JP2786787B2 - 噴射メッキ装置及び噴射メッキ方法 - Google Patents
噴射メッキ装置及び噴射メッキ方法Info
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- JP2786787B2 JP2786787B2 JP4323020A JP32302092A JP2786787B2 JP 2786787 B2 JP2786787 B2 JP 2786787B2 JP 4323020 A JP4323020 A JP 4323020A JP 32302092 A JP32302092 A JP 32302092A JP 2786787 B2 JP2786787 B2 JP 2786787B2
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/026—Electroplating of selected surface areas using locally applied jets of electrolyte
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D7/12—Semiconductors
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製品の外部リ−
ドに外装メッキを施すための噴射メッキ装置の改良に関
する。
ドに外装メッキを施すための噴射メッキ装置の改良に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、噴射メッキ装置は、例えば図１１
〜図１３に示すような構成を有している。なお、図１２
は、図１１のＩ−Ｉ´線に沿う断面図であり、図１３
は、図１１のII−II´線に沿う断面図である。
〜図１３に示すような構成を有している。なお、図１２
は、図１１のＩ−Ｉ´線に沿う断面図であり、図１３
は、図１１のII−II´線に沿う断面図である。
【０００３】メッキ液は、メッキ液槽から圧力ボックス
１１，１２を介して、キャビティ１３内に注入される。
半導体製品１４は、キャビティボックス１５，１６によ
って両側から押さえ付けられている。キャビティボック
ス１５，１６の内壁面の一部（外部リ−ド面に離れて対
向する部分）には、電極１７が設けられている。そし
て、メッキ液噴射時には、この電極１７に正電圧が印加
され、リ−ドフレ−ム１８に負電圧が印加される。
１１，１２を介して、キャビティ１３内に注入される。
半導体製品１４は、キャビティボックス１５，１６によ
って両側から押さえ付けられている。キャビティボック
ス１５，１６の内壁面の一部（外部リ−ド面に離れて対
向する部分）には、電極１７が設けられている。そし
て、メッキ液噴射時には、この電極１７に正電圧が印加
され、リ−ドフレ−ム１８に負電圧が印加される。
【０００４】しかし、このような噴射メッキ装置では、
半導体製品の両側に外部リ−ドが均等に配置されている
ものに対しては、良好なメッキ処理が可能であるのに対
し、図１４（ａ），（ｂ）及び図１５に示すような歯抜
けリ−ドの半導体製品に対しては、メッキ膜厚のばらつ
きが生じるという欠点がある。
半導体製品の両側に外部リ−ドが均等に配置されている
ものに対しては、良好なメッキ処理が可能であるのに対
し、図１４（ａ），（ｂ）及び図１５に示すような歯抜
けリ−ドの半導体製品に対しては、メッキ膜厚のばらつ
きが生じるという欠点がある。
【０００５】即ち、例えばＳＯＪ２６ピンのパッケ−ジ
は、中央部のリ−ドが片側３ピンづつ抜けており、実際
には、２０ピンになっている。このような半導体製品の
外部リ−ドを上記噴射メッキ装置によりメッキ処理を施
すと、第一に、中央部（歯抜け部）におけるメッキ液の
流れが早くなること、第二に、端ピン（Ｎｏ．５，９，
１８，２２）に電流が集中することから、当該端ピンに
他のピンに比べてメッキが厚く付着するという欠点があ
る。
は、中央部のリ−ドが片側３ピンづつ抜けており、実際
には、２０ピンになっている。このような半導体製品の
外部リ−ドを上記噴射メッキ装置によりメッキ処理を施
すと、第一に、中央部（歯抜け部）におけるメッキ液の
流れが早くなること、第二に、端ピン（Ｎｏ．５，９，
１８，２２）に電流が集中することから、当該端ピンに
他のピンに比べてメッキが厚く付着するという欠点があ
る。
【０００６】図１６は、ＳＯＪ２６ピンの歯抜けパッケ
−ジに対して、上記噴射メッキ装置によりメッキ処理を
行った場合の各ピン（Ｎｏ．１〜１３）とメッキ厚の関
係を示すものである。同図からも明らかなように、端ピ
ン（Ｎｏ．５，９）の膜厚が、他のピンの膜厚よりも８
０〜９０％も厚くなっている。
−ジに対して、上記噴射メッキ装置によりメッキ処理を
行った場合の各ピン（Ｎｏ．１〜１３）とメッキ厚の関
係を示すものである。同図からも明らかなように、端ピ
ン（Ｎｏ．５，９）の膜厚が、他のピンの膜厚よりも８
０〜９０％も厚くなっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の噴
射メッキ装置では、歯抜けリ−ド構造の半導体製品に対
して、メッキ膜厚のばらつきが生じるという欠点があ
る。
射メッキ装置では、歯抜けリ−ド構造の半導体製品に対
して、メッキ膜厚のばらつきが生じるという欠点があ
る。
【０００８】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、歯抜けリ−ド構造の半導体製品に
対して、各外部リ−ドに均一にメッキを施すことができ
る噴射メッキ装置を提供することである。
もので、その目的は、歯抜けリ−ド構造の半導体製品に
対して、各外部リ−ドに均一にメッキを施すことができ
る噴射メッキ装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の噴射メッキ装置は、半導体製品を固定する
キャビティボックスと、メッキ噴射のマスクであって、
少なくとも上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部分を覆う
ように構成されているマスク材と、上記半導体製品の外
部リ−ドにメッキを付着させる手段とを備えている。
め、本発明の噴射メッキ装置は、半導体製品を固定する
キャビティボックスと、メッキ噴射のマスクであって、
少なくとも上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部分を覆う
ように構成されているマスク材と、上記半導体製品の外
部リ−ドにメッキを付着させる手段とを備えている。
【００１０】本発明の噴射メッキ装置は、半導体製品を
固定し、少なくとも上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部
分を覆うような凸部を有しているキャビティボックス
と、上記半導体製品の外部リ−ドにメッキを付着させる
手段とを備えている。
固定し、少なくとも上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部
分を覆うような凸部を有しているキャビティボックス
と、上記半導体製品の外部リ−ドにメッキを付着させる
手段とを備えている。
【００１１】また、上記キャビティボックスの凸部によ
って、上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部分を境にして
その左右に複数のキャビティが形成されている。上記キ
ャビティボックスの凸部は、取り外しが可能である。
って、上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部分を境にして
その左右に複数のキャビティが形成されている。上記キ
ャビティボックスの凸部は、取り外しが可能である。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、噴射メッキ装置のマスク材
は、少なくとも上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部分を
覆うように構成されている。また、キャビティボックス
には、少なくとも上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部分
を覆うような凸部が形成されている。これにより、歯抜
け部分におけるメッキ液の流れが早くなること、端ピン
に電流が集中すること等がなくなり、外部リ−ドに均一
にメッキを施すことが可能となる。
は、少なくとも上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部分を
覆うように構成されている。また、キャビティボックス
には、少なくとも上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部分
を覆うような凸部が形成されている。これにより、歯抜
け部分におけるメッキ液の流れが早くなること、端ピン
に電流が集中すること等がなくなり、外部リ−ドに均一
にメッキを施すことが可能となる。
【００１３】また、キャビティボックスの凸部によっ
て、上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部分を境にしてそ
の左右に複数のキャビティを形成すれば、さらに外部リ
−ドに付着するメッキ厚の均一化が図れる。
て、上記半導体製品のリ−ドの歯抜け部分を境にしてそ
の左右に複数のキャビティを形成すれば、さらに外部リ
−ドに付着するメッキ厚の均一化が図れる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の一実施
例について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例
に係わる噴射メッキ装置を示している。なお、従来と同
一の部分には、同じ符号を付すことにより説明を省略す
る。
例について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例
に係わる噴射メッキ装置を示している。なお、従来と同
一の部分には、同じ符号を付すことにより説明を省略す
る。
【００１５】本発明の噴射メッキ装置は、従来と比べ、
キャビティボックス１５，１６にそれぞれメッキ噴射の
マスクとなるマスク材２１，２２を備えている点が異な
っている。
キャビティボックス１５，１６にそれぞれメッキ噴射の
マスクとなるマスク材２１，２２を備えている点が異な
っている。
【００１６】図２は、本発明の噴射メッキ装置からマス
ク材２１（又は２２）及び半導体製品１４のみを取り出
して、その配置関係を示すものである。また、図３は、
図１のＡ−Ａ´線に沿う断面図を示している。
ク材２１（又は２２）及び半導体製品１４のみを取り出
して、その配置関係を示すものである。また、図３は、
図１のＡ−Ａ´線に沿う断面図を示している。
【００１７】半導体製品１４は、例えば中央部のリ−ド
が片側３ピンづつ抜けているＳＯＪ２６ピンのパッケ−
ジである。マスク材２１，２２は、それぞれキャビティ
ボックス１５，１６がリ−ドフレ−ム１８を挟み付ける
部分に設けられている。そして、マスク材２１，２２
は、共に、外部リ−ドにメッキを施す部分（キャビテ
ィ）に開口を有し、概略的には、四角形状の枠を形成し
ている。さらに、マスク材２１，２２は、半導体製品１
４の外部リ−ドの歯抜け部分を覆うように、凸部２３を
それぞれ有している。なお、マスク材２１，２２は、キ
ャビティボックス１５，１６と一体的に形成されていて
もよい。
が片側３ピンづつ抜けているＳＯＪ２６ピンのパッケ−
ジである。マスク材２１，２２は、それぞれキャビティ
ボックス１５，１６がリ−ドフレ−ム１８を挟み付ける
部分に設けられている。そして、マスク材２１，２２
は、共に、外部リ−ドにメッキを施す部分（キャビテ
ィ）に開口を有し、概略的には、四角形状の枠を形成し
ている。さらに、マスク材２１，２２は、半導体製品１
４の外部リ−ドの歯抜け部分を覆うように、凸部２３を
それぞれ有している。なお、マスク材２１，２２は、キ
ャビティボックス１５，１６と一体的に形成されていて
もよい。
【００１８】上記構成によれば、従来、問題となってい
る歯抜け部分におけるメッキ液の流れが早くなること、
及び、端ピンに電流が集中することをなくすことがで
き、各ピンに均一にメッキを付着させることができる。
る歯抜け部分におけるメッキ液の流れが早くなること、
及び、端ピンに電流が集中することをなくすことがで
き、各ピンに均一にメッキを付着させることができる。
【００１９】図４は、ＳＯＪ２６ピンの歯抜けパッケ−
ジに対して、本発明の噴射メッキ装置によりメッキ処理
を行った場合の各ピン（Ｎｏ．１〜１３）とメッキ厚の
関係を示すものである。同図から明らかなように、各ピ
ンには、メッキがほぼ均一に付着され、端ピン（Ｎｏ
５，９）の膜厚も、他のピンに比べて、２０〜３０％厚
い程度に止まっている。
ジに対して、本発明の噴射メッキ装置によりメッキ処理
を行った場合の各ピン（Ｎｏ．１〜１３）とメッキ厚の
関係を示すものである。同図から明らかなように、各ピ
ンには、メッキがほぼ均一に付着され、端ピン（Ｎｏ
５，９）の膜厚も、他のピンに比べて、２０〜３０％厚
い程度に止まっている。
【００２０】図５は、本発明の他の実施例に係わる噴射
メッキ装置を示している。なお、従来と同一の部分に
は、同じ符号を付すことにより説明を省略する。本発明
の噴射メッキ装置は、従来と比べ、キャビティボックス
１５，１６にそれぞれ半導体製品１４の歯抜け部分を覆
うような凸部２４を備えている点が異なっている。
メッキ装置を示している。なお、従来と同一の部分に
は、同じ符号を付すことにより説明を省略する。本発明
の噴射メッキ装置は、従来と比べ、キャビティボックス
１５，１６にそれぞれ半導体製品１４の歯抜け部分を覆
うような凸部２４を備えている点が異なっている。
【００２１】図６は、図５のＢ−Ｂ´線に沿う断面図を
示している。図５及び図６において、半導体製品１４
は、例えば中央部のリ−ドが片側３ピンづつ抜けている
ＳＯＪ２６ピンのパッケ−ジである。また、凸部２４
は、キャビティボックス１５，１６の内壁面から突出し
て形成され、半導体製品１４の歯抜け部分を覆ってい
る。
示している。図５及び図６において、半導体製品１４
は、例えば中央部のリ−ドが片側３ピンづつ抜けている
ＳＯＪ２６ピンのパッケ−ジである。また、凸部２４
は、キャビティボックス１５，１６の内壁面から突出し
て形成され、半導体製品１４の歯抜け部分を覆ってい
る。
【００２２】上記構成によれば、キャビティ内のメッキ
液の流れを均一にし、かつ、端ピンにおける電流集中を
なくすことで、各ピンに均一にメッキを付着させること
ができる。なお、本実施例では、例えば図１５に示すよ
うなＺＩＰ２０ピン（歯抜け１９ピン）のような歯抜け
部分の幅が狭いものに特に有効である。
液の流れを均一にし、かつ、端ピンにおける電流集中を
なくすことで、各ピンに均一にメッキを付着させること
ができる。なお、本実施例では、例えば図１５に示すよ
うなＺＩＰ２０ピン（歯抜け１９ピン）のような歯抜け
部分の幅が狭いものに特に有効である。
【００２３】図７は、図６の噴射メッキ装置の変形例で
あり、キャビティボックス１５，１６にそれぞれ設けた
凸部２４を互いに接触させたものである。これにより、
半導体製品１４の片側に独立したキャビティ１３Ａ，１
３Ｂが二つ形成され、キャビティ１３Ａ内には外部リ−
ド（Ｎｏ１〜５）が配置され、キャビティ１３Ｂ内には
外部リ−ド（Ｎｏ９〜１３）が配置されるものである。
あり、キャビティボックス１５，１６にそれぞれ設けた
凸部２４を互いに接触させたものである。これにより、
半導体製品１４の片側に独立したキャビティ１３Ａ，１
３Ｂが二つ形成され、キャビティ１３Ａ内には外部リ−
ド（Ｎｏ１〜５）が配置され、キャビティ１３Ｂ内には
外部リ−ド（Ｎｏ９〜１３）が配置されるものである。
【００２４】このような構成によっても、キャビティ内
のメッキ液の流れを均一にし、かつ、端ピンにおける電
流集中をなくすことで、各ピンに均一にメッキを付着さ
せることができる。なお、本実施例では、例えば図１４
に示すようなＳＯＪ２６ピン（歯抜け２０ピン）のよう
な歯抜け部分の幅が広いものに特に有効である。
のメッキ液の流れを均一にし、かつ、端ピンにおける電
流集中をなくすことで、各ピンに均一にメッキを付着さ
せることができる。なお、本実施例では、例えば図１４
に示すようなＳＯＪ２６ピン（歯抜け２０ピン）のよう
な歯抜け部分の幅が広いものに特に有効である。
【００２５】図８は、ＳＯＪ２６ピンの歯抜けパッケ−
ジに対して、図７の噴射メッキ装置によりメッキ処理を
行った場合の各ピン（Ｎｏ．１〜１３）とメッキ厚の関
係を示すものである。同図から明らかなように、各ピン
にメッキが均一に付着している。
ジに対して、図７の噴射メッキ装置によりメッキ処理を
行った場合の各ピン（Ｎｏ．１〜１３）とメッキ厚の関
係を示すものである。同図から明らかなように、各ピン
にメッキが均一に付着している。
【００２６】図９及び図１０は、上記図６及び図７の噴
射メッキ装置の変形例を示すものである。即ち、図９
は、図６の凸部２４を、キャビティボックス１５，１６
から取り外し可能な部材（邪魔板）１５”，１６”によ
り構成したものである。また、図１０は、図７の凸部２
４を、キャビティボックス１５，１６から取り外し可能
な部材（邪魔板）１５”，１６”により構成したもので
ある。
射メッキ装置の変形例を示すものである。即ち、図９
は、図６の凸部２４を、キャビティボックス１５，１６
から取り外し可能な部材（邪魔板）１５”，１６”によ
り構成したものである。また、図１０は、図７の凸部２
４を、キャビティボックス１５，１６から取り外し可能
な部材（邪魔板）１５”，１６”により構成したもので
ある。
【００２７】この場合、キャビティボックス１５，１６
には凹部を設け、その凹部よりも少し大きめの部材１
５”，１６”を形成すれば、容易に当該凹部に部材１
５”，１６”を嵌め込むことができる。また、部材１
５”，１６”は、絶縁物により構成するのがよい。
には凹部を設け、その凹部よりも少し大きめの部材１
５”，１６”を形成すれば、容易に当該凹部に部材１
５”，１６”を嵌め込むことができる。また、部材１
５”，１６”は、絶縁物により構成するのがよい。
【００２８】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の噴射メ
ッキ装置によれば、次のような効果を奏する。当該メッ
キ装置のマスク材は、少なくとも上記半導体製品のリ−
ドの歯抜け部分を覆うように構成されている。また、キ
ャビティボックスには、少なくとも上記半導体製品のリ
−ドの歯抜け部分を覆うような凸部が形成されている。
これにより、歯抜け部分におけるメッキ液の流れが早く
なる、及び、端ピンに電流が集中する等の欠点がなくな
り、外部リ−ドに均一にメッキを施すことが可能とな
る。また、キャビティボックスの凸部によって、上記半
導体製品のリ−ドの歯抜け部分を境にしてその左右に複
数のキャビティを形成することにより、さらに外部リ−
ドに付着するメッキ厚の均一化が図れる。
ッキ装置によれば、次のような効果を奏する。当該メッ
キ装置のマスク材は、少なくとも上記半導体製品のリ−
ドの歯抜け部分を覆うように構成されている。また、キ
ャビティボックスには、少なくとも上記半導体製品のリ
−ドの歯抜け部分を覆うような凸部が形成されている。
これにより、歯抜け部分におけるメッキ液の流れが早く
なる、及び、端ピンに電流が集中する等の欠点がなくな
り、外部リ−ドに均一にメッキを施すことが可能とな
る。また、キャビティボックスの凸部によって、上記半
導体製品のリ−ドの歯抜け部分を境にしてその左右に複
数のキャビティを形成することにより、さらに外部リ−
ドに付着するメッキ厚の均一化が図れる。
【図１】本発明の一実施例に係わる噴射メツキ装置を示
す図。
す図。
【図２】図１のマスク材と半導体製品を取り出してその
配置関係を示す図。
配置関係を示す図。
【図３】図１のＡ−Ａ´線に沿う断面図。
【図４】ピンＮｏ．とメッキ厚との関係を示す図。
【図５】本発明の他の実施例に係わる噴射メツキ装置を
示す図。
示す図。
【図６】図５のＢ−Ｂ´線に沿う断面図。
【図７】本発明の他の実施例に係わる噴射メツキ装置の
要部を示す図。
要部を示す図。
【図８】ピンＮｏ．とメッキ厚との関係を示す図。
【図９】本発明の他の実施例に係わる噴射メツキ装置の
要部を示す図。
要部を示す図。
【図１０】本発明の他の実施例に係わる噴射メツキ装置
の要部を示す図。
の要部を示す図。
【図１１】従来の噴射メツキ装置を示す図。
【図１２】図９のＩ−Ｉ´線に沿う断面図。
【図１３】図９のII−II´線に沿う断面図。
【図１４】従来の半導体製品を示す図。
【図１５】従来の半導体製品を示す図。
【図１６】ピンＮｏ．とメッキ厚との関係を示す図。
１５，１６ …キャビティボックス、 １４ …半導体製品、 １８ …リ−ドフレ−ム、 ２１，２２ …マスク材、 ２３ …マスク材の凸部、 ２４ …キャビティボックスの凸部 １５”，１６” …部材（邪魔板）。
Claims (4)
- 【請求項１】 極端に広い間隔となる一部を除いて一定
の間隔で配置される複数の外部リードを有する半導体製
品を固定すると共に、前記複数の外部リードを境にその
一面側及び他面側にそれぞれ前記複数の外部リードを取
り囲むキャビティを設けるメッキ処理部と、 前記メッキ処理部の各キャビティ内において前記複数の
外部リードに対向する箇所に配置される電極と、 前記複数の外部リードと前記電極との間に電圧を印加す
る手段と、 前記キャビティボックスの各キャビティ内にメッキ液を
供給する手段と、 前記メッキ処理部の各キャビティ内であって前記複数の
外部リードの前記極端に広い間隔となる一部に配置さ
れ、前記メッキ処理部の各キャビティ内のメッキ液の流
れを均一化する板状のマスク材とを具備することを特徴
とする噴射メッキ装置。 - 【請求項２】 極端に広い間隔となる一部を除いて一定
の間隔で配置される複数の外部リードを有する半導体製
品を固定すると共に、前記複数の外部リードを境にその
一面側及び他面側にそれぞれ前記複数の外部リードを取
り囲むキャビティを設けるメッキ処理部と、 前記メッキ処理部の各キャビティ内において前記複数の
外部リードに対向する箇所に配置される電極と、 前記複数の外部リードと前記電極との間に電圧を印加す
る手段と、 前記キャビティボックスの各キャビティ内にメッキ液を
供給する手段と、 前記メッキ処理部の各キャビティ内であって前記複数の
外部リードの前記極端に広い間隔となる一部に配置さ
れ、前記キャビティに一体化又は結合されることによ
り、各キャビティを前記極端に広い間隔となる一部を境
にして二つに分離し、前記メッキ処理部の各キャビティ
内のメッキ液の流れを均一化する凸部とを具備すること
を特徴とする噴射メッキ装置。 - 【請求項３】 極端に広い間隔となる一部を除いて一定
の間隔で配置される複数の外部リードを有する半導体製
品の各外部リードに対してメッキ液を噴射することによ
り前記複数の外部リードにメッキを施す噴射メッキ方法
において、前記複数の外部リードを境にしてその一面側及び他面側
にそれぞれ前記複数の外部リードを取り囲むようなキャ
ビティを形成すると共に、前記複数の外部リードの前記
極端に広い間隔となる一部にマスク材を配置し、 各キャ
ビティ内の電極と前記複数の外部リードとの間に電圧を
印加し、各キャビティ内にメッキ液を供給することによ
り、各キャビティ内のメッキ液の流れを均一化した上で
前記複数の外部リードに対してメッキを施すことを特徴
とする噴射メッキ方法。 - 【請求項４】 極端に広い間隔となる一部を除いて一定
の間隔で配置される複数の外部リードを有する半導体製
品の各外部リードに対してメッキ液を噴射することによ
り前記複数の外部リードにメッキを施す噴射メッキ方法
において、 前記複数の外部リードを境にしてその一面側及び他面側
にそれぞれ前記複数の外部リードを取り囲むようなキャ
ビティを形成すると共に、前記複数の外部リードの前記
極端に広い間隔となる一部に凸部を配置して各キャビテ
ィを前記極端に広い間隔となる一部を境にして二つに分
離し、各キャビティ内の電極と前記複数の外部リードと
の間に電圧を印加し、各キャビティ内にメッキ液を供給
することにより、各キャビティ内のメッキ液の流れを均
一化した上で前記複数の外部リードに対してメッキを施
す ことを特徴とする噴射メッキ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4323020A JP2786787B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 噴射メッキ装置及び噴射メッキ方法 |
| US08/159,561 US5417830A (en) | 1992-12-02 | 1993-12-01 | Injection plating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4323020A JP2786787B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 噴射メッキ装置及び噴射メッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177302A JPH06177302A (ja) | 1994-06-24 |
| JP2786787B2 true JP2786787B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=18150231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4323020A Expired - Fee Related JP2786787B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 噴射メッキ装置及び噴射メッキ方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5417830A (ja) |
| JP (1) | JP2786787B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6135538B2 (ja) * | 2014-02-13 | 2017-05-31 | 株式会社デンソー | めっき装置及びめっき方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2044908A5 (ja) * | 1969-05-23 | 1971-02-26 | Tunzini Sames | |
| JPS5819170Y2 (ja) * | 1980-08-16 | 1983-04-19 | 征一郎 相合 | 半導体ウェハ−のめっき装置 |
| GB2127853B (en) * | 1982-10-05 | 1985-11-13 | Owen S G Ltd | Selective plating |
| JPS61110790A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Electroplating Eng Of Japan Co | Ｉｃリ−ドフレ−ムの噴射メツキ方法 |
| JP2737416B2 (ja) * | 1991-01-31 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | めっき処理装置 |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP4323020A patent/JP2786787B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-01 US US08/159,561 patent/US5417830A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5417830A (en) | 1995-05-23 |
| JPH06177302A (ja) | 1994-06-24 |
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