JPS58174589A - 部分メツキ装置 - Google Patents
部分メツキ装置Info
- Publication number
- JPS58174589A JPS58174589A JP4773382A JP4773382A JPS58174589A JP S58174589 A JPS58174589 A JP S58174589A JP 4773382 A JP4773382 A JP 4773382A JP 4773382 A JP4773382 A JP 4773382A JP S58174589 A JPS58174589 A JP S58174589A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plated
- area
- nozzle
- wire bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメッキエリア内の中央部を厚く、周辺部を薄く
メッキする九めの部分メッキ装置に関するものである。
メッキする九めの部分メッキ装置に関するものである。
樹脂封止蓋半導体装置用のリードフレームは半導体素子
搭載部及びワイヤボンディング部にＡｕ又はＡＩのメッ
キが施される３、このような部分メッキを行なう装置と
しては例えば部会＠４９−２４７７５号会報に記載Ｏ装
置がある。仁のようが従来のメッキ装置の要部を拡大し
て示すと第１図のとおりである。即ち、第１ｍ１１にお
いて被イツキ材４はマスク２に密着してＮＬｌれ、抑圧
板３で被メッキ材１ｔ−押え、この被メッキ材ｌの下方
に配置した陽極を兼ねるノズル４からメッキ１ｉｉｔ−
噴射すると同時に被メッキ材１とノズル４に直流電流ｔ
−流してメッキを行なうものである。このようなメッキ
装置によれば彼メッキ材１の半導体素子搭載部１ａ及び
１数のワイヤボンディング部１ｂに殆んど均一な厚さで
メッキすることができる。
搭載部及びワイヤボンディング部にＡｕ又はＡＩのメッ
キが施される３、このような部分メッキを行なう装置と
しては例えば部会＠４９−２４７７５号会報に記載Ｏ装
置がある。仁のようが従来のメッキ装置の要部を拡大し
て示すと第１図のとおりである。即ち、第１ｍ１１にお
いて被イツキ材４はマスク２に密着してＮＬｌれ、抑圧
板３で被メッキ材１ｔ−押え、この被メッキ材ｌの下方
に配置した陽極を兼ねるノズル４からメッキ１ｉｉｔ−
噴射すると同時に被メッキ材１とノズル４に直流電流ｔ
−流してメッキを行なうものである。このようなメッキ
装置によれば彼メッキ材１の半導体素子搭載部１ａ及び
１数のワイヤボンディング部１ｂに殆んど均一な厚さで
メッキすることができる。
然るに、近年Ａｕ、 Ａｇ等の価格が上昇し、コストダ
ウンの必要からメッキ厚について見直し力桁なわれ、ワ
イヤボンディング部は従来の半分程度のメッキ厚で４問
題がない仁とが確かめられ喪。
ウンの必要からメッキ厚について見直し力桁なわれ、ワ
イヤボンディング部は従来の半分程度のメッキ厚で４問
題がない仁とが確かめられ喪。
しかしながら、第２図に示すように、被メッキ材４０半
導体素子搭載部１ａとワイヤボンディング、１ ｂに厚
ざの異なるメッキを施す丸めには、従来の部分メッキ装
置ではメッキエリアの異なる２種ノマスクを用意し、先
ずワイヤボンディング部１ｂｔ−含むメッキエリアに薄
くメッキし、次いで半導体素子塔載ｉｌｌ ＆にのみメ
ッキするというようにメッキ操作ｔ−２８行なわばなら
ず、総合的なコストはρ為えって高くなるという欠点が
ある。
導体素子搭載部１ａとワイヤボンディング、１ ｂに厚
ざの異なるメッキを施す丸めには、従来の部分メッキ装
置ではメッキエリアの異なる２種ノマスクを用意し、先
ずワイヤボンディング部１ｂｔ−含むメッキエリアに薄
くメッキし、次いで半導体素子塔載ｉｌｌ ＆にのみメ
ッキするというようにメッキ操作ｔ−２８行なわばなら
ず、総合的なコストはρ為えって高くなるという欠点が
ある。
不発Ｗｉ４Ｆｉ、このような問題点を解決するもので中
央部にメッキエリアより小さい開口とメッキエリアの４
隅に対応する箇所にそれぞれ少なくとも１個の小孔を有
するマスク板を被メッキ材に近接するよう、に；ＭＪし
て１回のメッキ操作で半導体素子塔載部には厚く、ワイ
ヤボンディング部ＶＣは薄くメッキできるようにしたも
のである、以下本発明の一実施例を図面により詳細に説
明する。
央部にメッキエリアより小さい開口とメッキエリアの４
隅に対応する箇所にそれぞれ少なくとも１個の小孔を有
するマスク板を被メッキ材に近接するよう、に；ＭＪし
て１回のメッキ操作で半導体素子塔載部には厚く、ワイ
ヤボンディング部ＶＣは薄くメッキできるようにしたも
のである、以下本発明の一実施例を図面により詳細に説
明する。
第３図は本発明部分メッキ装置の一実施例を示す要部の
拡大図で、第、１ｇと同じ部分には同一の参照符号食付
した。１ｉ１１においてマスク板５はメツ、１：、、１
１１１ キエリアを規定するマスク２ａとマスク２ｂ９持されて
いる。
拡大図で、第、１ｇと同じ部分には同一の参照符号食付
した。１ｉ１１においてマスク板５はメツ、１：、、１
１１１ キエリアを規定するマスク２ａとマスク２ｂ９持されて
いる。
マスク板５の中央部には開口５ａが設けられておシ、回
目５ａの大きさはほぼ半導体素子塔載部１ａの大きさに
一致させてあり、を喪、その開口５＆の周１！１には小
孔５ｂｔ設け、メッキ液噴射前に存在した空気を、この
小孔５ｂから円滑に排出できるようにしである。なお、
マスク板と被メッキ材１との距離であるが、その距離が
小さ過ぎるとワイヤボンディングｓ１ｂのメッキ厚が薄
くな９過き、大き過ぎれば半導体素子塔載部１＆とワイ
ヤホンディング部１ｂのメッキ厚の差が小さくなって材
料節約の効果が充分発揮されない、したがってその点を
考慮して適当に近接せしめる。実験の結果約１−程度に
近接せしめるのが適当である。また、小孔５ｂは空気を
排邑した後はメッキ液の排出口にもなるので、ワイヤボ
ンディング部１ｂのメッキ厚に影響を与える。したがっ
て空気抜きのためＫは小孔５ｂをメッキエリアの４隅に
対応する箇所に少なくと４１個設ける必要があるが、小
孔５ｂ會あまｂ天きくするとワイヤボンディング部１ｂ
へのメッキ液の併給が多くな９、メッキ液の流れに沿う
領域のメッキ厚が厚くなる。
目５ａの大きさはほぼ半導体素子塔載部１ａの大きさに
一致させてあり、を喪、その開口５＆の周１！１には小
孔５ｂｔ設け、メッキ液噴射前に存在した空気を、この
小孔５ｂから円滑に排出できるようにしである。なお、
マスク板と被メッキ材１との距離であるが、その距離が
小さ過ぎるとワイヤボンディングｓ１ｂのメッキ厚が薄
くな９過き、大き過ぎれば半導体素子塔載部１＆とワイ
ヤホンディング部１ｂのメッキ厚の差が小さくなって材
料節約の効果が充分発揮されない、したがってその点を
考慮して適当に近接せしめる。実験の結果約１−程度に
近接せしめるのが適当である。また、小孔５ｂは空気を
排邑した後はメッキ液の排出口にもなるので、ワイヤボ
ンディング部１ｂのメッキ厚に影響を与える。したがっ
て空気抜きのためＫは小孔５ｂをメッキエリアの４隅に
対応する箇所に少なくと４１個設ける必要があるが、小
孔５ｂ會あまｂ天きくするとワイヤボンディング部１ｂ
へのメッキ液の併給が多くな９、メッキ液の流れに沿う
領域のメッキ厚が厚くなる。
このためワイヤボンティング部１ｂのメッキ厚のばらつ
きが大きくなる。このような点を考慮して小孔５ｂ會４
隅に適当に設けておく。なお、実験結果として各小孔ｓ
ｂの大きさは直径１■程度が遭轟であった。なお、この
ような大きさの／ト孔５ｂの数を更に増ぜばワイヤボン
ティング部１ｂのメッキ厚は厚くなるから小孔５ｂの数
を増やす場合には小孔５ｂの全開口面積が４個の場合と
は埋変らないように小言目に設ける必要がある。
きが大きくなる。このような点を考慮して小孔５ｂ會４
隅に適当に設けておく。なお、実験結果として各小孔ｓ
ｂの大きさは直径１■程度が遭轟であった。なお、この
ような大きさの／ト孔５ｂの数を更に増ぜばワイヤボン
ティング部１ｂのメッキ厚は厚くなるから小孔５ｂの数
を増やす場合には小孔５ｂの全開口面積が４個の場合と
は埋変らないように小言目に設ける必要がある。
上記のようにマスク板５を設けることで半導体素子搭載
部１ｍには厚く、ワイヤボンディング部１ｂには前者の
約的の厚さにメッキすることができる。
部１ｍには厚く、ワイヤボンディング部１ｂには前者の
約的の厚さにメッキすることができる。
この実施例では、ノズル４を陽極として兼用し九場合に
ついて説明した。この場合ノズル４は通常白金又はチタ
ニウムに白金を被覆したものが用いらｎているが、ノズ
ル４ｔ−非導電性の材料で構成し、陽極を別に設けても
良い。第３図において破艷で示したものが、この陽極６
であり、白金製の金網を用いている。なお、陽極６用の
白金網は３０メツシュ程度のものが適当であり、目開き
が余り大きいとメッキ表面が格子状となり、目ｍｓが小
さ過ぎるとメッキ液の通過に支障を来たす。
ついて説明した。この場合ノズル４は通常白金又はチタ
ニウムに白金を被覆したものが用いらｎているが、ノズ
ル４ｔ−非導電性の材料で構成し、陽極を別に設けても
良い。第３図において破艷で示したものが、この陽極６
であり、白金製の金網を用いている。なお、陽極６用の
白金網は３０メツシュ程度のものが適当であり、目開き
が余り大きいとメッキ表面が格子状となり、目ｍｓが小
さ過ぎるとメッキ液の通過に支障を来たす。
しかし陽極をこのように別に設けることによりノズル４
社任意の形状で製作できる。即ち、ノズル４Ｉｆｉ従来
の形状のまま非導電性の材料で構成しても良いし、非導
電性の板状体にメッキ液噴出孔を穿っただ性のものであ
っても何ら差し支えない。
社任意の形状で製作できる。即ち、ノズル４Ｉｆｉ従来
の形状のまま非導電性の材料で構成しても良いし、非導
電性の板状体にメッキ液噴出孔を穿っただ性のものであ
っても何ら差し支えない。
以上はリードフレームについて説明し走力ζ本発明の部
分メッキ装置は、これに限定されるものではなく、中央
部は厚く、周辺部は薄いメッキ層を有する必要のある材
料の製造に広く応用できるものである。又、メッキエリ
アが円形に近い場合はマスク板の小孔は誼メッキエリア
周ＩＩ＆ｓＫはぼ等間隔になるように少なくとも４箇所
に設ければよい。
分メッキ装置は、これに限定されるものではなく、中央
部は厚く、周辺部は薄いメッキ層を有する必要のある材
料の製造に広く応用できるものである。又、メッキエリ
アが円形に近い場合はマスク板の小孔は誼メッキエリア
周ＩＩ＆ｓＫはぼ等間隔になるように少なくとも４箇所
に設ければよい。
以上詳細に説明したように本発明によれば一回のメッキ
操作で中央部を厚く、その外周部には薄くメッキするこ
とができるので、例えばリードフレーム製造コストを全
体として低下させる効果がある。
操作で中央部を厚く、その外周部には薄くメッキするこ
とができるので、例えばリードフレーム製造コストを全
体として低下させる効果がある。
第１図は従来ＯＩＩ分メッキ鋏置装１！部拡大断面図、
第２Ｅは厚さの異なる部分メッキの断面図、第３ｖＡは
本発明部分メッキ装置の一実施例を示す要部拡大断ｍ図
である。 １・・・被メッキ材、１１・・・半導体素子搭載部、１
ｂ・・・ワイヤボンディング１１．Ｌ ２＆、２ｂ・・
・マスク、３・・・押圧板、４・・・ノズル、５・・・
マスク板、５ ａ・・・開口、 ５ ｂ・・・ノＪ〜
１（−特許出願人 住友金属鉱山株式会社 代理人 押 １）良 久
第２Ｅは厚さの異なる部分メッキの断面図、第３ｖＡは
本発明部分メッキ装置の一実施例を示す要部拡大断ｍ図
である。 １・・・被メッキ材、１１・・・半導体素子搭載部、１
ｂ・・・ワイヤボンディング１１．Ｌ ２＆、２ｂ・・
・マスク、３・・・押圧板、４・・・ノズル、５・・・
マスク板、５ ａ・・・開口、 ５ ｂ・・・ノＪ〜
１（−特許出願人 住友金属鉱山株式会社 代理人 押 １）良 久
Claims (1)
- 被メッキ材へ下方からメッキａｔ噴射するノズルと、被
メッキ材へ冑着してメッキエリアを規定するマスクと被
メッキ材を上方から押える押圧板とを備えた部分メッキ
装置において、マスク内に中央部にメッキエリアよシ小
さい開口とメッキエリアの４隅に対応する箇所にそれぞ
れ少なくとも１個の小孔を有するマスク板を被メッキ材
に近接するように配置し大ことを特徴とする部分メッキ
装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4773382A JPS6059307B2 (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 部分メツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4773382A JPS6059307B2 (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 部分メツキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58174589A true JPS58174589A (ja) | 1983-10-13 |
| JPS6059307B2 JPS6059307B2 (ja) | 1985-12-24 |
Family
ID=12783535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4773382A Expired JPS6059307B2 (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 部分メツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059307B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7713398B2 (en) | 2005-05-24 | 2010-05-11 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Selective plating apparatus and selective plating method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63138603A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-10 | リフレクタ− ハ−ドウエア コ−ポレ−シヨン | 陳列装置における照明装置 |
-
1982
- 1982-03-25 JP JP4773382A patent/JPS6059307B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7713398B2 (en) | 2005-05-24 | 2010-05-11 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Selective plating apparatus and selective plating method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6059307B2 (ja) | 1985-12-24 |
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