JP4999792B2 - 基板保持装置および基板処理装置 - Google Patents
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Description
枚葉式の基板処理装置は、基板をほぼ水平な姿勢に保持して回転させるスピンチャックと、基板に薬液を供給するための薬液ノズルと、基板にリンス液を供給するためのリンス液ノズルとを備えている。薬液処理時には、基板が回転されつつ、薬液ノズルから基板の表面に薬液が供給される。基板の表面上の薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の表面の全域に広がる。薬液の供給停止後は、純水ノズルから基板の表面にリンス液が供給され、基板に付着している薬液がリンス液で洗い流される。そして、純水の供給停止後、基板の高速回転により、基板に付着しているリンス液が振り切られて除去されて、一連の薬液処理が終了する。
スピンベース101は、フッ素樹脂からなる上カバー102およびSiCからなる下カバー103を備えている。上カバー102は、円板部104と、この円板部104の周縁から下方に向けて延びる周側部105とを一体的に備えている。下カバー103は、円板状をなし、その周縁部に上カバー102の周側部105の下端が接続されている。
円板部104には、各挟持部材106と対向する位置に、貫通孔109が形成されている。貫通孔109には、鉛直方向に延びる軸110が回転可能に挿通されており、挟持部材106は、その軸110の上端に固定されている。軸110の下端部は、下カバー103に固定されたベアリング111に回転可能に保持されている。軸110の途中部には、レバー112が固定されている。レバー112は、軸110の側方に延びている。レバー112の先端部が軸110の回転方向に所定角度範囲内で往復移動されることにより、その角度範囲内で軸110が往復回転し、軸110の回転に伴って、挟持部材106が往復回転する。この往復回転により、挟持部材106の当接部108が基板の端面に対して接離する。複数の挟持部材106の当接部108が基板の端面に当接した状態で、それらの当接部108により基板が挟持され、各挟持部材106の当接部108が基板の端面から離間することにより、その当接部108による基板の挟持が解除される。
この構成によれば、被挿通部材は、貫通孔が形成された板状部を有している。貫通孔には、基板を保持するための保持部材が挿通されている。保持部材と被挿通部材との間は、シール部材によりシールされている。シール部材は、保持部材を取り囲む環状の突出部を有し、保持部材および被挿通部材の一方に固定され、その他方に形成されたシール当接面に対して板状部と直交する方向から突出部が当接するように設けられている。
たとえば、請求項3に記載のように、基板に室温よりも高温の処理流体を供給するための高温処理流体供給機構(3)を備える基板処理装置(1)に、請求項2に記載の基板保持装置(2)が備えられる場合、前記シール部材は、前記被挿通部材に固定され、前記貫通孔は、前記板状部の周縁部に形成され、前記シール当接面の中心軸線は、前記突出部の中心軸線に対して前記板状部の周縁側にずれていることが好ましい。
なお、この項における「処理流体」は、固体のみ以外の形態であればよく、処理のための液体、蒸気、気体(ガス)、あるいは固体と液体との混合物(シャーベット状流体)等を含む。
なお、この項における「処理流体」は、固体のみ以外の形態であればよく、処理のための液体、蒸気、気体(ガス)、あるいは固体と液体との混合物(シャーベット状流体)等を含む。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図である。
基板処理装置1は、基板の一例としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wの表面からレジスト膜を剥離するために用いられる。基板処理装置1は、ウエハWをほぼ水平な姿勢に保持して回転させるためのウエハ保持機構2と、ウエハ保持機構2に保持されたウエハWの表面にSPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)を供給するためのSPM供給機構3とを備えている。
ウエハWは、6個の保持部材7により囲まれる領域内にほぼ水平な姿勢で配置される。
各保持部材7は、スピン軸5と平行な軸線を中心に所定角度範囲内で往復回転可能に設けられている。また、6個の保持部材7は、スピンベース6の周方向に1個置きに配置された3個の保持部材7(ほぼ120度間隔で配置された3個の保持部材7)の組と、残りの3個の保持部材7の組とに分けられている。各組の3個の保持部材7は、連動して所定角度範囲内で往復回転される。その往復回転により、ウエハWの周縁に対して一斉に接離するようになっている。そして、各組の3個の保持部材7がウエハWの周縁に当接されると、その3個の保持部材7によりウエハWが挟持され、この状態から3個の保持部材7がウエハWの周縁から離間されると、ウエハWの挟持が解除される。ウエハ保持機構2は、各組の3個の保持部材7を連動して往復回転させるための連動機構8を備えている。
SPM供給機構3は、ノズル9と、ノズル9に接続された供給管10と、供給管10の途中部に介装されたバルブ11とを備えている。供給管10には、H2SO4とH2O2との混合により生成される高温(たとえば、80℃以上)のSPMが供給される。バルブ11が開かれると、供給管10からノズル9にSPMが供給され、SPMがノズル9から下方に向けて吐出される。
基板処理装置1に搬入されるウエハWは、その表面を上方に向けて、ウエハ保持機構2に保持される。このとき、ノズル9は、ウエハ保持機構2の側方のホームポジションに配置されている。
その後、ノズル9からSPMが吐出される。ノズル9から吐出されるSPMは、回転中のウエハWの表面に供給される。ウエハWの表面に供給されたSPMは、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの表面上を周縁に向けて流れる。また、SPMの供給中、アーム12が所定角度範囲内で揺動されて、ノズル9がウエハWの回転中心上と周縁部上との間で往復移動される。これにより、ウエハWの表面の全域にSPMがむらなく速やかに供給され、SPMに含まれるH2SO5(カロ酸、ペルオキソ一硫酸)の強酸化力によって、ウエハWの表面に形成されているレジスト膜が剥離される。ウエハWの表面から剥離したレジスト膜は、SPMにより押し流され、ウエハWの表面上から除去される。
スピンベース6は、平円板状の上カバー21と、平面視で上カバー21と同じ外形を有する下カバー22とを備えている。上カバー21および下カバー22は、フッ素樹脂からなる。
上カバー21は、平面視円形の板状部60と、板状部60の周縁から下方に向けて突出する周側部61とを一体的に備えている。
上カバー21の周側部61と下カバー22の周側部24との間には、その全周にわたって、Uパッキン26が介在されている。このUパッキン26により、上カバー21と周側部24との間がシールされ、それらの間から収容空間25内へのSPMなどの浸入が防止されるとともに、それらの間から収容空間25外へのパーティクル(収容空間25で発生した摩耗粉など)の流出が防止されている。
上カバー21の周縁部には、保持部材7と同数の円形の貫通孔27がその周縁に沿ってほぼ等角度間隔で形成されている。各貫通孔27には、保持部材7が挿通されている。
ベース33における貫通孔27と対向する部分には、2つのベアリング36,32が上下に間隔を空けて保持されている。2つのベアリング32,36は、それらの中心軸線をシャフト28の中心軸線と一致させた状態に配置されている。
連結軸29は、凹部38に対応した形状の嵌入部39と、嵌入部39から上方に延び、シャフト28の回転軸線を中心軸線とする円筒状のヘッド固定部40と、嵌入部39およびヘッド固定部40の境界部から側方に張り出す鍔部41とを一体的に備えている。そして、連結軸29は、嵌入部39が凹部38に嵌め込まれることにより、シャフト28に対して相対回転不能に連結されている。
基部42には、シャフト28の回転軸線を中心軸線とし、連結軸29のヘッド固定部40の外径とほぼ同じ径を有する孔45が形成されている。基部42は、孔45に連結軸29のヘッド固定部40が挿入され、その下端が連結軸29の鍔部41に上方から当接した状態で、連結軸29に取り付けられている。そして、基部42の上方からヘッド固定部40内にボルト30がねじ込まれることにより、基部42が連結軸29に相対回転不能に固定されている。
挟持部44は、突起46よりも上方まで延びる柱状をなしている。挟持部44の側面には、支持部43(突起46)に支持されたウエハWの端面と対向する位置に、断面V字状の溝47が形成されている。
また、シャフト28の下端部には、スピンベース6の回転時に生じる遠心力によるシャフト28の回転を防止するための錘50がボルト51で固定されている。
円筒部57は、シール部材52の内径(最内周面の径)よりも小さな外径を有している。
図3は、シール押さえ部材(保持部材)とシール部材との相対位置関係を示す図解的な平面図である。
以上のように、スピンベース6の上カバー21の板状部60には、複数の貫通孔27が形成されている。各貫通孔27には、保持部材7が挿通されている。保持部材7と上カバー21との間は、シール部材52によりシールされている。これにより、上カバー21と保持部材7との間から収容空間25内へのSPMなどの浸入を防止できるとともに、それらの間から収容空間25外へのパーティクル(収容空間25で発生した摩耗粉など)の流出を防止できる。
そして、保持部材7の回転軸線C1と直交する方向(板状部60に沿う方向)において、保持部材7(シール押さえ部材54)とシール部材52との間に、ギャップGが形成されている。これにより、ウエハWに対する高温のSPMの供給時に、上カバー21が高温のSPMからの受熱により大きな熱膨張を生じ、その一方で保持部材7を保持するアルミニウム製のベース33の熱膨張が小さくても、上カバー21によりシール部材52を介して保持部材7が押圧されることを防止できる。したがって、上カバー21による押圧が原因で保持部材7が鉛直軸線に対して傾くことを防止でき、保持部材7によるウエハWの良好な保持状態(挟持状態)を維持することができる。
基板処理装置71は、ウエハW表面の異物を除去する洗浄に用いられる。基板処理装置71は、図1に示すSPM供給機構3に代えて、ウエハ保持機構2に保持されたウエハWの表面に室温よりも低温(たとえば、0〜−50℃)の氷粒と液体とを含むシャーベット状流体を供給するためのシャーベット状流体供給機構72を備えている。なお、シャーベット状流体としては、純水、有機溶剤(IPA等)、あるいは酸系薬液(弗酸等)のうちの少なくともいずれか一つを含む流体であってもよい。
ウエハWがウエハ保持機構2に保持されると、ウエハ保持機構2によるウエハWの回転が開始され、ウエハWが所定の回転速度で回転される。また、アーム12が旋回されて、ノズル73がホームポジションからウエハWの上方に移動される。
図5に示すように、保持部材7は、シール押さえ部材54の中心軸線(保持部材7の回転軸線)C1がシール部材52の中心軸線(貫通孔27の中心軸線)C2に対して上カバー21の中心側にずれるように配置されている。これにより、シール部材52の突出部53は、シール当接面59における上カバー21の周縁側に片寄った位置に当接している。また、シール押さえ部材54の円筒部57の外周面とシール部材52の最内周面との間にギャップGが形成され、そのギャップGは、上カバー21の周縁側で相対的に大きく、その反対側の中心側で相対的に小さくなっている。
このように、シール押さえ部材54(シール当接面59)の中心軸線は、突出部53の中心軸線に対して上カバー21の板状部の周縁側にずれている。これにより、シール当接面59において、突出部53の当接位置に対して上カバー21の中心側に、突出部53が当接可能なマージンスペースが設けられている。上カバー21は、ウエハWへのシャーベット状流体の供給時に、シャーベット状流体への吸熱により冷却され、板状部60の周縁が中心に向けて狭まるように熱収縮するので、そのようなマージンスペースが設けられていることにより、上カバー21が熱収縮を生じたときに、シール当接面59に対する突出部53の当接を確実に維持することができる。
また、処理の対象となる基板には、ウエハWの他に、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
2 ウエハ保持機構
3 SPM供給機構
7 保持部材
21 上カバー
22 下カバー
23 対向部
27 貫通孔
52 シール部材
53 突出部
59 シール当接面
71 基板処理装置
72 シャーベット状流体供給機構
G ギャップ
W ウエハ
Claims (4)
- 基板を保持するための保持部材と、
板状部を有し、前記板状部に貫通孔が形成され、前記貫通孔に前記保持部材が挿通される被挿通部材と、
前記保持部材を取り囲む環状の突出部を有し、前記保持部材と前記被挿通部材との間をシールするためのシール部材とを含み、
前記シール部材は、前記保持部材および前記被挿通部材の一方に固定され、その他方に形成されたシール当接面に対して前記板状部と直交する方向から前記突出部が当接するように設けられ、
前記板状部に沿う方向において、前記シール当接面が形成された前記保持部材または前記被挿通部材と前記シール部材との間にギャップが形成されており、
前記シール当接面は、前記突出部の肉厚よりも前記板状部に沿う方向に大きな幅を有する環状に形成されている、基板保持装置。 - 前記突出部は、円環状に形成され、
前記シール当接面は、円環状に形成され、
前記シール当接面の中心軸線と前記突出部の中心軸線とが互いにずれている、請求項1に記載の基板保持装置。 - 請求項2に記載の基板保持装置と、
前記基板保持装置に保持された基板に室温よりも高温の処理流体を供給するための高温処理流体供給機構とを含み、
前記シール部材は、前記被挿通部材に固定され、
前記貫通孔は、前記板状部の周縁部に形成され、
前記シール当接面の中心軸線は、前記突出部の中心軸線に対して前記板状部の周縁側にずれている、基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板保持装置と、
前記基板保持装置に保持された基板に室温よりも低温の処理流体を供給するための低温処理流体供給機構とを含み、
前記シール部材は、前記被挿通部材に固定され、
前記貫通孔は、前記板状部の周縁部に形成され、
前記シール当接面の中心軸線は、前記突出部の中心軸線に対して前記板状部の中心側にずれている、基板処理装置。
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