CN112768378B - 一种交错式晶圆表面湿法清洗系统及清洗方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种交错式晶圆表面湿法清洗系统及清洗方法，所述清洗系统包括晶圆承载机构及晶圆清洗机构，所述晶圆承载机构用于放置晶圆片，所述晶圆片固定在晶圆承载机构的表面并在晶圆承载机构的带动下转动；所述晶圆清洗机构包括第一清洗机构、第二清洗机构、第三清洗机构及第四清洗机构，所述第一清洗机构、第二清洗机构、第三清洗机构、第四清洗机构均设置于所述晶圆承载机构的外侧用于对所述晶圆片的表面进行清洗。本发明采用多种清洗溶液进行交错式清洗，各个清洗工序之间互不干扰，提升了晶圆片表面的清洗质量，保证了晶圆片的清洗效果。

Description

一种交错式晶圆表面湿法清洗系统及清洗方法

技术领域

本发明属于半导体湿法清洗设备技术领域，具体涉及一种交错式晶圆表面湿法清洗系统及清洗方法。

背景技术

在半导体清洗领域中，对于高阶晶圆产品，例如涉及到逻辑集成电路、储存、功率器件等产品的相关晶圆产品，在生产制造的过程中，通过各种复杂的光刻、湿法、沉积、氧化等相关的工艺的处理，然而每一段的工艺结束后都需要通过清洗工艺进行处理，确保后续的工艺的准确性与再现性。

尤其对于65-14nm pitch需求的晶圆清洗湿法工艺，以及尺寸为14nm以下扩及到5nm pitch的晶圆产品，在尺寸效应的作用下，晶圆湿法工艺的核心问题在于液体残留在纳米晶圆的微结构中。储存类产品DRAM NAND等相关性的结构，具有不同的金属化微结构及高深宽比图案化分布，如果运用一般的清洗方法，由于液体颗粒的聚集，无法对纳米晶圆的表面进行很好的清洗，是当前亟需解决的问题。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种交错式晶圆表面湿法清洗系统，本发明能够对晶圆产品的表面进行多工序清洗，提升了晶圆产品的清洗质量，保证了晶圆产品的清洗效果。此外，本发明还要提供一种交错式晶圆表面湿法清洗方法。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明的第一方面，提供一种交错式晶圆表面湿法清洗系统，包括晶圆承载机构及晶圆清洗机构，所述晶圆承载机构用于放置晶圆片，所述晶圆片固定在晶圆承载机构的表面并在晶圆承载机构的带动下转动；

所述晶圆清洗机构包括第一清洗机构、第二清洗机构、第三清洗机构及第四清洗机构，所述第一清洗机构、第二清洗机构、第三清洗机构、第四清洗机构均设置于所述晶圆承载机构的外侧用于对所述晶圆片的表面进行清洗；

所述第一清洗机构包括驱动机构、清洗壳体、液体清洗喷头、雾化清洗喷头、氮气喷嘴及超声波震荡片，所述清洗壳体设置于所述晶圆承载机构的一侧，所述清洗壳体连接所述驱动机构并在所述驱动机构的带动下实现升降运动及旋转运动，控制所述液体清洗喷头、雾化清洗喷头、氮气喷嘴处于或离开所述晶圆片的正上方，所述清洗壳体的内部设置有液体清洗管道、雾化清洗管道及气体输送管道，所述液体清洗管道的一端连接所述液体清洗喷头，另一端连接外部供液管路，所述雾化清洗管道的一端连接所述雾化清洗喷头，另一端连接外部供液管路，所述雾化清洗喷头连接超声波震荡片，所述超声波震荡片连接外部电源，所述气体输送管道的一端连接所述氮气喷嘴，另一端连接氮气供气管道，所述氮气喷嘴朝向所述雾化清洗喷头。

作为优选的技术方案，所述第二清洗机构包括酸洗喷头及酸洗动力机构，所述酸洗喷头在酸洗动力机构的带动下进行升降及旋转运动，控制所述酸洗喷头处于或远离所述晶圆片的正上方。

作为优选的技术方案，所述第三清洗机构包括第一化学清洗喷头、第二化学清洗喷头及第三超纯水清洗喷头，所述第一化学清洗喷头、所述第二化学清洗喷头、所述第三超纯水清洗喷头在化学清洗动力机构的带动下进行升降及旋转运动，控制所述第一化学清洗喷头、所述第二化学清洗喷头、所述第三超纯水清洗喷头处于或远离所述晶圆片的正上方。

作为优选的技术方案，所述第四清洗机构包括第一超纯水清洗喷头、第二超纯水清洗喷头及氮气干燥喷头，所述第一超纯水清洗喷头、所述第二超纯水清洗喷头、所述氮气干燥喷头固定于所述晶圆承载机构的外侧，所述第一超纯水清洗喷头、所述第二超纯水清洗喷头、所述氮气干燥喷头朝向所述晶圆片的表面。

作为优选的技术方案，所述清洗壳体为L型结构，其设置于所述晶圆承载机构外部的一端连接所述驱动机构，所述驱动机构包括升降气缸及旋转气缸，所述升降气缸的固定端安装于一基座上，所述旋转气缸的固定端连接所述升降气缸的输出端，所述清洗壳体的端部连接所述旋转气缸的输出端。

作为优选的技术方案，所述升降气缸的输出端连接一安装板，所述安装板滑动安装一线型轨道上，所述旋转气缸的固定端安装于所述安装板上，所述旋转气缸的输出端设置有驱动齿轮，所述清洗壳体的端部设置有从动齿轮，所述驱动齿轮与所述从动齿轮通过齿条啮合连接。

作为优选的技术方案，所述液体清洗喷头、所述雾化清洗喷头、所述氮气喷嘴呈三角形分布，所述雾化清洗喷头为伞状喷头。

作为优选的技术方案，所述液体清洗喷头朝向所述液体清洗喷头、所述雾化清洗喷头、所述氮气喷嘴所形成的三角形的中心。

作为优选的技术方案，所述氮气喷嘴与所述晶圆片之间的距离、所述液体清洗喷头与所述晶圆片之间的距离均小于所述雾化清洗喷头与所述晶圆片之间的距离。

作为优选的技术方案，所述雾化清洗喷头的圆心与所述晶圆片的圆心重合。

作为优选的技术方案，所述液体清洗喷头、所述雾化清洗喷头所喷出的液体为氨水与双氧水的混合液。

本发明的第二方面，提供一种交错式晶圆表面湿法清洗方法，采用上述的晶圆片表面湿法清洗系统，包括以下步骤：

步骤一、第三清洗机构运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第三清洗机构向晶圆片的表面喷洒氢氟酸溶液，清洗完成后，第三清洗机构带动第三清洗机构远离晶圆片；

步骤二、第四清洗机构向晶圆片的表面喷洒超纯水，喷洒完成后晶圆承载机构停止转动；

步骤三、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥；

步骤四、晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第四清洗机构向晶圆片的表面喷射氮气，清洗完成后晶圆承载机构停止旋转；

步骤五、第二清洗机构运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第二清洗机构向晶圆片的表面喷洒硫酸与双氧水的混合溶液，清洗完成后，第二清洗机构带动第二清洗机构远离晶圆片；

步骤六、第四清洗机构向晶圆片的表面喷洒超纯水，喷洒完成后晶圆承载机构停止转动；

步骤七、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥；

步骤八、晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第四清洗机构向晶圆片的表面喷射氮气，清洗完成后晶圆承载机构停止旋转；

步骤九、第一清洗机构运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第一清洗机构向晶圆片的表面喷洒氨水与双氧水的混合溶液，清洗完成后，第一清洗机构远离晶圆片；

步骤十、第四清洗机构向晶圆片的表面喷洒超纯水，喷洒完成后晶圆承载机构停止转动；

步骤十一、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥；

步骤十二、第三清洗机构运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第三清洗机构向晶圆片的表面喷洒超纯水，清洗完成后，第三清洗机构带动第三清洗机构远离晶圆片；

步骤十三、晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第四清洗机构向晶圆片的表面喷射氮气，清洗完成后晶圆承载机构停止旋转；

步骤十四、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

(1)本发明采用多种清洗溶液进行交错式清洗，各个清洗工序之间互不干扰，提升了晶圆片表面的清洗质量，保证了晶圆片的清洗效果。

(2)本发明在雾化清洗喷头的位置设置有超声波震荡片，清洗液滴接收到能力震荡能够产生细化的雾状清洗液，采用氮气吹送，在雾状水的表面形成气体保护膜，保持液体的表面能，阻挡液滴分子团聚，保证了纳米晶圆的清洗效果。

(3)本发明通过驱动机构控制雾化清洗喷头与晶圆片之间的距离，针对不同的清洗需求调整喷头的高度，使用更加灵活，保证了清洗效果。

(4)本发明的雾化清洗喷头采用伞状喷头，提升可雾化清洗液的喷射范围，随着晶圆的旋转，液体旋出扩散，增大了有效喷射半径，提升了清洗效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明交错式晶圆表面湿法清洗系统的结构示意图。

图2为本发明第一清洗机构的结构示意图之一。

图3为本发明第一清洗机构的结构示意图之二。

图4为本发明第一清洗机构中清洗壳体的结构示意图之一。

图5为本发明第一清洗机构中清洗壳体的结构示意图之二。

图6为本发明第一清洗机构中喷头的结构示意图。

图7为本发明中纳米晶圆表面的清洗液扩散示意图。

图8为本发明中雾状清洗液的形成示意图。

其中，附图标记具体说明如下：清洗壳体1、雾化清洗喷头2、液体清洗喷头3、氮气喷嘴4、线型轨道6、升降气缸7、安装板8、旋转气缸9、驱动齿轮10、从动齿轮11、齿条12、雾化清洗管道13、液体清洗管道14、气体输送管道15、酸洗喷头16、第一化学清洗喷头17、第二化学清洗喷头18、第三超纯水清洗喷头19、第一超纯水清洗喷头20、第二超纯水清洗喷头21、氮气干燥喷头22、第一清洗机构23、第二清洗机构24、第三清洗机构25、第四清洗机构26。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

本实施例提供一种交错式晶圆表面湿法清洗系统，其特征在于，包括晶圆承载机构及晶圆清洗机构，所述晶圆承载机构用于放置晶圆片，所述晶圆片固定在晶圆承载机构的表面并在晶圆承载机构的带动下转动；所述晶圆清洗机构包括第一清洗机构23、第二清洗机构24、第三清洗机构25及第四清洗机构26，所述第一清洗机构23、第二清洗机构24、第三清洗机构25、第四清洗机构26均设置于所述晶圆承载机构的外侧用于对所述晶圆片的表面进行清洗。

第一清洗机构23包括驱动机构、清洗壳体1、液体清洗喷头3、雾化清洗喷头2、氮气喷嘴4及超声波震荡片，清洗壳体1的一端设置于晶圆承载机构的一端，清洗壳体1连接驱动机构，驱动机构能够带动清洗壳体1上下运动及旋转运动，用以将液体清洗喷头3、雾化清洗喷头2、氮气喷嘴4调整至晶圆片的正上方或者将液体清洗喷头3、雾化清洗喷头2、氮气喷嘴4调离至晶圆片的外侧。清洗壳体1的整体呈L形结构，液体清洗喷头3、雾化清洗喷头2、氮气喷嘴4安装在清洗壳体1的一端。清洗壳体1的内部设置有液体清洗管道14、雾化清洗管道13及气体输送管道15，液体清洗管道14的一端连接液体清洗喷头3，另一端连接外部供液管路。雾化清洗管道13的一端连接雾化清洗喷头2，另一端连接外部供液管路，雾化清洗喷头2连接超声波震荡片，超声波震荡片连接外部电源，通过超声波震荡片实现对雾化清洗喷头2内清洗液的雾化，产生小颗粒的雾状清洗液，有效地对纳米晶圆进行清洗。气体输送管道15的一端连接氮气喷嘴4，另一端连接氮气供气道，氮气喷嘴4朝向雾化清洗喷头2的正下方，通过氮气的吹送，能够保证液滴的表能，阻挡液滴分子团聚产生，在雾化液滴的表面形成纳米级水膜。

清洗壳体1于晶圆承载机构外部的一端连接有驱动机构，驱动机构包括升降气缸7、旋转气缸9、安装板8及线型轨道6，升降气缸7的固定端安装于一基座上，为升降气缸7的动作提供支撑点，升降气缸7的输出端连接升降板，升降板滑动安装于线型轨道6上，能够沿线型轨道6上下移动。旋转气缸9固定段安装于安装板8上，在旋转气缸9的输出端设置有驱动齿轮10，在清洗壳体1的端部设置有从动齿轮11，驱动齿轮10与从动齿轮11通过齿条12啮合连接。升降气缸7动作驱动安装板8上下运动，带动清洗壳体1上下移动，旋转气缸9的输出端通过齿轮齿条12传动带动清洗壳体1转动，从而带动喷头移动。

在本实施例中，液体清洗喷头3、雾化清洗喷头2、氮气喷嘴4呈三角形分布，液体清洗喷头3朝向三角形的中心于晶圆片上的投影。雾化清洗喷头2为伞状喷头，雾化清洗喷头2的圆心与所述晶圆片的圆心重合。采用此种结构的喷头布置，配合晶圆片的转动，能在晶圆片的表面形成清洗液扩散圈，增大清洗液的喷射半径，提升晶圆片的清洗效果，液体清洗喷头3与雾化清洗喷头2所喷出的液体为氨水与双氧水的混合液。

雾化清洗喷头2与所述晶圆片之间的距离为14-30毫米，所述氮气喷嘴4与所述晶圆片之间的距离、所述液体清洗喷头3与所述晶圆片之间的距离均小于所述雾化清洗喷头2与所述晶圆片之间的距离。本实施例中，雾化清洗喷头2与晶圆片之间的距离小，结合氮气的保护作用，能够避免雾状小分子清洗液相互聚集形成大分子液滴，保证了晶圆片的清洗效果。

第二清洗机构24包括酸洗喷头16及酸洗动力机构，所述酸洗喷头16在酸洗动力机构的带动下进行升降及旋转运动，控制所述酸洗喷头16处于或远离所述晶圆片的正上方。

所述第三清洗机构25包括第一化学清洗喷头17、第二化学清洗喷头18及第三超纯水清洗喷头19，所述第一化学清洗喷头17、所述第二化学清洗喷头18、所述第三超纯水清洗喷头19在化学清洗动力机构的带动下进行升降及旋转运动，控制所述第一化学清洗喷头17、所述第二化学清洗喷头18、所述第三超纯水清洗喷头19处于或远离所述晶圆片的正上方。

所述第四清洗机构26包括第一超纯水清洗喷头20、第二超纯水清洗喷头21及氮气干燥喷头22，所述第一超纯水清洗喷头20、所述第二超纯水清洗喷头21、所述氮气干燥喷头22固定于所述晶圆承载机构的外侧，所述第一超纯水清洗喷头20、所述第二超纯水清洗喷头21、所述氮气干燥喷头22朝向所述晶圆片的表面。

酸洗动力机构与化学清洗动力机构可以采用与驱动机构相同的结构。

实施例2

本实施例提供一种交错式晶圆表面湿法清洗方法，包括以下步骤：

步骤一、第三清洗机构25运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第三清洗机构25向晶圆片的表面喷洒氢氟酸溶液，清洗完成后，第三清洗机构25带动第三清洗机构25远离晶圆片；

步骤二、第四清洗机构26向晶圆片的表面喷洒超纯水，喷洒完成后晶圆承载机构停止转动；

步骤三、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥；

步骤四、晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第四清洗机构26向晶圆片的表面喷射氮气，清洗完成后晶圆承载机构停止旋转；

步骤五、第二清洗机构24运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第二清洗机构24向晶圆片的表面喷洒硫酸与双氧水的混合溶液，清洗完成后，第二清洗机构24带动第二清洗机构24远离晶圆片；

步骤六、第四清洗机构26向晶圆片的表面喷洒超纯水，喷洒完成后晶圆承载机构停止转动；

步骤七、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥；

步骤八、晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第四清洗机构26向晶圆片的表面喷射氮气，清洗完成后晶圆承载机构停止旋转；

步骤九、第一清洗机构23运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第一清洗机构23向晶圆片的表面喷洒氨水与双氧水的混合溶液，清洗完成后，第一清洗机构23远离晶圆片；

步骤十、第四清洗机构26向晶圆片的表面喷洒超纯水，喷洒完成后晶圆承载机构停止转动；

步骤十一、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥；

步骤十二、第三清洗机构25运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第三清洗机构25向晶圆片的表面喷洒超纯水，清洗完成后，第三清洗机构25带动第三清洗机构25远离晶圆片；

步骤十三、晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第四清洗机构26向晶圆片的表面喷射氮气，清洗完成后晶圆承载机构停止旋转；

步骤十四、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥。

尽管上述实施例已对本发明作出具体描述，但是对于本领域的普通技术人员来说，应该理解为可以在不脱离本发明的精神以及范围之内基于本发明公开的内容进行修改或改进，这些修改和改进都在本发明的精神以及范围之内。

Claims (8)

1.一种交错式晶圆表面湿法清洗系统，其特征在于，包括晶圆承载机构及晶圆清洗机构，所述晶圆承载机构用于放置晶圆片，所述晶圆片固定在晶圆承载机构的表面并在晶圆承载机构的带动下转动；

所述晶圆清洗机构包括第一清洗机构、第二清洗机构、第三清洗机构及第四清洗机构，所述第一清洗机构、第二清洗机构、第三清洗机构、第四清洗机构均设置于所述晶圆承载机构的外侧用于对所述晶圆片的表面进行清洗；

所述第一清洗机构包括驱动机构、清洗壳体、液体清洗喷头、雾化清洗喷头、氮气喷嘴及超声波震荡片，所述清洗壳体设置于所述晶圆承载机构的一侧，所述清洗壳体连接所述驱动机构并在所述驱动机构的带动下实现升降运动及旋转运动，控制所述液体清洗喷头、雾化清洗喷头、氮气喷嘴处于或离开所述晶圆片的正上方，所述清洗壳体的内部设置有液体清洗管道、雾化清洗管道及气体输送管道，所述液体清洗管道的一端连接所述液体清洗喷头，另一端连接外部供液管路，所述雾化清洗管道的一端连接所述雾化清洗喷头，另一端连接外部供液管路，所述雾化清洗喷头连接超声波震荡片，所述超声波震荡片连接外部电源，所述气体输送管道的一端连接所述氮气喷嘴，另一端连接氮气供气管道，所述氮气喷嘴朝向所述雾化清洗喷头，所述液体清洗喷头、所述雾化清洗喷头、所述氮气喷嘴呈三角形分布，所述雾化清洗喷头为伞状喷头，液体清洗喷头朝向三角形的中心于晶圆片上的投影，所述氮气喷嘴与所述晶圆片之间的距离、所述液体清洗喷头与所述晶圆片之间的距离均小于所述雾化清洗喷头与所述晶圆片之间的距离。

2.如权利要求1所述的一种交错式晶圆表面湿法清洗系统，其特征在于，所述第二清洗机构包括酸洗喷头及酸洗动力机构，所述酸洗喷头在酸洗动力机构的带动下进行升降及旋转运动，控制所述酸洗喷头处于或远离所述晶圆片的正上方。

3.如权利要求1所述的一种交错式晶圆表面湿法清洗系统，其特征在于，所述第三清洗机构包括第一化学清洗喷头、第二化学清洗喷头及第三超纯水清洗喷头，所述第一化学清洗喷头、所述第二化学清洗喷头、所述第三超纯水清洗喷头在化学清洗动力机构的带动下进行升降及旋转运动，控制所述第一化学清洗喷头、所述第二化学清洗喷头、所述第三超纯水清洗喷头处于或远离所述晶圆片的正上方。

4.如权利要求1所述的一种交错式晶圆表面湿法清洗系统，其特征在于，所述第四清洗机构包括第一超纯水清洗喷头、第二超纯水清洗喷头及氮气干燥喷头，所述第一超纯水清洗喷头、所述第二超纯水清洗喷头、所述氮气干燥喷头固定于所述晶圆承载机构的外侧，所述第一超纯水清洗喷头、所述第二超纯水清洗喷头、所述氮气干燥喷头朝向所述晶圆片的表面。

5.如权利要求1所述的交错式晶圆表面湿法清洗系统，其特征在于，所述清洗壳体为L型结构，其设置于所述晶圆承载机构外部的一端连接所述驱动机构，所述驱动机构包括升降气缸及旋转气缸，所述升降气缸的固定端安装于一基座上，所述旋转气缸的固定端连接所述升降气缸的输出端，所述清洗壳体的端部连接所述旋转气缸的输出端。

6.如权利要求5所述的一种交错式晶圆表面湿法清洗系统，其特征在于，所述升降气缸的输出端连接一安装板，所述安装板滑动安装一线型轨道上，所述旋转气缸的固定端安装于所述安装板上，所述旋转气缸的输出端设置有驱动齿轮，所述清洗壳体的端部设置有从动齿轮，所述驱动齿轮与所述从动齿轮通过齿条啮合连接。

7.如权利要求1所述的一种交错式晶圆表面湿法清洗系统，其特征在于，所述雾化清洗喷头所喷出的液体为氨水与双氧水的混合液。

8.一种晶圆片表面湿法清洗方法，采用权利要求1-7任一项所述的交错式晶圆表面湿法清洗系统，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、第三清洗机构运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第三清洗机构向晶圆片的表面喷洒氢氟酸溶液，清洗完成后，第三清洗机构带动第三清洗机构远离晶圆片；

步骤二、第四清洗机构向晶圆片的表面喷洒超纯水，喷洒完成后晶圆承载机构停止转动；

步骤三、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥；

步骤四、晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第四清洗机构向晶圆片的表面喷射氮气，清洗完成后晶圆承载机构停止旋转；

步骤五、第二清洗机构运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第二清洗机构向晶圆片的表面喷洒硫酸与双氧水的混合溶液，清洗完成后，第二清洗机构带动第二清洗机构远离晶圆片；

步骤六、第四清洗机构向晶圆片的表面喷洒超纯水，喷洒完成后晶圆承载机构停止转动；

步骤七、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥；

步骤八、晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第四清洗机构向晶圆片的表面喷射氮气，清洗完成后晶圆承载机构停止旋转；

步骤九、第一清洗机构运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第一清洗机构向晶圆片的表面喷洒氨水与双氧水的混合溶液，清洗完成后，第一清洗机构远离晶圆片；

步骤十、第四清洗机构向晶圆片的表面喷洒超纯水，喷洒完成后晶圆承载机构停止转动；

步骤十一、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥；

步骤十二、第三清洗机构运动至晶圆片的正上方，晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第三清洗机构向晶圆片的表面喷洒超纯水，清洗完成后，第三清洗机构带动第三清洗机构远离晶圆片；

步骤十三、晶圆承载机构带动晶圆片旋转，第四清洗机构向晶圆片的表面喷射氮气，清洗完成后晶圆承载机构停止旋转；

步骤十四、晶圆承载机构带动晶圆片高速旋转5-10秒后停止完成晶圆片的干燥。

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