び大容量化が望まれている。これに伴い、情報の記録再生時の磁気ディスク面に対する磁気ヘッドスライダの浮上高さはますます小さくされ、低浮上高さにおいても安定で信頼性が確保できる軽量な磁気ヘッドスライダが要求されている。
【0002】
磁気ディスク装置に用いられている磁気ヘッドスライダは、一般にスライダの浮上面(媒体対向面)に対して垂直な後端の面(空気流出端面)に垂直構造型の薄膜磁気ヘッドが配置された構造が採られているため、該薄膜磁気ヘッドの配置高さにより、必然的にスライダの高さ(厚さ)も大きくなり、小型、軽量な磁気ヘッドスライダを実現することが極めて困難である。
【0003】
このため、薄膜磁気ヘッドを媒体対向面に水平に配置する構成にして磁気ヘッドスライダの高さを小さくしたプレーナ型薄膜磁気ヘッドスライダが提案されている。
【0004】
【従来の技術】
例えば、特開平3−127308号及び特開平6−4829号等で提案されている従来のプレーナ型薄膜磁気ヘッドの概略構造を図1を参照して説明する。
【0005】
下部磁極2には信号磁界を記録媒体16に発生させるためのギャップが画成されており、下部磁極2は一対のバッククロージャー6,8により上部磁極4に接続され、磁気的にクローズしている。
【0006】
更に、信号磁界を発生させる一対のスパイラルコイル12,14がバッククロージャー6,8をコイル中心として配置されている。図1に示されるように、従来のプレーナ型薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ10は記録媒体16に対し法線方向に形成されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプレーナ型薄膜磁気ヘッドでは、バッククロージャー6,8が各スパイラルコイル12,14の中心となるように各コイルが配置されているため、バッククロージャーの断面積がコイル中心部の面積により制限され、バッククロージャー部の大きな断面積の確保が不可能であった。そのため、バッククロージャー6,8の磁気抵抗が大きくなり、信号磁界がバッククロージャー6,8で弱められてしまうという問題点があった。
【0008】
また、従来のプレーナ型薄膜磁気ヘッドでは、記録媒体に対して法線方向にギャップを形成していたため、ギャップ幅が狭く(0.3μm以下)になるにつれてギャップを形成するのが困難になるという問題があった。
【0009】
よって本発明の目的は、磁気回路の磁気抵抗を減少して、十分な強さの記録信号磁界を出力することのできるプレーナ型薄膜磁気ヘッドを提供することである。
【0010】
本発明の他の目的は、幅の狭いギャップ形成を容易に達成することのできるプレーナ型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、第1端部と第2端部を有する下部磁極と、前記下部磁極の第1端部に磁気的に接合された第1端部と、第2端部を有する上部磁極と、前記下部磁極の第2端部と前記上部磁極の第2端部の間に画成されたギャップと、中心が前記ギャップ近傍に位置し、前記上部磁極と前記下部磁極の間を通過するようにスパイラル状に巻回されたコイルと、前記コイルが埋め込まれた絶縁層とを具備したことを特徴とするプレーナ型薄膜磁気ヘッドが提供される。
【0012】
好ましくは、本発明のプレーナ型薄膜磁気ヘッドは、媒体対向面を画成する保護層を含んでおり、下部磁極が該保護層上に積層されている。ギャップの幅は誘電体膜の膜厚で規定される。
【0013】
本発明の他の側面によると、プレーナ型薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、犠牲層上に下部磁極を形成し、前記下部磁極の一部分を除いて前記下部磁極及び前記犠牲層上に第1絶縁層を形成し、中心が前記下部磁極の前記一部分上に位置するように前記第1絶縁層上にスパイラルコイルを形成し、前記スパイラルコイル上に第2絶縁層を形成し、前記第2絶縁層上に前記下部磁極パターニング用のマスクレジストを形成し、前記下部磁極のマスクされていない部分をエッチングして除去し、全面に所定厚さのギャップ層を形成し、前記ギャップ層上に該ギャップ層エッチング用のマスクレジストを形成し、前記ギャップ層のマスクされていない部分をエッチングして除去し、前記ギャップ層エッチング用のマスクレジストを除去し、全面に上部磁極層を形成し、前記上部磁極層上に該上部磁極層パターニング用のマスクレジストを形成し、前記上部磁極層のマスクされていない部分をエッチングして上部磁極を形成し、前記上部磁極層パターニング用のマスクレジストを除去する各ステップを具備したことを特徴とするプレーナ型薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【0014】
【発明の実施の形態】
図2を参照すると、本発明のプレーナ型薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の斜視図が示されている。符号40にはベース44とカバー46とから構成されるハウジング(ディスクエンクロージャー)である。
【0015】
ベース44上にはインナーハブモータによって回転駆動される図示しないスピンドルハブが設けられている。スピンドルハブには磁気ディスク50と図示しないスペーサが交互に挿入され、ディスククランプ48をスピンドルハブにネジ締結することにより、複数枚の磁気ディスク50が所定間隔離間してスピンドルハブに取り付けられる。
【0016】
符号55はアクチュエータアームアセンブリ56と磁気回路58とから構成されるロータリーアクチュエータを示している。アクチュエータアームアセンブリ56は、ベース44に固定されたシャフト54回りに回転可能に取り付けられている。
【0017】
アクチュエータアームアセンブリ56は、回転中心から一方向に伸長した複数のアクチュエータアーム60と、アクチュエータアーム60と反対方向に伸長したコイル支持部材66を含んでいる。
【0018】
各アクチュエータアーム60の先端部には、その先端部にヘッドスライダ62を搭載したサスペンション64が固定されている。
ヘッドスライダ32には後述する本発明のプレーナ型薄膜磁気ヘッドが一体的に形成されている。
【0019】
コイル支持部材66によりコイル68が支持されている。磁気回路58と、磁気回路58のギャップ中に挿入されるコイル68とでボイスコイルモータ(VCM)70が構成される。
【0020】
符号72はヘッドスライダ62に搭載されたプレーナ型薄膜磁気ヘッドからの信号を取り出すフレキシブルプリント配線板(FPC)を示しており、固定部材74でその一端が固定され、更に図示しないコネクタに電気的に接続されている。
【0021】
ベース42上には環状パッキンアセンブリ76が搭載されており、パッキンアセンブリ76を間に挟んでカバー46をベース44にネジ締結することにより、ハウジング42内が密封される。
【0022】
図3(A)を参照すると、本発明のプレーナ型薄膜磁気ヘッドが一体的に形成された磁気ヘッドスライダ62の斜視図が示されている。図3(B)は図3(A)の底面図である。磁気ヘッドスライダ62は一対の浮上レール63,65を有しており、一方の浮上レール63の浮上面(空気ベアリング表面)にプレーナ型薄膜磁気ヘッド20が形成されている。実際には、プレーナ型薄膜磁気ヘッド20は浮上レール63中に埋め込まれているため、ギャップ23のみが露出している。符号51は磁気ディスク50のトラックを示している。
【0023】
図4を参照すると、本発明実施形態にかかるプレーナ型薄膜磁気ヘッド20の平面図が示されている。図5は図4の5−5線断面図である。
符号22はSiO保護層であり、媒体対向面を画成する。保護層22は約2〜3μmの厚さを有しており、その上に約1μm程度の厚さを有する下部磁極24が積層されている。下部磁極24は例えばFeNZr,Ni−Fe等から形成されている。
【0024】
符号26は上部磁極を示しており、約1μm程度の厚さを有している。上部磁極26も下部磁極24と同様に、例えばFeNZr,Ni−Fe等から形成されている。
【0025】
下部磁極24の一端部24aと上部磁極26の一端部26aは磁気的に接合さてれおり、バッククロージャー28を形成している。下部磁極24の他端部24bと上部磁極26の他端部26bとの間にはギャップ30が画成されている。ギャップ30に対向する位置の保護膜22には穴23が形成されている。
【0026】
符号32はスパイラルコイルであり、その中心がギャップ30近傍に位置し、下部磁極24と上部磁極26の間を通過するように巻回されている。スパイラルコイル32は約2〜3μmの膜厚を有している。
【0027】
スパイラルコイル32はレジスト絶縁層34中に埋め込まれている。レジスト絶縁層34上にはSiO,Al等の誘電体からなるギャップ層36が積層されており、約0.2μmの膜厚を有している。上述したギャップ30の幅は誘電体ギャップ層36の膜厚により規定される。
【0028】
図4を参照すると明らかなように、上下磁極26,24の接合部であるバッククロージャー28は大きな横断面積を有している。よって、磁気回路の磁気抵抗を減少させることができ、これにより記録信号磁界がバッククロージャー部分で弱められることを防止できる。
【0029】
また、コイル32の中心がギャップ30近傍に位置しているため、最大磁界領域にギャップ30が位置することになる。これにより、記録信号磁界の出力を増加させることができる。
【0030】
以下、図6乃至図8を参照して、本発明の製造プロセスについて説明する。
まず、図6(A)に示すように、Si等からなる犠牲層21上にSiO保護層22を積層する。保護層22は約2〜3μmの厚さを有している。保護層22形成時に、後述するギャップ30に対向する部分に穴23を形成する。
【0031】
次に図6(B)に示すように、保護層22上に下部磁極24を形成し、所定パターンにパターニングする。下部磁極24は例えばFeNZrから形成されており、約1μmの厚さを有している。
【0032】
次に図6(C)に示すように、保護層22上及び下部磁極24上に第1レジスト絶縁層25を形成し、所定パターンにパターニングする。第1レジスト絶縁層25は約2〜3μmの膜厚を有している。
【0033】
第1レジスト絶縁層25上に約2〜3μmの膜厚のスパイラルコイル32を形成し、その上に第2レジスト絶縁層27を形成して、所定パターンにパターニングする。第2レジスト絶縁層27も約2〜3μmの膜厚を有している。
【0034】
次いで、図6(D)に示すように、第2レジスト絶縁層27上に下部磁極パターニング用のマスクレジスト29を形成し、所定パターンにパターニングする。次いで、イオンミリングでエッチングして、マスクレジスト29でマスクされていない部分の下部磁極24を除去する(図6(E))。
【0035】
次いで、図7(F)に示すように、全面に誘電体ギャップ層36を所望のギャップ幅に相当する膜厚(約0.2μm)に形成する。誘電体ギャップ層36は、例えばSiO,Al等から形成される。
【0036】
次に、図7(G)に示すように、ギャップ層36上に該ギャップ層エッチング用のマスクレジスト33を形成し、所定パターンにパターニングする。
次いで、イオンミリングでエッチングして、マスクレジスト33でマスクされていない部分のギャップ層36を除去する(図7(H))。イオンミリングのエッチングに代えて、化学的エッチングを行ってもよい。
【0037】
図7(I)に示すように、マスクレジスト33を除去した後、図7(J)に示すように、全面に上部磁極層26′を約1μm程度の厚さに形成する。上部磁極層26′は例えばFeNZr等から形成されている。
【0038】
次いで、図8(K)に示すように、上部磁極層26′上に該上部磁極層パターニング用のマスクレジスト35を形成し、所定パターンにパターニングする。
次いで、イオンミリングでエッチングして図8(L)に示すようにマスクレジスト35でマスクされていない部分の上部磁極層26′を除去し、上部磁極26を形成する。
【0039】
次いで、図8(M)に示すようにマスクレジスト35を除去し、最後に図8(N)に示すように犠牲層21を除去して、プレーナ型薄膜磁気ヘッド20が完成する。
【0040】
プレーナ型薄膜磁気ヘッド20をスライダに搭載するには、特に図示しないが薄膜磁気ヘッド20部分を除いてSiO保護層22上に例えばニッケルメッキ等によりスライダを所定形状に形成すればよい。
【0041】
【発明の効果】
本発明によると、磁気回路の磁気抵抗を低減することができ、これにより記録信号磁界の出力が大きなプレーナ型薄膜磁気ヘッドを提供することができる。また、ギャップの幅は誘電体ギャップ層の膜厚で規定されるため、狭い幅のギャップを容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のプレーナ型薄膜磁気ヘッドの概略断面図である。
【図2】磁気ディスク装置の斜視図である。
【図3】図3(A)は磁気ヘッドスライダの斜視図であり、図3(B)はその底面図である。
【図4】本発明実施形態のプレーナ型薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図5】図4の5−5線断面図である。
【図6】本発明の製造プロセスを示す図である。
【図7】本発明の製造プロセスを示す図である。
【図8】本発明の製造プロセスを示す図である。
【符号の説明】
22 保護層
24 下部磁極
26 上部磁極
28 バッククロージャー
30 ギャップ
32 スパイラルコイル
36 誘電体ギャップ層

Claims (6)

  1. 第1端部と第2端部を有する下部磁極と;
    前記下部磁極の第1端部に磁気的に接合された第1端部と、第2端部を有する上部磁極と;
    前記下部磁極の第2端部と前記上部磁極の第2端部の間に画成されたギャップと;
    中心が前記ギャップ近傍に位置し、前記上部磁極と前記下部磁極の間を通過するようにスパイラル状に巻回されたコイルと;
    前記コイルが埋め込まれた絶縁層と;
    を具備したことを特徴とするプレーナ型薄膜磁気ヘッド。
  2. 前記下部磁極がその下面に積層された保護層を更に具備した請求項1記載のプレーナ型薄膜磁気ヘッド。
  3. 前記ギャップは誘電体膜の膜厚で規定される請求項1記載のプレーナ型薄膜磁気ヘッド。
  4. プレーナ型薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
    犠牲層上に下部磁極を形成し;
    前記下部磁極の一部分を除いて前記下部磁極及び前記犠牲層上に第1絶縁層を形成し;
    中心が前記下部磁極の前記一部分上に位置するように前記第1絶縁層上にスパイラルコイルを形成し;
    前記スパイラルコイル上に第2絶縁層を形成し;
    前記第2絶縁層上に前記下部磁極パターニング用のマスクレジストを形成し;
    前記下部磁極のマスクされていない部分をエッチングして除去し;
    全面に所定厚さのギャップ層を形成し;
    前記ギャップ層上に該ギャップ層エッチング用のマスクレジストを形成し;
    前記ギャップ層のマスクされていない部分をエッチングして除去し;
    前記ギャップ層エッチング用のマスクレジストを除去し;
    全面に上部磁極層を形成し;
    前記上部磁極層上に該上部磁極層パターニング用のマスクレジストを形成し;
    前記上部磁極層のマスクされていない部分をエッチングして上部磁極を形成し;
    前記上部磁極層パターニング用のマスクレジストを除去する;
    各ステップを具備したことを特徴とするプレーナ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  5. 前記下部磁極を形成するのに先立ち、前記犠牲層上に保護層を形成するステップを更に具備した請求項4記載のプレーナ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  6. 前記上部磁極層パターニング用のマスクレジストを除去するステップの後、前記犠牲層を除去するステップを更に具備した請求項4記載のプレーナ型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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