JP2005277210A - 基板保持回転機構およびそれを用いた基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スピンベースからの液体の滲出を抑制し、基板処理の品質を向上する。
【解決手段】スピンチャック１は、回転軸線１ａまわりに回転されるスピンベース３１と、スピンベース３１の上面に設けられた挟持ピン３２とを有する。挟持ピン３２は、スピンベース３１の内部の収容空間３５に収容されたリンク機構３６を含む挟持ピン駆動機構３３によって、挟持位置と解除位置との間で変位させられる。リンク機構３６からの駆動力を挟持ピン３２に伝達するための回動軸５１は、スピンベース３１の上板部の貫通孔５０に挿通されており、この貫通孔５０には、処理液の侵入を防ぐシール部材５８が設けられている。このシール部材５８とスピンベース３１の上面との間の隙間に連通するように、液排出通路７０が形成されている。
【選択図】 図１

Description

この発明は、基板に処理液を供給して処理する基板処理装置、およびこのような基板処理装置に用いられる基板保持回転機構に関する。処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。

半導体装置や液晶表示装置の製造工程で用いられる基板処理装置には、複数枚の基板を一括して処理するバッチ型のものと、基板を一枚ずつ処理する枚葉型のものとがある。枚葉型の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に処理液を供給する処理液ノズルとを備えている。

スピンチャックは、たとえば、円盤状のスピンベースと、このスピンベースの周縁部に立設された複数本の挟持ピンと、スピンベースの内部の収容空間に収容された挟持ピン駆動機構とを備えている。挟持ピンは、挟持ピン駆動機構によって、基板を挟持する挟持位置と、基板の挟持を解除した解除位置との間で変位される。
スピンベースは、上板部、下板部およびこれらの周縁を結合する側板部を備え、これらによって、前記収容空間が区画されている。スピンベースの上板部には、挟持ピン駆動機構から挟持ピンに駆動力を伝達するための伝達軸を回動自在に貫通させる貫通孔が形成されている。この貫通孔の内壁面と伝達軸との間には、前記収容空間への処理液の侵入を防ぐシール部材が配置されている。
特開２００３−８８７９３号公報

挟持ピンの駆動のための伝達軸が回動するとき、伝達軸の外周面とシール部材とが摺接することになる。この摺接に伴う発塵が処理対象の基板に影響を及ぼすことを可及的に抑制するために、シール部材は、上板部の外表面側ではなく、内表面側（前記収容空間側）に配置されるのが通常である。
そのため、スピンベースの上面からシール部材までの間には、微量の処理液が入り込む隙間が生じている。この隙間に入り込んだ処理液は、とくにスピンチャックの高速回転時に、滲出するおそれがある。これにより、当該処理液とは別の処理液を用いる処理時や乾燥処理時において基板の汚染を生じることになり、処理不良の原因となるおそれがある。

そこで、この発明の目的は、スピンベースからの液体の滲出を抑制または防止することにより、基板処理の品質を向上することができる基板保持回転機構および基板処理装置を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を保持して所定の回転軸線まわりに回転させる基板保持回転機構であって、前記回転軸線まわりに回転可能に設けられたスピンベースと、このスピンベースを前記回転軸線まわりに回転駆動する回転駆動機構と、前記スピンベースの表面設けられ、基板を挟持する挟持位置と、基板の挟持を解除する解除位置との間で変位可能な基板挟持部材と、前記スピンベース内の駆動機構収容空間に少なくとも一部が収容され、前記基板挟持部材を駆動するための駆動機構と、この駆動機構からの駆動力を、前記スピンベースの前記駆動機構収容空間から前記表面へと貫通する貫通孔を介して、前記基板挟持部材に伝達する駆動力伝達部材と、前記スピンベースの表面と前記駆動機構収容空間との間において前記駆動力伝達部材と前記貫通孔との間を封止して、前記駆動機構収容空間への液体の侵入を阻止するシール部材と、前記スピンベースの表面と前記シール部材との間の前記貫通孔内壁面に開口するとともに、前記回転軸線から離れる方向に延びて前記スピンベースの外部空間と連通し、前記スピンベースの回転に伴う遠心力によって前記貫通孔の内壁面と前記駆動力伝達部材との隙間から液体を排除する液排出通路とを含むことを特徴とする基板保持回転機構である。

この構成では、スピンベースの表面とシール部材との間において、駆動力伝達部材と貫通孔の内壁面との間に隙間が生じており、この隙間に基板処理用の処理液等の液体が入り込む可能性がある。しかし、このような液体は、スピンベースが回転駆動機構によって回転されることによって遠心力を受け、液排出通路を通ってスピンベースの外部空間に導かれて排除される。そのため、前記隙間に液体が残留することを抑制することができ、このような液体が不用意に滲み出して基板を汚染したりすることを抑制または防止できる。

このようにして、スピンベースからの液体の滲出を抑制または防止しつつ、挟持位置と解除位置との間で変位可能な基板挟持部材をスピンベース上に設け、これをスピンベース内の駆動機構によって駆動することができる。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板保持回転機構と、この基板保持回転機構に保持された基板に処理液を供給する処理液供給機構とを含むことを特徴とする基板処理装置である。

この構成により、基板保持回転機構のスピンベースから処理液の滲出を抑制または防止できるので、スピンベースから滲出した処理液による基板の汚染を抑制または防止できる。これにより、基板の処理品質を向上できる。
請求項３記載の発明は、前記基板保持回転機構に保持された基板から遠心力によって回転半径外方側へと排除される処理液を受ける処理液受け面を内方に有する処理液受け部材をさらに含み、前記スピンベースの外部空間と連通する前記液排出通路の出口が、前記処理液受け部の処理液受け面に対向していることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置である。

この構成により、液排出通路を介してスピンベースの外部空間に導かれた処理液は、基板保持回転機構に保持された基板からの処理液を受けるための処理液受け部材によって受けられる。これにより、液排出通路から排出された処理液による汚染をより効果的に抑制または防止できる。
なお、前記液排出通路の入口は、スピンベースの表面とシール部材との間の前記貫通孔の内壁面において、前記回転軸線からもっとも遠い位置に開口していることが好ましい。

また、前記液排出通路は、回転軸線から離れる方向に直線的に延びて形成されている必要はなく、途中に屈曲部または湾曲部を有していてもよい。ただし、処理液の滞留を防ぐためには、液排出通路は、回転軸線側に戻る通路部分を有しないように、前記貫通孔の内壁面に開口する入口からの路程の増加に伴って前記回転軸線からの距離が単調に増加するように形成されていることが好ましい。

また、液排出通路は、少なくとも出口付近において、スピンベースの基板対向面から離れる方向へと向かって形成されていることが好ましい。これにより、液排出通路の出口から排出される処理液は、基板から離れる方向へと向かうので、この処理液が基板に再付着することを抑制または防止できる。
さらに、前記液排出通路においてスピンベースの外部空間に臨む出口は、スピンベースの外表面に開口していればよく、スピンベースの側壁面に開口していてもよいし、スピンベースの基板非対向面（基板に対向する基板対向面とは反対側の表面）に開口していてもよい。ただし、液排出通路の出口が基板対向面に開口していると、基板を汚染するおそれがあるので、液排出通路の出口は、基板対向面を避けて、スピンベースの外表面に開口するように形成することが好ましい。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための断面図である。この基板処理装置は、ほぼ円形の基板である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに対して処理液を用いた処理を施すための装置である。この基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持するとともに、この保持したウエハＷのほぼ中心を通る鉛直な回転軸線１ａまわりに回転する基板保持回転機構としてのスピンチャック１を処理カップ１０の内方に備えている。

スピンチャック１の上方には、ウエハＷの上面に処理液を供給するための処理液ノズル２が配置されている。この処理液ノズル２には、純水供給源からの純水（脱イオン水）が純水バルブ３を介して供給でき、また、薬液供給源からの薬液（エッチング液など）を薬液バルブ４を介して供給できるようになっている。処理液ノズル２は、ウエハＷの上面の回転中心に向けて処理液を供給する。この処理液は、ウエハＷ上で遠心力を受けて周縁部へと拡がり、ウエハＷの上面に全域に至る。前記処理液ノズル２、純水バルブ３および薬液バルブ４は、処理液供給機構を構成している。

スピンチャック１は、モータ等を含む回転駆動機構５の駆動軸である回転軸６に結合されて回転されるようになっている。この回転軸６は、中空軸とされていて、その内部には、純水または薬液を供給することができる処理液供給管７が挿通されている。この処理液供給管７の上端には、スピンチャック１に保持されたウエハＷの下面中央に近接した位置に吐出口８ａを有する中心軸ノズル（固定ノズル）８が結合されており、この中心軸ノズル８の吐出口８ａから、ウエハＷの下面の中央に向けて、処理液（薬液または純水）を供給できる。この処理液は、遠心力の働きによって、ウエハＷの下面全域に広がる。

処理液供給管７には、純水供給源に接続された純水バルブ１１または薬液供給源に接続された薬液バルブ１２を介して、純水または薬液（たとえば、エッチング液）が所要のタイミングで供給されるようになっている。前記処理液供給管７、中心軸ノズル８、純水バルブ１１および薬液バルブ１２は、処理液供給機構を構成している。
処理液供給管７と回転軸６の内壁との間の空間は、プロセスガス供給路９とされており、このプロセスガス供給路９は、中心軸ノズル８の周囲において、ウエハＷの下方の空間と連通している。プロセスガス供給路９には、プロセスガス供給源からのプロセスガス（たとえば、窒素等の不活性ガス）が、プロセスガスバルブ１３を介して供給されるようになっている。

処理カップ１０は、スピンチャック１の下方に配置された底壁１５と、この底壁１５から鉛直上方に立ち上がる複数（この実施形態では３個）の円筒状隔壁１６，１７，１８とを備えている。円筒状隔壁１６，１７，１８は、回転軸６と同軸に配置されていて、内側および中間の円筒状隔壁１６，１７の間には、処理液を排液するための排液溝１９が形成されている。この排液溝１９の底面には、排液配管２０が接続されている。さらに、中間および外側の円筒状隔壁１７，１８の間には、処理液（主として薬液）を再利用のために回収するための回収溝２７が形成されている。この回収溝２７の底面には、回収配管２８が接続されている。

スピンチャック１の周囲において、処理カップ１０の上方には、スピンチャック１の回転に伴って遠心力によって周囲に飛び出す処理液を受けるための処理液受け部材としてのスプラッシュガード２１が配置されている。スプラッシュガード２１は、スピンチャック１を取り囲む環状筒であり、その上方部には、スピンチャック１に対向する内壁面に、断面横向きＶ字形の排液受け部２２（処理液受け面）が形成されている。この排液受け部２２は、その下端において、排液溝１９へと垂下した排液ガイド部２３と連設している。また、スプラッシュガード２１の下方部の内壁面には、内方および下方に開放した湾曲面からなる回収液受け部２５が形成され、この回収液受け部２５は回収溝２７の内方へと処理液を導くようになっている。

スプラッシュガード２１は、スプラッシュガード昇降駆動機構２４によって、上下動されるようになっている。これにより、スプラッシュガード２１は、図１において二点鎖線で示す回収位置２１Ａと、同じく二点鎖線で示す排液位置２１Ｂと、実線で示す退避位置２１Ｃとの間で上下動される。スプラッシュガード２１が回収位置２１Ａにあるとき、回収液受け部２５は、スピンチャック１に保持されたウエハＷの周端面に対向し、ウエハＷから外方へと排除される処理液を受け、この処理液を回収溝２７へと導く。一方、スプラッシュガード２１が排液位置２１Ｂにあるときは、排液受け部２２が、スピンチャック１に保持されたウエハＷの周端面に対向し、ウエハＷから外方へと排除される処理液を受け、この処理液は、排液ガイド部２３から排液溝１９へと導かれる。さらに、スプラッシュガード２１が退避位置２１Ｃにあるときは、排液受け部２２および回収液受け部２５とも、スピンチャック１に保持されたウエハＷよりも下方に退避しており、ウエハＷから排除される処理液は、スプラッシュガード２１の上方を通って、処理室（図示せず）の内壁に至り、図示しない排液経路を通って排液される。

スピンチャック１は、図２に示すように、円盤状のスピンベース３１と、このスピンベース３１の上面（基板対向面）の周縁部に間隔をあけて複数箇所（図２の例では等間隔で３箇所）に設けられた基板挟持部材としての挟持ピン３２と、この挟持ピン３２を駆動するための挟持ピン駆動機構３３（図１参照）とを備えている。
挟持ピン駆動機構３３は、たとえば、スピンベース３１の内部の収容空間３５に収容されたリンク機構３６と、このリンク機構３６を駆動するリンク駆動機構３７とを含む。

リンク駆動機構３７は、回転軸６とともに回転する回転側可動部材３８と、この回転側可動部材３８の外周側に軸受け３９を介して結合された固定側可動部材４０と、この固定側可動部材４０を昇降させるための挟持ピン駆動用昇降駆動機構４１とを備えている。
挟持ピン駆動用昇降駆動機構４１によって固定側可動部材４０を昇降させると、これとともに回転側可動部材３８が昇降し、この昇降運動がリンク機構３６に伝達されて、挟持ピン３２の動作に変換される。これにより、挟持ピン３２を、ウエハＷを挟持する挟持位置と、その挟持を解除する解除位置との間で変位させることができる。固定側可動部材４０と回転側可動部材３８とが軸受け２９を介して結合されているので、スピンチャック１の回転中であっても、挟持ピン３２によるウエハＷの挟持を解除したり緩めたりして、ウエハＷの挟持位置を変更することもできる。

図３は、挟持ピン３２の近傍の構成を拡大して示す断面図である。個々の挟持ピン３２は、ウエハＷの周縁部の下面を支持する支持部３２ａと、ウエハＷの周端面を側方から保持する挟持部３２ｂと、支持部３２ａおよび挟持部３２ｂを連結するレバー３２ｃ（図２参照）とを有し、支持部３２ａを中心として鉛直軸線まわりに回動されるようになっている。これにより、挟持部３２ｂをウエハＷの周端面に対して近接／離反させることができ、ウエハＷを挟持する挟持位置と、このような挟持を解除した解除位置とに変位させることができる。挟持部３２ｂは、ウエハＷの周端面に対応した内向きのＶ字状断面を有するウエハ受け部３４を備えており、挟持部３２ｂをウエハＷの周端面に押し当てると、ウエハＷはウエハ受け部３４にせり上がることによって、支持部３２ａから浮き上がった状態となる。

スピンベース３１は、円板状の上板部４５と、円板状の下板部４６と、これらを周縁部において連結する側板部４７とを備え、これらは、その内部に収容空間３５を区画している。この実施形態では、上板部４５と側板部４７とは一体的に形成されており、側板部４７と下板部４６とは、Ｏリング４８を介して結合されている。
上板部４５の周縁部には、鉛直方向に貫通する貫通孔５０が形成されている。この貫通孔５０には、駆動力伝達部材としての回動軸５１が挿通されている。この回動軸５１の上端に挟持ピン３２が結合されている。

上板部４５の上面において貫通孔５０の周縁部には、円筒形の突条５２が突設されている。この突条５２の上端面は、微小な隙間６１をあけて挟持ピン３２に対向している。また、貫通孔５０の内壁には、回動軸５１の外周面に微小な隙間６２をあけて対向する回動軸対向部５５と、この回動軸対向部５５の下方に形成されたシール保持段部５６と、このシール保持段部５６の下方に形成されたシール押さえ保持段部５７とが形成されている。回動軸対向部５５、シール保持段部５６およびシール押さえ保持段部５７は、同軸の円筒内面を有しており、シール保持段部５６の円筒内面は、回動軸対向部５５よりも大径に形成され、さらに、シール押さえ保持段部５７の円筒内面はシール保持段部５６の円筒内面よりも大径に形成されている。

シール保持段部５６には、上シール部材５８が圧入されており、シール押さえ保持段部５７には、シール押さえ部材６０が圧入されている。そして、シール押さえ部材６０と上シール部材５８との間に、下シール部材５９が保持されている。上シール部材５８は、回動軸５１の外周面に密接に摺接し、収容空間３５への処理液の侵入を防ぐ。この上シール部材５８の上面とシール保持段部５６との間には、隙間６３が形成されている。下シール部材５９は、回動軸５１の外周面に密接に摺接し、収容空間３５内で生じた発塵がスピンベース３１外にもたらされないようにしている。

シール押さえ部材６０は、その上面側に下シール部材５９が圧入されるシール保持段部６５を有し、その下面側には、軸受け保持段部６６を有している。この軸受け保持段部６６には、回動軸５１を回動自在に軸支する軸受け６７が圧入されている。
一方、回動軸５１の下端部５３は小径部となっており、この下端部５３は、軸受け６８によって軸支されている。この軸受け６８は、下板部４６の内側面（上面）に固定された円筒状の軸受け保持部６９に圧入されている。

回動軸５１の中間部は、リンク機構３６に結合されている。これにより、回動軸５１は、リンク機構３６からの駆動力を得て、その中心軸まわりに回動することになる。
上板部４５から側板部４７にわたる領域には、前述の隙間６１，６２，６３内に入り込んだ処理液を排出するための液排出通路７０が形成されている。
上シール部材５８は、回動軸５１の外周面に密接するとともに、シール保持段部５６において貫通孔５０の内壁面に密接するため、スピンベース３１外の処理液は、上シール部材５８の上方にまで至るとしても、その内方にまでは入り込まない。そこで、液排出通路７０は、上シール部材５８の上面とシール保持段部５６との間の隙間６３に連通する範囲で、スピンベース３１の回転軸線１ａ（スピンチャック１の回転軸線と共通）からもっとも遠い位置において貫通孔５０の内壁面に開口する入口７１を有している。また、液排出通路７０は、側板部４７の外周面に開口する出口７２を有している。

液排出通路７０は、入口７１から出口７２に向かう路程において、スピンベース３１の回転軸線１ａに近づく方向に戻る部分を有しておらず、入口７１からの路程が増加するに従って回転軸線１ａからの距離が単調に増加するように形成されている。これにより、液排出通路７０内での処理液の滞留を防止し、遠心力による処理液の排出を円滑にしている。

さらに、この実施形態では、液排出通路７０は、入口７１から出口７２に向かう路程において、上方へと向かう部分を有しておらず、入口７１からの路程が増加するに従って単調に下方に向かう形状に形成されている。これにより、処理液の排出がより一層円滑に行われるようになっている。また、出口７２をウエハＷから遠ざけることができるので、出口７２から出た処理液がウエハＷに再付着することを抑制または防止できる。さらに、出口７２付近において、液排出通路７０は、下方に向かって形成されているため、出口７２から出た処理液は下方に向かうことになる。そのため、液排出通路７０から排出された処理液が舞い上がったりすることを抑制または防止することができ、ウエハＷへの処理液の再付着を効果的に抑制または防止できる。

液排出通路７０の出口７２は、図１に示されているように、退避位置２１Ｃにあるスプラッシュガード２１の排液受け部２２に対向するように高さが定められている。これにより、液排出通路７０の出口から排出された処理液は、排液受け部２２によって受けられ、排液溝１９へと導かれることになる。これにより、処理液が周囲にまき散らされてウエハＷの汚染を生じることを抑制または防止できるようになっている。

液排出通路７０の出口７２を前述のような高さに配置するために、この実施形態では、液排出通路７０は屈曲した形状に形成されている。すなわち、液排出通路７０は、入口７１から緩やかな下向き傾斜でスピンベース３１の回転半径外方側へと向かう直線状の第１通路部７６と、この第１通路部７６に連なり、第１通路部７６よりも急な下向き傾斜で出口７２へと向かう直線状の第２通路部７７とを有している。

ウエハＷに対する処理を概説すれば、次のとおりである。
まず、スプラッシュガード２１が退避位置２１Ｃに配置され、未処理のウエハＷが、基板搬送ロボット（図示せず）によって、スピンチャック１に受け渡される。このとき、挟持ピン３２は解除位置とされている。基板搬送ロボットのハンドが退避すると、挟持ピン駆動用昇降駆動機構４１が駆動されて、挟持ピン３２が挟持位置とされる。この状態で、回転駆動機構５によってスピンチャック１が回転軸線１ａまわりに回転駆動される。

次いで、薬液バルブ４，１２が開かれ、処理液ノズル２および中心軸ノズル８から、ウエハＷの上下面に薬液が供給される。このとき、スプラッシュガード２１は、回収位置２１Ａに配置される。こうして、ウエハＷの上下面に対して、薬液による処理が行われ、使用後の薬液は再利用のための回収される。
一定時間にわたって薬液処理を行った後に、薬液バルブ４，１２が閉じられ、スプラッシュガード２１を排液位置２１Ｂ（または退避位置２１Ｃ）に切り換えた後、純水バルブ３，１１が開かれる。これにより、ウエハＷの上下面に対して、純水によるリンス処理が行われる。

一定時間にわたって純水リンス処理を行った後には、純水バルブ３，１１を閉じるとともに、スピンチャック１を高速回転（たとえば３０００ｒｐｍ程度の回転速度）させて、ウエハＷの上下面の水滴を振り切るための乾燥工程が行われる。このとき、スプラッシュガード２１は、退避位置２１Ｃに配置される。
この乾燥工程の後には、スピンチャック１の回転を停止させ、さらに、挟持ピン駆動用昇降駆動機構４１を作動させて挟持ピン３２を解除位置とする。その後、基板搬送ロボットのハンドによって、処理済みのウエハＷが当該基板処理装置から搬出されることになる。

貫通孔５０の内壁面において処理液が入り込む可能性のある前述の隙間６１，６２，６３内に処理液が入り込んでいれば、この処理液は、主として乾燥工程におけるスピンチャック１の高速回転時に、遠心力の働きにより、液排出通路７０を通って、その出口７２からスピンベース３１外へと排出される。したがって、隙間６１，６２，６３内に入り込んだ処理液が、薬液処理中に滲み出たり、乾燥処理時にウエハＷに向かってまき散らされたりすることを抑制または防止することができ、ウエハＷの処理品質を向上することができる。

さらに、液排出通路７０の出口７２から排出された処理液は、退避位置２１Ｃにあるスプラッシュガード２１の排液受け部２２で受けられて排液され、処理室内でまき散らされることがないので、液排出通路７０から排出された処理液によって処理済みのウエハＷが再汚染されることを効果的に抑制または防止できる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明の他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、液排出通路７０は、側板部４７の外周面に開口する出口７２を有しているが、液排出通路７０の出口は、下板部４６の下面に開口するように設けてもよい。

また、前述の実施形態では、液排出通路７０は、屈曲形状に形成されているが、湾曲形状に形成されてもよく、また、直線状に形成されてもよい。
さらに、前述の実施形態では、円形基板としてのウエハＷに対する処理を行う装置を例にとったが、液晶表示装置用ガラス基板などの角形基板を処理する装置に対しても、この発明の適用が可能である。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための断面図である。 スピンチャックの構成を説明するための斜視図である。 挟持ピンの近傍の構成を拡大して示す断面図である。

符号の説明

１ スピンチャック
１ａ 回転軸線
２ 処理液ノズル
３ 純水バルブ
４ 薬液バルブ
５ 回転駆動機構
６ 回転軸
７ 処理液供給管
８ 中心軸ノズル
８ａ 吐出口
９ プロセスガス供給路
１０ 処理カップ
１１ 純水バルブ
１２ 薬液バルブ
１３ プロセスガスバルブ
１５ 底壁
１６ 円筒状隔壁
１７ 円筒状隔壁
１８ 円筒状隔壁
１９ 排液溝
２０ 排液配管
２１ スプラッシュガード
２１Ａ 回収位置
２１Ｂ 排液位置
２１Ｃ 退避位置
２２ 排液受け部
２３ 排液ガイド部
２４ スプラッシュガード昇降駆動機構
２５ 回収液受け部
２７ 回収溝
２８ 回収配管
２９ 軸受け
３１ スピンベース
３２ 挟持ピン
３２ａ 支持部
３２ｂ 挟持部
３２ｃ レバー
３３ 挟持ピン駆動機構
３４ ウエハ受け部
３５ 収容空間
３６ リンク機構
３７ リンク駆動機構
３８ 回転側可動部材
３９ 軸受け
４０ 固定側可動部材
４１ 挟持ピン駆動用昇降駆動機構
４５ 上板部
４６ 下板部
４７ 側板部
４８ リング
５０ 貫通孔
５１ 回動軸
５２ 突条
５３ 下端部
５５ 回動軸対向部
５６ シール保持段部
５７ シール押さえ保持段部
５８ 上シール部材
５９ 下シール部材
６０ シール押さえ部材
６１ 隙間
６２ 隙間
６３ 隙間
６５ シール保持段部
６６ 軸受け保持段部
６７ 軸受け
６８ 軸受け
６９ 軸受け保持部
７０ 液排出通路
７１ 入口
７２ 出口
７６ 第１通路部
７７ 第２通路部
Ｗ ウエハ

Claims (3)

1. 基板を保持して所定の回転軸線まわりに回転させる基板保持回転機構であって、
   前記回転軸線まわりに回転可能に設けられたスピンベースと、
   このスピンベースを前記回転軸線まわりに回転駆動する回転駆動機構と、
   前記スピンベースの表面設けられ、基板を挟持する挟持位置と、基板の挟持を解除する解除位置との間で変位可能な基板挟持部材と、
   前記スピンベース内の駆動機構収容空間に少なくとも一部が収容され、前記基板挟持部材を駆動するための駆動機構と、
   この駆動機構からの駆動力を、前記スピンベースの前記駆動機構収容空間から前記表面へと貫通する貫通孔を介して、前記基板挟持部材に伝達する駆動力伝達部材と、
   前記スピンベースの表面と前記駆動機構収容空間との間において前記駆動力伝達部材と前記貫通孔との間を封止して、前記駆動機構収容空間への液体の侵入を阻止するシール部材と、
   前記スピンベースの表面と前記シール部材との間の前記貫通孔内壁面に開口するとともに、前記回転軸線から離れる方向に延びて前記スピンベースの外部空間と連通し、前記スピンベースの回転に伴う遠心力によって前記貫通孔の内壁面と前記駆動力伝達部材との隙間から液体を排除する液排出通路とを含むことを特徴とする基板保持回転機構。
2. 請求項１記載の基板保持回転機構と、
   この基板保持回転機構に保持された基板に処理液を供給する処理液供給機構とを含むことを特徴とする基板処理装置。
3. 前記基板保持回転機構に保持された基板から遠心力によって回転半径外方側へと排除される処理液を受ける処理液受け面を内方に有する処理液受け部材をさらに含み、
   前記スピンベースの外部空間と連通する前記液排出通路の出口が、前記処理液受け部の処理液受け面に対向していることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。

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