JPH04379B2 - - Google Patents
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- JPH04379B2 JPH04379B2 JP10672883A JP10672883A JPH04379B2 JP H04379 B2 JPH04379 B2 JP H04379B2 JP 10672883 A JP10672883 A JP 10672883A JP 10672883 A JP10672883 A JP 10672883A JP H04379 B2 JPH04379 B2 JP H04379B2
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- semiconductor wafer
- developer
- temperature
- nozzle
- center
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体製造工程においてフオトレジス
トのパターニングをする装置に係り、特にポジレ
ジストの現像等に用いられるレジスト現像装置に
関する。
トのパターニングをする装置に係り、特にポジレ
ジストの現像等に用いられるレジスト現像装置に
関する。
第１図乃至第３図を参照して従来装置を説明す
る。第１図は従来装置の構成の概要を説明する図
である。半導体ウエーハ１はスピンチヤツク２に
吸着保持され、スピンチヤツク２はスピンモータ
３に連結されて一定方向に回転させられる。スピ
ンチヤツク２の上方にはノズルホルダー４に覆わ
れたノズル５が設けられ、処理槽６に収容された
半導体ウエーハ１に薬液を矢印７の如くスプレー
する。また、ノズル５には現像液供給部８から現
像液温調部９を介して現像液が供給される。
る。第１図は従来装置の構成の概要を説明する図
である。半導体ウエーハ１はスピンチヤツク２に
吸着保持され、スピンチヤツク２はスピンモータ
３に連結されて一定方向に回転させられる。スピ
ンチヤツク２の上方にはノズルホルダー４に覆わ
れたノズル５が設けられ、処理槽６に収容された
半導体ウエーハ１に薬液を矢印７の如くスプレー
する。また、ノズル５には現像液供給部８から現
像液温調部９を介して現像液が供給される。
第２図は第１図の装置のノズル５付近の詳細な
図で、第１図と同一要素は同一符号で示してあ
る。薬液は位置の固定されたノズル５から矢印７
の如くスプレーされ、半導体ウエーハ１はスピン
チヤツク２上で回転するため、図中の位置ａ，
ｂ，ｃ，ｄによつて薬液の量や温度が異なること
になる。
図で、第１図と同一要素は同一符号で示してあ
る。薬液は位置の固定されたノズル５から矢印７
の如くスプレーされ、半導体ウエーハ１はスピン
チヤツク２上で回転するため、図中の位置ａ，
ｂ，ｃ，ｄによつて薬液の量や温度が異なること
になる。
第３図は第１図および第２図に示す装置によつ
て半導体ウエーハ１にスプレーされる薬液の分布
のパターンを示す図で、第２図と同一要素は同一
符号で示してある。なお図中のａ，ｂ，ｃ，ｄは
第２図の位置ａ，ｂ，ｃ，ｄに対応しており、斜
線は薬液のスプレーで同時にカバーされる範囲を
示している。第３図ａに示すように半導体ウエー
ハ１の半径を覆うようなスプレーで現像すると、
半導体ウエーハ１は位置ａを中心に回転するのに
対してノズル５は固定されているので、位置ｃの
レジストの現像が他の位置に比べて遅れ、現像ム
ラなどが生じる。なぜならば、薬液の温度はスプ
レーの中心部（位置ｂ）が高くなり、周辺部（位
置ａ，ｃ）が低くなる。また、薬液の量は移動速
度の最も低いウエーハの中心部（位置ａ）が最も
多くなり、ウエーハの周辺部（位置ｃ）が最も少
なくなるので、半導体ウエーハ１の周辺部の現像
が他の部分より遅れるからである。
て半導体ウエーハ１にスプレーされる薬液の分布
のパターンを示す図で、第２図と同一要素は同一
符号で示してある。なお図中のａ，ｂ，ｃ，ｄは
第２図の位置ａ，ｂ，ｃ，ｄに対応しており、斜
線は薬液のスプレーで同時にカバーされる範囲を
示している。第３図ａに示すように半導体ウエー
ハ１の半径を覆うようなスプレーで現像すると、
半導体ウエーハ１は位置ａを中心に回転するのに
対してノズル５は固定されているので、位置ｃの
レジストの現像が他の位置に比べて遅れ、現像ム
ラなどが生じる。なぜならば、薬液の温度はスプ
レーの中心部（位置ｂ）が高くなり、周辺部（位
置ａ，ｃ）が低くなる。また、薬液の量は移動速
度の最も低いウエーハの中心部（位置ａ）が最も
多くなり、ウエーハの周辺部（位置ｃ）が最も少
なくなるので、半導体ウエーハ１の周辺部の現像
が他の部分より遅れるからである。
第３図ｂに示すように半導体ウエーハ１の直径
を覆うようなスプレーでレジストを現像した場合
にも、ウエーハの周辺部の現像が遅れて現像ムラ
が生じる。なぜならば、薬液の温度はスプレーの
中心部（位置ａ）が最も高くなり、薬液の量は半
導体ウエーハ１の中心部（位置ａ）が最も多くな
るからである。
を覆うようなスプレーでレジストを現像した場合
にも、ウエーハの周辺部の現像が遅れて現像ムラ
が生じる。なぜならば、薬液の温度はスプレーの
中心部（位置ａ）が最も高くなり、薬液の量は半
導体ウエーハ１の中心部（位置ａ）が最も多くな
るからである。
そして、上記の欠点はウエーハサイズが大きく
なるほど顕著になる。
なるほど顕著になる。
本発明は上記の従来技術の欠点に鑑みてなされ
たもので、半導体ウエーハ上の位置によつてレジ
ストの現像が速くなつたり遅くなつたりして、現
像ムラを生じることのない半導体ウエーハのレジ
スト現像装置を提供することを目的とする。
たもので、半導体ウエーハ上の位置によつてレジ
ストの現像が速くなつたり遅くなつたりして、現
像ムラを生じることのない半導体ウエーハのレジ
スト現像装置を提供することを目的とする。
上記の目的を実現するため本発明は、スプレー
される現像液の温度を吐出部（ノズル）において
一定値に調節すると共に、吐出部を駆動させる手
段を設け、半導体ウエーハの中心部をスプレーし
ているときは速く吐出部を移動させ、周辺部をス
プレーしているときは遅く吐出部を移動させる半
導体ウエーハのレジスト現像装置を提供するもの
である。
される現像液の温度を吐出部（ノズル）において
一定値に調節すると共に、吐出部を駆動させる手
段を設け、半導体ウエーハの中心部をスプレーし
ているときは速く吐出部を移動させ、周辺部をス
プレーしているときは遅く吐出部を移動させる半
導体ウエーハのレジスト現像装置を提供するもの
である。
以下、第４図を参照して本発明の一実施例を説
明する。第４図は同実施例の構成の概要を説明す
る図で、第１図乃至第３図と同一要素は同一符号
で示してある。スピンチヤツク２に吸着固定され
た半導体ウエーハ１は一定速度で回転する。半導
体ウエーハ１の上方に設けられた薬液をスプレー
するための現像液吐出部１０は、ノズル駆動部に
よつて矢印１１の方向に往復運動させられる。ノ
ズル駆動部は現像液吐出部１０を保持するための
アーム１２と、アーム１２に固定されカムフオロ
ア１３を取り付けたスライダ１４と、カム機構と
から成り立つている。そして、カム機構はカムフ
オロア１３を受け入れるための偏心の溝１５を設
けたカム１６と、スライダ１４を往復移動させる
２本のガイドシヤフト１７ａ，１７ｂから成り立
つている。なお、カム１６は図示しないモータに
より矢印１８の方向に回転させることができる。
明する。第４図は同実施例の構成の概要を説明す
る図で、第１図乃至第３図と同一要素は同一符号
で示してある。スピンチヤツク２に吸着固定され
た半導体ウエーハ１は一定速度で回転する。半導
体ウエーハ１の上方に設けられた薬液をスプレー
するための現像液吐出部１０は、ノズル駆動部に
よつて矢印１１の方向に往復運動させられる。ノ
ズル駆動部は現像液吐出部１０を保持するための
アーム１２と、アーム１２に固定されカムフオロ
ア１３を取り付けたスライダ１４と、カム機構と
から成り立つている。そして、カム機構はカムフ
オロア１３を受け入れるための偏心の溝１５を設
けたカム１６と、スライダ１４を往復移動させる
２本のガイドシヤフト１７ａ，１７ｂから成り立
つている。なお、カム１６は図示しないモータに
より矢印１８の方向に回転させることができる。
加圧タンク１９に入れられた現像液２０は恒温
槽２１内の熱交換パイプ２２を通つて一定温度ま
で加熱され、開閉バルブ２３およびアーム１２を
介して現像液吐出部１０に与えられる。ここで、
温調器２４は図示しない検知器により検出した現
像液の温度（現像液吐出部おける温度も含む）に
もとづいて、スプレーされる現像液の温度が一様
な温度になるよう恒温槽２１における現像液の温
度を調節する。
槽２１内の熱交換パイプ２２を通つて一定温度ま
で加熱され、開閉バルブ２３およびアーム１２を
介して現像液吐出部１０に与えられる。ここで、
温調器２４は図示しない検知器により検出した現
像液の温度（現像液吐出部おける温度も含む）に
もとづいて、スプレーされる現像液の温度が一様
な温度になるよう恒温槽２１における現像液の温
度を調節する。
次に、第４図に示す装置の動作を説明する。図
示しないモータによりカム１６を矢印１８の方向
に回転させると、溝１５の動きにつれてカムフオ
ロア１３がガイドシヤフト１７ａ，１７ｂに沿つ
て往復運動する。そのため、スライダ１４はガイ
ドシヤフト１７ａ，１７ｂ上を往復運動するの
で、現像液吐出部１０は半導体ウエーハ１の上方
を往復運動することになる。１つの方法としてこ
のとき、半導体ウエーハ１の直径と溝１５の直径
をほぼ等しく設定すると、現像液吐出部は半導体
ウエーハ１の中心部にあるときは速く移動し、周
辺部にあるときは遅く移動することになる。従つ
て、半導体ウエーハ１の中心部と周辺部の現像液
の量を等しくすることができる。また、温調器２
４等によつて現像液の温度を調整することによ
り、半導体ウエーハ１における現像液の温度を一
様に保つことができる。
示しないモータによりカム１６を矢印１８の方向
に回転させると、溝１５の動きにつれてカムフオ
ロア１３がガイドシヤフト１７ａ，１７ｂに沿つ
て往復運動する。そのため、スライダ１４はガイ
ドシヤフト１７ａ，１７ｂ上を往復運動するの
で、現像液吐出部１０は半導体ウエーハ１の上方
を往復運動することになる。１つの方法としてこ
のとき、半導体ウエーハ１の直径と溝１５の直径
をほぼ等しく設定すると、現像液吐出部は半導体
ウエーハ１の中心部にあるときは速く移動し、周
辺部にあるときは遅く移動することになる。従つ
て、半導体ウエーハ１の中心部と周辺部の現像液
の量を等しくすることができる。また、温調器２
４等によつて現像液の温度を調整することによ
り、半導体ウエーハ１における現像液の温度を一
様に保つことができる。
上記の如く本発明によれば、スプレーされる現
像液の温度を吐出部において一定値に調節すると
共に、半導体ウエーハの直径方向に吐出部を駆動
させる手段を設け、半導体ウエーハの中心部をス
プレーしているときの移動速度よりも周辺部をス
プレーしているときの方がおそくなるようにした
ので、スプレーされる現像液の温度と量を半導体
ウエーハの周辺部、中心部等において一様にする
ことができ、現像ムラを生じさせることのない半
導体ウエーハのレジスト現像装置を得ることがで
きる。また、現像液の温度を調節することによつ
て現像速度を速めたり、吐出部の移動速度を変化
させることによつて現像精度を高めたりすること
ができる。さらに、吐出部の移動距離を変えるこ
とによつて、異なるサイズの半導体ウエーハの現
像に対応することもできる。
像液の温度を吐出部において一定値に調節すると
共に、半導体ウエーハの直径方向に吐出部を駆動
させる手段を設け、半導体ウエーハの中心部をス
プレーしているときの移動速度よりも周辺部をス
プレーしているときの方がおそくなるようにした
ので、スプレーされる現像液の温度と量を半導体
ウエーハの周辺部、中心部等において一様にする
ことができ、現像ムラを生じさせることのない半
導体ウエーハのレジスト現像装置を得ることがで
きる。また、現像液の温度を調節することによつ
て現像速度を速めたり、吐出部の移動速度を変化
させることによつて現像精度を高めたりすること
ができる。さらに、吐出部の移動距離を変えるこ
とによつて、異なるサイズの半導体ウエーハの現
像に対応することもできる。
第１図は従来装置の構成の概要を説明する図、
第２図は第１図の装置の一部の拡大図、第３図は
第１図および第２図に示す装置による現像方法を
説明する図、第４図は本発明の一実施例の構成の
概要を説明する図である。 １…半導体ウエーハ、２…スピンチヤツク、３
…スピンモータ、４…ノズルホルダー、５…ノズ
ル、６…処理槽、１０…現像液吐出部、１２…ア
ーム、１３…カムフオロア、１４…スライダ、１
５…溝、１６…カム、１７ａ，１７ｂ…カムシヤ
フト、１９…加圧タンク、２０…現像液、２１…
恒温槽、２２…熱交換パイプ、２３…開閉バル
ブ。
第２図は第１図の装置の一部の拡大図、第３図は
第１図および第２図に示す装置による現像方法を
説明する図、第４図は本発明の一実施例の構成の
概要を説明する図である。 １…半導体ウエーハ、２…スピンチヤツク、３
…スピンモータ、４…ノズルホルダー、５…ノズ
ル、６…処理槽、１０…現像液吐出部、１２…ア
ーム、１３…カムフオロア、１４…スライダ、１
５…溝、１６…カム、１７ａ，１７ｂ…カムシヤ
フト、１９…加圧タンク、２０…現像液、２１…
恒温槽、２２…熱交換パイプ、２３…開閉バル
ブ。
Claims (1)
- １ 半導体ウエーハを吸着固定する支持部と、こ
の支持部と共に半導体ウエーハを回転させる回転
駆動部と、半導体ウエーハに現像液をスプレーす
る半導体ウエーハ面に対して平行移動自在な現像
液吐出部と、この現像液吐出部が半導体ウエーハ
の中心部をスプレーしているときは速く周辺部を
スプレーしているときは遅くこの現像液吐出部を
移動させるノズル駆動部と、スプレーされる現像
液が前記現像液吐出部において一定温度になるよ
う温度を調節する温調部とを備える半導体ウエー
ハのレジスト現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10672883A JPS59232417A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 半導体ウエ−ハのレジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10672883A JPS59232417A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 半導体ウエ−ハのレジスト現像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232417A JPS59232417A (ja) | 1984-12-27 |
| JPH04379B2 true JPH04379B2 (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14440992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10672883A Granted JPS59232417A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 半導体ウエ−ハのレジスト現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59232417A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61160930A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の表面処理液供給方法 |
| JPH0532848Y2 (ja) * | 1985-02-20 | 1993-08-23 | ||
| JPH07111950B2 (ja) * | 1988-05-31 | 1995-11-29 | 富士通株式会社 | スプレィ現像装置 |
| JPH088207B2 (ja) * | 1989-06-12 | 1996-01-29 | 富士通株式会社 | スプレー現像方法 |
| JPH0390431U (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-13 | ||
| US5416047A (en) * | 1990-09-07 | 1995-05-16 | Tokyo Electron Limited | Method for applying process solution to substrates |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP10672883A patent/JPS59232417A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59232417A (ja) | 1984-12-27 |
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