JP2005197471A - 基板処理装置及び温度調節方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＣＶＤ処理部の温度調節対象に対して温度斑を低減した温度調節を行う。
【解決手段】 温度調節対象である筐体の側壁部６１の内部には，筐体冷却水路６３が形成され，当該筐体冷却水路６３には，冷却水供給源Ａに連通する供給管８１と排出管８２が接続される。筐体冷却水路６３に導入される前の冷却水と筐体冷却水路６３を通過した冷却水との間で熱交換を行う熱交換器８５が配置される。筐体冷却水路６３に導入される冷却水は，側壁部６１内を通過し熱を吸収した冷却水によって昇温される。これにより，側壁部６１に導入する冷却水と側壁部６１から導出する冷却水との温度差が低減され，冷却水で温度調節される側壁部６１内における温度斑が抑制される。
【選択図】 図３

Description

本発明は，基板処理装置及び温度調節方法に関する。

例えば，半導体デバイスの製造工程では，プラズマを用いてウェハを処理する，成膜処理やエッチング処理等のプラズマ処理が行われている。

これらのプラズマ処理は，通常プラズマ処理装置で行われ，例えばプラズマ処理装置が有する筐体内にウェハを収容し，当該筐体内を高温に維持し，当該筐体内にプラズマを発生させることによって行われている。

上述のプラズマ処理は，筐体内の雰囲気の温度やウェハ自体の温度を所定の高温度に維持して行う必要があるため，例えば筐体の側壁面には，筐体内の雰囲気を昇温するためのヒータが取り付けられている。また，筐体には，当該ヒータによって筐体内が過度に昇温するのを防止するための冷却機構が取り付けられている。

従来より，上述の冷却機構は，例えば冷却水供給源の冷却水を，流路に沿って筐体の側壁部の内部に導入し，当該側壁部内を通過させた後当該側壁部から冷却水供給源に戻すような機構になっていた。（例えば，特許文献１参照。）。

しかしながら，上述のように冷却水を筐体の側壁部内を通過させて冷却した場合，当該側壁内の通過中に冷却水がヒータや側壁部からの熱を吸熱し，通過中に冷却水の温度が上昇していく。このため，筐体の側壁部内に流入する時の冷却水の温度と流出する時の冷却水の温度は，著しく異なり，この結果，当該冷却水で温度調節される筐体の側壁部には，冷却水の導入口付近と導出口付近との間に大きな温度差が生じていた。このように，例えば筐体の側壁部内に大きな温度分布が生じた場合，筐体内の雰囲気の温度にも斑が生じ，それがウェハの処理にも悪影響を与えていた。

ＷＯ−０２／０８０２４９Ａ１号公報

本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，筐体の側壁部などの温度調節対象に対し温度斑を低減した温度調節を行うことができる基板処理装置及び温度調節方法を提供することをその目的とする。

上記目的を達成するために，本発明によれば，冷却水を基板処理装置の温度調節対象に導入し当該温度調節対象内を通過させた後温度調節対象内から導出する流路と，前記温度調節対象に導入する前の前記流路内の冷却水と前記温度調節対象内を通過した後の前記流路内の冷却水とを熱交換させる熱交換器と，を備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。

この発明によれば，温度調節対象内に導入する前の冷却水と温度調節対象内を通過して熱を吸収した後の冷却水との間で熱の交換が行われるので，導入前の冷却水が温められ，導入前の冷却水と通過後の冷却水との間の温度差が低減する。これにより，温度調節対象内を通過している冷却水の温度差が低減し，この冷却水によって温度調節される温度調節対象の温度差も低減する。したがって，温度調節対象に対し温度斑の少ない温度調節を行うことができる。この結果，例えば温度調節対象を有する基板処理装置内で行われる基板処理も温度分布の少ない状態で行われ，基板の処理を適正に行うことができる。また，温度調節対象を通過した後の冷却水が有する熱を用いて，導入前の冷却水を昇温させるので，別途加熱機構を配置する必要がなく，装置の大型化や消費電力の増大を防止できる。

本発明によれば，温度調節対象を加熱する加熱部材と，冷却水を温度調節対象内に導入し当該温度調節対象内を通過させて，前記温度調節対象を冷却する流路と，を備え，前記加熱部材は，少なくとも前記温度調節対象における冷却水の導入口付近の領域とそれ以外の領域にそれぞれ配置されていることを特徴とする基板処理装置が提供される。

この発明によれば，加熱部材が冷却水の導入口付近の領域とそれ以外の領域に分けてそれぞれ配置されているので，例えば冷却水の導入口付近の領域の温度をそれ以外の領域の温度よりも高く設定することができる。これにより，冷却水の温度が低い導入口付近の領域の温度を上げて，温度調節対象全体の温度斑を低減することができる。この結果，例えば温度調節対象を有する基板処理装置内で行われる基板処理も温度斑の少ない状態で行われ，基板の処理を適正に行うことができる。

前記基板処理装置は，前記加熱部材が配置された各領域の温度を検出する温度センサと，前記温度センサによって検出された温度に基づいて前記各領域における前記加熱部材による加熱を制御する加熱制御部と，をさらに備えていてもよい。かかる場合，温度センサによって各領域の加熱を制御できるので，各領域の温度がより正確に調整され，温度調節対象全体の温度斑をさらに低減することができる。

前記基板処理装置は，前記温度調節対象に導入する冷却水の流量を調節する流量調節弁と，前記温度センサによって検出された温度に基づいて前記流量調節弁の動作を制御する弁制御部と，をさらに備えていてもよい。かかる場合，各領域の温度に基づいて，各領域の温度が均一になるように冷却水の流量と前記各領域における加熱を制御することができる。温度調節対象内の温度差は，冷却水の流量にも左右されるが，本発明によれば，当該冷却水の流量を踏まえて各領域の温度が調節されるので，各領域間の温度差を安定的に低減することができる。

前記冷却水の導入口付近の領域以外の領域は，前記流路に沿った複数の領域に分割され，前記加熱部材は，当該分割された各領域にそれぞれ配置されていてもよい。この場合，温度調節対象がより細かい領域に分割され，その各領域で個別の加熱が行われるので，温度調節対象内の温度斑をさらに低減することができる。

基板処理装置は，前記温度調節対象内に導入する前の冷却水と前記温度調節対象内を通過した後の冷却水とを熱交換させる熱交換器をさらに備えていてもよい。かかる場合，温度調節対象内を通過し熱を吸収した冷却水によって導入前の冷却水が温められ，導入前の冷却水と通過後の冷却水との温度差が低減する。これにより，温度調節対象内を通過中の冷却水の温度差が低減し，この冷却水によって温度調節される温度調節対象の温度差も低減する。したがって，温度調節対象に対しさらに温度斑の少ない温度調節を行うことができる。

本発明は，基板処理装置の温度調節対象内に導入する前の冷却水と前記温度調節対象内を通過した後の冷却水とを熱交換させることを特徴とする温度調節方法が提供される。かかる場合，温度調節対象内を通過して熱を吸収した冷却水によって，導入前の冷却水が温められるので，導入前の冷却水と通過後の冷却水との間の温度差が低減する。これにより，温度調節対象内を通過中の冷却水の温度差が低減し，この冷却水によって温度調節される温度調節対象における温度分布も低減する。したがって，温度調節対象に対し温度斑を低減した温度調節を行うことができる。この結果，基板処理装置内で行われる基板処理も温度分布の少ない状態で行われ，基板処理を適正に行うことができる。また，温度調節対象を通過した後の冷却水が有する熱を用いて，導入前の冷却水を昇温させるので，別途加熱機構を取り付ける必要がなく，装置の大型化や消費電力の増大が防止できる。

本発明によれば，基板処理装置における温度調節対象を斑なく温度調節することができ，当該基板処理装置における基板処理を一様な温度状態で行うことができる。

以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板処理装置が搭載された基板処理システム１の構成の概略を示す平面図である。

基板処理システム１は，例えばカセット載置台２と，搬送チャンバ３及び真空処理部４とをＸ方向（図１中の左右方向）に沿って直線上に接続した構成を有している。

カセット載置台２には，例えば２５枚のウェハＷを多段に配置させて収容するＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）などの密閉性を有するカセットＣが載置できる。カセット載置台２には，例えばカセットＣをＹ方向（図１の上下方向）に沿って，例えば２つ並べて載置できる。

搬送チャンバ３には，カセットＣから取り出されたウェハＷの位置合わせを行うアライメントステージ１０と，ウェハＷを搬送する多関節アームを備えたウェハ搬送体１１が設けられている。ウェハ搬送体１１は，カセット載置台２上のカセットＣ，アライメントステージ１０及び真空搬送部４に対しアクセスしウェハＷを搬送できる。

真空処理部４には，搬送チャンバ３からＸ方向に沿って延伸する搬送路１２が形成されている。搬送路１２には，例えばロードロック室１３，１４と，基板処理装置としてのＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理部１５，１６とエッチング処理部１７，１８が接続されている。例えば搬送路１２の背面側（Ｙ方向正方向側）には，ロードロック室１３，ＣＶＤ処理部１５，エッチング処理部１７が搬送チャンバ３側から順に接続され，搬送路１２の正面側（Ｙ方向負方向側）には，ロードロック室１４，ＣＶＤ処理部１６，エッチング処理部１８が搬送チャンバ３側から順に接続されている。ロードロック室１３，１４と搬送チャンバ３との接続部には，ウェハＷを搬送する際に開閉するゲートバルブ２０が設けられている。また，搬送路１２とロードロック室１３，１４との接続部，搬送路１２とＣＶＤ処理部１５，１６との接続部及び搬送路１２とエッチング処理部１７，１８との接続部にも，ゲートバルブ２１が設けられている。

真空処理部４の搬送路１２内には，レール２２に沿ってＸ方向に移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は，ウェハＷを保持する多関節アームを有し，ロードロック室１３，１４，ＣＶＤ処理部１５，１６及びエッチング処理部１７，１８に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。

以上のように構成された基板処理システム１では，カセット載置台２上のカセットＣ内のウェハＷが，ウェハ搬送体１１によって取り出され，アライメントステージ１０に搬送されて位置合わせされる。その後，ウェハＷは，ウェハ搬送体１１によってロードロック室１３に搬入され，ウェハ搬送装置２３によって，ロードロック室１３から例えばＣＶＤ処理部１５に搬入されて，ＣＶＤ処理が施される。ＣＶＤ処理が施されたウェハＷは，ウェハ搬送装置２３によってエッチング処理部１７に搬送され，エッチング処理が施される。その後，ウェハＷは，ウェハ搬送装置２３によってロードロック室１３に搬入され，その後ウェハ搬送体１１によってカセットＣ内に戻される。

次に，上述のＣＶＤ処理部１５の構成について説明する。図２は，ＣＶＤ処理部１５の構成の概略を示すための縦断面の説明図である。

例えばＣＶＤ処理部１５は，処理室Ｓを形成する略円筒状の処理容器としての筐体３０を有している。筐体３０内には，ウェハＷを載置する載置台３１が設けられている。載置台３１内には，載置されたウェハＷを昇温させるためのヒータ３２が内蔵されている。載置台３１は，例えばロッドステージ３３に立設された縦長のロッド３４上に支持されている。ロッドステージ３３は，筐体３０の下方に設けられた昇降機構３５に連動している。この昇降機構３５により，ロッドステージ３３が昇降し，載置台３１は筐体３０内で昇降できる。載置台３１からの熱が伝導するロッドステージ３３内には，例えば筐体３０の外部に設置された冷却水供給源（図示せず）から供給された冷却水を流通させるステージ冷却水路３６が形成されており，このステージ冷却水路３６によってロッドステージ３３に蓄熱された熱を除去できる。

筐体３０内には，搬入出時にウェハＷを支持する支持ピン４０が設けられている。支持ピン４０は，ウェハＷを支持した後，載置台３１が上昇することによって，載置台３１上にウェハＷを渡すことができる。

筐体３０の天井部５０には，マイクロ波発生装置５１が設けられている。天井部５０には，例えば筐体３０の外部に設置された冷却水供給源（図示せず）から供給された冷却水を流通させる天井冷却水路５２が形成されている。天井冷却水路５２は，例えば天井部５０の中央にあるマイクロ波供給管５３を中心とした，平面から見て渦巻き状に形成されている。この天井冷却水路５２によって天井部５０に蓄積される熱を除去することができる。

筐体３０には，例えばプラズマを発生させるためのガスを処理室Ｓ内に導入するガス導入部６０が設けられている。また，例えば筐体３０の側壁部６１の内側面には，処理室Ｓ内の雰囲気を昇温するための加熱部材としての筐体ヒータ６２が設けられている。この筐体ヒータ６２は，例えば円筒状の側壁部６１に沿って環状に配置されている。筐体３０の側壁部６１の内部には，冷却水を流通させる筐体冷却水路６３が形成されている。筐体冷却水路６３は，例えば環状の側壁部６１内を蛇行しながら一周するように形成されている。また，側壁部６１内には，側壁部６１の温度を検出する温度センサ６４が設けられている。温度センサ６４による温度の検出結果は，例えば温度制御部６５に出力できる。温度制御部６５は，温度センサ６４によって検出された温度に基づいて筐体ヒータ６２の発熱量を制御できる。

筐体３０の下部には，処理室Ｓ内の雰囲気を排気する排気部７０が形成されている。筐体３０の側壁部６１には，ウェハＷを搬入出するための搬入出口７１が形成されている。

ＣＶＤ処理部１５は，筐体３０の温度調節対象である側壁部６１を温度調節するために図３に示すような冷却機構８０を備えている。図３は，冷却機構８０の構成の概略を模式的に示す説明図である。冷却機構８０は，例えば筐体３０の外部に設置された冷却水供給源Ａから側壁部６１に冷却水を供給する供給管８１と，側壁部６１内を通過した冷却水を冷却水供給源Ａに戻す排出管８２を備えている。冷却水供給源Ａは，例えば常温の冷却水を供給するものである。供給管８１は，筐体冷却水路６３の導入口６３ａに接続され，排出管８２は，筐体冷却水路６３の導出口６３ｂに接続されている。すなわち，供給管８１，筐体冷却水路６３及び排出管８３によって，冷却水を側壁部６１内に導入し側壁部６１内を通過させた後側壁部６１から導出する冷却水の循環流路が形成されている。

供給管８１と排出管８２との間には，バイパス管８３が接続されており，供給管８１とバイパス管８３との接続部には，流量調節弁としての三方弁８４が設けられている。この三方弁８４により，冷却水供給源Ａから供給管８１に供給される冷却水を，筐体冷却水路６３側とバイパス管８３側に流すことができる。また，三方弁８４の開閉度を変更することにより，当該筐体冷却水路６３側に流れる冷却水の流量とバイパス管８３側に流れる流量との割合を調節することができる。三方弁８４の動作は，例えば温度制御部６５によって制御されている。温度制御部６５は，例えば温度センサ６４によって検出された側壁部６１の温度に基づいて三方弁８４の動作を制御し，筐体冷却水路６３に導入する流量を調節できる。なお，本実施の形態において，加熱制御部と弁制御部は，温度制御部６５によって構成されている。

三方弁８４より下流側の供給管８１と排出管８２との間には，熱交換器８５が設けられている。これにより，側壁部６１内に導入される前の冷却水と側壁部６１を通過した後の冷却水とを熱交換させることができる。

次に，以上のように構成されたＣＶＤ処理部１５で行われるＣＶＤ処理のプロセスについて説明する。

先ず，ウェハＷがＣＶＤ処理部１５に搬入される前に，ヒータ３２と筐体ヒータ６２によって処理室Ｓ内の雰囲気と載置台３１の温度が所定温度まで昇温される。次にウェハＷが搬入出口７１から搬入され，支持ピン４０に支持される。その後，載置台３１が上昇し，ウェハＷが載置台３１上に載置される。ウェハＷが載置台３１上に載置されると，ガス導入部６０から所定のガスが導入され，マイクロ波発生装置５１によってそのガスにマイクロ波が付加される。そのマイクロ波の付加によって，処理室Ｓ内にプラズマが生成され，そのプラズマによってウェハＷ上に膜が形成される。ウェハＷ上に所定の膜が形成されると，ウェハＷは，再び支持ピン４０に支持され，搬入出口７１から搬出されてＣＶＤ処理が終了する。

例えばＣＶＤ処理中には，側壁部６１の温度は，温度センサ６４によってモニタリングされている。側壁部６１の温度が所定温度Ｔ以下に維持されている場合には，例えば冷却水供給源Ａから筐体冷却水路６３に供給される冷却水が三方弁８４によって極少量に抑えられる。そして，温度センサ６４によって所定温度Ｔを超えた側壁部６１の温度が検出されると，三方弁８４の開閉度が変更され，筐体冷却水路６３に供給される冷却水の流量が増やされる。このとき熱交換器８５において，筐体冷却水路６３に導入される前の低温の冷却水が側壁部６１内を通過し終えた高温の冷却水と熱交換し温められ,その後側壁部６１内に導入される。側壁部６１に導入された冷却水は，筐体冷却水路６３を通過して排出管８２に導出され，排出管８２を通って冷却水供給源Ａに戻される。冷却水によって側壁部６１内の温度が再び所定温度Ｔ以下になると，三方弁８４の開閉度が変更され，再び筐体冷却水路６３内に供給される冷却水が少量に抑えられる。

以上の実施の形態によれば，熱交換器８５によって，側壁部６１に導入前の冷却水を，側壁部６１を通過した後の冷却水と熱交換させたので，導入前の冷却水が温められ，側壁部６１における導入口６１ａ付近の温度と導出口６１ｂ付近の温度差が低減される。これにより，冷却水による側壁部６１内における温度斑が抑制され，側壁部６１に囲まれた処理室Ｓ内の温度が均等に維持される。この結果，ＣＶＤ処理が適正な温度状態で行われ，ウェハＷ上に適正な膜が形成される。また，側壁部６１への導入前の冷却水を通過後の冷却水を用いて温めたので，側壁部６１から吸収した熱を有効に活用できる。

以上の実施の形態で記載した側壁部６１において，筐体ヒータ６２を例えば図４に示すように筐体ヒータ９０，９１に分割し，当該筐体ヒータ９０，９１を，側壁部６１の導入口６３ａ付近の領域Ｒ１とそれ以外の領域Ｒ２にそれぞれ配置してもよい。この場合，例えば各領域Ｒ１，Ｒ２には，温度センサ９２，９３がそれぞれ設けられる。温度センサ９２，９３の検出結果は，温度制御部６５に出力でき，温度制御部６５は，当該検出結果に基づいて筐体ヒータ９０，９１の発熱量をそれぞれ制御できる。そして，例えば温度センサ９２，９３のどちらかによって，所定温度以上の温度が検出されると，上記実施の形態と同様に筐体冷却水路６３内に流される冷却水の流量が増やされる。このとき，各温度センサ９２，９３によって検出される各領域Ｒ１，Ｒ２の温度に基づいて，各領域Ｒ１，Ｒ２の筐体ヒータ９０，９１の発熱量が制御され，例えば領域Ｒ１と領域Ｒ２の温度が等しくなるように調節される。

かかる場合，低温の冷却水が流入する導入口６３ａ付近の領域Ｒ１の温度とその他の領域Ｒ２の温度との温度差が抑制されるため，側壁部６１全体の温度差がさらに低減し，筐体３０内の雰囲気温度が均一に維持される。なお，この実施の形態では，筐体３０内の雰囲気を加熱するために筐体３０に取り付けられていた筐体ヒータ９０，９１を用いて，各領域Ｒ１，Ｒ２を加熱していたが，各領域Ｒ１，Ｒ２を加熱するためだけの加熱部材を別途配置してもよい。

側壁部６１内で発生する温度差は，筐体冷却水路６３内を流れる冷却水の流量によっても左右される。つまり，冷却水の流量が少ないと，冷却水が側壁部６１内を低速で通過するため，通過中により多くの熱を吸収し，側壁部６１の導入口６３ａ付近の冷却水と導出口６３ｂ付近の冷却水と温度差が大きくなる。かかる点を踏まえて，温度制御部６５は，温度センサ９２，９３によって検出される温度に基づいて，筐体ヒータ９１，９２の発熱量と，三方弁５４による筐体冷却水路６３への冷却水の流量の両方を調節して，側壁部６１の領域Ｒ１，Ｒ２における温度差を低減してもよい。

なお，上記実施の形態において，筐体ヒータ９０，９１の発熱量を温度センサに基づいて制御しなくても，筐体ヒータ９０の発熱量を筐体ヒータ９１の発熱量よりも大きい一定値に設定してもよい。かかる場合も，低温の冷却水が導入する導入口６３ａ付近の領域Ｒ１に，他の領域Ｒ２よりも多くの熱が供給されるので，側壁部６１全体における温度斑を低減できる。

また，上述のように筐体ヒータ９０，９１を各領域Ｒ１，Ｒ２にそれぞれ配置した場合，図５に示すように供給管８１と排出管８２との間の熱交換器がなくてもよい。この場合でも上述したように筐体ヒータ９０，９１の発熱量を調整することによって各領域Ｒ１，Ｒ２間の温度差が低減されるので，側壁部６１内における温度斑を低減できる。

上述の実施の形態では，側壁部６１を導入口６３ａ付近の領域Ｒ１とそれ以外の領域Ｒ２に分けて温度制御していたが，例えば領域Ｒ２をさらに複数の領域に分割し，当該各領域毎に筐体ヒータを配置して温度制御してもよい。例えば領域Ｒ２を図６に示すように３つの領域Ｒ２’，Ｒ３’，Ｒ４’に分割し，各領域Ｒ２’〜Ｒ４’にそれぞれ筐体ヒータ１００，１０１，１０２を配置してもよい。この場合，例えば各領域Ｒ２’〜Ｒ４’に，温度センサ１０３，１０４，１０５がそれぞれ配置される。温度センサ１０３〜１０５による検出結果は，温度制御部６５に出力でき，温度制御部６５は，温度センサ１０３〜１０５によって検出された各領域Ｒ２’〜Ｒ４’の温度に基づいて，各筐体ヒータ１００〜１０２の発熱量を制御できる。そして，冷却水流路６２に冷却水が流されると，総ての領域Ｒ１，Ｒ２’〜Ｒ４’の温度が等しくなるように各領域Ｒ１，Ｒ２’〜Ｒ４’毎に筐体ヒータ９０，１００〜１０２の発熱量が調節される。かかる場合，より細かい領域で側壁部６１の温度調節が行われるので，側壁部６１における温度斑をさらに低減できる。なお，この例では，領域Ｒ２が３つに分割されていたが，その数は任意に選択できる。

以上，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば，本実施の形態では，筐体３０の側壁部６１を温度調節対象としていたが，温度調節対象は，ＣＶＤ処理部１５におけるウェハ処理に熱的な影響を与える他の部材や部分，例えば天井部５０，ロッドステージ３３等であってもよい。また，本発明は，ＣＶＤ処理部１５に限られず，例えば温度制御の必要なＣＶＤ以外の膜形成処理装置，エッチング処理装置及び熱処理装置等の他の基板処理装置にも適用できる。さらに，本発明は，ウェハＷの処理装置に限られず，例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板，マスク基板，レクチル基板などの他の基板の処理装置にも適用できる。

本発明は，基板処理装置の温度調節対象を斑なく温度調節する際に有用である。

基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。 ＣＶＤ処理部の構成の概略を示す縦断面の説明図である。 ＣＶＤ処理部の冷却機構の構成を模式的に示す説明図である。 筐体ヒータを領域毎に分割配置した場合の冷却機構の構成を模式的に示す説明図である。 熱交換器のない場合の冷却機構の構成を模式的に示す説明図である。 筐体の側壁部を複数の領域に分割し，各領域に筐体ヒータを配置した場合の冷却機構の構成を模式的に示す説明図である。

符号の説明

１ 基板処理システム
１５ ＣＶＤ処理部
３０ 筐体
６１ 側壁部
６３ 筐体冷却水路
８１ 供給管
８２ 排出管
８５ 熱交換器
Ｗ ウェハ

Claims (7)

1. 冷却水を温度調節対象に導入し当該温度調節対象内を通過させた後当該温度調節対象内から導出する流路と，
   前記温度調節対象に導入する前の前記流路内の冷却水と前記温度調節対象内を通過した後の前記流路内の冷却水とを熱交換させる熱交換器と，を備えたことを特徴とする，基板処理装置。
2. 温度調節対象を加熱する加熱部材と，
   冷却水を温度調節対象内に導入し当該温度調節対象内を通過させて，前記温度調節対象を冷却する流路と，を備え，
   前記加熱部材は，少なくとも前記温度調節対象における冷却水の導入口付近の領域とそれ以外の領域にそれぞれ配置されていることを特徴とする，基板処理装置。
3. 前記加熱部材が配置された各領域の温度を検出する温度センサと，
   前記温度センサによって検出された温度に基づいて前記各領域における加熱部材による加熱を制御する加熱制御部と，をさらに備えたことを特徴とする，請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記温度調節対象内に導入する冷却水の流量を調節する流量調節弁と，
   前記温度センサによって検出された温度に基づいて前記流量調節弁の動作を制御する弁制御部と，をさらに備えたことを特徴とする，請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記冷却水の導入口付近の領域以外の領域は，前記流路に沿った複数の領域に分割され，
   前記加熱部材は，当該分割された各領域にそれぞれ配置されていることを特徴とする，請求項２，３又は４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記温度調節対象内に導入する前の冷却水と前記温度調節対象内を通過した後の冷却水とを熱交換させる熱交換器をさらに備えたことを特徴とする，請求項２，３，４又は５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 基板処理装置の温度調節対象内に導入する前の冷却水と前記温度調節対象内を通過した後の冷却水とを熱交換させることを特徴とする，温度調節方法。

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