JP3196954B2 - 磁気ヘッド装置 - Google Patents
磁気ヘッド装置Info
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- JP3196954B2 JP3196954B2 JP16439094A JP16439094A JP3196954B2 JP 3196954 B2 JP3196954 B2 JP 3196954B2 JP 16439094 A JP16439094 A JP 16439094A JP 16439094 A JP16439094 A JP 16439094A JP 3196954 B2 JP3196954 B2 JP 3196954B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド装置に関
し、更に詳しくは、磁気変換素子の取出電極に接続され
るリード線の改良に係わる。
し、更に詳しくは、磁気変換素子の取出電極に接続され
るリード線の改良に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気ヘッド装置において、磁気変
換素子の取出電極に接続されるリード線はツイストペア
線で構成し、ツイストペア線によるループを作ったうえ
で、その先端部を磁気変換素子の取出電極に接続するの
が一般的であった。しかし、例えば特開昭６４ー２１７
１３号（米国特許第４９２８１９５号明細書）に見られ
る磁気ヘッドの小型化、ヘッド支持装置から磁気ヘッド
に加わる荷重の低荷重化、磁気ディスクの小径化に伴う
低周速化、低浮上量化、更には、多素子化に伴う取出電
極数の増大等に対して、ツイストペア線によるリード線
では対応が困難になっている。磁気ヘッドの小型化、低
荷重化、低浮上量化及び低周速化が進む程、ツイストペ
ア線によるループ部のバネ剛性の影響を受け易くなり、
磁気ヘッドの浮上量及び浮上特性に悪影響を与えるよう
になるからである。
換素子の取出電極に接続されるリード線はツイストペア
線で構成し、ツイストペア線によるループを作ったうえ
で、その先端部を磁気変換素子の取出電極に接続するの
が一般的であった。しかし、例えば特開昭６４ー２１７
１３号（米国特許第４９２８１９５号明細書）に見られ
る磁気ヘッドの小型化、ヘッド支持装置から磁気ヘッド
に加わる荷重の低荷重化、磁気ディスクの小径化に伴う
低周速化、低浮上量化、更には、多素子化に伴う取出電
極数の増大等に対して、ツイストペア線によるリード線
では対応が困難になっている。磁気ヘッドの小型化、低
荷重化、低浮上量化及び低周速化が進む程、ツイストペ
ア線によるループ部のバネ剛性の影響を受け易くなり、
磁気ヘッドの浮上量及び浮上特性に悪影響を与えるよう
になるからである。
【０００３】ツイストペア線のループ部のバネ剛性の影
響を軽減するため、素線の線径を、例えば３０μｍ程度
にする試みがなされたが、取出電極に対する接合強度が
低下すること、細い線径のために、磁気ヘッドの小型化
に伴う取出電極の小面積化とも相まって、取出電極に対
する接合作業が困難になること等の問題を生じる。更
に、多素子型の磁気ヘッドの場合は、小さい空間に多数
の素線が存在することになるため、接合作業が著しく面
倒になる。
響を軽減するため、素線の線径を、例えば３０μｍ程度
にする試みがなされたが、取出電極に対する接合強度が
低下すること、細い線径のために、磁気ヘッドの小型化
に伴う取出電極の小面積化とも相まって、取出電極に対
する接合作業が困難になること等の問題を生じる。更
に、多素子型の磁気ヘッドの場合は、小さい空間に多数
の素線が存在することになるため、接合作業が著しく面
倒になる。
【０００４】特公昭５９ー３１１２８号公報、特公昭６
０ー１２６８６号公報、特公昭６０ー１９０４５号公報
にはツイストペア線を用いたリード線に代えて、高分子
樹脂フィルムによって導体膜を支持したフレキシブルリ
ード線を用いる技術が開示されている。また、米国特許
４，７６１，６９９号明細書、米国特許第５，００１，
５８３号明細書及び米国特許第５，００６，９４６号明
細書には、ヘッド支持装置の少なくとも一部を、ポリイ
ミド等の高分子樹脂板によって構成し、高分子樹脂板に
埋設した導体膜を、リード線として用いる技術が開示さ
れている。
０ー１２６８６号公報、特公昭６０ー１９０４５号公報
にはツイストペア線を用いたリード線に代えて、高分子
樹脂フィルムによって導体膜を支持したフレキシブルリ
ード線を用いる技術が開示されている。また、米国特許
４，７６１，６９９号明細書、米国特許第５，００１，
５８３号明細書及び米国特許第５，００６，９４６号明
細書には、ヘッド支持装置の少なくとも一部を、ポリイ
ミド等の高分子樹脂板によって構成し、高分子樹脂板に
埋設した導体膜を、リード線として用いる技術が開示さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高分子
樹脂フィルムによって導体膜を支持したフレキシブルリ
ード線を用いる技術によっても、磁気ヘッドの小型化、
低荷重化、低浮上量化及び低周速化に対して、バネ剛性
の影響を充分に小さくできる程度までは、改善すること
ができなかった。
樹脂フィルムによって導体膜を支持したフレキシブルリ
ード線を用いる技術によっても、磁気ヘッドの小型化、
低荷重化、低浮上量化及び低周速化に対して、バネ剛性
の影響を充分に小さくできる程度までは、改善すること
ができなかった。
【０００６】本発明の課題は、磁気ヘッドの小型化、低
荷重化、低浮上量化及び低周速化に対して、バネ剛性の
影響を充分に小さくし得る磁気ヘッド装置を提供するこ
とである。
荷重化、低浮上量化及び低周速化に対して、バネ剛性の
影響を充分に小さくし得る磁気ヘッド装置を提供するこ
とである。
【０００７】本発明のもう一つの課題は、導体膜の断面
積や平面積を必要な値に保ち、直流抵抗分の増大等を回
避し得る磁気ヘッド装置を提供することである。
積や平面積を必要な値に保ち、直流抵抗分の増大等を回
避し得る磁気ヘッド装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る磁気ヘッド装置は、磁気ヘッドと、リ
ード線とを含む。前記磁気ヘッドは、スライダに磁気変
換素子を備えている。前記リード線は、高分子樹脂フィ
ルム中に導体膜を埋設して構成されている。前記高分子
樹脂フィルムは幅方向の両側に切欠を有しており、前記
切欠は幅方向の両側において交互に、かつ、長さ方向に
間隔を隔てて配置されている。前記導体膜は、前記高分
子樹脂フィルムの前記切欠を避けたジグザグパターンを
有して前記高分子樹脂フィルムの長さ方向に導かれ、一
端が前記磁気変換素子の取出電極に接続されている。
め、本発明に係る磁気ヘッド装置は、磁気ヘッドと、リ
ード線とを含む。前記磁気ヘッドは、スライダに磁気変
換素子を備えている。前記リード線は、高分子樹脂フィ
ルム中に導体膜を埋設して構成されている。前記高分子
樹脂フィルムは幅方向の両側に切欠を有しており、前記
切欠は幅方向の両側において交互に、かつ、長さ方向に
間隔を隔てて配置されている。前記導体膜は、前記高分
子樹脂フィルムの前記切欠を避けたジグザグパターンを
有して前記高分子樹脂フィルムの長さ方向に導かれ、一
端が前記磁気変換素子の取出電極に接続されている。
【０００９】前記切欠の一つの具体例はスリットであ
る。別の具体例では、前記高分子樹脂フィルムは、幅方
向の両端縁が前記導体膜のジグザグパターンに追従する
ジグザグパターンを有する。
る。別の具体例では、前記高分子樹脂フィルムは、幅方
向の両端縁が前記導体膜のジグザグパターンに追従する
ジグザグパターンを有する。
【００１０】
【作用】リード線は、高分子樹脂フィルム中に導体膜を
埋設して構成されているから、例えば高分子樹脂フィル
ムを薄くする等の手段により、そのバネ剛性を低下さ
せ、リード線のバネ剛性を小さくすることができる。
埋設して構成されているから、例えば高分子樹脂フィル
ムを薄くする等の手段により、そのバネ剛性を低下さ
せ、リード線のバネ剛性を小さくすることができる。
【００１１】導体膜は高分子樹脂フィルムの長さ方向に
導かれ、一端が磁気変換素子の取出電極に接続されてい
るから、磁気ヘッドの磁気変換素子に可撓性の高いリー
ド線を接続した磁気ヘッド装置が得られる。
導かれ、一端が磁気変換素子の取出電極に接続されてい
るから、磁気ヘッドの磁気変換素子に可撓性の高いリー
ド線を接続した磁気ヘッド装置が得られる。
【００１２】高分子樹脂フィルムは、幅方向の両側に切
欠を有しており、切欠は長さ方向に間隔を隔てて配置さ
れているから、リード線のバネ剛性が切欠により著しく
低下する。切欠は幅方向の両側において交互に配置され
ているから、高分子樹脂フイルムの幅方向の両側におい
て、ほぼ均等のバネ剛性低減作用を得ることができる。
欠を有しており、切欠は長さ方向に間隔を隔てて配置さ
れているから、リード線のバネ剛性が切欠により著しく
低下する。切欠は幅方向の両側において交互に配置され
ているから、高分子樹脂フイルムの幅方向の両側におい
て、ほぼ均等のバネ剛性低減作用を得ることができる。
【００１３】上記の総合的作用として、磁気ヘッドの小
型化、低荷重化、低浮上量化及び低周速化に対して、バ
ネ剛性の影響を充分に小さくし得るようになる。
型化、低荷重化、低浮上量化及び低周速化に対して、バ
ネ剛性の影響を充分に小さくし得るようになる。
【００１４】切欠は幅方向の両側において交互に配置さ
れているから、導体膜は、高分子樹脂フィルムの切欠を
避けたジグザグパターンを有して、高分子樹脂フィルム
の長さ方向に導くことができる。このため、切欠を設け
て、高分子樹脂フィルム導体膜のバネ剛性を低下させる
構造において、導体膜の断面積や平面積を必要な値に保
ち、直流抵抗分の増大等を回避することができる。
れているから、導体膜は、高分子樹脂フィルムの切欠を
避けたジグザグパターンを有して、高分子樹脂フィルム
の長さ方向に導くことができる。このため、切欠を設け
て、高分子樹脂フィルム導体膜のバネ剛性を低下させる
構造において、導体膜の断面積や平面積を必要な値に保
ち、直流抵抗分の増大等を回避することができる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明に係る磁気ヘッド装置を用いた
磁気記録再生装置の構成を概略的に示す平面図、図２は
図１に含まれた磁気ヘッド装置の拡大斜視図である。１
は磁気ヘッド、２はリード線、３はヘッド支持装置、４
は位置決め装置、５は磁気ディスクである。ヘッド支持
装置３は、長手方向に取られた第１の軸線の周りのロー
ル運動と、第１軸線と直交する第２軸の周りのピッチ運
動を許容するジンバルとなっており、その下面に磁気ヘ
ッド１を例えば接着等の手段によって結合してある。位
置決め装置４はロータリ．アクチュエータ方式であり、
ヘッド支持装置３の一端を支持し、ヘッド支持装置３の
自由端に取り付けられた磁気ヘッド１を、磁気ディスク
５の面上で、矢印ｂ１またはｂ２の方向に面回転させ
る。それによって、磁気ディスク５上の所定のトラック
上で、磁気ヘッド１と磁気ディスク５との間で、書き込
み及び読み出しが行なわれる。磁気ディスク５は、図示
しない回転駆動機構により、矢印ａの方向に回転駆動さ
れる。
磁気記録再生装置の構成を概略的に示す平面図、図２は
図１に含まれた磁気ヘッド装置の拡大斜視図である。１
は磁気ヘッド、２はリード線、３はヘッド支持装置、４
は位置決め装置、５は磁気ディスクである。ヘッド支持
装置３は、長手方向に取られた第１の軸線の周りのロー
ル運動と、第１軸線と直交する第２軸の周りのピッチ運
動を許容するジンバルとなっており、その下面に磁気ヘ
ッド１を例えば接着等の手段によって結合してある。位
置決め装置４はロータリ．アクチュエータ方式であり、
ヘッド支持装置３の一端を支持し、ヘッド支持装置３の
自由端に取り付けられた磁気ヘッド１を、磁気ディスク
５の面上で、矢印ｂ１またはｂ２の方向に面回転させ
る。それによって、磁気ディスク５上の所定のトラック
上で、磁気ヘッド１と磁気ディスク５との間で、書き込
み及び読み出しが行なわれる。磁気ディスク５は、図示
しない回転駆動機構により、矢印ａの方向に回転駆動さ
れる。
【００１６】磁気ヘッド１は、図２に拡大して示すよう
に、スライダ１１及び磁気変換素子１２を有する。スラ
イダ１１は、一面側が媒体対向面１１１で、反対側がヘ
ッド支持装置３に取り付けられている。スライダ１１の
媒体対向面１１１は１〜３本のレール部を有することが
あり、レール部を持たない平面となることもある。媒体
対向面１１１の最も突出する表面は、表面性の高い空気
ベアリング面を構成する。図示のスライダ１１は、媒体
対向面１１１に２本のレール部１１３、１１４を有し、
レール部１１３、１１４の表面を空気ベアリング面とし
て利用する。
に、スライダ１１及び磁気変換素子１２を有する。スラ
イダ１１は、一面側が媒体対向面１１１で、反対側がヘ
ッド支持装置３に取り付けられている。スライダ１１の
媒体対向面１１１は１〜３本のレール部を有することが
あり、レール部を持たない平面となることもある。媒体
対向面１１１の最も突出する表面は、表面性の高い空気
ベアリング面を構成する。図示のスライダ１１は、媒体
対向面１１１に２本のレール部１１３、１１４を有し、
レール部１１３、１１４の表面を空気ベアリング面とし
て利用する。
【００１７】磁気変換素子１２は、スライダ１１の側面
１１５に配置され、外部に現われる取出電極１２１を有
する（図２参照）。磁気変換素子１２を配置するスライ
ダ１１の側面１１５は矢印ａで示す媒体走行方向（空気
流出方向）の端部に位置する。磁気変換素子１２はＩＣ
製造技術と同様のプロセスに従って製造された薄膜磁気
変換素子、ウインチェスタ型磁気変換素子またはコンポ
ジット型磁気変換素子の何れであってもよい。また、面
内記録用として準備された磁気変換素子に限らず、垂直
記録用磁気変換素子であってもよいし、誘導型磁気変換
素子に限らず、磁気抵抗効果を利用した磁気変換素子で
あってもよい。更に、単素子型に限らず、多素子型であ
ってあってもよい。
１１５に配置され、外部に現われる取出電極１２１を有
する（図２参照）。磁気変換素子１２を配置するスライ
ダ１１の側面１１５は矢印ａで示す媒体走行方向（空気
流出方向）の端部に位置する。磁気変換素子１２はＩＣ
製造技術と同様のプロセスに従って製造された薄膜磁気
変換素子、ウインチェスタ型磁気変換素子またはコンポ
ジット型磁気変換素子の何れであってもよい。また、面
内記録用として準備された磁気変換素子に限らず、垂直
記録用磁気変換素子であってもよいし、誘導型磁気変換
素子に限らず、磁気抵抗効果を利用した磁気変換素子で
あってもよい。更に、単素子型に限らず、多素子型であ
ってあってもよい。
【００１８】リード線２は、高分子樹脂フィルム２１の
内部に導体膜２２を埋設して構成されている。図３はリ
ード線２の一部を示す平面図、図４は図３のＡ４ーＡ４
線上における断面図である。高分子樹脂フィルム２１は
幅方向の両側に切欠２３を有している。切欠２３は幅方
向の両側において交互に現れ、長さ方向に間隔Ｌ１を隔
てて配置されている。図示の切欠２３は、高分子樹脂フ
ィルム２１の幅方向の端縁から切り込まれたスリットで
構成されている。導体膜２２は、高分子樹脂フィルム２
１の切欠２３を避けたジグザグパターンを有して、高分
子樹脂フィルム２１の長さ方向に導かれている。図示の
リード線２は２本備えられ、それぞれの一端が磁気変換
素子１２の取出電極１２１、１２１に個別に接続されて
いる。リード線２は、図１及び図２に図示するように、
磁気ヘッド１のあるヘッド支持装置３の下面から上面側
に導かれ、ヘッド支持装置３の上に設けられたリード線
６と一体化される。リード線６は信号処理回路に接続さ
れる。リード線２はリード線６と同体であってもよい
し、別体であってもよい。
内部に導体膜２２を埋設して構成されている。図３はリ
ード線２の一部を示す平面図、図４は図３のＡ４ーＡ４
線上における断面図である。高分子樹脂フィルム２１は
幅方向の両側に切欠２３を有している。切欠２３は幅方
向の両側において交互に現れ、長さ方向に間隔Ｌ１を隔
てて配置されている。図示の切欠２３は、高分子樹脂フ
ィルム２１の幅方向の端縁から切り込まれたスリットで
構成されている。導体膜２２は、高分子樹脂フィルム２
１の切欠２３を避けたジグザグパターンを有して、高分
子樹脂フィルム２１の長さ方向に導かれている。図示の
リード線２は２本備えられ、それぞれの一端が磁気変換
素子１２の取出電極１２１、１２１に個別に接続されて
いる。リード線２は、図１及び図２に図示するように、
磁気ヘッド１のあるヘッド支持装置３の下面から上面側
に導かれ、ヘッド支持装置３の上に設けられたリード線
６と一体化される。リード線６は信号処理回路に接続さ
れる。リード線２はリード線６と同体であってもよい
し、別体であってもよい。
【００１９】本発明において用い得るリード線２の代表
例は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）テープであり、実施例においてもタブテープ
を用いた例を示している。タブテープにおいて、高分子
樹脂フィルム２１はテープ状であり、例えば、ポリイミ
ド等のように、電気絶縁性、耐熱性及び可撓性に優れた
高分子樹脂材料によって構成されている。高分子樹脂フ
ィルム２１は導体膜２２を支持する支持フィルム２１１
と、導体膜２２を覆う保護フィルム２１２とから構成さ
れている。高分子樹脂フィルム２１及び導体膜２２を含
めた全体の厚みＴは、好ましくは、１００μｍ以下とな
るように選定する。ＴＡＢテープの場合、導体膜２２
は、高分子樹脂フィルム２１を構成する支持フィルム２
１１の面上に、接着層を介することなく、直接に付着さ
れている。導体膜２２は、一般には、銅膜であり、スッ
パタ等の薄膜技術及びフォトリソグラフィ等の高精度パ
ターン形成技術を用いて形成する。導体膜２２の膜厚は
数μｍ〜数十μｍ程度に設定できる。支持フィルム２１
１、導体膜２２及び保護フィルム２１２の各厚みｔ１、
ｔ２、ｔ３（図４参照）は、全体の厚みＴが例えば２５
μｍに設定された場合を例にとると、ｔ１＝１０μｍ、
ｔ２＝５μｍ、ｔ３＝１０μｍのような関係に定める。
例は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）テープであり、実施例においてもタブテープ
を用いた例を示している。タブテープにおいて、高分子
樹脂フィルム２１はテープ状であり、例えば、ポリイミ
ド等のように、電気絶縁性、耐熱性及び可撓性に優れた
高分子樹脂材料によって構成されている。高分子樹脂フ
ィルム２１は導体膜２２を支持する支持フィルム２１１
と、導体膜２２を覆う保護フィルム２１２とから構成さ
れている。高分子樹脂フィルム２１及び導体膜２２を含
めた全体の厚みＴは、好ましくは、１００μｍ以下とな
るように選定する。ＴＡＢテープの場合、導体膜２２
は、高分子樹脂フィルム２１を構成する支持フィルム２
１１の面上に、接着層を介することなく、直接に付着さ
れている。導体膜２２は、一般には、銅膜であり、スッ
パタ等の薄膜技術及びフォトリソグラフィ等の高精度パ
ターン形成技術を用いて形成する。導体膜２２の膜厚は
数μｍ〜数十μｍ程度に設定できる。支持フィルム２１
１、導体膜２２及び保護フィルム２１２の各厚みｔ１、
ｔ２、ｔ３（図４参照）は、全体の厚みＴが例えば２５
μｍに設定された場合を例にとると、ｔ１＝１０μｍ、
ｔ２＝５μｍ、ｔ３＝１０μｍのような関係に定める。
【００２０】リード線２は、導体膜２２の一端が磁気変
換素子１２の取出電極１２１に接続されている。接続手
段としては、半田接合または超音波接合が採用できる。
接合作業性の面からは超音波接合が望ましい。
換素子１２の取出電極１２１に接続されている。接続手
段としては、半田接合または超音波接合が採用できる。
接合作業性の面からは超音波接合が望ましい。
【００２１】上述のように、リード線２は、高分子樹脂
フィルム２１中に導体膜２２を埋設してあるから、例え
ば高分子樹脂フィルム２１を薄くする等の手段により、
そのバネ剛性を低下させ、リード線２の全体のバネ剛性
を小さくすることができる。このため、磁気ヘッド１の
小型化、低荷重化、低浮上量化及び低周速化にも対応で
きる。
フィルム２１中に導体膜２２を埋設してあるから、例え
ば高分子樹脂フィルム２１を薄くする等の手段により、
そのバネ剛性を低下させ、リード線２の全体のバネ剛性
を小さくすることができる。このため、磁気ヘッド１の
小型化、低荷重化、低浮上量化及び低周速化にも対応で
きる。
【００２２】導体膜２２は高分子樹脂フィルム２１の長
さ方向に導かれ、一端が磁気変換素子１２の取出電極に
接続されているから、磁気ヘッド１の磁気変換素子１２
に可撓性の高いリード線２を接続した磁気ヘッド１装置
が得られる。
さ方向に導かれ、一端が磁気変換素子１２の取出電極に
接続されているから、磁気ヘッド１の磁気変換素子１２
に可撓性の高いリード線２を接続した磁気ヘッド１装置
が得られる。
【００２３】高分子樹脂フィルム２１は、幅方向の両側
に切欠２３を有しており、切欠２３は長さ方向に間隔を
隔てて配置されているから、リード線２のバネ剛性が切
欠２３により著しく低下する。切欠２３は幅方向の両側
において交互に配置されているから、高分子樹脂フイル
ム２１の幅方向の両側において、ほぼ均等のバネ剛性低
減作用を得ることができる。
に切欠２３を有しており、切欠２３は長さ方向に間隔を
隔てて配置されているから、リード線２のバネ剛性が切
欠２３により著しく低下する。切欠２３は幅方向の両側
において交互に配置されているから、高分子樹脂フイル
ム２１の幅方向の両側において、ほぼ均等のバネ剛性低
減作用を得ることができる。
【００２４】上記の総合的作用として、磁気ヘッド１の
小型化、低荷重化、低浮上量化及び低周速化に対して、
バネ剛性の影響を充分に小さくし得るようになる。
小型化、低荷重化、低浮上量化及び低周速化に対して、
バネ剛性の影響を充分に小さくし得るようになる。
【００２５】切欠２３は幅方向の両側において交互に配
置されているから、導体膜２２は、高分子樹脂フィルム
２１の切欠２３を避けたジグザグパターンを有して、高
分子樹脂フィルム２１の長さ方向に導くことができる。
このため、切欠２３を設けて、高分子樹脂フィルム２１
のバネ剛性を低下させる構造において、導体膜２２の断
面積や平面積を必要な値に保ち、直流抵抗分の増大等を
回避することができる。
置されているから、導体膜２２は、高分子樹脂フィルム
２１の切欠２３を避けたジグザグパターンを有して、高
分子樹脂フィルム２１の長さ方向に導くことができる。
このため、切欠２３を設けて、高分子樹脂フィルム２１
のバネ剛性を低下させる構造において、導体膜２２の断
面積や平面積を必要な値に保ち、直流抵抗分の増大等を
回避することができる。
【００２６】リード線２として、タブテープを用いた場
合には、導体膜２２が高分子樹脂フィルム２１を構成す
る支持フィルム２１１に、接着層を介することなく、直
接に付着されるから、全体の厚みＴを、従来は達成でき
なかった１００μｍ以下に選定することも容易である。
このため、可撓性が増し、曲げ易くなると共に、曲げバ
ネ剛性が小さくなる。従って、磁気ヘッドとの組み合わ
せにおいて、磁気ヘッド１に対する曲げバネ剛性が極め
て小さくなる。これらは、磁気ヘッドの小型化、低荷重
化、低浮上量化及び低周速化が進む程に、有効に作用す
る。
合には、導体膜２２が高分子樹脂フィルム２１を構成す
る支持フィルム２１１に、接着層を介することなく、直
接に付着されるから、全体の厚みＴを、従来は達成でき
なかった１００μｍ以下に選定することも容易である。
このため、可撓性が増し、曲げ易くなると共に、曲げバ
ネ剛性が小さくなる。従って、磁気ヘッドとの組み合わ
せにおいて、磁気ヘッド１に対する曲げバネ剛性が極め
て小さくなる。これらは、磁気ヘッドの小型化、低荷重
化、低浮上量化及び低周速化が進む程に、有効に作用す
る。
【００２７】図５は本発明に係る磁気ヘッド装置に用い
られるリード線の他の実施例を示す図である。図示のリ
ード線２は、Ｔ状のスリットとして形成された切欠２３
を有する。導体膜２２は高分子樹脂フィルム２１のＴ状
切欠２３を避けたジグザグパターンを有して、高分子樹
脂フィルム２１の長さ方向に導かれている。
られるリード線の他の実施例を示す図である。図示のリ
ード線２は、Ｔ状のスリットとして形成された切欠２３
を有する。導体膜２２は高分子樹脂フィルム２１のＴ状
切欠２３を避けたジグザグパターンを有して、高分子樹
脂フィルム２１の長さ方向に導かれている。
【００２８】図６は本発明に係る磁気ヘッド装置に用い
られるリード線の他の実施例を示す図である。高分子樹
脂フィルム２１は、幅方向の両端縁が矩形状のジグザグ
パターンとなっており、導体膜２２は高分子樹脂フィル
ム２１のジグザグパターンに追従する矩形状のジグザグ
パターンを有する。
られるリード線の他の実施例を示す図である。高分子樹
脂フィルム２１は、幅方向の両端縁が矩形状のジグザグ
パターンとなっており、導体膜２２は高分子樹脂フィル
ム２１のジグザグパターンに追従する矩形状のジグザグ
パターンを有する。
【００２９】図７は本発明に係る磁気ヘッド装置に用い
られるリード線の他の実施例を示す図である。高分子樹
脂フィルム２１は、幅方向の両端縁が波形のジグザグパ
ターンとなっており、導体膜２２は高分子樹脂フィルム
２１のジグザグパターンに追従する波形のジグザグパタ
ーンを有する。
られるリード線の他の実施例を示す図である。高分子樹
脂フィルム２１は、幅方向の両端縁が波形のジグザグパ
ターンとなっており、導体膜２２は高分子樹脂フィルム
２１のジグザグパターンに追従する波形のジグザグパタ
ーンを有する。
【００３０】何れの実施例においても、前述した作用効
果を奏する。図示はされていないが一つの取り出し電極
に対して複数本のリード線２を接続し、電気抵抗を低減
させることもできる。
果を奏する。図示はされていないが一つの取り出し電極
に対して複数本のリード線２を接続し、電気抵抗を低減
させることもできる。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）磁気ヘッドの小型化、低荷重化、低浮上量化及び
低周速化に対して、バネ剛性の影響を充分に小さくし得
る磁気ヘッド装置を提供することができる。 （ｂ）導体膜の断面積や平面積を必要な値に保ち、直流
抵抗分の増大等を回避し得る磁気ヘッド装置を提供する
ことができる。
のような効果が得られる。 （ａ）磁気ヘッドの小型化、低荷重化、低浮上量化及び
低周速化に対して、バネ剛性の影響を充分に小さくし得
る磁気ヘッド装置を提供することができる。 （ｂ）導体膜の断面積や平面積を必要な値に保ち、直流
抵抗分の増大等を回避し得る磁気ヘッド装置を提供する
ことができる。
【図１】本発明に係る磁気ヘッド装置を用いた磁気記録
再生装置の構成を概略的に示す平面図である。
再生装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１に含まれた磁気ヘッド装置の拡大斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明に係る磁気ヘッド装置に用いられるリー
ド線の一部を示す平面図である。
ド線の一部を示す平面図である。
【図４】図３のＡ４ーＡ４線上における断面図である。
【図５】本発明に係る磁気ヘッド装置に用いられるリー
ド線の他の実施例における一部を示す平面図である。
ド線の他の実施例における一部を示す平面図である。
【図６】本発明に係る磁気ヘッド装置に用いられるリー
ド線の更に別の実施例における一部を示す平面図であ
る。
ド線の更に別の実施例における一部を示す平面図であ
る。
【図７】本発明に係る磁気ヘッド装置に用いられるリー
ド線の更に別の実施例における一部を示す平面図であ
る。
ド線の更に別の実施例における一部を示す平面図であ
る。
１ 磁気ヘッド １１ スライダ １２ 磁気変換素子 １２１ 取出電極 ２ リード線 ２１ 高分子樹脂フィルム ２２ 導体膜 ２３ 切欠 ３ ヘッド支持装置
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/31 G11B 5/60
Claims (7)
- 【請求項１】 磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、少な
くとも２本のリード線とを含む磁気ヘッド装置であっ
て、 前記磁気ヘッドは、スライダと、磁気変換素子とを備え
ており、前記磁気変換素子は、前記スライダの空気流出方向端部
に位置する側面に配置され、前記側面において外部に現
われる少なくとも２つの取出電極を有しており、 前記ヘッド支持装置は、一面に前記磁気ヘッドを有して
おり、 前記リード線のそれぞれは、高分子樹脂フィルム中に導
体膜を埋設して構成され、互いに分離され、前記磁気ヘ
ッドのある前記ヘッド支持装置の前記一面から他面側
に、空間を通って導かれて おり、 前記高分子樹脂フィルムは幅方向の両側に切欠を有して
おり、前記切欠は幅方向の両側において交互に現れ、長
さ方向に間隔を隔てて配置されており、 前記導体膜は、前記高分子樹脂フィルムの前記切欠を避
けたジグザグパターンを有して前記高分子樹脂フィルム
の長さ方向に導かれ、一端が前記磁気変換素子の前記取
出電極の１つに接続されている磁気ヘッド装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気ヘッド装置であっ
て、 前記切欠は、スリットである磁気ヘッド装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の磁気ヘッド装置であっ
て、 前記切欠は、前記高分子樹脂フィルムの幅方向の両端縁
がジグザグパターンとなるように形成されている磁気ヘ
ッド装置。 - 【請求項４】 請求項２または３の何れかに記載の磁気
ヘッド装置であって、 前記切欠は、前記スリットの内奥部に円弧状部分を有す
る磁気ヘッド装置。 - 【請求項５】 請求項２または３の何れかに記載の磁気
ヘッド装置であって、 前記切欠は、前記スリットがＴ状である磁気ヘッド装
置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかに記載の磁気ヘ
ッド装置であって、 前記高分子樹脂フィルムは、前記導体膜を支持する支持
フィルムと、前記導体膜を覆う保護フィルムとを含む磁
気ヘッド装置。 - 【請求項７】 磁気ヘッド装置と、磁気ディスクと、位
置決め装置とを含む磁気記録再生装置であって、 前記磁気ヘッド装置は、請求項１乃至６の何れかに記載
されたものでなり、 前記磁気ディスクは、回転駆動され、 前記位置決め装置は、前記磁気ヘッド装置に含まれる前
記ヘッド支持装置の一端を支持し、前記ヘッド支持装置
に取り付けられた前記磁気ヘッドを、前記磁気ディスク
の面上で面回転させる磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16439094A JP3196954B2 (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 磁気ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16439094A JP3196954B2 (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 磁気ヘッド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0830921A JPH0830921A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3196954B2 true JP3196954B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=15792220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16439094A Expired - Fee Related JP3196954B2 (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 磁気ヘッド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196954B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6600884B2 (en) | 2001-11-26 | 2003-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for forming image |
-
1994
- 1994-07-15 JP JP16439094A patent/JP3196954B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0830921A (ja) | 1996-02-02 |
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