CN110838433A - 清洁晶圆的方法以及系统 - Google Patents

清洁晶圆的方法以及系统 Download PDF

Info

Publication number
CN110838433A
CN110838433A CN201910764073.0A CN201910764073A CN110838433A CN 110838433 A CN110838433 A CN 110838433A CN 201910764073 A CN201910764073 A CN 201910764073A CN 110838433 A CN110838433 A CN 110838433A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
flow
cleaning
edge
angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910764073.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110838433B (zh
Inventor
李俊煜
彭圣有
彭垂亚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN110838433A publication Critical patent/CN110838433A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110838433B publication Critical patent/CN110838433B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本公开的一些实施例提供一种清洁晶圆的方法及系统。一种清洁晶圆的方法，包括围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴旋转晶圆。沿着一线施加一第一液流，且线从相邻于晶圆的中心的晶圆上的一初始点开始，通过晶圆的中心，并在晶圆的一边缘结束。施加一第二液流到从初始点开始并到一边界点结束的线的内侧三分之一处。施加一第三液流到从边界点开始的线的中间三分之一处。施加一第四液流到结束于晶圆的边缘的线的外侧三分之一处。从初始点开始沿着线施加一第五液流并在晶圆的边缘结束。从初始点开始沿着线施加一气流并在晶圆的边缘结束。

Description

清洁晶圆的方法以及系统
技术领域
本公开涉及一种清洁晶圆的方法以及系统。
背景技术
集成电路形成在晶圆或半导体基板上。集成电路的形成可包括许多制程步骤，例如：各种层的沉积、蚀刻以及烘烤。集成电路可分隔成单独的晶粒，且晶粒被封装并附接至电路板。
在产生集成电路的各种制程步骤期间，在晶圆的表面上形成各种表面。而且，在制程期间，制造物(artifacts)可能沿着晶圆的表面沉积。因此，可能需要清洁晶圆的这些制造物，以增加晶圆的产量。
清洁以及干燥晶圆的一种方法是旋转清洁。旋转清洁涉及将液体清洁溶液分配到晶圆上，并旋转晶圆以移除溶液，而后干燥晶圆。液体清洁溶液通常地从静止的喷嘴以正交于晶圆表面的流动施加。然而，这样的旋转清洁可能不足以移除沉积在晶圆上的所有不想要的制造物。
发明内容
本公开的一些实施例提供一种清洁晶圆的方法。一种清洁晶圆的方法，包括围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴旋转晶圆。沿着一线施加一第一液流，且线从相邻于晶圆的中心的晶圆上的一初始点开始，通过晶圆的中心，并在晶圆的一边缘结束。施加一第二液流到从初始点开始并到一边界点结束的线的内侧三分之一处。施加一第三液流到从边界点开始的线的中间三分之一处。施加一第四液流到结束于晶圆的边缘的线的外侧三分之一处。从初始点开始沿着线施加一第五液流并在晶圆的边缘结束。从初始点开始沿着线施加一气流并在晶圆的边缘结束。
本公开的一些实施例提供一种清洁晶圆的方法。方法包括围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴旋转晶圆。沿着一线施加一第一液流，线从相邻于晶圆的中心的晶圆上的一初始点开始，通过晶圆的中心，并在晶圆的一边缘结束。从相邻于初始点的一偏移点开始沿着线施加一第二液流并在晶圆的边缘结束，其中第一液流以及第二液流以一第一角度同时被施加，且第一角度与晶圆的一表面呈九十度以下。从初始点开始沿着线施加一气流并在晶圆的边缘结束，其中气流以与晶圆的表面呈第一角度的方式施加。
本公开的一些实施例提供一种清洁晶圆的系统，系统包括一晶圆、一吸座、一第一喷嘴、一第二喷嘴以及一第三喷嘴。吸座是配置以围绕在晶圆的一中心的一旋转轴旋转晶圆。第一喷嘴是配置以沿着一线施加一第一液流，线从相邻于晶圆的中心的晶圆上的一初始点开始，通过晶圆的中心，并在晶圆的一边缘结束。第二喷嘴是配置以从相邻于初始点的一偏移点开始沿着线施加一第二液流，并在晶圆的边缘结束，其中第一液流以及第二液流以一第一角度同时被施加，且第一角度与晶圆的一表面呈九十度以下。第三喷嘴是配置以沿着从初始点开始到晶圆的边缘的线施加一气流，其中气流以与晶圆的表面呈第一角度的方式施加。
附图说明
图1A是根据一些实施例的具有可变角度分配喷嘴的清洁腔室的示意图。
图1B是根据一些实施例的具有设定角度的分配喷嘴的清洁腔室的示意图。
图2是根据一些实施例的自动化晶圆清洁系统的各种功能模块的方框图。
图3是根据一些实施例的自动化晶圆清洁制程的流程图。
图4A、图4B、图4C、图4D、图4E以及图4F是根据一些实施例示出图3的流程图的自动化晶圆清洁制程的步骤。
附图标记说明：
100、150、202～清洁腔室
101、405～晶圆
102A、102B、152、154、156、158、160～喷嘴
103A、103B～流动
104A、104B～入射角
106A、106B～致动器
108A、108B～泵
110、412～中心/晶圆中心
112、414～边缘
114、408～旋转轴
116、170～清洁物质源
118～清洁液体
120～清洁气体
122～吸座
172～清洁液体或清洁气体
204～处理器
206～电脑可读存储模块
208～网络连接模块
210～使用者接口(界面)模块
212～控制器
300～制程
302、304、306、308、310、312～操作
404A、404B、422、432、442、450～清洁液流
406A、406B～稍微偏移的位置
410～表面
420～内侧三分之一区域
424～第一点
426～内侧三分之一区域边界点
430～中间三分之一区域
434～中间三分之一区域边界点
440～外侧三分之一区域
446～外侧三分之一区域边界点
448～边缘点
452～单一流动初始位置
460～单一气流
462～单一气流初始位置
具体实施方式
以下公开描述各种示例性的实施例，以实行本公开的不同特征。以下叙述各个构件以及排列方式的特定范例，以简化本公开。当然，仅为范例且意欲不限于此。举例来说，应理解的是，当一元件被称为“接合至”或“耦接至”另一元件时，元件可能直接接合至或是耦接至另一元件，或有一个或多个元件位于其间。
除此之外，在各种范例中，本公开可能使用重复的参考符号及/或字母。这样的重复是为了简化以及清楚的目的，并不表示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关联。
除此之外，空间相关用词，例如：“在……下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”等等的用词，是为了便于描述附图中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用词意欲包括使用中或操作中的装置的不同方位。设备可被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关用词亦可依此相同解释。
根据各种实施例的系统以及方法与利用选择性地向正在旋转的晶圆施加液体以及气体的自动化晶圆清洁直接相关。为了方便解释，所述的清洁物质可能指施加清洁液体或清洁气体。选择性施加可包括以特定方向(例如：相对于晶圆表面以特定角度的流动(stream)施加)、位置(例如：邻近晶圆围绕着旋转的旋转轴)、数量(例如：在特定时间施加特定数量的清洁物质的流动)、压力、体积、区域(例如：在特定时间期间在晶圆的特定区域内)及/或物质(例如：特定的清洁液体或清洁气体)向正在旋转的晶圆施加清洁物质。
在某些实施例中，清洁物质可相对于晶圆表面以特定角度的流动施加到正在旋转的晶圆上。这样的定向施加可能为非正交角度，或者，为非九十度或非垂直于待清洁的晶圆表面的角度。然而，在某些实施例中，定向施加可能为九十度或垂直于待清洁的晶圆表面的角度。而且，为了清洁晶圆，可利用多个分配喷嘴以向晶圆施加清洁物质的流动。当从多个喷嘴分配清洁物质时，经分配的清洁物质可在相同位置与晶圆接触，或可在不同位置(例如：邻近的位置)与晶圆接触。而且，来自分配喷嘴的清洁物质的流动可能以线(例如：实质地在晶圆上的一点终止)或喷雾(例如：实质地在晶圆上多于一点终止，例如，线)的方式分配。
在执行晶圆清洁时，可从正在旋转的晶圆的中间或中心(例如：在旋转轴处)施加清洁物质的定向流动至正在旋转的晶圆的边缘。在某些实施例中，可从偏移或邻近旋转轴的位置施加清洁物质的定向流动，且沿一直线朝向晶圆的边缘(例如：晶圆的末端)再次跨越旋转轴。在其他实施例中，在不同的时间增量(increments of time)，可施加清洁物质的定向流动至晶圆的三分之一处。例如，晶圆可沿着半径被区分成最靠近中心的内侧三分之一处、离中心最远的外侧三分之一处、以及在内侧三分之一处以及外侧三分之一处之间的中间三分之一处。在每一段三分之一处中，当施加到外侧三分之一处时，施加清洁物质的定向流动的时间可能为最长的，在每一段三分之一处中，当施加到内侧三分之一处时，施加清洁物质的定向流动的时间可能为最短的。在某些实施例中，当晶圆旋转时，可在最后步骤施加气体清洁物质以除了清洁晶圆以外，同时干燥晶圆。在各种实施例中，清洁液体可为去离子水，而清洁气体可为氮气(N2)或异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)。
在特定实施例中，自动化晶圆清洁可包括用于清洁正在旋转的晶圆的特定步骤。在第一步骤中，可从晶圆中心的旋转轴稍微偏移的位置(例如：邻近于晶圆中心或在晶圆直径的约三十分之一内)开始分配两个非正交(例如：并非距晶圆表面九十度)的清洁液流。通过线性运动(例如：沿着线)喷嘴，两个非正交的清洁液流可被分配而逐渐地横跨晶圆，使得液流跨越晶圆的中心且抵达晶圆的边缘。此步骤可在第一持续时间内执行。在第二步骤中，在第二持续时间内通过线性运动喷嘴，单一清洁液流可被分配使得液流横跨晶圆的内侧区域。第二持续时间可较第一持续时间短。在第三步骤中，在第二持续时间内通过线性运动喷嘴，另一个单一清洁液流可被分配使得液流横跨晶圆的中间区域。中间区域可侧向地环绕内侧区域。在第四步骤中，在第二持续时间内通过线性运动喷嘴，又一个单一清洁液流可被分配使得液流横跨晶圆的外侧区域。在第五步骤中，可从晶圆中心的旋转轴稍微偏移的位置(例如：邻近于晶圆中心或在晶圆直径的约三十分之一内)开始分配单一清洁液流。通过线性运动喷嘴，单一清洁液流可被分配而逐渐地横跨晶圆，使得气流跨越晶圆的中心且抵达晶圆的边缘。在最后的第六步骤中，可从晶圆中心的旋转轴稍微偏移的位置(例如：邻近于晶圆中心或在晶圆直径的约三十分之一内)开始分配气流。通过线性运动喷嘴，单一非正交气流可被分配而逐渐地横跨晶圆，使得气流跨越晶圆的中心且抵达晶圆的边缘。在某些实施例中，可以约每秒1600至约2000立方厘米(cubic centimeters)(cc)的速度施加清洁液体，而可以约0.2至约0.3帕斯卡的压力分配气体。
在某些实施例中，可在晶圆制程之后及/或之间，例如，在晶圆上执行蚀刻之前或之后，应用自动化晶圆清洁。自动化晶圆清洁可使用较利用现有技术清洁更有效率的自动化方式执行晶圆清洁。
图1A是根据一些实施例的在一晶圆101上具有多个可变角度分配喷嘴102A、102B的一清洁腔室100的示意图。可变角度分配喷嘴102A、102B可被配置以分配清洁物质，使得清洁物质的流动103A、103B以特定入射角104A、104B入射至晶圆101上。将可变角度分配喷嘴102A、102B定位以实现特定入射角的技术是现有的，为了简化，在此将不再详细讨论。
可变角度分配喷嘴102A、102B的每一者可与相应的致动器106A、106B以及泵108A、108B相连结。在某些实施例中，相应的泵108A、108B可包括阀或可单独地以阀或泵实施。
致动器106A、106B可被配置以将相连结的可变分配喷嘴102A、102B移动至清洁腔室100内的特定位置。例如，致动器106A、106B可被配置以线性运动相连结的可变分配喷嘴102A、102B，使得相应的流动103A、103B可跨越晶圆101的一中心110并抵达晶圆101的一边缘112。对可变分配喷嘴102A、102B的其他运动是可能的，且将在以下进一步详细讨论。在某些实施例中，晶圆101的中心110可与晶圆101的一旋转轴114对准。
可变角度分配喷嘴102A、102B的每一者可与一清洁物质源116连接。如上所述，清洁物质可包括一清洁液体118及/或一清洁气体120。在某些实施例中，清洁液体118可为去离子水，而清洁气体120可为氮气(N2)或异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)。
如上所述，晶圆101可被配置以在清洁腔室100内旋转。因此，晶圆101可放置在连接到马达的一吸座122上，且马达产生使吸座122旋转运动的动力，并使得在吸座122上的晶圆101旋转。除此之外，通过将清洁物质施加到正在旋转的晶圆，不需要沿着多于一个轴施加清洁物质以将清洁物质施加到整个旋转晶圆101。例如，当沿着正在旋转的晶圆的恒定半径施加清洁物质时，可将清洁物质施加至整个旋转晶圆。除此之外，向正在旋转的晶圆101施加非正交的清洁物质的流动，可对晶圆101产生具一定量的力，相较非以非正交流动施加清洁物质的情形而言，更容易地移去以及移除不想要的制造物。例如，非正交的清洁物质的流动可提供侧向力，且侧向力可与正在旋转的晶圆的角动量结合，以移去以及移除晶圆101的表面上的不想要的制造物。
图1B是根据一些实施例的具有设定角度的分配喷嘴的一清洁腔室150的示意图。图1B的各种方面类似于图1A，为了简化，在此不再详细讨论。然而，与图1A相比，图1B包括多个设定角度分配喷嘴152、154、156、158、160，且设定角度分配喷嘴152、154、156、158、160皆具有可在清洁腔室150中利用的不同角度。除此之外，设定角度分配喷嘴152、154、156、158、160的每一者可与一清洁物质源170流体连通。图1B的清洁物质源170可与图1A的清洁物质源116不同，因为在图1B中，清洁物质源170可包括多种不同的清洁液体或清洁气体172。这些不同的清洁液体及/或清洁气体172可与多个设定角度分配喷嘴152、154、156、158、160中的特定一者接合，以分配如上所述的特定清洁物质。
图2是根据一些实施例的一清洁腔室202的各种功能模块的方框图。除了以上讨论的清洁腔室的各种特征之外，还可包括这些功能模块。清洁腔室202可包括一处理器204。在进一步的实施例中，处理器204可使用一个或多个处理器而实施。
处理器204可被操作地连接至一电脑可读存储模块206(例如：存储器及/或数据存储)、一网络连接模块208、一使用者接口模块210以及一控制器212。在一些实施例中，电脑可读存储模块206可包括处理逻辑(process logic)，其可配置处理器204以执行本文所讨论的各种制程。电脑可读存储模块206亦可存储数据，例如晶圆的识别码、致动器的识别码、泵的识别码、喷嘴的识别码及/或在清洁腔室内执行自动化晶圆清洁的识别码以及任何其他可用于执行本文所讨论的各种制程的参数或信息。
网络连接模块208可促进工作站与工作站的各种装置及/或组件的网络连接，其可在清洁腔室202的内部或外部通信。在某些实施例中，网络连接模块208可促进实体连接，例如线路或总线(bus)。在其他实施例中，网络连接模块208可通过发射器、接收器及/或收发器促进无线连接，例如通过无线区域网络(wireless local area network,WLAN)。例如，网络连接模块208可促进与处理器204以及控制器212的无线或有线连接。
清洁腔室202亦可包括使用者接口模块210。使用者接口模块210可包括供工作站的操作者用于输入及/或输出的任何类型的接口，包括但不限于显示器、笔记本电脑、平板电脑或移动设备等。
清洁腔室202可包括控制器212，控制器212可被配置以控制各种实体设备，且实体设备控制清洁腔室202的移动或功能，例如，致动器、汽缸、喷嘴及/或吸座。例如，控制器212可控制可移动致动器、汽缸、喷嘴及/或吸座的马达。可通过处理器204控制控制器212，且控制器212可执行本文所讨论的各种制程的各种方面。
图3是根据一些实施例的一自动化晶圆清洁制程300的流程图。如上所述，自动化晶圆清洁制程300可通过清洁腔室执行。应注意的是，制程300仅为范例例，且并不意欲限制本公开。因此，应理解的是，可在图3的制程300之前、期间以及之后提供额外的操作，且可省略某些操作，可与其他操作一起执行某些操作，且本文可能仅简短描述一些其他操作。
在一些实施例中，制程300的操作可分别地与图4A、图4B、图4C、图4D、图4E以及图4F所示的各个阶段连结，这将在以下进一步详细讨论。
请参考图3，制程300从操作302开始。在操作302中，在清洁腔室内的吸座上的正在旋转的晶圆可被双重清洗(dual rinsed)。通过被双重清洗(通过同时地被两个清洁液流清洗)，晶圆可被清洁。在操作304中，晶圆的内侧三分之一区域可被清洗。在操作306中，晶圆的中间三分之一区域可被清洗。在操作308中，晶圆的外侧三分之一区域可被清洗。在操作310中，晶圆可被单一清洗。在操作312中，晶圆可被气体清洁。
在某些实施例中，操作302、304、306、308、310、312每一者可作为图3的自动化晶圆清洁制程的步骤，一个紧接一个地执行。在其他实施例中，在操作302、304、306、308、310、312之间可有约0.1秒至2秒的过渡时间。例如，在操作302、304、306、308、310、312之间可有约0.5秒的过渡时间。
图4A、图4B、图4C、图4D、图4E以及图4F是根据一些实施例示出图3的流程图的自动化晶圆清洁制程的步骤。为了更佳地理解本公开的概念，简化了图4A、图4B、图4C、图4D、图4E以及图4F。例如，尽管附图描绘了晶圆，应理解的是，晶圆可被配置以在清洁腔室内旋转，且清洁腔室可包括数个其他装置，例如，泵、阀、致动器、喷嘴、吸座等，为了清楚说明，这些装置并未在图4A、图4B、图4C、图4D、图4E以及图4F示出。
图4A是根据一些实施例的图3的双重清洁操作302的视图。请参考图4A，双重清洁操作302可包括双重清洁液流404A、404B，且双重清洁液流404A、404B可与晶圆405的表面410呈约5度至约85度的角度。例如，双重清洁液流404A、404B可与晶圆405的表面410呈约60度。在某些实施例中，双重清洁液流404A、404B可与晶圆405的表面410呈相同角度，而在其他实施例中，双重清洁液流404A、404B可与晶圆405的表面410呈不同的相应的角度。
而且，双重清洁液流404A、404B的每一者可初始地终止于在晶圆直径的约三十分之一内的各别的稍微偏移的位置406A、406B。例如，若晶圆405的直径为约300毫米且半径为约150毫米，双重清洁液流404A、404B可终止于距晶圆405的边缘414约151毫米至约160毫米的位置。除此之外，在特定实施例中，双重清洁液流404A、404B可为去离子水。然而，在其他实施例中，可根据不同应用所需，利用其他清洁液体。
双重清洁液流404A、404B可被以线性运动的方式分配横跨晶圆405，使得双重清洁液流404A、404B跨越晶圆405的中心412且抵达晶圆405的边缘414。在某些实施例中，双重清洁液流404A、404B可在超出晶圆405的边缘414的点处终止，使得当线性运动的双重清洁液流404A、404B跨越晶圆405时，一致的动量被施加到双重清洁液流404A、404B。例如，双重清洁液流404A、404B可在超出晶圆405的边缘414晶圆直径的约三十分之一的范围内终止
在特定实施例中，可在第一持续时间内执行此步骤。第一持续时间可能与将在以下讨论的第二持续时间不同。第一持续时间可为例如约70秒至约110秒。在某些实施例中，第一持续时间可持续约90秒。而且，在进一步的实施例中，清洁液流的流率可为每秒约1600立方厘米至每秒约2000立方厘米。除此之外，晶圆405可以第一旋转速度旋转，且第一旋转速度可能与以下进一步讨论的第二旋转速度不同。第一旋转速度可为，例如，约每分钟100转至约每分钟300转。在某些实施例中，第一旋转速度可为约每分钟200转。旋转的方向可为逆时针方向或顺时针方向。
图4B是根据一些实施例的图3的清洗内侧三分之一处的操作304的视图。请参考图4B，清洗内侧三分之一处的操作304可包括清洗晶圆405的一内侧三分之一区域420。内侧三分之一区域420可为晶圆405涵盖晶圆中心412或晶圆405的旋转轴408至晶圆405内侧三分之一边界的区域。内侧三分之一边界可在距晶圆边缘414约三分之二的晶圆半径与距晶圆边缘414约五分之三的晶圆半径之间。例如，若晶圆405的直径为约300毫米且半径为约150毫米，内侧三分之一区域可涵盖内侧三分之一边界至晶圆405的中心412的区域，且内侧三分之一边界是距晶圆405的边缘414约90毫米至约100毫米。换句话说，若晶圆直径为约300毫米，内侧三分之一区域可涵盖内侧三分之一边界至晶圆405的中心412的区域，且内侧三分之一边界是距晶圆中心412约40毫米至约50毫米。
在各种实施例中，内侧三分之一区域420的清洗可涵盖从第一点424开始沿着一直线施加清洁液流422，清洁液流422跨越晶圆中心412并移动至沿着内侧三分之一边界的内侧三分之一区域边界点426，而第一点424沿着晶圆表面410从中心412偏移晶圆直径的三十分之一的范围内。因此，清洗内侧三分之一处的操作304不仅清洗了晶圆405的内侧三分之一区域420，而且涵盖使用上述特定方式清洗晶圆405的内侧三分之一区域420。例如，若晶圆405的直径为约300毫米且半径为约150毫米，第一点424则距晶圆边缘414约151毫米至约160毫米。而且，内侧三分之一区域边界点426则距晶圆边缘414约90毫米至约100毫米。
在某些实施例中，清洁液流422可与晶圆405的表面410呈约10度至约95度的角度。例如，清洁液流422可与晶圆405的表面410呈约90度。在特定实施例中，清洁液流422可为去离子水。然而，在其他实施例中，可根据不同应用所需，利用其他清洁液体或清洁气体。
在特定实施例中，可在第二持续时间内执行此步骤。第二持续时间可能与第一持续时间不同而较第一持续时间短。第二持续时间可为例如约40秒至约70秒。在某些实施例中，第二持续时间可持续约60秒。而且，在进一步的实施例中，清洁液流的流率可为每秒约1600立方厘米至每秒约2000立方厘米。除此之外，如上所述，晶圆405可以第一旋转速度旋转。
图4C是根据一些实施例的图3的清洗中间三分之一处的操作306的视图。请参考图4C，清洗中间三分之一处的操作306可包括清洗晶圆405的一中间三分之一区域430。中间三分之一区域430可为侧向地环绕如图4B中的内侧三分之一区域420的晶圆405的区域。请参考图4C，如上所述，中间三分之一区域430可在上述内侧三分之一边界开始(例如：具有一个端点)。而且，中间三分之一区域430可在中间三分之一边界结束(例如：具有另一个端点)。中间三分之一边界可在距晶圆边缘414约十五分之四的晶圆半径与距晶圆边缘414约三十分之十一的晶圆半径之间。例如，若晶圆405的直径为约300毫米且半径为约150毫米，中间三分之一区域430可涵盖内侧三分之一边界至中间三分之一边界的区域，且内侧三分之一边界是距晶圆405的边缘414约90毫米至约100毫米，而中间三分之一边界是距晶圆405的边缘414约40毫米至约55毫米。
在各种实施例中，中间三分之一区域430的清洗可涵盖从沿着内侧三分之一边界的内侧三分之一区域边界点426开始到沿着中间三分之一边界的一中间三分之一区域边界点434沿着直线施加清洁液流432。例如，若晶圆405的直径为约300毫米且半径为约150毫米，内侧三分之一区域边界点426则距晶圆边缘414约90毫米至约100毫米，而中间三分之一区域边界点434则距晶圆边缘414约40毫米至约55毫米。
在某些实施例中，清洁液流432可与晶圆405的表面410呈约10度至约95度的角度。例如，清洁液流432可与晶圆405的表面410呈约90度。在特定实施例中，清洁液流432可为去离子水。然而，在其他实施例中，可根据不同应用所需，利用其他清洁液体或清洁气体。
在特定实施例中，可在第二持续时间内执行此步骤。而且，在进一步的实施例中，清洁液流的流率可为每秒约1600立方厘米至每秒约2000立方厘米。除此之外，如上所述，晶圆405可以第一旋转速度旋转。
图4D是根据一些实施例的图3的清洗外侧三分之一处的操作308的视图。请参考图4D，清洗外侧三分之一处的操作308可包括清洗晶圆405的一外侧三分之一区域440。外侧三分之一区域440可为侧向地环绕如图4C中的中间三分之一区域430的晶圆405的区域。请参考图4D，外侧三分之一区域440可距晶圆边缘414的外侧三分之一边界开始。外侧三分之一边界可在距晶圆边缘414约十五分之四晶圆半径与距晶圆边缘414约五分之二晶圆半径之间。例如，若晶圆405的直径为约300毫米且半径为约150毫米，外侧三分之一区域440可涵盖从外侧三分之一边界至晶圆405的边缘414(例如：与晶圆405的边缘414相距0毫米)的区域，且外侧三分之一边界是距晶圆405的边缘414约40毫米至约60毫米。
在各种实施例中，外侧三分之一区域440的清洗可涵盖从沿着延伸的外侧三分之一边界的一延伸的外侧三分之一区域边界点446开始到沿着晶圆405的边缘414的一边缘点448沿着直线施加清洁液流442。例如，若晶圆405的直径为约300毫米且半径为约150毫米，延伸的外侧三分之一区域边界点446则距晶圆边缘414约40毫米至约60毫米。
在某些实施例中，清洁液流442可与晶圆405的表面410呈约10度至约95度的角度。例如，清洁液流442可与晶圆405的表面410呈约90度。在特定实施例中，清洁液流442可为去离子水。然而，在其他实施例中，可根据不同应用所需，利用其他清洁液体或清洁气体。
在特定实施例中，如上所述，可在第一持续时间内执行此步骤。而且，在进一步的实施例中，清洁液流的流率可为每秒约1600立方厘米至每秒约2000立方厘米。除此之外，如上所述，晶圆405可以第一旋转速度旋转。
图4E是根据一些实施例的图3的单一清洗操作310的视图。请参考图4E，可从晶圆405的中心412的晶圆405的旋转轴408稍微偏移的一单一流动初始位置452开始分配一单一清洁液流450。单一流动初始位置452可在距晶圆中心412偏移晶圆直径的三十分之一的范围内。例如，若晶圆405的直径为约300毫米，单一流动初始位置452可终止于距晶圆405的边缘414约151毫米至约160毫米的位置。在某些实施例中，单一清洁液流450可距晶圆405的边缘414约155毫米。
单一清洁液流450可以线性运动的方式被分配横跨晶圆405，使得单一清洁液流450跨越晶圆405的中心412且抵达晶圆405的边缘414(例如：与晶圆405的边缘414相距0毫米)。在某些实施例中，单一清洁液流450可在超出晶圆405的边缘414的点处终止，使得当单一清洁液流450跨越晶圆405时，一致的动量被施加到单一清洁液流450。例如，单一清洁液流450可在超出晶圆405的边缘414晶圆直径的约三十分之一的范围内终止。
在某些实施例中，单一清洁液流450可与晶圆405的表面410呈约10度至约95度的角度。例如，单一清洁液流450可与晶圆405的表面410呈约90度。除此之外，在特定实施例中，单一清洁液流450可为去离子水。然而，在其他实施例中，可根据不同应用所需，利用其他清洁液体或清洁气体。
在特定实施例中，如上所述，可在第二持续时间内执行此步骤。而且，在进一步的实施例中，清洁液流的流率可为每秒约1600立方厘米至每秒约2000立方厘米。除此之外，如上所述，晶圆405可以第一旋转速度旋转。
图4F是根据一些实施例的图3的气体清洁操作312的视图。请参考图4F，可从晶圆405的中心412的晶圆405的旋转轴408稍微偏移的一单一气流初始位置462开始分配一单一气流460。单一气流初始位置462可在距晶圆中心412偏移晶圆直径的三十分之一的范围内。例如，若晶圆405的直径为约300毫米，单一气流初始位置462可终止于距晶圆405的边缘414约151毫米至约160毫米的位置。
单一气流460可以线性运动的方式被分配横跨晶圆405，使得单一气流460跨越晶圆405的中心412且抵达晶圆405的边缘414(例如：与晶圆405的边缘414相距0毫米)。在某些实施例中，单一气流460可在超出晶圆405的边缘414的点处终止，使得当单一气流460跨越晶圆405时，一致的动量被施加到单一气流460。例如，单一气流460可在超出晶圆405的边缘414晶圆直径的约三十分之一的范围内终止。
在某些实施例中，单一气流460可与晶圆405的表面410呈约5度至约85度的角度。除此之外，在特定实施例中，单一气流460可为氮气(N2)或异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)。氮气(N2)或异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)可以约0.2帕斯卡至约0.3帕斯卡的压力分配。然而，在其他实施例中，可根据不同应用所需，利用其他清洁气体。
而且，在进一步的实施例中，晶圆405可以第二旋转速度旋转，且第二旋转速度较第一旋转速度快。第二旋转速度可为，例如，约每分钟1000转至约每分钟3000转。在某些实施例中，第二旋转速度可为约每分钟1900转。旋转的方向可为逆时针方向或顺时针方向。
在特定实施例中，可连续多次地(例如：循环地)执行此步骤，且在第三持续时间内执行步骤的每一次执行。重复执行的次数(例如：循环)可为两次至十次。在某些实施例中，此步骤可连续持行五次。第三持续时间可较第一持续时间或第二持续时间短。例如，第三持续时间可为一秒至五秒。在某些实施例中，第三持续时间可持续约三秒。
本公开的一些实施例提供一种清洁晶圆的方法。一种清洁晶圆的方法，包括围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴旋转晶圆。沿着一线施加一第一液流，且线从相邻于晶圆的中心的晶圆上的一初始点开始，通过晶圆的中心，并在晶圆的一边缘结束。施加一第二液流到从初始点开始并到一边界点结束的线的内侧三分之一处。施加一第三液流到从边界点开始的线的中间三分之一处。施加一第四液流到结束于晶圆的边缘的线的外侧三分之一处。从初始点开始沿着线施加一第五液流并在晶圆的边缘结束。从初始点开始沿着线施加一气流并在晶圆的边缘结束。
根据本公开的一些实施例，第一液流以一第一角度施加，且第一角度与晶圆的一表面呈九十度以下，而第二液流以一第二角度施加，且第二角度与第一角度不同。根据本公开的一些实施例，第三液流以一第三角度施加，且第三角度与第二角度不同。根据本公开的一些实施例，第四液流以一第四角度施加，且第四角度与第一角度不同。根据本公开的一些实施例，第五液流以一第五角度施加，且第五角度与第一角度不同。根据本公开的一些实施例，气流以一第六角度施加，且第六角度与第一角度相同。根据本公开的一些实施例，第一液流以及第四液流在一第一持续时间被施加。根据本公开的一些实施例，第二液流、第三液流以及第五液流在一第二持续时间被施加，且第二持续时间较第一持续时间短。
本公开的一些实施例提供一种清洁晶圆的方法。方法包括围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴旋转晶圆。沿着一线施加一第一液流，线从相邻于晶圆的中心的晶圆上的一初始点开始，通过晶圆的中心，并在晶圆的一边缘结束。从相邻于初始点的一偏移点开始沿着线施加一第二液流并在晶圆的边缘结束，其中第一液流以及第二液流以一第一角度同时被施加，且第一角度与晶圆的一表面呈九十度以下。从初始点开始沿着线施加一气流并在晶圆的边缘结束，其中气流以与晶圆的表面呈第一角度的方式施加。
根据本公开的一些实施例，方法还包括当施加第一液流以及第二液流时，以一第一速度旋转晶圆。当施加气流时，以一第二速度旋转晶圆，且第二速度较第一速度快。根据本公开的一些实施例，方法还包括沿着线多次地施加气流。根据本公开的一些实施例，施加第一液流的期间较施加气流的期间长。根据本公开的一些实施例，方法还包括沿着从初始点开始到晶圆的边缘结束的线施加一第三液流，其中第三液流以一第二角度施加，且第二角度与第一角度不同。
本公开的一些实施例提供一种清洁晶圆的系统，系统包括一晶圆、一吸座、一第一喷嘴、一第二喷嘴以及一第三喷嘴。吸座是配置以围绕在晶圆的一中心的一旋转轴旋转晶圆。第一喷嘴是配置以沿着一线施加一第一液流，线从相邻于晶圆的中心的晶圆上的一初始点开始，通过晶圆的中心，并在晶圆的一边缘结束。第二喷嘴是配置以从相邻于初始点的一偏移点开始沿着线施加一第二液流，并在晶圆的边缘结束，其中第一液流以及第二液流以一第一角度同时被施加，且第一角度与晶圆的一表面呈九十度以下。第三喷嘴是配置以沿着从初始点开始到晶圆的边缘的线施加一气流，其中气流以与晶圆的表面呈第一角度的方式施加。
根据本公开的一些实施例，第一喷嘴是配置以沿着从初始点开始到晶圆的边缘的线施加一第三液流，其中第三液流以一第二角度施加，且第二角度与第一角度不同。根据本公开的一些实施例，第一喷嘴是配置以较施加第一液流短的期间施加第三液流。根据本公开的一些实施例，第一液流以及第二液流包括去离子水。根据本公开的一些实施例，气流的气体是氮气。根据本公开的一些实施例，系统还包括一第四喷嘴，配置以沿着从初始点开始并结束于晶圆的边缘的线施加一第三液流，其中第三液流以一第二角度施加，且第二角度与第一角度不同。
前面概述数个实施例的特征，使得本技术领域中技术人员可更好地理解本公开的各方面。本技术领域中技术人员应理解的是，可轻易地使用本公开作为设计或修改其他制程以及结构的基础，以实现在此介绍的实施例的相同目的及/或达到相同优点。本技术领域中技术人员亦应理解的是，这样的等效配置并不背离本公开的精神以及范围，且在不背离本公开的精神以及范围的情形下，可对本公开进行各种改变、替换以及更改。
在本文中使用的用语“模块”，可指称软件、固件(韧体)、硬件或这些元件的任意组合，用于执行本文所描述的相关功能。除此之外，为了讨论的目的，各种模块被描述为分离的模块。然而，对于本技术领域中技术人员明显的是，可结合两个或多个模块以形成单一模块，且此单一模块可根据本公开的实施例执行相关功能。
本技术领域中技术人员更应理解的是，各种说明性的逻辑方块、模块、处理器、手段、电路、方法以及功能的任一种，与本公开各方面有连结者，可以通过电子硬件(例如：数字实现、模拟实现、或是两者的组合)、固件、程序的各种形式或包含指令的设计代码(为方便起见，这里可指为“软件”或“软件模块”)，或是任一种这些技术的组合被实现。为了清楚地说明硬件、固件以及软件的这种可互换性，前面已经总体上根据功能描述了不同的说明性的构件、方块、模块、电路和步骤。无论这种功能是否被实现为硬件、固件或软件，或这些技术的组合，取决于特定应用以及强加于整体系统的设计限制。技术人员可以针对每个特定应用以不同的方式实现上述的功能，但是这样的实现决定并不背离本公开的范围。
除此之外，在本技术领域中技术人员应理解的是，在这边所提到的不同的说明性的逻辑方块、模块、装置、构件以及电路，可实现在集成电路(integrated circuit,IC)中或是通过集成电路被进行，集成电路可包括一般目的处理器、数字信号处理器(digitalsignal processor,DSP)、特殊应用集成电路(application specific integratedcircuit,ASIC)、场域可编程逻辑门阵列(field programmable gate array,FPGA)或其他可编程逻辑仪器、或是任一种这些的组合。逻辑方块、模块、以及电路可还包括天线及/或收发器以在网络中或是装置中与不同的构件通信。一般目的处理器可为微处理器，但也可交替为现有的处理器、控制器、或是状态机的任一种。处理器也可被实现为计算机装置的组合，例如，数字信号处理器与微处理器、多个微处理器、一个或多个微处理器与数字信号处理器的核心接合的组合、或是任一种其他合适的结构以进行这边所提到的功能。
除非另外特别说明，否则诸如“可”、“可以”、“可能”或“会”的类的条件用语，在上下文中通常被理解为用于表达特定实施例包括特定特征、元件及/或步骤、而其他实施例不包括特定特征、元件及/或步骤。因此，这种条件用语通常不意图隐含一个或多个实施例以任一种方式所需要的特征、元件及/或步骤，或是不意图隐含一个或多个实施例必然包括具有或不具有使用者放入或驱使的判断逻辑，无论这些特征、元件及/或步骤是否在任一特定实施例中被包括或进行。
除此之外，在读过本公开后，在本技术领域中技术人员能够配置功能实体以进行这边所提到的操作。这里所使用的用词“配置”涉及特定的操作或是功能，可指为系统、装置、构件、电路、结构、机器等物理上或是实际上被架构、编程及/或安排以进行特定的操作或是功能。
除非另外特别说明，否则选言(disjunctive)用语像是句子“X、Y、Z中的至少一个”，在上下文中通常被理解为用于表现项目、条目等可为X、Y、Z中之一或是任一个它们的组合(例如，X、Y、及/或Z)。因此，这种选言用语通常不意图，且不应隐含需要至少一个X、至少一个Y、或至少一个Z出现的特定的实施例。
须强调的是，可对于上述的实施例、在其他可接受的范例中已知的元件作许多变化以及修改。所有这样的修改以及变化意图被包括本公开的范围中且由下述的权利要求被保护。

Claims (10)

1.一种清洁晶圆的方法，包括：
围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴，旋转该晶圆；
沿着一线施加一第一液流，且该线从相邻于该晶圆的该中心的该晶圆上的一初始点开始，通过该晶圆的该中心，并在该晶圆的一边缘结束；
施加一第二液流到从该初始点开始并到一边界点结束的该线的内侧三分之一处；以及
从该初始点开始沿着该线施加一气流并在该晶圆的该边缘结束。
2.如权利要求1所述的清洁晶圆的方法，还包括：
施加一第三液流到从该边界点开始的该线的中间三分之一处；
施加一第四液流到结束于该晶圆的该边缘的该线的外侧三分之一处；以及
从该初始点开始沿着该线施加一第五液流并在该晶圆的该边缘结束。
3.如权利要求2所述的清洁晶圆的方法，其中该第一液流以一第一角度施加，且该第一角度与该晶圆的一表面呈九十度以下，而该第二液流以一第二角度施加，且该第二角度与该第一角度不同。
4.如权利要求2所述的清洁晶圆的方法，其中该第一液流以及该第四液流在一第一持续时间被施加。
5.一种清洁晶圆的方法，包括：
围绕在一晶圆的一中心的一旋转轴，旋转该晶圆；
沿着一线施加一第一液流，该线从相邻于该晶圆的该中心的该晶圆上的一初始点开始，通过该晶圆的该中心，并在该晶圆的一边缘结束；
从相邻于该初始点的一偏移点开始沿着该线施加一第二液流并在该晶圆的该边缘结束，其中该第一液流以及该第二液流以一第一角度同时被施加，且该第一角度与该晶圆的一表面呈九十度以下；以及
从该初始点开始沿着该线施加一气流并在该晶圆的该边缘结束，其中该气流以与该晶圆的该表面呈该第一角度的方式施加。
6.如权利要求5所述的清洁晶圆的方法，还包括：
当施加该第一液流以及该第二液流时，以一第一速度旋转该晶圆；以及
当施加该气流时，以一第二速度旋转该晶圆，且该第二速度较该第一速度快。
7.如权利要求5所述的清洁晶圆的方法，还包括沿着该线多次地施加该气流。
8.如权利要求5所述的清洁晶圆的方法，还包括沿着从该初始点开始到该晶圆的该边缘结束的该线施加一第三液流，其中该第三液流以一第二角度施加，且该第二角度与该第一角度不同。
9.一种清洁晶圆的系统，包括：
一晶圆；
一吸座，配置以围绕在该晶圆的一中心的一旋转轴旋转该晶圆；
一第一喷嘴，配置以沿着一线施加一第一液流，该线从相邻于该晶圆的该中心的该晶圆上的一初始点开始，通过该晶圆的该中心，并在该晶圆的一边缘结束；
一第二喷嘴，配置以从相邻于该初始点的一偏移点开始沿着该线施加一第二液流，并在该晶圆的该边缘结束，其中该第一液流以及该第二液流以一第一角度同时被施加，且该第一角度与该晶圆的一表面呈九十度以下；以及
一第三喷嘴，配置以沿着从该初始点开始到该晶圆的该边缘的该线施加一气流，其中该气流以与该晶圆的该表面呈该第一角度的方式施加。
10.如权利要求9所述的清洁晶圆的系统，其中该第一喷嘴是配置以沿着从该初始点开始到该晶圆的该边缘的该线施加一第三液流，其中该第三液流以一第二角度施加，且该第二角度与该第一角度不同。
CN201910764073.0A 2018-08-17 2019-08-19 清洁晶圆的方法以及系统 Active CN110838433B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862719563P 2018-08-17 2018-08-17
US62/719,563 2018-08-17
US16/539,315 US11342202B2 (en) 2018-08-17 2019-08-13 Automated wafer cleaning
US16/539,315 2019-08-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110838433A true CN110838433A (zh) 2020-02-25
CN110838433B CN110838433B (zh) 2022-06-10

Family

ID=69523400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910764073.0A Active CN110838433B (zh) 2018-08-17 2019-08-19 清洁晶圆的方法以及系统

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11342202B2 (zh)
CN (1) CN110838433B (zh)
TW (1) TWI761697B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102134261B1 (ko) * 2018-10-25 2020-07-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7464467B2 (ja) * 2020-07-01 2024-04-09 株式会社ディスコ ウェーハ洗浄装置
US12027382B2 (en) * 2021-12-03 2024-07-02 Applied Materials, Inc. Surface cleaning with directed high pressure chemistry

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1838385A (zh) * 2005-03-21 2006-09-27 细美事有限公司 清洗和干燥晶片的方法及装置
US20100154826A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Tokyo Electron Limited System and Method For Rinse Optimization
KR20100071895A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정 장치, 기판 처리 시스템, 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체
CN102755980A (zh) * 2011-04-25 2012-10-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗刷和晶圆清洗装置
CN102825020A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 株式会社荏原制作所 基板处理方法和基板处理单元
CN103346108A (zh) * 2013-06-27 2013-10-09 上海华力微电子有限公司 改善晶圆边缘光滑度的装置及方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100928667B1 (ko) 2009-02-17 2009-11-27 주식회사 한스머신 웨이퍼 결함 분석 시스템 및 그 제어방법
US9221081B1 (en) 2011-08-01 2015-12-29 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
WO2014152910A1 (en) 2013-03-14 2014-09-25 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for substrate rinsing and drying
SG10201404086XA (en) 2013-07-19 2015-02-27 Ebara Corp Substrate cleaning device, substrate cleaning apparatus, method for manufacturing cleaned substrate and substrate processing apparatus
US9687885B2 (en) 2015-07-17 2017-06-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-cycle wafer cleaning method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1838385A (zh) * 2005-03-21 2006-09-27 细美事有限公司 清洗和干燥晶片的方法及装置
US20100154826A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Tokyo Electron Limited System and Method For Rinse Optimization
KR20100071895A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정 장치, 기판 처리 시스템, 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체
CN102755980A (zh) * 2011-04-25 2012-10-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗刷和晶圆清洗装置
CN102825020A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 株式会社荏原制作所 基板处理方法和基板处理单元
CN103346108A (zh) * 2013-06-27 2013-10-09 上海华力微电子有限公司 改善晶圆边缘光滑度的装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11735440B2 (en) 2023-08-22
TW202023697A (zh) 2020-07-01
CN110838433B (zh) 2022-06-10
US20220262654A1 (en) 2022-08-18
US20200058522A1 (en) 2020-02-20
US11342202B2 (en) 2022-05-24
TWI761697B (zh) 2022-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110838433B (zh) 清洁晶圆的方法以及系统
JP5123122B2 (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP4578373B2 (ja) 基板処理装置
CN104517807B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
KR102016824B1 (ko) 도포 방법
JP6256828B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201826363A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP6890992B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN111081585B (zh) 喷淋装置及清洗设备
CN110957208A (zh) 晶圆洗边方法及晶圆清洗装置
JP4621053B2 (ja) 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法
JP5680705B2 (ja) 基板処理方法
TWI666527B (zh) 顯影方法
TW201803651A (zh) 塗布方法
CN109890520A (zh) 清洗半导体硅片的装置和方法
JP2017191853A (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN102974563B (zh) 用于可移动兆声晶圆喷头的装置和方法
TWI613703B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR102141298B1 (ko) 현상 방법
JP7201494B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20170263472A1 (en) Multiple wafer rotary processing
JP6814847B2 (ja) 現像方法
JP6542613B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR100793173B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20200058521A1 (en) Wafer cleaning with dynamic contacts

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant