TW201513205A - 基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝置 - Google Patents

基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201513205A
TW201513205A TW103124359A TW103124359A TW201513205A TW 201513205 A TW201513205 A TW 201513205A TW 103124359 A TW103124359 A TW 103124359A TW 103124359 A TW103124359 A TW 103124359A TW 201513205 A TW201513205 A TW 201513205A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cleaning
substrate
sponge
cleaning device
machine
Prior art date
Application number
TW103124359A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI628710B (zh
Inventor
Takeshi Sakurai
Eiji Hirai
Kaoru Hamaura
Mitsuru Miyazaki
Koji Maruyama
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2013150506A external-priority patent/JP6345393B2/ja
Priority claimed from JP2013199471A external-priority patent/JP6224974B2/ja
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of TW201513205A publication Critical patent/TW201513205A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI628710B publication Critical patent/TWI628710B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B08B1/50
    • B08B1/52

Abstract

本發明提供一種可以潔淨之清洗部件清洗且使處理量提高的基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝置。 基板清洗機1具備:基板保持裝置10,其係保持基板W;第一清洗裝置11,其係具有與保持於基板保持裝置10之基板W的第一面WA接觸來清洗第一面WA之第一清洗部件11a;第二清洗裝置12,其係具有與保持於基板保持裝置10之基板W的第一面WA接觸來清洗第一面WA之第二清洗部件12a;及控制裝置50,其係以第一清洗部件11a及第二清洗部件12a之一方清洗保持於基板保持裝置10之基板W的第一面WA時,另一方在從保持於基板保持裝置10之基板W離開的位置之方式,控制第一清洗裝置11及第二清洗裝置12。

Description

基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝 置
本發明係關於一種基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝置,特別是關於以潔淨之清洗部件清洗且縮短清洗所需時間的基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝置。
半導體晶圓等之基板在對其表面實施銅鍍覆處理及CMP(化學機械研磨)處理之後,基板表面會殘留研磨屑及漿液。因此,基板研磨後,基板通常是藉由基板清洗裝置進行清洗處理。進行該清洗處理之清洗裝置,有的是設置了自我清洗裝置,其係具有滾筒型或筆型之清洗部件,藉由對旋轉之基板使清洗部件旋轉並摩擦,來進行基板之清洗,且為了清洗下一個基板,而針對因清洗1個基板而受污染之清洗部件進行淨化(例如參照專利文獻1)。此外,還有以在基板表面供給藥劑,同時以海綿筆或海綿滾筒等海綿清洗工具摩擦清洗基板表面,其後,在使海綿清洗工具接觸於基板表面之狀態下,在基板表面供給純水等沖淋液而構成的基板清洗裝置(例如參照專利文獻2、3)。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
[專利文獻1]日本特開平10-323631號公報
[專利文獻2]日本特開2002-43267號公報
[專利文獻3]日本特開2010-74191號公報
近年來,伴隨CMP加工對象之半導體元件等的微細化、薄膜化,研磨所需之時間有縮短之趨勢,且為了提高處理量,也要求縮短清洗所需之時間。但是,伴隨清洗時間之縮短而縮短實施自我清洗的時間時,會擔心清洗部件之淨化不充分。
有鑑於上述之問題,本發明之目的為提供一種可以潔淨之清洗部件清洗且使處理量提高的基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝置。
為了達成上述目的,本發明第一樣態之基板清洗機,例如第一圖(A)、第一圖(B)所示,其係具備:基板保持裝置10,其係保持具有第一面WA以及與第一面WA相反之第二面WB的基板W;第一清洗裝置11,其係具有與保持於基板保持裝置10之基板W的第一面WA接觸而清洗第一面WA之第一清洗部件11a;第二清洗裝置12,其係具有與保持於基板保持裝置10之基板W的第一面WA接觸而清洗第一面WA之第二清洗部件12a;及控制裝置50,其係以第一清洗部件11a及第二清洗部件12a之一方清洗保持於 基板保持裝置10之基板W的第一面WA時,另一方在從保持於基板保持裝置10之基板W離開的位置之方式,控制第一清洗裝置11及第二清洗裝置12。
如此構成時,在一方清洗部件清洗第一面期間,可確保淨化另一方清洗部件之時間,即使縮短清洗第一面所需時間,仍可以潔淨之清洗部件清洗第一面。
此外,本發明第二樣態之基板清洗機,例如第一圖(A)、第一圖(B)所示,上述本發明第一樣態之基板清洗機1中具備事前清洗裝置15、16,其係在提供用於清洗第一面WA之前清洗第一清洗部件11a及第二清洗部件12a;控制裝置50係以事前清洗裝置15、16清洗第一清洗部件11a及第二清洗部件12a中,未清洗保持於基板保持裝置10之基板W的第一面WA之一方的方式進行控制。
如此構成時,可確保更多清洗裝置事前清洗之時間,可使清洗第一面之前的清洗部件之潔淨度提高。
此外,本發明第三樣態之基板清洗機,例如第一圖(A)、第一圖(B)所示,上述本發明第二樣態之基板清洗機1中具備:處理室40,其係在內部收容基板保持裝置10、第一清洗裝置11、第二清洗裝置12及事前清洗裝置15、16;及拉出機構41(42),其係可對處理室40拉出第一清洗部件11a及第二清洗部件12a中之至少一方以及事前清洗裝置15(16)。
如此構成時,可以一方清洗部件清洗第一面,同時進行另一方清洗部件之維修,可縮短伴隨維修之停工時間(Down Time)。
此外,本發明第四樣態之基板清洗機,例如參照第一圖(A)、第一圖(B)所示,上述本發明第一樣態至第三樣態中任何一個樣態 之基板清洗機1A中,係以第二清洗部件12a清洗第一面WA時之清洗程度比以第一清洗部件11a清洗第一面WA時的清洗程度高之方式,構成第一清洗裝置11及第二清洗裝置12。
如此構成時,可依清洗部件之特性及狀況個別設定淨化或更換等的維修,且可延長清洗部件之壽命。
此外,本發明第五樣態之基板清洗機,例如參照第一圖(A)、第一圖(B)所示,上述本發明第一樣態至第四樣態中任何一個樣態之基板清洗機1A中,控制裝置50係以基板保持裝置10保持基板W後,以第一清洗部件11a清洗第一面WA,其次以第二清洗部件12a清洗第一面WA,從藉由第一清洗部件11a開始清洗第一面WA至藉由第二清洗部件12a清洗第一面WA完成,維持藉由基板保持裝置10保持基板W之方式,控制基板保持裝置10、第一清洗裝置11及第二清洗裝置12。
如此構成時,可使第一面之清洗性能提高,並從第一清洗部件之清洗轉移至第二清洗部件之清洗時,無須搬送基板即可完成,而縮短合計之基板搬送時間,可使處理量提高。
此外,本發明第六樣態之基板清洗裝置,例如第四圖所示,具備複數個上述本發明第一樣態至第五樣態中任何一個樣態之基板清洗機1A;複數個基板清洗機1A中之第一基板清洗機1AF配置於第一清洗線LF;複數個基板清洗機1A中之第二基板清洗機1AS配置於第一清洗線LF之外的第二清洗線LS;且進一步具備:第一追加基板處理部2F(3F),其係配置於第一清洗線LF;及第二追加基板處理部2S(3S),其係配置於第二清洗線LS。此處,第一基板清洗機1AF與第二基板清洗機1AS係以進行相同清洗之 方式構成;第一追加基板處理部係進行與第一基板清洗機1AF不同清洗之第一追加基板清洗機2F;第二追加基板處理部亦可係進行與第一追加基板清洗機2F相同清洗之第二追加基板清洗機2S。
如此構成時,由於第一清洗線及第二清洗線分別具備基板清洗機,因此,即使兩階段進行以1個模組進行之清洗時,不致跨越另外清洗線進行,可以單一清洗線進行,而程序可並列進行。
此外,本發明第七樣態的清洗完成基板之製造方法,例如參照第一圖(A)、第一圖(B)及第三圖所示,係以上述本發明第一樣態至第五樣態中任何一個樣態之基板清洗機1A清洗清洗前之基板W的清洗前基板,而製造清洗後之基板W的清洗完成基板之方法,且具備:基板保持工序(S2),其係以基板保持裝置10保持基板W;第一清洗工序(S4),其係以第一清洗部件11a清洗基板保持裝置10所保持之基板W;退出工序(S5),其係在第一清洗工序(S4)之後,基板保持裝置10保持基板W狀態下,使第一清洗部件11a從基板W退出;及第二清洗工序(S7),其係在退出工序(S5)之後,繼續以第二清洗部件12a清洗基板保持裝置10所保持之基板W。
如此構成時,從第一清洗部件之清洗轉移至第二清洗部件之清洗時,無須搬送基板即可完成,可縮短合計之基板搬送時間,且可使處理量提高。
此外,本發明第八樣態之基板處理裝置,例如第七圖所示,具備:上述本發明第一樣態至第五樣態中任何一個樣態之基板清洗機1A;及基板處理機83,其係在基板清洗機1A進行清洗前處理基板W(例如參照第一圖(A)、第一圖(B))。或是例如第七圖所示,亦可為基板處理裝置100, 其具備:上述本發明第六樣態之基板清洗裝置104;及基板處理機83,其係在基板清洗裝置104進行清洗前處理基板W(例如參照第一圖(A)、第一圖(B))。
如此構成時,成為處理量提高之基板處理裝置。
此外,本發明第九樣態之基板清洗裝置,例如第八圖所示,具備:基板保持部,其係保持基板而使其旋轉;海綿清洗工具842,其係在本身之中心軸線周圍旋轉同時接觸於基板表面;藥劑供給噴嘴,其係在基板表面供給藥劑;及藥劑供給機構853,其係在海綿清洗工具842上直接供給藥劑。
過去以在基板表面供給藥劑並以海綿清洗工具摩擦清洗基板表面,其後,在使海綿清洗工具接觸於基板表面之狀態下,在基板表面供給純水等沖淋液的方式構成之基板清洗裝置,在清洗其次之基板時,先前基板沖淋處理時使用之沖淋液會從海綿清洗工具滲出而稀釋基板表面上的藥劑。因而,在海綿清洗工具與基板表面之界面的藥劑濃度降低,導致清洗性能降低。如本發明第九樣態之基板清洗裝置而構成時,可防止因為存在先前基板清洗時使用的沖淋液而造成藥劑濃度降低。
採用本發明時,在一方清洗部件清洗第一面期間,可確保淨化另一方清洗部件之時間,即使縮短清洗第一面所需時間,仍可以潔淨之清洗部件清洗第一面。
1、1A、2‧‧‧基板清洗機
3‧‧‧乾燥機
10‧‧‧輥
10a‧‧‧軸線
10g‧‧‧溝部
11‧‧‧第一清洗裝置
11a‧‧‧第一海綿滾筒
11b‧‧‧第一移動裝置
12‧‧‧第二清洗裝置
12a‧‧‧第二海綿滾筒
12b‧‧‧第二移動裝置
13a‧‧‧第三海綿滾筒
15‧‧‧第一自我清洗裝置
15a‧‧‧清洗板
15b‧‧‧純水噴嘴
15c‧‧‧藥劑噴嘴
16‧‧‧第二自我清洗裝置
16a‧‧‧清洗板
16b‧‧‧純水噴嘴
16c‧‧‧藥劑噴嘴
20‧‧‧夾盤
21‧‧‧第一清洗裝置
21a‧‧‧第一海綿筆
21b‧‧‧第一支臂
21c‧‧‧第一移動裝置
22‧‧‧第二清洗裝置
22a‧‧‧第二海綿筆
22b‧‧‧第二支臂
22c‧‧‧第二移動裝置
25‧‧‧第一自我清洗裝置
25a‧‧‧清洗板
25b‧‧‧純水噴嘴
25c‧‧‧藥劑噴嘴
26‧‧‧第二自我清洗裝置
26a‧‧‧清洗板
26b‧‧‧純水噴嘴
26c‧‧‧藥劑噴嘴
40‧‧‧處理室
40a‧‧‧第一快門
40b‧‧‧第二快門
40w‧‧‧搬入搬出快門
41‧‧‧第一拉出機構
42‧‧‧第二拉出機構
45a、45b‧‧‧表面化學噴嘴
46a、46b‧‧‧表面沖淋噴嘴
48‧‧‧背面化學噴嘴
49‧‧‧背面沖淋噴嘴
50‧‧‧控制裝置
52‧‧‧第一機器人手臂
53‧‧‧第二機器人手臂
20a‧‧‧夾盤爪
20b‧‧‧旋轉驅動軸
60‧‧‧控制裝置
81‧‧‧匣盒
82‧‧‧搬送機器人
83‧‧‧研磨裝置
83a‧‧‧研磨台
83b‧‧‧上方環形轉盤
83c‧‧‧研磨液供給噴嘴
83d‧‧‧修整器
83e‧‧‧霧化器
83f‧‧‧升降機
83g‧‧‧推動器
83h‧‧‧反轉機
100‧‧‧基板處理裝置
101‧‧‧機殼
101a、101b、101c‧‧‧間隔壁
102‧‧‧裝載/卸載部
103‧‧‧研磨部
104‧‧‧基板清洗裝置
145‧‧‧第一表面化學噴嘴
146‧‧‧第一表面沖淋噴嘴
245‧‧‧第二表面化學噴嘴
246‧‧‧第二表面沖淋噴嘴
250‧‧‧控制裝置
842‧‧‧海綿筆
844‧‧‧支臂
850‧‧‧回旋軸
851‧‧‧清洗工具移動機構
853‧‧‧藥劑供給機構
854‧‧‧支撐軸桿
855‧‧‧清洗工具旋轉機構
857‧‧‧藥劑供給源
858‧‧‧供給管
860‧‧‧藥劑流路
860a‧‧‧貫穿孔
860b‧‧‧縱孔
860c‧‧‧第一貫穿孔
860d‧‧‧第二貫穿孔
860e‧‧‧縱孔
860f‧‧‧橫孔
860g‧‧‧環狀溝
860h‧‧‧縱孔
LF‧‧‧第一清洗線
LS‧‧‧第二清洗線
W‧‧‧基板
WA‧‧‧表面
WB‧‧‧背面
第一圖(A)係顯示本發明第一種實施形態之基板清洗機的 概略構成之前視圖。第一圖(B)係顯示本發明第一種實施形態之基板清洗機的概略構成之側視圖。
第二圖係說明本發明第一種實施形態之基板清洗機的動作之時間圖。
第三圖係說明本發明第一種實施形態之變形例的基板清洗機之動作的流程圖。
第四圖係本發明第二種實施形態之基板清洗裝置的概略側視圖。
第五圖(A)係顯示本發明第一種實施形態之變形例的基板清洗機之概略構成的前視圖。第五圖(B)係顯示本發明第一種實施形態之變形例的基板清洗機之概略構成的側視圖。
第六圖(A)係顯示第五圖(A)所示之基板清洗機的支臂之配置的第一變形例之前視圖。第六圖(B)係顯示第五圖(A)所示之基板清洗機的支臂之配置的第二變形例之前視圖。
第七圖係顯示安裝本發明第二種實施形態之基板清洗裝置的基板處理裝置整體構成之前視圖。
第八圖係顯示包含藥劑供給機構之基板清洗機的一部分模式圖。
第九圖(A)係顯示海綿筆之一例的剖面圖。第九圖(B)係第九圖(A)之A-A線剖面圖。
第十圖(A)係顯示海綿筆之其他例的剖面圖。第十圖(B)係第十圖(A)之B-B線剖面圖。
第十一圖(A)係顯示海綿筆之又其他例的剖面圖。第十一圖(B)係第十一圖(A)之C-C線剖面圖。
第十二圖(A)係顯示海綿筆之又其他例的剖面圖。第十二圖(B) 係第十二圖(A)之D-D線剖面圖。
第十三圖(A)係顯示海綿筆之又其他例的剖面圖。第十三圖(B)係第十三圖(A)之E-E線剖面圖。
第十四圖(A)係顯示海綿筆之又其他例的剖面圖。第十四圖(B)係第十四圖(A)之F-F線剖面圖。
第十五圖係顯示基板清洗裝置之又其他實施形態圖。
第十六圖(A)係第十五圖所示之海綿筆之剖面圖。第十六圖(B)係第十五圖所示之海綿筆的俯視圖。
本申請案係依據在日本於2013年7月19日提出申請之特願2013-150506號及在日本於2013年9月26日提出申請之特願2013-199471號,其內容作為本申請案之內容而形成其一部分。此外,本發明藉由以下之詳細說明應可進一步完全理解。本發明之進一步應用範圍藉由以下之詳細說明應可明瞭。但是,詳細之說明及特定之實例係本發明希望之實施形態,且僅為了說明之目的而記載者。因為熟悉本技術之業者可從該詳細之說明瞭解各種變更、改變皆在本發明之精神與範圍內。本案申請人亦無將所記載之任何實施形態公開於大眾的意圖,所揭示之改變、替代方案中,雖可能在文詞上並未包含於申請專利範圍內,然依均等論仍屬於本發明之一部分。
以下,參照圖式說明本發明之實施形態。另外,各圖中,在彼此相同或相當之部件上註記相同或類似符號,而省略重複之說明。
首先,參照第一圖(A)及第一圖(B),說明本發明第一種 實施形態之基板清洗機1。第一圖(A)係顯示基板清洗機1之概略構成的前視圖,第一圖(B)係顯示基板清洗機1之概略構成的側視圖。基板清洗機1(以下簡稱為「清洗機1」)具備作為保持基板W之基板保持裝置的4個輥10、作為第一個清洗裝置之第一清洗裝置11、作為第二個清洗裝置之第二清洗裝置12、作為事前清洗裝置之第一自我清洗裝置15及第二自我清洗裝置16、收容前述元件或裝置之處理室40、以及控制裝置50。基板清洗機清洗之基板W具有作為第一面之表面WA及作為第二面之背面WB,本實施形態係說明圓形平板狀之半導體基板。基板W典型而言係將依配線圖案之溝形成於表面WA的附二氧化矽膜之圓形基板,且例如在該二氧化矽膜上形成作為障壁金屬之氮化鈦膜及氮化鉭膜,並在其上形成鎢膜及銅膜等,而形成各種膜。
各輥10大致形成圓柱狀,並以圓柱之軸線形成垂直的方式配設。各輥10在垂直配置時之上端附近,於軸線10a周圍之全周形成有寬度比基板W的厚度稍大之溝部10g。溝部10g中之所謂比基板W厚度稍大的寬度,典型而言,係不影響基板W之周緣部對溝部10g出入,而可穩定保持基板W之寬度。溝部10g係形成保持基板W時基板W不致輕易脫離之深度。本實施形態設置4個之各輥10在相同高度形成溝部10g。藉此,藉由4個輥10構成可在表面WA為水平狀態下保持基板W。
本實施形態如上述係設有4個輥10,不過亦可係3個,亦可係5個以上。各輥10分別構成可藉由伺服馬達等驅動裝置(無圖示)而在軸線10a周圍旋轉。此外,各輥10所配置的位置在於:使基板W之周緣部與溝部10g嚙合而保持基板W時,不致對基板W作用過度之撓曲力,而以藉由軸線 10a周圍之旋轉,可使基板W在與各輥10之旋轉方向相反的方向上旋轉之力,保持基板W的位置。此外,各輥10係以相互之位置關係不致妨礙搬送基板W的機器人手臂52動作之範圍,可穩定保持基板W之方式配置。各輥10可在基板W之周緣部與溝部10g嚙合的保持位置、與基板W之周緣部不與溝部10g嚙合的解除位置之間移動。
第一清洗裝置11具有:作為清洗基板W之表面WA的第一清洗部件之第一海綿滾筒11a;及使第一海綿滾筒11a移動之第一移動裝置11b。第一海綿滾筒11a係比基板W之直徑長的圓柱狀海綿。第一海綿滾筒11a係以在保持於各輥10之基板W的上方,長度方向與基板W平行之方式配設。第一海綿滾筒11a之圓柱狀側面成為清洗基板W之面。第一海綿滾筒11a典型而言由多孔質之PVA製海綿構成,不過亦可係發泡聚氨酯製者,形成於海綿中之孔的平均直徑愈小,除去微粒子之能力愈高。第一海綿滾筒11a以圓柱狀之一端支撐於第一移動裝置11b。第一海綿滾筒11a可以圓柱狀之軸線為中心而旋轉。
第一移動裝置11b具有使支撐之第一海綿滾筒11a在軸線周圍旋轉的旋轉機構(無圖示)。第一移動裝置11b伴隨本身之移動,可使第一海綿滾筒11a在清洗基板W之位置與第一自我清洗裝置15的位置之間移動。本實施形態之第一移動裝置11b係可在第一海綿滾筒11a對保持於各輥10之基板W接觸而清洗時的第一海綿滾筒11a之位置、與從該處以垂直方向至第一自我清洗裝置15的高度之間垂直移動,並且可在第一自我清洗裝置15之某個位置、與從該處以水平方向平面觀察中清洗基板W時的位置之間水平移動。
第二清洗裝置12係第一清洗裝置11之外的清洗裝置。本實施形態之第二清洗裝置12與第一清洗裝置11具有相同構成方式,且具有作為清洗基板W之表面WA的第二清洗部件之第二海綿滾筒12a、及使第二海綿滾筒12a移動之第二移動裝置12b。第二清洗裝置12之第二海綿滾筒12a及第二移動裝置12b分別相當於第一清洗裝置11之第一海綿滾筒11a及第一移動裝置11b。第二海綿滾筒12a與第一海綿滾筒11a具有相同結構,且同樣地動作。第二移動裝置12b與第一移動裝置11b具有相同結構,且除了以平面視角觀察時,在清洗基板W時之位置與第二自我清洗裝置16的某個位置之間可以水平移動這一點之外,其餘皆與第一移動裝置11b以相同方式動作。
本實施形態之清洗機1進一步具有作為清洗基板W之背面WB的第三清洗部件之第三海綿滾筒13a。第三海綿滾筒13a亦具有與第一海綿滾筒11a及第二海綿滾筒12a同樣之材質、大小及形狀。第三海綿滾筒13a以圓柱狀之一端支撐於第三移動裝置(無圖示)。第三移動裝置(無圖示)可使第三海綿滾筒13a在與保持於各輥10之基板W的背面WB接觸之位置與從背面WB離開的位置(下方位置)之間垂直方向移動。
第一自我清洗裝置15係淨化清洗基板W之表面WA而受到污染的第一海綿滾筒11a之裝置。藉由第一自我清洗裝置15進行之自我清洗,係在用於清洗表面WA之前(事前)使第一海綿滾筒11a本身潔淨者,且相當於事前清洗。本實施形態之第一自我清洗裝置15具有清洗板15a、供給純水之純水噴嘴15b、及供給用於自我清洗之藥劑的藥劑噴嘴15c。清洗板15a係適合除去附著於第一海綿滾筒11a之異物的部件,本實施形態係使用石英板。第一自我清洗裝置15典型而言進一步具有清洗槽(無圖示),其係避免 從純水噴嘴15b供給之純水及從藥劑噴嘴15c供給的藥劑飛濺而加以收集。第一自我清洗裝置15係在軸線周圍旋轉之第一海綿滾筒11a上噴灑純水及/或藥劑,同時將第一海綿滾筒11a按壓於清洗板15a,藉以除去附著於第一海綿滾筒11a之異物而加以淨化。
第二自我清洗裝置16係淨化清洗基板W之表面WA而受到污染的第二海綿滾筒12a之裝置。第二自我清洗裝置16與第一自我清洗裝置15具有相同結構,本實施形態係具有清洗板16a、純水噴嘴16b、及藥劑噴嘴16c。第二自我清洗裝置16之清洗板16a、純水噴嘴16b、及藥劑噴嘴16c,分別相當於第一自我清洗裝置15之清洗板15a、純水噴嘴15b、及藥劑噴嘴15c,且與對應之部件具有相同結構。
第一自我清洗裝置15與第二自我清洗裝置16在以平面視角觀察中,在保持於各輥10之基板W的外側,將基板W夾在兩者之間的方式,以通過保持於各輥10之基板W中心的假設直線為軸而線對稱配置。第一自我清洗裝置15及第二自我清洗裝置16在高度方向之配置,典型而言,在被各輥10所保持之基板W的上方,不過亦可不在被各輥10所保持之基板W的上方。第一清洗裝置11可在表面WA上之位置與第一自我清洗裝置15之間移動。第二清洗裝置12可在表面WA上之位置與第二自我清洗裝置16之間移動。
本實施形態之清洗機1進一步具有:對保持於各輥10之基板W的表面WA供給藥劑之2個表面化學噴嘴45a、45b;及供給純水之2個表面沖淋噴嘴46a、46b。本實施形態係將表面化學噴嘴45a與表面沖淋噴嘴46a鄰接配置,且將表面化學噴嘴45b與表面沖淋噴嘴46b鄰接配置。而後,表 面化學噴嘴45a及表面沖淋噴嘴46a、以及表面化學噴嘴45b及表面沖淋噴嘴46b係將保持於各輥10之基板W的中心作為對稱中心而對稱配置。此外,本實施形態之清洗機1還具有:對保持於各輥10之基板W的背面WB供給藥劑之背面化學噴嘴48;及供給純水的背面沖淋噴嘴49。此等噴嘴45a、45b、46a、46b、48、49係藉由各海綿滾筒11a、12a、13a清洗基板W之表面WA或背面WB時,排出藥劑或純水。
處理室40大致形成立方體狀。處理室40中設有:搬入搬出快門40w,其係形成基板W對處理室40之內外出入的開口;第一快門40a,其係形成第一海綿滾筒11a及第一自我清洗裝置15出入之開口;及第二快門40b,其係形成第二海綿滾筒12a及第二自我清洗裝置16出入之開口。藉由第一快門40a而開關之處理室40的開口,係以將在第一自我清洗裝置15位置之第一海綿滾筒11a的軸線延伸於第一移動裝置11b相反側之延長線(假設直線)接觸於處理室40的位置,第一海綿滾筒11a及第一自我清洗裝置15可出入之大小而形成。藉由第二快門40b而開關之處理室40的開口,係以將在第二自我清洗裝置16位置之第二海綿滾筒12a的軸線延伸於第二移動裝置12b相反側之延長線(假設直線)接觸於處理室40的位置,第二海綿滾筒12a及第二自我清洗裝置16可出入之大小而形成。
藉由搬入搬出快門40w而開關之處理室40的開口,係以在第一快門40a與第二快門40b之間,機器人手臂52所握持之基板W可出入的大小而形成。在第一快門40a與第一自我清洗裝置15之間設有第一拉出機構41,其係將收容第一海綿滾筒11a之第一自我清洗裝置15引導於處理室40之外。在第二快門40b與第二自我清洗裝置16之間設有第二拉出機構42,其係 將收容第二海綿滾筒12a之第二自我清洗裝置16引導於處理室40之外。另外,第一海綿滾筒11a及第一自我清洗裝置15出入之方向、第二海綿滾筒12a及第二自我清洗裝置16出入之方向、及機器人手臂52所握持之基板W出入的方向不限於第一圖(A)所示之方向,亦可依清洗機1之設置樣態而適當變更。
控制裝置50係藉由控制各輥10在平面觀察中之移動及軸線10a周圍的旋轉,可控制基板W藉由各輥10之保持、解除、及基板W在水平面內之旋轉。此外,控制裝置50係可控制第一海綿滾筒11a及第二海綿滾筒12a之旋轉、以及第一移動裝置11b及第二移動裝置12b之移動。此外,控制裝置50係可控制第一自我清洗裝置15及第二自我清洗裝置16之工作、停止。此外,控制裝置50係可控制有無從2個表面化學噴嘴45a、45b、2個表面沖淋噴嘴46a、46b、背面化學噴嘴48、背面沖淋噴嘴49供給藥劑或純水。此外,控制裝置50係可控制搬入搬出快門40w之開關。
其次,參照第二圖說明清洗機1之作用。第二圖係清洗機1之動作的時間圖。在以下之說明中,提及清洗機1之構成時,適切參照第一圖(A)及第一圖(B)。此外,清洗機1之構成部件的動作係藉由控制裝置50來控制。清洗機1停止時,第一清洗裝置11在第一自我清洗裝置15之位置,第二清洗裝置12在第二自我清洗裝置16之位置(T0)。此時,處理室40中沒有基板W。清洗機1工作時,基板W藉由機器人手臂52搬入處理室40中,所搬入之基板W將表面WA朝向上方而藉由各輥10加以保持並使其旋轉(T0~T1)。基板W之旋轉伴隨各輥10在軸線10a周圍之旋轉來進行。另外,基板W被各輥10保持時,機器人手臂52從處理室40退出。
當上述基板W進行搬送時,第一清洗裝置11從第一自我清洗裝置15之位置移動至保持於各輥10而旋轉的基板W之位置,第一海綿滾筒11a接觸於基板W之表面WA(T1)。此時之第一清洗裝置11的詳細動作如下。第一清洗裝置11首先在第一自我清洗裝置15之位置藉由向上方移動,而從清洗板15a離開第一海綿滾筒11a。第一清洗裝置11其次水平移動,其後下降,俾使第一海綿滾筒11a接觸於基板W之表面WA。該第一清洗裝置11之移動,從提高處理量之觀點而言,宜與基板W之搬送並列進行。此外,從抑制瑕疵增加等對清洗性能之不良影響的觀點而言,當基板W之旋轉速度達到適合爾後清洗處理的指定旋轉速度後,第一海綿滾筒11a宜可接觸於表面WA。再者,從提高處理量之觀點而言,控制裝置50宜以在基板W之旋轉速度達到指定旋轉速度後不致延誤地(典型而言,與到達指定之旋轉速度的同時)使第一海綿滾筒11a接觸於表面WA的方式,控制第一海綿滾筒11a的移動。
第一海綿滾筒11a接觸於旋轉中之基板W時,從各表面化學噴嘴45a、45b對表面WA供給藥劑,並從各表面沖淋噴嘴46a、46b供給純水。藉由第一海綿滾筒11a對供給藥劑及純水之旋轉中的基板W接觸並在軸線周圍旋轉,來進行表面WA之清洗(T1~T2)。藉由第一海綿滾筒11a進行表面WA之清洗期間,第二海綿滾筒12a在從基板W離開之第二自我清洗裝置16的位置進行自我清洗。
基板W之清洗結束,在開始其次基板W的清洗之前(T2~T3),進行以下之動作。首先,第一海綿滾筒11a從旋轉中之基板W離開。而後,基板W伴隨各輥10停止在軸線10a周緣旋轉而停止旋轉,並藉由機器 人手臂52搬出處理室40之外。搬出經清洗機1清洗的基板W之後,未清洗之另外基板W藉由機器人手臂52搬入處理室40內。所搬入之基板W藉由各輥10保持並使其旋轉。此期間,第一清洗裝置11以與從第一自我清洗裝置15之位置移動至基板W的表面WA時相反之動作,移動至第一自我清洗裝置15的位置,開始第一海綿滾筒11a之自我清洗。另外,第二清洗裝置12結束第二海綿滾筒12a之自我清洗,從第二自我清洗裝置16之位置移動至保持於各輥10之基板W的位置,第二海綿滾筒12a與旋轉中之基板W的表面WA接觸。此時,由於第二海綿滾筒12a在第一海綿滾筒11a進行表面WA之清洗的期間(T1~T2)係進行自我清洗,因此形成徹底潔淨之狀態。另外,第二清洗裝置12之移動(上方移動、水平移動、下降之動作)及第二海綿滾筒12a接觸於表面WA的時序,與上述第一清洗裝置11之動作的時序相同。此外,第一清洗裝置11及第二清洗裝置12分別移動時,係藉由控制裝置50調整時序以避免彼此干擾。
第二海綿滾筒12a接觸於旋轉中之基板W後,第二清洗裝置12按照與上述第一清洗裝置11清洗表面WA相同的要領進行表面WA之清洗(T3~T4)。換言之,在時間T3~T4之清洗,係將在時間T1~T2進行之清洗中使用的第一海綿滾筒11a替換成第二海綿滾筒12a者。藉由第二海綿滾筒12a進行表面WA之清洗的期間,第一海綿滾筒11a在從基板W離開之第一自我清洗裝置15的位置繼續進行自我清洗。
基板W之清洗結束,在開始下一基板W的清洗之前(T4~T5),進行與時間T2~T3進行之搬送大致同樣的動作。在時間T4~T5進行之搬送與在時間T2~T3進行的搬送不同之處在於第一清洗裝置11與第二清 洗裝置12之替換。換言之,首先,第二海綿滾筒12a從旋轉中之基板W離開。而後,基板W之旋轉停止,並藉由機器人手臂52搬出處理室40之外,代之以將未清洗的另外基板W搬入處理室40中,藉由各輥10保持並使其旋轉。此期間,第二清洗裝置12移動至第二自我清洗裝置16之位置,開始第二海綿滾筒12a之自我清洗。另外,第一清洗裝置11結束第一海綿滾筒11a之自我清洗,從第一自我清洗裝置15之位置移動至基板W的位置,第一海綿滾筒11a接觸於旋轉中之基板W的表面WA。
以下,時間T5~T6係進行與在時間T1~T2之清洗相同的清洗,時間T6~T7係進行與在時間T2~T3之搬送相同的搬送,其以後之動作亦同樣地重複進行。另外,以上參照第二圖之說明省略了清洗表面WA時(T1~T2、T3~T4、……),第三海綿滾筒13a亦接觸於背面WB,分別從背面化學噴嘴48供給藥劑以及從背面沖淋噴嘴49供給純水,來進行背面WB之清洗。此外,進行基板W之搬送時(T2~T3、T4~T5、……),第三海綿滾筒13a從保持於各輥10之基板W離開而退出到下方,進行基板W之替換,未清洗之基板W被各輥10保持而旋轉之後,移動至上方,並以接觸於背面WB之方式上下移動。本實施形態之第三海綿滾筒13a退出到下方時,不進行自我清洗等之事前清洗,不過亦可構成進行事前清洗。
以上說明之清洗機1,由於係在一方海綿滾筒(例如第一海綿滾筒11a)清洗基板W之表面WA的期間,另一方海綿滾筒(例如第二海綿滾筒12a)繼續進行自我清洗,因此,自我清洗時間不受基板W搬送時間的約束。因而,可充分確保進行海綿滾筒自我清洗之時間,且向處理室40中搬送基板W後可迅速開始基板W之清洗,且清洗程度不致降低,而可使處 理量提高。此外,因海綿滾筒達到使用壽命而更換等,進行第一清洗裝置11或第二清洗裝置12之維修時,藉由從處理室40拉出進行自我清洗之一方清洗裝置進行維修,可進行一方清洗裝置之維修,並以另一方清洗裝置的海綿滾筒繼續清洗基板W,而可減少因維修造成清洗機1的停工時間。
以上之說明係第一海綿滾筒11a與第二海綿滾筒12a係相同者,不過亦可以不同性能構成。例如,可舉出藉由使用第二海綿滾筒12a之形成於海綿的孔平均直徑比第一海綿滾筒11a小者等,而構成第二海綿滾筒12a之清洗性能比第一海綿滾筒11a高,並使用第一海綿滾筒11a作為粗清洗,而使用第二海綿滾筒12a作為加工清洗。如此,以第一海綿滾筒11a與第二海綿滾筒12a使清洗程度不同者構成清洗機1A,而與前述之清洗機1作區別。清洗機1A除了第一海綿滾筒11a及第二海綿滾筒12a之清洗程度不同之外,係與清洗機1相同構成。以下,說明清洗機1A典型之動作例。
第三圖係說明本發明第一種實施形態之變形例的清洗機1A之動作的流程圖。以下說明中,提及清洗機1A之構成時,適切參照第一圖(A)及第一圖(B)。此外,清洗機1A構成部件之動作係藉由控制裝置50來控制。清洗機1A停止時,第一清洗裝置11在第一自我清洗裝置15之位置,第二清洗裝置12在第二自我清洗裝置16之位置,且處理室40中沒有基板W。清洗機1A工作時,藉由機器人手臂52將基板W搬入處理室40中(S1)。所搬入之基板W藉由各輥10保持並使其旋轉(基板保持工序;S2)。另外,基板W被各輥10保持時,機器人手臂52從處理室40退出。
當上述基板W進行搬送時,第一清洗裝置11從第一自我清洗裝置15之位置移動至保持於各輥10而旋轉的基板W之位置,第一海綿滾筒 11a接觸於基板W之表面WA(S3)。至此之作用也包含基板W之搬入及第一清洗裝置11之移動時序、及基板W之旋轉速度及第一海綿滾筒11a對表面WA的接觸時序等,皆與清洗機1同樣。第一海綿滾筒11a接觸於表面WA後,進行表面WA之粗清洗(第一清洗工序;S4)。表面WA之粗清洗中(S4),典型而言,係從各表面化學噴嘴45a、45b在表面WA上供給藥劑,不過,亦可從表面沖淋噴嘴46a、46b供給純水。清洗機1A中亦與清洗機1同樣地,在以第一海綿滾筒11a清洗表面WA期間,第二海綿滾筒12a藉由第二自我清洗裝置16進行自我清洗。
表面WA之粗清洗(S4)結束後,第一海綿滾筒11a從表面WA離開而向第一自我清洗裝置15移動(退出工序;S5)。第一海綿滾筒11a從表面WA退出後,在第二自我清洗裝置16位置之第二清洗裝置12以與第一海綿滾筒11a替換之方式,移動至旋轉中之基板W位置而接觸於表面WA(S6)。第一海綿滾筒11a從表面WA退出,在第二海綿滾筒12a接觸於表面WA之前,基板W維持保持在各輥10之狀態,典型而言,基板W之旋轉速度亦維持在指定的旋轉速度。另外,第一海綿滾筒11a從表面WA退出後,若在第二海綿滾筒12a接觸之前基板W仍為指定之旋轉速度時,亦可暫時使旋轉速度降低(包含零)。
第二海綿滾筒12a接觸於表面WA後,進行表面WA之加工清洗(第二清洗工序;S7)。表面WA之加工清洗中(S7),典型而言,係從各表面沖淋噴嘴46a、46b供給純水至表面WA,不過亦可從各表面化學噴嘴45a、45b供給藥劑。清洗機1A中仍與清洗機1同樣地,在以第二海綿滾筒12a清洗表面WA期間,第一海綿滾筒11a藉由第一自我清洗裝置15進行自我清 洗。表面WA之加工清洗(S7)結束後,第二海綿滾筒12a從表面WA離開並向第二自我清洗裝置16移動(S8)。第二海綿滾筒12a從表面WA離開後,停止基板W之旋轉,並解除各輥10對基板W之保持(S9)。解除保持之基板W藉由機器人手臂52搬出處理室40之外(S10)。另外,清洗表面WA時(S4、S7),與清洗機1同樣地,第三海綿滾筒13a接觸於背面WB,亦供給藥劑及/或純水進行背面WB之清洗,不過省略了之前參照第三圖的說明。
如上述作用之清洗機1A可以1個模組完成粗清洗及加工清洗的兩種清洗,且從粗清洗向加工清洗轉移時,無須搬送基板W即可完成,可縮短合計之基板搬送時間,而可使處理量提高。此外,粗清洗所需之時間與加工清洗所需之時間不同時,若是以不同模組分別進行粗清洗與加工清洗,處理量受到長的清洗時間所支配,而本變形例之清洗機1A並非由較長的清理時間一方來支配處理量。清洗機1A可藉由粗清洗與加工清洗改變供給藥劑或供給純水,而可提高程序之自由度。另外,清洗機1A中亦與清洗機1同樣地,由於1個模組中有2個清洗部件(11a、12a),因此可充分確保進行自我清洗之時間,而可避免清洗程度降低。
以上之說明,係清洗機1、1A具有清洗基板W之背面WB的第三海綿滾筒13a(第三清洗部件),不過,無須清洗背面WB時亦可不設第三海綿滾筒13a。反之,清洗機1、1A除了第三清洗部件(本實施形態係第三海綿滾筒13a)之外,亦可具有清洗基板W之背面WB的第四清洗部件。此時,進一步設置對第三清洗部件及第四清洗部件進行自我清洗等事前清洗之事前清洗裝置,且與第一海綿滾筒11a及第二海綿滾筒12a之動作同樣地,第三清洗部件及第四清洗部件交互進行背面WB之清洗,未進行背面 WB清洗之一方清洗部件則進行事前清洗。
其次,參照第四圖說明本發明第二種實施形態之基板清洗裝置104。第四圖係基板清洗裝置104之概略構成圖。基板清洗裝置104分別具備2具前述之清洗機1A、基板清洗機2(以下,簡稱為「清洗機2」)、及乾燥機3。基板清洗裝置104進一步具備第一機器人手臂52、與第二機器人手臂53。。2個清洗機1A係具有相同構成者,不過為了區別兩者,而將一方之清洗機1A稱為「清洗機1AF」,並將另一方清洗機1A稱為「清洗機1AS」,提及兩者共同之性質時,總稱為「清洗機1A」。就具有相同構成之2個清洗機2亦同樣地,將一方清洗機2稱為「清洗機2F」,並將另一方清洗機2稱為「清洗機2S」,且總稱兩者為「清洗機2」。就具有相同構成之2個乾燥機3亦同樣地,將一方乾燥機3稱為「乾燥機3F」,並將另一方乾燥機3稱為「乾燥機3S」,且總稱兩者為「乾燥機3」。
此處,參照第五圖(A)及第五圖(B)說明清洗機2之構成。第五圖(A)係顯示清洗機2之概略構成的前視圖,第五圖(B)係顯示清洗機2之概略構成的側視圖。清洗機2與清洗機1A(參照第一圖(A)、第一圖(B))比較之主要差異處為:取代清洗機1A具備之具有圓柱狀第一海綿滾筒11a的第一清洗裝置11及具有圓柱狀之第二海綿滾筒12a的第二清洗裝置12,而清洗機2具備:具有筆型之第一海綿筆21a的第一清洗裝置21及具有筆型之第二海綿筆22a的第二清洗裝置22。清洗機2具備作為保持基板W之基板保持裝置的夾盤20、上述之第一清洗裝置21、上述之第二清洗裝置22、第一自我清洗裝置25、第二自我清洗裝置26、收容前述元件或裝置之處理室40、及控制裝置250。清洗機2係基板清洗機之一種形態。清洗機2之第一 清洗裝置21相當於第一清洗裝置,第二清洗裝置22相當於第二清洗裝置,第一自我清洗裝置25及第二自我清洗裝置26相當於事前清洗裝置。
夾盤20具有複數個夾盤爪20a、及旋轉驅動軸20b。複數個夾盤爪20a設置成握持基板W之外周端部(邊緣部分)而保持基板W。本實施形態係設有4個夾盤爪20a,在相鄰的各個夾盤爪20a之間設有不致阻礙搬送基板W的各機器人手臂52、53(參照第四圖)之動作的間隔。各夾盤爪20a係以可水平保持基板W之面的方式分別連接於旋轉驅動軸20b。本實施形態係以表面WA朝上之方式將基板W保持於4個夾盤爪20a上。旋轉驅動軸20b構成可在對基板W之面垂直延伸的軸線周圍旋轉,且可藉由旋轉驅動軸20b在軸線周圍旋轉而使基板W在水平面中旋轉。
第一清洗裝置21具有第一海綿筆21a、支撐第一海綿筆21a之第一支臂21b、及使第一支臂21b移動之第一移動裝置21c。第一海綿筆21a相當於第一清洗部件。第一海綿筆21a係長度及直徑皆比第一海綿滾筒11a(參照第一圖(A)、第一圖(B))小之圓柱狀海綿。第一海綿筆21a以軸線與表面WA垂直之方式配設於保持在夾盤20上的基板W上方。第一海綿筆21a形成長度比直徑短。第一海綿筆21a之圓柱狀端面成為清洗基板W之面。第一海綿筆21a可使用與第一海綿滾筒11a相同之材料,不過亦可以不同材料形成。第一海綿筆21a在與清洗基板W之面相反側的端面支撐於第一支臂21b。
第一支臂21b係比基板W之半徑長的平棒狀部件。第一支臂21b典型而言係以長度方向與表面WA平行之方式配設。第一支臂21b以一端支撐第一海綿筆21a,另一端上連接第一移動裝置21c。第一支臂21b可在其 軸線周圍旋轉地支撐第一海綿筆21a。第一移動裝置21c係使第一支臂21b垂直上下移動,並且使第一支臂21b在水平方向搖動之部件。第一支臂21b藉由第一移動裝置21c向水平方向之搖動,成為將第一支臂21b與第一移動裝置21c之連接部作為中心,而第一海綿筆21a之軌跡描繪圓弧之樣態。此時,第一海綿筆21a以通過表面WA中心之方式配設第一支臂21b及第一移動裝置21c。此外,第一移動裝置21c具有馬達(無圖示),且構成如上述藉由第一支臂21b垂直及水平運動,可使第一海綿筆21a在進行基板W清洗之表面WA上的位置與第一自我清洗裝置25的位置之間移動。
第二清洗裝置22具有第二海綿筆22a、第二支臂22b、及第二移動裝置22c。本實施形態中,第二清洗裝置22除了第二海綿筆22a之外,與第一清洗裝置21具有相同結構。第二清洗裝置22之第二支臂22b及第二移動裝置22c分別相當於第一清洗裝置21之第一支臂21b及第一移動裝置21c。第二清洗裝置22在以平面視角觀察時,係將保持於夾盤20之基板W中心作為對稱中心,而與第一移動裝置21c對稱之方式配設第二移動裝置22c。第二海綿筆22a係以與第一海綿筆21a不同之性能構成,不過形狀與第一海綿筆21a相同。第二海綿筆22a係以藉由使用形成於海綿之孔的平均直徑比第一海綿筆21a小者等,而使清洗性能比第一海綿筆21a高之方式構成。藉由如此構成,典型而言,係將第一海綿筆21a用作粗清洗,第二海綿筆22a用作加工清洗。第二海綿筆22a相當於第二清洗部件。
第一自我清洗裝置25與清洗機1A(參照第一圖(A)、第一圖(B))之第一自我清洗裝置15同樣地,具有清洗板25a、純水噴嘴25b、及藥劑噴嘴25c。第一自我清洗裝置25典型而言進一步具有清洗槽(無圖 示)。清洗板25a形成適合除去附著於第一海綿筆21a之異物的大小,本實施形態係使用石英板。第一自我清洗裝置25係構成在軸線周圍旋轉之第一海綿筆21a上噴灑純水及/或藥劑,同時藉由將第一海綿筆21a按壓於清洗板25a,除去附著於第一海綿筆21a之異物使其淨化。
第二自我清洗裝置26與第一自我清洗裝置25具有相同結構,且具有清洗板26a、純水噴嘴26b、及藥劑噴嘴26c。第二自我清洗裝置26典型而言進一步具有清洗槽(無圖示)。第二清洗裝置22之清洗板26a、純水噴嘴26b、藥劑噴嘴26c分別相當於第一自我清洗裝置25之清洗板25a、純水噴嘴25b、藥劑噴嘴25c,且與對應之部件具有相同結構。第二自我清洗裝置26在以平面視角觀察時,清洗板26a係以將保持於夾盤20之基板W中心作為對稱中心,而與清洗板25a對稱之方式配設。
本實施形態之清洗機2進一步具有:對保持於夾盤20之基板W的表面WA,以第一海綿筆21a清洗表面WA時供給藥劑之第一表面化學噴嘴145及供給純水之第一表面沖淋噴嘴146;以及以第二海綿筆22a清洗表面WA時供給藥劑之第二表面化學噴嘴245及供給純水之第二表面沖淋噴嘴246。
處理室40大致形成立方體狀,且設有第一快門40a、第二快門40b、及2個搬入搬出快門40w。第一快門40a係形成供支撐第一海綿筆21a之第一支臂21b及第一自我清洗裝置25出入的開口者。第一快門40a設置成使將與第一移動裝置21c之連接部作為中心而搖動的第一支臂21b拉出處理室40外側之位置及大小。第二快門40b係形成供支撐第二海綿筆22a之第二支臂22b及第二自我清洗裝置26出入的開口者。本實施形態之第二快門40b 在以平面視角觀察時,係以拉出搖動之第二支臂22b的樣態而設於與第一快門40a相對之面。設有2個搬入搬出快門40w,分別係供保持於第一機器人手臂52(參照第四圖)之基板W出入的開口者、及形成供保持於第二機器人手臂53(參照第四圖)之基板W出入的開口者。本實施形態之2個搬入搬出快門40w在以平面視角觀察時,係分別設於對設有第一快門40a及第二快門40b之處理室40的面正交之2個面。
控制裝置250藉由控制夾盤20之動作,可控制基板W藉由夾盤20之保持及解除、以及基板W在水平面中之旋轉。此外,控制裝置250可控制第一海綿筆21a及第二海綿筆22a之旋轉、以及第一移動裝置21c及第二移動裝置22c之移動。此外,控制裝置250可控制第一自我清洗裝置25及第二自我清洗裝置26之工作、停止。此外,控制裝置250可控制有無從第一表面化學噴嘴145、第一表面沖淋噴嘴146、第二表面化學噴嘴245、第二表面沖淋噴嘴246供給藥劑或純水。此外,控制裝置250可控制2個搬入搬出快門40w之開關。
如上述構成之清洗機2的作用,符合清洗機1A(參照第一圖(A)、第一圖(B))之作用。以下說明清洗機2之概略作用。在將基板W搬入處理室40中的過程,在第一自我清洗裝置25位置之第一海綿筆21a移動至保持於夾盤20之基板W中心的上方。保持於夾盤20之基板W旋轉,當旋轉速度達到指定之旋轉速度後,第一海綿筆21a下降而接觸於基板W之表面WA。第一海綿筆21a接觸於表面WA之後,藉由從旋轉之基板W中心移動至周緣部來粗清洗表面WA。表面WA之粗清洗中,依需要從第一表面化學噴嘴145供給藥劑、及/或從第一表面沖淋噴嘴146供給純水於表面WA上。在第 一海綿筆21a粗清洗表面WA期間,第二海綿筆22a在第二自我清洗裝置26之位置進行自我清洗。
表面WA之粗清洗結束後,第一海綿筆21a移動至第一自我清洗裝置25之位置,並以與此替換之方式,在第二自我清洗裝置26位置之第二海綿筆22a移動至保持於夾盤20的基板W中心上方。其後,第二海綿筆22a與第一海綿筆21a同樣地下降而接觸於表面WA,並從旋轉之基板W的中心移動至周緣部。另外,第二海綿筆22a之移動方向形成與第一海綿筆21a相反側。藉由接觸於表面WA之第二海綿筆22a的移動進行表面WA的加工清洗。表面WA之加工清洗中,依需要從第二表面化學噴嘴245供給藥劑、及/或從第二表面沖淋噴嘴246供給純水至表面WA。在第二海綿筆22a加工清洗表面WA期間,第一海綿筆21a在第一自我清洗裝置25之位置進行自我清洗。表面WA之加工清洗結束後,第二海綿筆22a移動至第二自我清洗裝置26之位置,並且將基板W搬出處理室40之外。
再度返回第四圖,說明基板清洗裝置104。另外,以後之說明中,在提及清洗機1A之構成時,適切參照第一圖(A)及第一圖(B),提及清洗機2之構成時,適切參照第五圖(A)及第五圖(B)。基板清洗裝置104具備之機器中,乾燥機3係使用以自旋夾盤握持清洗機2清洗後之基板W並使其高速旋轉者,或是使表面被沖淋液覆蓋之基板W旋轉,同時使乾燥氣流從基板W之中心移動至外緣者等,不過此處省略詳細之說明。
基板清洗裝置104在清洗機1AF之下方配置有清洗機1AS,在清洗機2F之下方配置有清洗機2S,並在乾燥機3F之下方配置有乾燥機3S。清洗機1AF、清洗機2F、乾燥機3F依序直線狀配置於同一平面中。清 洗機1AS、清洗機2S、乾燥機3S依序直線狀配置於同一平面中。本實施形態係以最初以清洗機1AF清洗之基板W,原則上,其次以清洗機2F清洗,最後以乾燥機3F乾燥之方式構成,且清洗機1AF、清洗機2F及乾燥機3F配置於第一清洗線LF。另外,係以最初以清洗機1AS清洗之基板W,原則上,其次以清洗機2S清洗,最後以乾燥機3S乾燥之方式構成,且清洗機1AS、清洗機2S、乾燥機3S配置於第二清洗線LS。此處,所謂清洗線,原則上係由複數個機器進行1個基板W之處理(清洗、乾燥等)時基板W的移動路徑,且中途並無妨礙基板W轉移至另外清洗線者。
第一機器人手臂52配設於上下配置之2個清洗機1AF、1AS,與上下配置之2個清洗機2F、2S之間的空間。第一機器人手臂52係構成藉由移動機構(無圖示)可改變方向並可上下移動,且可進入各清洗機1AF、1AS、2F、2S之內部。第二機器人手臂53配設於上下配置之2個清洗機2F、2S,與上下配置之2個乾燥機3F、3S之間的空間。第二機器人手臂53係構成藉由移動機構(無圖示)可改變方向並可上下移動,且可進入各清洗機2F、2S及各乾燥機3F、3S內部。
第一機器人手臂52具有在長度方向比基板W之直徑大(典型而言,比基板W之直徑大一圈),在寬度方向比基板W之直徑小的支臂。第一機器人手臂52之支臂的前端形成前分叉狀,上部設有可夾著基板W外緣而握持的握持部(無圖示)。第二機器人手臂53具有與第一機器人手臂52同樣之構成。
如上述構成之基板清洗裝置104通常在第一清洗線LF(清洗機1AF、清洗機2F、乾燥機3F)中,與進行基板W之清洗、乾燥處理並列進 行,在第二清洗線LS(清洗機1AS、清洗機2S、乾燥機3S)中,進行基板W之清洗、乾燥處理。另外,第一清洗線及第二清洗線分別進行相同基板W之處理,其內容為第一海綿滾筒11a進行粗清洗,第二海綿滾筒12a進行加工清洗,第一海綿筆21a進行粗清洗,第二海綿筆22a進行加工清洗、乾燥。
由於基板清洗裝置104就各清洗機1A、2,在1個模組中設有2個清洗部件,因此,進行粗清洗與加工清洗之兩階段清洗時,不致與其他清洗線相互干擾。若是1個模組中設有1個清洗部件的過去裝置,為了進行兩階段清洗,會使用到其他清洗線的一部分,則處理能力降低。基板清洗裝置104之裝置不致大型化,可使1台裝置可清洗、乾燥處理的基板W數量倍增,而可使處理量提高。
因為以上基板清洗裝置104之說明,係清洗機1A及清洗機2兩者皆為1個模組中設有2個清洗部件,所以清洗機1A及清洗機2之一方相當於基板清洗機,另一方相當於追加基板處理部之一個形態的追加基板清洗機。另外,亦可依基板W清洗之要求,而至少在1個模組中設有2個清洗部件。例如,亦可清洗機1A具備1個海綿滾筒,而清洗機2具備2個海綿筆21a、22a。此時,清洗機2相當於(第一或第二)基板清洗機,清洗機1A相當於(第一或第二)追加基板清洗機。換言之,追加基板清洗機之1個模組具有的清洗部件數量不拘。另外,亦可基板清洗裝置104不具追加基板清洗機,而僅具備作為追加基板處理部之乾燥機。
以上清洗機2之說明,係第一海綿筆21a與第二海綿筆22a之清洗性能不同,而清洗機2之作用準清洗機1A之作用,不過,亦可將第一海綿筆21a與第二海綿筆22a之清洗性能同等構成,並符合清洗機1之作用(將 第一海綿筆21a清洗之基板W與第二海綿筆22a清洗之基板W替換)。此外,不論將清洗機2作為符合清洗機1A之作用,或作為符合清洗機1之作用,亦可不屬於基板清洗裝置104之構成要素,而作為獨立作用之基板清洗機。
以上清洗機2之說明,關於第一清洗裝置21及第二清洗裝置22之配置,係以第一移動裝置21c與第二移動裝置22c在平面觀察中,將保持於夾盤20之基板W中心作為對稱中心而對稱的方式,且在自我清洗位置之第一支臂21b與第二支臂22b形成平行的方式配設,不過如第六圖(A)所示,亦可以第一移動裝置21c與第二移動裝置22c鄰接,且在自我清洗位置之第一支臂21b與第二支臂22b正交的方式配設。此時,由於第一支臂21b與第二支臂22b之旋轉中心不同,因此第一海綿筆21a之軌跡與第二海綿筆22a之軌跡不同。或是如第六圖(B)所示,亦可以第一清洗裝置21退出時第一海綿筆21a之位置與第二清洗裝置22退出時第二海綿筆22a之位置相同的方式配設。此時,第一海綿筆21a與第二海綿筆22a共用自我清洗裝置容易。
以上說明之基板清洗裝置104(或是作為獨立之基板清洗機的清洗機1、1A、2),典型而言,係與CMP(化學機械研磨)裝置或銅鍍覆裝置等一起安裝於基板處理裝置。
第七圖係顯示安裝基板清洗裝置104之基板處理裝置100整體結構之前視圖。以下之說明中,在提及基板清洗裝置104之結構時,適切參照第四圖或第五圖(A)及第五圖(B)。基板處理裝置100具備大致矩形狀之機殼101,機殼101之內部具備藉由複數個間隔壁101a、101b、101c而劃分之裝載/卸載部102、研磨基板之研磨部103、及清洗研磨後之基板的上述基板清洗裝置104。此外,基板處理裝置100具備控制各部動作之控制裝置60。
裝載/卸載部102具有存放基板之複數個匣盒81、及將基板從各匣盒81向研磨部103交接,或是從基板清洗裝置104向各匣盒81交接之搬送機器人82。搬送機器人82在上下具備2個手臂,例如,將基板送回各匣盒81時使用上側手臂,搬送研磨前之基板時使用下側手臂,而構成可分開使用上下之手臂。
研磨部103具有大致相同結構之4個研磨裝置83。各研磨裝置83具有:具有研磨面之研磨台83a;可保持基板並且可對研磨台83a按壓之上方環形轉盤83b;用於在研磨台83a上供給漿液等研磨液或修整液(例如水)之研磨液供給噴嘴83c;用於進行研磨台83a之修整的修整器83d;及將液體(例如純水)與氣體(例如氮)之混合流體形成霧狀,從1個或複數個噴嘴噴射於研磨面的霧化器83e。此外,各研磨裝置83還具有可上下昇降之升降機83f、及可上下昇降之推動器83g。而後,鄰接於搬送機器人82之研磨裝置83還具有可從搬送機器人82接收基板並使其反轉的反轉機83h。
各研磨裝置83係藉由使上方環形轉盤83b保持之基板接觸於研磨台83a,從研磨液供給噴嘴83c供給研磨液至研磨台83a,並使研磨台83a及上方環形轉盤83b以指定之旋轉速度旋轉,而可研磨基板表面。此外,各研磨裝置83係構成可將研磨後之基板放置於升降機83f,另外以修整器83d修整研磨台83a之表面,並將放置於升降機83f之基板經由推動器83g送交基板清洗裝置104之第一機器人手臂52。
如上述構成之基板處理裝置100進行以下的動作。藉由搬送機器人82取出設置於各匣盒81之基板的任何1個,並送交研磨部103之反轉機83h。以反轉機83h反轉基板後,送交屬於任何一個研磨裝置83之升降機 83f,將上方環形轉盤83b移動至升降機83f之上方後,以升降機83f推上基板,使基板吸著於上方環形轉盤83b。其後,使基板接觸於研磨台83a,並開始從研磨液供給噴嘴83c在研磨台83a上供給研磨液,同時使研磨台83a及上方環形轉盤83b以指定之旋轉速度旋轉,來研磨基板表面。以指定量研磨基板表面後,取代從研磨液供給噴嘴83c供給研磨液,而從純水供給噴嘴(無圖示)供給純水進行基板之研磨。以指定時間供給純水同時進行基板之研磨後,使上方環形轉盤83b上昇,而使基板從研磨台83a離開,將基板放置於升降機83f上。此時,以修整器83d研磨貼附於研磨台83a之研磨布,來調整研磨布。將基板放置於升降機83f上後,將升降機83f水平移動至推動器83g的某個位置,以推動器83g舉起後,基板清洗裝置104之機器人手臂52接收基板。
接收了基板W之機器人手臂52在基板清洗裝置104中進行前述之基板W清洗。以基板清洗裝置104進行清洗並乾燥後之基板W,藉由搬送機器人82從基板清洗裝置104取出,收容於存放清洗後之基板W的匣盒81。如以上之說明,具備基板清洗裝置104之基板處理裝置100可增加基板W之處理數量,而可使處理量提高。
以上之說明係基板處理裝置100安裝有基板清洗裝置104,不過,亦可取代基板清洗裝置104,而任意選擇1個或複數個清洗機1、1A、2而個別安裝。
以上之說明係在清洗機1中,於2個清洗部件(海綿滾筒11a、12a)分別設有事前清洗裝置(自我清洗裝置15、16),不過亦可由2個清洗部件共用1個事前清洗裝置。特別是2個清洗部件並無粗清洗與加工清洗之 區別時共用化容易。清洗機1A、2中亦同。
以上之說明,以第一清洗裝置11及第二清洗裝置12清洗之第一面係基板W的表面WA,不過亦可將第一清洗裝置11及第二清洗裝置12清洗之第一面作為背面WB,而將第二面作為表面WA。
以上之說明,各第一清洗裝置11、21及各第二清洗裝置12、22係設於保持在基板保持裝置(輥10、夾盤20)之基板W的上方,不過,亦可設於保持在基板保持裝置之基板W的下方。
如之前的說明,使用海綿滾筒或海綿筆清洗基板時,以藥劑清洗基板後,以純水等沖淋液沖淋基板時,沖淋液滲入海綿中而在海綿中保持沖淋液。在該狀態下清洗其次之基板時,供給至基板上面之藥劑會被海綿所保持之沖淋液稀釋,而導致清洗性能降低。因此,為了防止此種藥劑之稀釋,亦可採取如下之措施。
第八圖係顯示包含在基板清洗前預先對海綿筆842供給藥劑之藥劑供給機構853的基板清洗機之一部分模式圖。如第八圖所示,海綿筆842固定於支撐軸桿854之下端。再者。海綿筆842經由支撐軸桿854而連結於清洗工具旋轉機構855,海綿筆842在垂直方向延伸之其中心軸線周圍,藉由清洗工具旋轉機構855而旋轉。支撐軸桿854及清洗工具旋轉機構855固定於支臂844。所清洗之基板,以與支臂844延伸之方向平行的方式將其表面保持於基板保持部,不過省略圖式。此外,第八圖所示之基板清洗機設有在基板上面供給藥劑之藥劑供給噴嘴(無圖示)、及在基板上面供給沖淋液之沖淋液供給噴嘴(無圖示)。支臂844之另一端連結有回旋軸850。回旋軸850上連結使支臂844回旋之清洗工具移動機構851。清洗工具移動機構 851藉由使回旋軸850以指定之角度程度旋轉,而使支臂844在與基板平行之平面中回旋。藉由支臂844之回旋,被其支撐之海綿筆842移動於基板的半徑方向。再者,清洗工具移動機構851構成可使回旋軸850上下移動,藉此,可以指定之壓力將海綿筆842按壓於基板上面。
藥劑供給機構853具備藥劑供給源857、以及從該藥劑供給源857延伸至海綿筆842的供給管858。支撐軸桿854由中空軸構成,且供給管858之一部分通過支撐軸桿854之內部空間而延伸。供給管858之前端配置於海綿筆842之正上方,並從其上方供給藥劑至海綿筆842。海綿筆842由發泡聚氨酯、PVA(聚乙烯醇)等多孔材料構成,且藥劑可通過其內部。
在開始清洗其次之基板前,從藥劑供給源857通過供給管858直接供給藥劑至海綿筆842。藥劑浸漬於整個海綿筆842,並從海綿筆842排除清洗先前基板時使用的沖淋液。一旦沖淋液從海綿筆842除去時,供給至其次基板之藥劑不致被沖淋液稀釋。因此,藥劑之濃度穩定,並且防止清洗性能降低。
第九圖(A)係顯示海綿筆842之一例的剖面圖,第九圖(B)係第九圖(A)之A-A線剖面圖。海綿筆842在其內部具有藥劑流路860。該藥劑流路860在海綿筆842之中心軸線上垂直方向延伸,並貫穿海綿筆842。供給管858之前端位於該藥劑流路860之上部開口的正上方,藥劑直接供給至藥劑流路860。換言之,藥劑直接供給至海綿筆842之內部。藥劑在藥劑流路860中流動,同時迅速浸漬整個海綿筆842,並從海綿筆842排除先前基板清洗時使用之沖淋液。
第十圖(A)係顯示海綿筆842之其他例的剖面圖,第十圖 (B)係第十圖(A)之B-B線剖面圖。該例之藥劑流路860在海綿筆842之中心軸線上延伸這一點,與第九圖(A)及第九圖(B)所示之藥劑流路860相同,不過差異處為下端封閉。
第十一圖(A)係顯示海綿筆842之又其他例的剖面圖,第十一圖(B)係第十一圖(A)之C-C線剖面圖。該例之藥劑流路860係由與海綿筆842之中心軸線平行延伸的複數個貫穿孔860a構成。此等貫穿孔860a不形成於海綿筆842之中心軸線上,而配置於海綿筆842之中心軸線周圍。
第十二圖(A)係顯示海綿筆842之又其他例的剖面圖,第十二圖(B)係第十二圖(A)之D-D線剖面圖。該例之藥劑流路860係由與海綿筆842之中心軸線平行延伸的複數個縱孔860b構成。各縱孔860b之上端開口,下端封閉。縱孔860b之配置與第十一圖(A)及第十一圖(B)所示的貫穿孔860a之配置相同。
第十三圖(A)係顯示海綿筆842之又其他例的剖面圖,第十三圖(B)係第十三圖(A)之E-E線剖面圖。該例之藥劑流路860係由與海綿筆842之中心軸線平行延伸的複數個第一貫穿孔860c、及與此等第一貫穿孔860c垂直之複數個第二貫穿孔860d構成。第二貫穿孔860d在海綿筆842之外周面上開口。第二貫穿孔860d分別連通於第一貫穿孔860c。第一貫穿孔860c之配置與第十一圖(A)及第十一圖(B)所示之貫穿孔860a的配置相同。
第十四圖(A)係顯示海綿筆842之又其他例的剖面圖,第十四圖(B)係第十四圖(A)之F-F線剖面圖。該例之藥劑流路860係由與海綿筆842之中心軸線平行延伸的複數個縱孔860e、及與此等縱孔860e垂直 之複數個橫孔860f構成。各縱孔860e之上端開口,下端封閉。各橫孔860f之兩端封閉。橫孔860f分別連通於縱孔860e。縱孔860e之配置與第十一圖(A)及第十一圖(B)所示之貫穿孔860a的配置相同。
第九圖(A)至第十四圖(B)記載之藥劑流路860,可使藥劑迅速浸漬於整個海綿筆842,並可迅速排除存在於其內部之沖淋液。
其次,說明使用包含藥劑供給機構853之基板清洗機(參照第八圖)的基板清洗方法。海綿筆842在基板半徑方向外側之退出位置時,上述之藥劑供給機構853在指定時間中,供給藥劑至海綿筆842,並從海綿筆842除去沖淋液。宜使海綿筆842旋轉同時供給藥劑於海綿筆842。其次,使基板在其中心軸線周圍旋轉,而從藥劑供給噴嘴供給藥劑至基板上面。在該狀態下,使海綿筆842在其中心軸線周圍旋轉,並使該海綿筆842接觸於基板表面。
再者,在維持海綿筆842與基板之接觸的情況下,使海綿筆842在基板之半徑方向往返移動,摩擦清洗基板表面。其次,停止供給藥劑,而將沖淋液供給至基板表面,來沖淋基板表面。基板之沖淋結束後,停止基板及海綿筆842之旋轉,使海綿筆842移動至基板外側之退出位置。
第十五圖係顯示基板清洗機之又其他實施形態圖。該實施形態係將供給管858配置於支撐軸桿854之外側。供給管858之前端配置於海綿筆842之正上方,可供給藥劑至海綿筆842之上面。
第十六圖(A)係第十五圖所示之海綿筆842的剖面圖,第十六圖(B)係第十五圖所示之海綿筆842的俯視圖。該海綿筆842之藥劑流路860係由形成於海綿筆842上面之環狀溝860g、及連接於該環狀溝860g之 複數個縱孔860h構成。顯示於圖中之各縱孔860h係貫穿海綿筆842,不過亦可封閉其下端。供給管858之前端位於環狀溝860g之正上方,可供給藥劑至環狀溝860g內。藥劑在環狀溝860g及複數個縱孔860h中流動,同時浸漬於整個海綿筆842,並從海綿筆842除去沖淋液。
以上說明之直接供給藥劑至海綿筆842之藥劑供給機構853的構成,可適用於第五圖(A)、第五圖(B)所示之清洗機2中的第一清洗裝置21及/或第二清洗裝置22。此外,直接供給藥劑至海綿筆842之藥劑供給機構853的構成,不僅1個模組具有2個清洗部件的清洗機,亦可適用於1個模組中設置1個清洗部件之清洗機。
包含本說明書中引用之刊物、專利申請及專利的全部文獻,分別具體顯示各文獻並參照納入,此外,只要其內容之全部與此處敘述者相同,亦在此參照納入。
與本發明之說明相關連(特別是與以下之申請專利範圍相關連)而使用的名詞及同樣之指示語的使用,只要本說明書中未特別指出、或並無明顯與文脈矛盾者,係解釋成包含單數及複數兩者。語詞「具備」、「具有」、「含有」及「包含」,只要未特別聲明,即解釋為開放性語詞(亦即,意指「不限於包含~」)。本說明書中關於數值範圍的陳述,只要本說明書中未特別指出,僅係擔任為了用於分別提及相當於其範圍內之各值而略述的角色,各值在本說明書中以分別列舉之方式納入說明書。本說明書中說明之全部方法,只要本說明書中未特別指出,或並未明顯與文脈矛盾者,可以所有適切之順序進行。本說明書中使用之所有範例或例示性之措辭(例如「等」)只要未特別主張,僅為了更佳地說明本發明,而並非對本 發明之範圍設限者。說明書中之任何措辭,不將申請專利範圍中未記載之要素解釋為係實施本發明時不可或缺而顯示者。
本說明書中係說明本發明較佳之實施形態,且包含為了實施本發明而本案發明人已知之最佳形態。相關業者閱讀上述說明即可明瞭此等較佳實施形態之變形例。本案發明人預期熟知本技術者會適切應用此種變形例,而可能以本說明書中具體說明以外的方法實施本發明。因此,本發明如準據法所容許,包含本說明書附件之申請專利範圍所記載的全部內容之修正及均等物。再者,只要本說明書中未特別指出,或並無明顯與文脈矛盾者,全部變形例之上述要素的任何組合亦包含於本發明。
1、1A‧‧‧基板清洗機
10‧‧‧輥
10a‧‧‧軸線
10g‧‧‧溝部
11‧‧‧第一清洗裝置
11a‧‧‧第一海綿滾筒
11b‧‧‧第一移動裝置
12‧‧‧第二清洗裝置
12a‧‧‧第二海綿滾筒
12b‧‧‧第二移動裝置
15‧‧‧第一自我清洗裝置
15a‧‧‧清洗板
15b‧‧‧純水噴嘴
15c‧‧‧藥劑噴嘴
16‧‧‧第二自我清洗裝置
16a‧‧‧清洗板
16b‧‧‧純水噴嘴
16c‧‧‧藥劑噴嘴
45a、45b‧‧‧表面化學噴嘴
46a、46b‧‧‧表面沖淋噴嘴
48‧‧‧背面化學噴嘴
49‧‧‧背面沖淋噴嘴
50‧‧‧控制裝置
52‧‧‧第一機器人手臂
W‧‧‧基板
WA‧‧‧表面
WB‧‧‧背面

Claims (10)

  1. 一種基板清洗機,其具備:基板保持裝置,其係保持具有第一面以及與前述第一面相反之第二面的基板;第一清洗裝置,其係具有與保持於前述基板保持裝置之前述基板的前述第一面接觸而清洗前述第一面之第一清洗部件;第二清洗裝置,其係具有與保持於前述基板保持裝置之前述基板的前述第一面接觸而清洗前述第一面之第二清洗部件;及控制裝置,其係以前述第一清洗部件及前述第二清洗部件之一方清洗保持於前述基板保持裝置之前述基板的前述第一面時,另一方在從保持於前述基板保持裝置之前述基板離開的位置之方式,控制前述第一清洗裝置及前述第二清洗裝置。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板清洗機,其中具備事前清洗裝置,其係在提供用於清洗前述第一面之前清洗前述第一清洗部件及前述第二清洗部件;前述控制裝置係以前述事前清洗裝置清洗前述第一清洗部件及前述第二清洗部件中,未清洗保持於前述基板保持裝置之前述基板的前述第一面之一方的方式進行控制。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板清洗機,其中具備:處理室,其係在內部收容前述基板保持裝置、前述第一清洗裝置、前述第二清洗裝置及前述事前清洗裝置;及拉出機構,其係可對前述處理室拉出前述第一清洗部件及前述第二 清洗部件中之至少一方、以及前述事前清洗裝置。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之基板清洗機,其中係以前述第二清洗部件清洗前述第一面時之清洗程度比以前述第一清洗部件清洗前述第一面時的清洗程度高之方式,構成前述第一清洗裝置及前述第二清洗裝置。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之基板清洗機,其中前述控制裝置係以前述基板保持裝置保持前述基板後,以前述第一清洗部件清洗前述第一面,其次以前述第二清洗部件清洗前述第一面,從藉由前述第一清洗部件開始清洗前述第一面至藉由前述第二清洗部件清洗前述第一面完成,維持藉由前述基板保持裝置保持前述基板之方式,控制前述基板保持裝置、前述第一清洗裝置及前述第二清洗裝置。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板清洗機,其中前述控制裝置係以前述基板保持裝置保持前述基板後,以前述第一清洗部件清洗前述第一面,其次以前述第二清洗部件清洗前述第一面,從藉由前述第一清洗部件開始清洗前述第一面至藉由前述第二清洗部件清洗前述第一面完成,維持藉由前述基板保持裝置保持前述基板之方式,控制前述基板保持裝置、前述第一清洗裝置及前述第二清洗裝置。
  7. 一種基板清洗裝置,其具備複數個申請專利範圍第1項至第6項中任一項之基板清洗機;複數個前述基板清洗機中之第一基板清洗機配置於第一清洗線;複數個前述基板清洗機中之第二基板清洗機配置於前述第一清洗線之外的第二清洗線; 且進一步具備:第一追加基板處理部,其係配置於前述第一清洗線;及第二追加基板處理部,其係配置於前述第二清洗線。
  8. 一種清洗完成基板之製造方法,係以申請專利範圍第1項至第6項中任一項之基板清洗機,清洗清洗前之前述基板(稱:清洗前基板),而製造清洗後之前述基板(稱:清洗完成基板)之方法,且具備:基板保持工序,其係以前述基板保持裝置保持前述基板;第一清洗工序,其係以前述第一清洗部件清洗前述基板保持裝置所保持之基板;退出工序,其係在前述第一清洗工序之後,前述基板保持裝置保持前述基板狀態下,使前述第一清洗部件從前述基板退出;及第二清洗工序,其係在前述退出工序之後,繼續以前述第二清洗部件清洗前述基板保持裝置所保持之基板。
  9. 一種基板處理裝置,其具備:申請專利範圍第1項至第6項中任一項之基板清洗機;及基板處理機,其係在前述基板清洗機進行清洗前處理基板。
  10. 一種基板清洗裝置,其具備:基板保持部,其係保持基板而使其旋轉;海綿清洗工具,其係在本身之中心軸線周圍旋轉並接觸於前述基板表面;藥劑供給噴嘴,其係在前述基板表面供給藥劑;及藥劑供給機構,其係在前述海綿清洗工具上直接供給前述藥劑。
TW103124359A 2013-07-19 2014-07-16 基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝置 TWI628710B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-150506 2013-07-19
JP2013150506A JP6345393B2 (ja) 2013-07-19 2013-07-19 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2013-199471 2013-09-26
JP2013199471A JP6224974B2 (ja) 2013-09-26 2013-09-26 基板洗浄機、基板洗浄装置、洗浄済基板の製造方法及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201513205A true TW201513205A (zh) 2015-04-01
TWI628710B TWI628710B (zh) 2018-07-01

Family

ID=52319601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103124359A TWI628710B (zh) 2013-07-19 2014-07-16 基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10032655B2 (zh)
KR (1) KR102211040B1 (zh)
CN (2) CN108493134B (zh)
SG (1) SG10201404086XA (zh)
TW (1) TWI628710B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI761697B (zh) * 2018-08-17 2022-04-21 台灣積體電路製造股份有限公司 清潔晶圓之方法以及系統
TWI821242B (zh) * 2018-02-05 2023-11-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦記錄媒體

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10504753B2 (en) * 2013-12-13 2019-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Brush cleaning apparatus, chemical-mechanical polishing (CMP) system and wafer processing method
US11676827B2 (en) 2016-03-08 2023-06-13 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, substrate processing apparatus, and substrate drying apparatus
JP6968547B2 (ja) * 2016-03-30 2021-11-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム記録媒体
JP6956578B2 (ja) 2017-09-19 2021-11-02 株式会社荏原製作所 ブレークイン装置及びブレークインシステム
CN107971261B (zh) * 2017-11-23 2021-03-02 Tcl华星光电技术有限公司 清洁装置
US11791173B2 (en) 2019-03-21 2023-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate cleaning equipment, substrate treatment system including the same, and method of fabricating semiconductor device using the substrate cleaning equipment
JP7308074B2 (ja) * 2019-05-14 2023-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN216542663U (zh) * 2021-09-07 2022-05-17 杭州众硅电子科技有限公司 晶圆抛光系统

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3114156B2 (ja) 1994-06-28 2000-12-04 株式会社荏原製作所 洗浄方法および装置
US5647083A (en) 1994-06-30 1997-07-15 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for cleaning substrates and methods for attaching/detaching and cleaning brushes of such apparatus
JP2848783B2 (ja) 1994-07-04 1999-01-20 大日本スクリーン製造株式会社 ブラシ洗浄装置
US5693148A (en) * 1995-11-08 1997-12-02 Ontrak Systems, Incorporated Process for brush cleaning
TW353784B (en) * 1996-11-19 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for washing substrate
JPH10323631A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Ebara Corp 洗浄部材のセルフクリーニング装置
KR100354456B1 (ko) * 1999-10-27 2002-09-30 주식회사 기가트론 습식세정 및 건조장치와 그 방법
US6616509B1 (en) * 2000-03-31 2003-09-09 Lam Research Corporation Method for performing two wafer preparation operations on vertically oriented semiconductor wafer in single enclosure
JP2002043267A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Ebara Corp 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置
JP4079205B2 (ja) * 2000-08-29 2008-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP4283068B2 (ja) 2003-08-29 2009-06-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置の洗浄部材の初期化方法、基板洗浄装置並びに基板研磨及び洗浄システム
WO2005098919A1 (ja) * 2004-04-06 2005-10-20 Tokyo Electron Limited 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体
JP4511591B2 (ja) 2004-09-28 2010-07-28 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び洗浄部材の交換時期判定方法
JP2006319279A (ja) 2005-05-16 2006-11-24 Seiko Epson Corp 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2007052300A (ja) * 2005-08-19 2007-03-01 Pre-Tech Co Ltd マスク基板用の洗浄装置及びそれを用いたマスク基板の洗浄方法
JP2007273608A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2008060299A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5385537B2 (ja) 2008-02-26 2014-01-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2013069776A (ja) 2011-09-21 2013-04-18 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置、基板洗浄方法および基板洗浄方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821242B (zh) * 2018-02-05 2023-11-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦記錄媒體
TWI761697B (zh) * 2018-08-17 2022-04-21 台灣積體電路製造股份有限公司 清潔晶圓之方法以及系統
US11342202B2 (en) 2018-08-17 2022-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Automated wafer cleaning
US11735440B2 (en) 2018-08-17 2023-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Automated wafer cleaning

Also Published As

Publication number Publication date
KR102211040B1 (ko) 2021-02-02
TWI628710B (zh) 2018-07-01
CN104299930A (zh) 2015-01-21
KR20150010659A (ko) 2015-01-28
CN104299930B (zh) 2018-09-25
CN108493134A (zh) 2018-09-04
US10879086B2 (en) 2020-12-29
US20150020851A1 (en) 2015-01-22
SG10201404086XA (en) 2015-02-27
CN108493134B (zh) 2022-03-29
US20180308716A1 (en) 2018-10-25
US10032655B2 (en) 2018-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI628710B (zh) 基板清洗機、基板清洗裝置、清洗完成基板之製造方法及基板處理裝置
US20200176281A1 (en) Method of cleaning a substrate
JP6334026B2 (ja) スクラバー
JP3979750B2 (ja) 基板の研磨装置
TWI636518B (zh) 基板處理裝置及處理基板之製造方法
TW201637741A (zh) 基板洗淨裝置、基板洗淨方法、及基板處理裝置
JP2023009162A (ja) 基板処理装置
JP6420415B2 (ja) 基板処理装置
JP2014216456A (ja) 基板洗浄装置
JP2007053154A (ja) マスク基板用の洗浄装置及びそれを用いたマスク基板の洗浄方法
JP2001070896A (ja) 基板洗浄装置
JP6224974B2 (ja) 基板洗浄機、基板洗浄装置、洗浄済基板の製造方法及び基板処理装置
JP2007044693A (ja) 洗浄装置
JP7166132B2 (ja) 基板洗浄部材および基板洗浄装置
JP2015015284A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP6159282B2 (ja) 基板処理装置、および基板処理装置の配管洗浄方法
JP2015035471A (ja) 基板洗浄装置及び基板処理装置
KR20210147853A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법
JP2017147334A (ja) 基板の裏面を洗浄する装置および方法
EP3396707B1 (en) Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
JP2015023165A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2014216392A (ja) 基板処理装置及び処理基板の製造方法
JP6431159B2 (ja) 基板洗浄装置
US10651057B2 (en) Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
US10441979B2 (en) Cleaning apparatus and cleaning method

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees