TW497124B

TW497124B - Substrate processing apparatus and substrate processing method

Info

Publication number: TW497124B
Application number: TW090107416A
Authority: TW
Inventors: Takahiro Kitano; Yuji Matsuyama; Junichi Kitano
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-03-31
Filing date: 2001-03-28
Publication date: 2002-08-01
Also published as: JP2001276715A; SG104267A1; KR20010095006A; US20030205196A1

Description

497124 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製【發明之背景】本發明係有關於一種可特別對諸如半導體晶圓或用基板等塗佈光阻液等處理液之基板處理裝置及基板處理方法。舉例S之’在半導體裝置製造過程中之照相石版縮影程序中，可進行用以於半導體晶圓（以下稱之為晶圓）表面形成光阻液膜之光阻液塗佈處理，以及經曝光處理而對業經塗佈光阻液後之晶圓進行之顯影處理。若著眼於光阻液塗佈處理，即可知一般多使用旋塗法等以於晶圓表面均勻塗佈光阻液。使用該旋塗法所進行之光阻液塗佈則係藉使晶圓在真空吸著於旋轉卡盤上之狀態下旋轉，並自該旋轉中心之正上方朝晶圓表面滴下供給光阻液，且藉離心力而使光阻液自晶圓中心朝其周圍全域擴散而進行者。此種光阻液塗佈裝置可依旋轉卡盤（晶圓）之旋轉數而進行光阻液膜厚之控制。即，若提高旋轉數即可得到較薄之光阻液膜。然而，旋轉晶圓並利用離心力而使光阻液擴散時，擴散至晶圓外周部之光阻液與位於晶圓中心部之光阻液相比，則有溶劑蒸發快、光阻液自外周部開始逐漸硬化之傾向。因此，將產生晶圓面内形成膜厚不一致之光阻液膜之問題。特別是在欲得到薄膜之光阻液膜時，上述問題尤其突顯。、【發明之概要】本發明之目的在提供一種可於基板上形成面内膜厚一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------— --------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •4· 497124 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製，五、發明說明（2 致之塗佈膜之基板處理裝置及基板處理方法。為達成上述目的，本發明之主要觀點之基板處理裝置包含有·一保持構件，具有用以保持基板之保持面，係用以保持該基板並使之旋轉自如者；一噴嘴，係用以對為該保持構件所保持之基板上供給液體者；加熱器，係分別配置於由該保持面之略旋轉中心朝外周大致以同心圓狀分割而成之多個領域者；及，一控制部，係用以分別對各該加熱器個別進行溫度控制者。本發明由於將基板之溫度分布設定為於諸如對基板上塗佈處理液，並旋轉基板而藉離心力使處理液擴散於基板上時，自外周部朝中心部逐漸上昇，故可抑制擴散至基板外周部之處理液之溶劑蒸發，並使基板面内處理液之乾燥時間大致一致。因此，可於面内得到均一膜厚之塗佈膜。本發明之其他觀點之基板處理裝置包含有：一保持構件，係具有用以保持基板之保持面，而可以該保持面保持基板並旋轉自如者，而，該保持面則依各領域而設定於不同之溫度；及，一噴.嘴，係用以對為該保持構件所保持之基板上供給液體者。又，由於本發明可將基板面内設定為不同之溫度，故於諸如對基板上塗佈處理液並使基板旋轉而使處理液擴散於基板上時，即可藉將處理液之溶劑蒸發顯著之領域設定為較低之溫度，而使基板面内之處理液之乾燥時間大致一致。因此，可於面内得到膜厚均一之塗佈膜。本發明之另一觀點之基板處理方法包含有：一對該保本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ------I I ^-------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 497124 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（3 持面之各領域個別控制溫度之菸皮· n 柱斤，及，—以該業經前述溫度控制之保持面保持業經供給該液體之基板之程序。本發明由於將基板之溫度分布設定為於諸如㈣基板並藉離心力使處理液在基板上擴散時，自外周部朝中心部逐漸上昇’故可抑制擴散至基板外周部之處理液之溶劑蒸發，並使基板面内之處理液之乾燥時間大致一致。因此，可於面内得到膜厚均一之塗佈膜。【本發明之實施例】以下，參照附圖以說明將本發明應用於可對半導體晶圓塗佈光阻液並進行顯影之光阻液塗佈顯影系統之實施例。第1圖係本實施例之光阻液塗佈顯影系統之平面圖，第 2圖係第1圖所示之光阻液塗佈顯影系統之正面圖，第3圖係第1圖所示之光阻液塗佈顯影系統之背面圖。如第1圖所示，本光阻液塗佈顯影系統i具有將匣狀站 10、處理站11及界面‘部12—體連接而成之構造。在匣狀站 10中，晶圓W係以晶圓匣C為單位而以多牧（諸如以25牧為單位）自外部搬入光阻液塗佈顯影系統1内，且自光阻液塗佈顯影系統1朝外部搬出。又，晶圓w並相對晶圓E c而被搬入·搬出。在處理站11中，用以於塗佈顯影處理程序時逐一對晶圓W施行預定處理之枚葉式之各種處理單元則係以多段配置於預定位置。在界面部12中，則在與該光阻液塗佈顯影系統1鄰接設置之曝光裝置間搬運晶圓w。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6- V----*-------------»--^---------^^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497124 A7 ， ____B7 ，五、發明說明（4) 在E狀站10中，晶圓匣載置台20上之定位突起20a之位置上可載置多個（諸如4個）晶圓匣c，並使其各自之晶圓w . 出入口面向處理站Η側而朝X方向（第1圖中之上下方向）載置成一列。而，可朝該晶圓匣C排列方向（X方向）及收容於晶圓匣C内之晶圓w之晶圓W排列‘方向（Ζ方向，垂直方向）移動之晶圓搬送裝置21則可沿搬送道2 1 &移動自如，並選擇性地移近各晶圓匣C。

I 晶圓搬送裝置2 1並構成可朝0方向旋轉自如，且如後述般可移近處理站1 i側之第3處理裝置群G3之屬多段單元部之校準單元（ALIM)及延伸單元（EXT)。在處理站11中，如第i圖所示，其中心部設有垂直搬送型之搬送裝置，其周圍則多段集聚配置有一組或多組作為處理至之各種處理單元而構成了處理單元群。該光阻液塗佈顯影系統1中，5個處理單元群G1、G2、G3、G4、以係構成可配置於其中者，，第1及第2處理裝置群G1、G2係配置於系統正面側者，第3處理裝置群G3係與匣狀站1〇鄰接而配置者，第4處理裝置群G4係與界面部12鄰接配置者，而，虛線所示之第5處理裝置群G5則可配置於背面側。搬运裝置22則構成可朝0方向旋轉自如而可朝z方向移動，並可於其與各處理單元間進行晶圓W之搬運者。在第1處理裝置群G1中，如第2圖所示，可於杯體cp 内將晶圓w載置於旋轉卡盤上而進行預定處理之2台轂蓋型處理單元，諸如光阻液塗佈裝置（c〇T)61及顯影處理裝置（DEV)60，係由下至上依次重疊成2段。其次，與第^處本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） i--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 497124 五、創作説明置25則係構成可朝χ方向、z方向（垂直方向）移動而移近兩 ECR、BR及周邊曝光裝置24者。晶圓搬送裝置25並構成亦可朝0方向旋轉自如，而亦可移近處理站丨丨側之屬第4 處理裝置群G4之延伸單元（EXT),以及鄰接之曝光裝置側之晶圓搬運台（未予圖示）。第4圖係顯示搬送裝置22之外觀之立體圖，該搬送裝置 22係於由上端及下端相互連接並相對之一對壁部所構成之筒狀支持體27之内側裝設有可朝上下方向（z方向）昇降自如之晶圓搬送裝置3〇者。筒狀支持體27則與馬達31 之旋轉軸相連接，並可藉該馬達3丨之旋轉驅動力，而以該旋轉軸為中心與晶圓搬送裝置3〇一體旋轉。因此，晶圓搬送裝置30可朝0方向旋轉自如。該晶圓搬送裝置3〇之搬送基台40上則設有諸如3支搬送鉗。該等搬送鉗41、42、43 皆具有可自由通過筒狀支持體27之兩壁部25,26間之側面開口部44之形態及大小，並構成可沿χ方向前後移動自如。其次，搬送裝置22則可移近將搬送鉗41、42、43配置於周圍之處理單元而於其與該等處理單元間進行晶圓w之搬運。第5圖係顯示上述本發明之光阻液塗佈裝置 (C〇T)61(63)之整體構造之概略截面圖，第6圖係其概略平面圖。第7圖係旋轉卡盤之概略平面圖，第8圖則係其概略截面圖。如第5及第6圖所示，在該光阻液塗佈裝置（c〇T)61(63) 中，單元底部之中央部配設有環狀之杯體CP，其内側則配本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

......................裝…… (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) :線丨 .訂| -9- 497124 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7) 置有旋轉卡盤52。杯體cp並配置於具有開口部〇&之處理室 50内。處理至50设有用以開閉開口部DR之可昇降自如之閘構件140。塗佈光阻液時，閘構件14〇即下降而關閉開口部 DR以形成密閉空間，@，進行晶圓歡搬入及搬出時，問構件140則上昇以容搬送裝置22之搬送鉗“〜^經開口部 DR進出處理室湖。又，由光阻液之溶減化而成之氣體之稀釋劑或瘵氣等則將自儲槽2〇丨經泵2〇2而由設置於處理室50之天井部之導入管μ導入因閘構件14〇下降而形成之密閉空間s内’塗佈光阻液時，處理室5〇内即可藉氣體之導入而呈加壓狀態。在本實施例中，塗佈光阻液時，處理室内之壓力比常壓高，並設定為諸如11χ 1〇5Pa，而藉設定為高壓，即可抑制光阻液之溶劑之蒸發，且可使光阻液膜薄膜化。又，塗佈光阻液時，處理室内將形成溶劑環境，處理室内之溫度則設定為在塗佈光阻液時為諸如23 〇艽。旋轉卡盤52係構成在已藉真空吸著而固定保持晶圓w 之狀悲下，可藉驅動馬達54之旋轉驅動力進行旋轉者。驅動馬達54則係藉已省略圖示之汽缸而配置成可昇降移動，並藉此可使旋轉卡盤52昇降自如者。又，杯體cp中並分別設有廢液用之排液口 55與排氣用之排氣口 56。用以對晶圓W之晶圓表面供給作為處理液之光阻液之光阻液供給喷嘴86則經光阻液供給管88而與光阻液供給部 (未予圖不）相連接。光阻液供給噴嘴86係安裝成可於配設於杯體cp外側之喷嘴待機部90處對噴嘴掃瞄臂92之前端部裝卸自如’並可移送至設定於旋轉卡盤52上方之預定溶本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- I----·-------------* —IT--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 497124 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 •五、發明說明（8 ) 液吐出位置者。噴嘴掃瞄臂92則安裝於可在以一方向敷設於處理室50内部之導軌94上水平移動之垂直支持構件96之、上端部，並可藉未予圖示之Y方向驅動機構而與垂直支持構件96—體移動於γ方向上。噴嘴掃瞄臂92亦可朝與Y方向垂直之X方向移動以於喷嘴待機部90選擇性地安裝光阻液供給噴嘴86，而其係藉 _ 未予圖示之X方向驅動機構而亦朝X方向移動。又，光阻液供給喷嘴86之吐出口則可於噴嘴待機部9〇處插入溶劑環境室之開口 90a，而藉曝露於其中之溶劑環境下’以使喷嘴前端之溶液不致固化或劣化。另’杯體CP與噴嘴待機部90間設有回收杯13〇，在該位置上’則可於對晶圓貿供給光阻液前先進行光阻液供給喷嘴86之洗淨。如第7圖所示，旋轉卡盤52具有與晶圓w大致相等大小之圓形狀，中心部則與晶圓進行旋轉驅動時之中心一致。 > 旋轉卡盤52並設有諸如多個吸引口 51，而藉吸引口 5丨將晶圓W吸著保持於旋轉卡盤52上。另，吸引口51亦可僅有一處。又’旋轉卡盤52並朝直徑方向以同心圓狀分割成多個領域，諸如四個領域H1〜H4。如第8圖所示，旋轉卡盤52之各領域H1〜H4嵌有分別獨立之加熱管HP1〜HP4，各加熱管HP1〜HP4之正下方則分別配置有溫度感測器S1〜S4與加熱器HT1〜HT4。其次，控制部203則可根據由各溫度感測器S1〜S4所檢得之溫度而控制對各加熱器HT1〜HT4之電力供妗。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -11- ----------------I----訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 A7 ^^ ---2Z___ 發明說明（9 ) 第9圖係顯示受上述控制之旋轉卡盤52溫度分布之一例者。縱軸代表溫《，橫軸則代表沿旋轉卡盤52之直徑之位置。如第9圖所示’在本實施例中，領域m之溫度設定為23.5C，領域H2之溫度為23.0。(：，領域H3之溫度為225 項域H4之溫度則為22.0 C。又，相當於晶圓w外周部之領域H4之溫度宜至少為可抑制光阻液之溶劑蒸發之溫度，以抑制外周部之溶劑蒸發。另，本實施例中並使用了沸點於吊壓時為丨2〇 c左右之稀釋劑以作為光阻液之溶劑。以溫度控制裝置對晶圓W進行之溫度設定則可依溶劑之蒸發溫度、處理室内之壓力、處理室内之環境、處理室内之溫度及光阻液之溫度等加以適當調整。如上所述，由於旋轉卡盤52受溫度控制以使溫度自晶圓w之外周部朝中心部逐漸上昇，故保持於該旋轉卡盤52 上之晶圓W亦具有自外周部朝中心部逐漸上昇之溫度分布。藉此，以旋塗法對晶圓W上廣為塗佈光阻液時，即可抑制擴散至外周部之光阻液之溶劑蒸發，並使晶圓w面内之光阻液之乾燥時間致。以下’參照第5〜7圖以就以上之光阻液塗佈裝置 (COT)61(63)之動作加以說明。在搬送晶圓W前，處理室50内之溫度係保持於常溫。處理室50内之旋轉卡盤52則隨驅動馬達54之上昇而一同朝杯體CP外移動。其次，為搬送裝置22之任一搬送钳41〜43 所保持之晶圓W則將經開口部DR而搬入處理室50内，並載置於旋轉卡盤52上。晶圓W並將為旋轉卡盤52所吸引保本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I -----*------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1T--------- -12- 497124 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •五、發明說明（10) 持’並隨旋轉卡盤52之下降一同移動至杯體CP内之光阻液塗佈位置。又，開口部DR則可為閘構件140所關閉。將晶圓W搬入處理室50内後，即經導入管而將由光阻液之溶劑汽化而得之氣體朝處理室50内65導入，以使處理室50内形成溶劑環境，並使處理室5〇内之壓力為1」X !〇 Pa。又，處理室5〇内之溫度則設定為23 〇。〇。溶劑則可使用諸如稀釋劑。晶圓W之溫度分布則設定成可藉作為加熱器之加熱管而使溫度自外周部朝中心部逐漸上昇。在此’藉使處理室50内形成溶劑環境，即可抑制光阻液之溶劑洛發。另，藉使處理室5〇内之壓力比常壓高，則更可抑制溶劑之蒸發，並使光阻液膜容易薄膜化。其次’使光阻液供給喷嘴86朝晶圓W之中心部移動，並使晶圓W以200〇rpm之速度旋轉，而自光阻液供給喷嘴86 對晶圓W供給光阻液。業經供給於晶圓w上之光阻液則將因離心力而擴散於晶圓界上，並於晶圓W上形成塗佈膜。此時由於晶圓w之溫度分布係設定成自外周部朝中心部逐漸上昇’故可抑制·擴散至晶圓W外周部之光阻液之溶劑洛發’並使晶圓w面内之光阻液之乾燥時間一致。因此，可於面内得到膜厚一致之塗佈膜，即便是膜厚丨00nm之薄膜，亦可於面内形成膜厚均一之塗佈膜。 ------— II--I I --I I I II I 訂·11111!· -^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 其次，解除處理室50内之加壓狀態，並使處理室5〇内之溫度為常溫後，即令閘構件140上昇，並使晶圓w上昇。、夂後搬送裝置22之任一搬送钳41〜43即經開口部dr而插入處理室50内，並將形成有塗佈膜之晶圓W朝處理室50外

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497124 A7 B7 ' --- —--------- 五、發明說明（11 ) 搬出，而完成光阻液塗佈程序。另，旋轉卡盤52之構造則如第1〇圖所示，亦可於各加熱管HP1〜HP4之間隙插置絕熱材200。藉此，即可防止各領域間之熱干擾，而可進行更精密之溫度控制。又，如第11圖所示，亦可取得晶圓w之膜厚資料，並視晶圓W上各位置之膜厚而分別控制旋轉卡盤52上各位置之溫度。舉例言之，相當於第11圖所示之A、B、c之溫調部則可加以控制以使溫度下降。此外，在上述之實施例中，當溶劑可能因用以調整處理室内溫度之冷熱而凝結並附著於光阻液供給噴嘴上時，則可於噴嘴上設置諸如加熱器等調溫裝置。在上述實施例中，雖已說明將本發明應用於可對半導體晶圓塗佈光阻液之裝置等之例，但本發明亦可適用於用以對半導體晶圓以外之基板塗佈光阻液之裝置等，諸如 LCD基板。其次，就將本發明應用於上述系統中之顯影處理裝置 (DEV)60、62之實施例加以說明。第12及13圖係顯示顯影處理裝置（DEv)60(62)之整體構造之概略平面圖及概略截面圖。該顯影處理裝置（DEV)60於單元中央附近配設有用以收谷晶圓W之杯體CP。用以對晶圓w供給顯影液之處理液供給噴嘴278則安裝於噴嘴掃瞄臂276上並呈裝卸自如之狀態’該喷嘴掃瞄臂276則安裝於可在杯體外側所敷設之導執 274上水平移動之垂直支持構件275之上端部，並可藉驅動本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 1.----------------丨丨訂------I— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟规智慧財產局員工消費合作社印制衣 497124 A7 ________ B7 •五、發明說明（12) 部之驅動而與垂直支持構件275一體朝丫方向移動。處理液供給噴嘴278則經液體供給管279而與未予圖示之顯影液之液體供給源相連接。又，處理液供給噴嘴278之下方部則朝 • 處理液供給喷嘴278之長向以丨列設有多個用以吐出處理液之吐出孔278a。另，杯體CP之外側設有可於對晶圓冒供給顯影液後吐出用以沖洗該顯影液之沖洗液之沖洗噴嘴273，而其亦可藉適當之噴嘴掃瞄臂276而移動於晶圓W上。杯體CP之内部則由外周壁、内周壁及底壁形成一室，底壁上並設有1個或多個排放口 256，該排放口 256則經排放官270而與未予圖示之儲槽相連接。進行顯影處理時，溢出之處理液即可回收於杯體CP中當作廢液，並自杯體cp底部之排放口 256經排放管270而輸送至未予圖示之儲槽。杯體CP内中心設有可於以搬送鉗41〜43搬運晶圓w時作為可藉真空吸著保持晶圓W之保持構件之旋轉卡盤 . 252,該旋轉卡盤252則係設置成可藉驅動馬達254而自由昇降，且於已固定保持晶圓W之狀態下旋轉自如者。在此，旋轉卡盤252之構造與第8圖所示者相同。在具有上述構造之顯影處理裝置（DEV)60中，首先，晶圓W將由搬送鉗41〜43搬送至旋轉卡盤252上，其後，旋轉卡盤252即下降而使晶圓W旋轉，並自處理液供給喷嘴 2 7 8朝晶圓W上供給顯影液。然後，旋轉卡盤252將停止旋轉，而於預定時間内進行靜止顯影。此時則如第14圖所示般進行著旋轉卡盤2 5 2之溫本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I —II------1——裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 497124 C7 D7 五、創作説明（I4 ) 第13圖係第12圖所示之顯影處理裝置之平面圖。第14圖係顯示第12及13圖所示之顯影處理裝置之旋轉卡盤溫度分布之一例者。

【主要元件符號之說明】 l··光阻液塗佈顯影系統 10···匣狀站 12…界面部 20···晶圓匣載置台 20a…突起 • 21···晶圓搬送裝置 21 a…搬送道 22…搬送裝置 24···周邊曝光裝置 25···晶圓搬送裝置 • 25、26···壁部 . 27···筒狀支持體 30···晶圓搬送裝置 3 1…馬達 40···搬送基台 41〜43···搬送甜 44···側面開π部 50···處理室 5 1…吸引口 52…旋轉卡盤 54…驅動馬達 55…排液口 56…排氣口 61、63…光阻液塗佈裝置 (COT) 6〇、62…顯影處理裝置 (DEV) 65…導入管 86…光阻液供給噴嘴 88…光阻液供給管 90…噴嘴待機部 90a…開口 92…喷嘴掃瞄臂 94…導軌 96…垂直支持構件 130…回收杯 140···閘構件本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -17- 497124 A7 B7 五、發明說明（ 15 200···絕熱材 201…儲槽 202…泵 203…控制部 252…旋轉卡盤 2 5 4…驅動馬達 256···排放口 270···排放管 279…液體供給管 B R…緩衝g C…晶圓匣 CP…杯體 CR、··檢取匣 DR···開口部 G1〜G5…第1〜第5處理單元群經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 273…沖洗喷嘴 274…導執 275…垂直支持構件 276…喷嘴掃瞄臂 278…處理液供給喷嘴 278a···吐出孑L AD…黏合處理單元 ALIM…校準單元 COL···冷卻處理單元. EXT…延伸單元 EXTCOL···延伸·冷卻處理單元 POBAKE…加熱處理單元 PREBAKE···加熱處理單元 Η1〜H4…領域 ΗΡ1〜ΗΡ4···加熱管 ΗΤ1〜ΗΤ4···力口熱器 S···密閉空間 S1〜S4···溫度感測器 W…晶圓 • 4------------------- —訂·-------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18-

Claims

497124 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ι· 一種基板處理裝置，包含有·· 保持構件，具有用以保持基板之保持面，係用以保持該基板並使之旋轉自如者；一喷嘴，係用以對為該保持構件所保持之基板上供給液體者；加熱器，係分別配置於由該保持面之略旋轉中心朝外周大致以同心圓狀分割而成之多個領域者；及控制部，係用以分別對各該加熱器個別進行溫度控制者。 2·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該液體係光阻液，該控制部則係可進行溫度控制以使各領域之溫度由該保持面之略旋轉中心朝外周逐漸下降者。 3·如申請專利範圍第丨項之基板處理裝置，其中該液體係光阻液，該控制部則係可對應形成於基板上之光阻液膜厚之分佈情形而控制該各領域之溫度者。 4.如申請專利範圍第〗項之基板處理裝置，其更包含一可逸閉之處理室，該處理室則係可藉該喷嘴而對為該保持構件所保持之基板上供給液體者。 5·如申清專利範圍第4項之基板處理襄置，其更包含一用以將該處理室内加壓之加壓機構。 6·如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中該液體包含處理液及溶劑，該加壓機構則係用以將該溶劑環土兄之氟體導入該處理室内以將該處理室内加壓者。 7·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其更包含設

訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 竹/124 •經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍於該各領域之多個溫度檢測器，該控制部則係可視該各溫度檢測器所檢得之溫度而進行溫度控制以使該各領域分別達到所欲之溫度者。 8·如申請專利範圍第！項之基板處理裝置，其中該液體係顯影液，該控制部則係可進行溫度控制以使各領域之溫度由該保持面之略旋轉中心朝外周逐漸上昇者。 9·如申請專利範圍第工項之基板處理裝置，其更包含設於該保持構件上鄰接該各領域之分界處之絕熱構件。 10· —種基板處理裝置，包含有·· 保持構件，係具有用以保持基板之保持面，而可以該保持面保持基板並旋轉自如者，而，該保持面則依各領域而設定於不同之溫度；及一喷嘴，係用以對為該保持構件所保持之基板上供給液體者。 11 ·如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中該保持面之溫度係設定成使該基板之溫度由外周部朝中心部逐漸上昇者。 12·如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中該保持面係由保持面之中心部以同心圓狀分割成多個領域，且遠各領域設定於不同之溫度者。 13· —種基板處理方法，係用以對用以保持基板之保持面上所保持之基板上供給液體者，包含有： (a) 對該保持面之各領域個別控制溫度之程序； (b) 以該業經前述溫度控制之保持面保持業經供給談液本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） i I n up ϋ ϋ· —^1 n n HI n I · in in I— Hi n I— 1_1 一 0、 a··· AM·儘 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •20- 497124 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍經濟部智慧財產局員工消費合作社印製體之基板之程序。 14.如申請專利範圍第13項之基板處理方法其中該液體係光阻液，該程序（b)則包含-以該保持面保持.旋轉該基板並朝基板上供給液體之步驟，該程序（a)則係可控制該保持面之溫度以使該基板之溫度由外周部朝中心部逐漸上昇者。 15·如申請專利範圍第14項之基板處理方法，其中該程序 (b)係於業經加壓之密閉空間中進行者。 16.如申請專利範圍第15項之基板處理方法其中該密空間之加壓係將該液體所含溶劑之環境内氣體導閉空間内而進行者。 17·如申請專利範圍第13項之基板處理方法其更包含一檢出該各領域溫度之程序，而該程序（a)則係可視該檢出之溫度而進行控制，以使該各領域分別達到所欲之溫度者。如申請專利範圍第13項之基板處理方法，其中該液體係顯影液，而該程序（a)則係可控制該保持面之溫度使該基板之溫度由外周部朝中心部逐漸下降者。閉入密以

<請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -21-