CN109890520A - 清洗半导体硅片的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示了一种清洗半导体硅片的装置，包括卡盘(106)、超声波或兆声波装置、致动器(113)、至少一个喷嘴(108、209)、及旋转驱动器(111)。卡盘(106)夹持半导体硅片(105)。致动器(113)驱动超声波或兆声波装置移动到半导体硅片(105)表面上方的位置，在超声波或兆声波装置和半导体硅片(105)表面之间形成间隙。至少一个喷嘴(108、209)向半导体硅片(105)的表面喷洒清洗液。旋转驱动器驱动卡盘(106)以低于设定的旋转速度旋转，以保证超声波或兆声波装置和半导体硅片(105)表面之间的间隙完全地且持续地被清洗液(104)填满，从而使超声波或兆声波能量通过清洗液(104)稳定地传递到整个半导体硅片(105)的表面。本发明还揭示了清洗半导体硅片的方法。

Description

清洗半导体硅片的装置和方法
技术领域
本发明涉及一种清洗半导体硅片的装置和方法，更具体地，涉及使用超声波或兆声波装置清洗半导体硅片并且控制半导体硅片的旋转速度低于设定的旋转速度，从而使清洗液能够完全地且持续地填满超声波或兆声波装置和半导体硅片之间的间隙，因此超声波或兆声波能量通过清洗液稳定的传输至半导体硅片，避免损坏半导体硅片上的图案化结构。
背景技术
随着半导体芯片体积的日益减小，现如今在半导体清洗技术领域的一个重大挑战是避免损坏半导体硅片上的图案化结构以及提高颗粒去除率。超声波或兆声波清洗技术的发展解决了半导体器件制造过程中的清洗问题，该技术更多地应用在单片硅片的清洗，能有效去除颗粒和污染物。以兆声波装置为例，一套兆声波装置通常包括压电式传感器及与其配对的声学共振器。传感器通电后作用如振动，而共振器会将高频声能量传递到清洗液中。由兆声波能量产生的清洗液的振动使半导体硅片上的颗粒松动，进而通过由喷嘴提供的流动的清洗液将其从半导体硅片表面移除。当清洗半导体硅片时，半导体硅片由卡盘夹持并随卡盘以一定的旋转速度旋转。由喷嘴向半导体硅片的表面喷洒清洗液。兆声波装置被设置在半导体硅片表面上方，在兆声波装置和半导体硅片之间形成间隙，清洗液填满兆声波装置与半导体硅片表面之间的间隙。兆声波能量通过清洗液传输到半导体硅片表面上。在半导体器件制造过程中，兆声波装置和半导体硅片之间的清洗液能明显影响图案化结构质量。半导体硅片的旋转速度是影响清洗液填满兆声波装置和半导体硅片之间的间隙的主要因素。如果清洗液不能完全填满兆声波装置和半导体硅片之间的间隙，半导体硅片上的图案化结构可能会由于兆声波能量的不稳定传输到半导体硅片表面而被损坏。除了半导体硅片的旋转速度，兆声波装置在半导体硅片上方的位置和半导体硅片表面的特性(疏水性和亲水性)等等也会影响清洗液填满兆声波装置和半导体硅片表面之间的间隙，这些可能会导致清洗液不能完全地且持续地填满兆声波装置和半导体硅片表面之间的间隙，从而导致图案化结构的损坏。
发明内容
因此，本发明的主旨是提供一种清洗半导体硅片的装置和方法，通过使用超声波或兆声波装置并控制半导体硅片的旋转速度低于设定的旋转速度，而使清洗液完全地且持续地填满超声波或兆声波装置和半导体硅片之间的间隙，因此超声波或兆声波能量通过清洗液能稳定的传输到整个半导体硅片表面，从而避免超声波或兆声波能量损坏半导体硅片上的图案化结构。
根据本发明的一个实施例，提出的清洗半导体硅片的装置，包括卡盘、旋转驱动器、超声波或兆声波装置、致动器、以及至少一个中心喷嘴。卡盘夹持半导体硅片。旋转驱动器驱动卡盘以低于30rpm的速度旋转。致动器驱动超声波或兆声波装置移动到半导体硅片表面上方的位置，在半导体硅片表面和超声波或兆声波装置之间形成间隙。至少一个中心喷嘴向半导体硅片表面喷洒清洗液，超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间的间隙被清洗液完全地且持续地填满，因此超声波或兆声波能量通过清洗液稳定地传输到整个半导体硅片表面。
根据本发明的另一个实施例，提出的清洗半导体硅片的装置，包括卡盘、旋转驱动器、超声波或兆声波装置、致动器和边喷嘴。卡盘夹持半导体硅片。旋转驱动器驱动卡盘以低于45rpm的速度旋转。致动器驱动超声波或兆声波装置移动到半导体硅片上方的位置，在半导体硅片表面和超声波或兆声波装置之间形成间隙。边喷嘴向半导体硅片表面喷洒清洗液，超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间的间隙被清洗液完全地且持续地填满，因此超声波或兆声波能量通过清洗液稳定地传输到整个半导体硅片表面。
根据本发明的一个实施例，提出的清洗半导体硅片的方法包括以下步骤：利用卡盘夹持半导体硅片；利用至少一个中心喷嘴向半导体硅片表面喷洒清洗液；使超声波或兆声波装置位于半导体硅片表面上方位置，在半导体硅片表面和超声波或兆声波装置之间形成间隙；驱动卡盘以低于30rpm的旋转速度旋转，以确保超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间的间隙被清洗液完全地且持续地填满，使得超声波或兆声波能量通过清洗液稳定地传输到整个半导体硅片表面。
根据本发明的另一个实施例，提出的清洗半导体硅片的方法包括以下步骤：利用卡盘夹持半导体硅片；利用至少一个边喷嘴向半导体硅片表面喷洒清洗液；使超声波或兆声波装置位于半导体硅片表面上方位置，在半导体硅片表面和超声波或兆声波装置之间形成间隙；驱动卡盘以低于45rpm的旋转速度旋转,以确保超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间的间隙被清洗液完全地且持续地填满，使得超声波或兆声波能量通过清洗液稳定地传输到整个半导体硅片表面。
附图说明
图1A揭示了本发明清洗半导体硅片的装置的第一实施例的示意图，图1B揭示了使用超声波或兆声波装置和中心喷嘴清洗半导体硅片的俯视图。
图2揭示了本发明清洗半导体硅片的装置的第二实例中使用超声波或兆声波装置和边喷嘴清洗半导体硅片的俯视图。
图3A和图3B揭示了在半导体硅片以高旋转速度(大于30rpm)旋转期间,清洗液覆盖面积的变化以及使用中心喷嘴向半导体硅片表面喷洒清洗液填满半导体硅片和超声波或兆声波装置之间的间隙的俯视图，图3C和图3D分别揭示了在半导体硅片以高旋转速度旋转期间，清洗液覆盖面积变化的示意图。
图4揭示了使用如图1A和图1B所示的装置清洗半导体硅片的示意图，其中，半导体硅片正以低旋转速度(10-30rpm)旋转以及使用中心喷嘴向半导体硅片表面喷洒清洗液填满半导体硅片和超声波或兆声波装置之间的间隙。
图5揭示了使用如图2所示的装置清洗半导体硅片的示意图，其中，半导体硅片正以低旋转速度(10-45rpm)旋转以及使用边喷嘴向半导体硅片表面喷洒清洗液填满半导体硅片和超声波或兆声波装置之间的间隙。
图6揭示了使用如图2所示的装置清洗半导体硅片的示意图，其中，半导体硅片正以高旋转速度(大于45rpm)旋转以及使用边喷嘴向半导体硅片表面喷洒清洗液填满半导体硅片和超声波或兆声波装置之间的间隙。
图7揭示了使用如图1A和图1B所示的装置清洗半导体硅片的示意图，其中，半导体硅片表面是疏水性的，并且半导体硅片正以低旋转速度(10-30rpm)旋转以及使用中心喷嘴向半导体硅片表面喷洒清洗液填满半导体硅片和超声波或兆声波装置之间的间隙。
图8揭示了使用如图1A和图1B所示的装置清洗半导体硅片的示意图，其中，半导体硅片表面是亲水性的，并且半导体硅片正以低旋转速度(10-30rpm)旋转以及使用中心喷嘴向半导体硅片表面喷洒清洗液填满半导体硅片和超声波或兆声波装置之间的间隙。
具体实施方式
参考图1A和图1B所示，示意了根据本发明第一实施例的清洗半导体硅片的装置。该装置包括夹持半导体硅片105的卡盘106。若干定位销107设置在卡盘106上，固定半导体硅片105。卡盘106连接旋转驱动器111。旋转驱动器111驱动卡盘106以低于设定的旋转速度旋转。该旋转速度设置在10-3000rpm的范围内。由于半导体硅片105被夹持在卡盘106上，半导体硅片105以同样的旋转速度随着卡盘106旋转。该装置还具有悬臂101。超声波或兆声波装置设置在悬臂101的下方。超声波或兆声波装置具有压电式传感器102及与其配对的声学共振器103。当使用超声波或兆声波装置清洗半导体硅片105时，超声波或兆声波装置移动到半导体硅片105表面上方的位置，在半导体硅片105表面和超声波或兆声波装置之间形成间隙。压电式传感器102通电后作用如振动，而共振器103会将高频声能量传递到清洗液中。由超声波或兆声波能量产生的清洗液的搅动松动了半导体硅片105上的颗粒，污染物因此被振动的离开半导体硅片105的表面，并通过流动的清洗液104将污染物从半导体硅片105的表面去除。清洗液104由至少一个中心喷嘴108提供。中心喷嘴108设置在悬臂101的末端。中心喷嘴108正对半导体硅片105的中心或略越过半导体硅片105的中心，向半导体硅片105的表面喷洒清洗液104。清洗液104完全地且持续地填满超声波或兆声波装置和半导体硅片105的表面之间的间隙，使得超声波或兆声波能量通过清洗液104稳定地传递到半导体硅片105的整个表面，因而避免超声波或兆声波能量损坏半导体硅片105上的图案化结构，尤其避免超声波或兆声波能量损坏半导体硅片105边缘处的图案化结构。中心喷嘴108的数量是至少一个或一个以上。中心喷嘴108能够分配不同的化学品到半导体硅片105的表面，化学品可以是液体也可以是气体。竖直驱动器112驱动悬臂101向上或向下移动，进而改变超声波或兆声波装置和半导体硅片105表面之间的间隙。致动器113驱动超声波或兆声波装置移动到半导体硅片105表面上方的位置。
参考图2所示，图2揭示了根据本发明第二实施例的清洗半导体硅片的装置的俯视图。第二实施例的装置与图1中所示的装置相类似，区别在于第二实施例的装置具有边喷嘴209，该边喷嘴209设置在超声波或兆声波装置的一侧边。在一个实施例中，边喷嘴209具有若干个喷射孔，该若干个喷射孔在超声波或兆声波装置的一侧边呈线性排列。
如图3A至图3D所示的实施例，当使用图1A和图1B所示的装置清洗半导体硅片105时，卡盘106通过该若干个定位销107夹持并固定半导体硅片105。旋转驱动器111驱动卡盘106以大于30rpm的速度高速旋转。致动器113驱动超声波或兆声波装置移动到半导体硅片105表面上方的位置。竖直驱动器112驱动超声波或兆声波装置竖直移动来改变超声波或兆声波装置和半导体硅片105表面之间的间隙。超声波或兆声波装置覆盖半导体硅片105的外边缘。中心喷嘴108向半导体硅片105的表面喷洒清洗液104。旋转驱动器111驱动卡盘106高速旋转，这导致了清洗液104不能完全地且持续地填满超声波或兆声波装置和半导体硅片105表面之间的间隙，尤其是超声波或兆声波装置的边缘。在清洗的过程中，清洗液104断断续续地填满超声波或兆声波装置和半导体硅片105表面之间的间隙，这是不稳定的。图3A和图3B揭示了在半导体硅片以高速旋转期间清洗液覆盖面积改变的俯视图。区域1和区域2断断续续地被清洗液104完全填满。有时，区域1和区域2没有或者是没有完全被清洗液104填满，而区域3是一直被清洗液104完全填满，如图3A和图3C所示。然而有时，区域1和区域2是被清洗液104完全填满，如图3B和图3D所示，因此整个超声波或兆声波装置和半导体硅片105表面之间的间隙被清洗液104完全填满。气相和液相交替出现在超声波或兆声波装置和半导体硅片105表面之间的间隙中，超声波或兆声波能量集中在气相和液相的交界处。由能量的集中所引起的高超声波或兆声波能量有损坏图案化结构的风险。此外，当没有清洗液104填充在区域1和区域2或是区域1或区域2没有被完全填满清洗液104时，超声波或兆声波能量不能传递到半导体硅片105的表面，然而一旦区域1和区域2被清洗液104完全填满，超声波或兆声波能量就会通过清洗液104传递到半导体硅片105的表面，这导致了传递到半导体硅片105表面上的超声波或兆声波能量非均匀分布。此外，不稳定的液体传输也会导致乱流，使得超声波或兆声波能量的传输更不均匀。
参考图4所示，为了解决上述问题，卡盘106的旋转速度被控制在低于30rpm的低转速，较佳的范围是10-30rpm。中心喷嘴108向半导体硅片105的表面喷洒清洗液104。因为旋转驱动器111驱动卡盘106以低于设定的旋转速度旋转，使得超声波或兆声波装置和半导体硅片105表面之间的间隙能够被清洗液104完全地且持续地填满，因此，超声波或兆声波能量通过清洗液104稳定地传递到整个半导体硅片105的表面，避免损坏半导体硅片105上的图案化结构。控制卡盘106的旋转速度低于设定的转速能够避免图案化结构的损坏。
参考图5所示，当使用如图2所示的装置清洗半导体硅片205时，卡盘206通过若干个定位销207夹持并固定半导体硅片205。旋转驱动器驱动卡盘206以低于45rpm的低旋转速度旋转，较佳的范围是10-45rpm。致动器驱动超声波或兆声波装置移动到半导体硅片205表面上方的位置。竖直驱动器驱动悬臂201竖直移动来改变超声波或兆声波装置和半导体硅片205表面之间的间隙。较佳地，超声波或兆声波装置的边缘能对准半导体硅片205的外边缘。边喷嘴209向半导体硅片205的表面喷洒清洗液204。因为旋转驱动器驱动卡盘206以低于设定的旋转速度旋转，使得超声波或兆声波装置和半导体硅片205表面之间的间隙能够被清洗液204完全地且持续地填满，因此超声波或兆声波能量通过清洗液204稳定地传递到整个半导体硅片205的表面，避免超声波或兆声波能量损坏半导体硅片205上的图案化结构。控制卡盘206以低于设定的旋转速度旋转能避免图案化结构的损坏。
与图5所示的实施例相比较，在图6所示的实施例中，旋转驱动器驱动卡盘206以大于45rpm的高旋转速度旋转，这会导致超声波或兆声波装置和半导体硅片205表面之间的间隙不能完全地且持续地被清洗液204填满，尤其是在超声波或兆声波装置的边缘。在清洗的过程中，清洗液204断断续续地填满超声波或兆声波装置和半导体硅片205表面之间的间隙，这是不稳定的。气相和液相交替出现在超声波或兆声波装置和半导体硅片205表面之间的间隙中，超声波或兆声波能量集中在气相和液相的交界处，由能量的集中所引起的高超声波或兆声波能量有损坏图案化结构的风险。此外，当没有清洗液204填充间隙或是间隙没有被清洗液204完全填满时，超声波或兆声波能量不能被传递到半导体硅片205的表面，然而一旦间隙被清洗液204完全填满，超声波或兆声波能量通过清洗液204传递到半导体硅片205的表面，这会导致传递到半导体硅片205表面上的超声波或兆声波能量非均匀分布。此外，不稳定的液体传输也会导致乱流，使得超声波或兆声波能量的传输更不均匀。
在图7所示的实施例中，当使用如图1A和图1B所示的装置清洗半导体硅片105时，卡盘106通过若干个定位销107夹持和固定半导体硅片105。旋转驱动器111驱动卡盘106以低于30rpm的低旋转速度旋转，较佳的范围是10-30rpm。致动器113驱动超声波或兆声波装置移动到半导体硅片105表面上方的位置。竖直驱动器112驱动悬臂101竖直移动来改变超声波或兆声波装置和半导体硅片105表面之间的间隙。超声波或兆声波装置的边缘对准半导体硅片105的外边缘。中心喷嘴108向半导体硅片105的表面喷洒清洗液104。在这一实施方案中，半导体硅片105的表面是疏水性的，这会导致超声波或兆声波装置和半导体硅片105表面之间的间隙不能完全地且持续地被清洗液104填满，尤其是在超声波或兆声波装置的边缘。
为了解决上述问题，本发明提供了如图8所示的另一实施方案。在这一实施方案中，使用如图1A和图1B所示的装置清洗半导体硅片105时，卡盘106通过若干个定位销107夹持并固定半导体硅片105。旋转驱动器111驱动卡盘106以低于30rpm的低旋转速度旋转，较佳的范围是10-30rpm。致动器113驱动超声波或兆声波装置移动到半导体硅片105表面上方的位置。竖直驱动器112驱动悬臂101竖直移动来改变超声波或兆声波装置和半导体硅片105表面之间的间隙。超声波或兆声波装置的边缘对准半导体硅片105的外边缘。中心喷嘴108向半导体硅片105的表面喷洒清洗液104。半导体硅片105的表面是亲水性的，使得超声波或兆声波装置和半导体硅片105表面之间的间隙能够完全地且持续地被清洗液104填满，因此超声波或兆声波能量通过清洗液104稳定地传递到整个半导体硅片105的表面，避免了超声波或兆声波能量损坏半导体硅片105上的图案化结构。
综上所述，卡盘的旋转速度，超声波或兆声波装置的位置，喷嘴的类型和半导体硅片表面的特性是影响清洗液填满超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间间隙的因素。尤其是，控制卡盘的旋转速度低于设定的旋转速度能够保证清洗液完全地且持续地填满超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间的间隙，使超声波或兆声波能量可以通过清洗液稳定地传递到整个半导体硅片的表面，避免了损坏半导体硅片上的图案化结构。对于中心喷嘴而言，为了避免超声波或兆声波能量损坏半导体硅片上的图案化结构，卡盘的旋转速度低于30rpm。对于边喷嘴而言，为了避免超声波或兆声波能量损坏半导体硅片上的图案化结构，卡盘的旋转速度低于45rpm。
相应地，本发明所提供的清洗半导体硅片的方法包括以下步骤：
步骤1：利用卡盘夹持半导体硅片；
步骤2：向半导体硅片的表面喷洒清洗液；
步骤3：使超声波或兆声波装置移动到半导体硅片表面上方的位置，在超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间形成间隙；
步骤4：使卡盘以低于设定的旋转速度旋转，以保证超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间的间隙完全地且持续地被清洗液填满，使得超声波或兆声波能量通过清洗液稳定地传递到整个半导体硅片表面。
在一个实施例中，半导体硅片的表面是亲水性的。
在一个实施例中，利用至少一个中心喷嘴向半导体硅片的表面喷洒清洗液。使卡盘以低于30rpm的旋转速度旋转，较佳的范围是10-30rpm。中心喷嘴正对着半导体硅片的中心或略越过半导体硅片的中心。
在一个实施例中，利用至少一个边喷嘴向半导体硅片的表面喷洒清洗液。使卡盘以低于45rpm的旋转速度旋转，较佳的范围是10-45rpm。边喷嘴设置在超声波或兆声波装置的一侧边。边喷嘴具有若干个喷射孔，该若干个喷射孔在超声波或兆声波装置的一侧边呈线性排列。
综上所述，本发明通过上述实施方式及相关图式说明，己具体、详实的揭露了相关技术，使本领域的技术人员可以据以实施。而以上所述实施例只是用来说明本发明，而不是用来限制本发明的，本发明的权利范围，应由本发明的权利要求来界定。至于本文中所述元件数目的改变或等效元件的代替等仍都应属于本发明的权利范围。

Claims (24)

1.一种清洗半导体硅片的装置，其特征在于，包括：
卡盘，夹持半导体硅片；
超声波或兆声波装置；
致动器，驱动超声波或兆声波装置移动到半导体硅片表面上方的位置，在超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间形成间隙；
至少一个喷嘴，向半导体硅片的表面喷洒清洗液；以及
旋转驱动器，驱动卡盘以低于设定的旋转速度旋转，以保证超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间的间隙完全地且持续地被清洗液填满，从而使超声波或兆声波能量通过清洗液稳定地传递到整个半导体硅片表面。
2.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，半导体硅片的表面是亲水性的。
3.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，所述的至少一个喷嘴是中心喷嘴。
4.根据权利要求3所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，所述的旋转驱动器驱动卡盘以低于30rpm的旋转速度旋转。
5.根据权利要求4所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，所述的旋转驱动器驱动卡盘以10-30rpm的旋转速度旋转。
6.根据权利要求3所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，进一步包括悬臂，所述的超声波或兆声波装置设置在悬臂的下方，所述的中心喷嘴设置在悬臂的末端。
7.根据权利要求3所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，所述的中心喷嘴正对半导体硅片的中心或略越过半导体硅片的中心。
8.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，所述的至少一个喷嘴是设置在超声波或兆声波装置一侧边的边喷嘴。
9.根据权利要求8所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，所述的旋转驱动器驱动卡盘以低于45rpm的旋转速度旋转。
10.根据权利要求9所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，所述的旋转驱动器驱动卡盘以10-45rpm的旋转速度旋转。
11.根据权利要求8所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，所述的边喷嘴具有若干个喷射孔，该若干个喷射孔在超声波或兆声波装置的一侧边呈线性排列。
12.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，进一步包括竖直驱动器，驱动超声波或兆声波装置竖直移动以改变超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间的间隙。
13.根据权利要求1所述的清洗半导体硅片的装置，其特征在于，进一步包括若干个定位销，设置在卡盘上，固定半导体硅片。
14.一种清洗半导体硅片的方法，其特征在于，包括：
利用卡盘夹持半导体硅片；
向半导体硅片的表面喷洒清洗液；
使超声波或兆声波装置移动到半导体硅片表面上方的位置，在超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间形成间隙；
使卡盘以低于设定的旋转速度旋转，以保证超声波或兆声波装置和半导体硅片表面之间的间隙完全地且持续地被清洗液填满，从而使超声波或兆声波能量通过清洗液稳定地传递到整个半导体硅片表面。
15.根据权利要求14所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，半导体硅片表面是亲水性的。
16.根据权利要求14所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，利用至少一个中心喷嘴向半导体硅片的表面喷洒清洗液。
17.根据权利要求16所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，使卡盘以低于30rpm的旋转速度旋转。
18.根据权利要求17所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，使卡盘以10-30rpm的旋转速度旋转。
19.根据权利要求16所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，所述的中心喷嘴正对半导体硅片的中心或略越过半导体硅片的中心。
20.根据权利要求14所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，利用至少一个边喷嘴向半导体硅片的表面喷洒清洗液。
21.根据权利要求20所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，使卡盘以低于45rpm的旋转速度旋转。
22.根据权利要求21所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，使卡盘以10-45rpm的旋转速度旋转。
23.根据权利要求20所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，所述的边喷嘴设置在超声波或兆声波装置的一侧边。
24.根据权利要求23所述的清洗半导体硅片的方法，其特征在于，所述的边喷嘴具有若干个喷射孔，该若干个喷射孔在超声波或兆声波装置的一侧边呈线性排列。
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