TWI761697B - 清潔晶圓之方法以及系統 - Google Patents

清潔晶圓之方法以及系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI761697B
TWI761697B TW108129464A TW108129464A TWI761697B TW I761697 B TWI761697 B TW I761697B TW 108129464 A TW108129464 A TW 108129464A TW 108129464 A TW108129464 A TW 108129464A TW I761697 B TWI761697 B TW I761697B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
angle
flow
cleaning
line
Prior art date
Application number
TW108129464A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202023697A (zh
Inventor
李俊煜
彭聖有
彭垂亞
Original Assignee
台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣積體電路製造股份有限公司 filed Critical 台灣積體電路製造股份有限公司
Publication of TW202023697A publication Critical patent/TW202023697A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI761697B publication Critical patent/TWI761697B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本揭露的一些實施例提供一種清潔晶圓之方法。一種清潔晶圓之方法，包括圍繞在一晶圓之一中心的一旋轉軸旋轉晶圓。沿著一線施加一第一液流，且線從相鄰於晶圓之中心的晶圓上的一初始點開始，通過晶圓之中心，並在晶圓之一邊緣結束。施加一第二液流到從初始點開始並到一邊界點結束的線之內側三分之一處。施加一第三液流到從邊界點開始的線之中間三分之一處。施加一第四液流到結束於晶圓之邊緣的線之外側三分之一處。從初始點開始沿著線施加一第五液流並在晶圓之邊緣結束。從初始點開始沿著線施加一氣流並在晶圓之邊緣結束。

Description

清潔晶圓之方法以及系統
本揭露係有關於一種清潔晶圓之方法以及系統。
積體電路形成在晶圓或半導體基板上。積體電路之形成可包括許多製程步驟，例如：各種層之沉積、蝕刻以及烘烤。積體電路可分隔成單獨的晶粒，且晶粒被封裝並附接至電路板。
在產生積體電路的各種製程步驟期間，在晶圓之表面上形成各種表面。而且，在製程期間，製造物（artifacts）可能沿著晶圓之表面沉積。因此，可能需要清潔晶圓之這些製造物，以增加晶圓之產量。
清潔以及乾燥晶圓的一種方法係旋轉清潔。旋轉清潔涉及將液體清潔溶液分配到晶圓上，並旋轉晶圓以移除溶液，而後乾燥晶圓。液體清潔溶液通常地從靜止的噴嘴以正交於晶圓表面的流動施加。然而，這樣的旋轉清潔可能不足以移除沉積在晶圓上的所有不想要的製造物。
本揭露的一些實施例提供一種清潔晶圓之方法。一種清潔晶圓之方法，包括圍繞在一晶圓之一中心的一旋轉軸旋轉晶圓。沿著一線施加一第一液流，且線從相鄰於晶圓之中心的晶圓上的一初始點開始，通過晶圓之中心，並在晶圓之一邊緣結束。施加一第二液流到從初始點開始並到一邊界點結束的線之內側三分之一處。施加一第三液流到從邊界點開始的線之中間三分之一處。施加一第四液流到結束於晶圓之邊緣的線之外側三分之一處。從初始點開始沿著線施加一第五液流並在晶圓之邊緣結束。從初始點開始沿著線施加一氣流並在晶圓之邊緣結束。
本揭露的一些實施例提供一種清潔晶圓之方法。方法包括圍繞在一晶圓之一中心的一旋轉軸旋轉晶圓。沿著一線施加一第一液流，線從相鄰於晶圓之中心的晶圓上的一初始點開始，通過晶圓之中心，並在晶圓之一邊緣結束。從相鄰於初始點的一偏移點開始沿著線施加一第二液流並在晶圓之邊緣結束，其中第一液流以及第二液流以一第一角度同時被施加，且第一角度與晶圓之一表面呈九十度以下。從初始點開始沿著線施加一氣流並在晶圓之邊緣結束，其中氣流以與晶圓之表面呈第一角度的方式施加。
本揭露的一些實施例提供一種清潔晶圓之系統，系統包括一晶圓、一吸座、一第一噴嘴、一第二噴嘴以及一第三噴嘴。吸座係配置以圍繞在晶圓之一中心的一旋轉軸旋轉晶圓。第一噴嘴係配置以沿著一線施加一第一液流，線從相鄰於晶圓之中心的晶圓上的一初始點開始，通過晶圓之中心，並在晶圓之一邊緣結束。第二噴嘴係配置以從相鄰於初始點的一偏移點開始沿著線施加一第二液流，並在晶圓之邊緣結束，其中第一液流以及第二液流以一第一角度同時被施加，且第一角度與晶圓之一表面呈九十度以下。第三噴嘴係配置以沿著從初始點開始到晶圓之邊緣的線施加一氣流，其中氣流以與晶圓之表面呈第一角度之方式施加。
以下揭露描述各種示例性的實施例，以實行本揭露之不同特徵。以下敘述各個構件以及排列方式之特定範例，以簡化本揭露。當然，僅為範例且意欲不限於此。舉例來說，應理解的是，當一元件被稱為「接合至」或「耦接至」另一元件時，元件可能直接接合至或是耦接至另一元件，或有一個或多個元件位於其間。
除此之外，在各種範例中，本揭露可能使用重複的參考符號及/或字母。這樣的重複係為了簡化以及清楚之目的，並不表示所討論的各種實施例及/或配置之間的關聯。
除此之外，空間相關用詞，例如：「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」 等等的用詞，係為了便於描述圖式中一個元件或特徵與另一個（些）元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包括使用中或操作中的裝置之不同方位。設備可被轉向不同方位（旋轉90度或其他方位），則在此使用的空間相關用詞亦可依此相同解釋。
根據各種實施例的系統以及方法與利用選擇性地向正在旋轉的晶圓施加液體以及氣體的自動化晶圓清潔直接相關。為了方便解釋，所述的清潔物質可能指施加清潔液體或清潔氣體。選擇性施加可包括以特定方向（例如：相對於晶圓表面以特定角度的流動（stream）施加）、位置（例如：鄰近晶圓圍繞著旋轉的旋轉軸）、數量（例如：在特定時間施加特定數量之清潔物質之流動）、壓力、體積、區域（例如：在特定時間期間在晶圓之特定區域內）及/或物質（例如：特定的清潔液體或清潔氣體）向正在旋轉的晶圓施加清潔物質。
在某些實施例中，清潔物質可相對於晶圓表面以特定角度的流動施加到正在旋轉的晶圓上。這樣的定向施加可能為非正交角度，或者，為非九十度或非垂直於待清潔的晶圓表面的角度。然而，在某些實施例中，定向施加可能為九十度或垂直於待清潔的晶圓表面的角度。而且，為了清潔晶圓，可利用多個分配噴嘴以向晶圓施加清潔物質之流動。當從多個噴嘴分配清潔物質時，經分配的清潔物質可在相同位置與晶圓接觸，或可在不同位置（例如：鄰近的位置）與晶圓接觸。而且，來自分配噴嘴的清潔物質之流動可能以線（例如：實質地在晶圓上的一點終止）或噴霧（例如：實質地在晶圓上多於一點終止，例如，線）的方式分配。
在執行晶圓清潔時，可從正在旋轉的晶圓之中間或中心（例如：在旋轉軸處）施加清潔物質之定向流動至正在旋轉的晶圓之邊緣。在某些實施例中，可從偏移或鄰近旋轉軸的位置施加清潔物質之定向流動，且沿一直線朝向晶圓之邊緣（例如：晶圓之末端）再次跨越旋轉軸。在其他實施例中，在不同的時間增量（increments of time），可施加清潔物質之定向流動至晶圓之三分之一處。例如，晶圓可沿著半徑被區分成最靠近中心的內側三分之一處、離中心最遠的外側三分之一處、以及在內側三分之一處以及外側三分之一處之間的中間三分之一處。在每一段三分之一處中，當施加到外側三分之一處時，施加清潔物質之定向流動之時間可能為最長的，在每一段三分之一處中，當施加到內側三分之一處時，施加清潔物質之定向流動之時間可能為最短的。在某些實施例中，當晶圓旋轉時，可在最後步驟施加氣體清潔物質以除了清潔晶圓以外，同時乾燥晶圓。在各種實施例中，清潔液體可為去離子水，而清潔氣體可為氮氣（N2 ）或異丙醇（isopropyl alcohol, IPA）。
在特定實施例中，自動化晶圓清潔可包括用於清潔正在旋轉的晶圓的特定步驟。在第一步驟中，可從晶圓中心的旋轉軸稍微偏移的位置（例如：鄰近於晶圓中心或在晶圓直徑的約三十分之一內）開始分配兩個非正交（例如：並非距晶圓表面九十度）的清潔液流。藉由線性運動（例如：沿著線）噴嘴，兩個非正交的清潔液流可被分配而逐漸地橫跨晶圓，使得液流跨越晶圓之中心且抵達晶圓之邊緣。此步驟可在第一持續時間內執行。在第二步驟中，在第二持續時間內藉由線性運動噴嘴，單一清潔液流可被分配使得液流橫跨晶圓之內側區域。第二持續時間可較第一持續時間短。在第三步驟中，在第二持續時間內藉由線性運動噴嘴，另一個單一清潔液流可被分配使得液流橫跨晶圓之中間區域。中間區域可側向地環繞內側區域。在第四步驟中，在第二持續時間內藉由線性運動噴嘴，又一個單一清潔液流可被分配使得液流橫跨晶圓之外側區域。在第五步驟中，可從晶圓中心的旋轉軸稍微偏移的位置（例如：鄰近於晶圓中心或在晶圓直徑的約三十分之一內）開始分配單一清潔液流。藉由線性運動噴嘴，單一清潔液流可被分配而逐漸地橫跨晶圓，使得氣流跨越晶圓之中心且抵達晶圓之邊緣。在最後的第六步驟中，可從晶圓中心的旋轉軸稍微偏移的位置（例如：鄰近於晶圓中心或在晶圓直徑的約三十分之一內）開始分配氣流。藉由線性運動噴嘴，單一非正交氣流可被分配而逐漸地橫跨晶圓，使得氣流跨越晶圓之中心且抵達晶圓之邊緣。在某些實施例中，可以約每秒1600至約2000立方公分（cubic centimeters）（cc）的速度施加清潔液體，而可以約0.2至約0.3帕斯卡的壓力分配氣體。
在某些實施例中，可在晶圓製程之後及/或之間，例如，在晶圓上執行蝕刻之前或之後，應用自動化晶圓清潔。自動化晶圓清潔可使用較利用習知技術清潔更有效率的自動化方式執行晶圓清潔。
第1A圖係根據一些實施例的在一晶圓101上具有複數個可變角度分配噴嘴102A、102B的一清潔腔室100之示意圖。可變角度分配噴嘴102A、102B可被配置以分配清潔物質，使得清潔物質之流動103A、103B以特定入射角104A、104B入射至晶圓101上。將可變角度分配噴嘴102A、102B定位以達成特定入射角之技術係習知的，為了簡化，在此將不再詳細討論。
可變角度分配噴嘴102A、102B之每一者可與相應的致動器106A、106B以及泵108A、108B相連結。在某些實施例中，相應的泵108A、108B可包括閥或可單獨地以閥或泵實施。
致動器106A、106B可被配置以將相連結的可變分配噴嘴102A、102B移動至清潔腔室100內的特定位置。例如，致動器106A、106B可被配置以線性運動相連結的可變分配噴嘴102A、102B，使得相應的流動103A、103B可跨越晶圓101之一中心110並抵達晶圓101之一邊緣112。對可變分配噴嘴102A、102B的其他運動係可能的，且將在以下進一步詳細討論。在某些實施例中，晶圓101之中心110可與晶圓101之一旋轉軸114對準。
可變角度分配噴嘴102A、102B之每一者可與一清潔物質源116連接。如上所述，清潔物質可包括一清潔液體118及/或一清潔氣體120。在某些實施例中，清潔液體118可為去離子水，而清潔氣體120可為氮氣（N2 ）或異丙醇（isopropyl alcohol, IPA）。
如上所述，晶圓101可被配置以在清潔腔室100內旋轉。因此，晶圓101可放置在連接到馬達的一吸座122上，且馬達產生使吸座122旋轉運動的動力，並使得在吸座122上的晶圓101旋轉。除此之外，藉由將清潔物質施加到正在旋轉的晶圓，不需要沿著多於一個軸施加清潔物質以將清潔物質施加到整個旋轉晶圓101。例如，當沿著正在旋轉的晶圓之恆定半徑施加清潔物質時，可將清潔物質施加至整個旋轉晶圓。除此之外，向正在旋轉的晶圓101施加非正交的清潔物質之流動，可對晶圓101產生具一定量的力，相較非以非正交流動施加清潔物質的情形而言，更容易地移去以及移除不想要的製造物。例如，非正交的清潔物質之流動可提供側向力，且側向力可與正在旋轉的晶圓之角動量結合，以移去以及移除晶圓101之表面上的不想要的製造物。
第1B圖係根據一些實施例的具有設定角度的分配噴嘴的一清潔腔室150之示意圖。第1B圖之各種方面類似於第1A圖，為了簡化，在此不再詳細討論。然而，與第1A圖相比，第1B圖包括多個設定角度分配噴嘴152、154、156、158、160，且設定角度分配噴嘴152、154、156、158、160皆具有可在清潔腔室150中利用的不同角度。除此之外，設定角度分配噴嘴152、154、156、158、160之每一者可與一清潔物質源170流體連通。第1B圖之清潔物質源170可與第1A圖之清潔物質源116不同，因為在第1B圖中，清潔物質源170可包括多種不同的清潔液體或清潔氣體172。這些不同的清潔液體及/或清潔氣體172可與多個設定角度分配噴嘴152、154、156、158、160中之特定一者接合，以分配如上所述的特定清潔物質。
第2圖係根據一些實施例的一清潔腔室202之各種功能模組之方塊圖。除了以上討論的清潔腔室之各種特徵之外，更可包括這些功能模組。清潔腔室202可包括一處理器204。在進一步的實施例中，處理器204可使用一個或多個處理器而實施。
處理器204可被操作地連接至一電腦可讀儲存模組206（例如：記憶體及/或數據儲存）、一網路連接模組208、一使用者介面模組210以及一控制器212。在一些實施例中，電腦可讀儲存模組206可包括處理邏輯（process logic），其可配置處理器204以執行本文所討論的各種製程。電腦可讀儲存模組206亦可儲存數據，例如晶圓的識別碼、致動器的識別碼、泵的識別碼、噴嘴的識別碼及/或在清潔腔室內執行自動化晶圓清潔的識別碼以及任何其他可用於執行本文所討論的各種製程的參數或資訊。
網路連接模組208可促進工作站與工作站之各種裝置及/或組件的網路連接，其可在清潔腔室202之內部或外部通訊。在某些實施例中，網路連接模組208可促進實體連接，例如線路或匯流排（bus）。在其他實施例中，網路連接模組208可透過發射器、接收器及/或收發器促進無線連接，例如通過無線區域網路（wireless local area network, WLAN）。例如，網路連接模組208可促進與處理器204以及控制器212的無線或有線連接。
清潔腔室202亦可包括使用者介面模組210。使用者介面模組210可包括供工作站之操作者用於輸入及/或輸出之任何類型之介面，包括但不限於顯示器、筆記型電腦、平板電腦或移動設備等。
清潔腔室202可包括控制器212，控制器212可被配置以控制各種實體設備，且實體設備控制清潔腔室202之移動或功能，例如，致動器、汽缸、噴嘴及/或吸座。例如，控制器212可控制可移動致動器、汽缸、噴嘴及/或吸座的馬達。可藉由處理器204控制控制器212，且控制器212可執行本文所討論的各種製程之各種方面。
第3圖係根據一些實施例的一自動化晶圓清潔製程300之流程圖。如上所述，自動化晶圓清潔製程300可藉由清潔腔室執行。應注意的是，製程300僅為範例例，且並不意欲限制本揭露。因此，應理解的是，可在第3圖之製程300之前、期間以及之後提供額外的操作，且可省略某些操作，可與其他操作一起執行某些操作，且本文可能僅簡短描述一些其他操作。
在一些實施例中，製程300之操作可分別地與第4A圖、第4B圖、第4C圖、第4D圖、第4E圖以及第4F圖所示的各個階段連結，這將在以下進一步詳細討論。
請參考第3圖，製程300從操作302開始。在操作302中，在清潔腔室內的吸座上的正在旋轉的晶圓可被雙重清洗（dual rinsed）。藉由被雙重清洗（藉由同時地被兩個清潔液流清洗），晶圓可被清潔。在操作304中，晶圓之內側三分之一區域可被清洗。在操作306中，晶圓之中間三分之一區域可被清洗。在操作308中，晶圓之外側三分之一區域可被清洗。在操作310中，晶圓可被單一清洗。在操作312中，晶圓可被氣體清潔。
在某些實施例中，操作302、304、306、308、310、312每一者可作為第3圖之自動化晶圓清潔製程之步驟，一個緊接一個地執行。在其他實施例中，在操作302、304、306、308、310、312之間可有約0.1秒至2秒的過渡時間。例如，在操作302、304、306、308、310、312之間可有約0.5秒的過渡時間。
第4A圖、第4B圖、第4C圖、第4D圖、第4E圖以及第4F圖係根據一些實施例繪示第3圖之流程圖之自動化晶圓清潔製程之步驟。為了更佳地理解本揭露之概念，簡化了第4A圖、第4B圖、第4C圖、第4D圖、第4E圖以及第4F圖。例如，儘管圖式描繪了晶圓，應理解的是，晶圓可被配置以在清潔腔室內旋轉，且清潔腔室可包括數個其他裝置，例如，泵、閥、致動器、噴嘴、吸座等，為了清楚說明，這些裝置並未在第4A圖、第4B圖、第4C圖、第4D圖、第4E圖以及第4F圖示出。
第4A圖係根據一些實施例的第3圖之雙重清潔操作302之視圖。請參考第4A圖，雙重清潔操作302可包括雙重清潔液流404A、404B，且雙重清潔液流404A、404B可與晶圓405之表面410呈約5度至約85度之角度。例如，雙重清潔液流404A、404B可與晶圓405之表面410呈約60度。在某些實施例中，雙重清潔液流404A、404B可與晶圓405之表面410呈相同角度，而在其他實施例中，雙重清潔液流404A、404B可與晶圓405之表面410呈不同的相應的角度。
而且，雙重清潔液流404A、404B之每一者可初始地終止於在晶圓直徑之約三十分之一內之各別的稍微偏移的位置406A、406B。例如，若晶圓405的直徑為約300毫米且半徑為約150毫米，雙重清潔液流404A、404B可終止於距晶圓405之邊緣414約151毫米至約160毫米的位置。除此之外，在特定實施例中，雙重清潔液流404A、404B可為去離子水。然而，在其他實施例中，可根據不同應用所需，利用其他清潔液體。
雙重清潔液流404A、404B可被以線性運動的方式分配橫跨晶圓405，使得雙重清潔液流404A、404B跨越晶圓405之中心412且抵達晶圓405之邊緣414。在某些實施例中，雙重清潔液流404A、404B可在超出晶圓405之邊緣414的點處終止，使得當線性運動的雙重清潔液流404A、404B跨越晶圓405時，一致的動量被施加到雙重清潔液流404A、404B。例如，雙重清潔液流404A、404B可在超出晶圓405之邊緣414晶圓直徑之約三十分之一的範圍內終止
在特定實施例中，可在第一持續時間內執行此步驟。第一持續時間可能與將在以下討論的第二持續時間不同。第一持續時間可為例如約70秒至約110秒。在某些實施例中，第一持續時間可持續約90秒。而且，在進一步的實施例中，清潔液流之流率可為每秒約1600立方公分至每秒約2000立方公分。除此之外，晶圓405可以第一旋轉速度旋轉，且第一旋轉速度可能與以下進一步討論的第二旋轉速度不同。第一旋轉速度可為，例如，約每分鐘100轉至約每分鐘300轉。在某些實施例中，第一旋轉速度可為約每分鐘200轉。旋轉之方向可為逆時針方向或順時針方向。
第4B圖係根據一些實施例的第3圖之清洗內側三分之一處的操作304之視圖。請參考第4B圖，清洗內側三分之一處的操作304可包括清洗晶圓405之一內側三分之一區域420。內側三分之一區域420可為晶圓405涵蓋晶圓中心412或晶圓405之旋轉軸408至晶圓405內側三分之一邊界的區域。內側三分之一邊界可在距晶圓邊緣414約三分之二的晶圓半徑與距晶圓邊緣414約五分之三的晶圓半徑之間。例如，若晶圓405的直徑為約300毫米且半徑為約150毫米，內側三分之一區域可涵蓋內側三分之一邊界至晶圓405之中心412的區域，且內側三分之一邊界係距晶圓405之邊緣414約90毫米至約100毫米。換句話說，若晶圓直徑為約300毫米，內側三分之一區域可涵蓋內側三分之一邊界至晶圓405之中心412的區域，且內側三分之一邊界係距晶圓中心412約40毫米至約50毫米。
在各種實施例中，內側三分之一區域420之清洗可涵蓋從第一點424開始沿著一直線施加清潔液流422，清潔液流422跨越晶圓中心412並移動至沿著內側三分之一邊界的內側三分之一區域邊界點426，而第一點424沿著晶圓表面410從中心412偏移晶圓直徑之三十分之一的範圍內。因此，清洗內側三分之一處的操作304不僅清洗了晶圓405之內側三分之一區域420，而且涵蓋使用上述特定方式清洗晶圓405之內側三分之一區域420。例如，若晶圓405的直徑為約300毫米且半徑為約150毫米，第一點424則距晶圓邊緣414約151毫米至約160毫米。而且，內側三分之一區域邊界點426則距晶圓邊緣414約90毫米至約100毫米。
在某些實施例中，清潔液流422可與晶圓405之表面410呈約10度至約95度的角度。例如，清潔液流422可與晶圓405之表面410呈約90度。在特定實施例中，清潔液流422可為去離子水。然而，在其他實施例中，可根據不同應用所需，利用其他清潔液體或清潔氣體。
在特定實施例中，可在第二持續時間內執行此步驟。第二持續時間可能與第一持續時間不同而較第一持續時間短。第二持續時間可為例如約40秒至約70秒。在某些實施例中，第二持續時間可持續約60秒。而且，在進一步的實施例中，清潔液流之流率可為每秒約1600立方公分至每秒約2000立方公分。除此之外，如上所述，晶圓405可以第一旋轉速度旋轉。
第4C圖係根據一些實施例的第3圖之清洗中間三分之一處的操作306之視圖。請參考第4C圖，清洗中間三分之一處的操作306可包括清洗晶圓405之一中間三分之一區域430。中間三分之一區域430可為側向地環繞如第4B圖中的內側三分之一區域420的晶圓405之區域。請參考第4C圖，如上所述，中間三分之一區域430可在上述內側三分之一邊界開始（例如：具有一個端點）。而且，中間三分之一區域430可在中間三分之一邊界結束（例如：具有另一個端點）。中間三分之一邊界可在距晶圓邊緣414約十五分之四的晶圓半徑與距晶圓邊緣414約三十分之十一的晶圓半徑之間。例如，若晶圓405的直徑為約300毫米且半徑為約150毫米，中間三分之一區域430可涵蓋內側三分之一邊界至中間三分之一邊界的區域，且內側三分之一邊界係距晶圓405之邊緣414約90毫米至約100毫米，而中間三分之一邊界係距晶圓405之邊緣414約40毫米至約55毫米。
在各種實施例中，中間三分之一區域430之清洗可涵蓋從沿著內側三分之一邊界的內側三分之一區域邊界點426開始到沿著中間三分之一邊界的一中間三分之一區域邊界點434沿著直線施加清潔液流432。例如，若晶圓405的直徑為約300毫米且半徑為約150毫米，內側三分之一區域邊界點426則距晶圓邊緣414約90毫米至約100毫米，而中間三分之一區域邊界點434則距晶圓邊緣414約40毫米至約55毫米。
在某些實施例中，清潔液流432可與晶圓405之表面410呈約10度至約95度的角度。例如，清潔液流432可與晶圓405之表面410呈約90度。在特定實施例中，清潔液流432可為去離子水。然而，在其他實施例中，可根據不同應用所需，利用其他清潔液體或清潔氣體。
在特定實施例中，可在第二持續時間內執行此步驟。而且，在進一步的實施例中，清潔液流之流率可為每秒約1600立方公分至每秒約2000立方公分。除此之外，如上所述，晶圓405可以第一旋轉速度旋轉。
第4D圖係根據一些實施例的第3圖之清洗外側三分之一處的操作308之視圖。請參考第4D圖，清洗外側三分之一處的操作308可包括清洗晶圓405之一外側三分之一區域440。外側三分之一區域440可為側向地環繞如第4C圖中的中間三分之一區域430的晶圓405之區域。請參考第4D圖，外側三分之一區域440可距晶圓邊緣414的外側三分之一邊界開始。外側三分之一邊界可在距晶圓邊緣414約十五分之四晶圓半徑與距晶圓邊緣414約五分之二晶圓半徑之間。例如，若晶圓405的直徑為約300毫米且半徑為約150毫米，外側三分之一區域440可涵蓋從外側三分之一邊界至晶圓405之邊緣414（例如：與晶圓405之邊緣414相距0毫米）的區域，且外側三分之一邊界係距晶圓405之邊緣414約40毫米至約60毫米。
在各種實施例中，外側三分之一區域440之清洗可涵蓋從沿著延伸的外側三分之一邊界的一延伸的外側三分之一區域邊界點446開始到沿著晶圓405之邊緣414的一邊緣點448沿著直線施加清潔液流442。例如，若晶圓405的直徑為約300毫米且半徑為約150毫米，延伸的外側三分之一區域邊界點446則距晶圓邊緣414約40毫米至約60毫米。
在某些實施例中，清潔液流442可與晶圓405之表面410呈約10度至約95度的角度。例如，清潔液流442可與晶圓405之表面410呈約90度。在特定實施例中，清潔液流442可為去離子水。然而，在其他實施例中，可根據不同應用所需，利用其他清潔液體或清潔氣體。
在特定實施例中，如上所述，可在第一持續時間內執行此步驟。而且，在進一步的實施例中，清潔液流之流率可為每秒約1600立方公分至每秒約2000立方公分。除此之外，如上所述，晶圓405可以第一旋轉速度旋轉。
第4E圖係根據一些實施例的第3圖之單一清洗操作310之視圖。請參考第4E圖，可從晶圓405之中心412的晶圓405之旋轉軸408稍微偏移的一單一流動初始位置452開始分配一單一清潔液流450。單一流動初始位置452可在距晶圓中心412偏移晶圓直徑之三十分之一的範圍內。例如，若晶圓405的直徑為約300毫米，單一流動初始位置452可終止於距晶圓405之邊緣414約151毫米至約160毫米的位置。在某些實施例中，單一清潔液流450可距晶圓405之邊緣414約155毫米。
單一清潔液流450可以線性運動的方式被分配橫跨晶圓405，使得單一清潔液流450跨越晶圓405之中心412且抵達晶圓405之邊緣414（例如：與晶圓405之邊緣414相距0毫米）。在某些實施例中，單一清潔液流450可在超出晶圓405之邊緣414的點處終止，使得當單一清潔液流450跨越晶圓405時，一致的動量被施加到單一清潔液流450。例如，單一清潔液流450可在超出晶圓405之邊緣414晶圓直徑之約三十分之一的範圍內終止。
在某些實施例中，單一清潔液流450可與晶圓405之表面410呈約10度至約95度的角度。例如，單一清潔液流450可與晶圓405之表面410呈約90度。除此之外，在特定實施例中，單一清潔液流450可為去離子水。然而，在其他實施例中，可根據不同應用所需，利用其他清潔液體或清潔氣體。
在特定實施例中，如上所述，可在第二持續時間內執行此步驟。而且，在進一步的實施例中，清潔液流之流率可為每秒約1600立方公分至每秒約2000立方公分。除此之外，如上所述，晶圓405可以第一旋轉速度旋轉。
第4F圖係根據一些實施例的第3圖之氣體清潔操作312之視圖。請參考第4F圖，可從晶圓405之中心412的晶圓405之旋轉軸408稍微偏移的一單一氣流初始位置462開始分配一單一氣流460。單一氣流初始位置462可在距晶圓中心412偏移晶圓直徑之三十分之一的範圍內。例如，若晶圓405的直徑為約300毫米，單一氣流初始位置462可終止於距晶圓405之邊緣414約151毫米至約160毫米的位置。
單一氣流460可以線性運動的方式被分配橫跨晶圓405，使得單一氣流460跨越晶圓405之中心412且抵達晶圓405之邊緣414（例如：與晶圓405之邊緣414相距0毫米）。在某些實施例中，單一氣流460可在超出晶圓405之邊緣414的點處終止，使得當單一氣流460跨越晶圓405時，一致的動量被施加到單一氣流460。例如，單一氣流460可在超出晶圓405之邊緣414晶圓直徑之約三十分之一的範圍內終止。
在某些實施例中，單一氣流460可與晶圓405之表面410呈約5度至約85度的角度。除此之外，在特定實施例中，單一氣流460可為氮氣（N2 ）或異丙醇（isopropyl alcohol, IPA）。氮氣（N2 ）或異丙醇（isopropyl alcohol, IPA）可以約0.2帕斯卡至約0.3帕斯卡之壓力分配。然而，在其他實施例中，可根據不同應用所需，利用其他清潔氣體。
而且，在進一步的實施例中，晶圓405可以第二旋轉速度旋轉，且第二旋轉速度較第一旋轉速度快。第二旋轉速度可為，例如，約每分鐘1000轉至約每分鐘3000轉。在某些實施例中，第二旋轉速度可為約每分鐘1900轉。旋轉之方向可為逆時針方向或順時針方向。
在特定實施例中，可連續多次地（例如：循環地）執行此步驟，且在第三持續時間內執行步驟之每一次執行。重複執行之次數（例如：循環）可為兩次至十次。在某些實施例中，此步驟可連續持行五次。第三持續時間可較第一持續時間或第二持續時間短。例如，第三持續時間可為一秒至五秒。在某些實施例中，第三持續時間可持續約三秒。
本揭露的一些實施例提供一種清潔晶圓之方法。一種清潔晶圓之方法，包括圍繞在一晶圓之一中心的一旋轉軸旋轉晶圓。沿著一線施加一第一液流，且線從相鄰於晶圓之中心的晶圓上的一初始點開始，通過晶圓之中心，並在晶圓之一邊緣結束。施加一第二液流到從初始點開始並到一邊界點結束的線之內側三分之一處。施加一第三液流到從邊界點開始的線之中間三分之一處。施加一第四液流到結束於晶圓之邊緣的線之外側三分之一處。從初始點開始沿著線施加一第五液流並在晶圓之邊緣結束。從初始點開始沿著線施加一氣流並在晶圓之邊緣結束。
根據本揭露的一些實施例，第一液流以一第一角度施加，且第一角度與晶圓之一表面呈九十度以下，而第二液流以一第二角度施加，且第二角度與第一角度不同。根據本揭露的一些實施例，第三液流以一第三角度施加，且第三角度與第二角度不同。根據本揭露的一些實施例，第四液流以一第四角度施加，且第四角度與第一角度不同。根據本揭露的一些實施例，第五液流以一第五角度施加，且第五角度與第一角度不同。根據本揭露的一些實施例，氣流以一第六角度施加，且第六角度與第一角度相同。根據本揭露的一些實施例，第一液流以及第四液流在一第一持續時間被施加。根據本揭露的一些實施例，第二液流、第三液流以及第五液流在一第二持續時間被施加，且第二持續時間較第一持續時間短。
本揭露的一些實施例提供一種清潔晶圓之方法。方法包括圍繞在一晶圓之一中心的一旋轉軸旋轉晶圓。沿著一線施加一第一液流，線從相鄰於晶圓之中心的晶圓上的一初始點開始，通過晶圓之中心，並在晶圓之一邊緣結束。從相鄰於初始點的一偏移點開始沿著線施加一第二液流並在晶圓之邊緣結束，其中第一液流以及第二液流以一第一角度同時被施加，且第一角度與晶圓之一表面呈九十度以下。從初始點開始沿著線施加一氣流並在晶圓之邊緣結束，其中氣流以與晶圓之表面呈第一角度的方式施加。
根據本揭露的一些實施例，方法更包括當施加第一液流以及第二液流時，以一第一速度旋轉晶圓。當施加氣流時，以一第二速度旋轉晶圓，且第二速度較第一速度快。根據本揭露的一些實施例，方法更包括沿著線多次地施加氣流。根據本揭露的一些實施例，施加第一液流的期間較施加氣流的期間長。根據本揭露的一些實施例，方法更包括沿著從初始點開始到晶圓之邊緣結束的線施加一第三液流，其中第三液流以一第二角度施加，且第二角度與第一角度不同。
本揭露的一些實施例提供一種清潔晶圓之系統，系統包括一晶圓、一吸座、一第一噴嘴、一第二噴嘴以及一第三噴嘴。吸座係配置以圍繞在晶圓之一中心的一旋轉軸旋轉晶圓。第一噴嘴係配置以沿著一線施加一第一液流，線從相鄰於晶圓之中心的晶圓上的一初始點開始，通過晶圓之中心，並在晶圓之一邊緣結束。第二噴嘴係配置以從相鄰於初始點的一偏移點開始沿著線施加一第二液流，並在晶圓之邊緣結束，其中第一液流以及第二液流以一第一角度同時被施加，且第一角度與晶圓之一表面呈九十度以下。第三噴嘴係配置以沿著從初始點開始到晶圓之邊緣的線施加一氣流，其中氣流以與晶圓之表面呈第一角度之方式施加。
根據本揭露的一些實施例，第一噴嘴係配置以沿著從初始點開始到晶圓之邊緣的線施加一第三液流，其中第三液流以一第二角度施加，且第二角度與第一角度不同。根據本揭露的一些實施例，第一噴嘴係配置以較施加第一液流短的期間施加第三液流。根據本揭露的一些實施例，第一液流以及第二液流包括去離子水。根據本揭露的一些實施例，氣流之氣體係氮氣。根據本揭露的一些實施例，系統更包括一第四噴嘴，配置以沿著從初始點開始並結束於晶圓之邊緣的線施加一第三液流，其中第三液流以一第二角度施加，且第二角度與第一角度不同。
前面概述數個實施例之特徵，使得本技術領域中具有通常知識者可更好地理解本揭露之各方面。本技術領域中具有通常知識者應理解的是，可輕易地使用本揭露作為設計或修改其他製程以及結構的基礎，以實現在此介紹的實施例之相同目的及/或達到相同優點。本技術領域中具有通常知識者亦應理解的是，這樣的等效配置並不背離本揭露之精神以及範疇，且在不背離本揭露之精神以及範疇的情形下，可對本揭露進行各種改變、替換以及更改。
在本文中使用的用語「模組」，可指稱軟體、韌體、硬體或這些元件之任意組合，用於執行本文所描述的相關功能。除此之外，為了討論的目的，各種模組被描述為分離的模組。然而，對於本技術領域中具有通常知識者明顯的是，可結合兩個或多個模組以形成單一模組，且此單一模組可根據本揭露之實施例執行相關功能。
本技術領域中具有通常知識者更應理解的是，各種說明性的邏輯方塊、模組、處理器、手段、電路、方法以及功能之任一種，與本揭露各方面有連結者，可以藉由電子硬體（例如：數位實現、類比實現、或是兩者的組合）、韌體、程式之各種形式或包含指令的設計代碼（為方便起見，這裡可指為「軟體」或「軟體模組」），或是任一種這些技術的組合被實現。為了清楚地說明硬體、韌體以及軟體的這種可互換性，前面已經總體上根據功能描述了不同的說明性的構件、方塊、模組、電路和步驟。無論這種功能是否被實現為硬體、韌體或軟體，或這些技術的組合，取決於特定應用以及強加於整體系統的設計限制。技術人員可以針對每個特定應用以不同的方式實現上述的功能，但是這樣的實現決定並不背離本揭露之範疇。
除此之外，在本技術領域中具有通常知識者應理解的是，在這邊所提到的不同的說明性的邏輯方塊、模組、裝置、構件以及電路，可實現在積體電路（integrated circuit, IC）中或是藉由積體電路被進行，積體電路可包括一般目的處理器、數位信號處理器（digital signal processor, DSP）、特殊應用積體電路（application specific integrated circuit, ASIC）、場域可編程邏輯閘陣列（field programmable gate array, FPGA）或其他可編程邏輯儀器、或是任一種這些的組合。邏輯方塊、模組、以及電路可更包括天線及/或收發器以在網路中或是裝置中與不同的構件通信。一般目的處理器可為微處理器，但也可交替為習知的處理器、控制器、或是狀態機之任一種。處理器也可被實現為計算機裝置之組合，例如，數位信號處理器與微處理器、多個微處理器、一個或多個微處理器與數位信號處理器的核心接合的組合、或是任一種其他合適的結構以進行這邊所提到的功能。
除非另外特別說明，否則諸如「可」、「可以」、「可能」或「會」之類的條件用語，在上下文中通常被理解為用於表達特定實施例包括特定特徵、元件及/或步驟、而其他實施例不包括特定特徵、元件及/或步驟。 因此，這種條件用語通常不意圖隱含一個或多個實施例以任一種方式所需要的特徵、元件及/或步驟，或是不意圖隱含一個或多個實施例必然包括具有或不具有使用者放入或驅使的判斷邏輯，無論這些特徵、元件及/或步驟是否在任一特定實施例中被包括或進行。
除此之外，在讀過本揭露後，在本技術領域中具有通常知識者能夠配置功能實體以進行這邊所提到的操作。這裡所使用的用詞「配置」係關於特定的操作或是功能，可指為系統、裝置、構件、電路、結構、機器等物理上或是實際上被架構、編程及/或安排以進行特定的操作或是功能。
除非另外特別說明，否則選言（disjunctive）用語像是句子「X、Y、Z中之至少一個」，在上下文中通常被理解為用於表現項目、條目等可為X、Y、Z中之一或是任一個它們的組合（例如，X、Y、及/或Z）。因此，這種選言用語通常不意圖，且不應隱含需要至少一個X、至少一個Y、或至少一個Z出現的特定的實施例。
須強調的是，可對於上述的實施例、在其他可接受的範例中已知的元件作許多變化以及修改。所有這樣的修改以及變化意圖被包括本揭露之範疇中且由下述的申請專利範圍被保護。
100、150、202:清潔腔室 101、405:晶圓 102A、102B、152、154、156、158、160:噴嘴 103A、103B:流動 104A、104B:入射角 106A、106B:致動器 108A、108B:泵 110、412:中心/晶圓中心 112、414:邊緣 114、408:旋轉軸 116、170:清潔物質源 118:清潔液體 120:清潔氣體 122:吸座 172:清潔液體或清潔氣體 204:處理器 206:電腦可讀儲存模組 208:網路連接模組 210:使用者介面模組 212:控制器 300:製程 302、304、306、308、310、312:操作 404A、404B、422、432、442、450:清潔液流 406A、406B:稍微偏移的位置 410:表面 420:內側三分之一區域 424:第一點 426:內側三分之一區域邊界點 430:中間三分之一區域 434:中間三分之一區域邊界點 440:外側三分之一區域 446:外側三分之一區域邊界點 448:邊緣點 452:單一流動初始位置 460:單一氣流 462:單一氣流初始位置
第1A圖係根據一些實施例的具有可變角度分配噴嘴的清潔腔室之示意圖。 第1B圖係根據一些實施例的具有設定角度的分配噴嘴的清潔腔室之示意圖。 第2圖係根據一些實施例的自動化晶圓清潔系統之各種功能模組之方塊圖。 第3圖係根據一些實施例的自動化晶圓清潔製程之流程圖。 第4A圖、第4B圖、第4C圖、第4D圖、第4E圖以及第4F圖係根據一些實施例繪示第3圖之流程圖之自動化晶圓清潔製程之步驟。
無
300:製程
302、304、306、308、310、312:操作

Claims (10)

  1. 一種清潔晶圓之方法，包括：圍繞在一晶圓之一中心的一旋轉軸，旋轉該晶圓；沿著一線施加一第一液流，且該線從相鄰於該晶圓之該中心的該晶圓上的一初始點開始，通過該晶圓之該中心，並在該晶圓之一邊緣結束，其中該線為一直線，且該線沿著該晶圓之一直徑被區分成：最靠近該中心從該初始點開始並到一邊界點結束的該線之內側三分之一、最遠離該中心並到該晶圓之該邊緣結束的該線之外側三分之一、在該線之內側三分之一與該線之外側三分之一之間並從該邊界點開始的該線之中間三分之一；施加一第二液流到該線之內側三分之一；以及從該初始點開始沿著該線施加一氣流並在該晶圓之該邊緣結束。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之清潔晶圓之方法，更包括：施加一第三液流到該線之中間三分之一；施加一第四液流到該線之外側三分之一；以及從該初始點開始沿著該線施加一第五液流並在該晶圓之該邊緣結束。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之清潔晶圓之方法，其中該第一液流以一第一角度施加，且該第一角度與該晶圓之一表面呈零度以上九十度以下，而該第二液流以一第二角度施加，且該第二角度與該第一角度不同，該第三液流以一第三角度施加，且該第三角度與該第二角度不同，該第四液流以一第四角度施加，且該第四角度與該第一角度不同，該第五液流以一第五角度施加，且該第五角度與該第一角度不同，該氣流以一第六角度施加，且該第六角度與該第一角度相同。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之清潔晶圓之方法，其中該第一液流以及該第四液流在一第一持續時間被施加，其中該第二液流、該第三液流以及該第五液流在一第二持續時間被施加，且該第二持續時間較該第一持續時間短。
  5. 一種清潔晶圓之方法，包括：圍繞在一晶圓之一中心的一旋轉軸，旋轉該晶圓；沿著一線施加一第一液流，該線從相鄰於該晶圓之該中心的該晶圓上的一初始點開始，通過該晶圓之該中心，並在該晶圓之一邊緣結束，其中該線為一直線；從相鄰於該初始點的一偏移點開始沿著該線施加一第二液流並在該晶圓之該邊緣結束，其中該第一液流以及該第二液流以一第一角度同時被施加，且該第一角度與該晶圓之一表面呈零度以上九十度以下；以及從該初始點開始沿著該線施加一氣流並在該晶圓之該邊緣結束，其中該氣流以與該晶圓之該表面呈該第一角度的方式施加。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之清潔晶圓之方法，更包括：當施加該第一液流以及該第二液流時，以一第一速度旋轉該晶圓；以及當施加該氣流時，以一第二速度旋轉該晶圓，且該第二速度較該第一速度快。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之清潔晶圓之方法，更包括沿著該線多次地施加該氣流。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之清潔晶圓之方法，更包括沿著從該初始點開始到該晶圓之該邊緣結束的該線施加一第三液流，其中該第三液流以一第二角度施加，且該第二角度與該第一角度不同。
  9. 一種清潔晶圓之系統，包括： 一晶圓；一吸座，配置以圍繞在該晶圓之一中心的一旋轉軸旋轉該晶圓；一第一噴嘴，配置以沿著一線施加一第一液流，該線從相鄰於該晶圓之該中心的該晶圓上的一初始點開始，通過該晶圓之該中心，並在該晶圓之一邊緣結束，其中該線為一直線；一第二噴嘴，配置以從相鄰於該初始點的一偏移點開始沿著該線施加一第二液流，並在該晶圓之該邊緣結束，其中該第一液流以及該第二液流以一第一角度同時被施加，且該第一角度與該晶圓之一表面呈零度以上九十度以下；以及一第三噴嘴，配置以沿著從該初始點開始到該晶圓之該邊緣的該線施加一氣流，其中該氣流以與該晶圓之該表面呈該第一角度之方式施加。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之清潔晶圓之系統，其中該第一噴嘴係配置以沿著從該初始點開始到該晶圓之該邊緣的該線施加一第三液流，其中該第三液流以一第二角度施加，且該第二角度與該第一角度不同。
TW108129464A 2018-08-17 2019-08-19 清潔晶圓之方法以及系統 TWI761697B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862719563P 2018-08-17 2018-08-17
US62/719,563 2018-08-17
US16/539,315 US11342202B2 (en) 2018-08-17 2019-08-13 Automated wafer cleaning
US16/539,315 2019-08-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202023697A TW202023697A (zh) 2020-07-01
TWI761697B true TWI761697B (zh) 2022-04-21

Family

ID=69523400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108129464A TWI761697B (zh) 2018-08-17 2019-08-19 清潔晶圓之方法以及系統

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11342202B2 (zh)
CN (1) CN110838433B (zh)
TW (1) TWI761697B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102134261B1 (ko) * 2018-10-25 2020-07-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7464467B2 (ja) * 2020-07-01 2024-04-09 株式会社ディスコ ウェーハ洗浄装置
US12027382B2 (en) 2021-12-03 2024-07-02 Applied Materials, Inc. Surface cleaning with directed high pressure chemistry

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100154826A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Tokyo Electron Limited System and Method For Rinse Optimization
WO2010095848A2 (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 주식회사 한스머신 웨이퍼 결함 분석 시스템 및 그 제어방법
TW201507017A (zh) * 2013-03-14 2015-02-16 Tokyo Electron Ltd 用於基板清洗及乾燥之方法及設備
TW201513205A (zh) * 2013-07-19 2015-04-01 Ebara Corp 基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝置
US20160145761A1 (en) * 2011-08-01 2016-05-26 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
TW201703881A (zh) * 2015-07-17 2017-02-01 台灣積體電路製造股份有限公司 清潔晶圓之方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100452307C (zh) * 2005-03-21 2009-01-14 细美事有限公司 清洗和干燥晶片的方法
JP2010147262A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置、基板処理システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN102755980A (zh) * 2011-04-25 2012-10-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗刷和晶圆清洗装置
JP5712061B2 (ja) * 2011-06-16 2015-05-07 株式会社荏原製作所 基板処理方法及び基板処理ユニット
CN103346108A (zh) * 2013-06-27 2013-10-09 上海华力微电子有限公司 改善晶圆边缘光滑度的装置及方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100154826A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Tokyo Electron Limited System and Method For Rinse Optimization
WO2010095848A2 (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 주식회사 한스머신 웨이퍼 결함 분석 시스템 및 그 제어방법
US20160145761A1 (en) * 2011-08-01 2016-05-26 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
TW201507017A (zh) * 2013-03-14 2015-02-16 Tokyo Electron Ltd 用於基板清洗及乾燥之方法及設備
TW201513205A (zh) * 2013-07-19 2015-04-01 Ebara Corp 基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝置
TW201703881A (zh) * 2015-07-17 2017-02-01 台灣積體電路製造股份有限公司 清潔晶圓之方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200058522A1 (en) 2020-02-20
US11735440B2 (en) 2023-08-22
US11342202B2 (en) 2022-05-24
CN110838433A (zh) 2020-02-25
TW202023697A (zh) 2020-07-01
CN110838433B (zh) 2022-06-10
US20220262654A1 (en) 2022-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI761697B (zh) 清潔晶圓之方法以及系統
JP5123122B2 (ja) 基板の処理装置及び処理方法
US9802227B2 (en) Method of cleaning substrate processing apparatus
JP6573520B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2017005230A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI760640B (zh) 噴淋裝置及清洗設備
JP2009099851A (ja) 現像装置
JP2017050379A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5954776B2 (ja) 基板処理装置
JP2003086567A (ja) 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP6807162B2 (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP4621053B2 (ja) 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法
CN110957208A (zh) 晶圆洗边方法及晶圆清洗装置
TWI613703B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP6545464B2 (ja) 現像方法
JP2007048814A (ja) 基板保持装置、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP7201494B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6542613B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR200375036Y1 (ko) 감광막현상장치
KR20150000671A (ko) 기판 세정장치
JP6112509B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2002198349A (ja) 基板表面処理装置および基板表面処理方法
JP2000183013A (ja) 洗浄装置のノズル構造
JP2001038310A (ja) 枚葉式薬液洗浄方法および装置
KR20100076260A (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 방법