JP2527682Y2 - 回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布装置Info
- Publication number
- JP2527682Y2 JP2527682Y2 JP3285091U JP3285091U JP2527682Y2 JP 2527682 Y2 JP2527682 Y2 JP 2527682Y2 JP 3285091 U JP3285091 U JP 3285091U JP 3285091 U JP3285091 U JP 3285091U JP 2527682 Y2 JP2527682 Y2 JP 2527682Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processed
- wafers
- rotating
- dropping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は、レジスト等の薬液を
ウエハに回転塗布する装置の改良に関し、被処理ウエハ
の上面に薬液を滴下し且つ他の被処理ウエハを重ねてか
らこれらのウエハを回転させて両ウエハの対向面に塗布
膜を形成することにより膜厚均一性及び膜質の向上を図
ったものである。
ウエハに回転塗布する装置の改良に関し、被処理ウエハ
の上面に薬液を滴下し且つ他の被処理ウエハを重ねてか
らこれらのウエハを回転させて両ウエハの対向面に塗布
膜を形成することにより膜厚均一性及び膜質の向上を図
ったものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置製造プロセス等にあっ
ては、レジスト、SOG(スピンオンガラス)、ポリイ
ミド等の薬液を半導体ウエハの表面に塗布するために回
転塗布装置が広く用いられている。そして、この種の回
転塗布装置としては、半導体ウエハを平面的に保持した
状態でウエハ上面に薬液を滴下した後該ウエハを高速で
回転させることにより滴下薬液を遠心力によりウエハ外
周側へ広げて塗布膜を形成するようにしたものが知られ
ている。
ては、レジスト、SOG(スピンオンガラス)、ポリイ
ミド等の薬液を半導体ウエハの表面に塗布するために回
転塗布装置が広く用いられている。そして、この種の回
転塗布装置としては、半導体ウエハを平面的に保持した
状態でウエハ上面に薬液を滴下した後該ウエハを高速で
回転させることにより滴下薬液を遠心力によりウエハ外
周側へ広げて塗布膜を形成するようにしたものが知られ
ている。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】上記した従来の回転塗
布装置によると、ウエハを高速回転させるのに伴ってウ
エハ上面に回転する気流が生ずる。この回転する気流の
速度は、ウエハ外周部で大きいため、ウエハ外周部では
薬液中に含まれる溶剤の蒸発速度が大きくなる。このた
め、ウエハの外周部では中心部より膜厚が大となる不都
合があった。また、ウエハ回転時の竜巻状の気流により
薬液の微細粒子からなるミストがウエハ上方に舞い上げ
られ、その後ウエハ上に落下して塗布膜の膜厚分布を不
均一としたり、塗布膜質を劣化させるという問題点もあ
った。
布装置によると、ウエハを高速回転させるのに伴ってウ
エハ上面に回転する気流が生ずる。この回転する気流の
速度は、ウエハ外周部で大きいため、ウエハ外周部では
薬液中に含まれる溶剤の蒸発速度が大きくなる。このた
め、ウエハの外周部では中心部より膜厚が大となる不都
合があった。また、ウエハ回転時の竜巻状の気流により
薬液の微細粒子からなるミストがウエハ上方に舞い上げ
られ、その後ウエハ上に落下して塗布膜の膜厚分布を不
均一としたり、塗布膜質を劣化させるという問題点もあ
った。
【0004】この考案の目的は、塗布膜の膜厚均一性及
び膜質を改善することのできる新規な回転塗布装置を提
供することにある。
び膜質を改善することのできる新規な回転塗布装置を提
供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この考案による回転塗布
装置は、 (a)第1の被処理ウエハの上面に薬液を滴下するため
の滴下手段と、 (b)前記第1の被処理ウエハを平面的に保持した状態
で所定方向に回転させるための第1の回転手段と、 (c)第2の被処理ウエハを前記第1の被処理ウエハの
上面に滴下薬液と接触すべく重ね合せ且つ平面的に保持
した状態で前記所定方向の回転と同時に且つ同一方向に
回転させるための第2の回転手段とをそなえ、前記第1
及び第2の被処理ウエハの同時回転によりこれらのウエ
ハの対向面に前記薬液の塗布膜を同時に形成するように
したことを特徴とするものである。
装置は、 (a)第1の被処理ウエハの上面に薬液を滴下するため
の滴下手段と、 (b)前記第1の被処理ウエハを平面的に保持した状態
で所定方向に回転させるための第1の回転手段と、 (c)第2の被処理ウエハを前記第1の被処理ウエハの
上面に滴下薬液と接触すべく重ね合せ且つ平面的に保持
した状態で前記所定方向の回転と同時に且つ同一方向に
回転させるための第2の回転手段とをそなえ、前記第1
及び第2の被処理ウエハの同時回転によりこれらのウエ
ハの対向面に前記薬液の塗布膜を同時に形成するように
したことを特徴とするものである。
【0006】
【作用】この考案の構成によれば、第1及び第2の被処
理ウエハを重ね合せて同一方向に回転させるようにした
ので、両ウエハ間の空間では気流が整えられ、回転気流
が発生しない。このため、ウエハ外周部での溶剤の蒸発
が抑制され、塗布膜厚の均一性が改善される。
理ウエハを重ね合せて同一方向に回転させるようにした
ので、両ウエハ間の空間では気流が整えられ、回転気流
が発生しない。このため、ウエハ外周部での溶剤の蒸発
が抑制され、塗布膜厚の均一性が改善される。
【0007】また、第1の被処理ウエハの上面を第2の
被処理ウエハで覆うようにしたので、これらのウエハの
対向面に付着するミストが少なく、塗布膜質も改善され
る。さらに、両ウエハの対向面には塗布膜が同時に形成
されるので、スループットが向上する。
被処理ウエハで覆うようにしたので、これらのウエハの
対向面に付着するミストが少なく、塗布膜質も改善され
る。さらに、両ウエハの対向面には塗布膜が同時に形成
されるので、スループットが向上する。
【0008】
【実施例】図1〜図3は、この考案の一実施例による回
転塗布装置の異なる動作状態を示すもので、図1はレジ
スト滴下状態、図2はウエハ重ね合せ状態、図3は回転
塗布状態をそれぞれ示す。
転塗布装置の異なる動作状態を示すもので、図1はレジ
スト滴下状態、図2はウエハ重ね合せ状態、図3は回転
塗布状態をそれぞれ示す。
【0009】図1において、カップ10の中央部には半
導体ウエハ等の被処理ウエハ12を吸引保持するチャッ
ク14が設けられており、チャック14はウエハ12を
平面的に保持した状態で回転すべくモータ16によって
駆動されるようになっている。滴下ノズル18は、ウエ
ハ12の上面にレジスト20等の薬液を滴下するための
もので、図1に示す滴下位置と図2に示す待機位置との
間で移動自在に設けられている。
導体ウエハ等の被処理ウエハ12を吸引保持するチャッ
ク14が設けられており、チャック14はウエハ12を
平面的に保持した状態で回転すべくモータ16によって
駆動されるようになっている。滴下ノズル18は、ウエ
ハ12の上面にレジスト20等の薬液を滴下するための
もので、図1に示す滴下位置と図2に示す待機位置との
間で移動自在に設けられている。
【0010】カップ10の底面には、チャック14の下
方でチャック14を取囲むように排液阻止板22Aが設
けられている。カップ10の底面は、一方側より他方側
が低くなるように傾斜しており、高い方の底部には排気
GSを導出するための排気ホース24が設けられ、低い
方の底部には排液LQを導出するための排液ホース26
が設けられている。カップ10の底面において、ホース
24の取付部近傍には排液がホース24及びチャック1
4側に入るのを阻止すべく排液阻止板22Bが設けられ
ると共に、ホース26の取付部近傍には排液がチャック
14側に入るのを阻止すべく排液阻止板22Cが設けら
れている。
方でチャック14を取囲むように排液阻止板22Aが設
けられている。カップ10の底面は、一方側より他方側
が低くなるように傾斜しており、高い方の底部には排気
GSを導出するための排気ホース24が設けられ、低い
方の底部には排液LQを導出するための排液ホース26
が設けられている。カップ10の底面において、ホース
24の取付部近傍には排液がホース24及びチャック1
4側に入るのを阻止すべく排液阻止板22Bが設けられ
ると共に、ホース26の取付部近傍には排液がチャック
14側に入るのを阻止すべく排液阻止板22Cが設けら
れている。
【0011】カップ10の上方でその真上よりやや外れ
た位置には、可動アーム30が配置されており、アーム
30には半導体ウエハ等の被処理ウエハ32を吸引保持
するチャック34がモータ36により回転駆動されるよ
うに設けられている。アーム30は、図1に示す待機位
置と図2に示す作業位置との間で移動自在に設けられて
いる。
た位置には、可動アーム30が配置されており、アーム
30には半導体ウエハ等の被処理ウエハ32を吸引保持
するチャック34がモータ36により回転駆動されるよ
うに設けられている。アーム30は、図1に示す待機位
置と図2に示す作業位置との間で移動自在に設けられて
いる。
【0012】一例としてレジストを回転塗布する場合、
図1に示すように滴下ノズル18によりウエハ12上に
所要量のレジスト20を滴下する。この後、図2に示す
ように滴下ノズル18を待機位置に戻してから、アーム
30を移動させることによりウエハ32を滴下レジスト
20に接触すべくウエハ12に重ね合せる。
図1に示すように滴下ノズル18によりウエハ12上に
所要量のレジスト20を滴下する。この後、図2に示す
ように滴下ノズル18を待機位置に戻してから、アーム
30を移動させることによりウエハ32を滴下レジスト
20に接触すべくウエハ12に重ね合せる。
【0013】次に、図3に示すようにモータ16,36
を同時に始動させてウエハ12,32を同一方向に回転
させることにより両ウエハの対向面にレジスト塗布膜2
0A,20Bを同時に形成する。このとき、ウエハ1
2,32の回転数はほぼ等しくするのが好ましい。ま
た、ウエハ12,32は回転中に互いに離間させるべく
例えば矢印Uに示すようにアーム30を若干上方に変位
させるのが好ましい。なお、ウエハ12,32を予め離
間させてから同一方向に回転させるようにしてもよい。
を同時に始動させてウエハ12,32を同一方向に回転
させることにより両ウエハの対向面にレジスト塗布膜2
0A,20Bを同時に形成する。このとき、ウエハ1
2,32の回転数はほぼ等しくするのが好ましい。ま
た、ウエハ12,32は回転中に互いに離間させるべく
例えば矢印Uに示すようにアーム30を若干上方に変位
させるのが好ましい。なお、ウエハ12,32を予め離
間させてから同一方向に回転させるようにしてもよい。
【0014】図3の塗布処理にあっては、ウエハ12及
び32の間の介在空間では回転気流が生じないので、従
来のようにウエハ外周部で溶剤の蒸発速度が大きくなる
ことがなく、膜厚均一性が良好となる。また、回転中に
生ずるレジストのミストは、ウエハ32がウエハ12を
覆っているため、塗布膜20A,20Bに付着すること
が少なく、膜質も良好となる。さらに、2枚のウエハ1
2,32を同時に処理するので、スループットは従来の
2倍となる。
び32の間の介在空間では回転気流が生じないので、従
来のようにウエハ外周部で溶剤の蒸発速度が大きくなる
ことがなく、膜厚均一性が良好となる。また、回転中に
生ずるレジストのミストは、ウエハ32がウエハ12を
覆っているため、塗布膜20A,20Bに付着すること
が少なく、膜質も良好となる。さらに、2枚のウエハ1
2,32を同時に処理するので、スループットは従来の
2倍となる。
【0015】図3の処理が終ったときは、チャック1
4,34からウエハ12,32を取外し、次のベーキン
グ処理等に移ることができる。
4,34からウエハ12,32を取外し、次のベーキン
グ処理等に移ることができる。
【0016】なお、この考案の回転塗布装置は、レジス
トに限らず、SOG、ポリイミド等の塗布にも使用可能
である。また、被処理ウエハとしては、半導体ウエハに
限らず、マスク基板等も用いることができる。
トに限らず、SOG、ポリイミド等の塗布にも使用可能
である。また、被処理ウエハとしては、半導体ウエハに
限らず、マスク基板等も用いることができる。
【0017】
【考案の効果】以上のように、この考案によれば、第1
の被処理ウエハの上面に薬液を滴下した後その上に第2
の被処理ウエハを重ねてからこれらのウエハを同一方向
に回転させて両ウエハの対向面に塗布膜を同時に形成す
るようにしたので、塗布膜の膜厚均一性及び膜質が改善
されると共にスループットが向上する効果が得られるも
のである。
の被処理ウエハの上面に薬液を滴下した後その上に第2
の被処理ウエハを重ねてからこれらのウエハを同一方向
に回転させて両ウエハの対向面に塗布膜を同時に形成す
るようにしたので、塗布膜の膜厚均一性及び膜質が改善
されると共にスループットが向上する効果が得られるも
のである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この考案の一実施例による回転塗布装置のレ
ジスト滴下状態を示す断面図である。
ジスト滴下状態を示す断面図である。
【図2】 図1の装置のウエハ重ね合せ状態を示す断面
図である。
図である。
【図3】 図1の装置の回転塗布状態を示す断面図であ
る。
る。
10:カップ、12,32:被処理ウエハ、14,3
4:チャック、16,36:モータ、18:滴下ノズ
ル、20:レジスト、22A〜22C:排液阻止板、2
4:排気ホース、26:排液ホース、30:可動アー
ム。
4:チャック、16,36:モータ、18:滴下ノズ
ル、20:レジスト、22A〜22C:排液阻止板、2
4:排気ホース、26:排液ホース、30:可動アー
ム。
Claims (1)
- 【請求項1】(a)第1の被処理ウエハの上面に薬液を
滴下するための滴下手段と、 (b)前記第1の被処理ウエハを平面的に保持した状態
で所定方向に回転させるための第1の回転手段と、 (c)第2の被処理ウエハを前記第1の被処理ウエハの
上面に滴下薬液と接触すべく重ね合せ且つ平面的に保持
した状態で前記所定方向の回転と同時に且つ同一方向に
回転させるための第2の回転手段とをそなえ、 前記第1及び第2の被処理ウエハの同時回転によりこれ
らのウエハの対向面に前記薬液の塗布膜を同時に形成す
るようにしたことを特徴とする回転塗布装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3285091U JP2527682Y2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3285091U JP2527682Y2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 回転塗布装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04120226U JPH04120226U (ja) | 1992-10-27 |
JP2527682Y2 true JP2527682Y2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=31915717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3285091U Expired - Fee Related JP2527682Y2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 回転塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2527682Y2 (ja) |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP3285091U patent/JP2527682Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04120226U (ja) | 1992-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3351082B2 (ja) | 基板乾燥方法と、基板乾燥槽と、ウェーハ洗浄装置および半導体装置の製造方法 | |
US11033929B2 (en) | Application method | |
US11708495B2 (en) | Priming material for substrate coating | |
JPH10208992A (ja) | フォトレジストの塗布装置及び塗布方法 | |
US6248169B1 (en) | Dual-cup coating apparatus | |
JP2527682Y2 (ja) | 回転塗布装置 | |
US10655019B2 (en) | Priming material for substrate coating | |
JPH09106980A (ja) | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 | |
JPH04130430U (ja) | 回転塗布装置 | |
JP2793554B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH07227568A (ja) | 塗膜形成方法 | |
JPH05259050A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法および装置 | |
JP2537611B2 (ja) | 塗布材料の塗布装置 | |
JPH02133916A (ja) | レジスト塗布装置 | |
JPH05259062A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
JP4023907B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2000202351A (ja) | 成膜装置 | |
JPH0628224Y2 (ja) | 基板回転処理装置 | |
JPH05259063A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
JPH0230132A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH08148413A (ja) | パーティクルの発生が抑止された塗布膜の形成方法 | |
JPH05283327A (ja) | レジスト塗布装置 | |
JPS62137829A (ja) | 塗布装置 | |
JPH05228413A (ja) | 塗布装置 | |
JPH0684776A (ja) | 回転機構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |