TWI707394B

TWI707394B - 基板處理方法及基板處理裝置

Info

Publication number: TWI707394B
Application number: TW107130358A
Authority: TW
Inventors: 谷澤成規; 澤崎尚樹; 三浦淳靖; 奧村剛; 宮路信行; 高岡誠
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2017-09-20
Filing date: 2018-08-30
Publication date: 2020-10-11
Also published as: TW201929068A; WO2019058876A1; JP2019057583A; JP6901944B2

Abstract

本發明的基板處理方法，係包括有：低表面張力液體供給步驟、及調溫液供給步驟；該低表面張力液體供給步驟係對附著有清洗液的基板表面，供給表面張力較低於上述清洗液的低表面張力液體；該調溫液供給步驟係與上述低表面張力液體供給步驟並行，朝上述基板之與上述表面相反側的背面，供給經調整溫度的調溫液，該調溫液係包含有與上述低表面張力液體同種之液體且不包含有水的調溫液。

Description

基板處理方法及基板處理裝置

本發明係關於基板處理方法及基板處理裝置。針對於成為處理對象的基板係包括有例如：半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、有機EL(electroluminescence，電激發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。

在半導體裝置之製造步驟中，利用處理液對半導體晶圓等之基板的表面施行處理。每次處理一片基板的單片式基板處理裝置，係具備有：呈略水平地保持基板且使該基板旋轉的旋轉夾具；以及對藉由該旋轉夾具所旋轉之基板表面供給處理液用的噴嘴。

在典型的基板處理步驟中，對由旋轉夾具所保持的基板供給藥液。然後，將清洗液供給給基板，藉此將基板上的藥液置換為清洗液。然後，施行用於將基板上的清洗液予以排除的旋轉乾燥步驟。旋轉乾燥步驟時，藉由使基板進行高速旋轉，便將基板上所附著的清洗液甩出並除去(乾燥)。一般的清洗液係去離子水。

當基板表面上有形成微細圖案的情況，在旋轉乾燥步驟中，存在有無法將進入至圖案內部的清洗液除去之可能性，因此存在有發生乾燥不良的可能性。所以，有提案：對經利用清洗液所施行之處理後的基板表面供給異丙醇(isopropyl alcohol：IPA)等之有機溶劑，藉由將進入至基板表面之圖案隙間中的清洗液置換為有機溶劑，而使基板表面乾燥的手法。

如圖16所示，利用基板之高速旋轉使基板乾燥的旋轉乾燥步驟中，在圖案內形成有液面(空氣與液體的界面)。此情況，在液面與圖案的接觸位置，液體的表面張力產生作用。該表面張力係使圖案崩壞的原因之一。

如下述專利文獻1，當在清洗處理後且旋轉乾燥步驟前，對基板表面供給液體之有機溶劑時，液體之有機溶劑進入至圖案間。有機溶劑的表面張力係較低於屬於典型清洗液的水。所以，緩和因表面張力所造成的圖案崩壞之問題。

再者，在專利文獻1所記載的手法中，為提高從清洗液置換為有機溶劑的置換性，便在對基板表面進行有機溶劑供給時，並行施行對基板之與表面相反側的背面供給溫水，而加溫基板。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2012-156561號公報

然而，在專利文獻1所記載的手法中，在對基板背面(背面)供給溫水時，在基板背面因溫水蒸發而產生水蒸氣。而，存在有該水蒸氣繞入至基板表面(表面)側，並混入至基板表面的低表面張力液體中之可能性。在基板表面的低表面張力液體中混入有水的結果，於基板表面所供給之低表面張力液體的表面張力上升，其之結果存在有造成圖案崩壞的可能性。

緣是，本發明一目的在於提供：能有效地抑制圖案之崩壞的基板處理方法及基板處理裝置。

本發明所提供的基板處理方法，係包括有：低表面張力液體供給步驟、及調溫液供給步驟；該低表面張力液體供給步驟係對附著有清洗液的基板之表面，供給表面張力較低於上述清洗液的低表面張力液體；該調溫液供給步驟係與上述低表面張力液體供給步驟並行，朝上述基板之與上述表面相反側的背面，供給經調整溫度的調溫液，該調溫液係包含有與上述低表面張力液體同種之液體且不包含水的調溫液。

根據本方法，並行執行：將低表面張力液體供給至基板表面的低表面張力液體供給步驟，以及將包含有與該低表面張力液體同種之液體且不包含有水的調溫液，供給至基板背面的調溫液供給步驟。因為調溫液係包含有與低表面張力液體同種之液體且不包含有水，因而可有效地抑制或防止在供給給基板表面的低表面張力液體中混入有水。所以，一方面可抑制或防止供給給基板表面的低表面張力液體之表面張力上升，一方面能加溫基板。藉此，便可有效地抑制圖案之崩壞。

本發明一實施形態，上述基板處理方法係更進一步包括有：清洗液供給步驟、第1設定步驟、以及第2設定步驟；該清洗液供給步驟係在上述低表面張力液體供給步驟之前，對上述基板的上述表面供給上述清洗液；該第1設定步驟係與上述清洗液供給步驟並行，將從上述基板排出並藉由處理杯所承接的液體之流通去向，設定為第1配管；該第2設定步驟係與上述低表面張力液體供給步驟及上述調溫液供給步驟並行，將從上述基板排出並藉由上述處理杯所承接的液體之流通去向，設定於未連通於上述第1配管的第2配管。

根據本方法，與低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟並行，將從基板排出並藉由處理杯所承接的液體之流通去向，設定為第2配管。在低表面張力液體供給步驟中，供給給基板表面的液體係低表面張力液體。又，在調溫液供給步驟中，供給給基板背面的液體係與低表面張力液體同種的調溫液。所以，在低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟中，於第2配管中流動的液體係單一種的低表面張力液體，且在該液體中並未含有水，所以在低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟中，藉由回收在第2配管中流動的液體，便可回收沒有水混合的高純度低表面張力液體。

本發明一實施形態，包圍上述基板之周圍的複數筒狀之防護罩(guard)中，被第1防護罩所承接的液體係被導引至上述第1配管，而上述複數防護罩中，被第2防護罩所承接的液體係被導引至上述第2配管，該第1防護罩及該第2防護罩係被包含在上述處理杯。所以，上述第1設定步驟亦可包括有：將上述第1防護罩配置在可承接從上述基板所排出之液體的第1承液位置之步驟。而，上述第2設定步驟亦可包括有：將上述第2防護罩配置在可承接從上述基板所排出之液體的第2承液位置之步驟。

根據本方法，與低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟並行，將第2防護罩配置在第2承液位置。被第2防護罩所承接的液體係被導引至第2配管。所以，在低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟中，於第2配管中流動的液體係單一種的低表面張力液體，且在該液體中並未含有水。所以，在低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟中，藉由回收在第2配管中流動的液體，便可回收沒有水混合的高純度低表面張力液體。

本發明一實施形態，上述第2設定步驟係在上述低表面張力液體供給步驟之開始後開始。

根據本方法，因為在低表面張力液體供給步驟開始後，才將處理杯的流通去向設定為第2配管，因而被導入至第2配管的液體便可視為僅有單一種類的低表面張力液體。

所以，可回收幾乎沒有水混合的低表面張力液體，藉此不需另外耗費成本，便可利用用於再利用所回收的低表面張力液體。

本發明一實施形態，上述調溫液供給步驟係與上述低表面張力液體供給步驟之開始同時或之後開始。

根據本方法，調溫液供給步驟係在低表面張力液體供給步驟開始之前不啟動進行。所以，被導入至第1配管的低表面張力液體及調溫液(低表面張力液體的同種之液體)的量便可抑制至最小極限。所以，可抑制在第1配管內流動的液體中所含之低表面張力液體的比例，藉此可將從第1配管所排出的液體，不需另外耗費成本地施行廢棄處理。

本發明另一實施形態，上述基板處理方法係更進一步包括有：清洗液供給步驟、及溫水供給步驟；該清洗液供給步驟係在上述低表面張力液體供給步驟之前，對上述基板的上述表面供給上述清洗液；該溫水供給步驟係在上述調溫液供給步驟之前，且與上述清洗液供給步驟並行，對上述基板的上述背面供給經調整溫度的溫水。

根據本方法，與在調溫液供給步驟之前所執行的清洗液供給步驟並行，朝基板背面供給溫水。所以，直到剛要開始低表面張力液體供給步驟之前為止均可加溫基板，藉此從低表面張力液體供給步驟開始起，可將供給給基板表面的低表面張力液體之溫度保持於高溫。藉此，可更有效地抑制圖案之崩壞。

本發明一實施形態，上述調溫液供給步驟係與上述低表面張力液體供給步驟的結束同時或之後結束。

根據本方法，調溫液供給步驟係與低表面張力液體供給步驟之結束同時或之後結束。

假設調溫液係水的情況，為抑制或防止圖案之崩壞，必需防止調溫液從基板背面繞入至表面側，所以必需使調溫液供給步驟在低表面張力液體供給步驟結束之前便先結束。

相對於此，該方法中，因為供給給基板背面的調溫液係含有與供給給基板表面的低表面張力液體同種之液體，因而即便調溫液從基板背面繞入至表面側仍不會構成問題。所以，無需要使調溫液供給步驟在低表面張力液體供給步驟結束之前便結束。藉此，至低表面張力液體供給步驟結束為止均可加溫低表面張力液體。藉此，可更有效地抑制或防止圖案之崩壞。

本發明另一實施形態，上述基板處理方法係更進一步包括有阻斷步驟；而該阻斷步驟係與上述調溫液供給步驟及上述低表面張力液體供給步驟並行，將阻斷構件相對於上述基板的上述表面而隔開間隔進行相對向配置，而使上述阻斷構件與上述基板之上述表面間的空間，從該空間之周圍阻斷。

根據本方法，在阻斷構件相對於基板表面而隔開間隔進行相對向配置的狀態下，基板表面與阻斷構件間的空間係從該空間之周圍被阻斷。所以，可抑制空間外之環境中所含的水分被供給至基板表面，藉此可抑制供給給基板表面的低表面張力液體中混入水。

本發明另一實施形態，更進一步包括有：氣體供給步驟；而，該氣體供給步驟係與上述阻斷步驟並行，朝上述空間供給氣體。

根據本方法，藉由在阻斷構件相對於基板表面而隔開間隔進行相對向配置的狀態下，朝基板表面與阻斷構件間的空間供給氣體，該之所被供給的氣體便充滿於基板表面與阻斷構件之間。所以，可更有效果地抑制或防止空間外之環境中所含的水分被供給至基板表面，藉此可更有效果地抑制供給給基板表面的低表面張力液體中混入水。

上述低表面張力液體亦可包含有沸點較高於上述清洗液的液體。

根據本方法，可有效率地加熱基板。又，亦可使低表面張力液體中所含的清洗成分毫不殘留地蒸發。

本發明一實施形態，上述調溫液供給步驟係包括有：隨著時間之經過使上述調溫液的供給流量減少的調溫液減少步驟。

根據本方法，在調溫液供給步驟結束後，可減少基板背面上所附著之調溫液的量。所以，之後，可縮短該調溫液之乾燥所需要的期間。

本發明一實施形態，上述調溫液減少步驟係包括有：使上述調溫液的供給流量，減少至低於上述低表面張力液體供給步驟中的上述低表面張力液體之供給流量的步驟。

根據本方法，因為在調溫液供給步驟結束後，在基板背面上所附著之調溫液的量，較少於在基板表面上所附著之調溫液的量，因而可使基板背面所需要的乾燥時間，縮短至與基板背面所需要的乾燥時間相同程度或以下。

本發明所提供的基板處理裝置，係包括有：基板保持單元、清洗液供給單元、低表面張力液體供給單元、調溫液供給單元、及控制裝置；該基板保持單元係保持基板；該清洗液供給單元係對由上述基板保持單元所保持基板的表面供給清洗液；該低表面張力液體供給單元係朝上述基板的上述表面，供給表面張力較低於上述清洗液的低表面張力液體；該調溫液供給單元係用於對上述基板之與上述表面相反側的背面，供給經調整溫度的調溫液，該調溫液係包含有與上述低表面張力液體同種之液體且不包含有水的調溫液；該控制裝置係對上述清洗液供給單元、上述低表面張力液體供給單元及上述調溫液供給單元進行控制。而，上述控制裝置亦可執行：低表面張力液體供給步驟、與調溫液供給步驟；而，低表面張力液體供給步驟係供給上述低表面張力液體；該調溫液供給步驟係與上述低表面張力液體供給步驟並行，朝上述基板之與上述表面相反側的背面，供給經調整溫度的調溫液，該調溫液係由與上述低表面張力液體同種之低表面張力液體所形成且不包含有水的調溫液。

根據該構成，並行執行：將低表面張力液體供給給基板表面的低表面張力液體供給步驟，與將包含有與該低表面張力液體同種之液體且不包含有水的調溫液，供給給基板背面的調溫液供給步驟。因為調溫液係包含有與低表面張力液體同種之液體且不包含有水，因而可有效果地抑制或防止對基板表面所供給的低表面張力液體中混入水。所以，可一方面抑制或防止對基板表面所供給之低表面張力液體的表面張力上升，一方面加溫基板。藉此，可有效地抑制圖案之崩壞。

本發明一實施形態，更進一步包括有：處理杯、及流通去向切換單元；該處理杯係擋住從上述基板所排出之液體的筒狀之處理杯，其被設置為可連接於相互不連通的第1配管及第2配管；該流通去向切換單元係將從上述基板排出並藉由上述處理杯所承接的液體之流通去向，在上述第1配管與上述第2配管之間切換。所以，上述控制裝置更進一步對上述流通去向切換單元進行控制。故，上述控制裝置亦可更進一步執行：清洗液供給步驟、第1設定步驟、及第2設定步驟；該清洗液供給步驟係在上述低表面張力液體供給步驟之前，利用上述清洗液供給單元朝上述基板的上述表面供給上述清洗液；該第1設定步驟係與上述清洗液供給步驟並行，利用上述流通去向切換單元，藉由上述處理杯所承接液體的流通去向，設定為上述第1配管；該第2設定步驟係與上述低表面張力液體供給步驟及上述調溫液供給步驟並行，利用上述流通去向切換單元，將藉由上述處理杯所承接液體的流通去向，設定為上述第2配管。

根據該構成，與低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟並行，將從基板排出並藉處理杯所承接液體的流通去向，設定為第2配管。在低表面張力液體供給步驟中，供給給基板表面的液體係低表面張力液體。又，在調溫液供給步驟中，供給給基板背面的液體係與低表面張力液體同種的調溫液。所以，在低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟中，在第2配管中流動的液體係單一種類的低表面張力液體，且在該液體中並未含有水。所以，在低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟中，藉由回收第2配管中流動的液體，便可回收沒有水混合的高純度低表面張力液體。

本發明一實施形態，上述處理杯係包含有包圍上述基板保持單元之周圍的複數筒狀之防護罩。而，亦可上述複數防護罩中，被第1防護罩所承接的液體係被導引至上述第1配管，亦可上述複數防護罩中，被第2防護罩所承接的液體係被導引至上述第2配管。而，上述流通去向切換單元亦可包含有用於使上述複數防護罩中至少一個防護罩進行升降的防護罩升降單元。而，上述控制裝置亦可在上述第1設定步驟中，執行利用上述防護罩升降單元，將上述第1防護罩配置在可承接自上述基板所排出之液體的第1承液位置之步驟；上述控制裝置亦可在上述第2設定步驟中，執行利用上述防護罩升降單元，將上述第2防護罩配置在可承接自上述基板所排出之液體的第2承液位置之步驟。

根據該構成，與低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟並行，第2防護罩被配置於第2承液位置。由第2防護罩承接的液體係被導引至第2配管。所以，在低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟中，在第2配管中流動的液體係單一種類的低表面張力液體，且在該液體中未含有水。所以，在低表面張力液體供給步驟及調溫液供給步驟中，藉由回收在第2配管中流動的液體，便可回收沒有水混合的高純度低表面張力液體。

本發明一實施形態，上述控制裝置係使上述第2設定步驟在上述低表面張力液體供給步驟之開始後開始。

根據該構成，因為在低表面張力液體供給步驟之開始後，處理杯的流通去向被設定於第2配管，因而可將被導入至第2配管的液體視為僅有同一種類的低表面張力液體。

所以，可回收幾乎沒有水混合的低表面張力液體，藉此可不需另外耗費成本地利用用於再利用所回收的低表面張力液體。

本發明一實施形態，上述控制裝置係使上述調溫液供給步驟，在與上述低表面張力液體供給步驟之開始同時或之後開始。

根據該構成，調溫液供給步驟在低表面張力液體供給步驟之開始之前並不會開始。所以，可將被導入至第1配管的低表面張力液體及調溫液(與低表面張力液體同種之液體)的量抑制於最小極限。所以，可抑制在第1配管內所流動液體中含有的低表面張力液體的比例，便可將自第1配管所排出的液體，不需另外耗費成本地進行廢棄處理。

本發明另一實施形態，更進一步包括有：對上述基板的上述背面，供給經調整溫度之溫水的溫水供給單元。所以，上述控制裝置亦可更進一步執行：清洗液供給步驟、及溫水供給步驟；該清洗液供給步驟係在上述低表面張力液體供給步驟之前，利用上述清洗液供給單元，對上述基板的上述表面供給上述清洗液；該溫水供給步驟係在上述調溫液供給步驟之前，且與上述清洗液供給步驟並行，利用上述溫水供給單元，對上述基板的上述背面供給上述溫水。

根據該構成，在調溫液供給步驟之前且與所執行的清洗液供給步驟並行，對基板背面供給溫水。所以，直到低表面張力液體供給步驟正要開始之前均可加溫基板，藉此，從低表面張力液體供給步驟之開始起，便可將低表面張力液體的溫度保持於高溫。藉此，可更有效地抑制圖案之崩壞。

本發明一實施形態，上述控制裝置係使上述調溫液供給步驟在與上述低表面張力液體供給步驟之結束同時結束，或在上述低表面張力液體供給步驟之結束之後結束。

根據該構成，溫度液供給步驟係在與低表面張力液體供給步驟之結束同時或之後結束。

假設調溫液係水的情況，為抑制或防止圖案之崩壞，必需防止調溫液從基板背面繞入至表面側，所以必需使調溫液供給步驟在低表面張力液體供給步驟之結束之前結束。相對於此，該方法中，因為供給給基板背面的調溫液，係包含有對基板表面所供給之與低表面張力液體同種之液體，因而即便調溫液從基板背面繞入至表面側，仍不會構成問題。所以，不需要使調溫液供給步驟在低表面張力液體供給步驟之結束之前結束。藉此，至低表面張力液體供給步驟之結束為止前均可加溫低表張力液體。藉此，可更有效地抑制或防止圖案之崩壞。

本發明另一實施形態，更進一步包括有阻斷構件；而該阻斷構件係相對於由上述基板保持單元所保持上述基板的上述表面，而隔開間隔進行相對向配置，將上述基板的上述表面之上的空間從該空間之周圍阻斷。

根據該構成，在阻斷構件相對於基板表面呈而隔開間隔進行相對向配置的狀態下，基板表面與阻斷構件間的空間係從該空間之周圍阻斷。所以，可抑制空間外之環境所所含的水分被供給給基板表面，藉此可抑制在供給給基板表面的低表面張力液體中混入水。

本發明另一實施形態，更進一步包括有：對上述空間供給氣體的氣體供給單元。

根據該構成，在阻斷構件相對於基板表面而隔開間隔進行相對向配置的狀態下，藉由對基板表面與阻斷構件間的空間內供給氣體，則其之所被供給的氣體便充滿於基板表面與阻斷構件之間。所以，可更有效地抑制或防止空間外之環境中所含水分被供給至基板表面，藉此可更有效地抑制在對基板表面所供給之低表面張力液體中混入水。

本發明一實施形態，上述低表面張力液體係沸點較高於上述清洗液。

根據該構成，可有效率地加熱基板。又，可使低表面張力液體中所含的清洗成分毫不殘留地蒸發。

根據該構成，在調溫液供給步驟之結束後，可減少在基板背面上所附著之調溫液的量。所以，後續可縮短該調溫液之乾燥所需要的期間。

本發明一實施形態，上述調溫液減少步驟係包括有：使上述調溫液的供給流量，減少至低於上述低表面張力液體供給步驟中之上述低表面張力液體之供給流量的步驟。

根據該構成，因為在調溫液供給步驟之結束後，使基板背面上所附著之調溫液的量，較少於在基板表面上所附著之調溫液的量，因而可使基板背面之乾燥所需時間，縮短至與基板背面之乾燥所需時間相同程度或以下。

本發明前述或其他之目的、特徵及效果，參照所附圖式經下述之實施形態的說明便可清楚明瞭。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧處理單元

3‧‧‧控制裝置

4‧‧‧儲存盒

5‧‧‧外殼

6‧‧‧處理室

7‧‧‧旋轉夾具

8‧‧‧藥液供給單元

9‧‧‧清洗液供給單元

10‧‧‧有機溶劑噴嘴

11‧‧‧下面噴嘴

11a‧‧‧吐出口

12‧‧‧隔壁

13‧‧‧旋轉馬達

14‧‧‧旋轉軸

15‧‧‧旋轉基座

15a‧‧‧上面

16‧‧‧挾持構件

17‧‧‧藥液噴嘴

18‧‧‧藥液閥

19‧‧‧清洗液噴嘴

20‧‧‧清洗液閥

21‧‧‧噴嘴臂

22‧‧‧第1噴嘴移動單元

23‧‧‧第1有機溶劑配管

23a‧‧‧下游端

23b‧‧‧上游端

24‧‧‧第1有機溶劑閥

25‧‧‧下面供給配管

26‧‧‧第2有機溶劑配管

26a‧‧‧上游端

27‧‧‧第2有機溶劑閥

30‧‧‧有機溶劑供給單元

31‧‧‧有機溶劑槽

32‧‧‧循環配管

32a‧‧‧上游端

32b‧‧‧下游端

33‧‧‧溫度調整器

34‧‧‧過濾器

35‧‧‧壓力調整單元

37‧‧‧供給部

38‧‧‧連接部

39‧‧‧歸還部

40‧‧‧處理杯

41‧‧‧第1杯

42‧‧‧第2杯

43‧‧‧第3杯

44‧‧‧內防護罩

45‧‧‧中防護罩

46‧‧‧外防護罩

47‧‧‧防護罩升降單元

48‧‧‧導引部

49‧‧‧傾斜部

50‧‧‧圖案

51‧‧‧構造體

56‧‧‧第1排液配管

57‧‧‧第2排液配管

58‧‧‧回收配管

59‧‧‧排液設施

60‧‧‧排液處理設備

61‧‧‧回收設備

70‧‧‧下面噴嘴

202‧‧‧處理單元

203‧‧‧溫水供給單元

204‧‧‧溫水配管

205‧‧‧溫水閥

302‧‧‧處理單元

303‧‧‧疏水劑供給單元

304‧‧‧疏水劑噴嘴

305‧‧‧疏水劑閥

402‧‧‧處理單元

403‧‧‧阻斷構件

404‧‧‧對向面

405‧‧‧固定架

406‧‧‧對向構件升降單元

407‧‧‧有機溶劑噴嘴

407a‧‧‧吐出口

408‧‧‧氣體噴嘴

408a‧‧‧吐出口

409‧‧‧貫穿孔

410‧‧‧氣體供給單元

411‧‧‧氣體供給配管

412‧‧‧氣體閥

415‧‧‧空間

502‧‧‧處理單元

503‧‧‧下面噴嘴

504‧‧‧噴嘴部

505‧‧‧吐出口

506‧‧‧內部流路

601‧‧‧基板處理裝置

602‧‧‧處理單元

604‧‧‧儲存盒

A1‧‧‧旋轉軸線

C‧‧‧基板收容器

CR‧‧‧基板搬送機器人

DL‧‧‧旋轉半徑方向

Dr‧‧‧旋轉方向

IR‧‧‧載入機器人

LP‧‧‧裝載埠口

P‧‧‧送液裝置

T‧‧‧膜厚

W‧‧‧基板

W1‧‧‧線寬

W2‧‧‧隙間

Wa‧‧‧表面

Wb‧‧‧背面

圖1係用於說明本發明第1實施形態的基板處理裝置之內部佈局的圖解之俯視圖。

圖2係用於說明於上述基板處理裝置所具備有之處理單元及儲存盒之構成例的圖解之剖視圖。

圖3係用於說明上述基板處理裝置之主要部分的電氣構成之方塊圖。

圖4係放大顯示利用上述基板處理裝置所施行的處理對象之基板W表面之剖視圖。

圖5係用於說明在上述處理單元中所被執行之第1基板處理例的內容之流程圖。

圖6係說明圖5的清洗液供給步驟之示意圖。

圖7係說明圖5的置換步驟之示意圖。

圖8係用於說明在上述第1基板處理例中之控制裝置之主要控制內容的時序圖。

圖9係用於說明在本發明第2實施形態的處理單元中所被執行之第2基板處理例中之控制裝置之主要控制內容的時序圖。

圖10係用於說明在本發明第3實施形態的處理單元中所被執行之第3基板處理例之內容之流程圖。

圖11係用於說明本發明第4實施形態的處理單元之構成例的圖解之剖視圖。

圖12係用於說明本發明第5實施形態的處理單元之下面噴嘴之構成例的圖解之剖視圖。

圖13係用於說明上述下面噴嘴之構成例的示意之俯視圖。

圖14係用於說明本發明第6實施形態的處理單元之構成例的圖解之剖視圖。

圖15係表示本發明之變化處理例的圖。

圖16係用於說明因表面張力所導致之圖案崩壞的原理的圖解之剖視圖。

<第1實施形態>

圖1係用於說明本發明第1實施形態的基板處理裝置1之內部佈局的圖解之俯視圖。基板處理裝置1係每次各處理一片例如半導體晶圓等之圓板狀之基板W的單片式裝置。

基板處理裝置1係包括有：複數裝載埠口LP、複數處理單元2、搬送機器人、及控制裝置3。該等裝載埠口LP係保持著收容有基板W的複數基板收容器C。該等處理單元2係針對從複數裝載埠口LP所搬送至的基板W，利用藥液等處理液施行處理。該搬送機器人係從複數裝載埠口LP將基板W搬送至複數處理單元2中，該控制裝置3係對基板處理裝置1進行控制。搬送機器人係包含有：載入機器人IR與基板搬送機器人CR。該載入機器人IR係在裝載埠口LP與處理單元2間的路徑上搬送基板W。該基板搬送機器人CR係在載入機器人IR與處理單元2間的路徑上搬送基板W。

基板處理裝置1係具備有儲存盒4，該儲存盒4係收容著有機溶劑槽31(參照圖2)等，該有機溶劑槽31係儲存著屬於低表面張力液體之有機溶劑之一例之液體的IPA(isopropyl alcohol)。儲存盒係在圖1所示例中被配置於基板處理裝置1的外殼5外，但亦可收容於外殼5中。儲存盒4亦可如圖1所示例設置複數個。此情況，各儲存盒4係可設置為對應複數處理單元2，亦可設置為依一對一對應於處理單元2，在各儲存盒4內的有機溶劑槽31中所儲存的有機溶劑，係供給給其之儲存盒4所對應的處理單元2。

圖2係用於說明基板處理裝置1所具備處理單元2與儲存盒4的構成例的圖解之剖視圖。

處理單元2係包含有：箱形之處理室6、旋轉夾具(基板保持單元)7、藥液供給單元8、清洗液供給單元9、有機溶劑噴嘴10、下面噴嘴11、及筒狀之處理杯40，該箱形之處理室6係具有內部空間，該旋轉夾具(基板保持單元)7係在處理室6內依水平姿勢保持著一片基板W，並使基板W圍繞著通過基板W中心的鉛直旋轉軸線A1進行旋轉，該藥液供給單元8係對由旋轉夾具7所保持基板W的上面(基板W的表面Wa)供給藥液，該清洗液供給單元9係對由旋轉夾具7所保持基板W的上面供給清洗液，該有機溶劑噴嘴10係用於將有機溶劑槽31中所儲存的有機溶劑，朝由旋轉夾具7所保持基板W的上面吐出有機溶劑，該下面噴嘴11係朝向由旋轉夾具7所保持基板W的下面(基板W之背面Wb)中央部，吐出當作調溫液的有機溶劑，該筒狀之處理杯40係包圍著旋轉夾具7的側邊。從下面噴嘴11吐出的調溫液係由與來自有機溶劑噴嘴10的有機溶劑同種之有機溶劑所構成，且未含水。

處理室6係包含有：箱狀之隔壁12、FFU(風扇過濾單元。未圖示)、及排氣風管(未圖示)，該箱狀之隔壁12係收容著旋轉夾具7或噴嘴，該FFU係當作從隔壁12上部朝隔壁12內輸送清淨空氣(經過濾器施行過濾的空氣)之送風單元，該排氣風管係從隔壁12的下部排出處理室6內的氣體。利用FFU與排氣風管，在處理室6內形成朝下方流動的降流(down flow)。基板W的處理係在處理室6內形成降流的狀態下進行。

旋轉夾具7係採用將基板W朝水平方向夾住並將基板W呈水平保持的挾持式夾具。具體而言，旋轉夾具7係包括有：旋轉馬達13、與該旋轉馬達13的驅動軸呈一體化的旋轉軸14、以及略水平安裝於旋轉軸14上端的圓板狀之旋轉基座15。

在旋轉基座15的上面15a，於其之周緣處配置著複數個(3個以上。例如6個)挾持構件16。複數個挾持構件16係在旋轉基座15的上面周緣處，於對應基板W外周形狀的圓周上隔開適當之間隔而進行配置。

再者，旋轉夾具7並不僅侷限於挾持式，例如亦可採用藉由真空吸附著基板W的下面(背面Wb)，將基板W保持呈水平姿勢，更在其之狀態下圍繞著鉛直的旋轉軸線進行旋轉，藉此使由旋轉夾具7所保持基板W進行旋轉的真空吸附式者(真空夾具)。

藥液供給單元8係包含有藥液噴嘴17。藥液噴嘴17係例如在連續流動的狀態吐出液體的直線型噴嘴，在旋轉夾具7的上方固定地配置為其之吐出口朝向基板W上面中央部。對藥液噴嘴17經由藥液閥18供給來自藥液供給源的藥液。若開啟藥液閥18，供給給藥液噴嘴17的連續流動之藥液，便從被設定於藥液噴嘴17前端的吐出口中吐出。又，若關閉藥液閥18，便停止從藥液噴嘴17的藥液之吐出。藥液並不僅侷限於氫氟酸，亦可為含有例如：醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH：氫氧化四甲銨等)、界面活性劑、防腐蝕劑中之至少1種的液體。藥液供給單元8係亦可具備有使藥液噴嘴17移動，藉此使藥液對於基板W上面的著液位置，在基板W之面內進行掃描的藥液噴嘴移動裝置。

清洗液供給單元9係包含有清洗液噴嘴19。清洗液噴嘴19係例如在連續流動狀態吐出液體的直線型噴嘴，在旋轉夾具7的上方，固定地配置為其之吐出口朝基板W上面中央部。清洗液噴嘴19係例如在連續流動狀態吐出液體的直線型噴嘴，在旋轉夾具7的上方，固定地配置為其之吐出口朝基板W上面中央部。對清洗液噴嘴19經由清洗液閥20供給來自清洗液供給源的清洗液。若開啟清洗液閥20，則供給給清洗液噴嘴19的連續流動之清洗液，便從被設定於清洗液噴嘴19前端的吐出口中吐出。又，若關閉清洗液閥20，便停止從清洗液噴嘴19的清洗液之吐出。

清洗液係例如水。該水係可舉例如DIW(去離子水)，但亦可為例如：碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、稀釋濃度(例如10~100ppm程度)的鹽酸水、還原水(氫水)、氨水、脫氣水等。清洗液供給單元9亦可具備有使清洗液噴嘴19移動，藉此使清洗液對於基板W上面的著液位置，在基板W之面內進行掃描的清洗液噴嘴移動裝置。

有機溶劑噴嘴10係例如在連續流動狀態吐出液體狀有機溶劑的直線型噴嘴。本實施形態中，有機溶劑係IPA。有機溶劑噴嘴10係例如在於垂直方向朝基板W上面吐出處理液的垂直姿勢，安裝於噴嘴臂21上。於有機溶劑噴嘴10結合有使有機溶劑噴嘴10沿基板W上面進行移動的第1噴嘴移動單元22。第1噴嘴移動單元 22係使有機溶劑噴嘴10，在從有機溶劑噴嘴10吐出的有機溶劑被供給給基板W上面的處理位置、及有機溶劑噴嘴10退避至在俯視下旋轉夾具7側邊的退避位置之間進行移動。於有機溶劑噴嘴10連接有第1有機溶劑配管23的下游端23a。在第1有機溶劑配管23的途中部，介設著用於對第1有機溶劑配管23進行開閉的第1有機溶劑閥24。第1有機溶劑配管23的上游端23b係連接至下述有機溶劑供給單元30的循環配管32之連接部38。本實施形態中，藉由有機溶劑噴嘴10、第1有機溶劑配管23、第1有機溶劑閥24及清機溶劑供給單元30，構成上面側有機溶劑供給單元(低表面張力液體供給單元)。

下面噴嘴11係具備有：與由旋轉夾具7所保持基板W下面中央部而呈相對向的單一之吐出口11a。吐出口11a係朝鉛直上方吐出液體。所吐出的液體係呈幾乎垂直入射於由旋轉夾具7所保持基板W的下面中央部。

於下面噴嘴11連接有下面供給配管25。下面噴嘴11係插通於呈鉛直配置且由中空軸所構成的旋轉軸14之內部。於下面供給配管25連接有用於供給當作調溫液之有機溶劑的第2有機溶劑配管26。在第2有機溶劑配管26中介設有第2有機溶劑閥27。形成由有機溶劑槽31朝第2有機溶劑配管26供給有機溶劑。第2有機溶劑配管26之另一端係連接於後述有機溶劑供給單元30的循環配管32之連接部38。本實施形態中，藉由下面噴嘴11、第2有機溶劑配管26、第2有機溶劑閥27及有機溶劑供給單元30，構成下面側有機溶劑供給單元(調溫液供給單元)。

若開啟第2有機溶劑閥27，便經由第2有機溶劑配管26與下面供給配管25而朝下面噴嘴11供給有機溶劑。下面噴嘴11係將所供給的有機溶劑呈幾乎鉛直朝上吐出，而從下面噴嘴11吐出的有機溶劑則呈幾乎垂直入射於由旋轉夾具7所保持基板W的下面中央部。

基板處理裝置1係具備有：用於對有機溶劑噴嘴10供給有機溶劑的第1有機溶劑供給單元、以及用於對下面噴嘴11供給經溫度調整於既定高溫之有機溶劑的第2有機溶劑供給單元。本實施形態中，第1有機溶劑供給單元與第2有機溶劑供給單元係藉由共通的有機溶劑供給單元30而所構成。

有機溶劑供給單元30係包括有：有機溶劑槽31、循環配管32、送液裝置P、溫度調整器33、過濾器34、及壓力調整單元35，該有機溶劑槽31係儲存著有機溶劑，該循環配管32係使有機溶劑槽31內的有機溶劑進行循環，該送液裝置P係將有機溶劑槽31內的有機溶劑輸送至循環配管32，該溫度調整器33係將在循環配管32中循環的有機溶劑溫度，調整於既定高溫，該過濾器34係將在循環配管32中循環的有機溶劑中之異物除去，該壓力調整單元35係用於既定維持在循環配管32中循環的有機溶劑之壓力。

循環配管32的上游端32a及下游端32b係連接於有機溶劑槽 31。循環配管32係包括有：供給部37、連接部38、及歸還部39，該供給部37係吸取有機溶劑槽31內的有機溶劑並導引至循環配管32內，該連接部38係連接有第1有機溶劑配管23的下游端23a、與第2有機溶劑配管26的上游端26a，該歸還部39係將通過連接部38的有機溶劑導引至有機溶劑槽31。於供給部37分別連接有第1有機溶劑配管23另一端、及第2有機溶劑配管26另一端。有機溶劑係例如IPA。

若開啟第1有機溶劑閥24，便從有機溶劑噴嘴10朝下方吐出有機溶劑。若開啟第2有機溶劑閥27，便從下面噴嘴11朝上方吐出有機溶劑。

送液裝置P係介設於供給部37。送液裝置P係例如泵。泵係吸入有機溶劑槽31內的藥液，並將其之所吸入的有機溶劑吐出。送液裝置P亦可為藉由使有機溶劑槽31內的氣壓上升，而將有機溶劑槽31內的藥液輸送至循環配管32的加壓裝置。

溫度調整器33係介設於供給部37。溫度調整器33亦可配置於有機溶劑槽31內。溫度調整器33係將有機溶劑在從較高於室溫(例如約23℃)的溫度起至較低於室溫的溫度為止的範圍內之溫度中，施行溫度調整(加熱或冷卻)。在供給部37中流動的有機溶劑係被供給至歸還部39，並被送返至有機溶劑槽31中。

壓力調整單元35係包括有：調整循環配管32開度的開度調整單元。開度調整單元係可例示如：針閥、調節器等。

藉由開啟第1有機溶劑閥24，在供給部37中流動的有機溶劑被供給至有機溶劑噴嘴10。又，藉由開啟第2有機溶劑閥27，在供給部37中流動的有機溶劑被供給至下面噴嘴11。

處理杯40係配置於較由旋轉夾具7所保持基板W更靠外邊(遠離旋轉軸線A1的方向)。處理杯40係包括有：複數杯(第1~第3杯41~43)、複數防護罩(內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46)、及防護罩升降單元47，該等複數杯(第1~第3杯41~43)係包圍著旋轉基座15的周圍，該等防護罩(內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46)係擋住朝基板W周圍飛散的處理液(藥液、清洗液、有機溶劑、疏水劑等)，該防護罩升降單元47係使複數防護罩(內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46)個別地進行升降。處理杯40係配置於較由旋轉夾具7所保持基板W外周更靠外側(遠離旋轉軸線A1的方向)。

各杯(第1~第3杯41~43)係圓筒狀，包圍著旋轉夾具7的周圍。從內側起算第2個第2杯42係配置於較第1杯41更靠外側，而最外側的第3杯43係配置於較第2杯42更靠外側。第3杯43係例如與中防護罩45呈一體，並與中防護罩45一起進行升降。各杯(第1~第3杯41~43)係形成朝上開放的環狀之溝。

於第1杯41的溝連接有第1排液配管(第1配管)56。被導引至第1杯41之溝的處理液(主要係清洗液)，係經由第1排液配管56被輸送至工廠內的排液設施59。排液設施59係在設置基板處理裝置1的工廠內所設置之排液設備。排液設施59亦共通地連接於工廠內的其他裝置。

於第2杯42的溝連接有第2排液配管(第1配管)57。被導引至第2杯42之溝中的處理液(主要係藥液)，經由第2排液配管57被輸送至機外的排液處理設備60，並在該排液處理設備60中施行排液處理。

於第3杯43的溝連接有回收配管(第2配管)58。被導入至第3杯43的溝中之處理液(例如有機溶劑)，經由回收配管58被輸送至機外的回收設備61，並在該回收設備61中施行回收處理。

各防護罩(內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46)係呈圓筒狀，包圍著旋轉夾具7的周圍。各防護罩(內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46)係包括有：包圍著旋轉夾具7周圍的圓筒狀之導引部48、以及從導引部48上端朝中心側(基板W靠近旋轉軸線A1的方向)呈斜上方延伸的圓筒狀之傾斜部49。各傾斜部49的上端部係構成各防護罩(內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46)的內周部，具有較基板W與旋轉基座15更大的直徑。3個傾斜部49係上下重疊，3個導引部48係呈同軸地配置。3個導引部48(防護罩的導引部48)分別可進出於所對應的杯(第1~第3杯41~43)。即，處理杯40係可折疊，藉由防護罩升降單元47使3個防護罩(內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46)中之至少一者進行升降，而進行處理杯40的展開及折疊。另外，傾斜部49係其之截面形狀可如圖2所示呈直線狀，又亦可例如描繪延伸呈平滑之朝上凸出的圓弧。

各防護罩(內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46)係藉由防護罩升降單元47的驅動，而在上位置(各傾斜部49上端部位於較基板W上面更靠上方的位置)、及下位置(各傾斜部49上端部位於較基板W上面更靠下方的位置)之間進行升降。

朝基板W的處理液(藥液、清洗液、有機溶劑、疏水劑等)之供給、或基板W的乾燥，係在內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46中之任一防護罩，相對向於基板W周端面的狀態下實施。例如為實現最外側的外防護罩46相對向於基板W周端面的狀態(圖8所示狀態。以下亦稱「第3防護罩對向狀態」)，使內防護罩44及中防護罩45位於下位置，而使外防護罩46位於上位置。在第3防護罩對向狀態下，從旋轉狀態的基板W周緣部所排出的所有處理液係藉由外防護罩46被擋住。此時外防護罩46的上位置係相當於外防護罩46的第2承液位置。

再者，為實現從內側起算第2個中防護罩45相對向於基板W周端面的狀態(以下亦稱「第2防護罩對向狀態」)，使內防護罩44位於下位置，使中防護罩45及外防護罩46位於上位置。在第2防護罩對向狀態下，從旋轉狀態的基板W周緣部所排出的所有處理液係藉由中防護罩45被擋住。此時中防護罩45的上位置係相當於中防護罩45的第2承液位置。

再者，為實現最內側的內防護罩44呈相對向於基板W周端面的狀態(圖7所示狀態。以下亦稱「第1防護罩對向狀態」)，將內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46全部配置於上位置。在第1防護罩對向狀態下，從旋轉狀態的基板W周緣部所排出之所有處理液係藉由內防護罩44被擋住。此時內防護罩44的上位置係相當於內防護罩44的第1承液位置。

例如後述藥液步驟S3(參照圖5)、清洗液供給步驟S4(參照圖5)、置換步驟S5(參照圖5)，係在內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46中之任一者相對向於基板W周端面的狀態下實施。所以，對基板W供給處理液時飛散於基板W周圍的處理液，係藉由內防護罩44、中防護罩45、及外防護罩46中之任一者，而被導引至第1~第3杯41~43中之任一杯。

圖3係用於說明基板處理裝置1之主要部分的電氣構成之方塊圖。

控制裝置3係使用例如微電腦而所構成。控制裝置3係具備有：CPU等之運算單元、固定記憶體裝置、硬碟驅動器等之記憶單元、及輸出入單元。在記憶單元中記憶著運算單元所執行的程式。

再者，於控制裝置3連接有屬於控制對象的旋轉馬達13、第1 噴嘴移動單元22及防護罩升降單元47等。控制裝置3係依照所預定之程式，對旋轉馬達13、第1噴嘴移動單元22及防護罩升降單元47等的動作進行控制。

再者，控制裝置3係依照所預定之程式，進行藥液閥18、清洗液閥20、第1有機溶劑閥24、及第2有機溶劑閥27的開閉。

以下，關於針對在屬於元件形成面的表面(表面)Wa上形成有案50之基板W施行處理的情況進行說明。

圖4係表示針對利用處理裝置1所施行的處理對象基板W之表面Wa進行放大之剖視圖。處理對象基板W係例如矽晶圓，在其之圖案形成面即表面Wa上形成有圖案50。圖案50係例如微細圖案。圖案50係如圖4所示，亦可為具有凸形狀(柱狀)的構造體51配置呈行列狀。此情況，構造體51的線寬W1係設為例如10nm~45nm程度，圖案50的隙間W2係設為例如10nm~數μm程度。圖案50的膜厚T係例如1μm程度。又，圖案50亦可例如寬深比(膜厚T對線寬W1的比)設為例如5~500程度(典型係5~50程度)。

再者，圖案50係亦可由微細溝所形成的線狀圖案而呈重複排列，又圖案50亦可藉由在薄膜上設置複數微細孔[孔隙(void)或微孔(pore)]而形成。

圖案50係包含有例如絕緣膜。又，圖案50亦可包含有導體膜。更具體而言，圖案50係藉由複數膜積層的積層膜而所形成，更亦可包含有絕緣膜與導體膜。圖案50亦可為由單層膜所構成的圖案。絕緣膜係可為氧化矽膜(SiO₂膜)、氮化矽膜(SiN膜)。又，導體膜亦可為經導入有為低阻抗化之雜質的非晶矽膜，亦可為金屬膜(例如金屬配線膜)。

再者，圖案50係可為親水性膜。親水性膜係可例示如TEOS膜(氧化矽膜之一種)。

圖5係用於說明在處理單元2中所執行之第1基板處理例的內容之流程圖。圖6係說明圖5的清洗液供給步驟S4之示意圖。圖7係說明圖5的置換步驟S5之示意圖。

參照圖1~圖5，針對第1基板處理例進行說明。適當參照圖6~圖8。

未處理基板W(例如直徑450mm的圓形基板)係利用載入機器人IR及基板搬送機器人CR，從基板收容器C搬入至處理單元2中，並搬入至處理室6內，在基板W其之表面Wa(參照圖6等)朝上方的狀態下讓渡給旋轉夾具7，並由旋轉夾具7保持著基板W(圖5之S1：基板W搬入)。在此狀態下，基板W的背面Wb(參照圖6等)呈朝下方。基板W朝向處理室6的搬入係在內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46之全部被配置於下位置的狀態下實施。

基板搬送機器人CR退避至處理單元2外之後，控制裝置3係控制旋轉馬達13，使旋轉基座15的旋轉速度上升至既定的液處理速度(約10~1200rpm範圍內，例如約800rpm)，並維持其之液處理速度(圖5的S2：基板W開始旋轉)。

再者，控制裝置3係控制著防護罩升降單元47，藉由使內防護罩44、中防護罩45及外防護罩46上升至上位置，使內防護罩44相對向於基板W的周端面(實現第1防護罩對向狀態。第1設定步驟)。

若基板W的旋轉到達至液處理速度，控制裝置3係執行朝基板W上面供給藥液的藥液步驟S3(參照圖5)。具體而言，控制裝置3係開啟藥液閥18。藉此，朝向旋轉狀態之基板W的上面(表面Wa)，從藥液噴嘴17吐出藥液。供給給基板W上面的藥液，係承接由基板W之旋轉所產生的離心力而朝基板W的周緣部移動。藉此，基板W上面全域係使用藥液而被處理。

移動至基板W周緣部的藥液，係從基板W周緣部被排出至基板W側邊。從基板W周緣部被排出的藥液係被內防護罩44的內壁擋住，並沿內防護罩44的內壁流下，且經由第1杯41及第1排液配管56而被輸送至工廠內的排液設施59。

若從藥液開始吐出起經過預定之期間，控制裝置3係關閉藥液閥18，而停止從藥液噴嘴17的藥液之吐出。藉此，結束藥液步驟 S3。

接著，控制裝置3係執行用於將基板W上的藥液置換為清洗液，並從基板W上排除藥液的清洗液供給步驟S4(參照圖5)。具體而言，控制裝置3係在維持處理杯40的第1防護罩對向狀態下，開啟清洗液閥20。藉此，從清洗液噴嘴19朝旋轉狀態之基板W的上面吐出清洗液。供給給基板W上面的清洗液，係承接由基板W之旋轉所產生的離心力，移動至基板W的周緣部。藉此，在基板W上所附著的藥液係利用清洗液被沖洗掉。

從基板W周緣部排出的清洗液，係從基板W的周緣部排出至基板W的側邊。從基板W周緣部排出的清洗液係被內防護罩44的內壁擋住，並沿內防護罩44的內壁流下，且經由第1杯41及第1排液配管56，而被輸送至工廠內的排液設施59。

若從清洗液閥20開啟後經過預定之期間，控制裝置3係關閉清洗液閥20。藉此，結束清洗液供給步驟S4。

接著，控制裝置3執行置換步驟(低表面張力液體供給步驟)S5(參照圖5)。置換步驟S5係將基板W上的清洗液，置換為表面張力較低於清洗液(水)的有機溶劑(本例係IPA)之步驟。控制裝置3係控制著防護罩升降單元47，如圖7所示，藉由使內防護罩44及中防護罩45下降至下位置，使外防護罩46相對向於基板W的周端面(實現第3防護罩對向狀態。第2設定步驟)。

再者，控制裝置3係控制著第1噴嘴移動單元22，使有機溶劑噴嘴10從旋轉夾具7側邊的退避位置移動至基板W上面中央部的上方。然後，控制裝置3係開啟第1有機溶劑閥24，朝向基板W上面(表面Wa)中央部，從有機溶劑噴嘴10吐出液體之有機溶劑。從有機溶劑噴嘴10中吐出的有機溶劑，係經溫度調整為高溫[例如IPA沸點或接近IPA沸點(約82℃)的溫度約72~約82℃範圍內，例如約72℃)的有機溶劑。從有機溶劑噴嘴10吐出的有機溶劑之流量係例如約0.3(升/分)。

在置換步驟S5中，供給給基板W上面的有機溶劑係承接由基板W之旋轉所產生的離心力而擴展至基板W上面之全域。藉此，在基板W上面之全域，於該上面所附著的清洗液係藉由有機溶劑被置換。

在基板W上面移動的有機溶劑係從基板W周緣部被排出至基板W的側邊。從基板W周緣部排出的有機溶劑係被外防護罩46的內壁擋住，並沿外防護罩46的內壁流下，且經由第3杯43及回收配管58而被輸送至回收設備61中。

再者，置換步驟S5中，控制裝置3係朝基板W上面供給有機溶劑，並行地朝基板W下面(背面Wb)中央部供給當作調溫液的有機溶劑。具體而言，控制裝置3係開啟第2有機溶劑閥27，藉此從下面噴嘴11朝上地吐出有機溶劑，並供給給基板W的下面中央部。從下面噴嘴11吐出的有機溶劑，係經溫度調整為高溫[例如IPA沸點或接近IPA沸點(約82℃)的溫度約72~約82℃範圍內，例如約72℃)的有機溶劑。從下面噴嘴11所吐出有機溶劑的流量，係例如約2.0(升/分)。

供給給基板W下面中央部的有機溶劑，係承接由基板W之旋轉所產生的離心力而擴展至基板W下面之全域。藉此，對基板W下面之全域供給有機溶劑。

在基板W下面移動的有機溶劑，係從基板W周緣部被排出至基板W的側邊。從基板W周緣部排出的有機溶劑，係被外防護罩46的內壁擋住，並沿外防護罩46的內壁流下，再經由第3杯43及回收配管58而被輸送至回收設備61中。

若從有機溶劑開始供給起經過預定之期間，控制裝置3係關閉第1有機溶劑閥24。藉此，停止對基板W上面的有機溶劑之供給。又，控制裝置3係與對基板W上面的有機溶劑之供給停止(關閉第1有機溶劑閥24)同步，控制裝置3關閉第2有機溶劑閥27。藉此，停止對基板W下面的有機溶劑之供給。藉此，結束置換步驟S5。在有機溶劑停止供給後，控制裝置3係控制第1噴嘴移動單元22，使有機溶劑噴嘴10退避至退避位置。

再者，在置換步驟S5結束後，控制裝置3係執行旋轉乾燥步驟S6(參照圖5)。具體而言，控制裝置3係使基板W加速至較大於液處理速度的既定之旋轉乾燥速度(例如數千rpm)，並以該旋轉乾燥速度使基板W旋轉。藉此，對基板W上的液體施加大的離心力，使基板W上所附著的液體被甩出至基板W之周圍。依此，從基板W上除去液體，而使基板W乾燥。

若從旋轉乾燥步驟S6開始經過預定之期間，控制裝置3係控制旋轉馬達13使旋轉夾具7之旋轉停止(圖5的S7：基板W停止旋轉)。又，控制裝置3係控制防護罩升降單元47，使外防護罩46下降，使所有的防護罩從基板W之周端面退避至下方。

然後，基板搬送機器人CR進入至處理單元2，將處理完畢之基板W搬出至處理單元2外(圖5的S8：基板W搬出)。被搬出的基板W係從基板搬送機器人CR被讓渡給載入機器人IR，再利用載入機器人IR收納至基板收容器C。

圖8係用於說明上述第1基板處理例的清洗液供給步驟S4及置換步驟S5中之控制裝置3的主要控制內容的時序圖。

在清洗液供給步驟S4中，被導入至第1排液配管56中的排液，係主要為清洗液，但存在有在清洗液中有混入藥液或有機溶劑的可能性。就從減輕環境負荷的觀點上，無法針對含有既定濃度以上有機溶劑的排液進行廢棄。含有既定濃度以上有機溶劑的排液，係必需在另外廢棄設備從排液中分離出有機溶劑。

假設在置換步驟S5中，為將基板W保持於較高溫狀態，亦可考慮與清洗液供給步驟S4並行施行朝基板W下面(背面Wb)供給有機溶劑(調溫液供給步驟)。但是，此情況，存在有被導出至第1排液配管56中的排液之有機溶劑濃度超過既定濃度的可能性。若將該排液適當地施行廢棄處理，存在有產生龐大成本的可能性(第1項問題)。

再者，置換步驟S5中，從回收配管58所回收的有機溶劑係在回收設備61中被回收。當所回收有機溶劑中混入有水的情況，便無法直接再利用所回收的有機溶劑，必需在回收設備61外的其他之回收處理設備(未圖示)中，從有機溶劑中分離除去水。所以，當從回收配管58所回收的有機溶劑中含有水的情況，則存在有產生龐大成本的可能性(第2項問題)。

為解決第1項問題，本實施形態如圖8所示，朝基板W下面(背面Wb)的有機溶劑之供給(調溫液供給步驟)，並未與清洗液供給步驟S4並行實施。即，朝基板W下面(背面Wb)的有機溶劑之供給(調溫液供給步驟)，並非在朝基板W上面(表面Wa)的有機溶劑之供給(表面張力液體供給步驟)之前便開始。具體而言，控制裝置3係同時開啟第1有機溶劑閥24及第2有機溶劑閥27。藉此，同時開始對基板W下面(背面Wb)的有機溶劑之供給(調溫液供給步驟)、及對基板W上面(表面Wa)的有機溶劑之供給(表面張力液體供給步驟)。

所以，可將被導入至第1排液液配管56中的有機溶劑量(來自有機溶劑噴嘴10及下面噴嘴11的有機溶劑之總量)抑制於最小極限。即，可降低在第1排液配管56中流動之液體所含之有機溶劑的比例，藉此可將在第1排液配管56中流動的排液，設定成有機溶劑之含有濃度為低的排液。結果，可將排出的排液不需另外耗費成本地施行廢棄處理。

為解決第2項問題，本實施形態如圖8所示，處理杯40從第1防護罩對向狀態轉移為第3防護罩對向狀態，係在置換步驟S5開始後開始進行。具體而言，若第1有機溶劑閥24及第2有機溶劑閥27被開啟之後經過預定之期間，控制裝置3係控制防護罩升降單元47，開始內防護罩44及中防護罩45的下降。然後，外防護罩46係配置呈相對向於基板W的周端面(實現第1防護罩對向狀態)。此時，防護罩之升降動作所需要的時間係例如1.5秒鐘。

因為處理杯40從第1防護罩對向狀態轉移為第3防護罩對向狀態，係在第1有機溶劑閥24及第2有機溶劑閥27開啟後(即有機溶劑供給步驟之開始後)開始進行，因而可將被導入至回收配管58中的液體設定成僅相互同一種類的有機溶劑(來自有機溶劑噴嘴10及下面噴嘴11的有機溶劑)。藉此，藉由經由回收配管58在回收設備61中回收有機溶劑，便可回收幾乎沒有水混合的高純度有機溶劑。其之結果，所回收的有機溶劑可不需另外耗費成本地用於再利用。

若從第1有機溶劑閥24及第2有機溶劑閥27之開啟後經過預定之期間，控制裝置3係關閉第1有機溶劑閥24及第2有機溶劑閥27。即，本實施形態中，朝基板W下面(背面Wb)的有機溶劑之供給(調液有機溶劑供給步驟)，係與朝基板W上面(表面Wa)的有機溶劑之供給(有機溶劑供給步驟)之結束同時地結束。

例如當調溫液係水的情況，如日本專利特開2012-156561號公報所記載，為抑制或防止圖案50之崩壞，必需防止調溫液從基板W下面(背面Wb)繞入至上面(表面Wa)側，所以必需將朝基板W下面(背面Wb)的有機溶劑之供給，在朝基板W上面(表面Wa)的有機溶劑之供給之結束之前便結束。

相對於此，本實施形態中，因為朝基板W下面(背面Wb)供給的調溫液，係與供給給基板W上面(表面Wa)的有機溶劑屬於同種的有機溶劑(例如IPA)，即便調溫液從基板W下面(背面Wb)繞入至上面(表面Wa)側，仍不會產生問題。藉此，將朝基板W下面(背面Wb)的調溫液之供給可持續至剛要開始旋轉乾燥步驟S6前。藉此，可更有效地抑制或防止圖案50之崩壞。

依如上述，根據本實施形態，在置換步驟S5中，並行執行對基板W上面(表面Wa)的有機溶劑之供給(有機溶劑供給步驟)，與將僅含有與該有機溶劑同種之液體且未含有水的有機溶劑液供給至基板W的背面Wb(調溫液供給步驟)。

供給給基板W上面(表面Wa)的調溫液係與供給給基板W上面(表面Wa)的有機溶劑屬同種的有機溶劑，且未含有水，因而可有效地抑制或防止在基板W上面(表面Wa)所存在之有機溶劑中混入水。所以，在置換步驟S5中，可一方面抑制或防止供給給基板W上面(表面Wa)的有機溶劑之表面張力之上升，一方面加溫基板W。藉此，可更有效地抑制圖案50之崩壞。

另外，亦可不在處理杯40之第1防護罩對向狀態下，而是在處理杯40之第2防護罩對向狀態下執行藥液步驟S3。

<第2實施形態>

圖9係用於說明本發明第2實施形態之在處理單元202中所執行第2基板處理例中之控制裝置3的主要控制內容的時序圖。

第2實施形態的基板處理裝置係更進一步具備有處理單元202(參照圖2)。就其餘之點而言，處理單元202係與處理單元2具有共通的構成。處理單元202係處理單元2的構成，更進一步加入有如圖2中的虛線所示，包括有朝由旋轉夾具7所保持基板W的下面(基板W背面)，供給溫水的溫水供給單元203。

溫水供給單元203係包括有：下面噴嘴70、下面供給配管25、連接於下面供給配管25的溫水配管204、以及介設於溫水配管204中的溫水閥205。對溫水配管204供給來自溫水供給源的溫水[例如經溫度調整為接近IPA沸點(約82℃)之溫度72℃的溫水]。

即，本實施形態中，於下面供給配管25連接有第2有機溶劑配管26與溫水配管204。藉由一邊關閉溫水閥205，一邊開啟第2有機溶劑閥27，便從下面噴嘴11朝上方向上地吐出有機溶劑。又，藉由一邊關閉第2有機溶劑閥27，一邊開啟溫水閥205，便從下面噴嘴11朝上方向上地吐出溫水。

溫水係經溫度調整為高溫的水。該水係可舉例如DIW(去離子水)，但亦可為例如：碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、稀釋濃度(例如10~100ppm程度)的鹽酸水、還原水(氫水)、氨水、脫氣水等。

如圖9所示，第2基板處理例不同於第1基板處理例之處在於：在從下面噴嘴11供給有機溶劑之前，便與清洗液供給步驟S4並行而從下面噴嘴11朝基板W下面(背面Wb)供給溫水。在清洗液供給步驟S4中，控制裝置3係與朝基板W上面供給清洗液並行，朝基板W下面中央部供給溫水。具體而言，控制裝置3係藉由一邊關閉第2有機溶劑閥27一邊開啟溫水閥205，藉此從下面噴嘴11朝上地吐出溫水，並供給給基板W下面中央部(溫水供給步驟)。從下面噴嘴11吐出的溫水流量係例如約2.0(升/分)。

若從清洗液閥20開啟後經過預定之期間，控制裝置3係便關閉清洗液閥20及溫水閥205。藉此，結束清洗液供給步驟S4。又，控制裝置3係在關閉清洗液閥20及溫水閥205之同時，亦開啟第1 有機溶劑閥24及第2有機溶劑閥27。藉此，便分別從有機溶劑噴嘴10及下面噴嘴11吐出有機溶劑，開始進行置換步驟S5。

根據本實施形態，與清洗液供給步驟S4並行而朝基板W下面(背面Wb)供給溫水。所以，直到剛要開始置換步驟S5之前均可加溫基板W，藉此從開始置換步驟S5起，便可將供給給基板W上面(表面Wa)的有機溶劑之溫度保持於高溫。藉此，可更有效地抑制圖案50之崩壞。

圖10所示例係在橫跨清洗液供給步驟S4的長期間中對基板W供給溫水，但亦可在清洗液供給步驟S4之結束前的短暫期間內對基板W供給溫水。

<第3實施形態>

圖10係用於說明在第3實施形態的處理單元302中所執行第3基板處理例之內容的流程圖。

第3實施形態的基板處理裝置係具備有處理單元302。處理單元302係如圖2中虛線所示，更進一步具備有疏水劑供給單元303(圖2中虛線所示)。

疏水劑供給單元303係包含有疏水劑噴嘴304(圖2中虛線所示)。疏水劑噴嘴304係例如在連續流動狀態吐出液體的直線型噴嘴，在旋轉夾具7的上方，固定地配置其之吐出口朝基板W上面中央部。對疏水劑噴嘴304經由疏水劑閥305供給來自疏水劑供給源的疏水劑。若開啟疏水劑閥305，則供給給疏水劑噴嘴304的連續流動之疏水劑，於疏水劑噴嘴304之前端所設定的吐出口中吐出。又，若關閉疏水劑閥305，便停止從疏水劑噴嘴304的疏水劑之吐出。

疏水劑係可為矽系疏水劑，亦可為金屬系疏水劑。矽系疏水劑係使矽(Si)本身及含矽的化合物產生疏水化的疏水劑。矽系疏水劑係例如矽烷偶合劑。矽烷偶合劑係包含有例如：HMDS(六甲基二矽氮烷)、TMS(四甲基矽烷)、氟化烷基氯矽烷、烷基二矽氮烷、及非氯系疏水劑中之至少一者。非氯系疏水劑係含有例如：二甲矽烷基二甲胺、二甲矽烷基二乙胺、六甲基二矽氮烷、四甲基二矽氮烷、雙(二甲胺基)二甲基矽烷、N,N-二甲胺基三甲基矽烷、N-(三甲基矽烷基)二甲胺及有機矽烷化合物中之至少一者。金屬系疏水劑係例如具有高配位性，主要利用配位鍵將金屬疏水化的溶劑。該疏水劑係包含有例如：具疏水基之胺、及有機矽化合物中之至少一者。

疏水劑供給單元303亦可具備有：藉由使疏水劑噴嘴304移動，而使疏水劑對基板W上面的著液位置，在基板W面內進行掃描的疏水劑噴嘴移動裝置。

第3基板處理例，利用載入機器人IR及基板搬送機器人CR所進行之基板W搬入(步驟S11)後，便由旋轉夾具7保持著基板W。然後，控制裝置3係控制著旋轉馬達13，開始進行基板W的旋轉(步驟S12)。若基板W的旋轉到達液處理速度，控制裝置3係執行朝基板W上面供給藥液的藥液步驟S13。若從藥液開始吐出起經過預定之期間，便結束藥液步驟S13。接著，控制裝置3係執行用於將基板W上的藥液置換為清洗液，而從基板W上排除藥液的清洗液供給步驟S14。接著，控制裝置3係執行第1置換步驟S15。若從機溶劑開始吐出起經過預定之期間，便結束第1置換步驟S15。因為S11~S15步驟係分別與第1基板處理例(參照圖5)的S1~S5屬相同之步驟，省略詳細之說明。

在第1置換步驟S15結束後，接著控制裝置3係執行將液體之疏水劑供給給基板W上面的疏水劑供給步驟S16。疏水劑供給步驟S16係將基板W上的有機溶劑置換為疏水劑的步驟。

具體而言，控制裝置3係控制著防護罩升降單元47，一邊將外防護罩46維持於上位置，一邊使中防護罩45上升並配置於上位置，藉此使中防護罩45相對向於基板W的周端面(實現第2防護罩對向狀態)。又，控制裝置3係開啟疏水劑閥305，從疏水劑噴嘴304朝向基板W上面(表面Wa)之中央部吐出液體之疏水劑。

著液於基板W上面之中央部的疏水劑係承接由基板W之旋轉所產生的離心力，而朝基板上面的周緣部流動。然後，在基板W上所存在的有機溶劑係被置換為疏水劑。藉由朝基板W上面供給疏水劑，疏水劑進入至圖案50之深處，基板W上面(表面Wa)便被疏水化(疏水化處理)。移動至基板W周緣部的疏水劑，係從基板W 的周緣部被排出至基板W側邊。從基板W周緣部被排出的疏水劑，係被中防護罩45的內壁擋住，並沿中防護罩45的內壁流下，且經由第2杯42及第2排液配管57被輸送至排液處理設備60。

若疏水化處理被執行既定時間，控制裝置3係關閉疏水劑閥305，停止吐出疏水劑。藉此，結束疏水劑供給步驟S16。

接著，控制裝置3係執行第2置換步驟S17。第2置換步驟S17係與第1基板處理例(參照圖5)的置換步驟S5屬相同之步驟，故省略詳細之說明。

再者，在置換步驟S5結束後，控制裝置3係執行旋轉乾燥步驟S18。旋轉乾燥步驟S18係與第1基板處理例(參照圖5)的旋轉乾燥步驟S6屬相同之步驟，故省略詳細之說明。

若從旋轉乾燥步驟S18開始起經過預定之期間，控制裝置3係控制著旋轉馬達13而使旋轉夾具7的旋轉停止(S19：基板W停止旋轉)。又，控制裝置3係控制著防護罩升降單元47，而使所有的防護罩從基板W周端面退避至下方。

然後，基板搬送機器人CR進入處理單元2，將處理完畢之基板W搬出至處理單元2外(S20：基板W搬出)。被搬出的基板W係從基板搬送機器人CR被讓渡給載入機器人IR，並藉由載入機器人IR收納至基板收容器C。

<第4實施形態>

圖11係用於說明本發明第4實施形態的處理單元402之構成例的圖解之剖視圖。

圖11中，就與前述之第1實施形態(圖1~圖8所示實施形態)共通的部分，便賦予與圖1~圖8之情況相同的參照符號並省略說明。

處理單元402不同於處理單元2的主要處在於：不用有機溶劑噴嘴10，取而代之裝設有阻斷構件403、有機溶劑噴嘴407及氣體噴嘴408。

阻斷構件403係圓板狀。阻斷構件403的直徑係與基板W的直徑相同、或大於基板W的直徑。在阻斷構件403的下面形成有相對向於由旋轉夾具7所保持基板W的上面(Wa)，且由平坦面所構成的圓形對向面404。本實施形態，對向面404係相對向於基板W上面(表面Wa)全域。阻斷構件403係利用固定架405，以阻斷構件403的中心軸線位於旋轉夾具7的旋轉軸線A1上之方式，且以水平姿勢被支撐。

在阻斷構件403的上面，固定著以通過阻斷構件403中心的鉛直軸線(與旋轉夾具7的旋轉軸線A1呈一致的鉛直軸線)為中心軸線的中空圓筒狀之固定架405。於固定架405結合有對向構件升降單元406。控制裝置3(參照圖3等)係控制著對向構件升降單元406，使阻斷構件403的對向面404在靠近由旋轉夾具7所保持之基板W上面(表面Wa)的靠近位置(圖11中以一點鏈線所示之位置)、及大幅朝旋轉夾具7上方退避的退避位置(圖11中以實線所示之位置)之間進行升降。固定架405係形成中空，在內部分別在朝鉛直方向延伸的狀態下插通著有機溶劑噴嘴407與氣體噴嘴408。

在有機溶劑噴嘴407的前端形成有單一之吐出口407a。吐出口407a係經由在阻斷構件403中央部所形成的貫穿孔409，在對向面404呈開口。對於有機溶劑噴嘴407係與第1實施形態的情況同樣，供給來自有機溶劑供給單元30的有機溶劑。

在氣體噴嘴408的前端形成有單一之吐出口408a。吐出口408a係經由貫穿孔409在對向面404呈開口。

處理單元402係更進一步具備有：對氣體噴嘴408供給氣體的氣體供給單元410。氣體供給單元410係包括有：連接於氣體噴嘴408上游端的氣體供給配管411、以及對氣體供給配管411進行開閉的氣體閥412。氣體係惰性氣體，特別是經除濕過的惰性氣體。惰性氣體係包含有例如：氮氣、氬氣。

在處理單元402係例如執行與前述第1基板處理例(參照圖5)同樣的基板處理例。

置換步驟S5中，控制裝置3係使阻斷構件403配置於靠近位置，開啟第1有機溶劑閥24而從有機溶劑噴嘴407吐出有機溶劑，且開啟氣體閥412而從氣體噴嘴408吐出有機溶劑。從有機溶劑噴嘴407吐出的有機溶劑係著液於基板W上面(表面Wa)中央部。從有機溶劑噴嘴407吐出的有機溶劑係經溫度調整為高溫[例如IPA沸點或接近IPA沸點(約82℃)的溫度約72~約82℃範圍內，例如約72℃]的有機溶劑。從有機溶劑噴嘴407吐出的有機溶劑流量係例如約0.3(升/分)。

藉由阻斷構件403配置於靠近位置，在基板W上面(表面Wa)與對向面404之間的空間415(微小空間)被窄空間化，且阻斷構件403下面周緣部配置於較基板W上面更靠下方處。藉此，空間415係從該空間415的周圍被阻斷(阻斷步驟步驟)。又，從氣體噴嘴408吐出的氣體係吹附於基板W上面(表面Wa)中央部。從氣體噴嘴408中吐出的氣體之流量係約50~約100(升/分)的範圍，例如約50(升/分)。置換步驟S5中，從氣體噴嘴408吐出的氣體係被供給至對向面404與基板W上面之間，並藉由惰性氣體而填滿(氣體供給步驟)。

本實施形態，因為阻斷構件403係在對基板W上面(表面Wa)隔開微小間隔而呈相對向配置之狀態，空間415從該空間415的周圍被阻斷，因而可抑制空間415外之環境中所含的水分被供給至基板W上面(表面Wa)，藉此可抑制供給至基板W上面(表面Wa)的有機溶劑中混入水。又，本實施形態，藉由朝空間415的惰性氣體之供給，惰性氣體充滿於空間415。所以，可抑制空間外的環境中所含之水分，被供給至基板W上面(表面Wa)，藉此可抑制供給至基板W上面(表面Wa)的有機溶劑中混入水。

另外，阻斷構件403亦可為隨著旋轉夾具7(旋轉基座15)的旋轉而進行旋轉的從動式之阻斷構件403。此情況，阻斷構件403係在基板處理中，可一體旋轉地被旋轉夾具7所支撐。

再者，本實施形態中，亦可廢除對空間415供給氣體的氣體供給單元410。

<第5實施形態>

圖12係用於說明本發明第5實施形態的處理單元502之下面噴嘴503的構成例的圖解之剖視圖。圖13係用於說明下面噴嘴503的構成例之示意的俯視圖。

處理單元502係取代具有單一之吐出口11a的下面噴嘴11，而具備有：具有棒狀噴嘴之形態的下面噴嘴503。下面噴嘴503係如圖12與圖13所示，含有：沿基板W的旋轉半徑方向DL呈水平延伸的棒狀(bar)之噴嘴部504。在噴嘴部504的上面而開口有吐出當作調溫液之有機溶劑的複數吐出口505。複數吐出口505係沿基板W的旋轉半徑方向DL排列。

在噴嘴部504的內部，形成有導引著供給至複數吐出口505之有機溶劑的內部流路506。複數吐出口505係連通於內部流路506。噴嘴部504係連接於下面供給配管25的下游端部(上端部)。內部流路506係連通於下面供給配管25的內部。圖12與圖13所示例中，各吐出口505的開口面積係相等。但是，亦可使吐出口505的開口面積互異。例如，亦可將基板W周緣側的吐出口505之開口面積，設定為大於旋轉軸線A1側的吐出口505之開口面積。因為旋轉中的基板W係周緣側相較於中心側容易成為低溫，因而藉由將吐出口的開口面積依此設為互異，便可在旋轉半徑方向DL上均一地加熱基板W。

吐出口505係吐出方向朝基板W的下面(背面Wb(參照圖6等))吐出有機溶劑。該吐出方向係可為鉛直上方，亦可相對於鉛直上方，朝基板W旋轉方向Dr的上游側或下游側傾斜。

<第6實施形態>

圖14係用於說明本發明第6實施形態的處理單元602及儲存盒604之構成例之圖解的剖視圖。圖14中，就與前述之第1實施形態(圖1~圖8所示實施形態)共通的部分，便賦予與圖1~圖8之情況相同的參照符號並省略說明。

處理單元602及儲存盒604不同於第1實施形態的處理單元2及儲存盒4之處在於：將利用回收配管58所回收的有機溶劑供給至有機溶劑槽31。即，回收配管58的流通去向係被設定為有機溶劑槽31。圖14之例中，表示利用回收配管58所回收的有機溶劑直接地被供給至有機溶劑槽31的構成，但亦可經由其他單元或配管而供給至有機溶劑槽31。

以上，針對本發明的6個實施形態進行說明，惟本發明亦可更進一步利用其他實施形態實施。

例如亦可組合第2實施形態~第6實施形態中之2個以上之實施形態的實施形態。

再者，在前述之第1基板處理例(參照圖8)及第2基板處理例(參照圖9)，朝基板W背面Wb進行作為調溫液的有機溶劑之供給，亦可例如圖8中虛線所示，在朝基板W表面Wa開始供給有機溶劑後才開始。此情況，朝基板W背面Wb作為調溫液的有機溶劑之供給，係在朝基板W表面Wa開始供給有機溶劑之前不會開始進行。所以，可將進入至第1排液配管56的有機溶劑及調溫液(與有機溶劑同種的液體)量抑制於最小極限。所以，可較低地抑制在第1排液配管56中流動之液體所含之有機溶劑的比例，藉此可將由第1排液配管56所排出的液體，不需另外耗費成本地施行廢棄處理。

再者，前述之第1基板處理例(參照圖8)及第2基板處理例(參照圖9)中，朝基板W背面Wb作為調溫液的有機溶劑之供給，亦可例如圖8中虛線所示，在朝基板W表面Wa供給有機溶劑結束以後才結束。此情況，朝基板W背面Wb的有機溶劑之供給，亦可在旋轉乾燥步驟S6開始以後才結束。藉此，至朝基板W表面Wa結束供給有機溶劑為止前，可加溫基板W。藉此，可更有效地抑制或防止圖案50之崩壞。

再者，前述之第1基板處理例(參照圖8)及第2基板處理例(參照圖9)的置換步驟(第1置換步驟S5、第2置換步驟S15、第2置換步驟S17)中，亦可隨著時間經過，減少朝基板W背面Wb的有機溶劑之供給流量(調溫液減少步驟)。此情況，需要調整第2有機溶劑配管26之開度的開度調整閥。又，此情況，如圖15所示，朝基板W背面Wb的有機溶劑之供給流量，亦可在置換步驟(第1置換步驟S5、第2置換步驟S15、第2置換步驟S17)結束時，減少至低於朝基板W背面Wb的有機溶劑之供給流量。藉此，在置換步驟(第1置換步驟S5、第2置換步驟S15、第2置換步驟S17)結束時，可減少基板W背面Wb上所附著之有機溶劑的量，藉此可將基板W背面Wb乾燥所需要的時間，縮短至與基板W背面Wb乾燥所需要之時間相同程度或以下。

再者，前述之各實施形態的有機溶劑供給單元30，係舉藉由在循環配管32中使有機溶劑循環，而使有機溶劑升溫(溫度調整)的例子進行說明，惟例如亦可利用單向加熱器而使有機溶劑進行升降。

再者，當作調溫液的有機溶劑係舉有機溶劑一例的IPA為例進行說明，惟此種有機溶劑係除IPA之外，尚可採用例如：甲醇、乙醇、丙酮、EG(乙二醇)、HFE(氫氟醚)、正丁醇、叔丁醇、異丁醇、2-丁醇等之有機溶劑。該等之有機溶劑係沸點低於清洗液(水)。

再者，作為調溫液亦可使用沸點較高於清洗液(水)的有機溶劑。此種有機溶劑係可例示如：正丁醇、叔丁醇、異丁醇、2-丁醇。此情況，在置換步驟S5中，因為使用較高溫的有機溶劑，因而可效率佳地加熱基板W。除此之外，即便在有機溶劑中混入有清洗成分的情況，但藉由使有機溶劑較清洗液(水)之沸點更高溫化，便可使有機溶劑中所含有的清洗成分毫不殘留地蒸發。藉此，可更進一步地抑制圖案50之崩壞。

前述之各實施形態中，針對朝有機溶劑噴嘴10及下面噴嘴11，供給來自共通有機溶劑供給單元30的有機溶劑為例進行說明，惟亦可對有機溶劑噴嘴10及下面噴嘴11，由來自互異有機溶劑供給單元進行有機溶劑供給。此情況，可使由各有機溶劑供給單元所保持之有機溶劑的溫度互異，此情況，可使從有機溶劑噴嘴10吐出的有機溶劑之液溫和從下面噴嘴11吐出的有機溶劑之液溫互異。

再者，前述實施形態中，針對基板處理裝置1、601係對由半導體晶圓所構成之基板W施行處理的裝置的情況進行說明，惟基板處理裝置亦可為對例如：液晶顯示裝置用基板、有機EL(electroluminescence)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display)用基板；光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等之基板施行處理的裝置。

雖針對本發明實施形態進行詳細說明，惟該等僅不過為瞭解本發明技術內容而採用的具體例，本發明不應解釋為僅侷限於該等具體例而已，本發明範圍僅受所附之申請專利範圍而限定。

本申請案係對應於2017年9月20日對日本特許廳所提出之特願2017-180521號，該申請案的全部揭示均引用至本案中。