JPS61110790A - Ｉｃリ−ドフレ−ムの噴射メツキ方法 - Google Patents
Ｉｃリ−ドフレ−ムの噴射メツキ方法Info
- Publication number
- JPS61110790A JPS61110790A JP23122884A JP23122884A JPS61110790A JP S61110790 A JPS61110790 A JP S61110790A JP 23122884 A JP23122884 A JP 23122884A JP 23122884 A JP23122884 A JP 23122884A JP S61110790 A JPS61110790 A JP S61110790A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding area
- resistor
- lead frame
- plating
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、ＩＣリードフレームの噴射メッキ方法に関
する。
する。
〈従来の技術〉
従来ＩＣリードフレームの噴射メッキ方法としては、一
般的に第３図〜第５図に示すようなものが知られている
。噴射メッキ処理槽１には、第３図で示されるようにマ
スク体２が備えられている。噴射メッキ槽１の上方には
、圧力シリンダ３に付設される押圧板４があり、この押
圧板４によりＩ ９１Ｊ−ドフレーム５をマスク体２に
押圧して当接させて支持するものである。このとき、Ｉ
Ｃリードフレーム５のチップボンディングエリア６及び
インナリード先端に相当するワイヤボンディングエリア
７の双方の「メッキ対象エリア」を併せて噴射メッキ処
理できるよう、マスク体２の「メッキ対象エリア」の対
応部位にはメッキ液噴射用の開口８が設けられており、
前述のチップ及びワイヤ両ボンディングエリア６．７が
そこで併せて露呈せしめられるものである。そしてメッ
キ液噴射用のノズル９から開口８めがけてアノードイオ
ン化されたメッキ液１０を噴射してメッキを施すもので
あり、メッキ処理ρ際、カソード化するＩＣリードフレ
ーム５側が陰極、又、ノズル９側が陽極として電気メツ
キ処理が行なわれるものである。
般的に第３図〜第５図に示すようなものが知られている
。噴射メッキ処理槽１には、第３図で示されるようにマ
スク体２が備えられている。噴射メッキ槽１の上方には
、圧力シリンダ３に付設される押圧板４があり、この押
圧板４によりＩ ９１Ｊ−ドフレーム５をマスク体２に
押圧して当接させて支持するものである。このとき、Ｉ
Ｃリードフレーム５のチップボンディングエリア６及び
インナリード先端に相当するワイヤボンディングエリア
７の双方の「メッキ対象エリア」を併せて噴射メッキ処
理できるよう、マスク体２の「メッキ対象エリア」の対
応部位にはメッキ液噴射用の開口８が設けられており、
前述のチップ及びワイヤ両ボンディングエリア６．７が
そこで併せて露呈せしめられるものである。そしてメッ
キ液噴射用のノズル９から開口８めがけてアノードイオ
ン化されたメッキ液１０を噴射してメッキを施すもので
あり、メッキ処理ρ際、カソード化するＩＣリードフレ
ーム５側が陰極、又、ノズル９側が陽極として電気メツ
キ処理が行なわれるものである。
〈解決しようとする問題点〉
しかしながらこのような従来のＩＣリードフレームの噴
射メッキ方法にあっては、開口８めがけて直接アノード
イオン化されたメッキ液１０を噴射してマスク体２より
露呈されたチップ及びワイヤ両ボンディングエリア６．
７の双方に対し一度でメッキが施せる利点があるが、チ
ップ及びワイヤ両ポ／ディング６．７にわたる「メッキ
対象エリア」はＩＣリードフレーム５全体から見ればご
く一部であり小さなエリアであるものの、やはりそれな
りの広がりのあるエリヤなのでその中で中心部の電流密
度が高く、周辺部へ向かうに従い密度が徐々に低くなる
嫌いがあり、もって電気メツキ時の導電性にバラツキが
生ずることとなり、第５図で示されるようにメッキ厚が
中心部で一番厚くなって、全体のメッキ厚が不均一にな
る傾向があった。
射メッキ方法にあっては、開口８めがけて直接アノード
イオン化されたメッキ液１０を噴射してマスク体２より
露呈されたチップ及びワイヤ両ボンディングエリア６．
７の双方に対し一度でメッキが施せる利点があるが、チ
ップ及びワイヤ両ポ／ディング６．７にわたる「メッキ
対象エリア」はＩＣリードフレーム５全体から見ればご
く一部であり小さなエリアであるものの、やはりそれな
りの広がりのあるエリヤなのでその中で中心部の電流密
度が高く、周辺部へ向かうに従い密度が徐々に低くなる
嫌いがあり、もって電気メツキ時の導電性にバラツキが
生ずることとなり、第５図で示されるようにメッキ厚が
中心部で一番厚くなって、全体のメッキ厚が不均一にな
る傾向があった。
〈問題点を解決するための手段〉
そこでこの発明では、開口の中心部に位置するチップボ
ンディングエリアに近接して抵抗体を臨ませ、チップボ
ッディングエリアへノミ流密度を規制することにより均
一化されたメッキ厚を得ることのできるＩＣリードフレ
ームの噴射メッキ方法を提供せんとするものである。
ンディングエリアに近接して抵抗体を臨ませ、チップボ
ッディングエリアへノミ流密度を規制することにより均
一化されたメッキ厚を得ることのできるＩＣリードフレ
ームの噴射メッキ方法を提供せんとするものである。
く作用〉
ノズルよりアノードイオン化したメッキ液をメッキ液噴
射用の開口へ向けて噴射するとき、開口の中心部に位置
するチップボッディングエリアに近接して抵抗体を臨ま
せているため抵抗体の位置とサイズに応じてチップボッ
ディングエリアの電流密度が規制されること番こなって
中心部へのアノードイオンの集中が防止されることにな
り、メッキ厚の均一化が図れるものである。
射用の開口へ向けて噴射するとき、開口の中心部に位置
するチップボッディングエリアに近接して抵抗体を臨ま
せているため抵抗体の位置とサイズに応じてチップボッ
ディングエリアの電流密度が規制されること番こなって
中心部へのアノードイオンの集中が防止されることにな
り、メッキ厚の均一化が図れるものである。
〈実施例〉
以下この発明を図面に基づいて説明する。尚、以下では
従来と共通する部分について同一符号を以て示すことと
し重複説明は省略する。第１図及び第２図はこの発明の
一実施を示す図である。１１が抵抗体で、この抵抗体１
１はノズル９に組合せて一体化される電流の絶縁物で、
メッキ液噴射用の開口８の中心部に位置するチップボッ
ディングエリア６に近接して臨ませられるものである。
従来と共通する部分について同一符号を以て示すことと
し重複説明は省略する。第１図及び第２図はこの発明の
一実施を示す図である。１１が抵抗体で、この抵抗体１
１はノズル９に組合せて一体化される電流の絶縁物で、
メッキ液噴射用の開口８の中心部に位置するチップボッ
ディングエリア６に近接して臨ませられるものである。
そしてノズル９側とＩ ＣＩＪ−ドフレーム５側との間
で発生する電流の密度を、近接する位置、サイズ等の抵
抗体１１の条件を変えることにより調整し開口８のサイ
ズに応じて所望のメッキ厚の均一化を図るものである。
で発生する電流の密度を、近接する位置、サイズ等の抵
抗体１１の条件を変えることにより調整し開口８のサイ
ズに応じて所望のメッキ厚の均一化を図るものである。
次に作用を説明する。
ノズル９よりアノードイオン化されたメッキ液１０をメ
ッキ液噴射用の開口８へ向けて噴射すると、ノズル９側
とＩＣリードフレーム５側との間で電流が発生するが、
このとき開口８の中心部に位置するチップボンディング
エリア６に近接して電流の絶縁物である抵抗体１１が臨
んでおり、この抵抗体１１の位置とサイズに応じてチッ
プボッディングエリア６への電流の集中が規制されるこ
とになるため、従来中心部のチップボッディングエリア
６へ集中しがちだった電流分布が分散されて電流密度が
均一化され、しかもノズル９から噴射されるアノードイ
オン化されたメッキ液１０は抵抗体１１に邪魔されてチ
ップボンディングエリア６へ直接ぶつからず、チップボ
ッディングエリア６へは抵抗体１１を迂回した間接的な
メッキ液１０が噴射されることになり、電流密度の分散
化と相俟って開口８に露呈された「メッキ対象エリア」
は均一されたメッキ厚となるものである。
ッキ液噴射用の開口８へ向けて噴射すると、ノズル９側
とＩＣリードフレーム５側との間で電流が発生するが、
このとき開口８の中心部に位置するチップボンディング
エリア６に近接して電流の絶縁物である抵抗体１１が臨
んでおり、この抵抗体１１の位置とサイズに応じてチッ
プボッディングエリア６への電流の集中が規制されるこ
とになるため、従来中心部のチップボッディングエリア
６へ集中しがちだった電流分布が分散されて電流密度が
均一化され、しかもノズル９から噴射されるアノードイ
オン化されたメッキ液１０は抵抗体１１に邪魔されてチ
ップボンディングエリア６へ直接ぶつからず、チップボ
ッディングエリア６へは抵抗体１１を迂回した間接的な
メッキ液１０が噴射されることになり、電流密度の分散
化と相俟って開口８に露呈された「メッキ対象エリア」
は均一されたメッキ厚となるものである。
尚、この実施例では抵抗体１１をノズル９ヘ一体化され
たものとし゛〔説明したが勿論これに限定されず、例え
ば抵抗体１１を交換自在に設けた場合には、対象とする
ＩＣリードフレームの種類が変わり「メッキ対象エリア
」の面積が変ったときでもこの「メッキ対象エリア」に
合わせたサイズの抵抗体１１と交換することによりメッ
キ厚の均一化が図れるものである。
たものとし゛〔説明したが勿論これに限定されず、例え
ば抵抗体１１を交換自在に設けた場合には、対象とする
ＩＣリードフレームの種類が変わり「メッキ対象エリア
」の面積が変ったときでもこの「メッキ対象エリア」に
合わせたサイズの抵抗体１１と交換することによりメッ
キ厚の均一化が図れるものである。
く効果〉
この発明に係るＩＣリードフレームの噴射メッキ方法は
以上説明した如き内容のものなので、開口の中心部に位
置するチップボンディングエリアに近接して抵抗体が臨
んでおり、この抵抗体の位置とサイズに応じてチップボ
ンディングエリアへの電流の集中が規制されることにな
り、しかもノズルから噴射されるアノードイオン化され
たメッキ液が抵抗体に邪魔されて間接的にチップボンデ
ィングエリアへ噴射されるため、電流密度の分散化と相
俟って開口に露呈されたチップ及びワイヤボンディング
両エリアのメッキ厚の均一化が図れるという効果がある
。
以上説明した如き内容のものなので、開口の中心部に位
置するチップボンディングエリアに近接して抵抗体が臨
んでおり、この抵抗体の位置とサイズに応じてチップボ
ンディングエリアへの電流の集中が規制されることにな
り、しかもノズルから噴射されるアノードイオン化され
たメッキ液が抵抗体に邪魔されて間接的にチップボンデ
ィングエリアへ噴射されるため、電流密度の分散化と相
俟って開口に露呈されたチップ及びワイヤボンディング
両エリアのメッキ厚の均一化が図れるという効果がある
。
第１図はこの発明の一実施例を示す要部拡大断面図、
第２図はこの発明により期待されるメッキ厚の説明図、
第３図は従来の方法を示す一部破断の側面図、第４図は
第３図中矢示■部分を示す第１図相当の要部拡大断面図
、そして 第５図は従来のメッキ厚を示す第２図相当の説明図であ
る。 １・・・・−・噴射メッキ処理槽 ２・・・・・−マスク体 ３・・−・・・圧力シリンダ ４・・・・・・抑圧板 ５・・・・・・Ｉ ＣＩＪ −？フレーム６・・・・・
・チップボンディングエリア７・・・・・・ワイヤボン
ディングエリア８・・・・・・メッキ液噴射用の開口 ９・・・・・・ノズル １０・・・・・・メッキ液 １１・・・・・・抵抗体 手奏甫正書（自発 昭和５９年１２月１４日
第３図中矢示■部分を示す第１図相当の要部拡大断面図
、そして 第５図は従来のメッキ厚を示す第２図相当の説明図であ
る。 １・・・・−・噴射メッキ処理槽 ２・・・・・−マスク体 ３・・−・・・圧力シリンダ ４・・・・・・抑圧板 ５・・・・・・Ｉ ＣＩＪ −？フレーム６・・・・・
・チップボンディングエリア７・・・・・・ワイヤボン
ディングエリア８・・・・・・メッキ液噴射用の開口 ９・・・・・・ノズル １０・・・・・・メッキ液 １１・・・・・・抵抗体 手奏甫正書（自発 昭和５９年１２月１４日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩＣリードフレームのチップボンディングエリア及び
インナリード先端に相当するワイヤボンディングエリア
を併せて露呈せしめるメッキ液噴射用の開口付きマスク
体にてカソード化したＩＣリードフレームを支持し、 該開口へノズルよりアノードイオン化したメッキ液を噴
射するＩＣリードフレームの噴射メッキ方法に於いて、 上記開口の中心部に位置するチップボンディングエリア
に近接して抵抗体を臨ませ、この抵抗体にてチップボン
ディングエリアへの電流密度を規制することを特徴とす
るＩＣリードフレームの噴射メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23122884A JPS61110790A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | Ｉｃリ−ドフレ−ムの噴射メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23122884A JPS61110790A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | Ｉｃリ−ドフレ−ムの噴射メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110790A true JPS61110790A (ja) | 1986-05-29 |
Family
ID=16920325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23122884A Pending JPS61110790A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | Ｉｃリ−ドフレ−ムの噴射メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61110790A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0313591A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-22 | Susumu Kogyo Kk | メッキ方法及びその装置 |
| JPH0568353A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Hitachi Ltd | 直流電動機用ブラシ保持器 |
| JPH06177302A (ja) * | 1992-12-02 | 1994-06-24 | Toshiba Corp | 噴射メッキ装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54859A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-06 | Matsushita Electronics Corp | Color picture tube |
| JPS5536076A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-13 | Kobe Steel Ltd | Automatic plate thickness control method of rolling mill |
| JPS57210986A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Partial plating method |
| JPS57210985A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Partial plating device |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP23122884A patent/JPS61110790A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54859A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-06 | Matsushita Electronics Corp | Color picture tube |
| JPS5536076A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-13 | Kobe Steel Ltd | Automatic plate thickness control method of rolling mill |
| JPS57210985A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Partial plating device |
| JPS57210986A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Partial plating method |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0313591A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-22 | Susumu Kogyo Kk | メッキ方法及びその装置 |
| JPH0568353A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Hitachi Ltd | 直流電動機用ブラシ保持器 |
| JPH06177302A (ja) * | 1992-12-02 | 1994-06-24 | Toshiba Corp | 噴射メッキ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20010000891A1 (en) | Method of plating semiconductor wafer and plated semiconductor wafer | |
| JPS61110790A (ja) | Ｉｃリ−ドフレ−ムの噴射メツキ方法 | |
| JP4644528B2 (ja) | 部分めっき装置及び部分めっき方法 | |
| JPS60255992A (ja) | 部分メツキ装置 | |
| JPS6214235B2 (ja) | ||
| JP3438387B2 (ja) | めっき装置およびめっき方法 | |
| JP2617637B2 (ja) | 部分めっき装置および半導体装置用リードフレーム | |
| JPS6082688A (ja) | 部分メツキ装置 | |
| JPS5996289A (ja) | 部分メツキ方法及びその装置 | |
| JPH03134196A (ja) | リードフレームのめっき装置 | |
| JPH0248433Y2 (ja) | ||
| JPS6191386A (ja) | 電気、電子部品のドツトメツキ方法 | |
| JPS5931883A (ja) | 極微小部分メツキ処理部材 | |
| JPS6053759B2 (ja) | 部分メツキ方法及びその装置 | |
| JPS6344300B2 (ja) | ||
| JPH11100694A (ja) | めっき前処理及び電気めっき処理装置 | |
| JP2663369B2 (ja) | リードフレームの部分めっき装置 | |
| JPH01212791A (ja) | 帯状被処理物に対する部分めっき装置 | |
| JPH05343584A (ja) | 半導体製品用メッキ装置 | |
| JPH06179998A (ja) | めっき装置 | |
| JPS62122158A (ja) | リ−ドフレ−ムのスポツトめつき装置 | |
| JPS61124596A (ja) | 部分メツキ方法 | |
| JPH02205695A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS61177391A (ja) | 環状部分メツキ装置 | |
| JPH04210492A (ja) | 電気メッキ方法とメッキ装置 |