WO2023033028A1 - 製造プラント及び製造プラントにおける機器の設置方法 - Google Patents

製造プラント及び製造プラントにおける機器の設置方法 Download PDF

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WO2023033028A1
WO2023033028A1 PCT/JP2022/032730 JP2022032730W WO2023033028A1 WO 2023033028 A1 WO2023033028 A1 WO 2023033028A1 JP 2022032730 W JP2022032730 W JP 2022032730W WO 2023033028 A1 WO2023033028 A1 WO 2023033028A1
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gas
duct
gas supply
straight line
degrees
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蹊男 高山
歩 森宗
俊二 山口
公一郎 青木
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伸和コントロールズ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Definitions

  • the embodiment of the present invention relates to a manufacturing plant that is required to strictly maintain temperature, humidity, etc. at desired conditions, and a method of installing equipment in such a manufacturing plant.
  • the resist applied to the wafer in the resist coating process and the resist patterned in the exposure process and development process expand or contract depending on temperature and humidity. If the resist is not maintained in the desired state depending on the ambient temperature and humidity, defects in the etched pattern can occur. Therefore, temperature and humidity control is required.
  • temperature and humidity control in processing chambers where resist coating processing, exposure processing, and development processing are performed is performed by supplying air whose temperature and humidity are precisely adjusted by an air conditioner to each processing chamber.
  • Semiconductor manufacturing plants generally use a system that integrates a plurality of processing equipment having processing chambers as described above. Such a system can reduce the footprint, have advantages in wafer transport and avoidance of contamination, and can improve the throughput of semiconductors.
  • a plurality of ducts were typically connected to the air conditioner and each duct was connected to a corresponding treatment chamber (eg JP2021-44453A).
  • EUV Extreme Ultra Violet
  • two ducts out of a plurality of ducts may be separately connected to two processing chambers that perform the same processing.
  • a situation may arise in which one of the two ducts has a different length than the other.
  • the temperature of the air supplied to the processing chamber from the longer duct may be higher than the temperature of the air supplied to the processing chamber from the shorter duct.
  • the desired flow rate of air supplied to one processing chamber may differ from the desired flow rate of air supplied to another processing chamber.
  • the configuration of supplying air to the two treatment chambers from a common air conditioner is difficult to adjust.
  • it is possible to adjust by changing the diameter of the duct or by using a damper the structure becomes complicated and it is difficult to obtain the desired accuracy.
  • the pressure drop increases and the energy consumption can increase.
  • the temperature accuracy and humidity accuracy required for each process may differ.
  • the configuration in which air is supplied to the two processing chambers from a common air conditioner, over-specification of temperature control or humidity control may be performed, and the configuration is not necessarily rational.
  • An object of the present invention is to provide a manufacturing plant and a method of installing equipment in the manufacturing plant that facilitates highly accurate control of the state of a processing chamber where predetermined processing is performed to a desired state while suppressing energy consumption.
  • a manufacturing plant comprises a processing system including a processing apparatus having a processing chamber to which gas received at a gas inlet is supplied, and a gas supply apparatus for supplying gas from the gas supply port. and a duct connecting the gas introduction port and the gas supply port, wherein a straight line connecting the center of the gas supply port and the center of the gas introduction port forms an angle with the vertical direction. is 0 degrees or more and 45 degrees or less.
  • a method of installing equipment in a manufacturing plant is a method of installing equipment in a manufacturing plant provided with a processing system having a processing apparatus having a processing chamber to which gas received at a gas inlet is supplied. wherein the step of preparing a gas supply device for supplying gas from a gas supply port and a straight line connecting the center of the gas introduction port and the center of the gas supply port form an angle of 0 degrees or more with the vertical direction.
  • one embodiment of the present invention relates to [1] to [12] below.
  • a processing system comprising a processing device having a processing chamber supplied with a gas received at a gas inlet; a heat medium supply system including a gas supply device for supplying gas from a gas supply port; a duct connecting the gas introduction port and the gas supply port;
  • the treatment system is installed on a floor above the floor where the heat medium supply system is installed, a straight line connecting the center of the gas supply port and the center of the gas introduction port forms an angle of 0 degrees or more and 45 degrees or less with the vertical direction;
  • said processing system comprising an internal duct having said gas inlet, through said internal duct for conveying said gas to said processing chamber; the central axis of the duct and the straight line are aligned, or When the angle formed by the straight line with the vertical direction is greater than 0 degrees, the straight line and the center axis of the duct at a portion of both ends of the duct excluding a portion including at least one end.
  • the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel, the angle formed by the straight line with the vertical direction is 0 degrees, and one end of the two ends of the duct.
  • the central axis of the duct in the portion including the portion excluding the portion and the straight line coincide, or When the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel and the angle formed by the straight line with the vertical direction is not 0 degrees, the duct is arranged parallel to the vertical direction.
  • a manufacturing plant wherein an extending portion and a curved portion connect said gas inlet and said gas supply port.
  • a processing system comprising a processing device having a processing chamber supplied with a gas received at a gas inlet; a heat medium supply system including a gas supply device for supplying gas from a gas supply port; a duct connecting the gas introduction port and the gas supply port; a straight line connecting the center of the gas supply port and the center of the gas introduction port forms an angle of 0 degrees or more and 45 degrees or less with the vertical direction; the processing system sends the gas to the processing chamber through an internal duct having the gas inlet;
  • the processing chamber has an inlet for receiving the gas, a straight line connecting the center of the inlet and the center of the gas supply port forms an angle of 0 degrees or more and 45 degrees or less with the vertical direction; the central axis of the duct and the straight line are aligned, or When the angle formed by the straight line with the vertical direction is greater than 0 degrees, the straight line and the center axis of the duct at a portion of both ends of the duct excluding a portion including at least one end.
  • the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel, the angle formed by the straight line with the vertical direction is 0 degrees, and one end of the two ends of the duct.
  • the central axis of the duct in the portion including the portion excluding the portion and the straight line coincide, or When the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel and the angle formed by the straight line with the vertical direction is not 0 degrees, the duct is arranged parallel to the vertical direction.
  • a manufacturing plant wherein an extending portion and a curved portion connect the gas inlet and the gas supply port.
  • the central axis of the gas inlet and the central axis of the gas supply port when the central axis of the gas inlet and the central axis of the gas supply port are non-parallel, the central axis of the gas inlet extends horizontally, A central axis of the gas supply port may extend vertically. Further, when the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel, the gas introduction port may open horizontally, obliquely downward, or downward. When the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel, and when the gas introduction port opens horizontally or obliquely downward, the gas supply port opens upward. may Further, when the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel, and when the gas introduction port opens downward or obliquely downward, the gas supply port extends horizontally. You can open it.
  • the processing system has a plurality of processing devices, The manufacturing plant according to any one of [1] to [4], wherein different gas supply devices are connected to the plurality of processing devices via different ducts.
  • the plurality of processing devices include different processing devices that volatilize or dry different solvents,
  • the range of the gas supply amount of the gas supply apparatus that supplies the gas to one of the different processing apparatuses is the range of the gas supply amount of the gas supply apparatus that supplies the gas to the other of the different processing apparatuses.
  • the processing system has a plurality of processing devices, The manufacturing plant according to [2], wherein a straight line connecting the center of the receiving port and the center of the gas supply port of each of the plurality of processing apparatuses forms an angle of 0 degree or more and 45 degrees or less with the vertical direction.
  • the gas introduction port and the gas supply port are connected by the duct so that the central axis of the duct and the straight line are aligned, or
  • the gas supply device is arranged so that the angle formed by the straight line with the vertical direction is greater than 0 degrees, and in the connecting step, at least one end of both ends of the duct connecting the gas introduction port and the gas supply port with the duct so that the central axis of the duct in the portion including the portion excluding the portion and the straight line coincide, or
  • the gas is arranged so that the angle formed by the straight line with the vertical direction is 0 degree.
  • the gas introduction is performed so that the central axis of the duct in a portion of the duct excluding a portion including one end of the two ends of the duct and the straight line coincide with each other. connecting the port and the gas supply port with the duct, or When the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel, in the arranging step, the gas is arranged so that the angle formed by the straight line with the vertical direction is not 0 degrees.
  • a device in a manufacturing plant wherein in the step of arranging a supply device and connecting, the gas introduction port and the gas supply port are connected by a portion of the duct extending parallel to the vertical direction and one curved portion. installation method.
  • the step of preparing the gas supply device specifying the required gas supply amount required by the processing device and the pressure loss occurring in the gas supply device, the duct, and the processing device;
  • the pressure loss is the static pressure
  • the required supply amount is plotted as the air volume corresponding to the static pressure as the pressure loss, plotting corresponding points,
  • a processing apparatus comprising an internal duct having a gas inlet, and a processing chamber into which a gas received at the gas inlet is supplied through the internal duct, wherein the processing apparatus has a gas inlet for receiving the gas.
  • a method of installing equipment in a manufacturing plant provided with a processing system having preparing a gas supply device for supplying gas from a gas supply port;
  • a straight line connecting the center of the gas introduction port and the center of the gas supply port forms an angle of 0 degrees or more and 45 degrees or less with the vertical direction, and arranging the gas supply device so that the angle formed by the straight line connecting the center and the vertical direction is 0 degrees or more and 45 degrees or less; connecting the gas introduction port and the gas supply port with a duct;
  • the connecting step the gas introduction port and the gas supply port are connected by the duct so that the central axis of the duct and the straight line are aligned, or
  • the gas supply device is arranged so that the angle formed by the straight line with the vertical direction is greater than 0
  • the gas introduction is performed so that the central axis of the duct in a portion of the duct excluding a portion including one end of the two ends of the duct and the straight line coincide with each other. connecting the port and the gas supply port with the duct, or When the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel, in the arranging step, the gas is arranged so that the angle formed by the straight line with the vertical direction is not 0 degrees.
  • a device in a manufacturing plant wherein in the step of arranging a supply device and connecting, the gas introduction port and the gas supply port are connected by a portion of the duct extending parallel to the vertical direction and one curved portion. installation method.
  • the central axis of the gas introduction port when the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel, the central axis of the gas introduction port extends in the horizontal direction, and the The central axis of the gas supply port may extend vertically. Further, when the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel, the gas introduction port may open horizontally, obliquely downward, or downward. When the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel, and when the gas introduction port opens horizontally or obliquely downward, the gas supply port opens upward. may Further, when the central axis of the gas introduction port and the central axis of the gas supply port are non-parallel, and when the gas introduction port opens downward or obliquely downward, the gas supply port extends horizontally. You can open it.
  • the present invention it becomes easier to control the state of the processing chamber in which the predetermined processing is performed to a desired state with high accuracy while suppressing energy consumption.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing plant as a manufacturing plant according to a first embodiment
  • FIG. 2 is a view of the semiconductor manufacturing plant as viewed in the direction of arrow II in FIG. 1;
  • FIG. It is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing plant as a manufacturing plant according to a second embodiment.
  • It is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing plant as a manufacturing plant according to a third embodiment.
  • It is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing plant as a manufacturing plant according to a fourth embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic perspective view of a semiconductor manufacturing plant as a manufacturing plant according to a sixth embodiment
  • 8 is a view of the semiconductor manufacturing plant in the direction of arrow VIII in FIG. 7;
  • FIG. 11 is a schematic perspective view of a semiconductor manufacturing plant as a manufacturing plant according to a sixth embodiment
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing plant P1 as a manufacturing plant according to the first embodiment.
  • a semiconductor manufacturing plant P ⁇ b>1 includes a semiconductor manufacturing system 1 , a heat medium supply system 10 , a first duct 30 and a second duct 40 .
  • the heat medium supply system 10 has a first gas supply device 100 and a second gas supply device 200 .
  • the semiconductor manufacturing system 1 is connected to the first gas supply device 100 through the first duct 30 and connected to the second gas supply device 200 through the second duct 40 .
  • the first gas supply device 100 supplies air as a heat medium adjusted to a desired state to the semiconductor manufacturing system 1 through the first duct 30 .
  • the second gas supply device 200 supplies air as a heat medium adjusted to a desired state to the semiconductor manufacturing system 1 through the second duct 40 .
  • the semiconductor manufacturing system 1 is installed on the floor above the floor on which the heat medium supply system 10 (the first gas supply device 100 and the second gas supply device 200) is installed.
  • the first duct 30 and the second duct 40 pass vertically through the floor on which the semiconductor manufacturing system 1 is installed to reach the semiconductor manufacturing system 1 .
  • the semiconductor manufacturing system 1 is prevented from being affected by dust that may be generated in the first gas supply device 100 and the second gas supply device 200, for example.
  • the semiconductor manufacturing system 1, the first gas supply device 100 and the second gas supply device 200 may be installed on the same floor. Each part of the semiconductor manufacturing plant P1 will be described in detail below.
  • a semiconductor manufacturing system 1 includes a plurality of processing apparatuses 2 and internal ducts 4 .
  • a plurality of processing apparatuses 2 each have a processing chamber 3 .
  • a plurality of processing apparatuses 2 perform specific processes, such as resist film forming process, developing process, functional film forming process, cleaning process, etc., on wafers as workpieces transported into the processing chamber 3 .
  • the processing apparatus 2 that requires such control to a desired state controls the processing chamber 3 to a desired state using air from the first gas supply device 100 or the second gas supply device 200 .
  • a resist film forming device 2A and a developing device 2B among the plurality of processing devices 2 are shown.
  • the plurality of processing apparatuses 2 includes a plurality (two in the illustrated example) of resist film forming apparatuses 2A and a plurality (four in the illustrated example) of developing apparatuses 2B.
  • a plurality of resist film forming apparatuses 2A are stacked vertically.
  • the developing device 2B is also stacked vertically.
  • the plurality of processing devices 2 includes devices that perform other processes, they are omitted from the drawing. Note that an apparatus for performing other processing may be an exposure apparatus, a cleaning apparatus, or the like.
  • the internal duct 4 has a first internal duct portion 4A and a second internal duct portion 4B.
  • the first internal duct portion 4A extends vertically while being adjacent to the plurality of resist film forming apparatuses 2A from the sides.
  • the second internal duct portion 4B extends vertically while being adjacent to the plurality of developing devices 2B from the side.
  • the first internal duct portion 4A has a gas introduction port 5A, and the first duct 30 is connected to the gas introduction port 5A.
  • Each resist film forming apparatus 2A has an inlet 3A for introducing air into the processing chamber 3.
  • the second internal duct portion 4B has a gas introduction port 5B, and the second duct 40 is connected to the gas introduction port 5B.
  • Each developing device 2B has an inlet 3B for introducing air into the processing chamber 3.
  • a gas introduction port 5A in the first internal duct portion 4A and a gas introduction port 5B in the second internal duct portion 4B open downward.
  • the gas introduction port 5A and the gas introduction port 5B may be opened obliquely downward.
  • the air received from the first duct 30 into the gas introduction port 5A of the first internal duct portion 4A passes through the inside of the first internal duct portion 4A and reaches the receiving port 3A of each resist film forming apparatus 2A. to the processing chamber 3 of each resist film forming apparatus 2A.
  • the air received from the second duct 40 into the gas introduction port 5B of the second internal duct portion 4B passes through the inside of the second internal duct portion 4B and is passed from the receiving port 3B of each developing device 2B to the developing device 2B. It is supplied to the processing chamber 3 .
  • FIG. 2 is a diagram of the semiconductor manufacturing plant P1 viewed in the direction of arrow II in FIG.
  • the second internal duct portion 4B extends so that its longitudinal direction extends along the vertical direction.
  • the second internal duct portion 4B is fluidly connected to each processing chamber 3 through a receiving port 3B formed above the processing chamber 3 in each developing device 2B.
  • the first internal duct portion 4A also extends so that its longitudinal direction extends along the vertical direction.
  • air is distributed from the first internal duct portion 4A and the second internal duct portion 4B to the plurality of processing devices 2 (the plurality of resist film forming devices 2A and the plurality of developing devices 2B).
  • a configuration in which air is supplied to one processing device 2 from the first internal duct portion 4A or the second internal duct portion 4B may be employed.
  • the semiconductor manufacturing system 1 is assumed to form an extremely fine pattern on a wafer that has undergone EUV (Extreme Ultra Violet) exposure processing after resist coating.
  • EUV Extreme Ultra Violet
  • it is required to control the temperature and humidity in the processing chamber 3 with extremely high precision, and the flow rate of the air flowing into the processing chamber 3 is kept constant at a relatively large flow rate. required to be kept Specifically, in the resist film forming apparatus 2A, for example, the control accuracy for the target temperature is required to be within ⁇ 0.5° C., and the control accuracy for the target humidity is required to be within ⁇ 0.5%.
  • EUV Extra Ultra Violet
  • the flow rate may be smaller than the desired flow rate.
  • the heat medium supply system 10 has the first gas supply device 100 and the second gas supply device 200 as described above.
  • the first gas supply device 100 includes a housing 11 having a gas intake port 11A and a gas supply port 11B, an intake filter 12, a cooler 13, a heater 14, a humidifier 15, and a blower. 16, an inverter 17, and a controller 18.
  • a two-dot chain line arrow ⁇ 1 in FIG. As indicated by the arrow ⁇ 1, the air flowing into the gas intake port 11A is first cleaned by the intake filter 12 attached to cover the gas intake port 11A.
  • the intake filter 12 may be a ULPA filter, a HEPA filter, or the like.
  • the air that has passed through the intake filter 12 is then cooled by the cooler 13 . At this time, dehumidification is also performed.
  • the air is then heated by heater 14 and then humidified by humidifier 15 . After that, air flows into the first duct 30 from the gas supply port 11B.
  • the gas supply port 11B opens upward. Note that the gas supply port 11B may be opened obliquely upward.
  • the type of the cooler 13 is not particularly limited, and may be composed of an evaporator of a refrigeration circuit, or may be composed of a heat exchanger that allows a low-temperature liquid (heat medium) such as brine to pass through.
  • the form of the heater 14 is also not particularly limited, and may be composed of an electric heater or a heat exchanger through which the high-temperature refrigerant of the refrigeration circuit passes.
  • the type of the humidifier 15 is not particularly limited, either, and may be of steam type, vaporization type, or ultrasonic type.
  • the cooler 13 is composed of a heat exchanger for passing a low-temperature heat medium such as brine
  • the heater 14 is composed of an electric heater
  • the humidifier 15 is a steam type. It consists of a humidifier.
  • the refrigerant when the refrigerant is expanded and evaporated, the refrigerant becomes a gas-liquid mixture.
  • a heat exchanger through which a low-temperature heat medium such as brine is passed basically there is no phase change of the heat medium.
  • the heat exchanger through which the heat medium passes is advantageous for temperature control. Electric heaters are also more likely to be state stable than heat exchangers that pass hot refrigerant.
  • steam humidifiers are advantageous for humidity control.
  • the combination of the formats described above is not particularly limited.
  • the blower 16 generates the driving force for causing the air to flow from the gas intake port 11A to the gas supply port 11B.
  • the blower 16 has a motor that rotates a fan, and in this embodiment, a three-phase AC motor or a brushless motor is adopted as the motor.
  • the blower 16 controls the motor by the inverter 17 .
  • the inverter 17 adjusts the motor rotation speed by adjusting the frequency of the alternating current supplied to the motor. Thereby, the blower 16 can supply air to the first internal duct portion 4A in a flow rate adjustable manner.
  • the controller 18 controls the cooler 13, heater 14, humidifier 15 and inverter 17.
  • the controller 18 operates the cooler 13, the heater 14, and the humidifier 15 based on detection information from one or more temperature sensors and one or more humidity sensors (not shown) arranged downstream of the humidifier 15. By controlling some or all of the operations, the temperature of the supplied air is controlled to the target temperature and the humidity of the supplied air is controlled to the target humidity.
  • the controller 18 adjusts the flow rate of the air flowing into the processing chamber 3 to the target flow rate via the inverter 17. Control the blower 16 .
  • the controller 18 may be configured by a computer including a CPU, ROM, etc. In this case, various processes are performed according to programs stored in the ROM. Also, the controller 18 may be configured by other processors or electric circuits (for example, FPGA (Field Programmable Gate Alley), etc.).
  • FPGA Field Programmable Gate Alley
  • the second gas supply device 200 includes a housing 21 having a gas intake port 21A and a gas supply port 21B, an intake filter 22, a cooler 23, and a heater 24. , a humidifier 25 , a blower 26 , an inverter 27 and a controller 28 .
  • FIG. 1 A two-dot chain line arrow ⁇ 2 in FIG. As indicated by the arrow ⁇ 2, the air flowing into the gas intake port 21A passes through the intake filter 22, the cooler 23, the heater 24, the humidifier 25, and the gas supply port 21B in this order. 2 flows into duct 40 .
  • the gas supply port 21B opens upward. Note that the gas supply port 21B may be opened obliquely upward.
  • each part constituting the second gas supply device 200 is basically the same as the configuration of each part of the first gas supply device 100, but in the present embodiment, the type of the humidifier 25 and the specifications of the blower 26 are , is different from the first gas supply device 100 .
  • the humidifier 25 is configured by an evaporative humidifier.
  • the range (air volume range) of the air supply amount of the blower 26 is different from the range (air volume range) of the air supply amount of the blower 16, and the maximum air supply amount of the blower 26 is less than quantity.
  • the developing device 2B it may not be necessary to control the temperature and humidity with higher accuracy than in the resist film forming device 2A.
  • the flow rate required by 2A may be less than that required.
  • This embodiment is suitable for this case.
  • the type of the humidifier 25 of the second gas supply device 200 and the specifications of the blower 26 the type of the humidifier 15 and the specifications of the blower 16 of the first gas supply device 100 are changed. As a result, initial costs and running costs can be suppressed.
  • the first duct 30 connects the gas supply port 11B of the first gas supply device 100 and the gas introduction port 5A provided in the first internal duct section 4A in the semiconductor manufacturing system 1 .
  • the symbol UD indicates the vertical direction.
  • Symbol Ca indicates the center of the gas supply port 11B
  • symbol Cb indicates the center of the gas introduction port 5A.
  • Reference L1 denotes a virtual straight line connecting the center Ca of the gas supply port 11B and the center Cb of the gas introduction port 5A.
  • the angle between the straight line L1 and the vertical direction is 0 degrees or more and 45 degrees or less, and more specifically, 0 degrees.
  • the central axis of the gas supply port 11B and the central axis of the gas introduction port 5A are positioned coaxially, and the gas supply port 11B and the gas introduction port 5A face each other in the vertical direction UD.
  • the first duct 30 connects the gas supply port 11B and the gas introduction port 5A in a state of extending straight from the gas supply port 11B to the gas introduction port 5A in parallel with the vertical direction UD.
  • the central axis C1 of the first duct 30 and the straight line L1 are aligned.
  • the second duct 40 connects the gas supply port 21B of the second gas supply device 200 and the gas introduction port 5B provided in the second internal duct section 4B in the semiconductor manufacturing system 1 .
  • symbol Cc indicates the center of gas supply port 21B
  • symbol Cd indicates the center of gas introduction port 5B.
  • Reference L2 denotes a virtual straight line connecting the center Cc of the gas supply port 21B and the center Cd of the gas introduction port 5B.
  • the angle between the straight line L2 and the vertical direction is also 0 degrees or more and 45 degrees or less, and more specifically, 0 degrees.
  • the central axis of the gas supply port 21B and the central axis of the gas introduction port 5B are coaxial, and the gas supply port 21B and the gas introduction port 5B face each other in the vertical direction UD.
  • the second duct 40 connects the gas supply port 21B and the gas introduction port 5B in a state of extending straight from the gas supply port 21B to the gas introduction port 5B in parallel with the vertical direction UD.
  • the central axis C2 of the second duct 40 and the straight line L2 are aligned.
  • the angle formed by the straight lines L1 and L2 with the vertical direction is preferably 0 degrees.
  • the angles formed by the straight lines L1 and L2 with the vertical direction are preferably 30 degrees or less, more preferably 22.5 degrees or less, and still more preferably 15 degrees or less, 10 degrees or less, or 5 degrees or less.
  • reference numerals L11 and L12 denote straight lines connecting the center of the receiving port 3A of each resist film forming apparatus 2A and the center Ca of the gas supply port 11B.
  • the angles formed by the straight lines L11 and L12 with the vertical direction are 0 degrees or more and 45 degrees or less, and are 10 degrees or less in the present embodiment.
  • the angles formed by the straight line L11 and the straight line L12 with the vertical direction are preferably 0 degrees or more and 25 degrees or less.
  • reference numerals L21, L22, L23, and L24 denote straight lines connecting the center of the receiving port 3B of each developing device 2B and the center Cc of the gas supply port 21B.
  • the angles formed by the straight lines L21 to L24 with the vertical direction are 0 degrees or more and 45 degrees or less, and are 10 degrees or less in the present embodiment.
  • the angles formed by the straight lines L21 to L24 with the vertical direction are preferably 0 degrees or more and 25 degrees or less.
  • the types of the first duct 30 and the second duct 40 are not particularly limited, and they may be bendable flexible ducts or unbendable rigid ducts. In the present embodiment, since both the first duct 30 and the second duct 40 extend straight, there is no need for bending and pressure loss is suppressed. Therefore, a rigid duct may be used to further suppress pressure loss and reduce costs. Also, the first duct 30 and the second duct 40 may have circular or rectangular cross-sectional shapes. That is, the first duct 30 and the second duct 40 may be circular ducts or rectangular ducts.
  • the air flowing into the gas intake port 11A is cleaned by the intake filter 12 and introduced into the first gas supply device 100.
  • the air is then cooled by the cooler 13 , then heated by the heater 14 and then humidified by the humidifier 15 . After that, air flows into the first duct 30 from the gas supply port 11B.
  • the air received from the first duct 30 into the gas introduction port 5A of the first internal duct portion 4A passes through the inside of the first internal duct portion 4A in the semiconductor manufacturing system 1 and passes through the receiving port of each resist film forming apparatus 2A.
  • 3A is supplied to the processing chamber 3 of each resist film forming apparatus 2A.
  • the air flowing into the gas intake port 21A is cleaned by the intake filter 22 and introduced into the second gas supply device 200.
  • the air is then cooled by cooler 23 , then heated by heater 24 , and then humidified by humidifier 25 . After that, air flows into the second duct 30 from the gas supply port 21B.
  • the air received from the second duct 40 into the gas introduction port 5B of the second internal duct portion 4B passes through the inside of the second internal duct portion 4B in the semiconductor manufacturing system 1 and from the receiving port 3B of each developing device 2B. It is supplied to the processing chamber 3 of each developing device 2B.
  • the first gas supply device 100 is arranged so that the angle between the straight line L1 and the vertical direction is 0 degrees.
  • a first duct 30 connects the gas supply port 11B and the gas introduction port 5A.
  • the first duct 30 extends straight from the gas supply port 11B to the gas introduction port 5A, and the central axis C1 of the first duct 30 is aligned with the straight line L1.
  • the pressure loss in the air from the gas supply port 11B to the gas introduction port 5A via the first duct 30 is suppressed, and in the present embodiment, it is substantially eliminated. Thereby, the energy consumption of the blower 16 is suppressed.
  • the angles formed by the straight lines L11 and L12 connecting the center of the inlet 3A of the resist film forming apparatus 2A and the center Ca of the gas supply port 11B with the vertical direction are 10 degrees or less in this embodiment. In this case, the pressure loss in the air from the gas introduction port 5A to the reception port 3A via the first internal duct portion 4A is also greatly suppressed. Thereby, the energy consumption of the blower 16 is effectively suppressed.
  • the first duct 30 extends straight from the gas supply port 11B to the gas introduction port 5A, the overall length is suppressed. This suppresses the temperature of the air flowing through the first duct 30 from changing due to the temperature outside the first duct 30 . Therefore, the control accuracy of the temperature of the air introduced into the processing chamber 3 is stabilized. Moreover, when providing the heat insulating material of the 1st duct 30, the capacity
  • the first duct 30 extends straight from the gas supply port 11B to the gas introduction port 5A, the amount of air in the first duct 30 that contacts the inner surface of the first duct 30 is suppressed. As a result, the occurrence of dew condensation on the inner surface of the first duct 30 is suppressed, and disturbance of the humidity of the air is suppressed. Therefore, the humidity control accuracy of the air introduced into the processing chamber 3 is stabilized.
  • the pressure loss of the air from the blowers 16 and 26 is suppressed as described above, even if the blowers 16 and 26 with small motor capacities are used in the present embodiment, the desired amount of inflow air to the processing chamber 3 can be achieved. satisfactorily meet the specifications. Therefore, the initial cost of the fans 16 and 26 can be suppressed. Also, the running cost can be effectively suppressed by suppressing the energy consumption.
  • the semiconductor manufacturing plant P1 includes the semiconductor manufacturing system 1 including the processing apparatus 2 having the processing chamber 3 supplied with the air received at the gas introduction ports 5A and 5B, A heat medium supply system 10 including gas supply devices 100 and 200 for supplying air from gas supply ports 11B and 21B, ducts 30 and 40 connecting gas introduction ports 5A and 5B and gas supply ports 11B and 21B, Prepare.
  • the angle between the vertical direction and the straight line connecting the centers of the gas supply ports 11B and 21B and the centers of the gas introduction ports 5A and 5B is 0 degree or more and 45 degrees or less, specifically 0 degree.
  • the energy consumption of the fans 16 and 26 is suppressed by suppressing the pressure loss.
  • the control accuracy of air temperature and humidity is stabilized. Therefore, it becomes easy to control the state of the processing chamber 3 in which the predetermined processing is performed to a desired state with high accuracy while suppressing the amount of energy consumption.
  • the air pressure loss in the ducts 30 and 40 is extremely suppressed, so the motor capacity on the side of the gas supply devices 100 and 200 can be drastically suppressed compared to the conventional duct configuration.
  • the initial cost of the blowers 16 and 26 can be suppressed, and the running cost can be effectively suppressed.
  • Semiconductor manufacturing plants using EUV have very high power consumption. In such a plant, the technology according to the present embodiment is extremely useful because it can very effectively suppress energy consumption.
  • the required gas supply amount required by the processing device 2 (in this embodiment, a plurality of processing devices 2), the gas supply devices 100 and 200, and the duct 30 , 40 and the pressure drop occurring in the processing device 2 are identified.
  • the blower static pressure air volume characteristic curves of a plurality of blowers corresponding points are plotted as the air volume corresponding to the pressure loss as the static pressure and the required supply amount as the air volume corresponding to the static pressure as the pressure loss, and the blower static pressure exceeding at least the corresponding point is plotted.
  • gas supply devices 100 and 200 having the selected blowers are prepared.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing plant P2 according to the second embodiment.
  • Components of the present embodiment that are the same as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.
  • the gas introduction port 5A in the first internal duct section 4A and the gas introduction port 5B in the second internal duct section 4B of the semiconductor manufacturing system 1 are horizontally opened.
  • the central axis of the gas introduction port 5A is not parallel to the central axis of the gas supply port 11B.
  • the central axis of the gas introduction port 5B is not parallel to the central axis of the gas supply port 21B.
  • the gas introduction port 5A and the gas introduction port 5B may be opened obliquely downward.
  • the angle between the straight line L1 and the vertical direction is 45 degrees or less. Above 15 degrees below.
  • a first duct 30 connects the gas supply port 11B and the gas introduction port 5A.
  • the angle between the straight line L2 and the vertical direction is 45 degrees or less. It has become.
  • the second duct 40 connects the gas supply port 21B and the gas introduction port 5B.
  • the first duct 30 has a curved portion including the end on the side of the gas introduction port 5A, while the portion between this curved portion and the gas supply port 11B extends parallel to the vertical direction UD.
  • the second duct 40 has a curved portion including the end on the side of the gas introduction port 5B, while the portion between this curved portion and the gas supply port 21B extends parallel to the vertical direction UD.
  • angles formed by the straight lines L11 and L12 connecting the center of the inlet 3A of each resist film forming apparatus 2A and the center Ca of the gas supply port 11B with the vertical direction are 0 degrees or more and 45 degrees or less. In the form of , it is 30 degrees or less.
  • the angles formed by the straight lines L11 and L12 with the vertical direction are preferably small, preferably 25 degrees or less, and more preferably 20 degrees or less.
  • the angles formed by the straight lines L21 to L24 connecting the center of the receiving port 3B of each developing device 2B and the center Cc of the gas supply port 21B with the vertical direction are not less than 0 degrees and not more than 45 degrees. Now it's below 30 degrees.
  • the angles formed by the straight lines L21 to L24 with the vertical direction are preferably small, preferably 25 degrees or less, and more preferably 20 degrees or less.
  • the state of the processing chamber 3 in which the predetermined processing is performed can be easily controlled to a desired state with high accuracy while suppressing energy consumption.
  • the gas introduction port 5A may be opened downward or obliquely downward, and the gas supply port 11B may be opened horizontally.
  • a portion of the first duct 30 including the end on the side of the gas supply port 11B is curved, while the portion between this curved portion and the gas inlet 5A is parallel to the vertical direction UD.
  • a first duct 30 may be connected to the gas introduction port 5A and the gas supply port 11B so as to extend.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing plant P3 according to the third embodiment.
  • Components of the present embodiment that are the same as those of the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.
  • the angle between the straight line L1 and the vertical direction is 45 degrees or less. Specifically, the angle between the straight line L1 and the vertical direction is not 0 degrees, but about 30 degrees. It's becoming A first duct 30 connects the gas supply port 11B and the gas introduction port 5A. The angle between the straight line L2 and the vertical direction is 45 degrees or less, and more specifically, the angle between the straight line L2 and the vertical direction is about 30 degrees.
  • the second duct 40 connects the gas supply port 21B and the gas introduction port 5B.
  • first duct 30 is partially curved including the end on the side of the gas introduction port 5A, and is curved partially including the end on the side of the gas supply port 11B.
  • the portion between the curved portions on both end sides of the first duct 30 extends straight so that the central axis C1 thereof coincides with the straight line L1.
  • the second duct 40 is partially curved including the end on the side of the gas introduction port 5B and curved partially including the end on the side of the gas supply port 21B.
  • the portion between the curved portions on both end sides of the second duct 40 extends straight so that the central axis C2 thereof coincides with the straight line L2.
  • angles formed by the straight lines L11 and L12 connecting the center of the inlet 3A of each resist film forming apparatus 2A and the center Ca of the gas supply port 11B with the vertical direction are 0 degrees or more and 45 degrees or less. In the form of , it is 30 degrees or less.
  • the angles formed by the straight lines L11 and L12 with the vertical direction are preferably small, preferably 25 degrees or less, and more preferably 20 degrees or less.
  • the angles formed by the straight lines L21 to L24 connecting the center of the receiving port 3B of each developing device 2B and the center Cc of the gas supply port 21B with the vertical direction are not less than 0 degrees and not more than 45 degrees. Now it's below 30 degrees.
  • the angles formed by the straight lines L21 to L24 with the vertical direction are preferably small, preferably 25 degrees or less, and more preferably 20 degrees or less.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing plant P4 according to the fourth embodiment.
  • the same reference numerals are given to the same components as those of the first to third embodiments, and duplicate descriptions will be omitted.
  • the gas introduction port 5A in the first internal duct section 4A and the gas introduction port 5B in the second internal duct section 4B of the semiconductor manufacturing system 1 are horizontally opened.
  • the central axis of the gas introduction port 5A is not parallel to the central axis of the gas supply port 11B.
  • the central axis of the gas introduction port 5B is not parallel to the central axis of the gas supply port 21B.
  • the gas introduction port 5A and the gas introduction port 5B may be opened obliquely downward.
  • the angle that the straight line L1 makes with the vertical direction is 45 degrees or less, and more specifically, the angle that the straight line L1 makes with the vertical direction is not 0 degrees, but about 30 degrees.
  • the first duct 30 connects the gas supply port 21B and the gas introduction port 5B.
  • the angle between the straight line L2 and the vertical direction is 45 degrees or less, and more specifically, the angle between the straight line L2 and the vertical direction is about 30 degrees.
  • the second duct 40 connects the gas supply port 21B and the gas introduction port 5B.
  • first duct 30 is partially curved including the end on the side of the gas introduction port 5A, and is curved partially including the end on the side of the gas supply port 11B.
  • the portion between the curved portions on both end sides of the first duct 30 extends straight so that the central axis C1 thereof coincides with the straight line L1.
  • the second duct 40 is partially curved including the end on the side of the gas introduction port 5B and curved partially including the end on the side of the gas supply port 21B.
  • the portion between the curved portions on both end sides of the second duct 40 extends straight so that the central axis C2 thereof coincides with the straight line L2.
  • the manner of the angles formed by the other straight lines L11 and L12 with the vertical direction and the manner of the angles formed by the straight lines L21 to L24 with the vertical direction are the same as in the third embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing plant P5 according to the fifth embodiment.
  • the same reference numerals are given to the same components as those of the first to fourth embodiments, and duplicate descriptions will be omitted.
  • the gas introduction port 5A in the first internal duct section 4A of the semiconductor manufacturing system 1 is opened horizontally.
  • the gas introduction port 5A is opened obliquely downward.
  • the central axis of the gas introduction port 5A is not parallel to the central axis of the gas supply port 11B.
  • the angle between the straight line L1 and the vertical direction is 0 degrees, and the first duct 30 connects the gas supply port 11B and the gas introduction port 5A.
  • the first duct 30 is partially curved including the end on the side of the gas introduction port 5A.
  • the portion of the first duct 30 between the curved portion on the side of the gas introduction port 5A and the gas supply port 11B extends straight and parallel to the vertical direction UD so that the central axis C1 thereof coincides with the straight line L1. ing.
  • the gas introduction port 5A may be opened downward or obliquely downward, and the gas supply port 11B may be opened horizontally.
  • the first duct 30 is partially curved including the end on the side of the gas supply port 11B, while the central axis C1 of the portion between this curved portion and the gas inlet 5A is
  • the gas supply port 11B and the gas introduction port 5A may be connected so as to extend straight so as to match the straight line L1 and parallel to the vertical direction UD.
  • FIG. 7 is a schematic perspective view of a semiconductor manufacturing plant P6 according to the sixth embodiment
  • FIG. 8 is a view of the second gas supply device 200 viewed in the direction of arrow VIII shown in FIG. handle.
  • the first gas supply device 100 includes a plurality of first gas supply devices 100A and 100B.
  • the second gas supply device 200 includes a plurality of second gas supply devices 200A, 200B.
  • the plurality of first gas supply devices 100A and 100B are separately connected to the corresponding resist film forming device 2A via the corresponding first ducts 30, respectively.
  • the plurality of second gas supply devices 200A and 200B are separately connected to the two corresponding developing devices 2B via corresponding second ducts 40, respectively. Any of the modes of the first to fifth embodiments may be adopted for the connection mode and orientation of the first duct 30 and the second duct 40 .
  • the state of the processing chamber 3 of the resist film forming apparatus 2A can be reliably controlled to a desired state with high accuracy.
  • the four developing devices 2B can be divided into two developing devices 2B, and the temperature and humidity can be controlled separately. In this case, compared to the case where the air is distributed to the four developing devices 2B, it becomes easier to control the state of the processing chamber 3 of the developing device 2B to a desired state with high accuracy.
  • Separate second gas supply devices 200 may be connected to the four developing devices 2B.
  • the housing 11 of the first gas supply device 100A and the housing 11 of the first gas supply device 100B are arranged with part of the side surfaces in contact with each other.
  • the first duct 30 connected to the gas supply port 11B of the first gas supply device 100A and the first duct 30 connected to the gas supply port 11B of the first gas supply device 100B extend parallel to each other. are in contact with each other. Adjacent housings 11 are fixed by plate members or the like.
  • the gas supply port 11B of the first gas supply device 100B extends from the outer edge of the top surface of the housing 11 or is provided close to the outer edge of the top surface of the housing 11 .
  • the vibration of both devices can be suppressed and the accuracy of air temperature/humidity control can be improved.
  • a plurality (two in the illustrated example) of the first ducts 30 are in contact with each other, the influence of the temperature outside the ducts on the air inside the ducts is suppressed, thereby suppressing changes in the state of the air inside the ducts.
  • the accuracy of air temperature and humidity control can be improved.
  • the first ducts 30 are preferably square ducts, but are not particularly limited.
  • the second gas supply devices 200A and 200B also have the same layout and duct connection manner as the first gas supply devices 100A and 100B, and the same effect can be obtained.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment.
  • the embodiments described above apply the present invention to a semiconductor manufacturing plant, the present invention may also be applied to other manufacturing plants.
  • the temperature- and humidity-controlled air is supplied to the resist film forming device 2A and the developing device 2B from the different gas supply devices 100 and 200 .
  • the plurality of processing devices 2 may be supplied with gas from separate gas supply devices when different processing devices that volatilize or dry different solvents are included.
  • the range of the gas supply amount of the gas supply apparatus that supplies gas to one of the different processing apparatuses 2 is made different from the range of the gas supply amount of the gas supply apparatus that supplies gas to the other of the different processing apparatuses.

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Abstract

所定処理が行われる処理室の状態を、エネルギー消費量を抑制しつつ所望状態に高精度に制御し易くなる製造プラント及び製造プラントにおける機器の設置方法を提供することを目的とする。　一実施の形態に係る製造プラントＰ１は、気体導入口５Ａで受け入れた気体を供給される処理室３を有する処理装置２を備えた処理システム１と、気体を気体供給口１１Ｂから供給する気体供給装置１００を備えた熱媒体供給システム１０と、気体導入口５Ａと気体供給口１１Ｂとを接続するダクト３０と、を備える。そして、気体供給口１１Ｂの中心と気体導入口５Ａの中心とを結んだ直線Ｌ１が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下である。

Description

製造プラント及び製造プラントにおける機器の設置方法
　本発明の実施の形態は、温度、湿度等を厳格に所望状態に維持することが求められる製造プラント、及びそのような製造プラントにおける機器の設置方法に関する。
　半導体製造プラントでは、レジスト塗布処理、露光処理、現像処理、エッチング処理等の各種処理が行われる。こうした処理は、通常、精密に温度及び湿度が制御された処理室内で行われる。
　例えば、レジスト塗布処理でウェハに塗布されるレジストや、露光処理及び現像処理でパターニングされるレジストは、温度や湿度に応じて、膨張又は収縮する。レジストが、環境温度や湿度に応じて所望状態に維持されない場合には、エッチングされるパターンに不良が生じ得る。したがって、温度及び湿度の管理が必要となる。
　例えばレジスト塗布処理、露光処理及び現像処理を行う処理室における温度及び湿度の制御は、空調装置で精密に温度及び湿度が調整された空気を各処理室に供給することで行われる。
　半導体製造プラントでは、一般に、上述のような処理室を有する複数の処理装置をユニットとして一体化したシステムが用いられている。このようなシステムは、フットプリントを抑制し、ウェハの搬送や、不純物の混入回避でもメリットがあり、半導体のスループットを向上させ得る。このようなシステムでは、一般に、空調装置に複数のダクトが接続され、各ダクトが対応する処理室に接続されていた（例えば、ＪＰ２０２１－４４４５３Ａ）。
　近年、例えばＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）による露光処理により、配線幅が一桁ナノメートルのパターンを有する半導体の製造が実現されている。このような極微細なパターンを適正に形成するには、各種処理を行う処理室の温度や湿度を従前よりも極めて厳しい精度で管理することが求められる。
　しかしながら、空調装置に接続された複数のダクトを各処理室に接続する場合には、極微細なパターンを形成するための処理環境を形成できない場合がある。
　例えば、複数のダクトのうちの２本のダクトが、同じ処理を行う２つの処理室に別々に接続される場合がある。この際、２本のダクトのうちの一方と他方とで長さが異なる状況が生じ得る。この際、長い方のダクトから処理室に供給される空気の温度が、短い方のダクトから処理室に供給される空気よりも高くなることがある。その結果、一方の処理室で適正な処理がなされない虞がある。
　また、極微細なパターンの形成では、ある処理室に供給される空気の所望の流量と、他の処理室に供給される空気の所望の流量とが異なる場合がある。この場合、共通の空調装置から２つの上記処理室に空気を供給する構成では、調節が難しい。ダクトの径を互いに変えたり、ダンパを使用したりすることにより、調節可能であるが、構造が複雑化し且つ所望の精度が得られ難い。また、圧損が大きくなり、エネルギー消費量が多くなり得る。
　また、例えば半導体製造過程でのレジスト塗布処理、露光処理及び現像処理では、各処理で求められる温度精度や、湿度精度が異なる場合がある。この場合、共通の空調装置から２つの上記処理室に空気を供給する構成では、オーバースペックな温調又は湿調が行われている場合があり、必ずしも合理的とは言えない構成になっている場合がある。
　さらには、複数のダクトは多くなるほど、曲げられる回数が増え、ダクトの経路が複雑化する。ダクトの経路が複雑になると、圧損が大きくなる。また、処理室に至るまでの空気の温度及び湿度の変化が大きくなる。近年、スループットの向上のために多くの処理装置を一体化させるシステムがある。このようなシステムで上述した一般的なダクト接続を行うと、多大なエネルギーコストが発生する虞がある。また、極微細なパターンを形成するための処理環境を形成することが困難になる虞がある。
　本発明の課題は、所定処理が行われる処理室の状態をエネルギー消費量を抑制しつつ所望状態に高精度に制御し易くなる製造プラント及び製造プラントにおける機器の設置方法を提供することである。
　本発明の一実施の形態に係る製造プラントは、気体導入口で受け入れた気体を供給される処理室を有する処理装置を備えた処理システムと、気体を気体供給口から供給する気体供給装置を備えた熱媒体供給システムと、前記気体導入口と前記気体供給口とを接続するダクトと、を備え、前記気体供給口の中心と前記気体導入口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下である。
　本発明の一実施の形態に係る製造プラントにおける機器の設置方法は、気体導入口で受け入れた気体を供給される処理室を有する処理装置を備えた処理システムが設けられる製造プラントにおける機器の設置方法であって、気体を気体供給口から供給する気体供給装置を準備する工程と、前記気体導入口の中心と前記気体供給口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下になるように前記気体供給装置を配置する工程と、前記気体導入口と前記気体供給口とをダクトで接続する工程と、を備える。
　また、本発明の一実施の形態は、以下［１］～［１２］に関連する。
［１］　気体導入口で受け入れた気体を供給される処理室を有する処理装置を備えた処理システムと、
　気体を気体供給口から供給する気体供給装置を備えた熱媒体供給システムと、
　前記気体導入口と前記気体供給口とを接続するダクトと、を備え、
　前記熱媒体供給システムが設置されるフロアの上方のフロアに前記処理システムが設置され、
　前記気体供給口の中心と前記気体導入口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下であり、
　前記処理システムは、前記気体導入口を有する内部ダクトを備え、前記内部ダクトを通して、前記気体を前記処理室まで送り、
　前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
　前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度よりも大きい場合に、前記ダクトの両端部のうちの少なくとも一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行であり、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度であり、前記ダクトの両端部のうちの一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行であり、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度でない場合に、前記ダクトは、前記鉛直方向と平行に延びる部分と１つの湾曲部分とで前記気体導入口と前記気体供給口とを接続する、製造プラント。
［２］　気体導入口で受け入れた気体を供給される処理室を有する処理装置を備えた処理システムと、
　気体を気体供給口から供給する気体供給装置を備えた熱媒体供給システムと、
　前記気体導入口と前記気体供給口とを接続するダクトと、を備え、
　前記気体供給口の中心と前記気体導入口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下であり、
　前記処理システムは、前記気体導入口を有する内部ダクトを通して、前記気体を前記処理室まで送り、
　前記処理室は、前記気体を受け入れる受入口を有し、
　前記受入口の中心と前記気体供給口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下であり、
　前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
　前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度よりも大きい場合に、前記ダクトの両端部のうちの少なくとも一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行であり、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度であり、前記ダクトの両端部のうちの一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行であり、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度でない場合に、前記ダクトは、前記鉛直方向と平行に延びる部分と１つの湾曲部分とで前記気体導入口と前記気体供給口とを接続する、製造プラントである。
　上記製造プラント［１］又は［２］において、前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合、前記気体導入口の中心軸線は水平方向に延び、前記気体供給口の中心軸線は鉛直方向に延びてもよい。また、前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合、前記気体導入口は、水平方向、斜め下方、又は下方に開口してもよい。前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合、前記気体導入口が水平方向又は斜め下方に開口する場合、前記気体供給口は、上方に開口してもよい。また、前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合、前記気体導入口が下方又は斜め下方に開口する場合、前記気体供給口は、水平方向に開口してもよい。
［３］　前記処理システムは、前記熱媒体供給システムの上方に配置されている、［２］に記載の製造プラント。
［４］　前記気体供給装置は、送風機を有し、前記送風機により前記気体を流量調節可能に供給する、［１］乃至［３］のいずれかに記載の製造プラント。
［５］　前記処理システムは、複数の前記処理装置を有し、
　複数の前記処理装置には、それぞれ別の前記気体供給装置がそれぞれ別の前記ダクトを介して接続される、［１］乃至［４］のいずれかに記載の製造プラント。
［６］　複数の前記気体供給装置には、前記気体の供給量の範囲が互いに異なる気体供給装置が含まれる、［５］に記載の製造プラント。
［７］　複数の前記処理装置には、異なる溶媒を揮発又は乾燥させる互いに異なる処理装置が含まれ、
　前記異なる処理装置の一方に前記気体を供給する前記気体供給装置の前記気体の供給量の範囲が、前記異なる処理装置の他方に前記気体を供給する前記気体供給装置の前記気体の供給量の範囲と異なる、［６］に記載の製造プラント。
［８］　複数の前記気体供給装置には、互いに異なる形式の加湿器を備える気体供給装置が含まれる、［７］に記載の製造プラント。
［９］　前記処理システムは、複数の前記処理装置を有し、
　複数の前記処理装置それぞれの前記受入口の中心と前記気体供給口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下である、［２］に記載の製造プラント。
［１０］　気体導入口を有する内部ダクトと、前記気体導入口で受け入れた気体を前記内部ダクトを通して供給される処理室を有する処理装置と、を備えた処理システムが設けられる製造プラントにおける機器の設置方法であって、
　気体を気体供給口から供給する気体供給装置を準備する工程と、
　前記気体導入口の中心と前記気体供給口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下になるように、前記気体供給装置を、前記処理システムが設置されるフロアの下方のフロアに配置する工程と、
　前記気体導入口と前記気体供給口とをダクトで接続する工程と、を備え、
　前記接続する工程で、前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
　前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度よりも大きくなるように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトの両端部のうちの少なくとも一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合に、前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度になるように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトの両端部のうちの一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合に、前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度にならないように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトにおける前記鉛直方向と平行に延びる部分と、１つの湾曲部分とで、前記気体導入口と前記気体供給口とを接続する、製造プラントにおける機器の設置方法。
［１１］　前記気体供給装置を準備する工程では、
　　前記処理装置が要求する気体の要求供給量と、前記気体供給装置、前記ダクト及び前記処理装置で生じる圧損と、を特定し、
　　候補となる送風機の送風機静圧風量特性曲線において、前記圧損を静圧とし、前記要求供給量を、前記圧損としての静圧に対応する風量として対応点をプロットし、
　　少なくとも前記対応点を越える送風機静圧風量特性曲線を有する送風機を選定して、選定された送風機を備える前記気体供給装置を準備する、［１０］に記載の製造プラントにおける機器の設置方法。
［１２］　気体導入口を有する内部ダクトと、前記気体導入口で受け入れた気体を前記内部ダクトを通して供給される処理室を有する処理装置と、を備え、前記処理装置は、前記気体を受け入れる受入口を有する処理システムが設けられる製造プラントにおける機器の設置方法であって、
　気体を気体供給口から供給する気体供給装置を準備する工程と、
　前記気体導入口の中心と前記気体供給口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下になるように、且つ、前記受入口の中心と前記気体供給口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下になるように、前記気体供給装置を配置する工程と、
　前記気体導入口と前記気体供給口とをダクトで接続する工程と、を備え、
　前記接続する工程で、前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
　前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度よりも大きくなるように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトの両端部のうちの少なくとも一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合に、前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度になるように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトの両端部のうちの一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合に、前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度にならないように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトにおける前記鉛直方向と平行に延びる部分と、１つの湾曲部分とで、前記気体導入口と前記気体供給口とを接続する、製造プラントにおける機器の設置方法。
　上記方法［１０］又は［１２］において、前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合、前記気体導入口の中心軸線は水平方向に延び、前記気体供給口の中心軸線は鉛直方向に延びてもよい。また、前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合、前記気体導入口は、水平方向、斜め下方、又は下方に開口してもよい。前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合、前記気体導入口が水平方向又は斜め下方に開口する場合、前記気体供給口は、上方に開口してもよい。また、前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合、前記気体導入口が下方又は斜め下方に開口する場合、前記気体供給口は、水平方向に開口してもよい。
　本発明によれば、所定処理が行われる処理室の状態をエネルギー消費量を抑制しつつ所望状態に高精度に制御し易くなる。
第１の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略図である。 図１の矢印ＩＩの方向に半導体製造プラントを見た図である。 第２の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略図である。 第３の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略図である。 第４の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略図である。 第５の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略図である。 第６の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントの概略的な斜視図である。 図７の矢印ＶＩＩＩの方向に半導体製造プラントを見た図である。
　以下に、添付の図面を参照して、各実施の形態を詳細に説明する。
＜第１の実施の形態＞
　図１は、第１の実施の形態に係る製造プラントとしての半導体製造プラントＰ１の概略図である。半導体製造プラントＰ１は、半導体製造システム１と、熱媒体供給システム１０と、第１ダクト３０と、第２ダクト４０と、を備える。熱媒体供給システム１０は、第１気体供給装置１００と、第２気体供給装置２００と、を有する。半導体製造システム１は、第１ダクト３０を介して第１気体供給装置１００に接続し、第２ダクト４０を介して第２気体供給装置２００に接続する。
　第１気体供給装置１００は、所望状態に調節した熱媒体としての空気を、第１ダクト３０を通して半導体製造システム１に供給する。第２気体供給装置２００は、所望状態に調節した熱媒体としての空気を、第２ダクト４０を通して半導体製造システム１に供給する。
　本実施の形態では、熱媒体供給システム１０（第１気体供給装置１００及び第２気体供給装置２００）が設置されるフロアの上方のフロアに半導体製造システム１が設置されている。そして、第１ダクト３０及び第２ダクト４０は、半導体製造システム１が設置されるフロアを上下方向に通過して半導体製造システム１に至る。
　以上のようなレイアウトでは、例えば第１気体供給装置１００及び第２気体供給装置２００で生じ得る塵埃が半導体製造システム１に影響を及ぼすことが回避される。ただし、半導体製造システム１、第１気体供給装置１００及び第２気体供給装置２００は同一のフロアに設置されてもよい。以下、半導体製造プラントＰ１の各部について詳述する。
（半導体製造システム）
　半導体製造システム１は、複数の処理装置２と、内部ダクト４と、を備えている。
　複数の処理装置２はそれぞれ処理室３を有する。複数の処理装置２は、処理室３内に搬送されるワークとしてのウェハにレジスト膜形成処理、現像処理、機能膜形成処理、洗浄処理等のそれぞれに定められた特定の処理を行う。
　複数の処理装置２で行う複数の処理の中には、処理室３の状態を、所望の温度及び所望の湿度に高精度に制御することを要するとともに、処理室３に流入する空気の流量を所望の流入状態に制御することを要する処理が含まれる。このような所望状態への制御を要する処理装置２は、第１気体供給装置１００又は第２気体供給装置２００からの空気により、処理室３を所望状態に制御する。
　図１においては、複数の処理装置２のうちのレジスト膜形成装置２Ａと、現像装置２Ｂとが示されている。本実施の形態では、複数の処理装置２に、複数（図示例では２つ）のレジスト膜形成装置２Ａと、複数（図示例では４つ）の現像装置２Ｂとが含まれている。複数のレジスト膜形成装置２Ａは、上下方向に積層されている。現像装置２Ｂも、上下方向に積層されている。なお、複数の処理装置２には、その他の処理を行う装置も含まれるが、これらの図示は省略されている。なお、その他の処理を行う装置は、露光装置や洗浄装置等でもよい。
　内部ダクト４は、第１内部ダクト部４Ａと、第２内部ダクト部４Ｂと、を有する。第１内部ダクト部４Ａは、複数のレジスト膜形成装置２Ａに側方から隣り合う状態で上下方向に延びている。第２内部ダクト部４Ｂは、複数の現像装置２Ｂに側方から隣り合う状態で上下方向に延びている。
　第１内部ダクト部４Ａは気体導入口５Ａを有し、気体導入口５Ａに第１ダクト３０が接続される。レジスト膜形成装置２Ａはそれぞれ、処理室３内に空気を導入するための受入口３Ａを有する。同様に、第２内部ダクト部４Ｂは気体導入口５Ｂを有し、気体導入口５Ｂに第２ダクト４０が接続される。現像装置２Ｂはそれぞれ、処理室３内に空気を導入するための受入口３Ｂを有する。第１内部ダクト部４Ａにおける気体導入口５Ａ及び第２内部ダクト部４Ｂにおける気体導入口５Ｂは下方に開口している。なお、気体導入口５Ａ及び気体導入口５Ｂは、斜め下方に開口してもよい。
　本実施の形態では、第１ダクト３０から第１内部ダクト部４Ａの気体導入口５Ａに受け入れられた空気は、第１内部ダクト部４Ａの内部を介して各レジスト膜形成装置２Ａの受入口３Ａから各レジスト膜形成装置２Ａの処理室３に供給される。また、第２ダクト４０から第２内部ダクト部４Ｂの気体導入口５Ｂに受け入れられた空気は、第２内部ダクト部４Ｂの内部を介して各現像装置２Ｂの受入口３Ｂから各現像装置２Ｂの処理室３に供給される。
　図２は、図１の矢印ＩＩの方向に半導体製造プラントＰ１を見た図である。第２内部ダクト部４Ｂは、その長手方向が上下方向に沿うように延びている。第２内部ダクト部４Ｂは、各現像装置２Ｂにおいて処理室３の上寄りに形成された受入口３Ｂを介して、各処理室３に流体的に接続する。図示しないが、第１内部ダクト部４Ａもその長手方向が上下方向に沿うように延びる。
　なお、本実施の形態では、第１内部ダクト部４Ａ、第２内部ダクト部４Ｂから複数の処理装置２（複数のレジスト膜形成装置２Ａ、複数の現像装置２Ｂ）に空気が分配されるが、第１内部ダクト部４Ａ又は第２内部ダクト部４Ｂから一つの処理装置２に空気が供給される構成でもよい。
　本実施の形態における半導体製造システム１は、レジスト塗布後、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）による露光処理を実施されたウェハに対して、極めて微細なパターンを形成することを想定している。この場合、とりわけレジスト膜形成装置２Ａでは、処理室３内の温度、湿度を極めて高精度に制御することが求められ、且つ、処理室３内に流入する空気の流量を比較的大きい流量で一定に保つことが求められる。具体的には、レジスト膜形成装置２Ａでは、例えば、目標温度に対する制御精度を、±０.５℃以内にすること、目標湿度に対する制御精度を、±０．５％以内にすることが求められる場合がある。
　一方で、現像装置２Ｂでは、レジスト膜形成装置２Ａよりも高精度で温度、湿度を制御する必要がない場合もあり、且つ、処理室３内に流入する空気の流量もレジスト膜形成装置２Ａが求める流量よりも小さくてよい場合がある。
（熱媒体供給システム）
　熱媒体供給システム１０は、上述したように第１気体供給装置１００と、第２気体供給装置２００とを有する。まず、第１気体供給装置１００は、気体取込口１１Ａ及び気体供給口１１Ｂを有する筐体１１と、取込口フィルタ１２と、冷却器１３と、加熱器１４と、加湿器１５と、送風機１６と、インバータ１７と、コントローラ１８と、を備える。
　図１における二点鎖線の矢印α１は、第１気体供給装置１００により温調及び湿調される空気の流れを示している。矢印α１に示すように、気体取込口１１Ａに流入する空気は、まず、気体取込口１１Ａを覆う状態で取り付けられた取込口フィルタ１２によって清浄化される。取込口フィルタ１２は、ＵＬＰＡフィルタや、ＨＥＰＡフィルタ等でもよい。取込口フィルタ１２を通過した空気は、次いで、冷却器１３により冷却される。この際、除湿も行われる。次いで、空気は、加熱器１４により加熱され、その後、加湿器１５により加湿される。その後、空気は、気体供給口１１Ｂから第１ダクト３０に流入する。気体供給口１１Ｂは、上方に開口している。なお、気体供給口１１Ｂは斜め上方に開口してもよい。
　冷却器１３の形式は特に限られるものではなく、冷凍回路の蒸発器で構成されてもよいし、ブライン等の低温の液体（熱媒体）を通過させる熱交換器で構成されてもよい。加熱器１４の形式も特に限られるものではなく、電気ヒータで構成されてもよく、冷凍回路の高温の冷媒を通過させる熱交換器で構成されてもよい。加湿器１５の形式も特に限られるものではなく、スチーム（蒸気）式、気化式、及び超音波式のいずれで構成されてもよい。
　上述したように、本実施の形態ではレジスト膜形成装置２Ａにおける処理室３内の温度、湿度を極めて高精度に制御することが求められる。この場合、レジスト膜形成装置２Ａに空気を供給する第１気体供給装置１００では、温度及び湿度を高精度に制御できるように構成機器を選択する必要がある。この点を考慮し、本実施の形態では、冷却器１３がブライン等の低温の熱媒体を通過させる熱交換器で構成され、加熱器１４が電気ヒータで構成され、加湿器１５がスチーム式の加湿器で構成される。
　冷凍回路では、冷媒を膨張させて蒸発させる際に冷媒の状態が気液混合状態となる。これに対して、ブライン等の低温の熱媒体を通過させる熱交換器では、熱媒体の相変化が基本的にはない。この観点から、熱媒体を通過させる熱交換器は、温度制御に関して有利である。電気ヒータも、高温の冷媒を通過させる熱交換器よりも状態が安定しやすい。また、気化式及び超音波式の加湿器では、水が蒸発せずに、液体のまま流れる虞がある。そのため、スチーム式の加湿器は、湿度制御に関して有利である。ただし、以上に説明した形式の組み合わせは特に限られるものではない。
　気体取込口１１Ａから気体供給口１１Ｂまで空気を流すための駆動力は、送風機１６が発生させる。送風機１６は、ファンを回転させるモータを有し、本実施の形態では、モータとして三相交流モータ又はブラシレスモータが採用される。そして、送風機１６は、モータをインバータ１７により制御する。インバータ１７は、モータに供給する交流電流の周波数を調節することで、モータ回転数を調整する。これにより、送風機１６は、流量調節可能に第１内部ダクト部４Ａに空気を供給できる。
　コントローラ１８は、冷却器１３、加熱器１４、加湿器１５及びインバータ１７を制御する。コントローラ１８は、加湿器１５の下流側に配置される図示しない一つ又は複数の温度センサ及び一つ又は複数の湿度センサからの検出情報に基づき、冷却器１３、加熱器１４及び加湿器１５の一部又は全部の動作を制御することで、供給する空気の温度が目標温度になるように及び供給する空気の湿度が目標湿度になるように制御する。また、コントローラ１８は、加湿器１５の下流側に配置される一つ又は複数の流量センサからの検出情報に基づき、処理室３内に流入する空気が目標流量になるようにインバータ１７を介して送風機１６を制御する。
　コントローラ１８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ等を含むコンピュータで構成されてもよく、この場合、ＲＯＭに格納されたプログラムに従い、各種処理を行う。また、コントローラ１８は、その他のプロセッサや電気回路（例えばＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｌｌｅｙ）等）で構成されてもよい。
　第２気体供給装置２００は、第１気体供給装置１００と同様に、気体取込口２１Ａ及び気体供給口２１Ｂを有する筐体２１と、取込口フィルタ２２と、冷却器２３と、加熱器２４と、加湿器２５と、送風機２６と、インバータ２７と、コントローラ２８と、を備える。
　図１における二点鎖線の矢印α２は、第２気体供給装置２００により温調及び湿調される空気の流れを示している。矢印α２に示すように、気体取込口２１Ａに流入する空気は、取込口フィルタ２２、冷却器２３、加熱器２４、加湿器２５、及び気体供給口２１Ｂをこの順で通過した後、第２ダクト４０に流入する。気体供給口２１Ｂは上方に開口している。なお、気体供給口２１Ｂは斜め上方に開口してもよい。
　第２気体供給装置２００を構成する各部の構成は第１気体供給装置１００の各部の構成と基本的に同様であるが、本実施の形態では、加湿器２５の形式と、送風機２６の仕様が、第１気体供給装置１００と異なっている。具体的には、加湿器２５が気化式の加湿器で構成されている。また、送風機２６の空気の供給量の範囲（風量範囲）が、送風機１６の空気の供給量の範囲（風量範囲）と異なり、送風機２６の空気の最大供給量は、送風機１６の空気の最大供給量よりも小さい。
　上述したように、現像装置２Ｂでは、レジスト膜形成装置２Ａよりも高精度で温度、湿度を制御する必要がない場合もあり、且つ、処理室３内に流入する空気の流量もレジスト膜形成装置２Ａが求める流量よりも小さくてよい場合がある。本実施の形態では、このケースに適合している。このようなケースに適合することを考慮し、オーバースペックを回避する合理的な構成を実現すべく、本実施の形態では、第２気体供給装置２００の加湿器２５の形式及び送風機２６の仕様と、第１気体供給装置１００の加湿器１５の形式及び送風機１６の仕様とが変えられている。これにより、イニシャルコスト及びランニングコストの抑制が図られる。
（ダクト）
　第１ダクト３０は、第１気体供給装置１００の気体供給口１１Ｂと、半導体製造システム１における第１内部ダクト部４Ａに設けられた気体導入口５Ａとを接続している。
　図１において、符号ＵＤは、鉛直方向を示す。符号Ｃａは、気体供給口１１Ｂの中心を示し、符号Ｃｂは、気体導入口５Ａの中心を示している。また、符号Ｌ１は、気体供給口１１Ｂの中心Ｃａと気体導入口５Ａの中心Ｃｂとを結んだ仮想的な直線を示している。
　ここで、直線Ｌ１が鉛直方向となす角度は０度以上４５度以下であり、詳しくは、０度である。そして、気体供給口１１Ｂの中心軸線と、気体導入口５Ａの中心軸線とが同軸に位置し、気体供給口１１Ｂと気体導入口５Ａとが鉛直方向ＵＤで互いに正対している。そして、第１ダクト３０は、気体供給口１１Ｂから気体導入口５Ａにわたり真っ直ぐに且つ鉛直方向ＵＤに平行に延びる状態で気体供給口１１Ｂと気体導入口５Ａとを接続している。そして、第１ダクト３０の中心軸線Ｃ１と、直線Ｌ１とが一致している。
　また、第２ダクト４０は、第２気体供給装置２００の気体供給口２１Ｂと、半導体製造システム１における第２内部ダクト部４Ｂに設けられた気体導入口５Ｂとを接続している。図１において、符号Ｃｃは、気体供給口２１Ｂの中心を示し、符号Ｃｄは、気体導入口５Ｂの中心を示している。また、符号Ｌ２は、気体供給口２１Ｂの中心Ｃｃと気体導入口５Ｂの中心Ｃｄとを結んだ仮想的な直線を示している。
　直線Ｌ２が鉛直方向となす角度も０度以上４５度以下であり、詳しくは、０度である。そして、気体供給口２１Ｂの中心軸線と、気体導入口５Ｂの中心軸線とが同軸に位置し、気体供給口２１Ｂと気体導入口５Ｂとが鉛直方向ＵＤで互いに正対している。そして、第２ダクト４０は、気体供給口２１Ｂから気体導入口５Ｂにわたり真っ直ぐに且つ鉛直方向ＵＤに平行に延びる状態で気体供給口２１Ｂと気体導入口５Ｂとを接続している。そして、第２ダクト４０の中心軸線Ｃ２と、直線Ｌ２とが一致している。
　なお、本実施の形態のように気体供給口２１Ｂと気体導入口５Ｂとが互いに正対する場合には、直線Ｌ１、Ｌ２が鉛直方向となす角度は、０度が良い。直線Ｌ１、Ｌ２が鉛直方向となす角度は、好ましくは３０度以下であり、より好ましくは２２．５度以下であり、さらに好ましくは１５度以下、１０度以下、５度以下である。
　また、図１において、符号Ｌ１１、Ｌ１２は、各レジスト膜形成装置２Ａの受入口３Ａの中心と、気体供給口１１Ｂの中心Ｃａとを結ぶ直線を示している。図示から明らかなように、直線Ｌ１１、Ｌ１２がそれぞれ鉛直方向となす角度は、０度以上４５度以下であり、本実施の形態では１０度以下になっている。直線Ｌ１１及び直線Ｌ１２がそれぞれ鉛直方向となす角度は、０度以上２５度以下であることが好ましい。
　また、図１において、符号Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、Ｌ２４は、各現像装置２Ｂの受入口３Ｂの中心と、気体供給口２１Ｂの中心Ｃｃとを結ぶ直線を示している。図示から明らかなように、直線Ｌ２１～Ｌ２４がそれぞれ鉛直方向となす角度は、０度以上４５度以下であり、本実施の形態では１０度以下になっている。直線Ｌ２１～Ｌ２４がそれぞれ鉛直方向となす角度は、０度以上２５度以下であることが好ましい。
　第１ダクト３０及び第２ダクト４０の形式は特に限られるものではなく、折り曲げ可能なフレキシブルダクトでもよいし、折り曲げ不能なリジッドなダクトでもよい。本実施の形態では、第１ダクト３０及び第２ダクト４０がともに真っ直ぐに延びるため、折り曲げ不要で且つ圧損が抑制される。そのため、リジッドなダクトを用いることで、圧損の更なる抑制とコストダウンを図ってもよい。また、第１ダクト３０及び第２ダクト４０は断面形状が円形でもよいし、矩形でもよい。すなわち、第１ダクト３０及び第２ダクト４０は、円形ダクトでもよいし、角形ダクトでもよい。
（作用・効果）
　次に、本実施の形態の作用について説明する。
　第１気体供給装置１００では、気体取込口１１Ａに流入する空気が取込口フィルタ１２によって清浄化されて、第１気体供給装置１００内に導入される。その後、空気は、冷却器１３により冷却され、次いで、加熱器１４により加熱され、その後、加湿器１５により加湿される。その後、空気は、気体供給口１１Ｂから第１ダクト３０に流入する。
　そして、第１ダクト３０から第１内部ダクト部４Ａの気体導入口５Ａに受け入れられた空気は、半導体製造システム１における第１内部ダクト部４Ａの内部を介して各レジスト膜形成装置２Ａの受入口３Ａから各レジスト膜形成装置２Ａの処理室３に供給される。
　同様に、第２気体供給装置２００では、気体取込口２１Ａに流入する空気が取込口フィルタ２２によって清浄化されて、第２気体供給装置２００内に導入される。その後、空気は、冷却器２３により冷却され、次いで、加熱器２４により加熱され、その後、加湿器２５により加湿される。その後、空気は、気体供給口２１Ｂから第２ダクト３０に流入する。
　そして、第２ダクト４０から第２内部ダクト部４Ｂの気体導入口５Ｂに受け入れられた空気は、半導体製造システム１における第２内部ダクト部４Ｂの内部を介して各現像装置２Ｂの受入口３Ｂから各現像装置２Ｂの処理室３に供給される。
　本実施の形態では、第１気体供給装置１００が準備された後、第１気体供給装置１００は、直線Ｌ１と鉛直方向とがなす角度が０度になるように配置される。そして、第１ダクト３０が気体供給口１１Ｂと気体導入口５Ａとを接続する。そして、第１ダクト３０は、気体供給口１１Ｂから気体導入口５Ａにわたり真っ直ぐに延び、第１ダクト３０の中心軸線Ｃ１を直線Ｌ１に一致させる。
　これにより、気体供給口１１Ｂから第１ダクト３０を介して気体導入口５Ａに至る空気に対する圧損が抑制され、本実施の形態では、ほぼ無くなる。これにより、送風機１６のエネルギー消費量が抑制される。また、レジスト膜形成装置２Ａの受入口３Ａの中心と気体供給口１１Ｂの中心Ｃａとを結ぶ直線Ｌ１１、Ｌ１２がそれぞれ鉛直方向となす角度は、本実施の形態では１０度以下になっている。この場合、気体導入口５Ａから第１内部ダクト部４Ａを介して受入口３Ａに至る空気に対する圧損も極めて抑制される。これにより、送風機１６のエネルギー消費量が効果的に抑制される。
　また、第１ダクト３０は気体供給口１１Ｂから気体導入口５Ａにわたり真っ直ぐに延びるため、全長が抑制される。これにより、第１ダクト３０内を流れる空気の温度が第１ダクト３０の外部の温度の影響で変化することが抑制される。したがって、処理室３内に導入される空気の温度の制御精度が安定する。また、第１ダクト３０の断熱材を設ける場合には、その容量を抑制できる。
　また、第１ダクト３０は気体供給口１１Ｂから気体導入口５Ａにわたり真っ直ぐに延びるため、第１ダクト３０の内面に接触する第１ダクト３０内の空気の量が抑制される。これにより、第１ダクト３０の内面での結露の発生が抑制され、空気の湿度の乱れが抑制される。したがって、処理室３内に導入される空気の湿度度の制御精度が安定する。
　同様に、第２気体供給装置２００と半導体製造システム１との間の空気の通流に関しても、第１気体供給装置１００と同様に、圧損が抑制される。また、処理室３内に導入される空気の温度の制御精度が安定し、且つ、処理室３内に導入される空気の湿度の制御精度が安定する。
　そして、以上のように送風機１６、２６からの空気に対する圧損が抑制されるため、本実施の形態ではモータ容量の小さい送風機１６、２６を使用した場合でも、処理室３に望まれる流入空気量の仕様を十分に満たし得る。そのため、送風機１６，２６のイニシャルコストを抑制できる。また、エネルギー消費量の抑制によりランニングコストを効果的に抑制できる。
　以上に説明したように、本実施の形態に係る半導体製造プラントＰ１は、気体導入口５Ａ、５Ｂで受け入れた空気を供給される処理室３を有する処理装置２を備えた半導体製造システム１と、空気を気体供給口１１Ｂ、２１Ｂから供給する気体供給装置１００、２００を備えた熱媒体供給システム１０と、気体導入口５Ａ、５Ｂと気体供給口１１Ｂ、２１Ｂとを接続するダクト３０、４０と、を備える。そして、気体供給口１１Ｂ、２１Ｂの中心と気体導入口５Ａ、５Ｂの中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下であり、具体的には０度である。これにより、圧損が抑制されることで、送風機１６、２６のエネルギー消費量が抑制される。また、空気の温度及び湿度の制御精度が安定する。したがって、所定処理が行われる処理室３の状態をエネルギー消費量を抑制しつつ所望状態に高精度に制御し易くなる。
　特に本実施の形態ではダクト３０、４０での空気に対する圧損が極めて抑制されるため、気体供給装置１００、２００側のモータ容量を従来のダクト構成の場合に比較して飛躍的に抑制できる。これにより、送風機１６，２６のイニシャルコストを抑制でき、且つ、ランニングコストを効果的に抑制できる。ＥＵＶを利用する半導体製造プラントは電力消費量が非常に多くなる。このようなプラントにおいて、本実施の形態に係る技術は非常に効果的にエネルギー消費量を抑制できるため、極めて有益である。
　なお、送風機１６，２６を選定する際には、まず、処理装置２（本実施の形態では、複数の処理装置２）が要求する気体の要求供給量と、気体供給装置１００、２００、ダクト３０、４０及び処理装置２で生じる圧損と、を特定する。次いで、複数の送風機の送風機静圧風量特性曲線において、前記圧損を静圧とし、前記要求供給量を前記圧損としての静圧に対応する風量として対応点をプロットし、少なくとも対応点を越える送風機静圧風量特性曲線を有する送風機を選定する。そして、選定された送風機を備える気体供給装置１００、２００が準備される。
＜第２の実施の形態＞
　次に、第２の実施の形態について説明する。図３は、第２の実施の形態に係る半導体製造プラントＰ２の概略図である。本実施の形態の構成部分のうちの第１の実施の形態の構成部分と同じものには、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
　本実施の形態では、図３に示すように半導体製造システム１の第１内部ダクト部４Ａにおける気体導入口５Ａ及び第２内部ダクト部４Ｂにおける気体導入口５Ｂが水平方向に開口している。そして、気体導入口５Ａの中心軸線は気体供給口１１Ｂの中心軸線と非平行となる。また、気体導入口５Ｂの中心軸線は気体供給口２１Ｂの中心軸線と非平行となる。なお、気体導入口５Ａ及び気体導入口５Ｂは、斜め下方に開口してもよい。
　本実施の形態では、直線Ｌ１が鉛直方向となす角度が４５度以下になっており、詳しくは、直線Ｌ１が鉛直方向となす角度は、５度以上１５度以下であり、詳しくは、１０度以上１５度以下になっている。そして、第１ダクト３０が、気体供給口１１Ｂと気体導入口５Ａとを接続している。また、直線Ｌ２が鉛直方向となす角度が４５度以下になっており、詳しくは、直線Ｌ２が鉛直方向となす角度は、５度以上１５度以下であり、詳しくは、１０度以上１５度以下になっている。そして、第２ダクト４０は、気体供給口２１Ｂと気体導入口５Ｂとを接続している。
　また、第１ダクト３０は、気体導入口５Ａ側の端部を含む一部が湾曲している一方、この湾曲部分と気体供給口１１Ｂとの間の部分は鉛直方向ＵＤに平行に延びている。同様に、第２ダクト４０は、気体導入口５Ｂ側の端部を含む一部が湾曲している一方、この湾曲部分と気体供給口２１Ｂとの間の部分は鉛直方向ＵＤに平行に延びている。
　また、各レジスト膜形成装置２Ａの受入口３Ａの中心と、気体供給口１１Ｂの中心Ｃａとを結ぶ直線Ｌ１１、Ｌ１２がそれぞれ鉛直方向となす角度は、０度以上４５度以下であり、本実施の形態では３０度以下になっている。直線Ｌ１１、Ｌ１２がそれぞれ鉛直方向となす角度は小さいほうが良く、２５度以下であることが好ましく、２０度以下であることがより好ましい。また、各現像装置２Ｂの受入口３Ｂの中心と、気体供給口２１Ｂの中心Ｃｃとを結ぶ直線Ｌ２１～Ｌ２４がそれぞれ鉛直方向となす角度は、０度以上４５度以下であり、本実施の形態では３０度以下になっている。直線Ｌ２１～Ｌ２４がそれぞれ鉛直方向となす角度は、小さいほうが良く、２５度以下であることが好ましく、２０度以下であることがより好ましい。
　本実施の形態でも、第１の実施の形態と同様に、所定処理が行われる処理室３の状態をエネルギー消費量を抑制しつつ所望状態に高精度に制御し易くなる。なお、以上の第２の実施の形態に代えて、気体導入口５Ａが、下方又は斜め下方に開口してもよく、気体供給口１１Ｂが、水平方向に開口してもよい。この構成において、例えば、第１ダクト３０における気体供給口１１Ｂ側の端部を含む一部が湾曲している一方、この湾曲部分と気体導入口５Ａとの間の部分は鉛直方向ＵＤに平行に延びるように、第１ダクト３０が気体導入口５Ａと気体供給口１１Ｂとに接続されてもよい。
＜第３の実施の形態＞
　次に、第３の実施の形態について説明する。図４は、第３の実施の形態に係る半導体製造プラントＰ３の概略図である。本実施の形態の構成部分のうちの第１及び第２の実施の形態の構成と同じものには、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
　本実施の形態では、図４に示すように直線Ｌ１が鉛直方向となす角度が４５度以下になっており、詳しくは、直線Ｌ１が鉛直方向となす角度は０度ではなく、約３０度になっている。そして、第１ダクト３０が、気体供給口１１Ｂと気体導入口５Ａとを接続している。また、直線Ｌ２が鉛直方向となす角度が４５度以下になっており、詳しくは、直線Ｌ２が鉛直方向となす角度は、約３０度になっている。そして、第２ダクト４０は、気体供給口２１Ｂと気体導入口５Ｂとを接続している。
　また、第１ダクト３０は、気体導入口５Ａ側の端部を含む一部が湾曲するとともに、気体供給口１１Ｂ側の端部を含む一部が湾曲する。一方で、第１ダクト３０における両端側の湾曲部の間の部分は、その中心軸線Ｃ１が直線Ｌ１と一致するように真っ直ぐに延びている。同様に、第２ダクト４０は、気体導入口５Ｂ側の端部を含む一部が湾曲するとともに、気体供給口２１Ｂ側の端部を含む一部が湾曲する。一方で、第２ダクト４０における両端側の湾曲部の間の部分は、その中心軸線Ｃ２が直線Ｌ２と一致するように真っ直ぐに延びている。
　また、各レジスト膜形成装置２Ａの受入口３Ａの中心と、気体供給口１１Ｂの中心Ｃａとを結ぶ直線Ｌ１１、Ｌ１２がそれぞれ鉛直方向となす角度は、０度以上４５度以下であり、本実施の形態では３０度以下になっている。直線Ｌ１１、Ｌ１２がそれぞれ鉛直方向となす角度は小さいほうが良く、２５度以下であることが好ましく、２０度以下であることがより好ましい。また、各現像装置２Ｂの受入口３Ｂの中心と、気体供給口２１Ｂの中心Ｃｃとを結ぶ直線Ｌ２１～Ｌ２４がそれぞれ鉛直方向となす角度は、０度以上４５度以下であり、本実施の形態では３０度以下になっている。直線Ｌ２１～Ｌ２４がそれぞれ鉛直方向となす角度は、小さいほうが良く、２５度以下であることが好ましく、２０度以下であることがより好ましい。
　本実施の形態でも、所定処理が行われる処理室３の状態をエネルギー消費量を抑制しつつ所望状態に高精度に制御し易くなる。
＜第４の実施の形態＞
　次に、第４の実施の形態について説明する。図５は、第４の実施の形態に係る半導体製造プラントＰ４の概略図である。本実施の形態の構成部分のうちの第１乃至第３の実施の形態の構成と同じものには、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
　本実施の形態では、図５に示すように半導体製造システム１の第１内部ダクト部４Ａにおける気体導入口５Ａ及び第２内部ダクト部４Ｂにおける気体導入口５Ｂが水平方向に開口している。そして、気体導入口５Ａの中心軸線は気体供給口１１Ｂの中心軸線と非平行となる。また、気体導入口５Ｂの中心軸線は気体供給口２１Ｂの中心軸線と非平行となる。なお、気体導入口５Ａ及び気体導入口５Ｂは、斜め下方に開口してもよい。
　そして、直線Ｌ１が鉛直方向となす角度が４５度以下になっており、詳しくは、直線Ｌ１が鉛直方向となす角度は０度ではなく、約３０度になっている。そして、第１ダクト３０は、気体供給口２１Ｂと気体導入口５Ｂとを接続している。また、直線Ｌ２が鉛直方向となす角度が４５度以下になっており、詳しくは、直線Ｌ２が鉛直方向となす角度は、約３０度になっている。そして、第２ダクト４０は、気体供給口２１Ｂと気体導入口５Ｂとを接続している。
　また、第１ダクト３０は、気体導入口５Ａ側の端部を含む一部が湾曲するとともに、気体供給口１１Ｂ側の端部を含む一部が湾曲する。一方で、第１ダクト３０における両端側の湾曲部の間の部分は、その中心軸線Ｃ１が直線Ｌ１と一致するように真っ直ぐに延びている。同様に、第２ダクト４０は、気体導入口５Ｂ側の端部を含む一部が湾曲するとともに、気体供給口２１Ｂ側の端部を含む一部が湾曲する。一方で、第２ダクト４０における両端側の湾曲部の間の部分は、その中心軸線Ｃ２が直線Ｌ２と一致するように真っ直ぐに延びている。その他の直線Ｌ１１、Ｌ１２がそれぞれ鉛直方向となす角度に関する態様、及び、直線Ｌ２１～Ｌ２４がそれぞれ鉛直方向となす角度に関する態様は、第３の実施の形態と同様である。
　本実施の形態でも、所定処理が行われる処理室３の状態をエネルギー消費量を抑制しつつ所望状態に高精度に制御し易くなる。
＜第５の実施の形態＞
　次に、第５の実施の形態について説明する。図６は、第５の実施の形態に係る半導体製造プラントＰ５の概略図である。本実施の形態の構成部分のうちの第１乃至第４の実施の形態の構成と同じものには、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
　本実施の形態では、図６に示すように半導体製造システム１の第１内部ダクト部４Ａにおける気体導入口５Ａが水平方向に開口している。なお、気体導入口５Ａは、斜め下方に開口している。そして、気体導入口５Ａの中心軸線は気体供給口１１Ｂの中心軸線と非平行となる。そして、直線Ｌ１が鉛直方向となす角度が０度になっており、第１ダクト３０が、気体供給口１１Ｂと気体導入口５Ａとを接続している。第１ダクト３０は、気体導入口５Ａ側の端部を含む一部が湾曲する。一方で、第１ダクト３０における気体導入口５Ａ側の湾曲部と気体供給口１１Ｂとの間の部分は、その中心軸線Ｃ１が直線Ｌ１と一致するように真っ直ぐに且つ鉛直方向ＵＤに平行に延びている。
　本実施の形態でも、所定処理が行われる処理室３の状態をエネルギー消費量を抑制しつつ所望状態に高精度に制御し易くなる。なお、以上の第５の実施の形態に代えて、気体導入口５Ａが、下方又は斜め下方に開口し、気体供給口１１Ｂが水平方向に開口してもよい。そして、この構成において、第１ダクト３０は、気体供給口１１Ｂ側の端部を含む一部が湾曲する一方で、この湾曲部と気体導入口５Ａとの間の部分は、その中心軸線Ｃ１が直線Ｌ１と一致するように真っ直ぐに且つ鉛直方向ＵＤに平行に延びるように、気体供給口１１Ｂと気体導入口５Ａとを接続してもよい。
＜第６の実施の形態＞
　次に、第６の実施の形態について説明する。本実施の形態の構成部分のうちの第１乃至第５の実施の形態の構成と同じものには、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。　
　図７は、第６の実施の形態に係る半導体製造プラントＰ６の概略的な斜視図であり、図８は、図７で示した矢印ＶＩＩＩの方向で第２気体供給装置２００を見た図に対応する。本実施の形態では、第１気体供給装置１００が複数の第１気体供給装置１００Ａ、１００Ｂを含む。第２気体供給装置２００が複数の第２気体供給装置２００Ａ、２００Ｂを含む。
　そして、複数の第１気体供給装置１００Ａ、１００Ｂはそれぞれ、対応する第１ダクト３０を介して対応するレジスト膜形成装置２Ａに別々に接続されている。複数の第２気体供給装置２００Ａ、２００Ｂはそれぞれ、対応する第２ダクト４０を介して対応する２つの現像装置２Ｂに別々に接続されている。第１ダクト３０、第２ダクト４０の接続態様及び向きは、第１乃至第５の実施の形態の態様のいずれかが採用されればよい。
　本実施の形態では、複数のレジスト膜形成装置２Ａの各々で異なる温度及び湿度制御を実施できるため、レジスト膜形成装置２Ａの処理室３の状態を所望状態に確実に高精度に制御し易くなる。また、４つの現像装置２Ｂに関しては、２つの現像装置２Ｂに分けて、別々に温度及び湿度制御を実施できる。この場合、空気を４つの現像装置２Ｂに分配する場合に比較して、現像装置２Ｂの処理室３の状態を所望状態に高精度に制御し易くなる。なお、４つの現像装置２Ｂに別々の第２気体供給装置２００が接続されてもよい。
　また、本実施の形態では、第１気体供給装置１００Ａの筐体１１と、第１気体供給装置１００Ｂの筐体１１とが側面の一部を接触させた状態で配置される。そして、第１気体供給装置１００Ａの気体供給口１１Ｂに接続された第１ダクト３０と、第１気体供給装置１００Ｂの気体供給口１１Ｂに接続された第１ダクト３０とが平行に延び、互いに側面の一部を接触させた状態で隣り合っている。そして、隣り合う筐体１１は、板材等により固定されている。第１気体供給装置１００Ｂの気体供給口１１Ｂは、筐体１１の上面の外縁から広がるように、又は、筐体１１の上面の外縁に近接して設けられている。
　第１気体供給装置１００Ａの筐体１１と第１気体供給装置１００Ｂの筐体１１とが接する場合、両装置の振動が抑制され、空気の温度湿度制御の精度が向上し得る。また、複数（図示例では２つ）の第１ダクト３０が互いに接する場合、ダクト外部の温度からのダクト内の空気への影響が抑制されるため、ダクト内の空気の状態変化が抑制され、空気の温度湿度制御の精度が向上し得る。なお、第１ダクト３０が互いに接する構成を採用する場合、第１ダクト３０は角形ダクトのほうが望ましいが、特に限られない。第２気体供給装置２００Ａ、２００Ｂも、第１気体供給装置１００Ａ、１００Ｂ側と同様のレイアウト及びダクト接続態様になっており、同様の効果が得られる。
　以上、本発明の一実施の形態について説明したが、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施の形態では本発明が半導体製造プラントに適用されているが、本発明は、その他の製造プラントにも適用され得る。
　上述の実施の形態では、レジスト膜形成装置２Ａと現像装置２Ｂとに異なる気体供給装置１００、２００から温度及び湿度が制御された空気が供給される。これに加えて又はこれに代えて、複数の処理装置２は、異なる溶媒を揮発又は乾燥させる互いに異なる処理装置が含まれる場合において、それぞれに別の気体供給装置から気体を供給してもよい。この場合に、異なる処理装置２の一方に気体を供給する気体供給装置の気体の供給量の範囲を、異なる処理装置の他方に気体を供給する気体供給装置の気体の供給量の範囲と異ならせてもよい。

Claims (4)

  1. 　気体導入口で受け入れた気体を供給される処理室を有する処理装置を備えた処理システムと、
    　気体を気体供給口から供給する気体供給装置を備えた熱媒体供給システムと、
    　前記気体導入口と前記気体供給口とを接続するダクトと、を備え、
    　前記熱媒体供給システムが設置されるフロアの上方のフロアに前記処理システムが設置され、
    　前記気体供給口の中心と前記気体導入口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下であり、
    　前記処理システムは、前記気体導入口を有する内部ダクトを備え、前記内部ダクトを通して、前記気体を前記処理室まで送り、
    　前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
    　前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度よりも大きい場合に、前記ダクトの両端部のうちの少なくとも一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
    　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行であり、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度であり、前記ダクトの両端部のうちの一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
    　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行であり、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度でない場合に、前記ダクトは、前記鉛直方向と平行に延びる部分と１つの湾曲部分とで前記気体導入口と前記気体供給口とを接続する、製造プラント。
  2. 　気体導入口で受け入れた気体を供給される処理室を有する処理装置を備えた処理システムと、
    　気体を気体供給口から供給する気体供給装置を備えた熱媒体供給システムと、
    　前記気体導入口と前記気体供給口とを接続するダクトと、を備え、
    　前記気体供給口の中心と前記気体導入口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下であり、
    　前記処理システムは、前記気体導入口を有する内部ダクトを通して、前記気体を前記処理室まで送り、
    　前記処理室は、前記気体を受け入れる受入口を有し、
    　前記受入口の中心と前記気体供給口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下であり、
    　前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
    　前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度よりも大きい場合に、前記ダクトの両端部のうちの少なくとも一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
    　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行であり、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度であり、前記ダクトの両端部のうちの一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するか、又は、
    　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行であり、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度でない場合に、前記ダクトは、前記鉛直方向と平行に延びる部分と１つの湾曲部分とで前記気体導入口と前記気体供給口とを接続する、製造プラント。
  3. 　気体導入口を有する内部ダクトと、前記気体導入口で受け入れた気体を前記内部ダクトを通して供給される処理室を有する処理装置と、を備えた処理システムが設けられる製造プラントにおける機器の設置方法であって、
    　気体を気体供給口から供給する気体供給装置を準備する工程と、
    　前記気体導入口の中心と前記気体供給口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下になるように、前記気体供給装置を、前記処理システムが設置されるフロアの下方のフロアに配置する工程と、
    　前記気体導入口と前記気体供給口とをダクトで接続する工程と、を備え、
    　前記接続する工程で、前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
    　前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度よりも大きくなるように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトの両端部のうちの少なくとも一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
    　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合に、前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度になるように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトの両端部のうちの一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
    　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合に、前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度にならないように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトにおける前記鉛直方向と平行に延びる部分と、１つの湾曲部分とで、前記気体導入口と前記気体供給口とを接続する、製造プラントにおける機器の設置方法。
  4. 　気体導入口を有する内部ダクトと、前記気体導入口で受け入れた気体を前記内部ダクトを通して供給される処理室を有する処理装置と、を備え、前記処理装置は、前記気体を受け入れる受入口を有する処理システムが設けられる製造プラントにおける機器の設置方法であって、
    　気体を気体供給口から供給する気体供給装置を準備する工程と、
    　前記気体導入口の中心と前記気体供給口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下になるように、且つ、前記受入口の中心と前記気体供給口の中心とを結んだ直線が鉛直方向となす角度が、０度以上４５度以下になるように、前記気体供給装置を配置する工程と、
    　前記気体導入口と前記気体供給口とをダクトで接続する工程と、を備え、
    　前記接続する工程で、前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
    　前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度よりも大きくなるように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトの両端部のうちの少なくとも一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
    　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合に、前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度になるように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトの両端部のうちの一方の端部を含む一部を除く部分における前記ダクトの中心軸線と、前記直線とが一致するように前記気体導入口と前記気体供給口とを前記ダクトで接続するか、又は、
    　前記気体導入口の中心軸線と、前記気体供給口の中心軸線とが、非平行である場合に、前記配置する工程で、前記直線が前記鉛直方向となす角度が０度にならないように前記気体供給装置を配置し、前記接続する工程で、前記ダクトにおける前記鉛直方向と平行に延びる部分と、１つの湾曲部分とで、前記気体導入口と前記気体供給口とを接続する、製造プラントにおける機器の設置方法。
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