KR20150071457A - 기판 처리 장치 및 항온 항습 방법 - Google Patents

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KR20150071457A
KR20150071457A KR1020130158510A KR20130158510A KR20150071457A KR 20150071457 A KR20150071457 A KR 20150071457A KR 1020130158510 A KR1020130158510 A KR 1020130158510A KR 20130158510 A KR20130158510 A KR 20130158510A KR 20150071457 A KR20150071457 A KR 20150071457A
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세메스 주식회사
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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 처리 모듈; 및 외부로부터 공급되는 공정용 공기를 상기 처리 모듈로 안내해주는 덕트; 및 상기 덕트를 경유하는 공기의 온도 및 습도를 조절하기 위한 온습도 조절 유닛을 포함하되; 상기 온습도 조절유닛은 냉매를 고온고압으로 압축시키는 압축기; 상기 압축기와 연결되고, 상기 압축기의 고온고압의 냉매를 액상으로 응축하는 응축기; 상기 응축기와 연결되고, 상기 응축기에서 응축된 고압의 액상 냉매를 감압 팽창시키는 팽창밸브; 상기 덕트 내에 설치되며, 상기 팽창밸브를 통과한 저온저압의 액상 냉매와의 열교환을 통해 공기를 냉각 및 가습하는 증발기; 상기 압축기의 압축량을 제어하는 제1콘트롤러; 및 상기 팽창밸브의 팽창량을 제어하는 제2콘트롤러를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 항온 항습 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD OF CONSTANT HUMIDITY FOR SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외기온도에 따라 냉각 제습 온도를 최적화하고 일정하게 유지할 수 있는 온습도 조절 유닛을 갖는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 항온 항습 공기 공급 방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.
이러한 다수의 단위 공정들 중 사진 공정은 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 공정으로서, 감광액 도포(Coating) 공정, 노광(Exposuring) 공정, 그리고 현상(Developing) 공정 등으로 이루어지며, 이러한 공정들은 그 공정에 적합한 공정 조건을 가진다.
여기서, 공정 조건은 기판 처리 장치 내부의 공정 환경을 의미한다. 주요 공정 조건으로는 처리실 내부의 온도, 압력, 기판 온도, 내부 공기 등이 있으며, 이러한 공정 조건들이 안정적으로 제공된 상태에서 공정이 수행되지 않으면 공정 불량률이 높아진다.
특히, 기판 처리 장치로 공급되는 공정용 공기는 매우 정밀한 공정조건을 만족시키기 위하여 그 온도 및 습도가 적정수준으로 제어되어야 한다.
이에, 기판 생산 라인에서는 대부분 기판 처리 장치의 공기 공급단에 공정용 공기의 온도 및 습도를 알맞게 조절할 수 있는 항온항습장치를 설치하고 있다.
종래 항온항습 공기공급장치는 기판 처리 장치의 프로세스챔버 (Process chamber) 등에 연결되며 외부로부터 공급되는 공정용 공기를 기판 처리 장치로 안내해주는 덕트에 설치되며 덕트를 경유하는 공기를 공정진행에 알맞은 온도 22.5∼23.5℃와 습도 45%로 균일하게 조절해주는 온도습도 조절모듈을 포함한다.
기존의 온도습도 조절모듈은 증발기가 항상 일정한 냉각량으로 작동된다. 따라서, 온도습도 조절모듈은 외부 공기의 온도와는 관계없이 일정하게 열교환이 이루어짐으로 외부 공기의 온도에 따라 증발기에서 1차 열교환된 공기의 온도는 상이하게 된다. 이러한 온도 변화는 히터 및 가습기의 효율 저하로 인한 가동 비용 증가를 유발시킨다.
본 발명의 실시예들은 외부 공기의 온도와 연동하여 냉각 및 제습량을 가변시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 항온 항습 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예들은 최적의 냉각 및 제습 온도를 유지하도록 하여 가열 및 가습 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 항온 항습 방법을 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 처리 모듈; 및 외부로부터 공급되는 공정용 공기를 상기 처리 모듈로 안내해주는 덕트; 및 상기 덕트를 경유하는 공기의 온도 및 습도를 조절하기 위한 온습도 조절 유닛을 포함하되; 상기 온습도 조절유닛은 냉매를 고온고압으로 압축시키는 압축기; 상기 압축기와 연결되고, 상기 압축기의 고온고압의 냉매를 액상으로 응축하는 응축기; 상기 응축기와 연결되고, 상기 응축기에서 응축된 고압의 액상 냉매를 감압 팽창시키는 팽창밸브; 상기 덕트 내에 설치되며, 상기 팽창밸브를 통과한 저온저압의 액상 냉매와의 열교환을 통해 공기를 냉각 및 가습하는 증발기; 상기 압축기의 압축량을 제어하는 제1콘트롤러; 및 상기 팽창밸브의 팽창량을 제어하는 제2콘트롤러를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
또한, 상기 온습도 조절 유닛은 상기 덕트로 유입되는 외부 공기의 온도를 측정하는 외부온도 센서를 더 포함하고, 상기 제1콘트롤러 및 상기 제2콘트롤러는 상기 외부온도 센서로부터 제공받은 측정값에 따라 상기 압축기의 회전수 및 상기 팽창밸브의 개도율을 조절할 수 있다.
또한, 상기 온습도 조절 유닛은 상기 덕트로 유입되는 외부 공기의 온도에 따라 상기 압축기의 회전수 및 상기 팽창밸브의 개도율을 조절할 수 있다.
또한, 상기 온습도 조절 유닛은 상기 덕트로 유입되는 외부 공기의 온도를 측정하는 외부온도 센서를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 온습도 조절 유닛은 상기 증발기에 의해 저온으로 냉각 제습된 공기를 가열하는 가온기; 및 상기 가온기를 통과한 공기의 습도를 조절하는 가습기를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 증발기와 상기 가온기 그리고 상기 가습기는 상기 덕트 상에 순차적으로 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1콘트롤러 및 상기 제2콘트롤러는 상기 외부온도 센서로부터 제공받은 측정값에 따라 상기 압축기의 회전수 및 상기 팽창밸브의 개도율을 조절할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 압축기를 통해 나온 고온고압의 냉매가스를 응축기에서 냉각시킨 후 팽창밸브에서 액화된 냉매가스를 증발기로 공급하여 상기 증발기로 유입된 공기를 냉각 및 제습하는 단계를 포함하되; 상기 냉각 및 제습 단계는 상기 증발기로 유입되는 공기의 온도에 따라 상기 압축기의 회전수 및 상기 팽창밸브의 개도율이 조절되는 기판 처리 장치의 항온 항습 방법을 제공하고자 한다.
또한, 상기 냉각 및 제습 단계는 상기 증발기로 유입되는 공기의 온도가 기본 설정온도보다 높은 경우 상기 압축기의 압축량 및 상기 팽창밸브의 팽창량을 증가시키고, 반대로 외부 온도가 기본 설정온도보다 낮은 경우 압축량과 팽창량을 감소시켜 상기 증발기를 통과한 공기가 항상 일정한 냉각 온도를 유지시킬 수 있다.
또한, 상기 증발기에서 냉각 및 제습된 공기를 공정에 필요한 적정수준의 온도 및 습도를 갖도록 가열 및 가습하는 더 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 외부 공기의 온도와 연동하여 냉각 및 제습량을 가변시킬 수 있어 가열기 및 가습기의 효율을 향상시킬 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 평면도,
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 측면도,
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 공정 처리부를 설명하기 위한 도면,
도 4는 항온항습장치의 구성을 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 측면도이다. 그리고 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 공정 처리부를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 인덱스(20), 공정 처리부(30) 그리고 인터페이스(50)를 포함한다. 인덱스(20), 공정 처리부(30) 및 인터페이스(50)는 제 1 방향(12)으로 나란하게 배치된다. 인덱스(20)는 제 1 방향(12)을 따라 공정 처리부(30)의 전단부에 인접하게 배치되고, 인터페이스(50)는 제 1 방향(12)을 따라 공정 처리부(30)의 후단부에 인접하게 배치된다. 인덱스(20) 및 인터페이스(50)는 길이 방향이 제 1 방향(12)에 수직한 제 2 방향(14)을 향하도록 배치된다. 공정 처리부(30)는 상하 방향으로 적층 배치된 복층 구조를 가진다. 하층에는 제 1 처리 유닛(32a)이 배치되고, 상층에는 제 2 처리 유닛(32b)이 배치된다. 인덱스(20)와 인터페이스(50)는 공정 처리부(30)로 기판을 반출입한다.
제 1 처리 유닛(32a)은 제 1 이송로(34a), 제 1 메인 로봇(36a), 그리고 처리 모듈들(40a,40b)을 포함한다. 제 1 이송로(34a)는 인덱스(20)와 인접한 위치에서 인터페이스(50)와 인접한 위치까지 제 1 방향(12)으로 길게 제공된다. 제 1 이송로(34a)의 길이 방향을 따라 제 1 이송로(34a)의 양측에는 처리 모듈들(40a,40b)이 배치되고, 제 1 이송로(34a)에는 제 1 메인 로봇(36a)이 설치된다. 제 1 메인 로봇(36a)은 인덱스(20), 처리 모듈들(40a,40b), 그리고 인터페이스(50) 간에 기판을 이송한다.
제 2 처리 유닛(32b)은 제 2 이송로(34b), 제 2 메인 로봇(36b), 그리고 처리 모듈(40a,40b)들을 포함한다. 제 2 이송로(34b)는 인덱스(20)와 인접한 위치에서 인터페이스(50)와 인접한 위치까지 제 1 방향(12)으로 길게 제공된다. 제 2 이송로(34b)의 길이 방향을 따라 제 2 이송로(34b)의 양측에는 처리 모듈들(40a,40b)이 배치되고, 제 2 이송로(34b)에는 제 2 메인 로봇(36b)이 설치된다. 제 2 메인 로봇(36b)은 인덱스(20), 처리 모듈들(40a,40b), 그리고 인터페이스(50) 간에 기판을 이송한다.
제 1 처리 유닛(32a)은 도포 공정을 진행하는 모듈들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가지고, 제 2 처리 유닛(32b)는 현상 공정을 진행하는 모듈들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가진다. 이와 달리 제 1 처리 유닛(32a)이 현상 공정을 진행하는 모듈들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가지고, 제 2 처리 유닛(32b)이 도포 공정을 진행하는 모듈들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가질 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 처리 유닛(32a, 32b)가 도포 공정을 수행하는 모듈들과 현상 공정을 수행하는 모듈들, 그리고 베이크 모듀들을 모두 가질 수도 있다.
이하에서는 제 1 처리 유닛(32a)이 도포 공정을 진행하는 모듈들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가지고, 제 2 처리 유닛(32b)이 현상 공정을 진행하는 모듈들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가지는 경우를 예로 들어 설명한다.
제 1 처리 유닛(32a)의 베이크 모듈들(40b)로는 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판을 소정의 온도로 가열하여 기판 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(Pre-Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛과, 포토레지스트를 기판상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(Soft-Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛과, 기판을 냉각하는 공정을 수행하는 베이크 유닛 등을 예로 들수 있다. 그리고, 제 2 처리 유닛(32b)의 베이크 모듈들(40b)로는 광이 조사되어 변형된 포토 레지스트를 현상한 이후에 행하는 하드 베이크(Hard-Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛, 포토 레지스트를 광원으로 노광시킨 이후에 행하는 노광 후 베이크(Post Exposure Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛, 그리고 기판을 냉각하는 공정을 수행하는 베이크 유닛 등을 예로 들을 수 있다.
인덱스(20)는 공정 처리부(30)의 전단부에 설치된다. 인덱스(20)는 기판들이 수용된 카세트(C)가 놓이는 로드 포트들(22a,22b,22c,22d)과, 인덱스 로봇(100a)을 가진다. 로드 포트들(22a,22b,22c,22d)은 제 2 방향(14)을 따라 일 방향으로 나란하게 배치되고, 인덱스 로봇(100a)은 로드 포트들(22a,22b,22c,22d)과 공정 처리부(30)의 사이에 위치한다. 기판들을 수용하는 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)에 의해 로드 포트(22a,22b,22c,22d) 상에 놓인다. 용기(C)는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 인덱스 로봇(100a)은 로드 포트(22a,22b,22c,22d)에 놓인 용기(C)와 공정 처리부(30) 간에 기판을 이송한다.
인터페이스(50)는 공정 처리부(30)를 기준으로 인덱스(20)와 대칭을 이루도록 공정 처리부(30)의 후단부에 설치된다. 인터페이스(50)는 인터페이스 로봇(100b)을 가진다. 인터페이스 로봇(100b)은 인터페이스(50)의 후단에 연결되는 노광 처리부(50)와 공정 처리부(30) 간에 기판을 이송한다.
인덱스 로봇(100a)은 수평 가이드(110), 수직 가이드(120), 그리고 로봇 아암(130)을 가진다. 로봇 아암(130)은 제 1 방향(12)으로 직선 이동 가능하며, Z 축을 중심축으로 하여 회전할 수 있다. 수평 가이드(110)는 로봇 아암(130)의 제 2 방향(14)을 따른 직선 이동을 안내하고, 수직 가이드(120)는 로봇 아암(130)의 제 3 방향(16)을 따른 직선 이동을 안내한다. 로봇 아암(130)은 수평 가이드(110)를 따라 제 2 방향(14)으로 직선 이동하고, Z 축을 중심축으로 회전하고 제 3 방향(16)으로 이동 가능한 구조를 가진다. 인터페이스 로봇(100b)는 인덱스 로봇(100a)과 동일한 구조를 가진다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 기판 처리 장치(10)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 기판들이 수용된 카세트(C)가 오퍼레이터 또는 이송 수단(미도시)에 의해 인덱스(20)의 로드 포트(22a)에 놓인다. 인덱스 로봇(100a)은 로드 포트(22a)에 놓인 카세트(C)로부터 기판을 인출하여 제 1 처리 유닛(32a)의 제 1 메인 로봇(36a)으로 기판을 인계한다. 제 1 메인 로봇(36a)은 제 1 이송로(34a)를 따라 이동하면서 각각의 처리 모듈들(40a,40b)로 기판을 로딩하여 도포 공정 및 베이크 공정을 수행한다. 처리 모듈들(40a,40b)에서 기판에 대한 처리 공정이 완료되면, 처리된 기판은 처리 모듈들(40a,40b)로부터 언로딩된다. 언로딩된 기판은 제 1 메인 로봇(36a)에 의해 인터페이스 로봇(100b)로 전달되고, 인터페이스 로봇(100b)는 이를 노광 처리부(50)으로 이송한다. 노광 공정이 완료된 기판은 인터페이스 로봇(100b)에 의해 제 2 처리 유닛(32b)로 전달된다. 기판은 제 2 메인 로봇(36b)에 의해 처리 모듈들(40a,40b)로 이송되면서 현상 공정 및 베이크 공정이 수행된다. 현상 공정이 완료된 기판은 인덱스(20)로 전달된다.
도 4는 항온항습장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 각각의 처리 모듈들(40a,40b)로 온도 및 습도가 알맞게 조절된 공정용 공기를 공급하는 항온항습장치(300)를 갖는다.
항온항습장치(300)는 기판 처리 장치의 처리 모듈(40a,40b) 등에 연결되며 외부로부터 공급되는 공정용 공기를 처리 모듈로 안내해주는 덕트(Duct,302)와, 덕트(302)에 설치되며 덕트(302)를 경유하는 공기를 공정진행에 알맞은 온도 22.5∼23.5℃와 습도 45%로 균일하게 조절해주는 온습도 조절 유닛(310)을 포함한다. 덕트(302)에는 송풍기(304)가 설치된다.
온습도 조절유닛(310)은 냉각기(320)와 가온기(340) 그리고 가습기(360)를 포함한다. 냉각기(320)와 가온기(340) 그리고 가습기(360)는 덕트(302) 상에 순차적으로 설치된다.
즉, 공기는 냉각기(302)를 통과하면서 노점온도(약10℃)까지 냉각 및 제습된 후, 가온기(340) 및 가습기(360)를 통과하면서 설정된 온도로 가열(23℃) 및 가습(습도 45%)되어 송풍기에 의해 처리모듈(40a,40b)로 공급된다.
냉각기(320)는 냉매를 고온고압으로 압축시키는 압축기(322), 압축기(322)와 연결되고, 압축기(322)의 고온고압의 냉매를 액상으로 응축하는 응축기(324), 응축기(324)와 연결되고, 응축기(324)에서 응축된 고압의 액상 냉매를 감압 팽창시키는 팽창밸브(325), 덕트 내에 배치되며, 팽창밸브(325)를 통과한 저온저압의 액상 냉매와의 열교환을 통해 공기를 냉각 및 가습하는 증발기(326), 압축기(322)의 압축량을 제어하는 제1콘트롤러(327) 및 팽창밸브(325)의 팽창량을 제어하는 제2콘트롤러(328), 그리고 덕트로 유입되는 외부의 공기 온도를 측정하는 외부 온도센서(329)를 포함한다.
압축기(322), 응축기(324), 팽창 밸브(325), 그리고 증발기(326)는 냉동 싸이클을 형성하도록 냉매 순환 라인 상에 순차적으로 배치된다. 냉매는 이들을 연결하는 냉매순환라인을 통해 압축기(322), 응축기(324), 팽창밸브(325) 그리고 증발기(326)를 순환한다. 냉매는 압축기(322)에서 외부로부터 일을 받아 고온 고압으로 압축되며, 압축기(322)로부터 온 고온고압의 냉매가스는 응축기(324)에서 응축열을 방출하여 액화된다. 이후, 응축된 냉매는 팽창 밸브(325)를 지나면서 교축 작용(throttling) 에 의해 냉매 일부가 기화하여 저온 저압의 냉매액으로 된다. 이후 증발기(326)에서 냉매액이 기화하면서 덕트로 유입되는 공기의 열을 빼앗아 냉동효과를 내고 압축기(322)로 유입된다.
한편, 제1콘트롤러(327)와 제2콘트롤러(328)는 외부온도 센서(329)로부터 제공받은 측정값에 따라 압축기(322)의 회전수 및 팽창밸브(325)의 개도율을 조절한다. 외부 온도가 기본 설정온도(예를 들면 23℃)보다 높은 경우 압축량과 팽창량을 증가시키고, 반대로 외부 온도가 기본 설정온도보다 낮은 경우 압축량과 팽창량을 감소시켜 냉각기를 통과한 공기는 항상 일정하고 최적의 냉각 온도를 유지할 수 있다.
즉, 온습도 조절유닛(310)은 냉각 및 제습량을 외부 공기의 온도와 연동되어 가변되도록 함으로써, 외기 온도 변화에 대한 최적의 냉각 및 제습 온도를 유지하도록 함으로써 불필요한 냉각량을 없애 가온기(340) 및 가습기(360)의 효율을 향상시킨다.
이처럼, 항온항습장치(300)에서는 유입구를 통해 덕트(302)로 유입된 공기가 필터에 의해 필러링 된 후 냉각기(320)의 증발기(326)를 통과하면서 습도가 낮은 저온(약10℃)의 공기로 냉각 및 제습되고, 저온/저습도의 공기는 가온기(340)에 의해 가열되고 가습기(360)에 의해 습도가 조절된 후 처리 모듈로 공급된다.
상기의 실시 예에서는 도포 공정이 진행되는 모듈을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명의 항온항습장치는 현상 공정이나 노광 공정을 진행하는 모듈, 이송로, 인덱스 등에도 적용될 수 있다. 또한 본 발명은 사진 공정 이외에도, 기판 처리실로 로딩되는 기판의 온도를 공정 온도로 유지하고자 하는 모든 기판 처리 장치들에 적용될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
300 : 항온항습장치 302 : 덕트
310 : 온습도 조절유닛 320 : 냉각기
340 : 가온기 360 : 가습기

Claims (9)

  1. 기판 처리 장치에 있어서:
    처리 모듈; 및
    외부로부터 공급되는 공정용 공기를 상기 처리 모듈로 안내해주는 덕트; 및
    상기 덕트를 경유하는 공기의 온도 및 습도를 조절하기 위한 온습도 조절 유닛을 포함하되;
    상기 온습도 조절유닛은
    냉매를 고온고압으로 압축시키는 압축기;
    상기 압축기와 연결되고, 상기 압축기의 고온고압의 냉매를 액상으로 응축하는 응축기;
    상기 응축기와 연결되고, 상기 응축기에서 응축된 고압의 액상 냉매를 감압 팽창시키는 팽창밸브;
    상기 덕트 내에 설치되며, 상기 팽창밸브를 통과한 저온저압의 액상 냉매와의 열교환을 통해 공기를 냉각 및 가습하는 증발기;
    상기 압축기의 압축량을 제어하는 제1콘트롤러; 및
    상기 팽창밸브의 팽창량을 제어하는 제2콘트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 온습도 조절 유닛은
    상기 덕트로 유입되는 외부 공기의 온도에 따라 상기 압축기의 회전수 및 상기 팽창밸브의 개도율을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 온습도 조절 유닛은
    상기 덕트로 유입되는 외부 공기의 온도를 측정하는 외부온도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 온습도 조절 유닛은
    상기 증발기에 의해 저온으로 냉각 제습된 공기를 가열하는 가온기; 및
    상기 가온기를 통과한 공기의 습도를 조절하는 가습기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 증발기와 상기 가온기 그리고 상기 가습기는 상기 덕트 상에 순차적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1콘트롤러 및 상기 제2콘트롤러는 상기 외부온도 센서로부터 제공받은 측정값에 따라 상기 압축기의 회전수 및 상기 팽창밸브의 개도율을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 기판 처리 장치의 항온 항습 공기 방법에 있어서:
    압축기를 통해 나온 고온고압의 냉매가스를 응축기에서 냉각시킨 후 팽창밸브에서 액화된 냉매가스를 증발기로 공급하여 상기 증발기로 유입된 공기를 냉각 및 제습하는 단계를 포함하되;
    상기 냉각 및 제습 단계는
    상기 증발기로 유입되는 공기의 온도에 따라 상기 압축기의 회전수 및 상기 팽창밸브의 개도율이 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 항온 항습 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 냉각 및 제습 단계는
    상기 증발기로 유입되는 공기의 온도가 기본 설정온도보다 높은 경우 상기 압축기의 압축량 및 상기 팽창밸브의 팽창량을 증가시키고, 반대로 외부 온도가 기본 설정온도보다 낮은 경우 압축량과 팽창량을 감소시켜 상기 증발기를 통과한 공기가 항상 일정한 냉각 온도를 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 항온 항습 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 증발기에서 냉각 및 제습된 공기를 공정에 필요한 적정수준의 온도 및 습도를 갖도록 가열 및 가습하는 더 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 항온 항습 방법.
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KR20180033848A (ko) * 2016-09-26 2018-04-04 멜콘 주식회사 기체 공급 장치 및 기판 처리 시스템
KR102386541B1 (ko) * 2021-12-08 2022-04-15 씨에스이(주) 반도체 제조공정에 사용된 화학물질 냉각장치
WO2022203677A1 (en) * 2021-03-26 2022-09-29 Applied Materials, Inc. Refrigeration system, rotary union for a refrigeration system, vacuum chamber, substrate processing system and method for cooling a vacuum chamber

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